Semiconductores 1

Dispositivos Semiconductores
www.fi.uba.ar/materias/6625
2do Cuatrimestre de 2012
Existen tambin otros dispositivos de juntura PN, como los LEDs, los diodos lser, los fotodetectores, los diodos
PIN, los diodos de avalancha, los SCR, etc. que los hemos agrupado para su estudio dentro de otros apuntes
(Dispositivos Opto-electrnicos o Dispositivos de Potencia). Tambin existen otros diodos especiales que no se
incluyen en este apunte, como por ejemplo el diodo Gunn, porque su uso es muy poco frecuente.
En la Fig. 2 se muestran posibles clasificaciones hechas por Fairchild para los diodos ms habituales.
Fig. 2
2
Curva caracterstica del diodo convencional

La curva I-V del diodo PN rectificador elemental se ilustra en la Fig. 3.
Fig. 3
3
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones:

qV D
nkT
I =I S e 1
Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
VD es la diferencia de tensin entre los extremos del diodo.
IS es la corriente de saturacin (del orden de 1012 Amper)
q es la carga del electrn cuyo valor es 1.61019 Coul
T es la temperatura absoluta de la juntura
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, que depende del proceso de fabricacin del diodo, y toma valores del orden de 1 (para el
germanio) y del orden de 2 (silicio).
Corriente Nominal (IN): Corriente en condiciones especificadas de rgimen de trabajo.

Corriente mxima (Imax). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo en directa sin
fundirse por el efecto Joule. Depende sobre todo del diseo geomtrico y la capacidad de disipar potencia.
Tensin umbral (ON voltage): Tensin VD aproximada para que circule IN a travs del diodo.
Tensin de ruptura inversa (Vr). A partir de un determinado valor de tensin se produce la ruptura inversa del
diodo, lo que implica un fuerte incremento en la corriente inversa, como se analizar a continuacin.
Corriente saturacin inversa (Is). Corriente aproximada que circula por el diodo cuando es polarizado en inversa
con una tensin mayor a Vr.
4
Tipos de ruptura inversa
Efecto avalancha
A medida que aumenta la tensin de polarizacin inversa de un diodo PN crece la extensin de la zona desierta y la
magnitud del campo elctrico en la juntura. Para cierto valor de tensin inversa (tensin de ruptura o de avalancha)
puede ocurrir que los portadores alcancen energas suficientemente altas para que al chocar con la red generen
nuevos portadores (Fig. 4). Este efecto multiplicador en la cantidad de portadores debe ser limitado mediante una
resistencia serie externa para evitar la destruccin del diodo.
Fig. 4
5
Efecto tnel (o zener)
En cambio, si el dopaje del diodo es mayor, la

zona desierta ser ms reducida, y no habr
distancia suficiente para acelerar a los
portadores como para generar el efecto
avalancha. En este caso, si la tensin inversa es
suficientemente grande, se producir un
desprendimiento de portadores de la zona de
vaciamiento por un efecto cuntico llamado
efecto tnel.
En general, en los diodos estn presentes tanto
el efecto zener como el efecto de Avalancha,
pero el efecto predominante ser aquel que se
produzca a menor tensin inversa. En los diodos
de silicio es posible lograr el efecto zener para
valores de aproximadamente 1 a 5.6 Volts,
mientras que por sobre 5.6 Volts predomina el
efecto de avalancha.
6
Fig. 5
Generalmente, cuando se habla de un diodo zener se hace referencia a diodos que se utilizan polarizados en la
tensin de ruptura inversa, independientemente de si sta ruptura se produce por efecto Zener o por efecto
avalancha, y que se emplean para obtener tensiones de referencia o reguladas, como veremos a continuacin.
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Ejemplo de aplicacin de diodo Zener

En la Fig. 5 se ilustra un ejemplo de la curva caracterstica de un diodo Zener.
Fig. 6
Debido a que en polarizacin inversa el diodo Zener presenta una regin de tensin casi constante para un rango
amplio de corrientes (ver Fig. 6) se los utiliza para obtener una tensin regulada. El circuito elemental se muestra en
la Fig. 7. Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en la carga (R L)
permanezca prcticamente constante dentro de un rango de variacin de la tensin de entrada V NR.
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Fig. 7
Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular cul puede ser su valor mximo y mnimo de
acuerdo con la corriente I L mnima y mxima, las corrientes de Zener mnimas y mximas, y las tensiones V s mnimas
y mximas:
Si se utiliza por ejemplo el diodo Zener de 2.4 V ilustrado en la Fig. 8, entonces dentro de cierto rango de I L se
asegurar una tensin de 2.4 V sobre la carga.
Fig. 8
9
Tolerancia de los diodos Zener y su variacin con la temperatura

La tensin de Zener puede ser controlada en el proceso de fabricacin mediante el ajuste del dopaje. En general la
tolerancia tpica de Vz es del 5% o 10%, aunque se logran tolerancias de hasta 0.05%.
Cuando la ruptura se produce por efecto Zener la tensin V z presenta un coeficiente de variacin negativo con la
temperatura. En cambio, cuando predomina el efecto de avalancha V z tiene un coeficiente positivo de variacin con
la temperatura. Los diodos Zener de silicio de 5.6 V son muy populares, ya que ambos efectos se producen en
simultneo, compensando la variacin de temperatura.
Diodo Schottky
El diodo Schottky es un diodo que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e
inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos) y que tiene muy bajas tensiones umbral (del orden de 0.2V).
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El diodo Schottky est constituido por una juntura metal-semiconductor, en lugar de una juntura PN. En la Fig. 9 se
muestra un diodo Schottky de aluminio. Debido a efectos cunticos, la juntura N-Al tiene las propiedades
rectificativas similares a la de una juntura PN, mientras que la juntura N +-Al se comporta como una juntura hmica
metal-metal. De este modo, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores
tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo N-Al con lo que la
operacin del dispositivo ser mucho ms rpida.
La alta velocidad de conmutacin del diodo Schottky permite rectificar seales de muy altas frecuencias y encuentra
una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para comunicaciones y computadoras.
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Diodo Varicap
El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en la variacin
de extensin de la zona desierta de la unin PN en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al
aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo
se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500
pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en sintonizadores de TV (Fig. 10), modulacin de frecuencia
en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (VCO).
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Diodo Tnel
Los diodos tnel estn fuertemente dopados de modo que la zona de vaciamiento tiene slo unos pocos nanmetros.
Por este motivo se manifiesta fuertemente el efecto tnel (Fig. 12), que es un fenmeno solamente explicable a
partir de la mecnica cuntica. Este diodo fue inventado en 1958 por el japons Leo Esaki, por lo cual recibi un
premio Nobel en 1973.
Los diodos Tnel son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro de galio. Son diodos
muy rpidos que presentan una respuesta una zona con resistencia negativa (Fig. 12), que permite su utilizacin
como elemento activo en osciladores y amplificadores. En la prctica los diodos tnel operan con unos pocos
miliampers y potencias muy bajas.
Fig. 12
14
Bibliografa
S. M. Sze - Physics of Semiconductor Devices

Muller Kamins - Device Electronics For Integrated Circuits
www.wikipedia.org
15

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Curva caracterstica del diodo convencional

Corriente Nominal (IN): Corriente en condiciones especificadas de rgimen de trabajo.

Tipos de ruptura inversa

Efecto tnel (o zener)

En cambio, si el dopaje del diodo es mayor, la

Ejemplo de aplicacin de diodo Zener

Tolerancia de los diodos Zener y su variacin con la temperatura

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