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Eletrnica de Potncia - Cap. 1 J. A.
Pomilio
1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA
A figura 1.1 mostra uma distribuio dos componentes semicondutores, indicando limites
aproximados (B. Wu, 2005) para valores de tenso de bloqueio e corrente de conduo.
Obviamente estes limites evoluem com o desenvolvimento tecnolgico e servem como uma
ilustrao para a verificao, numa primeira aproximao, das faixas de potncia em que cada
componente pode ser utilizado.
V
(k V )
12
SCR 1 2 k V /1 .5 k A
10
8
6 .5 k V /
0 .6 k A 6 .5 k V /4 .2 k A
6 6 k V /6 k A
G T O / IG C T 4 .8 k V /5 k A
4
2 .5 k V /1 .8 k A
2 1 .7 k V / 3 .6 k A
IG B T
0 1 2 3 4 5 6 I( k A )
Figura 1.1 Limites de capacidade de componentes semicondutores de potncia.
1.1 Breve Reviso da Fsica de Semicondutores
A passagem de corrente eltrica em um meio depende da aplicao de um campo eltrico e

da existncia de portadores livres (usualmente eltrons) neste meio. Em metais, como o cobre ou a
prata, a densidade de portadores livres (eltrons) da ordem de 1023/cm3, enquanto nos materiais
isolantes, como o quartzo ou o xido de alumnio, o valor da ordem de 103/cm3. Os chamados
semicondutores, como o silcio, tm densidades intermedirias, na faixa de 108 a 1019/cm3. Nos
condutores e nos isolantes, tais densidades so propriedades dos materiais, enquanto nos
semicondutores estas podem ser variadas, seja pela adio de impurezas de outros materiais, seja
pela aplicao de campos eltricos em algumas estruturas de semicondutores.
1.1.1 Os portadores: eltrons e lacunas

tomos de materias com 4 eltrons em sua camada mais externa (C, Ge, Si, etc.), ou ainda
molculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligaes muito estveis, uma
vez que, pelo compartilhamento dos eltrons externos pelos tomos vizinhos (ligao covalente),
tem-se um arranjo com 8 eltrons na camada de valncia, como ilustra a figura 1.2.
DSE FEEC UNICAMP 2014 1-1

Eletrnica de Potncia - Cap. 1 J. A. Pomilio
eltrons
compartilhados
ncleos
atmicos
Figura 1.2 Estrutura cristalina de material semicondutor
Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 oC), algumas destas ligaes so
rompidas (ionizao trmica), produzindo eltrons livres. O tomo que perde tal eltron se torna
positivo. Eventualmente um outro eltron tambm escapa de outra ligao e, atrado pela carga
positiva do tomo, preenche a ligao covalente. Desta maneira tem-se uma movimentao
relativa da carga positiva, chamada de lacuna, que, na verdade, devida ao deslocamento dos
eltrons que saem de suas ligaes covalentes e vo ocupar outras, como mostra a figura 1.3.
movimento
da lacuna
tomo
ionizado
eltron
ligao
rompida
Figura 1.3 Movimento de eltrons e lacunas em semicondutor
A ionizao trmica gera o mesmo nmero de eltrons e lacunas. Em um material puro, a

densidade de portadores aproximadamente dada por:
qE g
ni Ce kT (1.1)
onde C uma constante de proporcionalidade, q a carga do eltron (valor absoluto), Eg a banda

de energia do semicondutor (1,1 eV para o Si), k a constante de Boltzmann, T a temperatura
em Kelvin. Para o Si, temperatura ambiente (300K), ni 1010/cm3.
1.1.2 Semicondutores dopados

Quando se faz a adio de tomos de materiais que possuam 3 (como o alumnio ou o
boro) ou 5 eltrons (como o fsforo) em sua camada de valncia estrutura dos semicondutores,
os tomos vizinhos a tal impureza tero suas ligaes covalentes incompletas ou com excesso de
eltrons, como mostra a figura 1.4.

Si Si Si Si Si Si
eltron
ligao em excesso
incompleta
Si Bo Si Si P Si
Si Si Si Si Si Si
Figura 1.4 Semicondutores dopados
Neste caso no se tem mais o equilbrio entre eltrons e lacunas, passando a existir um
nmero maior de eltrons livres nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da tabela
peridica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna. Respectivamente,
produzem-se os chamados materiais semicondutores tipo N e tipo P. Observe-se, no entanto, que o
material permanece eletricamente neutro, uma vez que a quantidade total de eltrons e prtons a
mesma.
Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um eltron livre, tem-se a movimentao da
lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas so os portadores majoritrios, sendo os eltrons os
portadores minoritrios.
J no material tipo N, a movimentao do eltron excedente deixa o tomo ionizado, o que
o faz capturar outro eltron livre. Neste caso os portadores majoritrios so os eltrons, enquanto
os minoritrios so as lacunas.
As dopagens das impurezas (1019/cm3 ou menos), tipicamente so feitas em nveis muito
menores que a densidade de tomos do material semicondutor (1023/cm3), de modo que as
propriedades de ionizao trmica no so afetadas.
Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de lacunas e de eltrons (po e no,
respectivamente) igual ao valor ni2 dado pela equao (1.1), embora aqui po no .
Alm da ionizao trmica, tem-se uma quantidade adicional de cargas livres, relativas
s prprias impurezas. Pelos valores indicados anteriormente, pode-se verificar que a concentrao
de tomos de impurezas muitas ordens de grandeza superior densidade de portadores gerados
por efeito trmico, de modo que, num material tipo P, po Na, onde Na a densidade de
impurezas aceitadoras de eltrons. J no material tipo N, no Nd, onde Nd a densidade de
impurezas doadoras de eltrons.
Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritrios proporcional ao
quadrado da densidade intrnseca, ni, e fortemente dependente da temperatura.
n i2
no , po Na (1.2)
po
n i2
po , no Nd (1.3)
no
1.1.3 Recombinao
Uma vez que a quantidade ni determinada apenas por propriedades do material e pela
temperatura, necessrio que exista algum mecanismo que faa a recombinao do excesso de
portadores medida que novos portadores so criados pela ionizao trmica.
Tal mecanismo inclui tanto a recombinao propriamente dita de um eltron com uma
lacuna em um tomo de Si, quanto a captura dos eltrons pela impureza ionizada ou,
adicionalmente, por imperfeies na estrutura cristalina. Tais imperfeies fazem com que os
tomos adjacentes no necessitem realizar 4 ligaes covalentes.
Pode-se definir o tempo de vida de um portador como o tempo mdio necessrio para
que o eltron ou a lacuna sejam neutralizados pela consecusso de uma ligao covalente. Em
muitos casos pode-se considerar o tempo de vida de um portador como uma constante do
material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potncia, esta no uma boa
simplificao.
Quando ocorre um significativo aumento na temperatura do semicondutor, tem-se um
aumento no tempo de recombinao do excesso de portadores, o que leva a um aumento nos
tempos de comutao dos dispositivos de tipo portadores minoritrios, como o transistor bipolar
e os tiristores.
Uma vez que este tempo de vida dos portadores afeta significantemente o
comportamento dos dispositivos de potncia, a obteno de mtodos que possam control-lo
importante. Um dos mtodos que possibilita o ajuste deste tempo a dopagem com ouro, uma
vez que este elemento funciona como um centro de recombinao, uma vez que realiza tal
operao com grande facilidade. Outro mtodo o da irradiao de eltrons de alta energia,
bombardeando a estrutura cristalina de modo a deform-la e, assim, criar centros de
recombinao. Este ltimo mtodo tem sido preferido devido sua maior controlabilidade (a
energia dos eltrons facilmente controlvel, permitindo estabelecer a que profundidade do cristal
se quer realizar as deformaes) e por ser aplicado no final do processo de construo do
componente.
1.1.4 Correntes de deriva e de difuso

Quando um campo eltrico for aplicado a um material semicondutor, as lacunas se
movimentaro no sentido do campo decrescente, enquanto os eltrons seguiro em sentido oposto.
Esta corrente depende de um parmetro denominado mobilidade, a qual varia com o material e
do tipo de portador. A mobilidade dos eltrons aproximadamente 3 vezes maior do que a das
lacunas para o Si em temperatura ambiente. A mobilidade diminui aproximadamente com o
quadrado do aumento da temperatura.
Outro fator de movimentao de portadores por difuso, quando existem regies
adjacentes em que h diferentes concentraes de portadores. O movimento aleatrio dos
portadores tende a equalizar sua disperso pelo meio, de modo que tende a haver uma migrao de
portadores das regies mais concentradas para as mais dispersas.
1.2 Diodos de Potncia
Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de
corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de funcionamento, em
geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de maior
potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir maiores correntes) e maior
comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A figura 1.5 mostra, simplificadamente, a
estrutura interna de um diodo.
Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na
regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito maior que a do
restante do componente (devido concentrao de portadores).
Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tenso negativa no
anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N), mais portadores positivos (lacunas) migram para
o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio aumenta, elevando a barreira
de potencial.

Juno metalrgica
P + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _N_
+ + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ Anodo Catodo
+ +
+ + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ Difuso
_
0 Potencial
1u
Figura 1.5 Estrutura bsica de um diodo semicondutor.
Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios penetra na
regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a outra regio neutra do
dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada, variando, basicamente,
com a temperatura.
Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os portadores em trnsito
obtero grande velocidade e, ao se chocarem com tomos da estrutura, produziro novos
portadores, os quais, tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o aumento na
corrente, sem reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico de potncia que destri
o componente.
Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e reduo da barreira
de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para
diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial positivo do anodo e
vice-versa, levando o componente conduo.
Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente desta
apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel desta regio
permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar menor o campo eltrico na
regio de transio (que ser mais larga, para manter o equilbrio de carga).
Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa caracterstica
resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto maior for a tenso
suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so altamente dopadas, a
fim de fazer com que se obtenha um contato com caracterstica hmica e no semicondutor.
O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar campos
eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas).
No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja carga
aquela presente na prpria regio de transio.
Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+, por
difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que cresce a
corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons venham da regio N+
para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual ter
que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo.
O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do de
uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.6. Suponha-se que se aplica uma tenso vi ao
diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar alguns aspectos da forma
de onda).

Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no houve
significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um pico de
tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram com a sobre-
tenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso para cerca de 1V. Estes
tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se
possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores
transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda
hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de portadores,
iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada s indutncias
do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa.
trr
t3
t1 dir/dt
dif/dt
Qrr
i=Vr/R
iD
Anodo
Vfp Von t4 t5
P+ 10e19 cm-3 10 u
vD
Vrp
_
-Vr t2
N 10e14 cm-3 Depende
da tenso
+Vr
vi
vD -Vr
250 u
N+ 10e19cm-3
substrato
iD
vi R
Catodo
Figura 1.6 - Estrutura tpica de diodo de potncia e formas de onda tpicas de comutao de diodo
de potncia.
A figura 1.7 mostra resultados experimentais de um diodo de potncia lento (retificador)

em um circuito como o da figura 1.6, no qual a indutncia desprezvel, como se nota na figura
(a), pela inverso quase imediata da polaridade da corrente. A corrente reversa limitada pela
resistncia presente no circuito. J na entrada em conduo, a tenso aplicada ao circuito aparece
instantaneamente sobre o prprio diodo, o que contribui para limitar o crescimento da corrente.
Quando esta tenso cai, a corrente vai assumindo seu valor de regime.

(a) (b)
Figura 1.7 - Resultados experimentais das comutaes de diodo: (a) desligamento;
(b) entrada em conduo. Canal 1: Corrente; Canal 2: tenso vak
Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto
nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos.
O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de,
neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobre-tenses produzidas
por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de
minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta variao
de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados.
Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula, como o caso dos retificadores
com filtro capacitivo, praticamente no se observa o fenmeno da recombinao reversa.
1.3 Diodos Schottky
Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material semicondutor, o

contato tem, tipicamente, um comportamento hmico, ou seja, a resistncia do contato governa o
fluxo da corrente. Quando este contato feito entre um metal e uma regio semicondutora com
densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser o resistivo, passando a
haver tambm um efeito retificador.
Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato direto com um
semicondutor, como indicado na figura 1.8. O metal usualmente depositado sobre um material
tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte metlica ser
o anodo e o semicondutor, o catodo.
Numa deposio de Al (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do semicondutor tipo N
migraro para o metal, criando uma regio de transio na juno.
Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos materiais) esto em
trnsito. O seu chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos bipolares, uma vez que no
existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio apenas refazer a barreira de
potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N+ tem uma dopagem relativamente alta, a fim de
reduzir as perdas de conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca
de 100V.
A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas
quais as quedas sobre os retificadores so significativas.
Na figura 1.4.(b) tem-se uma forma de onda tpica no desligamento do componente. Note
que, diferentemente dos diodos convencionais, assim que a corrente se inverte a tenso comea a
crescer, indicando a no existncia dos portadores minoritrios no dispositivo.

contato Al Al contato
retificador hmico
SiO2
N+
Tipo N
Substrato tipo P
(a) (b)
Figura 1.8 - (a) Estrutura de diodo Schottky; (b) Forma de onda tpica no desligamento. Canal 1:
Corrente; Canal 2: tenso vak
1.4 Tiristor
O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em

regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa seqncia
p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestvel.
O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio), usualmente
chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma
mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), tambm chamado de LTT (Light Triggered
Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor
comutvel pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS).
1.4.1 Princpio de funcionamento

O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-n-p-n,
possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou gate) que, a uma
injeo de corrente, faz com que se estabelea a corrente andica. A figura 1.9 ilustra uma
estrutura simplificada do dispositivo.
Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro
diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada. No haver
conduo de corrente at que a tenso Vak se eleve a um valor que provoque a ruptura da barreira
de potencial em J2.
Se houver uma tenso Vgk positiva, circular uma corrente atravs de J3, com portadores
negativos indo do catodo para a porta. Por construo, a camada P ligada porta suficientemente
estreita para que parte destes eltrons que cruzam J3 possua energia cintica suficiente para vencer
a barreira de potencial existente em J2, sendo ento atrados pelo anodo.

Vcc Rc (carga)
J1 J2 J3
P N- P N+
A K Catodo
Anodo Vg CH
Gate G Rg
Vcc Rc
A K
G
Rg
Vg
Figura 1.9 - Funcionamento bsico do tiristor e seu smbolo.
Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial diminuda e
estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo na ausncia da
corrente de porta.
Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto J2
estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3 intermediria a regies de alta dopagem,
ela no capaz de bloquear tenses elevadas, de modo que cabe juno J1 manter o estado de
bloqueio do componente.
comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma associao de
dois transistores, conforme mostrado na figura 1.10.
Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik crescero. Como Ic2 = Ib1, T1 conduzir
e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentar Ic2 e assim o dispositivo evoluir at a saturao, mesmo que
Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos transistores forem maior que 1. O
componente se manter em conduo desde que, aps o processo dinmico de entrada em
conduo, a corrente de anodo tenha atingido um valor superior ao limite IL, chamado de corrente
de "latching".
Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que a corrente por ele caia abaixo do
valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial em J2.
Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma tenso negativa entre anodo e
catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento por deslocar nos sentidos
adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no garante, sozinha, o desligamento.
Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao
reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um comportamento dos
GTOs, como se ver adiante.
A A Ia
Ib1
P T1
N Ic2
N Ic1
G
P P G
T2
Ig Ib2
N
Ik
K
K
Figura 1.10 - Analogia entre tiristor e transistores bipolares
1.4.2 Maneiras de disparar um tiristor

Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em
conduo:
a) Tenso
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao aplicada
sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de transio tanto para
o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo na ausncia de corrente de
gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas livres que penetram na regio de transio (no
caso, eltrons), as quais so aceleradas pelo campo eltrico presente em J2. Para valores elevados
de tenso (e, consequentemente, de campo eltrico), possvel iniciar um processo de avalanche,
no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se com tomos vizinhos, provoquem a expulso de
novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenmeno, do ponto de vista do
comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito similar ao de uma injeo de corrente
pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido o limiar de IL, o
dispositivo se manter em conduo. A figura. 1.11 mostra a caracterstica esttica de um SCR.
b) Ao da corrente positiva de porta

Sendo o disparo atravs da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o tiristor,
importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso Vgk e a corrente Ig, como
mostrados na figura 1.12.
O valor Vgm indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os
componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada.
O valor Vgo a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de um dado
tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao.
A corrente Igm a mnima corrente necessria para garantir a entrada em conduo de
qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura.
Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de acionamento
deve garantir a passagem alm dos limites Vgm e Igm, sem exceder os demais limites (tenso,
corrente e potncia mximas).
c) Taxa de crescimento da tenso direta

Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de
maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial. Considerando que
praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o SCR estiver desligado e
polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno dada por:
Ij =
(
d C j Vak ) = C dVak + V
dC j
(1.4)
j ak
dt dt dt
Onde Cj a capacitncia da juno.

Ia
Von
IL
Ig2 > Ig1 > Ig=0
Vbr IH
Vak
Vbo
Figura 1.11 - Caracterstica esttica do tiristor.
Vgk
Mxima tenso de gate
Limite de
baixa corrente
Mxima potncia
Instantnea de gate
6V
Vgm Limite de
alta corrente
Vgo
Reta de carga
do circuito de acionamento
0
0 Igm 0,5A Ig
Figura 1.12 - Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta.
Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta de
largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a corrente que
atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo.
Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se que
a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (Vak > 0). A taxa de crescimento da
tenso reversa no importante, uma vez que as correntes que circulam pelas junes J1 e J3, em
tal situao, no tem a capacidade de levar o tiristor a um estado de conduo.
Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o
objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles.
d) Temperatura
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada dobra
aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevao da temperatura pode levar a uma
corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo.
e) Energia radiante
Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal,
produz considervel quantidade de pares eltrons-lacunas, aumentando a corrente de fuga reversa,
possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos LASCR, cuja
aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde a isolao necessria s
obtida por meio de acoplamentos ticos.

1.4.3 Parmetros bsicos de tiristores

Apresentaremos a seguir alguns parmetros tpicos de tiristores e que caracterizam
condies limites para sua operao. Alguns j foram apresentados e comentados anteriormente e
sero, pois, apenas citados aqui.
Tenso direta de ruptura (VBO)
Mxima tenso reversa (VBR)
Mxima corrente de anodo (Iamax): pode ser dada como valor RMS, mdio, de pico e/ou
instantneo.
Mxima temperatura de operao (Tjmax): temperatura acima da qual, devido a um possvel
processo de avalanche, pode haver destruio do cristal.
Resistncia trmica (Rth): a diferena de temperatura entre 2 pontos especificados ou regies,
dividido pela potncia dissipada sob condies de equilbrio trmico. uma medida das
condies de fluxo de calor do cristal para o meio externo.
Caracterstica I2t: o resultado da integral do quadrado da corrente de anodo num determinado
intervalo de tempo, sendo uma medida da mxima potncia dissipvel pelo dispositivo. dado
bsico para o projeto dos circuitos de proteo.
Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt).
Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o incio do processo de
conduo de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de silcio, ao redor da regio
onde foi construda a porta, espalhando-se radialmente at ocupar toda a superfcie do catodo,
medida que cresce a corrente. Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a
expanso necessria na superfcie condutora, haver um excesso de dissipao de potncia na
rea de conduo, danificando a estrutura semicondutora. Este limite ampliado para tiristores
de tecnologia mais avanada fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior rea de
contato, por exemplo, 'interdigitando" o gate. A figura 1.13 ilustra este fenmeno.
Corrente de manuteno de conduo (IH): a mnima corrente de anodo necessria para manter
o tiristor em conduo.
Corrente de disparo (IL): mnima corrente de anodo requerida para manter o SCR ligado
imediatamente aps ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e ser removida a
corrente de porta.
Tempo de disparo (ton): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado desligado e atingir a
plena conduo.
Tempo de desligamento (toff): o tempo necessrio para a transio entre o estado de conduo
e o de bloqueio. devido a fenmenos de recombinao de portadores no material
semicondutor.
Corrente de recombinao reversa (Irqm): valor de pico da corrente reversa que ocorre durante o
intervalo de recombinao dos portadores na juno.
K
G
N N
P
G P G
N- P
N
N
P Catodo
Gate circular Gate interdigitado

A Contato metlico
Figura 1.13 - Expanso da rea de conduo do tiristor a partir das vizinhanas da regio de gate.
A figura 1.14 ilustra algumas destas caractersticas.
dv/dt
di/dt
Tenso direta de bloqueio
Von
Corrente de fuga direta
Corrente de fuga reversa
Irqm
ton
Tenso reversa de bloqueio
toff
Figura 1.14 Tenses e correntes caractersticas de tiristor.
1.4.4 Circuitos de excitao do gate

a) Conduo
Conforme foi visto, a entrada em conduo de um tiristor controlada pela injeo de uma
corrente no terminal da porta, devendo este impulso estar dentro da rea delimitada pela figura
1.12. Por exemplo, para um dispositivo que deve conduzir 100 A, um acionador que fornea uma
tenso Vgk de 6 V com impedncia de sada 12 ohms adequado. A durao do sinal de disparo
deve ser tal que permita corrente atingir IL quando, ento, pode ser retirada.
Observamos ser bastante simples o circuito de disparo de um SCR e, dado o alto ganho do
dispositivo, as exigncias quando ao acionamento so mnimas.
b) Comutao
Se, por um lado, fcil a entrada em conduo de um tiristor, o mesmo no se pode dizer
de sua comutao. Lembramos que a condio de desligamento que a corrente de anodo fique
abaixo do valor IH. Se isto ocorrer juntamente com a aplicao de uma tenso reversa, o bloqueio
se dar mais rapidamente.
No existe uma maneira de se desligar o tiristor atravs de seu terminal de controle, sendo
necessrio algum arranjo no nvel do circuito de anodo para reduzir a corrente principal.
b.1) Comutao Natural

utilizada em sistemas de CA nos quais, em funo do carter ondulatrio da tenso de
entrada, em algum instante a corrente tender a se inverter e ter, assim, seu valor diminudo
abaixo de IH, desligando o tiristor. Isto ocorrer desde que, num intervalo inferior a toff, no cresa
a tenso direta Vak, o que poderia lev-lo novamente conduo.
A figura 1.15 mostra um circuito de um controlador de tenso CA, alimentando uma carga
RL, bem como as respectivas formas de onda. Observe que quando a corrente se anula a tenso
sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs est em conduo.

S1
i(t)
L
vi(t) S2 vL R
200V
vi(t)
-200V
40A
i(t)
-40A
200V
vL(t)
-200V
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Figura 1.15 - Controlador de tenso CA com carga RL e formas de onda tpicas.
b.2) Comutao por ressonncia da carga

Em algumas aplicaes especficas, possvel que a carga, pela sua dinmica prpria, faa
com que a corrente tenda a se inverter, fazendo o tiristor desligar. Isto ocorre, por exemplo,
quando existem capacitncias na carga as quais, ressoando com as indutncias do circuito
produzem um aumento na tenso ao mesmo tempo em que reduzem a corrente. Caso a corrente se
torne menor do que a corrente de manuteno e o tiristor permanea reversamente polarizado pelo
tempo suficiente, haver o seu desligamento. A tenso de entrada pode ser tanto CA quanto CC. A
figura 1.16 ilustra tal comportamento. Observe que enquanto o tiristor conduz a tenso de sada,
vo(t), igual tenso de entrada. Quando a corrente se anula e S1 desliga, o que se observa a
tenso imposta pela carga ressonante.
b.3) Comutao forada

utilizada em circuitos com alimentao CC e nos quais no ocorre reverso no sentido da
corrente de anodo.
A idia bsica deste tipo de comutao oferecer corrente de carga um caminho
alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tenso reversa sobre ele, desligando-o.
Antes do surgimento dos GTOs, este foi um assunto muito discutido, buscando-se
topologias eficientes. Com o advento dos dispositivos com comutao pelo gate, os SCRs tiveram
sua aplicao concentrada nas aplicaes nas quais ocorre comutao natural ou pela carga.
vo
L Vcc
S1 io(t)
Vcc vo(t) Carga io
Ressonante 0
Figura 1.17 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga.

A figura 1.18 mostra um circuito para comutao forada de SCR e as formas de onda
tpicas. A figura 1.19 mostra detalhes de operao do circuito auxiliar de comutao.
Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido elevada
constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulao. A tenso sobre o capacitor
negativa, com valor igual ao da tenso de entrada.
No instante to o tiristor principal, Sp, disparado, conectando a fonte carga, levando o
diodo Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por Sp, Cr, D1 e Lr, a qual
permite a ocorrncia de uma ressonncia entre Cr e Lr, levando inverso na polaridade da tenso
do capacitor. Em t1 a tenso atinge seu mximo e o diodo D1 desliga (pois a corrente se anula). O
capacitor est preparado para realizar a comutao de Sp.
Quanto o tiristor auxiliar, Sa, disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser fornecida
atravs do caminho formado por Lr, Sa e Cr, levando a corrente por Sp a zero, ao mesmo tempo
em que se aplica uma tenso reversa sobre ele, de modo a deslig-lo.
D2
60A
iT
Sp
Lo
i +
T Cr
Vc
+
Lr iC
-60A
Df Ro
Sa i 200V
c Vo
Vcc vo
0
vC
D1
-200V
Figura 1.18 Topologia com comutao forada de SCR e formas de onda tpicas.
Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igual corrente da carga, fazendo
com que a variao de sua tenso assuma uma forma linear. Esta tenso cresce (no sentido
negativo) at levar o diodo de circulao conduo, em t4. Como ainda existe corrente pelo
indutor Lr, ocorre uma pequena oscilao na malha Lr, Sa, Cr e D2 e, quando a corrente por Sa se
anula, o capacitor se descarrega at a tenso Vcc na malha formada por Cr, D1, Lr, fonte e Df.
60A
iT
-60A ic
200V
vo
0
vc
-200V
to t1 t2 t3 t4 t5
Figura 1.19 - Detalhes das formas de onda durante comutao.

1.4.5 Redes Amaciadoras

O objetivo destas redes evitar problemas advindos de excessivos valores para dv/dt e
di/dt, conforme descritos anteriormente.
a) O problema di/dt
Uma primeira medida capaz de limitar possveis danos causados pelo crescimento
excessivamente rpido da corrente de anodo construir um circuito acionador de gate adequado,
que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a expanso da rea
condutora.
Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o crescimento da corrente de
anodo durante a entrada em conduo do dispositivo.
Alm deste fato tem-se outra vantagem adicional que a reduo da potncia dissipada no
chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tenso Vak ser reduzida pela queda
sobre a indutncia.
O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso mais
longo de disparo, ou ainda a uma seqncia de pulsos, para que seja assegurada a conduo do
tiristor.
b) O problema do dv/dt
A limitao do crescimento da tenso direta Vak, usualmente feita pelo uso de circuitos
RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 1.20.
No caso mais simples (a), quando o tiristor comutado, a tenso Vak segue a dinmica
dada por RC que, alm disso, desvia a corrente de anodo facilitando a comutao. Quando o SCR
ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no tiristor, limitado pelo valor
de R.
No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os processos
de carga e descarga de C. No 3o caso, o pico limitado por L, o que no traz eventuais problemas
de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em conduo do tiristor para obter um
Ia>IL, uma vez que se soma corrente de anodo proveniente da carga.
A energia acumulada no capacitor praticamente toda dissipada sobre o resistor de
descarga.
D L
D
R R2
R1
R
C
C
C
(a) (b) (c)

Figura 1.20 - Circuitos amaciadores para dv/dt.
1.4.6 Associao em Paralelo de Tiristores

Desde o incio da utilizao do tiristor, em 1958, tm crescido constantemente os limites
de tenso e corrente suportveis, atingindo hoje faixas de 5000 V e 4000 A. H, no entanto,
diversas aplicaes nas quais necessria a associao de mais de um destes componentes, seja
pela elevada tenso de trabalho, seja pela corrente exigida pela carga.

Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessria, no pode ser

suportada por um nico tiristor, essencial a ligao em paralelo. A principal preocupao neste
caso a equalizao da corrente entre os dispositivos, tanto em regime, como durante a
comutao. Diversos fatores influem na distribuio homognea da corrente, desde aspectos
relacionados tecnologia construtiva do dispositivo, at o arranjo mecnico da montagem final.
Existem duas tecnologias bsicas de construo de tiristores, diferindo basicamente no que
se refere regio do catodo e sua juno com a regio da porta. A tecnologia de difuso cria uma
regio de fronteira entre catodo e gate pouco definida, formando uma juno no-uniforme que
leva a uma caracterstica de disparo (especialmente quanto ao tempo de atraso e sensibilidade ao
disparo) no homognea. A tecnologia epitaxial permite fronteiras bastante definidas, implicando
numa maior uniformidade nas caractersticas do tiristor. Conclui-se assim que, quando se faz uma
associao (srie ou paralela) destes dispositivos, prefervel empregar componentes de
construo epitaxial.
Em ligaes paralelas de elementos de baixa resistncia, um fator crtico para a
distribuio de corrente so variaes no fluxo concatenado pelas malhas do circuito, dependendo,
pois, das indutncias das ligaes. Outro fator importante relaciona-se com a caracterstica do
coeficiente negativo de temperatura do dispositivo, ou seja, um eventual desequilbrio de corrente
provoca uma elevao de temperatura no SCR que, por sua vez, melhora as condies de
condutividade do componente, aumentando ainda mais o desequilbrio, podendo lev-lo
destruio.
Uma primeira precauo para reduzir estes desbalanceamentos realizar uma montagem
de tal maneira que todos os tiristores estejam a uma mesma temperatura, o que pode ser feito, por
exemplo, pela montagem em um nico dissipador.
No que se refere indutncia das ligaes, a prpria disposio dos componentes em
relao ao barramento afeta significativamente esta distribuio de corrente. Arranjos cilndricos
tendem a apresentar um menor desequilbrio.
1.4.6.1 Estado estacionrio

Alm das consideraes j feitas quanto montagem mecnica, algumas outras
providncias podem ser tomadas para melhorar o equilbrio de corrente nos tiristores:
a) Impedncia srie
A idia adicionar impedncias em srie com cada componente a fim de limitar o eventual
desequilbrio. Se a corrente crescer num ramo, haver aumento da tenso, o que far com que a
corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores implica no aumento das perdas,
uma vez que dado o nvel elevado da corrente, a dissipao pode atingir centenas de watts, criando
problemas de dissipao e eficincia. Outra alternativa o uso de indutores lineares.
b) Reatores acoplados
Conforme ilustrado na figura 1.21, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que por
SCR2, uma fora contra-eletro-motriz aparecer sobre a indutncia, proporcionalmente ao
desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR1. Ao mesmo tempo uma tenso
induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a corrente por SCR2. As mais importantes
caractersticas do reator so alto valor da saturao e baixo fluxo residual, para permitir uma
grande excurso do fluxo a cada ciclo.

.
.
.
.
(a)
.
.
(c)
SCR1
. . .
. . .
SCR2
(b) . .
. .
(d)
Figura 1.21 - Equalizao de corrente com resistores e com reatores acoplados
1.4.6.2 Disparo
H duas caractersticas do tiristor bastante importantes para boa diviso de corrente entre
os componentes no momento em que se deve dar o incio da conduo: o tempo de atraso (td) e a
mnima tenso de disparo (VONmin).
O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicao do sinal de gate
e a real conduo do tiristor.
A mnima tenso de disparo o valor mnimo da tenso direta entre anodo e catodo com a
qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da caracterstica
esttica do tiristor, que quanto menor a tenso Vak, maior deve ser a corrente de gate para levar o
dispositivo conduo.
Diferenas em td podem fazer com que um componente entre em conduo antes do outro.
Com carga indutiva este fato no to crtico pela inerente limitao de di/dt da carga, o que no
ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Alm disso, como VONmin maior que a queda de tenso
direta sobre o tiristor em conduo, possvel que outro dispositivo no consiga entrar em
conduo.
Esta situao crtica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo minimizada
atravs dos dispositivos de equalizao j descritos e ainda por sinais de porta de durao maior
que o tempo de atraso.
1.4.6.3 Desligamento
Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga
manter o equilbrio de corrente mesmo que haja diferentes caractersticas entre os tiristores
(especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitncia do circuito
amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor que comea a
desligar.
1.4.6.4 Circuito de disparo

A corrente de gate deve ser alvo de atenes. O uso de um nico circuito de comando para
acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Alm disso, deve-se
procurar usar nveis iguais de corrente e tenso de gate, uma vez que influem significativamente
no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das diferenas nas junes gate-catodo de
cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou indutor em srie com o gate, para procurar
equalizar os sinais. importante que se tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada
do pulso de gate, o que pode levar necessidade de circuitos mais elaborados para fornecer a
energia necessria. Uma seqncia de pulsos tambm pode ser empregada.
1.4.7 Associao em srie de tiristores

Quando o circuito opera com tenso superior quela suportvel por um nico tiristor,
preciso associar estes componentes em srie, com precaues para garantir a distribuio
equilibrada de tenso entre eles. Devido a diferenas nas correntes de bloqueio, capacitncias de
juno, tempos de atraso, quedas de tenso direta e recombinao reversa, redes de equalizao
externa so necessrias, bem como cuidados quanto ao circuito de disparo.
A figura 1.22 indica uma possvel distribuio de tenso numa associao de 3 tiristores,
nas vrias situaes de operao.
Durante os estados de bloqueio direto e reverso (I e VI), diferenas nas caractersticas de
bloqueio resultam em desigual distribuio de tenso em regime. Ou seja, o tiristor com menor
condutncia quando bloqueado ter de suportar a maior tenso. interessante, ento, usar
dispositivos com caractersticas o mais prximas possvel.
Os estados de conduo (III e IV) no apresentam problema de distribuio de tenso.
Estados II e V representam um desbalanceamento indesejado durante os transientes de disparo e
comutao. No estado II o tempo de atraso do SCR1 consideravelmente mais longo que o dos
outros e, assim, ter que, momentaneamente, suportar toda a tenso. O estado V resulta dos
diferentes tempos de recombinao dos componentes. O primeiro a se recombinar suportar toda a
tenso.
1.4.7.1 Estado estacionrio

O mtodo usual de equalizar tenses nas situaes I e VI colocar uma rede resistiva com
cada resistor conectado entre anodo e catodo de cada tiristor. Estes resistores representam
consumo de potncia, sendo desejvel usar os de maior valor possvel. O projeto do valor da
resistncia deve considerar a diferena nos valores das correntes de bloqueio direta e reversa.
I II III IV V VI
Recuperao
Bloqueio Conduo Conduo Conduo Bloqueio
reversa
1200V direto parcial direta reversa reverso
parcial
+ + + +
1000V 1200V 1.0V 0.9V 0.7V 100V

T1
50V 6V 1.1V 1.0V 0.7V 900V

T2
150V 5V 0.9V 0.8V 1200V 200V

T3
+ +
5mA 10mA 50A 10A 10mA 10mA
Figura 1.22 - Tenses em associao de tiristores sem rede de equalizao.
1.4.7.2 Disparo
Um mtodo que pode ser usado para minimizar o desequilbrio do estado II fornecer uma
corrente de porta com potncia suficiente e de rpido crescimento, para minimizar as diferenas

relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve ser tal que garanta a continuidade da
conduo de todos os tiristores.
Para equalizar a tenso no estado V, um capacitor ligado entre anodo e catodo de cada
tiristor. Se a impedncia do capacitor suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante de tempo
necessria, o crescimento da tenso no dispositivo mais rpido ser limitado at que todos se
recombinem. Esta implementao tambm alivia a situao no disparo, uma vez que realiza uma
injeo de corrente no tiristor, facilitando a entrada em conduo de todos os dispositivos.
Mas se o capacitor providencia excelente equalizao de tenso, o pico de corrente injetado
no componente no disparo pode ser excessivo, devendo ser limitado por meio de um resistor em
srie com o capacitor. interessante um alto valor de R e baixo valor de C para, com o mesmo
RC, obter pouca dissipao de energia. Mas se o resistor for de valor muito elevado ser imposta
uma tenso de rpido crescimento sobre o tiristor, podendo ocasionar disparo por dv/dt. Usa-se
ento um diodo em paralelo com o resistor, garantindo um caminho de carga para o capacitor,
enquanto a descarga se faz por R. O diodo deve ter uma caracterstica suave de recombinao para
evitar efeitos indesejveis associados s indutncias parasitas das ligaes. Recomenda-se o uso de
capacitores de baixa indutncia parasita. A figura 1.23 ilustra tais circuitos de equalizao.
C R C R C R Equalizao
Dinmica
D D D
Rs Rs Rs
Equalizao esttica
Figura 1.23 - Circuito de equalizao de tenso em associao srie de tiristores.
1.4.7.4 Circuito de disparo

Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o circuito de
comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum dispositivo como,
por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores ticos, como mostra a figura 1.24.
a) Transformador de pulso
Neste caso, tm-se transformadores capazes de responder apenas em alta freqncia, mas
que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de microssegundos), aps
o que o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais largo, ele poder ser obtido por
meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixas no lado de sada. Com tais
dispositivos deve-se prever algum tipo de limitao de tenso no secundrio (onde est conectado
o gate), a fim de evitar sobre-tenses.
Quando se usar transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a
tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir consideravelmente
entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com o gate para evitar que um
tiristor com menor impedncia de gate drene o sinal de disparo, impedindo que os demais
dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia em srie pode ser um resistor ou um capacitor,
que tornaria mais rpido o crescimento do pulso de corrente.

b) Acoplamento luminoso
O acoplamento tico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferncias
eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos bsicos de acopladores so usados:
os opto-acopladores e as fibras ticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo no qual o emissor e
o receptor esto integrados, apresentando uma isolao tpica de 2500 V. J para as fibras ticas, o
isolamento pode ser de centenas de kV.
A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para alimentar o
emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor.
Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de
equalizao), atravs de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado do
receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potncia durante todo o perodo
de conduo.
+Vcc +V
+
..
Req
Pulsos
Pulsos Req
Figura 1.24 Circuitos de acionamento de pulso.
1.4.8 Sobre-tenso
As funes gerais da proteo contra sobre-tenso so: assegurar, to rpido quanto
possvel, que qualquer falha em algum componente afete apenas aquele tiristor diretamente
associado ao componente; aumentar a confiabilidade do sistema; evitar reaes na rede (como
excitao de ressonncias). Estas sobre-tenses podem ser causadas tanto por aes externas como
por distribuio no homognea das tenses entre os dispositivos.
Em aplicaes onde as perdas provocadas pelos resistores de equalizao devem ser
evitadas, a distribuio de tenso pode ser realizada pelo uso de retificadores de avalanche
controlada, que tambm atuam no caso de sobre-tenses. Uma possvel restrio ao uso de
supressores de sobre-tenso (geralmente de xido metlico, os varistores), que a falha em um
certo componente (um curto em um tiristor) pode levar a uma sobrecarga nos demais supressores,
provocando uma destruio em cascata de todos.
A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da
tenso, superando o limite de dv/dt ou o valor da mxima tenso direta de bloqueio, deve-se
manter uma polarizao negativa no terminal da porta, aumentado o nvel de tenso suportvel.
1.4.9 Resfriamento
As caractersticas do tiristor so fornecidas a uma certa temperatura da juno. O calor
produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o encapsulamento,
deste para o dissipador e da para o meio de refrigerao (ar ou lquido).
Este conjunto possui uma capacidade de armazenamento de calor, ou seja, uma constante
de tempo trmica, que permite sobrecargas de corrente por perodos curtos. Tipicamente esta
constante da ordem de 3 minutos para refrigerao a ar.

A temperatura de operao da juno deve ser muito menor que o mximo especificado.
Ao aumento da temperatura corresponde uma diminuio na capacidade de suportar tenses no
estado de bloqueio. Tipicamente esta temperatura no deve exceder 120oC.
O sistema de refrigerao deve possuir redundncia, ou seja, uma falha no sistema deve por
em operao um outro, garantindo a troca de calor necessria. Existem vrias maneiras de
implementar as trocas: circulao externa de ar filtrado, circulao interna de ar (com trocador de
calor), refrigerao com lquido, etc. A escolha do tipo de resfriamento influenciada pelas
condies ambientais e preferncias do usurio.

1.5 GTO - Gate Turn-Off Thyristor
O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60, por problemas de fraco
desempenho foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de dispositivos
semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje
ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez que
esto disponveis dispositivos para 5000V, 4000A.

O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, tpica dos componentes da famlia dos
tiristores. Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em conduo e bloquear atravs
de comandos adequados no terminal de gate.
O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado,
quando a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais
portadores, como a camada de gate suficientemente fina, desloca-se at a camada N adjacente,
atravessando a barreira de potencial e sendo atrados pelo potencial do anodo, dando incio
corrente andica. Se esta corrente se mantiver acima da corrente de manuteno, o dispositivo no
necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo.
A figura 1.25 mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos processos
de entrada e sada de conduo do componente.
A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao desligamento
do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo so atrados
pelo gate, fazendo com que seja possvel o restabelecimento da barreira de potencial na juno J2.
Rg
Vcc J2 J3
P+ N- P N+
Entrada em conduo
J1
Regio de
Vg
Transio
A K
Rg
G
Rg
Vcc
P+ N- P N+
Desligamento
Rg
Vg
Figura 1.25 - Smbolo, processos de comutao e estrutura interna de GTO.
A figura do GTO foi obtida na AN-315, International Rectifier, 04/82.
Aparentemente seria possvel tal comportamento tambm no SCR. As diferenas, no

entanto, esto no nvel da construo do componente. O funcionamento como GTO depende, por
exemplo, de fatores como:

facilidade de extrao de portadores pelo terminal de gate - isto possibilitado pelo uso de
dopantes com alta mobilidade
desaparecimento rpido de portadores nas camadas centrais - uso de dopante com baixo tempo
de recombinao. Isto implica que um GTO tem uma maior queda de tenso quando em
conduo, comparado a um SCR de mesmas dimenses.
suportar tenso reversa na juno porta-catodo, sem entrar em avalanche - menor dopagem na
camada de catodo
absoro de portadores de toda superfcie condutora - regio de gate e catodo muito
interdigitada, com grande rea de contato.
Diferentemente do SCR, um GTO pode no ter capacidade de bloquear tenses reversas.
Existem 2 possibilidades de construir a regio de anodo: uma delas utilizando apenas
uma camada p+, como nos SCR. Neste caso o GTO apresentar uma caracterstica lenta de
comutao, devido maior dificuldade de extrao dos portadores, mas suportar tenses reversas
na juno J2.
A outra alternativa, mostrada na figura 1.26, introduzir regies n+ que penetrem na
regio p+ do anodo, fazendo contato entre a regio intermediria n- e o terminal de anodo. Isto,
virtualmente, curtocircuita a juno J1 quando o GTO polarizado reversamente. No entanto,
torna-o muito mais rpido no desligamento (com polarizao direta). Como a juno J3 formada
por regies muito dopadas, ela no consegue suportar tenses reversas elevadas. Caso um GTO
deste tipo deva ser utilizado em circuitos nos quais fique sujeito a tenso reversa, ele deve ser
associado em srie com um diodo, o qual bloquear a tenso.
placa de metalizao do catodo

contato do
metalizao do gate
catodo
n+ n+ n+
J3
p
J2
n-
J1
p+ p+ p+
n+ n+
anodo
Figura 1.26 - Estrutura interna de GTO rpido (sem bloqueio reverso)
1.5.2 Parmetros bsicos do GTO

Os smbolos utilizados pelos diversos fabricantes diferem, embora as grandezas
representadas sejam, quase sempre, as mesmas.
Vdrxm - Tenso de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condies dadas, a mxima tenso
instantnea permissvel, em estado desligado, que no ultrapasse o dv/dt mximo, aplicvel
repetidamente ao GTO.
It - Corrente (RMS) de conduo: mxima corrente (valor RMS) que pode circular
continuamente pelo GTO.
Itcm - Corrente de conduo repetitiva controlvel: mxima corrente repetitiva, cujo valor
instantneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas condies.
I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente no-repetitiva, com respeito a um pulso
de curta durao. utilizado no dimensionamento dos fusveis de proteo.
di/dt: taxa de crescimento mxima da corrente de anodo.
Vgrm - Tenso reversa de pico de gate repetitiva: mxima tenso instantnea permissvel
aplicvel juno gate-catodo.
dv/dt: mxima taxa de crescimento da tenso direta de anodo para catodo.
IH - corrente de manuteno: Corrente de anodo que mantm o GTO em conduo mesmo na
ausncia de corrente de porta.
IL - corrente de disparo: corrente de anodo necessria para que o GTO entre em conduo com o
desligamento da corrente de gate.
tgt - tempo de disparo: tempo entre a aplicao da corrente de gate e a queda da tenso Vak.
tgq - tempo de desligamento: tempo entre a aplicao de uma corrente negativa de gate e a
queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf)
ts - tempo de armazenamento
1.5.3 Condies do sinal de porta para chaveamento

Desde que, geralmente, o GTO est submetido a condies de alto di/dt, necessrio que o
sinal de porta tambm tenha rpido crescimento, tendo um valor de pico relativamente elevado.
Deve ser mantido neste nvel por um tempo suficiente (tw1) para que a tenso Vak caia a seu valor
de conduo direta. conveniente que se mantenha a corrente de gate durante todo o perodo de
conduo, especialmente se a corrente de anodo for pequena, de modo a garantir o estado "ligado".
A figura 1.27 ilustra as formas de corrente recomendadas para a entrada em conduo e tambm
para o desligamento.
Durante o intervalo "ligado" existe uma grande quantidade de portadores nas camadas
centrais do semicondutor. A comutao do GTO ocorrer pela retirada destes portadores e, ainda,
pela impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao anodo e ao catodo, de modo que a
barreira de potencial da juno J2 possa se restabelecer.
O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores. A taxa de crescimento
desta corrente relaciona-se com o tempo de armazenamento, ou seja, o tempo decorrido entre a
aplicao do pulso negativo e o incio da queda (90%) da corrente de anodo. Quanto maior for a
derivada, menor o tempo.
Quando a corrente drenada comea a cair, a tenso reversa na juno gate-catodo cresce
rapidamente, ocorrendo um processo de avalanche. A tenso negativa de gate deve ser mantida
prxima ao valor da tenso de avalanche. A potncia dissipada neste processo controlada (pela
prpria construo do dispositivo). Nesta situao a tenso Vak cresce e o GTO desliga.
Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tenso reversa de porta pode ser
mantida durante o intervalo de bloqueio do dispositivo.
O ganho de corrente tpico, no desligamento, baixo (de 5 a 10), o que significa que,
especialmente para os GTOs de alta corrente, o circuito de acionamento, por si s, envolve a
manobra de elevadas correntes.

t gq
Ifgm
ts
Ifg
Vr
tr
dIrg
Vrg (tenso negativa
dt do circuito de comando)
t w1 avalanche
Vgk
Ig Irg
Figura 1.27 - Formas de onda tpicas do circuito de comando de porta de GTO.
1.5.4 Circuitos amaciadores (snubber)
Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento da barreira de potencial na
juno reversamente polarizada, a corrente de anodo vai se concentrando em reas cada vez
menores, concentrando tambm os pontos de dissipao de potncia. Uma limitao da taxa de
crescimento da tenso, alm de impedir o gatilhamento por efeito dv/dt, implicar numa reduo
da potncia dissipada nesta transio.
O circuito mais simples utilizado para esta funo uma rede RCD, como mostrado na
figura 1.28.
Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o GTO, o capacitor se carrega
com a passagem da corrente da carga, com sua tenso vaiando de forma praticamente linear.
Assim, o dv/dt determinado pela capacitncia. Quando o GTO entrar em conduo, este
capacitor se descarrega atravs do resistor. A descarga deve ocorrer dentro do mnimo tempo em
conduo previsto para o GTO, a fim de assegurar tenso nula inicial no prximo desligamento. A
resistncia no pode ser muito baixa, a fim de limitar a impulso de corrente injetado no GTO.
D
R C
Figura 1.28 Circuito amaciador de desligamento tipo RCD.
A energia armazenada no capacitor ser praticamente toda dissipada em R. Especialmente

em aplicaes de alta tenso e alta freqncia, esta potncia pode assumir valores excessivos. Em
tais casos deve-se buscar solues ativas, nas quais a energia acumulada no capacitor seja
devolvida fonte ou carga .
A potncia a ser retirada do capacitor dada por:

C V2
p cap = fs (1.5)
2
onde V a tenso de alimentao e fs a freqncia de chaveamento.

Como exemplo, suponhamos um circuito alimentado em 1000V, operando a 1kHz com um
capacitor de 1F. Isto significa uma potncia de 500W!
1.5.4.2 Entrada em conduo

A limitao de di/dt nos GTOs muito menos crtica do que para os SCR. Isto se deve
interdigitao entre gate e catodo, o que leva a uma expanso muito mais rpida da superfcie em
conduo, no havendo significativa concentrao de corrente em reas restritas.
O problema relacionado ao crescimento da corrente refere-se, para um GTO,
principalmente, potncia dissipada na entrada em conduo do dispositivo. Com carga indutiva,
dada a necessria existncia de um diodo de livre-circulao (e o seu inevitvel tempo de
desligamento), durante alguns instantes em que o GTO j se encontra conduzindo, sobre ele
tambm existe uma tenso elevada, produzindo um pico de potncia sobre o componente. Este fato
agravado pela corrente reversa do diodo e ainda pela descarga do capacitor do snubber de
desligamento (caso exista). A figura 1.29 ilustra este comportamento.
V
Io
carga Df
Lcarga Df
Ia
Io Ds
R
carga Ls
Rs
V
Vak
Ia V
Vak
Vak
Figura 1.29 - GTO acionando carga indutiva e amaciador para desligamento.
Para reduzir este efeito, um circuito amaciador para o disparo pode ser necessrio, com o
objetivo de reduzir a tenso sobre o GTO em sua entrada em conduo, pode-se utilizar um
circuito amaciador formado, basicamente, por um indutor com ncleo saturvel, que atue de
maneira significativa apenas durante o incio do crescimento da corrente, mas sem armazenar uma
quantidade significativa de energia.
1.5.5 Associaes em srie e em paralelo

Nas situaes em que um componente nico no suporte a tenso ou a corrente de uma
dada aplicao, faz-se necessrio associar componentes em srie ou em paralelo. Nestes casos os
procedimentos so similares queles empregados, descritos anteriormente, para os SCRs.

1.6 Transistor Bipolar de Potncia (TBP)

A figura 1.30 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar.
Rc
Vcc
J2 J1
N+ N- P N+
C - - E
- -
Vb
B
Rb
Figura 1.30 - Estrutura bsica de transistor bipolar
A operao normal de um transistor feita com a juno J1 (B-E) diretamente polarizada,

e com J2 (B-C) reversamente polarizada.
No caso NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base. Esta
camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia cintica
suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2, sendo, ento, atrados pelo
potencial positivo do coletor.
O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com Ic
pelo ganho de corrente do dispositivo.
Na realidade, a estrutura interna dos TBPs diferente. Para suportar tenses elevadas,
existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso de
bloqueio do componente.
A figura 1.31 mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potncia. As bordas
arredondadas da regio de emissor permitem uma homogeneizao do campo eltrico, necessria
manuteno de ligeiras polarizaes reversas entre base e emissor. O TBP no sustenta tenso no
sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tenses (5 a
20V).
O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o que
ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo,
principalmente, os tempos de comutao do componente.
B E
N+ 10e19 cm-3 10 u
P 10e16 cm-3 5 a 20 u
C
N- 10e14 cm-3 50 a 200 u

B
E
N+ 10e19 cm-3 250 u (substrato)
C
Figura 1.31 Estrutura interna de TPB e seu smbolo

1.6.2 Limites de tenso

A tenso aplicada ao transistor encontra-se praticamente toda sobre a juno J2 a qual,
tipicamente, est reversamente polarizada. Existem limites suportveis por esta juno, os quais
dependem principalmente da forma como o comando de base est operando, conforme se v nas
figuras 1.32 e 1.33.
Com o transistor conduzindo (Ib>0) e operando na regio ativa, o limite de tenso Vce
Vces o qual, se atingido, leva o dispositivo a um fenmeno chamado de primeira ruptura.
O processo de primeira ruptura ocorre quando, ao se elevar a tenso Vce, provoca-se um
fenmeno de avalanche em J2. Este acontecimento no danifica, necessariamente, o dispositivo.
Se, no entanto, a corrente Ic se concentrar em pequenas reas, o sobre-aquecimento produzir
ainda mais portadores e destruir o componente (segunda ruptura).
Com o transistor desligado (Ib=0) a tenso que provoca a ruptura da juno J2 maior,
elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa. Isto uma indicao interessante
que, para transistores submetidos a valores elevados de tenso, o estado desligado deve ser
acompanhado de uma polarizao negativa da base.
Ic Ic Vcbo Ic
Ib>0 Ib=0
Vces Vceo Ib<0
Figura 1.32 - Tipos de conexo do circuito de base e mximas tenses Vce.
1.6.3 rea de Operao Segura (AOS)

A AOS representa a regio do plano Vce x Ic dentro da qual o TBP pode operar sem se
danificar. A figura 1.34 mostra uma forma tpica de AOS.
medida que a corrente se apresenta em pulsos (no-repetitivos) a rea se expande.
Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento trmico do componente para se
saber se possvel utiliz-lo numa dada aplicao, uma vez que a AOS, por ser definida para um
nico pulso, uma restrio mais branda. Esta anlise trmica feita com base no ciclo de
trabalho a que o dispositivo est sujeito, aos valores de tenso e corrente e impedncia trmica
do transistor, a qual fornecida pelo fabricante.
Ic segunda ruptura
primeira ruptura
Ib4
Ib3
Ib2 Ib<0
Ib1
Ib=0 Vce
Vces Vceo Vcbo
Ib4>Ib3>Ib2>Ib1>0
Figura 1.33 - Caracterstica esttica de transistor bipolar.

log Ic
Ic max 1 us
10 us
100 us
A
Ic DC B
log Vce
Figura 1.34 - Aspecto tpico de AOS de TBP
A: Mxima corrente contnua de coletor
B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno)
C: Limite de segunda ruptura
D: Mxima tenso Vce
1.6.4 Regio de quase-saturao

Consideremos o circuito mostrado na figura 1.35, e as curvas estticas do TBP ali
indicadas. Quando Ic cresce, Vce diminui, dada a maior queda de tenso sobre R. medida que Vce
se reduz, caminha-se no sentido da saturao.
Os TBP apresentam uma regio chamada de quase-saturao gerada, principalmente, pela
presena da camada N- do coletor.
semelhana da carga espacial armazenada nos diodos, nos transistores bipolares tambm
ocorre estocagem de carga. A figura 1.36 mostra a distribuio de carga esttica no interior do
transistor para as diferentes regies de operao.
Na regio ativa, J2 est reversamente polarizada e ocorre uma acumulao de eltrons na
regio da base. Quando se aproxima da saturao, J2 fica diretamente polarizada, atraindo lacunas
da base para o coletor. Tais lacunas associam-se a eltrons vindos do emissor e que esto
migrando pelo componente, criando uma carga espacial que penetra a regio N-. Isto representa
um "alargamento" da regio da base, implicando na reduo do ganho do transistor. Tal situao
caracteriza a chamada quase-saturao. Quando esta distribuio de carga espacial ocupa toda a
regio N- chega-se, efetivamente, saturao.
claro que no desligamento toda esta carga ter que ser removida antes do efetivo
bloqueio do TBP, o que sinaliza a importncia do timo circuito de acionamento de base para que
o TBP possa operar numa situao que minimize a tempo de desligamento e a dissipao de
potncia (associada ao valor de Vce).
saturao
quase-saturao
Ic
R
Vcc/R
Ib
regio ativa Vcc
Vce
corte
Vcc Vce
Figura 1.35 - Regio de quase-saturao do TBP.

Coletor Base Emissor

N+ N- P N+
quase-
saturao e-
regio ativa
saturao
base virtual
Figura 1.36 - Distribuio da carga esttica acumulada no TBP
1.6.5 Ganho de corrente

O ganho de corrente dos TBP varia com diversos parmetros (Vce, Ic, temperatura), sendo
necessrio, no projeto, definir adequadamente o ponto de operao. A figura 1.37 mostra uma
variao tpica do ganho.
Em baixas correntes, a recombinao dos portadores em trnsito leva a uma reduo no
ganho, enquanto para altas correntes tem-se o fenmeno da quase-saturao reduzindo o ganho,
como explicado anteriormente.
Para uma tenso Vce elevada, a largura da regio de transio de J2 que penetra na camada
de base maior, de modo a reduzir a espessura efetiva da base, o que leva a um aumento do
ganho.
ganho de corrente
Vce = 2V (125 C)
Vce = 400 V (25 C)
Vce = 2 V (25 C)
log Ic
Figura 1.37 - Comportamento tpico do ganho de corrente em funo da tenso Vce, da temperatura
e da corrente de coletor.
1.6.6 Caractersticas de chaveamento

As caractersticas de chaveamento so importantes pois definem a velocidade de mudana
de estado e ainda determinam as perdas no dispositivo relativas s comutaes, que so
dominantes nos conversores de alta freqncia. Definem-se diversos intervalos considerando
operao com carga resistiva ou indutiva. O sinal de base, para o desligamento , geralmente,
negativo, a fim de acelerar o bloqueio do TBP.
a) Carga resistiva
A figura 1.38 mostra formas de onda tpicas para este tipo de carga. O ndice "r' se refere a
tempos de subida (de 10% a 90% dos valores mximos), enquanto "f" relaciona-se aos tempos de
descida. O ndice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de atraso.
td: tempo de atraso

Corresponde a tempo de descarregamento da capacitncia da juno b-e. Pode ser reduzido
pelo uso de uma maior corrente de base com elevado dib/dt.

tri: tempo de crescimento da corrente de coletor

Este intervalo se relaciona com a velocidade de aumento da carga estocada e depende da
corrente de base. Como a carga resistiva, uma variao de Ic provoca uma mudana em Vce.
ts: tempo de armazenamento

Intervalo necessrio para retirar (Ib<0) e/ou neutralizar os portadores estocados no coletor e
na base
tfi: tempo de queda da corrente de coletor

Corresponde ao processo de bloqueio do TBP, com a travessia da regio ativa, da saturao
para o corte. A reduo de Ic depende de fatores internos ao componente, como o tempo de
recombinao, e de fatores externos, como o valor de Ib (negativo).
Para obter um desligamento rpido deve-se evitar operar com o componente alm da
quase-saturao, de modo a tornar breve o tempo de armazenamento.
b) Carga indutiva
Seja Io>0 e constante durante a comutao. A figura 1.39 mostra formas de onda tpicas
com este tipo de carga.
b.1) Entrada em conduo

Com o TBP cortado, Io circula pelo diodo (=> Vce=Vcc). Aps td, Ic comea a crescer,
reduzindo Id (pois Io constante). Quando Ic=Io, o diodo desliga e Vce comea a diminuir. Alm
disso, pelo transistor circula a corrente reversa do diodo.
b.2) Bloqueio
Com a inverso da tenso Vbe (e de Ib), inicia-se o processo de desligamento do TBP. Aps
tsv comea a crescer Vce. Para que o diodo conduza preciso que Vce>Vcc. Enquanto isto no
ocorre, Ic=Io. Com a entrada em conduo do diodo, Ic diminui, medida que Id cresce (tfi).
Alm destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti: (tail time): Queda de Ic de
10% a 2%; tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic.
100%
90%
Sinal de base
10%
ton=ton(i)
toff=toffi
td=tdi ts=tsi tfi
tri
90%
Corrente de coletor
10%
ton(v) toff(v)
tdv tsv
tfv trv
+Vcc
90%
Tenso Vce
Vce(sat) 10%
CARGA RESISTIVA
Figura 1.38 - Caracterstica tpica de chaveamento de carga resistiva

Vb
Io
Lcarga Df
td
Ic
Io
R
carga
Vcc tti
Vce tsv
Ic Vcc
Vce
Figura 1.39 - Formas de onda com carga indutiva
1.6.7 Circuitos amaciadores (ou de ajuda comutao) - "snubber"

O papel dos circuitos amaciadores garantir a operao do TBP dentro da AOS,
especialmente durante o chaveamento de cargas indutivas.
a) Desligamento - Objetivo: atrasar o crescimento de Vce (figura 1.40)

Quando Vce comea a crescer, o capacitor Cs comea a se carregar (via Ds), desviando
parcialmente a corrente, reduzindo Ic. Df s conduzir quando Vce>Vcc.
Quando o transistor ligar o capacitor se descarregar por ele, com a corrente limitada por
Rs. A energia acumulada em Cs ser, ento, dissipada sobre Rs.
Sejam as formas de onda mostradas na figura 1.41. Consideremos que Ic caia linearmente e
que Io aproximadamente constante. Sem o circuito amaciador, supondo desprezvel a
capacitncia entre coletor e emissor, assim que o transistor inicia seu desligamento, a corrente de
coletor que vinha crescendo (ou estava constante), muda sua derivada tendendo a diminuir. Isto
produz uma tenso sobre a carga que leva o diodo de livre-circulao conduo, de modo que a
tenso Vce cresce praticamente para o valor da tenso de alimentao. Com a incluso do circuito
amaciador, o diodo Df s conduzir quando a tenso no capacitor Cs atingir Vcc. Assim,
considerando que Ic decai linearmente, a corrente por Cs cresce linearmente e a tenso sobre ele
tem uma forma quadrtica. Fazendo-se com que Cs complete sua carga quando Ic=0, o pico de
potncia se reduzir a menos de 1/4 do seu valor sem circuito amaciador (supondo trv=0)
O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mnimo tempo
ligado do TBP e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior mxima corrente
de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possvel.

Io
log Ic
Lcarga Df
sem amaciador
Io
Cs
R
carga
Vcc
Ic
Cs Vcs Vcc log Vce
Vce
Ds Rs
Figura 1.40 - Circuito amaciador de desligamento e trajetrias na AOS
Vcc
Ic Ic Vcc
Vce Vce
Ic.Vcc
P P
tf
Figura 1.41 - Formas de onda no desligamento sem e com o circuito amaciador.
b) Entrada em conduo: Objetivo: reduzir Vce e atrasar o aumento de Ic (figura 1.42)

No circuito sem amaciador, aps o disparo do TBP, Ic cresce, mas Vce s se reduz quando
Df deixar de conduzir. A colocao de Ls provoca uma reduo de Vce, alm de reduzir a taxa de
crescimento de Ic.
Normalmente no se utiliza este tipo de circuito, considerando que os tempos associados
entrada em conduo so menores do que os de desligamento e que Ls, por ser de baixo valor,
pode ser substitudo pela prpria indutncia parasita do circuito.
carga
Vcc
Ls
Rs Ds Df
Figura 1.42 - Circuito amaciador para entrada em conduo.

1.6.8 Conexo Darlington

Como o ganho dos TBP relativamente baixo, usualmente so utilizadas conexes
Darlington (figura 1.43), que apresentam como principais caractersticas:
- ganho de corrente = 1(2+1)+2
- T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre reversamente polarizada
- tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais. No disparo, T1 liga primeiro, fornecendo
corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes, interrompendo a corrente de
base de T2.
T1
T2
Figura 1.43 - Conexo Darlington.
Os tempos totais dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princpio, as

perdas de chaveamento.
Considerando o caso de uma topologia em ponte (ou meia ponte), como mostrado na figura
1.44, quando o conjunto superior conduz, o inferior deve estar desligado. Deve-se lembrar aqui
que existem capacitncias associadas s junes dos transistores.
Quando o potencial do ponto A se eleva (pela conduo de T2) a juno B-C ter
aumentada sua largura, produzindo uma corrente a qual, se a base de T3 estiver aberta, circular
pelo emissor, transformando-se em corrente de base de T4, o qual poder conduzir, provocando
um curto-circuito (momentneo) na fonte.
A soluo adotada criar caminhos alternativos para esta corrente, por meio de resistores,
de modo que T4 no conduza.
Alm destes resistores, usual a incluso de um diodo reverso, de emissor para coletor,
para facilitar o escoamento das cargas no processo de desligamento. Alm disso, tal diodo tem
fundamental importncia no acionamento de cargas indutivas, uma vez que faz a funo do diodo
de circulao.
T1 T2
capacitncias parasitas
A
i i carga
T3
T4
Figura 1.44 - Conexo Darlington num circuito em ponte.
Usualmente associam-se aos transistores em conexo Darlington, outros componentes,

cujo papel garantir seu bom desempenho em condies adversas, como se v na figura 1.45.

Figura 1.45 - Conexo Darlington com componentes auxiliares.
1.6.9 Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento

Um ponto bsico utilizar uma corrente de base adequada, como mostra a figura 1.46. As
transies devem ser rpidas, para reduzir os tempo de atraso. Um valor elevado Ib1 permite uma
reduo de tri. Quando em conduo, Ib2 deve ter tal valor que faa o TBP operar na regio de
quase-saturao. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa, acelerando assim a
retirada dos portadores armazenados.
Para o acionamento de um transistor nico, pode-se utilizar um arranjo de diodos para
evitar a saturao, como mostrado na figura 1.47.
Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib desviado por
D1. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.
Ib1
Ib2
dib/dt
dib/dt
Ibr
Figura 1.46 - Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
D1
D2
D3
Figura 1.47 - Arranjo de diodos para evitar saturao.
1.7 MOSFET
Enquanto o TBP foi inventado no final dos anos 40, j em 1925 fora registrada uma patente
(concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld, reproduzida na figura 1.48) que se referia a um
mtodo e um dispositivo para controlar o fluxo de uma corrente eltrica entre dois terminais de um
slido condutor. Tal patente, que pode ser considerada a precursora dos Transistores de Efeito de
Campo, no entanto, no redundou em um componente prtico, uma vez que no havia, ento,
tecnologia que permitisse a construo dos dispositivos. Isto se modificou nos anos 60, quando
surgiram os primeiros FETs, mas ainda com limitaes importantes em termos de caractersticas
de chaveamento. Nos anos 80, com a tecnologia MOS, foi possvel construir dispositivos capazes
de comutar valores significativos de corrente e tenso, em velocidade superior ao que se obtinha
com os TBP.

1.7.1 Princpio de funcionamento (canal N)

O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um diodo
entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor ocorre quando
Vds>0. A figura 1.49 mostra a estrutura bsica do transistor.
Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas na
regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge um
certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico) presentes na regio P
so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se possvel a passagem de
corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua
resistncia (Rds), permitindo o aumento de Id. Este comportamento caracteriza a chamada "regio
resistiva".
A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento, ou
seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga regio N-. Um
aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior afunilamento, o que
conduziria ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o fenmeno tende a um ponto de
equilbrio, no qual a corrente Id se mantm constante para qualquer Vds, caracterizando a regio
ativa do MOSFET. A figura 1.50 mostra a caracterstica esttica do MOSFET,
Uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as
capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 1012 ohms.
Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior
velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas.
Vdd
Vgs
G
S +++++++++++++++
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - -- - - - - -
N+ -Id
----------------
- - - - - - - -- - - -- -Id D
N- G
N+ S
Smbolo
D
SiO2
metal
Figura 1.49 - Estrutura bsica de transistor MOSFET.

Fig. 1.48 - Pedido de patente de transistor FET

Reproduzida de Arthur D. Evans, Designing with Field-Effect Transistors, McGraw-Hill, New York, 1981.

A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no

apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o crescimento de Id.
Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes.
A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de Volts, por causa da capacidade de isolao
da camada de SiO2.
Id
regio
resistiva Vgs3
regio ativa
Vgs2
Vgs1
Vdso
Vds
vgs3>Vgs2>Vgs1
Figura 1.50 - Caracterstica esttica do MOSFET.
1.7.2 rea de Operao Segura

A figura 1.51 mostra a AOS dos MOSFET. Para tenses elevadas ela mais ampla que
para um TBP equivalente, uma vez que no existe o fenmeno de segunda ruptura. Para baixas
tenses, entretanto, tem-se a limitao da resistncia de conduo.
A: Mxima corrente de dreno contnua

B: Limite da regio de resistncia constante
C: Mxima potncia (relacionada mxima temperatura de juno)
D: Mxima tenso Vds
log Id
Id pico
Id cont
A
B
C
Vdso log Vds
Figura 1.51 - AOS para MOSFET.
1.7.3 Caracterstica de chaveamento - carga indutiva

a) Entrada em conduo (figura 1.52)
Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada comea a se
carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar de conduo (Vth), aps
td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantm em conduo e Vds=Vdd.
Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a reduo de Vds ocorre um aparente aumento da
capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo com que a variao de Vgs se
torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se mantm at que Vds
caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg.
Vgg
V+
Io
Vgs Df
V+
Vth
Cgd
Id Id=Io Vdd
Vds Cds
Rg
Vds
Vds on Vgs
Vgg
Cgs Id
td
CARGA INDUTIVA
Figura 1.52 - Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva.
Na verdade, o que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena
corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia entre dreno
e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno. A descarga
desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de acionamento, reduzindo a
velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd esteja descarregado.
Os manuais fornecem informaes sobre as capacitncias operacionais do transistor (Ciss,
Coss e Crss), mostradas na figura 1.53, as quais se relacionam com as capacitncias do
componente por:
Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curtocircuitada
Crs = Cgd
Coss ~ Cds + Cgd
b) Desligamento
O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso de
uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de
entrada.
Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de
armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.

C (nF)
C (nF)
4
Ciss 4
Cgs
3
3
Coss Cds
2
2
1
Crss 1 Cgd
0
0
0 10 20 30 40 Vds (V) 0 10 20 30 40 Vds (V)
Figura 1.53 - Capacitncias de transistor MOSFET
1.8 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em

conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento, em princpio semelhante dos transistores
bipolares, tem crescido nos ltimos anos, permitindo operao em dezenas de kHz, nos
componentes para correntes na faixa de algumas dezenas de Ampres.

A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que
forma o coletor do IGBT, como se v na figura 1.54.
Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio N-
tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a partir da
regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma
menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar.
O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma
polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso.
A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1
(polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no
suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente.
Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que
evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas regio P, a
qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes no apresentam
problemas relativos a este elemento indesejado.
Gate (porta)
Emissor
SiO2
N+ N+
J3
metal
C
P
B
J2
N-
N+
J1
P+
Coletor
Figura 1.54 - Estrutura bsica de IGBT.

1.8.2 Caractersticas de chaveamento

A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da
tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+.
Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d
pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao acionamento
isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao
bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-
se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam,
apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibilitando o restabelecimento da
barreira de potencial e o bloqueio do componente.
1.9 Alguns critrios de seleo entre transistores
Pode-se desconsiderar o uso de TBP em novos projetos.

Um primeiro critrio o dos limites de tenso e de corrente. Os MOSFET possuem uma
faixa mais reduzida de valores, ficando, tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A.
J IGBT atingem potncias mais elevadas, indo at 3kV/3kA. Estes componentes de maior
potncia comutam apenas em baixa freqncia, e no so adequados para a realizao de fontes
chaveadas. Os componentes de menor potncia (centenas de Voltes e dezenas de Ampres) podem
comutar na faixa de dezenas de kHz.
Outro importante critrio para a seleo refere-se s perdas de potncia no componente.
Assim, em aplicaes em alta freqncia (acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs. Em
freqncias mais baixas, quaisquer dos dois componentes podem responder satisfatoriamente.
No entanto, as perdas em conduo dos IGBTs so sensivelmente menores que as dos
MOSFET.
Como regra bsica: em baixa tenso e alta freqncia: MOSFET
em alta tenso e baixa freqncia: IGBT
1.10 IGCT
O IGCT um dispositivo surgido no final da dcada de 90, capaz de comutao

comandada para ligar e desligar, com aplicaes em mdia e alta potncia.
Em termos de aplicaes, um elemento que pode substituir os GTOs.
Alm de algumas melhorias no projeto do dispositivo, a principal caracterstica do IGCT,
que lhe d o nome, a integrao do circuito de comando junto ao dispositivo de potncia, como
mostrado na figura 1.55. Tal implementao permite minimizar indutncias neste circuito, o que
resulta na capacidade de desligamento muito rpida (da ordem de 1 s), e praticamente eliminando
problemas de dv/dt tpicos dos GTOs. Com isso, a ligao srie destes componentes muito
facilitada.
Esta unidade de comando necessita apenas da informao lgica para o liga-desliga
(normalmente fornecida por meio de fibra tica) e de uma fonte de alimentao para o circuito. O
consumo do circuito de comando entre 10 e 100W.
Como um tiristor, as perdas em conduo so muito baixas. A freqncia tpica de
comutao est na faixa de 500 Hz. No entanto, diferentemente do GTO, que necessita de
capacitores para limitar o dv/dt no desligamento, o limite superior de freqncia de comutao
dado apenas pela temperatura do dispositivo (dependente das perdas de conduo), o que permite,
em princpio, seu uso em freqncias da ordem de dezenas de kHz.
Na entrada em conduo preciso um indutor que limite o di/dt.

A operao do IGCT no desligamento se deve ao fato de que, pela ao do circuito de

comando, a estrutura pnpn do tiristor convertida em uma estrutura de transistor pnp,
imediatamente antes do desligamento. Isto feito com o desvio da totalidade da corrente de catodo
pelo circuito de gate, enquanto aplica uma tenso negativa de gate. Disto resulta um dispositivo
que dinmica e estaticamente se desliga como um IGBT, mas que conduz como um tiristor, como
mostra a figura 1.56.
So possveis dispositivos com conduo assimtrica ou com diodo reverso integrado.
Figura 1.55 IGCT e seu circuito de comando integrado ao dispositivo de potncia e circuito de
inversor com IGCT.
Figura 1.56. IGCT conduzindo, IGCT bloqueando e formas d eonda no desligamento.

(Figuras extradas da referncia Steimer, 2001)
1.11 Materiais Emergentes
Embora existam alguns diodos realizados com outros materiais (Arseneto de Glio e
Carbeto de Silcio), o silcio atualmente praticamente o nico material utilizado para a fabricao
de componentes semicondutores de potncia. Isto se deve ao fato de que se tem tecnologia para
fazer o crescimento de monocristais de silcio com pureza e em dimetro suficientes, o que ainda
no possvel para outros materiais.
Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relao ao silcio,
mas que ainda no so produzidos em dimenses e grau de pureza necessrios fabricao de
componentes de potncia.
Arseneto de Glio (GaAs) um destes materiais. Por possuir um maior gap de energia,
sempre em relao ao silcio, dispositivos construdos a partir deste material apresentam menor
corrente de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez que a

mobilidade dos portadores muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor resistncia
de conduo, especialmente nos dispositivos com conduo por portadores majoritrios
(MOSFET). Alm disso, por apresentar uma maior intensidade de campo eltrico de ruptura, ele
poderia suportar maiores tenses.
A tabela 1.1 mostra propriedades de diversos materiais a partir dos quais pode-se,
potencialmente, produzir dispositivos semicondutores de potncia.
Carbetos de Silcio so materiais sobre os quais se fazem intensas pesquisas. O gap de
energia maior que o dobro do Si, permitindo operao em temperaturas elevadas.
Adicionalmente apresenta elevada condutividade trmica (que baixa para GaAs), facilitando a
dissipao do calor produzido no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em relao
tanto ao Si quanto ao GaAs a intensidade de campo eltrico de ruptura, que aumentada em uma
ordem de grandeza.
Outro material de interesse potencial o diamante. Apresenta, dentre todos estes materiais,
o maior gap de energia, a maior condutividade trmica e a maior intensidade de campo eltrico,
alm de elevada mobilidade de portadores.
Uma outra anlise pode ser feita comparando o impacto dos parmetros mostrados na
tabela 1.I sobre algumas caractersticas de componentes (hipotticos) construdos com os novos
materiais. As tabelas 1.II a 1.IV mostram as variaes de alguns parmetros. Tomem-se os valores
do Si como referncia. Estas informaes foram obtidas em Mohan, Robbins e Undeland (1994).
Tabela 1.I Propriedades de materias semicondutores

Propriedade Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC Diamante
Gap de energia a 300K (eV) 1,12 1,43 2,2 2,9 5,5
Condutividade trmica (W/cm.C) 1,5 0,5 5,0 5,0 20
2
Mobilidade a 300K (cm /V.s) 1400 8500 1000 600 2200
Campo eltrico mximo (V/cm) 3.105 4.105 4.106 4.106 1.107
Temperatura de fuso (C) 1415 1238 Sublima Sublima Muda de
>> 1800 >>1800 fase 2200*
* Diamante grafite
Nota-se (tabela 1.II) que as resistncias da regio de deriva so fortemente influenciadas

pelos materiais. Estes valores so determinados considerando as grandezas indicadas na tabela 1.I.
A resistncia de um componente de diamante teria, assim, um valor cerca de 30000 vezes menor
do que se tem hoje num componente de Si. O impacto sobre a reduo das perdas de conduo
bvio.
Na tabela 1.III tem-se, para um dispositivo que deve suportar 1kV, as necessidades de
dopagem e o comprimento da regio de deriva. Nota-se tambm aqui que os novos materiais
permitiro uma reduo drstica no comprimento dos dispositivos, implicando numa menor
quantidade de material, embora isso no necessariamente tenha impacto sobro o custo. Um
dispositivo de diamante seria, em princpio, capaz de suportar 1kV com uma dopagem elevada na
regio de deriva e num comprimento de apenas 2m, ou seja, 50 vezes menos que um componente
equivalente de Si.
Na tabela 1.IV tem-se expressa a reduo no tempo de vida dos portadores no interior da
regio de deriva. Este parmetro tem implicaes sobre a velocidade de comutao dos
dispositivos, sendo, assim, espervel que componentes de diamante, sejam algumas ordens de
grandeza mais rpidos que os atuais componentes de Si.

Tabela 1.II Resistncia hmica da regio de deriva

Material Si GaAs SiC Diamante
Resistncia relativa 1 6,4.10-2 9,6.10-3 3,7.10-5
Tabela 1.III Dopagem e comprimento da regio de deriva necessrio para uma juno abrupta
suportar 1kV
-3 14 14 16
Dopagem (cm ) 1,3.10 5,7.10 1,1.10 1,5.1017
Comprimento (m) 100 50 10 2
Tabela 1.IV Tempo de vida de portador (na regio de deriva) para uma juno pn com ruptura de
1000V
Tempo de vida 1,2 s 0,11 s 40 ns 7 ns
Muitos problemas tecnolgicos ainda devem ser solucionados para que estes materiais se
constituam, efetivamente, em alternativas para o Si. Silcio um material que vem sendo estudado
h quase meio sculo e com enormes investimentos. O mesmo no ocorre com os demais
materiais.
O GaAs vem sendo estudado nas ltimas 2 dcadas, mas com uma nfase em dispositivos
rpidos, seja para aplicaes computacionais, seja em comunicaes ticas. No existe ainda
tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimenso necessrias construo de
componentes de potncia. Alm disso, em relao ao Si, este material no possui um xido natural
(como o SiO2), dificultando a formao de camadas isolantes e de mscaras para os processos
litogrficos. Em 1994 a Motorola anunciou o lanamento comercial de diodo Schottky de 600V.
No entanto, embora para este componente especfico o aumento da tenso seja significativo, as
vantagens do GaAs sobre o Si so incrementais, quando comparadas com os outros materiais.
Para componentes de SiC, em 2003 a Infineon passou a comercializar um diodo Schottky,
para 600V, com corrente at 12 A (SDP12S06). No est disponvel nenhum componente de
estrutura mais complexa, em nvel de potncia compatvel com as aplicaes de interesse. O custo
deste componente ainda muito elevado frente aos dispositivos de Si.
Quanto ao diamante, no existe ainda uma tecnologia para construo de "waffers" de
monocristal de diamante. Os mtodos existentes para produo de filmes finos levam a estruturas
policristalinas. A difuso seletiva de dopantes e a realizao de contatos hmicos ainda devem ser
objeto de profundas pesquisas.
1.12 Referncias Bibliogrficas
B. Wu, High-Power Converters and AC Drives. New York: Wiley-IEEE Press, 2005
Grafham, D.R. e Golden, F.B., editors: SCR Manual. General Electric, 6th ed., 1979, USA.
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Tsuneto Sekiya, S. Furuhata, H. Shigekane, S. Kobayashi e S. Kobayashi: Advancing Power

Transistors and Their Applications to Electronic Power Converters, Fuji Electric Co., Ltd., 1981

Edwin S. Oxner: MOSPOWER Semiconductor, Power Conversion International,

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Steyn, C.G.; Van Wyk, J.D.: Ultra Low-loss Non-linear Turn-off Snubbers for Power Electronics
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Edwin S. Oxner: Power Conversion International, Junho/Julho/Agosto/Setembro 1982. Artigo

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V. A. K. Temple: Advances in MOS-Controlled Thyristor Technology. PCIM, Novembro 1989,

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Arthur D. Evans, Designing with Field-Effect Transistors, McGraw-Hill, New York, 1981.
P. Steimer, O. Apeldoorn, E. Carroll e A.Nagel: IGCT Technology baseline and future

opportunities, IEEE PES Summer Meeting, Atlanta, USA, October 2001.

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Eletrnica de Potncia - Cap. 1 J. A.

1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA

Figura 1.1 Limites de capacidade de componentes semicondutores de potncia.

1.1 Breve Reviso da Fsica de Semicondutores

A passagem de corrente eltrica em um meio depende da aplicao de um campo eltrico e

1.1.1 Os portadores: eltrons e lacunas

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-1

Figura 1.2 Estrutura cristalina de material semicondutor

Figura 1.3 Movimento de eltrons e lacunas em semicondutor

A ionizao trmica gera o mesmo nmero de eltrons e lacunas. Em um material puro, a

onde C uma constante de proporcionalidade, q a carga do eltron (valor absoluto), Eg a banda

1.1.2 Semicondutores dopados

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-2

1.1.4 Correntes de deriva e de difuso

1.2 Diodos de Potncia

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-4

Figura 1.5 Estrutura bsica de um diodo semicondutor.

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-5

A figura 1.7 mostra resultados experimentais de um diodo de potncia lento (retificador)

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-6

1.3 Diodos Schottky

Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material semicondutor, o

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-7

O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em

1.4.1 Princpio de funcionamento

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-8

1.4.2 Maneiras de disparar um tiristor

b) Ao da corrente positiva de porta

c) Taxa de crescimento da tenso direta

Onde Cj a capacitncia da juno.

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-10

Figura 1.11 - Caracterstica esttica do tiristor.

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-11

1.4.3 Parmetros bsicos de tiristores

Gate circular Gate interdigitado

A figura 1.14 ilustra algumas destas caractersticas.

1.4.4 Circuitos de excitao do gate

b.1) Comutao Natural

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-13

Figura 1.15 - Controlador de tenso CA com carga RL e formas de onda tpicas.

b.2) Comutao por ressonncia da carga

b.3) Comutao forada

Figura 1.17 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga.

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-14

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-15

1.4.5 Redes Amaciadoras

(a) (b) (c)

1.4.6 Associao em Paralelo de Tiristores

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-16

Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessria, no pode ser

1.4.6.1 Estado estacionrio

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-17

Figura 1.21 - Equalizao de corrente com resistores e com reatores acoplados

1.4.6.4 Circuito de disparo

1.4.7 Associao em srie de tiristores

1.4.7.1 Estado estacionrio

1000V 1200V 1.0V 0.9V 0.7V 100V

50V 6V 1.1V 1.0V 0.7V 900V

150V 5V 0.9V 0.8V 1200V 200V

5mA 10mA 50A 10A 10mA 10mA

Figura 1.22 - Tenses em associao de tiristores sem rede de equalizao.

DSE FEEC UNICAMP 2014 1-19

1.4.7.4 Circuito de disparo