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Eletrotécnica – CEIM
Rodrigo Sandes
r_sandes@ig.com.br
Apostila Eletrônica – Eletrotécnica
Eletrônica
Quando falamos em eletrônica, estamos nos referindo a uma quantidade imensa
de componentes usados no dia-dia.
Destes componentes nos destacamos os semicondutores (diodos, transistores,
ckt`s integrados, etc).
Quando se fala em semicondutores estamos nos referindo basicamente ao
elemento químico chamado silício (si) e germânio (ge), que segundo a tabela
periódica usada em química, apresentam propriedades químicas semelhantes e por
tanto não se misturam ou não se combinam.
Quando nos falamos por exemplo, que um diodo é de silício, eu quero dizer que a
maior parte é de material semicondutor é silício e a menor parte do material não
semicondutor. É está menor parte que vai ser usado para fazer a chamada “LIGA”.
Quando o material semicondutor apresenta uma determinada quantidade de
impureza, este material é chamado de “DOPADO”, e a este fenômeno nós
chamamos de “DOPAGEM”.
Um material intrínseco é o semicondutor sem nenhuma impureza (material puro),
já um material extrínseco é o semicondutor associado à impurezas (semicondutor +
impurezas).
Com isto, nós veremos que o material semicondutor pode ser dividido em:
1. Material Semicondutor do Tipo P ou Material Tipo P; este material é formado
por cargas positivas, que na realidade são os prótons.
2. Material Semicondutor do Tipo N ou Material Tipo N; este material é formado
por cargas negativas, que na realidade são os elétrons.
e>p = q=Q = +
e<p = q=Q = -
Quando trabalhamos com material tipo “P” e o material tipo “N” e juntamos esses
dois materiais fazendo o material tipo “PN” ou Junção “PN”.
Quando isto é feito forma se uma junção entre estes dois materiais e nela ocorre
intervenção que é fundamental para o funcionamento do diodo ou do transistor.
Quando ocorre a junção é formada alguns dos elétrons livres do material tipo N, se
movem através da junção e se combinam com lacunas ou buracos no material tipo
P, do mesmo modo, algumas lacunas do material tipo P através da junção e se
combinam com elétrons livres no material tipo N. Assim, quando a junção é formada,
existe uma corrente inicial. O fluxo inicial de elétrons do material tipo N para o
material tipo P e das lacunas do material tipo P para o material tipo N, na junção, faz
com que apareça uma pequena carga negativa no material tipo P e uma carga
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Junção PN
Como próprio nome diz, é a associação ou mistura do material semicondutor do
tipo P e o material semicondutor do tipo N. De acordo com a distribuição de carga
nesta junção, nós podemos encontrar a polarização direta ou polarização inversa ou
reversa.
Lamina
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Simbologia do Diodo
Polarização Direta
Se nesta polarização de trocar ou inverter as ligações da bateria, de modo que o
seu terminal positivo da bateria, seja ligado ao material P e o seu terminal negativo
da bateria, seja ligado ao material N, a junção estará com polarização direta.
Quando a junção “PN” é polarizada diretamente, os elétrons, das orbitas mais
extremas no material tipo P nas proximidades do terminal positivo da bateria entram
neste terminal criando novas lacunas ou buracos. Simultaneamente, os elétrons do
terminal negativo da bateria entra no material N e difundem em direção à junção.
A medida de polarização direta, a corrente aumenta sendo limitada
essencialmente pela resistência do material.
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Apostila Eletrônica – Eletrotécnica
Gráfico do Diodo
Característica do Diodo
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Trecho III – Neste trecho nos encontramos uma maior variação de corrente e
uma menor variação de tensão, lembrando que trabalhamos com aumento de
corrente e o aumento de tensão (sinal positivo) – região de condução direta do diodo
pode ser considerado como uma chave atômica que está fechada quando o material
P está relativamente positiva e aberta quando o material P está relativamente
negativa. Lembre-se de que é a tensão entre os extremos do diodo que é importante
e não a tensão relacionada com outra parte do circuito. Quase todos os diodos
atuam usando material semicondutor de Silício (Si), entretanto o Germânio (Ge), são
usados em algumas aplicações. Como nunca deixa de existir a região de transição,
sempre há uma pequena queda de tensão do diodo, mesmo quando a polaridade é
correta para produzir uma corrente elevada. Quando falamos no material
semicondutor Silício (Si) ou Germânio (Ge), nós temos uma queda de tensão que
pode variar de 0,5 a 0,8 Volts (V) para Silício (Si) ou 0,2 a 0,4 para o Germânio (Ge).
(terminal + e terminal -) e com isso existe uma maneira correta de você ligar ou
colocar o componente na placa de circuito impresso, assim como também podemos
encontrar uma variedades de diodos.
Uma mudança na temperatura do material semicondutor pode aumentar
consideravelmente o número de elétrons livres. O aumento do número de portadores
aumentará o índice de condutividades, resultando uma resistência muito baixo. Os
materiais semicondutores, tais como silício e germânio, que apresentam redução na
resistência com aumento de temperatura, são considerados materiais com
coeficiente de temperatura negativa (NTC), assim como também podemos ter uma
maior temperatura, o que o ocasiona uma maior resistência o que significa um
coeficiente de temperatura positiva (PTC).
Quando falamos no diodo semicondutor devemos levar em conta alguns
parâmetros importantes, no que diz respeito ao seu ponto de operação, também
chamado de especificação do diodo, que geralmente é fornecido pelo fabricante, ou
através do manual por exemplo:
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Potência do Diodo
Pd = Vd x Id
V= Vr + Vd onde Vr = R x I
V = R I + Vd, se queremos calcular a corrente que passa
pelo circuito, temos:
V = R I + Vd
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V - Vd = R I
I = V - Vd
R
V= Vr + Vd
Vr = R x I Si = 0,6 a 0,9V
Vd = Condução Ge = 0,2 a 0,4V
V = R I + Vd I = V - Vd
R
Resistência Estática do Diodo
É a razão entre a tensão e a corrente como é visto abaixo:
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Rdc = Vdc
Idc
Rdc = Resistência estática do diodo = U(Ω)
Vdc= Tensão estática do diodo = U(V)
Idc= Corrente estática do diodo = U(A)
Resistencia Dinâmica do Diodo
É a razão da variação da tensão com a variação da corrente, como é visto abaixo:
R = ∆v
∆I
∆v = vf – vi
∆I = If – Ii
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Diodo Zener
O diodo zener utiliza também material semicondutor é formado com dois terminais
e apresenta para cada tipo ou para cada modelo dois terminais e apresenta cada
tipo ou para cada modelo uma tensão especifica de trabalho chamado de tensão
zener.
Como é o diodo, também trabalha com dois terminais chamado de anodo e
catodo, assim como a polarização direta e polarização inversa.
É comum nos chamarmos o diodo zener de regulador de tensão, isso ocorre com o
diodo inversos somente polarizado.
O termo regulador de tensão é usado devido ao valor numérico da tensão zener
especificado e portanto a tensão não ultrapassa este valor.
O diodo zener pode apresentar a sua tensão de trabalho na ordem de dezenas de
volts, enquanto que a corrente do zener geralmente apresenta valores bastante
pequenas.
O gráfico do diodo zener é bem semelhante do gráfico do diodo retificador.
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Circuitos a Diodos
Estes circuitos geralmente trabalham com diodos retificadores, com um ou mais
diodos, também pode usar diodo zener, um ou mais diodos, e com isso são
classificados de:
1. Circuitos Ceifadores; também chamamos de circuitos portadores ou limita-
dores ou seletores de amplitude. Neste circuito nos encontramos diodos
retificadores, diodo zener e uma fonte de tensão energizando o circuito.
Circuitos Retificadores
São circuitos formados pelos seguintes componentes: transformador ou um
sinal alternado qualquer na entrada, diodo retificador (1, 2 ou 4), uma carga
(resistor) e podemos também encontrar na sua saída um filtro (capacitor).
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AC AC DC DC
Vi Vo
1 2 3
1 = Transformador
2= Circuito de Retificação
3= Filtro
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𝑰𝑰𝑰𝑰á𝒙𝒙 𝑽𝑽 𝒎𝒎á𝒙𝒙
Im = ou
𝝅𝝅 𝝅𝝅(𝑹𝑹+𝑹𝑹𝑹𝑹)
𝑰𝑰 𝒎𝒎á𝒙𝒙 𝑽𝑽 𝒎𝒎á𝒙𝒙
Ief = ou
𝟐𝟐 𝟐𝟐 (𝑹𝑹+𝑹𝑹𝑹𝑹)
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𝟐𝟐 𝑰𝑰𝑰𝑰á𝒙𝒙
Im =
𝝅𝝅
𝑽𝑽𝑽𝑽á𝒙𝒙
Imáx =
𝑹𝑹+𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐
Dados:
Π = 3,14
RF = Resistora do Diodo
R= Rsistor da Carga
√𝟐𝟐 = 1,41
VPI = - V máx
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Transformador
É um “equipamento”, ou seja, é um equipamento formado por uma entrada
(primário) e uma saída (secundário). Entre a entrada e a saída, nos
encontramos enrolamentos duplo (enrolamento do primário e enrolamento do
secundário), nós podemos encontrar um enrolamento único
(autotransformador) a onde este enrolamento é um conjunto de espiras e
voltas feitas por um fio, aonde de acordo com a corrente nós podemos
encontrar um fio mais grosso ou um fio mais fino.
O transformador também apresenta um único núcleo, que pode ser de ferro laminado,
ferrite ou simplesmente o ar atmosférico.
Os transformadores de tensão entram com sinal alternado e saem com sinal alternado. Os
transformadores de tensão podem apresentar dois tipos de circuitos, como podemos ver
abaixo:
Diagrama:
Vi = V1 = Vp Tensão do Primário
Vo =V2 = Vs Tensão do Secundário
Ii = I1 = Ip Corrente do Primário
I0 = I2 = Ip Corrente do Secundário
Ni = N1 = Np Enrolamento do Primário
No = N2 = Ns Enrolamento do Secundário
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Simbologia:
• Transformador com Núcleo de Ar
• Autotransformador
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V1 I2 I2 N1
= =
V2 I1 I1 N2
V1 N1 V1 I2 N1
= = =
V2 N2 V2 I1 N2
1 = Primário
2 = Secundário
Transistores
Os transistores trabalham com os materiais semicondutores (silício ou germânio), não esquecendo
que no processo de fabricação é uma mistura com outro material para fazer uma liga e com isto
fabricar o componente.
Os transistores também trabalham com a região de condução ( região on), é aonde a corrente de
coletor é máxima e a tensão do coletor e emissor é nulo. Assim também temos a região de corte(
região off), aonde nela encontramos a corrente do coletor mínima (nula) e tensão do coletor e
emissor máxima, isto ela assume o valor numérico igual a tensão que alimenta o circuito.
Os transistores podem apresentam uma variedade de tipos de modalidades, aonde cada um deles
tem a sua característica própria.
Os transistores bipolares de junção (TBJ), apresenta três terminais chamados de: base(b), coletor(c) e
emissor(e).
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Estes transistores pode ser PNP ou NPN, como podemos ver nas figuras abaixo:
Como os transistores bipolares de junção apresenta o seu ponto de operação e neste ponto ou
região, nos encontramos:
Lembramos que estes parâmetros e mais outros que podem ser encontrados no manuais, que são
determinados pelos fabricantes.
Quando usamos os transistores em blocos de circuitos impresso e comum, usamos a palavra estagio,
como sinônimo de transistor.
Os transistores são considerados componentes eletrônicos que ampliam ou amplificam o sinal. Estes
componentes pode apresentar dois tipos de ganhos, ganho dinâmico e ganho estático, como vermos
abaixo:
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Obs.: Nós podemos tirar ou calcula o ganho dinamico (β) em função do ganho estático (α) ou
vice-versa, como podemos ver a seguir:
β α
α=β+1 β = 1− α
aonde:
α = Ganho Estático
β = Ganho Dinâmico
PNP= ∑ IE = IB+IC
NPN = ∑ IE = IC+IB
Obs.: Geralmente a corrente do coletor (Ic) é expressa em mili ampère(mA), assim como a
corrente da base(Ib) é expressa em microampère(µA). Quando trabalhamos com circuitos
transistorizados (projetos), consideramos a corrente do coletora igual a corrente do emissor,
com isso estamos considerando a corrente da base muito baixa, ou seja, Ib=0.
Quando trabalhamos com TBJ, nos projetos de circuito transistorizado uma etapa rotineira é
a polarização de transistores envolvidos. Vários fatores devem ser usados em conta, como
por exemplo: as tolerâncias envolvidas, a potência necessária para o circuito, as fontes de
tensão necessárias para alimentar o circuito, etc.
Os transistores bipolares de junção (TBJ), como possuem três terminais (base, coletor,
emissor), teremos três configurações básicas, como podemos observar abaixo:
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Nas configurações dadas a mais usada, é a emissor comum e por isso, é a que estudaremos:
Características
Configuração Ganho de Ganho de Resistencia de Resistencia de
Corrente Tensão Entrada Saída
Emissor comum Elevado Elevado Média Alta
Base comum >1 Elevado Baixa Alta
Coletor comum Elevado ≤1 Mto. Baixa Mto. Baixa
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Este grafico acima fornece o valor da corrente da base, a corrente do coletor e a tensao do
coletor emissor.
Estas curvas caracteristicas são importantes, porque permitem visualizar o comportamento
do transistor em diversas condições e podemos observar que uma pequena variação na
corrente da base provoca uma grande variação na corrente do coletor, o que permitem usar
o transistor como amplificador e corrente.
Reta de Carga
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O transistor como todo dispositivo ativo, controla uma carga e apresenta um determinado
valor de resistencia. Na montagem emissor comum, consideramos como carga a impedancia
por onde passa a corrente do coletor( um resistor ligado a tensao de alimentação do coletor,
como por exemplo).
Se ligarmos um resistor tambem entre o terrsa e o emisso, temos uma carga formada pela as
duas resistencias, como veremos adiante na polarização de transistores.
Polarização de Transistores
Neste tópico nós vamos analisar o comportamento do sinal, através do circuito
transistorizado, determinando equações de tensão e corrente, calculando com isso os seus
valores numéricos.
Quando falamos em polarização de transistores, nós podemos encontrar alguns tipos de
circuitos, que tem por objetivo de lidar uma base, para você poder calcular outros circuitos.
Ie=IC+Ib
VRC= RC.IC
VRB= RB.IC
Analisando a malha de fora, temos:
VCC=VRC+VCE
VCC= RC.IC+VCE
VCC-VCE=RC.IC
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉−𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
IC= 𝑅𝑅𝑅𝑅
Analisando a malha de dentro, temos:
VCC=VRB+VBE
VCC=RB.IB+VBE
VCC-VBE = RB.IB
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𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉−𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
IB= 𝑅𝑅𝑅𝑅
Lembrando que quando o transistor é de silício (geralmente VBE=0.7V) e germânio (VBE
=0,2V).
VCC=VRC+VCE+VRE
VCC= RC.IC+VCE+RE.IE
VCC= RC.IC+VCE+RE.IC
VCC-VCE=RC.IC+RE.IC
VCC-VCE=(RC+RE).IC
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉−𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
IC=
𝑅𝑅𝑅𝑅+𝑅𝑅𝑅𝑅
Cálculo IB IC=IE
VCC=VRB+VBE+VRE
VCC=RB.IB+VBE+RE.IE
VCC-VBE-RE.IC=RB.IB
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉−𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉−𝑅𝑅𝑅𝑅.𝐼𝐼𝐼𝐼
IB=
𝑅𝑅𝑅𝑅
VCC=RB.IB+VBE+RE.IE
VCC=RB.IB+VBE+RE(IC+IB)
VCC=RB.IB+VBE+RE.IC+RE.IB
VCC-VBE-RE.IC=IB(RB+RE)
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉−𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉−𝑅𝑅𝑅𝑅.𝐼𝐼𝐼𝐼
IB=
𝑅𝑅𝑅𝑅+𝑅𝑅𝑅𝑅
Divisor de tensão
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉.𝑅𝑅2
VA= 𝑅𝑅1+𝑅𝑅2
Resistor Equivalente
RA= R1//R2
𝑅𝑅1.𝑅𝑅2
RA= 𝑅𝑅1+𝑅𝑅2
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