Diodes Cours - Projection - MASSON

Les diodes
Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)
Edition 2015-2016
École Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis

Cycle Initial Polytechnique
Pascal MASSON 1645 route des Lucioles, 06410 BIOT Les diodes
Sommaire
I. Historique
II. La diode PN : caractéristique
III. La diode PN : applications
IV. La diode PN : physique
V. La diode Zener
VI. Effet photoélectrique : absorption
VII. Effet photoélectrique : émission
Pascal MASSON Les diodes

I. Historique
I.1. Définition
 La diode est un élément qui ne laisse passer le courant que dans un sens
1901 1903 1939 1950 1956
 La diode à semi-conducteur présente aussi des propriétés photoélectriques
LED Solaire Photosensible Laser OLED

I. Historique
I.2. Histoire de la diode à semi-conducteur
 1874 : effet découvert sur de la galène par Ferdinand BRAUN (24 ans).
 1901 : dépôt d’un brevet par Jagadis

Chandra BOSE pour l’utilisation de la
galène avec contact métallique comme
détecteur d’ondes électromagnétiques.
1901
 1940 : découverte de la diode PN par

Russell OHL.
 Remarque : le transistor bipolaire a été
découvert en 1948 par William SHOCKLEY.
1956

I. Historique
I.3. Histoire de la diode à tube
 1879 : invention de la lampe par thomas EDISON.
 1873 : découvert de l’effet thermoïonique par Frederick
GUTHRIE. Cet effet est redécouvert par Thomas EDISON
en 1880 (puis breveté en 1883).
1879
 1904 : John Ambrose FLEMING

brevette la diode à vide.
1903 1950

I. Historique
 Fonctionnement
vide
filament

I. Historique
 Fonctionnement
vide
filament

I. Historique
 Fonctionnement
vide
filament

I. Historique
 Fonctionnement
vide
filament

I. Historique
 Fonctionnement
vide
filament

I. Historique
 Fonctionnement
I=0
vide
filament
I=0

II.1. Définition de la jonction PN
 Une jonction P-N est créée en juxtaposant un semi-conducteur dopé N (les
électrons sont majoritaires) avec un semi-conducteur dopé P (les trous sont
majoritaires).
II.2. Représentation
anode
ID
P
anneau de VD
repérage N
cathode

II.3. Caractéristique idéale
 Dans le cas idéal la diode de ne laisse pas passer de courant pour VD < 0 V
sinon elle en laisse passer sans limitation. Cela revient à un interrupteur qui
est ouvert ou fermé
anode ID (mA)
ID
1
P
VD
N
1 0 1 VD (V)
inverse directe
cathode
 Si VD < 0 alors la diode est polarisée en inverse sinon elle est polarisée en
directe.
 Quand ID = 0, on dit que la diode est bloquée sinon elle est passante

II.3. Caractéristique idéale
 On alimente une résistance R = 1000  avec un générateur de tension
variable EG qui peut prendre des valeurs positives et négatives.
 On a une contrainte sur le courant qui traverse la résistance qui doit être
uniquement positif.
 Pour réaliser cette fonction, on intercale une diode entre le générateur et la

résistance : VD
ID
EG R VR
 La loi des mailles s’écrit : EG = VD + VR

II.3. Caractéristique idéale EG (V)
1
 EG a l’allure d’une rampe de
tension
0
VD t
1
ID VD (V)
EG R VR 1
0
t
 Loi des mailles : 1
ID (mA)
EG = V D + VR
1
0
t
1
tension
0
VD t
1
ID VD (V)
EG R VR 1
0
t
ID (mA)
EG = V D + VR
1
0
t
1
tension
0
VD t
1
ID VD (V)
EG R VR 1
0
t
ID (mA)
EG = V D + VR
1
0
t
1
tension
0
VD t
1
ID VD (V)
EG R VR 1
0
t
ID (mA)
EG = V D + VR
1
0
t
1
tension
0
VD t
1
ID VD (V)
EG R VR 1
0
t
ID (mA)
EG = V D + VR
1
0
t
1
tension
0
VD t
1
ID VD (V)
EG R VR 1
0
t
ID (mA)
EG = V D + VR
1
0
t
1
bloquée
tension
0
VD passante
t
1
ID VD (V)
EG R VR 1
0
t
ID (mA)
EG = V D + VR
1
0
t
II.4. Caractéristique réelle
 Modification de la caractéristique idéale
bloquée passante
ID (mA)
0 VD (V)
inverse directe

 Existence d’une tension de seuil, VS, dont la valeur dépend du semi-
conducteur utilisé et de ses dopages.
bloquée passante
ID (mA)
0 VS VD (V)
inverse directe

 Existence d’une résistance interne à la diode, RS (en série avec la diode
idéale).
bloquée passante
ID (mA)
0 VS VD (V)
inverse directe

idéale).
 Existence d’un phénomène
d’avalanche en inverse qui conduit bloquée passante
à la destruction de la diode.
ID (mA)
0 VS VD (V)
inverse directe

idéale).
 Existence d’un phénomène
d’avalanche en inverse qui conduit bloquée passante
à la destruction de la diode.
ID (mA)
0 VS VD (V)
inverse directe

 Exemple le la diode 1N4004 qui sera étudiée en TP
RS = 3,7 
VS = 0,64 V

II.4. Caractéristique réelle ID (mA)
 Impact sur l’exemple précédent 1
1 0 1 VD (V)
inverse directe
1
VD VD (V)
1
ID 0
t
EG R VR 1
ID (mA)
1
EG = V D + VR
0
t

 Tension de seuil.
1 0 VS 1 VD (V)
inverse directe
1
VD VD (V)
1
VS
ID 0
t
EG R VR 1
ID (mA)
1
EG = V D + VR
0
t

1 0 VS 1 VD (V)
inverse directe
1
VD VD (V)
1 bloquée
VS
ID 0
passante t
EG R VR 1
ID (mA)
1
EG = V D + VR
0
t

 Résistance série, RS. 1 0 VS 1 VD (V)
inverse directe
1
VD VD (V)
1 bloquée
VS
ID 0
passante t
EG R VR 1
ID (mA)
1
EG = V D + VR
0
t
II.4. Caractéristique réelle ID
 Expression du courant
 L’expression du courant ne fait intervenir
que deux paramètres :
0 VS VD
 1
I
 D  VD  VS  si VD  VS inverse directe
 RS

ID  0 si VD  VS
 VS (V) : tension de seuil de la diode ID

 RS () : résistance série de la diode
ID
 Détermination de la résistance série
VD
dVD VD
RS  
dI D ID
0 VS VD

1
 Modèle équivalent de la diode ID  VD  VS 
RS
ID ID = 0 ID
RS
VD VD VD  VS  RS.ID
VS
ID passante
bloquée
0 VS VD
inverse directe

II.5. Point de polarisation VD
 Equations du circuit
1) EG  VD  VR  VD  R.ID ID
2) VD  VS  RS.ID R
EG VR
 Résolution des 2 équations
1 & 2) EG  VS  RS.ID0  R.ID0
EG  VS
point de ID0 
R  RS ID
polarisation VD0  VS  RS.ID0  EG  R.ID0
EG
 Résolution graphique
R
 Droite de charge :
ID0
E  VD
1) => ID  G
R
 Le point de polarisation correspond à 0 VS VD0 EG VD
l’intersection entre les 2 droites
III. La diode PN : application
III.1. La logique à diode
 Les circuits logiques constituent plus de 99 % des circuits intégrés que nous
utilisons au quotidien.
 Bien qu’ils soient réalisés à partir de transistors MOS (Métal – Oxyde –
Semi-conducteur), on peut utiliser des diodes pour obtenir les fonctions de
base.

 Exemple : la porte non-inverseuse VDD
A S
 Le circuit logique est alimenté entre 0 V et VDD = 5 V. masse
 Le circuit possède aussi une entrée « A » et une sortie « S »
ID
 « A » peut prendre 2 valeurs : 0 V (0 binaire) et 5 V (1 binaire)
 On considère que la diode est semi-idéale avec VS = 0.5 V

0 VS VD
VDD
S=A S=A
A S A S
D
0 0
A R S
binaire tension (V)

A S
ID

0 VS VD
VDD
S=A S=A
A S A S
D
0 0
A R S
binaire tension (V)

A S
ID

0 VS VD
VDD
S=A S=A
A S A S
D
bloquée 0 0 0 0
A R S
binaire tension (V)

A S
ID

0 VS VD
VDD
S=A S=A
A S A S
D
bloquée 0 0 0 0
A R S 1 5
binaire tension (V)

A S
ID

0 VS VD
VDD
S=A S=A
A S A S
D
bloquée 0 0 0 0
A R S passante 1 1 5 4.5
binaire tension (V)

A S
ID

0 VS VD
VDD
S=A
5 A S
D 1
0 0
0
A R S 0 5 4.5
tension (V)

VDD
 Exemple : la porte OU A
B S
 Le circuit possède aussi 2 entrées « A, B » et une sortie « S »
ID
 Les diodes sont semi-idéale avec VS = 0.5 V
0 VS VD
VDD S=A+B
D1 A B S
A
B D2
R S

VDD
B S
ID
0 VS VD
VDD S=A+B
D1 A B S
A
0 0
B D2
R S

VDD
B S
ID
0 VS VD
VDD S=A+B
D1 A B S
A
D1 bloquée
D2 bloquée
0 0 0
B D2
R S

VDD
B S
ID
0 VS VD
VDD S=A+B
D1 A B S
A
D1 bloquée
D2 bloquée
0 0 0
B D2 0 1
R S

VDD
B S
ID
0 VS VD
VDD S=A+B
D1 A B S
A
D1 bloquée
D2 bloquée
0 0 0
D1 bloquée
B D2 D2 passante 0 1 1
R S

VDD
B S
ID
0 VS VD
VDD S=A+B
D1 A B S
A
D1 bloquée
D2 bloquée
0 0 0
D1 bloquée
R S 1 0

VDD
B S
ID
0 VS VD
VDD S=A+B
D1 A B S
A
D1 bloquée
D2 bloquée
0 0 0
D1 bloquée
D1 passante
R S D2 bloquée 1 0 1

VDD
B S
ID
0 VS VD
VDD S=A+B
D1 A B S
A
D1 bloquée
D2 bloquée
0 0 0
D1 bloquée
D1 passante
1 1

VDD
B S
ID
0 VS VD
VDD S=A+B
D1 A B S
A
D1 bloquée
D2 bloquée
0 0 0
D1 bloquée
D1 passante
D1 passante
D2 passante 1 1 1

III.2. Pompe de charges
 Les cartes à puces, étiquettes électroniques, des lecteurs MP3, téléphones
portables, appareils photos et d’une manière générale les circuits intégrés
montés sur des supports portables embarquent des mémoires EEPROM et
Flash.
 Ces mémoires permettent de stocker des données (code, photos, mots de
passe…) de façon permanente.
Flash pompe
 La programmation nécessite des
tensions typiquement de l'ordre de 15 à
20 V alors que la tension d'alimentation
d'un circuit intégré n'est que de l'ordre EEPROM
de 3 à 5 V.
 Il faut donc intégrer des survolteurs
qui dans ce cas seront des pompes de
charges.

EG (V)
VDD
 Le doubleur de tension
 On suppose : VS = 0 et C1 = C2
0 t
 Etat initial : C1 et C2 déchargées
VA (V)
2 VDD
VDD
VDD
D1 0 t
C1 VR (V)
2 VDD
D2
EG VA C2 VDD
VR
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
VDD
VDD
D1 0 t
C1 VR (V)
2 VDD
D2
VA C2 VDD
VR
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
VDD
VDD
0 t
C1 VR (V)
2 VDD
VA C2 VDD
VR
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
VDD
VDD
0 t
C1 VR (V)
2 VDD
VA C2 VDD
VR
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
VDD
VDD
0 t
C1 VR (V)
2 VDD
VDD VA VDD C2 VDD

VR
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
1,5 VDD
VDD
D1 0 t
C1 VR (V)
2 VDD
D2
1,5 VDD
VDD VA C2
VR
VDD
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
1,5 VDD
VDD
D1 0 t
C1 VR (V)
2 VDD
D2
1,5 VDD
VDD VA C2
VR
VDD
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
1,5 VDD
VDD
0 t
C1 VR (V)
2 VDD
1,5 VDD
VDD VA C2
VR
VDD
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
1,5 VDD
VDD
0 t
C1 VR (V)
2 VDD
1,5 VDD
VA C2
VR
VDD
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
1,5 VDD
VDD
VDD
D1 0 t
C1 VR (V)
2 VDD
D2
1,5 VDD
EG VA C2
VR
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
2 VDD
1,75 VDD
VDD
VDD
D1 0 t
C1 VR (V)
2 VDD
D2
1,75 VDD
EG VA C2
VR
0 t
EG (V)
VDD
0 t
VA (V)
 La tension VR tend vers VDD
2 VDD
VDD
D1 0 t
C1 VR (V)
2 VDD
D2
EG VA C2
VR
0 t
III.3. Redressement mono alternance
 Transformation d’une tension alternative en provenance d’EDF (par
exemple) en tension continue.
transformateur
EDF EG VR système
quadripôle
230 V télé, HiFi, PC,
portable…
EG (V) VQ (V) VR (V)
0 t 0 t 0 t

III.3. Redressement mono alternance EG (V)
 Récupération de l’alternance positive
VS
 RL représente la résistance d’entrée 0
t
du système que l’on alimente.
VD (V)
VS
VD
0
t
système
ID
VR (V)
EG VR RL
0
t
VS
t
VD (V)
VS
VD
0
t
système
ID
VR (V)
EG VR RL
0
t
VS
t
VD (V)
VS
VD
0
t
système
ID
VR (V)
EG VR RL
0
t
VS
t
 La diode ne laisse passer que
l’alternance positive du signal EG. VD (V)
VS
VD
0
t
système
ID
VR (V)
EG VR RL
0
t
VS
t
 La diode ne laisse passer que
l’alternance positive du signal EG. VD (V)
VS
VD
0
t
système
ID
VR (V)
EG VR RL
0
t
 RL représente la résistance d’entrée

 Transformation en tension continue
 Ajout d’une capacité en parallèle avec VR (V)

l’entrée du système.
VD > V S
système
ID
EG C VR RL
0 t



VD > 0
système
ID IR
IC
EG C VR RL
0 t



VD > V S
système
ID IR
IC
EG C VR RL
0 t



VD <> ?
système
ID
EG C VR RL
0 t



VD < V S
ID = 0 système
EG C VR RL
0 t



VD < V S
ID = 0 système
IR
IC
EG C VR RL
0 t



l’entrée du système.  = C.RL
VD < 0
ID = 0 système
IR
IC
EG C VR RL
0 t



VD < V S
ID = 0 système
IR
IC
EG C VR RL
0 t



VD <> ?
ID ? système
EG C VR RL
0 t



VD > V S
système
ID IR
IC
EG C VR RL
0 t



VD ondulation
système
ID
EG C VR RL
0 t

III.4. Redressement double alternance
 Un récupère l’alternance négative et donc son énergie.
transformateur
EDF EG quadripôle VR système

portable…
0 t 0 t 0 t

 Un récupère l’alternance négative et donc son énergie.
transformateur
EDF EG quadripôle VR système

portable…
0 t 0 t 0 t

 Alternance positive EG (V)
2×VS
0
t
EG
VD VR (V)
système
ID
C VR RL
0 t

2×VS
0
t
EG
VD VR (V)
système
ID
C VR RL
0 t

2×VS
0
t
EG
VD VR (V)
système
ID
C VR RL
0 t

2×VS
 Alternance négative
0
t
EG
VD VR (V)
système
ID
C VR RL
0 t

2×VS
0
t
EG
VD VR (V)
système
ID
C VR RL
0 t

2×VS
0
t
EG
VD VR (V)
ondulation
système
ID
C VR RL
0 t

 Lorsque l’on parle de tension de sortie (6 V, 9V, …) on parle de la valeur
moyenne du signal.
EG
VD VR (V)
VR moyen
ondulation
système
ID
C VR RL
0 t

moyenne du signal.
 Si on branche d’autres systèmes
EG
VD VR (V)
VR moyen
ondulation
systèmes
ID
C RL
0 t

moyenne du signal.
 Si on branche d’autres systèmes le courant pompé sur la capacité est plus
important. Dit autrement, cela revient à diminuer RL et donc à diminuer .
EG
VD VR (V)
VR moyen
ondulation
systèmes
ID
RL VR moyen
C
0 t

moyenne du signal.
 Si on branche d’autres systèmes le courant pompé sur la capacité est plus
important. Dit autrement, cela revient à diminuer RL et donc à diminuer .
VR (V) VR (V)
VR moyen
VR moyen
0 R () 0 t

 Exemples de pont de diodes
1,5 A - 80 V 1,5 A - 1000 V
Alimentation train électrique
1 A - 80 V 5 A - 100 V
35 A - 200 V 50 A - 600 V Alimentation à découpage

III.5. Récepteur radio
 Modulation d’amplitude
information (V)
Porteuse (V)
émission (V)
0 0 0
t t t
 Une porteuse (sinusoïde à une certaine fréquence) est modulée en amplitude

par le signal information (morse, musique…)
A
porteuse
0 FP F
information (V)
Porteuse (V)
émission (V)
0 0 0
t t t

A
porteuse
signal
0 FP F
information (V)
Porteuse (V)
émission (V)
0 0 0
t t t

A
porteuse
signal
0 FP F
information (V)
Porteuse (V)
émission (V)
0 0 0
t t t

A
porteuse porteuse
signal signal
0 FP FP2 F
 Modulation d’amplitude (AM)
information (V)
Porteuse (V)
émission (V)
0 0 0
t t t

 Démodulation d’amplitude
Détection (V)
réception (V)
Filtrage (V)
0 0 0
t t t

III.5. Récepteur radio A
 Le poste à Galène
 Récepteur radio qui ne nécessite pas
d’alimentation.
0 FP FP2 F
Ve porteuse FP
antenne
0 t
Ve
terre écouteur
d’alimentation.
 L’antenne reçoit toutes les fréquences.
0 FP FP2 F
Ve porteuse FP2
antenne
0 t
Ve
terre écouteur
d’alimentation.
0 FP FP2 F
Ve porteuse FP2
antenne
0 t
Ve
terre écouteur
d’alimentation.
 Circuit bouchon : sélection de la porteuse.
0 FP FP2 F
Ve porteuse FP
antenne
0 t
L C Ve
terre écouteur
d’alimentation.
0 FP FP2 F
Ve porteuse FP2
antenne
0 t
L C Ve
terre écouteur
d’alimentation.
0 FP FP2 F
 Écouteur de haute impédance (> 1 k).
Ve porteuse FP2
antenne
0 t
L C Ve
terre écouteur
d’alimentation.
0 FP FP2 F
Ve porteuse FP2
antenne
0 t
L C Ve
terre écouteur
d’alimentation.
0 FP FP2 F
 Diode de type Galène (diode Schottky) à
Ve porteuse FP2
faible seuil.
antenne
0 t
L C Ve
terre écouteur
d’alimentation.
0 FP FP2 F
Ve porteuse FP2
faible seuil.
 L’écouteur est aussi un filtre passe-bas.
antenne
0 t
L C CE Ve
terre écouteur
d’alimentation.
faible seuil.
 L’écouteur est aussi un filtre passe-bas.
antenne
L C CE Ve
terre écouteur
III.6. Double alimentation
 Lorsque l’alimentation est présente, la LED est
alimentée par le pont de diodes.
transformateur
EG
EDF
R
ID
C
12 V 13 V

III.6. Double alimentation
 Lorsque l’alimentation est présente, la LED est
alimentée par le pont de diodes.
 Si il y a une panne de secteur, c’est l’accumulateur (pile)
qui prend le relais.
transformateur
EG
EDF
R
ID
C
12 V

III.7. Diode de protection
 Protection contre une inversion de polarité
 Pour protéger un système contre les inversions de polarité, il suffit de placer

une diode entre l’alimentation et le système.
 Si l’alimentation est bien raccordée, le système fonctionne. Attention à la
chute de tension due au seuil de la diode.

 Protection contre une inversion de polarité
 Pour protéger un système contre les inversions de polarité, il suffit de placer

une diode entre l’alimentation et le système.
 Si l’alimentation est bien raccordée, le système fonctionne. Attention à la
chute de tension du au seuil de la diode.
 Si l’alimentation est mal raccordée, la diode bloque le courant et le système
n’est pas détruit.

 Protection de circuits intégrés
 Il faut prendre certaines précautions pour manipuler

des circuits intégrés (CI).
 L’électricité statique détruit des transistors MOS.


 Insertion d’une diode (de grande dimension) sur les
plots d’entrée/sortie des CI.


Pad Pad Masse
N N
Wafer P


 Décharge électrostatique durant un très bref instant.
Pad Pad Masse
N N
Wafer P


Pad Pad Masse
N N
Wafer P


Pad Pad Masse
N N
Wafer P


Pad Pad Masse
N N
Wafer P

III.7. Diode de roue libre
 La diode de roue libre sert à évacuer l’énergie emmagasinée par une bobine.

 On prend ici pour exemple la commande d’un relais.
VDD
L
relais
A
Commande d’un relais
TMOS

 A = 0 V, le TMOS est un circuit ouvert.
VDD
L
relais
A
0V Commande d’un relais
TMOS

 A = VDD, le TMOS est un circuit fermé :
VDD
L
relais
A
VDD Commande d’un relais
TMOS

 A = VDD, le TMOS est un circuit fermé : un courant circule dans la bobine
d’où basculement du relais. La diode est bloquée.
VDD
I
L
relais
A
VDD Commande d’un relais
TMOS

 A = 0 V,
VDD
I
L
relais
A
TMOS

 A = 0 V, la diode devient passante pour évacuer l’énergie de la bobine.
VDD
I
I L
relais
A
TMOS

VDD
L
relais
A
TMOS

VDD
diode
bobine
L
relais
A
0V Commande d’un relais Alimentation à découpage
TMOS

IV. La diode PN : Physique
IV.1. Atome et électrons de valence
 Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) – Réseau diamant
 Les électrons d’un atome isolé prennent des valeurs d’énergie discrètes
 Pour chaque niveau : nombre limité d’électrons (2n2)
 les niveaux les plus proches du noyau sont occupés
 Pour le silicium :
Numéro atomique Z = 14
2 électrons sur la première couche (n = 1)
8 sur la seconde (n = 2)
4 sur la dernière (nombre de places = 18) (n = 3)
14+ 4+

IV.2. Mécanismes de conduction
 Courant d’électrons et de trous
Électron
libre
Liaison Trou
brisée libre

IV.3. Dopage
 Semi-conducteurs de type N
 Atomes (ou impuretés) de type donneur (d’électrons) en faible quantité
 Conduction par électrons plutôt que par trous
 Cristal de la colonne IV  atomes la colonne V (phosphore)
 Un faible apport d’énergie (0,04 eV), par exemple dû à une température
différente de 0 K, peut libérer le cinquième électron de l’atome de phosphore
Si Si Si
Si
Silicium
Si P Si
P
Phosphore Si Si Si

IV.3. Dopage
 Semi-conducteurs de type N
 Atomes (ou impuretés) de type donneur (d’électrons) en faible quantité
 Conduction par électrons plutôt que par trous
 Cristal de la colonne IV  atomes la colonne V (phosphore)
 Un faible apport d’énergie (0,04 eV), par exemple dû à une température
différente de 0 K, peut libérer le cinquième électron de l’atome de phosphore
électron
libre
Si Si Si Si Si Si
Si
Silicium
Si P Si Si P+ Si
P
Phosphore Si Si Si Si Si Si
charge
fixe

IV.3. Dopage
 Semi-conducteurs de type P
 Atomes (ou impuretés) de type accepteur (d’électrons) en faible quantité
 Conduction par trous plutôt que par électrons
 Cristal de la colonne IV  atomes la colonne III (bore)
 Un faible apport d’énergie permet à l’atome de bore de subtiliser un électron
à un proche voisin
Si Si Si
Si
Silicium
Si B Si
B
Bore Si Si Si

IV.3. Dopage
 Semi-conducteurs de type P
 Atomes (ou impuretés) de type accepteur (d’électrons) en faible quantité
 Conduction par trous plutôt que par électrons
 Cristal de la colonne IV  atomes la colonne III (bore)
 Un faible apport d’énergie permet à l’atome de bore de subtiliser un électron
à un proche voisin
trou libre
Si Si Si Si Si Si
Si
Silicium
Si B Si Si B- Si
B
Bore Si Si Si Si Si Si
charge
fixe

IV.4. Formation de la diode PN
P Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
N
Si B- Si Si B- Si Si P+ Si Si P+ Si
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
NEUTRE NEUTRE
Si B- Si Si B- Si Si P+ Si Si P+ Si

P N
NEUTRE NEUTRE
charge fixe négative charge fixe positive
trou (charge > 0) électron (charge < 0)

P N
NEUTRE NEUTRE

P N
NEUTRE NEUTRE

P N
NEUTRE NEUTRE

P N
NEUTRE NEUTRE

P N
NEUTRE NEUTRE

P N
NEUTRE NEUTRE

P N
zone neutre ZCE zone neutre
 ZCE : la Zone de Charge d’Espace correspond à la zone dans laquelle il n’y a

pas de porteurs libres (électrons et trous)

P N
Vb
 Le champ électrique interne de la diode correspond à la tension Vb dont la
valeur est très proche de VS.

P N
Vb
Vb
ID
VD

 VD est la tension appliquée aux bornes de la diode. Elle modifie la valeur de

la tension interne de la diode.
 VD modifie la longueur de la ZCE et crée un déséquilibre entre les

phénomènes de conduction et de diffusion
Vb  VD
ID
VD

IV.5. Polarisation direct : VD > 0
 Dans ce cas Vb  VD < Vb est la ZCE est plus étroite

R
ID
+
VD Vb

P N
Vb


R
 Il y a un appel de courant pour combler une ID
partie de la ZCE +
VD Vb  VD

P N


R
partie de la ZCE +
VD Vb  VD

P N


R
partie de la ZCE +
VD Vb  VD

P N
Vb  VD


R
partie de la ZCE +
VD Vb  VD

P N
Vb  VD


R
partie de la ZCE +
VD Vb  VD

P N
Vb  VD


R
partie de la ZCE +
VD Vb  VD
  n’est plus suffisamment grand pour ramener 
tous porteurs qui traversent la ZCE

P N
Vb  VD


R
partie de la ZCE +
VD Vb  VD

P N
diffusion
Vb  VD


R
partie de la ZCE +
VD Vb  VD

P N
diffusion
conduction
Vb  VD

 L’électron qui reste dans la zone P se déplace par

diffusion vers le contact R
 Un autre électron prend sa place dans la zone N ID
+
VD Vb  VD


diffusion
P diffusion N
Vb  VD


+
VD Vb  VD


diffusion
P diffusion N
Vb  VD


+
 Il existe un courant ID > 0 qui augmente avec VD VD Vb  VD

P N
diffusion
diffusion
Vb  VD


+
 Il existe un courant ID > 0 qui augmente avec VD VD Vb  VD
 Il se passe la même chose avec les trous 
P N
diffusion
conduction
Vb  VD

 Le courant ID est constitué d’un courant de trous

et d’un courant d’électrons R
ID
 Plus VD est grand, moins le champ électrique +
ramène les porteurs et donc plus le courant ID est VD Vb  VD
grand. 
P N
Vb  VD

IV.6. Polarisation direct : VD < 0
 La ZCE s’agrandit et il existe un courant

transitoire pour évacuer les électrons et les trous R
ID

VD Vb  VD
+
P N
Vb  VD

 Dans la zone P (resp. N) il existe des électrons

(resp. trous) en très faible quantité qui sont attirés R
par le champ électrique et traverser la ZCE. ID

 Exemple pour la zone N : électrons 1023 m3, VD Vb  VD
trous 108 m3
+
P N
Vb  VD



trous 108 m3
+
P N
conduction
Vb  VD



trous 108 m3
+
P N
diffusion
diffusion
Vb  VD

 ID (< 0) est donc constitué là aussi d’un courant de

trous et d’un courant d’électrons R
ID
 ID est très faible en raison du faible nombre de 
porteurs mis en jeu. VD Vb  VD
+
P N
Vb  VD

IV.7. Caractéristique ID(VD) plus réaliste
 En plus des courants de diffusion, il existe des phénomènes parasites qui
modifie l’allure de la courbe.
ID
0 VS VD
lnID
diffusion
lnIS
diffusion 0 VS VD
ID

P diffusion N
0 VS VD
ID forte injection
lnID
Régime de forte injection diffusion
lnIS
diffusion 0 VS VD
ID

P N
0 VS VD
ID forte injection
lnID
Génération thermique diffusion

génération
lnIS
diffusion 0 VS VD
 Fonctionnement réel de la diode PN : VD > 0 (recombinaison)
 En direct : courant de recombinaison (électrons-
trous) dans la ZCE ID

P N
0 VS VD
ID forte injection
lnID
Recombinaison diffusion
génération
recombinaison
lnIS
diffusion 0 VS VD
ID

P N
0 VS VD
ID forte injection
lnID
avalanche
Avalanche diffusion
génération
lnIS
diffusion 0 VS VD
ID

P N
0 VS VD
ID forte injection
lnID
avalanche
Zener Zener
diffusion
génération
lnIS
diffusion 0 VS VD
IV.8. Résumé des courants
ID
 Fonctionnement réel de la diode PN
diode idéale
0 VS VD
  q VD  
ID  IS .exp   1
   kT  
lnID
diffusion
idéale
ID lnIS
VD diffusion 0 VS VD
ID
diode idéale
+ RS
0 VS VD
  q VD  RS .ID  
ID  IS .exp   1 forte injection
   kT  
lnID
diffusion
idéale
RS
ID lnIS
ID
diode idéale
+ RS
+ génération / recombinaison 0 VS VD
  q VD  RS .ID  
ID  IS .exp   1  IGR forte injection
   kT  
lnID
IGR diffusion
idéale génération
RS
recombinaison
ID lnIS
ID
diode idéale
+ RS
+ génération / recombinaison 0 VS VD
+ avalanche
  q VD  RS .ID  
ID  IS .exp   1  IGR  I Av forte injection
   kT  
lnID
IAv
IGR avalanche
diffusion
idéale génération
RS
recombinaison
ID lnIS
IV.9. Comportement capacitif
 Une variation VD implique une variation Q
P N
Q +Q


 VD > 0
P N
Q +Q


zone neutre ?  zone neutre ?

VD > 0
P N
QQ +Q


 Une variation VD implique une variation Q : courant transitoire

VD > 0
P N
Q +Q


 La diode a aussi un comportement capacitif : Q
C

VD
VD > 0
P N
Q +Q


 La diode a aussi un comportement capacitif : Q
C
C VD
C
IAv
IGR
idéale
RS
ID
VD 0 VS VD
 Cet effet capacitif est avantageusement utilisée avec les diodes varicap
dans les circuits d’accord des récepteurs radios et des téléviseurs.
IV.10. La diode en commutation
 Mouvement des électrons et des trous
 Initialement la diode est polarisée en direct : VD > 0, ID > 0
P N
ID

 On polarise brusquement la diode en inverse : VD < 0, ID < 0
P N
ID

P N
ID

Phase 1 : évacuation des électrons (zone P) et des trous (zone N)
P N
ID

P N
ID

Phase 2 : élargissement de la zone désertée

P N
ID


P N
ID

Mouvement des électrons et des trous
VD ID
0 0
t1 t t1 t

VD ID
0 0
t1 t t1 t

VD ID
Phase 1
0 0
t1 t t1 t

VD ID
Phase 1 Phase 2
0 0
t1 t t1 t

Si la fréquence de commutation de VD est trop élevée alors
la diode est toujours passante !!!!!
VD ID
Phase 1 Phase 2
0 0
t1 t t1 t

VI. La diode zener
VI.1. Définition de la zener
 Une diode zener est une jonction P-N dont la fabrication permet son
utilisation en régime d’avalanche ou tunnel :
Très forte variation de courant pour une très faible variation de tension
 L’effet Zener a été découvert par Clarence ZENER (1905-1993)
VI.2. Représentation(s)
ID anode
ID
P
VD
0 VS VD N
cathode
diode PN

VI. La diode zener
ID anode
ID
VS N
VD
P
0 VZ VD
cathode
diode zener

VI. La diode zener
ID anode
ID ID
VS N
VD
P
0 VZ VD
cathode
diode zener

VI. La diode zener
ID anode
ID ID ID
VS N
VD
P
0 VZ VD
cathode
diode zener

VI. La diode zener
anode
ID ID ID
anneau de N
VD
repérage P
cathode
diode zener

VI. La diode zener
VI.3. Effet zener
 Lorsque le champs électrique est très fort et que la largueur de la ZCE est
très faible :
 Des électrons de la zone P en frontière de la ZCE peuvent être
arrachés au réseau cristallin
 On obtient des tensions de rupture qui vont de 2 à 200 V

P N
ID

VI. La diode zener
VI.4. Caractéristique en courant
 La caractéristique ID(VD) résulte de l’effet d’avalanche et/ou de l’effet zener
 VZ < 5 V : effet zener
zener
 ID zener avalanche avalanche
P N
ID
W
VD 0 5V 10 V VD
VI. La diode zener

 5 V < VZ < 10 V : effet zener + effet d‘avalanche
zener
P N
ID
W
VD 0 5V 10 V VD
VI. La diode zener

zener
P N
ID
W
VD 0 5V 10 V VD
VI. La diode zener

zener
P N
ID
W
VD 0 5V 10 V VD
VI. La diode zener

 VZ > 10 V : effet d‘avalanche
zener
P N
ID
W
VD 0 5V 10 V VD
VI. La diode zener
VI.5. Application VR (V)
 Stabilisateur de tension ondulation
 Le but ici est de supprimer l’ondulation

résiduelle après le filtrage capacitif.
EG 0 t(s)
système
C VR RL

VI. La diode zener
VI.5. Application VR (V)
 Stabilisateur de tension ondulation

résiduelle après le filtrage capacitif.
 La tension de rupture (VZ) est la tension
que l’on souhaite avoir sur la charge.
EG 0 t(s)
système
ID
R
C VR VL RL

VI. La diode zener
VI.5. Application VR, VL (V)
VR
 Stabilisateur de tension

résiduelle après le filtrage capacitif. VZ
0 t(s)
ID (A)
système
ID
R
VR VL RL
0 VZ VD (V)
VI. La diode zener
VR
 Le but ici est de supprimer l’ondulation VL

0 t(s)
ID (A)
système
ID
R
VR VL RL
0 VZ VD (V)
VI. La diode zener
VR

0 t(s)
ID (A)
système
ID
R
VR VL RL
0 VZ VD (V)
VI. La diode zener
VR

 R est une résistance de protection.
0 t(s)
ID (A)
système
ID
R
VR VL RL
0 VZ VD (V)
VII. Effet photoélectrique : absorption
VII.1. Effet photo-électrique et cellule photovoltaïque
 Mise en évidence de l’effet photoélectrique par

Antoine Becquerel : comportement électrique
1839
d'électrodes immergées dans un liquide, modifié par un
éclairage
 Heinrich Rudolf Hertz découvre l’effet

photoélectrique : une plaque de métal étant
soumise à une lumière émettra des électrons
1886
1905  Albert Einstein propose un explication en

introduisant la notion de photon

VII.1. Effet photo-électrique et cellule photovoltaïque
 Charles Fritts réalise la première cellule

solaire. Elle est réalisée avec du Sélénium sur
lequel a été déposée une très fine couche d’or
1883
 Premier panneau solaire basé sur le brevet de

Russel Ohl en 1946 (patent US2402662, "Light
sensitive device.") qui a initialement inventé la
diode PN en 1939
1950

VII.2. Notion de bande d’énergie
 Dans un semi-conducteur, les électrons ne peuvent pas avoir n’importe
quel niveau d’énergie
Bande de conduction
EC
Bande interdite EG
EV
Bande de valence

 Des électrons de la bande de valence peuvent monter dans la bande

conduction, ils deviennent alors quasi-libres et peuvent se déplacer dans le
semi-conducteur.
Bande de conduction
EC
Bande interdite EG
EV
Bande de valence

 Des électrons de la bande de valence peuvent monter dans la bande

conduction, ils deviennent alors quasi-libres et peuvent se déplacer dans le
semi-conducteur.
Bande de conduction
EC
Bande interdite EG
EV
Bande de valence

 Les trous aussi peuvent se déplacer
Bande de conduction
EC
Bande interdite EG
EV
Bande de valence

 Les trous aussi peuvent se déplacer
Bande de conduction
EC
Bande interdite EG
EV
Bande de valence

VII.3. Energie des photons
 Un électron peut monter dans la bande de conduction en absorbant
l’énergie d’un photon
 L’énergie du photon doit au minimum être égale à EG.
 La valeur de EG dépend du semi-conducteur
Bande de conduction
EC
Bande interdite EG h
EV
Bande de valence

VII.3. Energie des photons
Rouge Violet
Infra-Rouge Visible Ultra-Violet
CdxHg1-xTe CdSe AlAs
CdS
InSb Ge Si GaAs GaP SiC GaNZnS
EG
0 1 2 3 4 (eV)
l
(µm)10 3 1,5 1 0,65 0,5 0,35

VII.4. Absorption dans le silicium
 L’efficacité de la conversion photon-électron dépend de la longueur d’onde
des photons
 Tous les photons d’énergie supérieure à EG ne génèrent pas forcement une
paire électron-trou
1,0
Réponse relative
0,8 silicium
0,6
0,4
0,2
0,0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2
Longueur d’onde (µm)
VII.4. Absorption dans le silicium
 Les photons ont une certaine distance de pénétration dans le semi-
conducteur.
h
Nombre de photon
0

Semi-conducteur
x

VII.5. Effet sur la diode PN
 Des photons ayant une énergie suffisante (h) peuvent générer des paires
électron-trou.

ID
P N
ID
0 VS VD
W
VD
électron-trou.
h

ID
P N
ID
0 VS VD
W
VD
électron-trou.
 Si la génération se fait dans la ZCE alors le champ électrique sépare les

électrons et les trous ce qui donne naissance à un courant ID négatif
 Ce courant s’ajoute au courant normal de la diode

ID
P N
ID
0 VS VD
W
VD
 L’amplitude du courant photoélectrique dépend de l’énergie et du nombre

des photons qui arrivent sur la ZCE de diode

ID
P N
ID
0 VS VD
W
VD
 L’amplitude du courant photoélectrique dépend de l’énergie et du nombre

des photons qui arrivent sur la ZCE de diode
 Si la génération se fait hors ZCE alors la paire électron-trou sera recombinée

et ne participera pas au courant

ID
P N
ID
0 VS VD
W
VD
VII.6. Générateur photovoltaïque
 Lorsque ID > 0 et VD > 0 la diode se comporte comme un générateur de

courant et non comme un récepteur

ID
P N
ID
0 VD
W
VD
 On fait à présent un changement de convention pour le courant de la diode

photovoltaïque qui sera inversé par rapport à la diode normale. Cela évitera
de conserver un signe  .
ID
ID
VD Vb  VD
0 VD


 La tension obtenue à vide c’est-à-dire sans charge est appelée VCO (tension
de circuit ouvert)
ID
ID
VCO Vb  VCO
0 VCO VD


 La tension obtenue à vide c’est-à-dire sans charge est appelée VCO (tension
de circuit ouvert)
 De même, on définit le courant de court-circuit, ICC.
ID
ICC
ICC
0 Vb
0 VCO VD

 Le courant fournit par la diode et la tension à ses bornes dépendent de la

charge (i.e. de la résistance) à ses bornes
 Le courant et la tension sont continues
ID
ID
VD Vb  VD R
0 VCO VD

 En fonction de la valeur de R, la puissance fournie (P = ID.VD) par la diode

passe par un maximum.
 En conséquence, il existe une valeur optimale de la charge qui permet

d’obtenir le plus de puissance.
ID
P
0 VCO VD 0 VCO VD

 Les caractéristiques I(V) des composants électroniques sont très sensibles à

la température
 Le courant d’une diode augmente avec la température. Les courants de

Génération-recombinaison augmentent aussi
 Il est donc important de permettre aux panneaux photovoltaïques de se

refroidir
ID
P
T
T
0 VCO VD 0 VCO VD

VII.7. Photovoltaïque : Silicium poly-cristallin
 Les joints de grain se comportent comme des centres recombinants et

diminuent le courant de la diode

VII.8. Photovoltaïque : silicium mono-cristallin
 Le procédé et plus coûteux en énergie mais le rendement est plus grand

puisqu’il n’y a pas de joint de grain

VII.9. Photovoltaïque : aspects pratiques
h

 La distance de pénétration des photons dans le h

silicium est faible et la ZCE doit être la plus proche
possible de la surface
N

 La distance de pénétration des photons dans le

h


 La plus grande partie de la zone P ne sert à rien et h
consomme de la matière. Il faut donc faire des wafers
les plus fins possible tout en conservant une solidité N
suffisante des wafers.




 Une partie des photons qui arrivent sur le wafer est

réfléchie. On ajoute alors une couche anti reflet
(Si3N4) qui est de couleur bleu.
P


h
 La plus grande partie de la zone P ne sert à rien et

P


possible de la surface h
 La plus grande partie de la zone P ne sert à rien et

 La prise de contact doit permettre à la fois de ne P
pas masquer une part importante des photons et ne

pas ajouter une résistance parasite importante.


 La mise en parallèle des diodes permet d’obtenir un courant plus important
ID 3.ID
VD Vb  VD R

 La mise en parallèle des diodes permet d’obtenir un courant plus important
 La mise en série des diodes permet d’obtenir une tension plus important
ID 3.ID
VD Vb  VD R 3.VD

VII.10. Photovoltaïque : rendement
 Le rendement d’une cellule par unité de surface doit être associé au coût de
fabrication.
 Le but étant de réaliser des cellules bon marché avec un fort rendement.
Silicium Silicium poly- Silicium CdTe

cristallin cristallin amorphe
Multi- Cuivre Indium Cellule à

organique jonctions Sélénium concentration

VII.10. Photovoltaïque : rendement
Rendement
Cellule Module Module Niveau de
Type (en labo) (en labo) (commerciale) développement
3ème génération 2ème génération 1ere génération
Si monocristallin 24,70 % 22,70 % 12-20 % Production industrielle
Si polycristallin 20,30 % 16,20 % 11-15 % Production industrielle
Si amorphe 13,40 % 10,40 % 5-9 % Production industrielle

Si cristallin en
9,40 % 7% Production industrielle
couche mince
CIS 19,30 % 13,50 % 9-11 % Production industrielle
CdTe 16,70 % 6-9 % Prêt pour la production
Cellule organique 5,70 % Recherche
Cellule organique 11 % 8,40 % Recherche
Cellule multi-jonctions 39 % 25-30 % Recherche (spatiales)

VII.11. Photovoltaïque : silicium amorphe en couche mince
 Les cellules sont constituées d’une faible couche de silicium amorphe déposée
sur du plastique, du verre ou encore de l’aluminium.
 Avantages :
 Fonctionnent avec un éclairement faible (même par
temps couvert ou à l'intérieur d'un bâtiment)
 Moins chères que les autres.
 Moins sensible aux températures élevées que les
cellules mono ou poly cristallines
 Inconvénients
 Rendement faible en plein soleil
 Performances qui diminuent sensiblement
avec le temps
 Applications : borne de jardin, calculatrice …
 Marcher : 10 % (90 % pour le silicium cristallin)

VII.12. Photovoltaïque : cellules CdTe (tellurure de cadmium)
 Cette technologie permettra peut-être

d’atteindre la parité entre le coût du kWh
photovoltaïque et du kWh classique
 la couche de semi-conducteur est directement

déposée sur un substrat
 Le rendement est faible (6-7% et 14% en labo)
 Le Cadmium est un produit très toxique pour

l'homme et pour l'environnement.

VII.13. Photovoltaïque : cellules organiques
 L’objectif est de diminuer considérablement

le coût du procédé technologique.
 Il est possible d’obtenir des cellules par

impression

VII.14. Photovoltaïque : Recherche
Source : Les technologies du photovoltaïque (juin 2012)

VII.15. Application : photo-pixel
 Principe de fonctionnement
IP
 On polarise la diode en inverse à EG
0 = 0
EG VP
VP
Oscilloscope EG
IP
EG VP
0 t
IP
et on déconnecte le générateur.
0 = 0
EG VP
VP
Oscilloscope EG
IP
EG VP
0 t
IP
 La capacité parasite de la diode se
décharge avec le courant inverse. 0 = 0
EG VP
VP
Oscilloscope EG
IP
EG VP
0 t
IP
EG VP
VP
Oscilloscope EG
IP
EG VP
0 t
IP
EG VP
VP
Oscilloscope EG
IP
EG VP
0 t
 Principe de fonctionnement courant inverse de la diode
IP
IP génération
thermique 0 = 0
N
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
h VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
h VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
IP
N 0 = 0
VP
VP
EG VP
Oscilloscope
EG
P
ID
0 t
IP
1 > 0
 Le courant inverse augmente avec

l’éclairement. EG VP
h
VP
Oscilloscope EG
IP
0 = 0
EG VP
0 t
IP
1 > 0

h
VP
Oscilloscope EG
IP
0 = 0
EG VP 1 > 0
0 t
IP
 On polarise la diode en inverse à EG 2 > 1
1 > 0

h
VP
Oscilloscope EG
IP
0 = 0
EG VP 1 > 0
2 > 1
0 t
IP
1 > 0

 Chute de VP : image lumineuse
VP
Oscilloscope EG
IP
0 = 0
EG VP 1 > 0
2 > 1
0 t
IP
1 > 0

 Chute de VP : image lumineuse
VP
EG
IP
0 = 0
EG VP 1 > 0
2 > 1
0 t
 Détection de la couleur
 Chaque diode est couverte d’un filtre bleu, rouge ou vert
h
IP
EG VP

 Détection de la couleur
 Chaque diode est couverte d’un filtre bleu, rouge ou vert
h
IP
EG VP

 Exemples de matrice
 Exemples d’utilisation

VIII. Effet photoélectrique : émission
VIII.1. Phénomène physique
 La diode est polarisée en direct : les porteurs majoritaires traversent la ZCE,
et deviennent minoritaires.

ID
P N
ID
0 VS VD
VD
et deviennent minoritaires.
 Un trou peut se recombiner avec un électron

ID
P N
ID
0 VS VD
VD
et deviennent minoritaires
 Un trou peut se recombiner avec un électron : émission d’un photon.
h 
ID
P N
ID
0 VS VD
VD
et deviennent minoritaires
 Un trou peut se recombiner avec un électron : émission d’un photon.
 L’énergie du photon dépend du semi-conducteur.
 Tous les semi-conducteurs n’émettent pas de photons.
 Ajout d’atomes parasites : recombinaison intermédiaire
h 
ID
P N
ID
0 VS VD

VIII.2. Application : diode électroluminescente (LED)
 Les types de LED et utilisations
11,06 m2, 442368 LED

 L’opto-coupleur EG
 Il sert à transmettre une information entre

deux circuits électroniques isolés
0 t
électriquement.
VE
VDD
0 t
quadripôle opto-coupleur VDD quadripôle
RS
VS VE RE
EG
masse 1 masse 2

0 t
électriquement.
VE
VDD
0 t
RS
VS VE RE
EG
masse 1 masse 2

0 t
électriquement.
VE
VDD
0 t
RS
VS h VE RE
EG
masse 1 masse 2

0 t
électriquement.
VE
VDD
0 t
RS
VS VE RE
EG
masse 1 masse 2
 L’opto-coupleur

électriquement.
Alimentation à découpage
RS
VS VE RE
EG
masse 1 masse 2
VIII.3. Quelques chiffres sur les LED
LED LED haute LED de

classique luminosité puissance
Puissance
3 à 20 mW 30 à 200 mW 1à5W
consommée
Puissance
< 0,1 lm 0,1 à 1 lm 15 à 75 lm
lumineuse
Eclairage
Témoins Eclairage
Applications d’appoints
lumineux monochrome
Lampe de poche
Lampe LED
Incandescence Halogène
Fluo-compactes Blanches
Efficacité
5 à 20 Lm/W 10 à 26 Lm/W 50 à 70 Lm/W 15 à 100 Lm/W
lumineuse
Durée de vie 1 000 h 4 000 h 2 000 h 100 000 h

VIII.3. Quelques chiffres sur les LED
Longueur d’onde Tension de seuil

Couleur Semi-conducteur
(µm) (V)
InfraRouge  > 760 VS < 1,63 arseniure de gallium-aluminium (AlGaAs)
arseniure de gallium-aluminium (AlGaAs)

Rouge 610 <  < 760 1,63 < VS < 2,03
phospho-arseniure de gallium (GaAsP)
Orange 590 <  < 610 1,63 < VS < 2,03 phospho-arseniure de gallium (GaAsP)
Jaune 570 <  < 590 2,10 < VS < 2,18 phospho-arseniure de gallium (GaAsP)
nitrure de gallium (GaN)

Vert 500 <  < 570 2,18 < VS < 2,48
phosphure de gallium (GaP)
séleniure de zinc (ZnSe)

Bleu 450 <  < 500 2,48 < VS < 2,76 nitrure de gallium/indium (InGaN)
carbure de silicium (SiC)

VIII.5. Diode laser
 Phénomène physique
 La diode laser est une hétérojonction : empilement de semi-conducteurs

différents.
 Les électrons sont confinés dans un puits quantique : même énergie.
 L’émission de photons provient de la recombinaison électron-trou.
h 
P N
ID
confinement
VD
VIII.5. Diode laser
 Phénomène physique
 La diode laser est une hétérojonction : empilement de semi-conducteurs

différents.
 Les électrons sont confinés dans un puits quantique : même énergie.
 L’émission de photons provient de la recombinaison électron-trou.
 La longueur d’onde des photons dépend du semi-conducteur.
h 
P N
ID
confinement
VD

VIII.5. Diode laser
 Exemples d’utilisation

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Les diodes

École Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis

II. La diode PN : caractéristique

III. La diode PN : applications

IV. La diode PN : physique

VI. Effet photoélectrique : absorption

VII. Effet photoélectrique : émission

Pascal MASSON Les diodes

1901 1903 1939 1950 1956

 La diode à semi-conducteur présente aussi des propriétés photoélectriques

LED Solaire Photosensible Laser OLED

Pascal MASSON Les diodes

 1901 : dépôt d’un brevet par Jagadis

 1940 : découverte de la diode PN par

Pascal MASSON Les diodes

 1904 : John Ambrose FLEMING

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 Pour réaliser cette fonction, on intercale une diode entre le générateur et la

 La loi des mailles s’écrit : EG = VD + VR

Pascal MASSON Les diodes

 Loi des mailles : 1

 Loi des mailles : 1

 Loi des mailles : 1

 Loi des mailles : 1

 Loi des mailles : 1

 Loi des mailles : 1

 Loi des mailles : 1

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 Impact sur l’exemple précédent 1

 Impact sur l’exemple précédent 1

 Impact sur l’exemple précédent 1

 Impact sur l’exemple précédent 1

 VS (V) : tension de seuil de la diode ID

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 On considère que la diode est semi-idéale avec VS = 0.5 V

binaire tension (V)

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 On considère que la diode est semi-idéale avec VS = 0.5 V

binaire tension (V)

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 On considère que la diode est semi-idéale avec VS = 0.5 V

binaire tension (V)

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 On considère que la diode est semi-idéale avec VS = 0.5 V

binaire tension (V)

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 On considère que la diode est semi-idéale avec VS = 0.5 V

binaire tension (V)

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