Taller IV: Electrónica Análoga
2014
Informe 2: Transistor de unión bipolar y aplicaciones
Edel Madrid Arroyo
Correo-e: eemadrida@unal.edu.co
Introducción:
En este informe se tiene como objetivo estudiar y
analizar experimentalmente el comportamiento de un
dispositivo electrónico conocido como transistor BJT,
el cual se puede aplicar en sistemas de conmutación
(interruptor), amplificación, aislamiento, regulación,
entre otros. En sentido específico se estudiará e
implementará con base en el funcionamiento del
transistor un sistema de polarización por división de
tensión y un regulador de voltaje tipo serie.
Teoría
El transistor de unión bipolar es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que
la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones, está formado por dos
uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada comportándose como un metal.
Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el
emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
Existen dos tipos de transistores BJT: los NPN en los
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores
de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayoría de los transistores
bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la
movilidad del electrón es mayor que la movilidad de
los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operación. Y los
PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Debido a que el transistor es un dispositivo de tres
terminales, tiene entonces dos uniones, una unión
entre las zonas de emisor y base y otra unión entre las
zonas de base y colector.
El transistor trabaja en una de tres regiones conocidas
como activa, corte y saturación. Se dice que trabaja
en la región de corte cuando la unión CE se comporta
como un circuito abierto, ya que la corriente que lo
atraviesa es cero. Trabaja en la región de saturación
cuando la unión CE se comporta como un cable, ya
que la diferencia de potencial entre C y E es muy
próxima a cero. Cuando un transistor no está ni en su
región de saturación ni en la región de corte entonces
está en una región intermedia, la región activa.
Principales resultados
Circuito de polarización de un BJT tipo NPN por
división de tensión: La región de corte se alcanzó
con resistencia R2 = 1Ω, la región activa se alcanzó
con resistencia R2 = 600Ω, la región de saturación se
alcanzó con resistencia R2 = 1,2KΩ
Capacidad de amplificación del transistor de una
señal AC de pequeña amplitud: se observó que la
amplificación se da mejor en la región activa, debido
a que en la región de corte no hay amplificación y en
la región de saturación la señal sufre
“deformaciones”.
Regulador de voltaje tipo serie: se logró montar un
circuito regulador, donde el voltaje de salida tendía a
mantenerse constante a medida que se aumentaba la
resistencia
Procedimiento experimental.
Simulaciones en LT Spice
Circuito de polarización de un transistor NPN
referencia 2N2222 con resistencias (R1, RC, RE) de
1kΩ, resistencia R2 variable para desplazar el punto
de operación y fuente de voltaje DC de 20V.
 Simulación (medición del voltaje en R3 para varios
valores de R2)

Figura 1
Simulación de los voltajes colector base para tres
valores de resistencias en los puntos de operaciones
corto, activo y saturación.
Gráfica 2
Donde las líneas diferentes a la verde central,
corresponden a las regiones activa y saturación, es
decir, en la única región donde no hay amplificación
es en la región de corte.
Circuito regulador tipo serie con R1=10kΩ y R2
variable

Gráfica 1: Línea verde región de corte (R2=1Ω,

VCE=20V, IB=0A, Ic=0A)
Línea azul región activa (R2=600Ω, VCE≈6,4V,
IB≈32,6uA, Ic≈6,7mA)
Línea roja región de saturación (R2=1,2kΩ,
VCE≈0V, IB≈220uA, Ic≈9,8mA)

Figura 3
Circuito de amplificación de una señal AC de Simulación (medición del voltaje en R2 para varios
pequeña amplitud (0,5V), con resistencias (R1, RC, valores esta)
RE) de 1kΩ, resistencia R2 variable para desplazar el
punto de operación, fuente de voltaje DC de 20V y
resistencia a la salida (R3) de 10kΩ

Gráfica 3 Donde es notorio que con el aumento de la

resistencia, el voltaje de salida tiende a mantenerse
constante
Implementos
Figura 2
Protoboard, diodos, resistencias, capacitores, cables,
multímetro, fuente de voltaje directa, fuente de
voltaje alterna y osciloscopio.
Se montó cada uno de los circuitos mostrados
anteriormente en la parte de simulaciones con los
implementos anteriormente mostrados y se midieron
los respectivos parámetros dados por cada figura.
Resultados experimentales
Circuito de polarización de un BJT tipo NPN por
división de tensión: se pondrán todos los datos
medidos en cada una de las regiones:
Corte: R2 = 1Ω ; VCE = 19,87V ; IB ≈ 0 ; IC ≈ 0
Activa: R2 = 600Ω ; VCE = 7V ; IB = 3mA ; IC =
6mA
Saturación: R2 = 1,2kΩ ; VCE = 0,04V ; IB = 7,9mA
; IC = 10,5mA
Capacidad de amplificación del transistor de una
señal AC de pequeña amplitud: se pondrá una
imagen de la forma de la amplificación en cada una
de las regiones:
Imagen 1. Región de corte
Imagen 2. Región activa
Imagen 3. Región de saturación
Regulador de voltaje tipo serie: A continuación una
tabla con los valores del voltaje de salida para cada
cambio en la resistencia R2
R2(Ω) 500 1000 1500 2000 2500
V(V) 3,2 8,8 9,2 9,3 9,3
Tabla 1
Análisis de datos
Circuito de polarización de un BJT tipo NPN por
división de tensión: los resultados optenidos en la
práctica son muy parecidos a los esperados en las
simulaciones, lográndose así el objetivo de montar un
circuito de polarización por división de tensión de tal
manera que el punto de operación se moviera por las
regiones de corte, activa y saturación. Si tomamos los
valores de la simulación como los teóricos de VCE
los porcentajes de error quedan:
%error corte = 0,65%
%error activa = 9,3%
%error activa = lástimosamente no se puede hallar
debido a que el valorteórico sería cero
Este error pudo deberse a que la variación de la
resistencia se hizo con un potenciómetro de 5k el cual
no es un dispositivo muy preciso para estas medidas,
o a falsos valores o mal estado des los demás
dispositivos.
Capacidad de amplificación del transistor de una
señal AC de pequeña amplitud:
Región de corte: de la imagen 1 se concluye que no
hay amplificación, debido a que la onda suministrada
desaparece casi por completo.
Región activa: de la imagen 2 se concluye que hay
amplificación y la onda suministrada es idéntica (en
el sentido de la forma) a la original.
Región de saturación: de la imagen 3 se concluye que
hay amplificación pero la onda suministrada no es
igual a la de salida, es decir, sufre “deformaciones”.
De lo anterior se puede decir que si lo que se quiere
es solamente amplificar la onda, es mejor trabajar en
la región activa.
Regulador de voltaje tipo serie: con solo mirar la
tabla 1 se concluye que el voltaje de salida tiende a
mantenerse constante a medida que se aumenta la
resistencia. Este error pudo deberse a que la variación
de la resistencia se hizo con un potenciómetro de 5k
el cual no es un dispositivo muy preciso para estas
medidas, o a falsos valores o mal estado des los
demás dispositivos.
Las medidas de voltaje eran dadas por el oscilocopio,
la fuente directa o la alterna, los caules son
dispositivos con mucha precisión, por lo que el error
es mínimo. Los valores de corriente por el multímetro
en una escala con incertidumbre ∓0,01. Los valores
de los capacitores tiene un error del 10% y la
resistencia un 5%. Se hizo lo máximo posible para
evitar errores de medición, como tomar datos a la
ligera o mal tomados. Sin embargo, hay otros factores
que pudieron afectar a la hora de tomar buenas
medidas, como por ejemplo la calibración de los
instrumentos de medición, ligeros cambios de valores
de los implementos debido a cambios de temperatura
o humedad, entre otras.

Conclusiones
Se logró montar un circuito de polarización de un
BJT tipo NPN por división de tensión, pasando el
punto de operación por la región de corte, activa y
saturación.
Se observó que el circuito de amplificación se da
mejor en la región activa, debido a que en la región
de corte no hay amplificación y en la región de
saturación la señal sufre “deformaciones”.
Se logró montar un circuito regulador, donde el
voltaje de salida tendía a mantenerse constante a
medida que se aumentaba la resistencia.