PEMANJARAN TRANSISTOR

Fungsi dasar transistor adalah sebagai penguat. Salah satu persyaratan dalam penguatan sinyal
adalah bentuk sinyal tidak boleh berubah, hanya besar atau magnitudonya saja yang meningkat.
Peningkatan magnitudo sinyal tanpa mengalami perubahan bentuk disebut sebagai penguatan
faithful (faithful amplification). Untuk mencapai hal ini, masukan pada rangkaian emitor
bersama (sambungan basis-emitor) haruslah terpanjar maju dan luarannya (sambungan
kolektor-basis) selalu terpanjar mundur selama sinar dipancarkan. Hal ini dikenal sebagai
pemanjaran transistor.

Untuk memastikan terjadinya penguatan faithful, rangkaian haruslah memenuhi

persyarataN:

(i) arus kolektor nol sinyal yang sesuai

(ii) tegangan basis-emitor (VBE) minimum
(iii) tegangan kolektor-emitor (VCE) minimum

Keadaan (i) dan (ii) memastikan sambungan basis-emitor tetap terpanjar maju dan kondisi (iii)
memastikan sambungan basis-kolektor terpanjar mundur . Persyaratan ini bertujuan untuk
memastikan transistor bekerja di daerah aktif dari karakteristik output yaitu daerah antara
saturasi dan cut off

(i) arus kolektor nol sinyal yang sesuai.

Tinjau rangkaian transistor npn pada Gambar 1. (i) selama setengah siklus positif, basis positif
terhadap emitor sehingga sambungan basis emitor terpanjar maju. Hal ini akan menyebabkan
terjadinya arus basis dan arus kolektor yang lebih besar mengalir dalam rangkaian. Namun,
selama setengah siklus negatif sinyal, sambungan basis-emitor terpanjar mundur dan tidak ada
arus yang mengalir dalam rangkaian. Hasilnya tidak ada luaran selama siklus negatif, sehingga
luaran sinyal yang diperkuat akan terpotong.
 (i) (ii)

Gambar 1.

Apabila pada rangkaian dipasang sumber tegangan pada rangkaian basis (VBB) yang
besarnya tertentu, sumber tegangan ini akan mempertahankan rangkaian masukan terpanjar
maju bahkan selama puncak setengah siklus negatif sinyal. Ketika tidak ada sinyal yang
diterapkan pada rangkaian, arus dc tetap akan mengalir dalam rangkaian kolektor karena
adanya VBB. Arus ini dikenal sebagai arus kolektor nol sinyal. Selama setengah siklus positif
sinyal, rangkaian masukan lebih terpanjar maju dan karenanya arus kolektor meningkat.
Namun, selama setengah siklus negatif sinyal, sirkuit masukan kurang terpanjar maju dan arus
kolektor menurun. Dengan demikian, setengah siklus negatif sinyal juga muncul dalam luaran
dan bentuk sinyal tidak berubah.Oleh karena itu, agar penguatan faithful terjadi, arus kolektor
nol sinyal harus mengalir.

(ii) tegangan basis-emitor (VBE) minimum

VBE tidak boleh berada dibawah 0.5V untuk transistor Ge dan 0.7V untuk transistor
silikon
(iii) tegangan kolektor-emitor (VCE) minimum
VCE tidak boleh berada dibawah 0.5V untuk transistor Ge dan 1V untuk transistor
silikon
Variasi Parameter Transistor

Variasi parameter transistor seperti β dan VBE tidak sama untuk setiap transistor bahkan untuk
transistor dari jenis yang sama. Sebagai contoh, BC147 adalah silikon npn transistor dengan β
bervariasi antara 100-600 artinya, β untuk satu transistor nilainya 100 dan transistor lain dapat
bernilai 600, meskipun keduanya BC147. Variasi parameter merupakan karakteristik dari
transistor. Alasan utama terjadinya variasi adalah transistor merupakan piranti baru dan teknik
manufakturnya belum terlalu canggih. Sebagai contoh, belum memungkinkan untuk
mengontrol lebar basis sehingga lebar basis transistor satu dan lainnya bervariasi. Variasi
seperti ini mengakibatkan perubahan besar dalam parameter transistor seperti β, VBE dll.
Variasi yang melekat dari parameter transistor dapat mengubah titik operasi, sehingga
penguatan yang terjadi tidak dalam kategori faithful. Oleh karena itu, sangatlah penting untuk
merancang rangkaian yang terpanjar yang dapat beradaptasi dengan berbagai transistor dari
satu tipe walaupun transistor-transistro tersebut memiliki nilai β atau VBE yang bervariaso.
Dengan kata lain, titik operasi harus independen dari variasi parameter transistor.

Stabilisasi

Arus kolektor di transistor berubah dengan cepat ketika terjadi

(i) perubahan suhu, yang menyebabkan berubahnya arus kolektor IC, karena
𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐸𝑂 = 𝛽𝐼𝐵 + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵𝑂
Arus bocor kolektor ICBO dipengaruhi oleh perubahan suhu. Kenaikan 10 ° C dapat
menaikkan arus bocor kolektor dua kali lipat yang besarnya sekitar 0,2 mA untuk
transistor germanium bertenaga rendah. Oleh karena itu, perubahan IC karena
variasi suhu haruslah diperhitungkan.
(ii) transistor digantikan oleh transistor lain dari jenis yang sama. Hal ini disebabkan
variasi parameter transistor.
Ketika perubahan suhu atau transistor diganti, titik operasi (yaitu sinyal IC dan VCE
nol) juga berubah. untuk penguatan faithful, sangat penting untuk menjaga agar titik
operasi tetap. Proses terbentuknya titik operasi yang terbebas dari kedua variasi
diatas dikenal sebagai stabilisasi.
Dengan nila ICBO yang bervariasi sangatlah penting untuk menjaga IC konstan, Pengukuran
seberapa berhasilnya rangkaian terpanjar dalam menjaga nilai IC yang konstan disebut faktor
stabilitas S. Dengan kata lain faktor stabilitas merupakan laju perubahan arus kolektor IC
terhadap arus bocor kolektor ICBO pada β dan IB yang konstan.

𝑑𝐼𝐶
𝑆 = 𝑑𝐼 pada β dan IB yang konstan
𝐶𝐵𝑂

𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐸𝑂 = 𝛽𝐼𝐵 + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵𝑂

Metode Transistor Biasing

Dalam rangkaian penguat transistor panjar dapat dilakukan dengan menambah baterai VBB
yang terpisah dari VCC yang digunakan dalam rangkaian luaran. Namun, untuk kesederhanaan
diharapkan rangkaian transistor hanya memiliki satu sumber masukan-satu di rangkaian luaran
(yaitu VCC). Berikut ini adalah metode yang paling umum digunakan untuk memperoleh
rangkaian transistor terpanjar dari satu sumber pasokan (yaitu VCC):
(i) Konfigurasi panjar tetap
(ii) Metode emitor terpanjar
(iii) Panjar dengan hambatan umpan-nalik kolektor
(iv) Panjar pembagi hambatan

Dalam semua metode ini, prinsip dasar yang sama digunakan yaitu nilai arus basis yang
diperlukan (atau nilai IC) diperoleh dari VCC dalam kondisi sinyal nol. Nilai beban kolektor RC
dipilih sedemikian rupa sehingga VCE tidak bernilai di bawah 0.5 V untuk transistor germanium
dan 1 V untuk transistor silikon. Yang akan dibahas dalam materi ini hanyalah konfigurasi
panjar tetap dan Panjar pembagi hambatan.
 (i) Konfigurasi panjar tetap

Dalam metode ini, RB dengan nilai resistansi yang tinggi (beberapa ratus kW) terhubung antara
basis dan ujung positif sumber tegangan VCC untuk npn transistor (Lihat Gambar. 2). Arus basis
nol sinyal yang diperlukan disediakan oleh VCC dan mengalir melalui RB. Hal ini disebabkan
basis positif terhadap emitor dan sambungan basis-emitor terpanjar maju. Nilai arus basis pada
saat nol sinyal (atau IC = βIB) dapat mengalir dengan memilih nilai resistor basis RB yang tepat.

Gambar 2.

Pada gambar 2, VCC merupakan potensial pada titik (bukan beda potensial) yang terhubung
pada RB dan RC. Rangkaian pada Gambar 1, dapat pula digambarkan sebagai berikut:
 Gambar 3.

VCC sebagai potensial pada titik terhubung dengan ground, oleh karenanya dapat digambarkan
sebagai beda potensial sehingga rangkaiannya dapat dilihat seperti pada gambar 4

Gambar 4.
Analisis Rangkaian

Nilai RB yang tepat diperlukan sehingga arus kolektor mengalir dalam kondisi nol sinyal. Jika
IC adalah arus kolektor pada nol sinyal

Gambar 5

Tinjau Loop I pada Gambar 5.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

Pada Loop II

VCE = VCC-ICRC
Faktor stabilisasi dari rangkaian ini adalah:

Konfigurasi Panjar Pembagi Tegangan

Metode ini yang paling banyak digunakan sebagai penyedia panjar dan stabilisasi transistor.
Dalam metode ini tidak ada hambatan basis seperti pada konfigurasi tengangan tetap, namun
dua resistor R1 dan R2 dihubungkan disepanjang sumber tegangan VCC (lihat Gambar 6).
Hambatan emitor RE berfungsi untuk menstabilisasi. Tegangan jatuh disepanjang R2 membuat
sambungan basis emitor terpanjar maju. Hal ini menyebabkanarus basis dan kolektor mengalir
dalam kondisi nol sinyal.

Gambar 6

Rangkaian di atas dapat dimodifikasi menjadi rangkaian di bawah ini

 Gambar 7.

Untuk mengetahui titik kerja dari rangkaian maka diperlukan rangkaian ekivalensi dari
pembagi tegangan dengan menggunakan teoema thevenin. Pada teorema Thevenin rangkaian
dengan bebeapa hambatan dan sumber tegangan dapat disederhanakan dengan satu sumber
tegangan Thevenin dan satu hambatan Thevenin serta satu hambatan beban seperti terlihat pada
Gambar 8.

Gambar 8

Pada rangkaian pembagi tegangan bagian pada Gambar 9 yang dilingkari biru merupakan
hambatan beban
 Gambar 9

dan rangkaian pembagi tegangan terpanjar dapat digantikan dengan rangkaian pada Gambar
10. Pada Gambar 9 VCC merupakan potensial pada titik dan dapat dihubungkan dengan ground
maka rangkaiannya menajdi Gambar 10.

Gambar 10

Untuk mengkonversinya menjadi rangkaian thevenin, maka VCC dihubungpendekkan dan

hambatan beban yang berupa rangkaian pada gambar 9 yang dilingkari garis biru di putus dari
rangkaian (hubungan terbuka/open circuit). Setelah itu akan didapatkan rangkaian seperti
gambar dibawah ini.

R1

R2

Gambar 11

maka didapatkan hambatan Theveninnya R1 paralel R2

𝑅1𝑅2
𝑅𝑇ℎ =
𝑅1 + 𝑅2

dan untuk mengetahui tegangan Thevenin maka VCC dihubungkan kembali ke rangkaian dan
dilihat arus yang mengalir dalam loop I

Gambar 12
Arus yang mengalir dalam loop I adalah

𝑉𝐶𝐶
𝐼=
𝑅1 + 𝑅2

Oleh karenanya tegangan Thevenin atau tegangan jatuh di R2 adalah

𝑅2 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑇ℎ = 𝐼𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2

Sehingga rangkaiannya menjadi

Gambar 13
Atau dapat pula digambarkan sebagai

Gambar 14

Analisis Rangkaian

Untuk menghitung IC terlebih dahulu dihitung IB dengan menganalisis rangkaian pada loop I

Gambar 14

VTh – IBRTh – VBE – IERE = 0

dengan IE = (+1) IB

VTh – IBRTh – VBE – (+1)IBRE = 0

𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
maka didapatkan IC

𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 𝛽
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

dan untuk VCE dianalisis loop II

VCC – ICRC – VCE – IERE = 0

IE  IC

VCC – IC (RC+RE) – VCE = 0

VCE = VCE – IC (RC+RE)

Contoh Soal:

Pada konfigurasi panjar pembagi tegangan dengan IB = 20 mikroAmpere, VC = 10.6 V

tentukan;

(a) IC (b) VE (c) VCC (d) VCE (e) VB (f) R1

Jawab:

Sebelumnya perlu diketahui bahwa VCE = VC – VE dengan VC adalah tegangan pada

kolektor, di soal besarnya 10.6 Volt dan VE adalah tegangan pada emitor

IE

(a) 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 100 × 20𝐴 = 2𝑚𝐴

(b) Untuk mencari VE maka Loop III dianalisis
Ingat VE adalah potensial pada titik dan jika dihubungkan dengan ground menjadi
beda potensial, maka analisisnya
VE – IERE = 0
VE = IERE
IE = IC + IB = 2 mA + 20 A = 2.02 mA
VE = 2.02 mA x 1.2 k = 2.424 V

(c) Untuk mencari VCC maka dianalisis Loop II, VCC dan VC merupakan potensial pada
titik dan dapat dihubungkan ke ground sehingga analisisnya menjadi
 VCC - ICRC = VC

VCC = (2 mA . 2.7 k) + 10.6 V

VCC = 16 V

(d) VCE = VC - VE = 10.6 V – 2.424 V = 8.176 V

(e) VBE = VB – VE
VB = VBE + VE = 0.7 V + 2.424 V = 3.124 V

(f) Nilai VTh dapat disamakan dengan nilai VB karena tegangan jatuh di Rth (R1
paralel R2) sangat sedikit, maka

𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝑉𝐵 ≈ 𝑉𝑇ℎ =
𝑅1 + 𝑅2

16 𝑉 × 6.8 𝑘𝑜ℎ𝑚
3.124 =
𝑅1 + 6.8 𝑘𝑜ℎ𝑚

didapat R1 = 28 kohm

Sumber:
Mehta, V.K., Mehta R. “Principles of Electronics”, 2008, S. Chand and Company, New Delhi
Analog Electronics Course from “NESO ACADEMY”