Practica No 9: Transistor BJT, caracterización y

circuitos de polarización
Barragán N. Juan Antonio, Bohórquez T. Diana Camila, Ruiz S. Nathaly Elizabeth.

Abstract- Since its invention, the BJT transistor have el pnp, para este laboratorio solo se utilizará transistores tipo
revolutionized electronics thanks to the wide range of applications npn por lo que no se explicaran los transistores pnp. La
that can be done with them, applications that range from amplifiers representación típica de un transistor BJT npn se observa en la
design to the design of digital logic and memory circuits. Although
ilustración 1.
now a day it is being replaced by the MOSFET transistor, who is
now considered the most widely use electronic device, BJT
technology remains significant in certain applications, like in high
frequency circuits or automotive technology. The main objective of
the following paper is to be introduced to the basic current-voltage
characteristics of BJT transistor, as well as, to its basic parameters
and operation regions. Also it will be analysed some basic biasing
configurations, that will later lead to design of amplifications
circuits with BJTs. Finally it will be analysed which of the biasing
configurations it is more stable to temperature changes.

Keywords: BJT operation regions, BJT voltage-current

characteristics, 3 terminal devices, BJT biasing configurations.

I. INTRODUCCIÓN

Los dispositivos de tres terminales, como el transistor

MOSFET o BJT han demostrado ser de mucha mayor utilidad
que los dispositivos de dos terminales esto se puede concluir a
partir de la amplia gama de aplicaciones que se han podido
desarrollar desde su aparición. Actualmente los transistores Ilustración 1: representación típica de un transistor BJT,
BJT son muy utilizados en circuitos analógicos que están npn
expuestos a condiciones climáticas difíciles, circuitos de alta
Los transistores BJT tienen tres zonas de operación, la zona
frecuencia o combinados con transistores MOSFET para
activa, zona utilizada para el desarrollo de amplificadores, la
aplicaciones innovadores, además de ser un dispositivo muy
zona de saturación y la zona de corte, cada uno de estas zonas
útil para el diseño de reguladores serie y amplificadores de
tiene características completamente diferentes. Se empezará
señal. El objetivo de este laboratorio será familiarizarse con
analizando la más sencilla de todas, la zona de corte. En esta
las características básicas de corriente y voltaje y las zonas de
zona el transistor se comporta como un circuito abierto es
operación de un transistor BJT mediante mediciones en el
decir no conduce corriente a través de las terminales colector
laboratorio y analizar una primera aplicación de este transistor
emisor, se accede a esta zona cuando el voltaje en la juntura
en circuitos de polarización, una buena comprensión de las
base emisor es menor a 0.7 volts, se puede considerar que
características de este dispositivo facilitará después el diseño y
entre la base y el emisor se encuentra un diodo, y que este solo
análisis de aplicaciones más complejas como los circuitos
conducirá cuando esta polarizado en directo a más de 0.7 volts
amplificadores de señal.
aproximadamente.

II. MARCO TEÓRICO La siguiente zona de operación a analizar es la zona activa en

esta zona el transistor se puede modelar como una fuente de
Los transistores BJT son dispositivos electrónicos de tres
corriente controlada por corriente, la corriente reguladora será
terminales, las cuales se nombraran siempre emisor, base y
la corriente que entra por la terminal de la base y la corriente
colector. Se pueden hallar dos tipos de este transistor, el npn y
regulada será la que entra a través de la terminal del colector.
La relación entre estas dos corrientes es la siguiente:

𝐼𝑐
𝐼𝐵 =
𝛽

(1)

Donde Ib es la corriente de la base, Ic la corriente del colector

y β un parámetro de construcción del transistor, se puede
observar que entre mayor sea el parámetro β mayor es el
aumento de la corriente del colector debido a una corriente de
base fija. También se puede escribir la corriente del colector
en función del voltaje entre la base y el emisor, en esta caso el
transistor se puede modelar como una fuente de corriente Ilustración 2: grafica Ic vs Vce
controlada por voltaje, esta relación es la siguiente:

𝑉𝑏𝑒⁄
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑡
III. SIMULACIONES, GRÁFICOS, TABLAS Y
Otra característica importante de esta zona de operación es que FÓRMULAS.
la corriente en el colector es independiente del voltaje que
Procedimiento 1:
haya entre las terminales del colector y el emisor, esta
característica hace esta zona muy deseada para el diseño de
amplificadores de señal. Se estará en esta zona siempre y
cuando la juntura base emisor este polarizada a más de 0.7
volts y que el voltaje colector emisor sea mayor a 0.3V si este
voltaje es menor a 0.3V se entrará en la última zona de
operación, la zona de saturación.

La saturación no es una zona muy deseada debido a que la

corriente del colector se vuelve dependiente del voltaje
colector emisor y disminuye a medida que este lo hace, al
realizar el cálculo del factor β en esta zona se obtendrá un
valor más pequeño al calculado en la zona activa debida a la
dependencia de la corriente de base con el voltaje colector
emisor. En la ilustración 2 se observa la gráfica de corriente de Circuito 1:
colector vs el voltaje colector emisor, se observa que a partir
de 0.3 volts la corriente toma un valor constante Circuito utilizado para el primer procedimiento, la
independiente de voltaje colector emisor. Otra característica probeta verde corresponde al voltaje colector emisor
importante que se observa es que la pendiente en la zona de mientras que la probeta roja corresponde al voltaje base
saturación y la corriente constante que se obtiene en el emisor.
colector es mayor si se aplica una mayor corriente de base.
Imagen 1: fotografía de la señal obtenida al observar con el
osciloscopio, el voltaje colector emisor del circuito 1
10
VBE VS IC
(Probeta Verde)
8
6

IC (mA)
4
2
0
-2 0 0,5 1
Vbe (V)

Gráfica 1: curva exponencial de los datos de la tabla 1,

estos datos se tomaron fijando puntos arbitrarios del
voltaje Vbe y luego midiendo la corriente del colecctor.
Imagen 2: fotografía de la señal obtenida al observar con el
osciloscopio, el voltaje base emisor del circuito 1 (Probeta
roja)

IC(mA) IB(mA) B
4,08 0,04 102
4,46 0,05 89,2
4,8 0,06 80
5,16 0,08 64,5
5,02 0,07 71,7142857
B promedio 81,4828571

Tabla 2: tabla de diferentes valores para la corriente de la

base y la corriente del colector.

Imagen 3: Función de transferencia del circuito 1, esta se Procedimiento 2:

logró observando el voltaje Vbe y Vce en el modo XY del
osciloscopio

VBE (V) IC (mA)

0 0
0,56 0
0,77 3,12
0,785 4,92
0,791 5,54
0,795 5,9
0,8 6,46
0,822 8,09
0,843 8,94 Circuito2:
Tabla 1: Datos de corriente colector vs voltaje base emisor
para el procedimiento 1.
Imagen 4: Voltaje colector-emisor y el voltaje en la
resistencia de 1k del circuito 2.

Circuito 4:

Imagen 5: Voltaje colector-emisor y el voltaje en la

resistencia de 1k en el modo xy del osciloscopio

Procedimiento 3:

Diseño de circuitos de polarización:

Circuito 5:

temp ambiente Calentado

Vb 3,05 3,08
Circuito
Vc 8,92 8,9
3
Ve 2,26 2,3
Vb 0,802 0,643
Circuito
Vc 6,76 6,65
4
Ve 0 0
Tabla 3: mediciones de las variaciones de cada
configuración a cambios de temperatura.
Circuito 3:
IV. ANALISIS

Procedimiento 1:

Al conectar la señal sinusoidal al circuito del procedimiento 1,

se observaron variaciones del voltaje base-emisor entre 0.5 V
y 0.8V, lo que generaba que el transistor estuviera alternando
entre la zona de corte y la zona Activa de operación. Cuando
el voltaje Base Emisor se encuentra su valor más bajo (0.5V)
se observa que el transistor se encuentra en la zona de corte y
por lo tanto no hay conducción a través de las terminales de
colector emisor. Al no haber corriente en esa malla del circuito
también se observa que los 10 voltios de la fuente dc aparecen
en las terminales del colector y el emisor. A medida que el
voltaje base emisor aumenta, el diodo cambia de zona de
operación a zona activa, en esta zona el transistor empieza
conducir corriente lo que genera una caída de voltaje en la
resistencia de 1 y en consecuencia el voltaje colector emisor se
reduce. Al visualizar Vbe y Vce en el modo xy del
osciloscopio, imagen 3, se observa el comportamiento
anteriormente descrito, una zona en la que el voltaje colector
emisor es constante y durante la cual el transistor se encuentra
en la zona de corte y una segunda sección en la que el voltaje
colector emisor se reduce drásticamente debido a la corriente
fluyendo a través de la resistencia de 1k. Si se hubiera permito
que el voltaje base emisor hubiera aumentado más, se hubiera
observado como el transistor entra en la zona de saturación,
esto se hubiera logrado cuando el voltaje colector emisor
hubiera llegado al valor de 0.3 voltios, completando la función
de transferencia del transistor.
Para la segunda parte del procedimiento 1, se remplazó la
fuente sinusoidal por una fuente DC y se tomaron datos de la
corriente de colector y del voltaje base emisor para diferentes
valores de esta fuente, estos se ven consignados en la tabla 1.
Al realizar la gráfica de estos se observa la relación
exponencial que hay entre el voltaje base-emisor y la corriente
de colector. Esta relación proviene del diodo que hay en la
juntura base-emisor que hay en el transistor.
Para la medición del parámetro Beta del transistor en zona
activa se realizó la medida de diferentes valores de la corriente
de base Ib y la corriente del colector Ic para diferentes valores
de la fuente DC, estos datos se encuentran consignados en la
tabla 2, adicionalmente se encuentra en la tabla la razón de
Ic/Ib que es igual al parámetro Beta del transistor, al realizar el
promedio de todos los puntos medidos se obtienen un valor de
Beta de 81, este valor se utilizó para el procedimiento tres para
el diseño de los circuitos de polarización.
Del procedimiento anterior se concluyen que existe una
relación exponencial entre la corriente del colector y el voltaje
base-emisor, la segunda conclusión que se obtiene es que si la
juntura base emisor no está polarizada a más 0.5 voltios le
transistor se encontrará en la zona de corte y no conducirá
corriente, finalmente se concluye al trabajar el transistor BJT
entre la zona activa y la zona de corte funciona como una
switch controlado por voltaje (VBE ).
Procedimiento 2:
En el circuito dos se procedió primero a observar la corriente
del colector mediante la caída de voltaje de la corriente de 1 k
y el voltaje colector emisor mediante los dos canales del
osciloscopio de donde se obtuvo la imagen 4 y se consignó en
la bitácora que el voltaje máximo alcanzado entre el colector y
el emisor fue de 40mV, por lo que se concluye que el
transistor esta trabajando en la región de saturación, al
observar estas dos señales en el modo XY del osciloscopio se
obtiene una línea recta que corresponde a la zona de saturación
de la gráfica de Ic vs Vce. Al aumentar el potenciómetro, se
observó que la pendiente de la recta aumentó, lo que implica
que hay una relación entre la corriente de la base y la curva de
Ic vs Vce, finalmente se reemplazó la señal triangular por una
fuente dc de 10 V y se calculó la razón entre Ic y Ib para
obtener un valor de B del transistor en la zona de saturación,
para el caso en el que el potenciómetro tenía un valor de 5k se
obtuvo que Ic=19.21mA y Ib=2.37mA, al realizar la razón de
estas dos se obtuvo un valor de B de 8.10 valor
considerablemente significativo al calculado en el
procedimiento anterior.
Se concluye del anterior procedimiento que la existencia de
una zona más del transistor, la zona de saturación, cuya
principal característica es que la corriente es dependiente del
voltaje que haya en entre el colector y el emisor, también se
concluye que el B del transistor en esta zona es
significativamente menor al que obtuvo al medirlo en el
multímetro.
Procedimiento 3:
Una vez diseñados los circuitos con las especificaciones dadas
en la guía, se procedió a realizar mediciones del voltaje de
base, del voltaje de colector y del voltaje de emisor para los
tres circuitos a temperatura ambiente y luego calentando el
transistor mediante un cautín, los datos se encuentran
consignados en la tabla 3.
La primera observación que resalta es que el voltaje de la base
en la primera configuración se cae significativamente, de 0.8 a
0.64, esta configuración no es recomendable para polarizar el
transistor BJT se fija tanto el voltaje Vbe como la corriente de
base, el resultado de esto es que cualquier variación que haya
por pequeña que sea, resultará en grandes cambios tanto en la
corriente del colector como el voltaje VCE .
Al comparar las variaciones de la configuración 2 se puedo
concluir que a pesar de las variaciones de temperatura los
voltajes en cada nodo del transistor no variaron
significativamente. Esto se puede explicar gracias a que la
resistencia Re que no se tenía en la configuración anterior
cumple la función de retroalimentar el sistema negativamente,
si por ejemplo la corriente del colector aumentará por la
variaciones de temperatura, la caída de voltaje en la resistencia
también aumentaría y por lo tanto el voltaje del emisor,
teniendo en cuenta que el voltaje en la base solo depende del
divisor de voltaje de la resistencias conectadas a la base y
estas no varían el voltaje de la base se mantiene constante,
haciendo que el voltaje VBE disminuya contrarrestando el
aumento de corriente en el colector que se había asumido
inicialmente. Este configuración de polarización es muy
apropiada para el diseño de amplificadores en la configuración
de emisor común, debido a su robustez frente a variaciones de
temperatura.

La tercera configuración de polarización demostró ser igual de

robusta a la anterior, con la única desventaja que requiere de
dos fuentes de voltaje para montarla, esta configuración es
muy útil para diseñar amplificadores en configuración de
emisión común y de base común si se retira la resistencia de la
base.

V. CONCLUSIONES:
 El transistor BJT tiene tres zonas de operación en las que
puede trabajar, la zona de corte en la que transistor no
conduce a través de las terminales de colector y el
emisor, se accede a esta zona de operación cuando el
voltaje en la juntura base emisor es menor 0.5 volts, la
zona activa, en la cual la corriente en el colector es
independiente del voltaje colector-emisor, se accede a
esta zona al aumentar el voltaje base emisor a más de 0.5
v y adicionalmente se debe tener un voltaje Vce mayor a
0.3 voltios para mantener la juntura base colector
polarizada en inversa, finalmente si el voltaje Vce se
reduce a menos 0.3 v el transistor estará trabando en la
zona de saturación.
 En la zona de saturación el parámetro beta del transistor
es mucho más pequeño del que se obtiene en la zona
activa, y se puede variar de acuerdo a la corriente de la
base.
 En los circuitos de polarización con BJT no es
conveniente fijar una corriente de base o un voltaje Vbe
ya que cualquier pequeña variación en los parámetros del
transistor generara grandes cambios en la corriente del
colector y en el voltaje colector emisor.

VI. BIBLIOGRAFÍA

[1]Muhammad, R. Circuitos micro electrónicos análisis y

diseño. España, Madrid. International Thomson Edition.
2000. Pag. 109-123.

[2] A. S. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits

Revised Edition, 5th ed. New York, NY, USA: Oxford
University Press, Inc., 2007. Pag. 207-213.