ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO

DEPARTAMENTO DE CIENCIAS DE LA ENERGÍA Y MECÁNICA

CARRERA DE INGENIERIA MECATRÓNICA

ENSAYO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Tema: “TRANSISTORES Y TIRISTORES”

Nombre:

Luis Zapata

Fecha de entrega:

Martes, 30 de Abril del 2013

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 Índice

 Introducción……………………………………………………………………….………………………3

 Tiristores…………………………………….…………………………………………………………….3

 SCR…………………………………………………………………………………………………………….4

 GTO…………………………………………………….…………………………………………………….5

 TRIAC……………………………………………………..………………………………………………..8

 Transistores……………………………………………………………………………………………..6

 BJT MOSFET………………………………………………….…………………………………………10

 Área de operación de Transistores y Tiristores…………………………….…………11

 Nuevos transistores y tiristores….……………………………………………………………12

 Conclusiones….………………………………………………………………………………………17

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 Resumen
En este artículo se presenta los conceptos básicos sobre el funcionamiento, características y los
miembros más representativos de los tiristores y transistores usados hoy en día, además los
nuevos elementos que están revolucionado y remplazando a los tiristores y transistores en el
control y manejo de potencia en electrónica.

Introducción
En este apartado trataremos el tema sobre unos dispositivos, los cuales han evolucionado la
vida de todos nosotros “el transistor”, que es sin duda uno de los mejores inventos del hombre
diseñado para operar en circuitos electrónicos como amplificador, oscilador o conmutador. El
término Transistor es un acrónimo de transfer y resistor (resistencia de transferencia) y se
compone de tres terminales: colector, base y emisor. En estos temas estudiaremos las
principales características básicas del transistor bipolar y
FET, así como sus aspectos físicos, sus estructuras básicas y las simbologías utilizadas para cada
uno de ellos. Se abarcará igual el tema de la polarización, el encapsulado y la prueba de los
transistores con multímetros tanto digital como análoga que son indispensables en estos
dispositivos mencionados anteriormente.
Mientras los “Los tiristores” en general, son dispositivos semiconductores formados por cuatro
o más capas alternadas de materiales tipo N y P que producen, por retroalimentación interna,
un efecto de enganche o enclavamiento, el cual los hace extremadamente útiles en
aplicaciones de conmutación y de control de potencia.
Un tiristor es un componente cuya principal aplicación es la de servir como interruptor
accionado eléctricamente. Por lo general cuentan con tres terminales, figura 1, llamados la
compuerta, el ánodo y el cátodo; entre los dos últimos se conecta el circuito en el que ellos
actuarán como interruptor, mientras que el terminal de compuerta sirve generalmente para
hacer posible la iniciación del paso de corriente.

Desarrollo Temático

TRANSISTORES

SCR

Es un dispositivo semiconductor bipolar formado por tres uniones pn con la disposición pnpn

SIMBOLO:

Figura N 1 Tomada de Wikipedia/ Tiristor

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CARACTERISTICAS DEL SCR

• Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta

• Fácil controlabilidad.

• Características en función de situaciones pasadas (memoria).

• Es capaz de controlar grandes potencias

• Soporta tensiones altas.

• Interruptor casi ideal.

• CURVAS

Figura N 2 Tomada de Wikipedia/Tiristor

• CIRCIUTO DE DISPARO

 Por modulo de tension

 Por gradiente de tension.
 Disparo por puerta
 Por Radiacion
 Por Temperatura

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 Figura N 3 Tomada de Wikipedia/ Tiristor

• VALORES COMERCIALEAS

Figura N 4 Tomada de Wikipedia/ Tiristor

GTO

Dispositivo encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate

• SIMBOLO

Figura N 5 Tomada de Wikipedia/ Tiristor

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 CARACTERISTICAS

• El disparo se realiza mediante una VGK >0

• El bloqueo se realiza con una VGK < 0.

• En el bloqueo por puerta no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que

requieren los SCR.

• La corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar
mas dimensionado.

• El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.

• Se activarse mediante la aplicación de una señal positiva de compuerta

CURVAS

Figura N 6 Tomada de Wikipedia/ Tiristor

• CIRCIUTO DE DISPARO

Figura N 7 Tomada de Wikipedia/ Tiristor

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 APLICACIONES

• Caldeo inductivo.

• Rectificadores.

• Control de motores asíncronos.

• Soldadura al arco.

• Tracción eléctrica.

• Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)

Figura N 8 Tomada de .elprisma.com

TRIAC

Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO

SIMBOLO:

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 Figura N 9 Tomada de Wikipedia/ Tiristor

CARACTERISTICAS

• Bidireccional

• Es un interruptor capaz de conmutar C.A.

• Posee tres terminales

• Las designaciones de ánodo-cátodo se reemplazan por A1yA2.

• La conducción esta dada por la compuerta gate

• Puede apagarse con un pulso de señal negativo

CURVAS

Figura N 10 Tomada de Wikipedia/ Tiristor

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 TRANSISTORES
BJT

El transistor de unión bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la tecnología en
semiconductores

SIMBOLO:

Figura N 11 Tomada de Wikipedia/ Transistores

CARACTERISTICAS

TRANSISTOR BJT

• posee tres terminales: base, colector y emisor

• Su resistencia interna varia según la señal de entrada , se dice que el transistor regula
el paso de corriente atravez suyo

• Trabaja en tres regiones, las cuales son: Región activa, región de saturación y región de
ruptura.

• Está saturado cuando Ic=Ie=Imax.

• La región de corte indica que el transistor prácticamente esta apagado, es decir Ib = Ic

= Ie =0A.

• IC= βiB Ic= αIE α =β/(β+1)

CURVAS

Figura N 12 Tomada de Wikipedia/ Transistores

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 CIRCIUTO DE DISPARO

Figura N 13 Tomada de Wikipedia/ Transistores

AREA DE OPERACIÓN DE TRANSISTORES BJT

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MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar
señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en
circuitos analógicos o digitales.

Símbolos

Figura N 14 Tomada de Wikipedia/ Transistores

Razones para el escalamiento del MOSFET

Los MOSFET pequeños son deseables por varias razones. El motivo principal para
reducir el tamaño de los transistores es que permite incluir cada vez más dispositivos
en la misma área de un circuito integrado. Esto resulta en circuitos con la misma
funcionalidad en áreas más pequeñas, o bien circuitos con más funcionalidades en la
misma área. Debido a que los costos de fabricación para una oblea de semiconductor
son relativamente estables, el costo por cada circuito integrado que se produce está
relacionado principalmente al número de circuitos que se pueden producir por cada
oblea.

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 Figura N 15 Tomada de Wikipedia/ Transistores

TRANSISTORES Y TIRISTORES DEL FUTURO

TRANSISTORES TRANSPARENTES DE GRAFENO Y NANOTUBOS DE CARBONO CON

DIELÉCTRICO ARRUGADO

Figura N16 Tomada de Francis TthE mule Science's News

Fabricar transistores en películas transparentes que se puedan estirar y pegar sobre cualquier superficie
no es nada fácil. En los transistores de efecto de campo (FET) el mayor problema es el dieléctrico, poco
robusto ante deformaciones y estiramientos. Se ha publicado en Nature Materials una nueva propuesta
de transistor de grafeno y nanotubos de carbono que soluciona el problema del dieléctrico usando una
capa de Al2O3 arrugada que atrapa aire, capaz de resistir estiramientos de hasta el 20% sin degradación

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apreciable de sus propiedades. Gracias a ello se puede pegar a superficies arrugadas como un tubo de
pasta de dientes

Figura N17 Tomada de Francis TthE mule Science's News

El mayor desafío a la hora de fabricar el nuevo tipo de transistor ha sido cómo depositar una capa de 50
nm de espesor de Al2O3 sobre un sustrato de grafeno logrando que quede arrugada; para ello se utiliza
un soporte rugoso de cobre que luego tiene que ser eliminado

Figura N18 Tomada de Francis ThE mule Science's News

Lo más delicado del dispositivo es que su funcionamiento depende de la densidad (o concentración) de

nanotubos colocados encima del dieléctrico. Durante los estiramientos del dispositivo mayores del 20%,
esta densidad se reduce localmente degradando el funcionamiento del dispositivo; pero si se
incrementa la densidad inicial también se degradan las prestaciones incluso sin estiramiento.

TRANSISTOR TÚNEL-FET USANDO HETEROESTRUCTURAS VERTICALES DE GRAFENO

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 Figura N19 Tomada de Francis ThE mule Science's News

Geim y Novoselov publican en Science la fabricación del primer transistor túnel-FET (TFET o Tunnel Field-
Effect Transistor en inglés) fabricado mediante una heteroestructura (dispositivo formado por varias
capas delgadas de materiales alternados) que incorpora dos capas de grafeno. El nuevo transistor TFET
mejora las prestaciones de otros diseños previos de transistores basados en el grafeno (como los del
joven español Tomás Palacios en el MIT); por ejemplo, logra un cociente entre las señales de ON y OFF
en conmutación cercano a 50 a temperatura ambiente, cuando diseños anteriores solo lograban un
factor de 10, además es un dispositivo muy rápido con transiciones cada pocos femtosegundos. El área
superficial del nuevo transisotr TFET de grafeno todavía no es tan pequeña como las de los transistores
TFET convencionales, que están en la escala de los 10 nm, sin embargo, el grupo de Geim cree que aún
hay espacio para futuras mejoras que reduzcan este factor. Parece que el grafeno ha entrado con fuerza
en el mundo de la integración a pequeña escala y gran rendimiento.

Figura N20 Tomada de Francis ThE mule Science's News

¿Por qué es importante este avance? Porque los transistores integrados en los chips del ordenador (o
dispositivo móvil) con el que lees esto son transistores FET (en concreto MOSFET formados por tres
capas de metal, óxido y semiconductor) con longitud de canal entre 45 y 65 nanómetros. Si se confirma
la predicción del grupo de Geim, los nuevos TFET de grafeno podrían llegar a alcanzar un tamaño
equivalente a un MOSFET con una longitud de canal de 10 nanómetros.

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¿Algún día podrás disfrutar de un ordenador cuyos chips estén basado en las tecnologías del grafeno?
Quien sabe. Este nuevo tipo de transistores TFET de grafeno tendrá que competir con los transistores
TFET “convencionales” de nueva generación

Tiristores controlados por MOS

El tiristor controlado por mosfet es una mejora sobre un tiristor con un par de MOSFET para encender y
apagar actual. El MCT por sus siglas en inglés supera varias de las limitaciones de la los dispositivos
existentes de poder y promete ser un cambio mejor para el futuro. Si bien hay varios dispositivos en la
familia MCT con distintas combinaciones de canales y estructuras de la puerta.

Encendido y apagado de los MCT

Cuando el MCT está en estado de bloqueo directo, que puede ser activado mediante la aplicación de un
pulso negativo a su puerta con respecto al ánodo. El impulso negativo se convierte en el PMOSFET (On-
FET), cuya fuga de corriente a través de la unión base-emisor de Q1 (PNP) con lo que la enciende. La
acción regenerativa en Q1 Q2 ÿ convierte la conducción en MCT on completo dentro de un tiempo muy
corto y la mantiene incluso después del pulso de entrada se elimina.

Característica del MCT

 Una baja caída de voltaje directo durante la conducción;

 Un tiempo de activado rápido, típicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado rápido,
típicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
 Bajas perdidas de conmutación;
 Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
 Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de
excitación. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con
sólo modestas reducciones en la especificación de corriente del dispositivo. No se puede excitar
fácilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarización continua a
fin de evitar ambigüedad de estado.

Figura N 21 Tomada de Wikipedia/ Transistores

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Aplicaciones del MCT

Figura N 22 Tomada de Wikipedia/ Transistores

Aplicación del MCT

El MCT se han utilizado en varias aplicaciones, algunas de las cuales se encuentran en la zona de ac-dc y
la conversión de corriente alterna-alterna, donde la entrada es de 60 Hz de corriente alterna.
Funcionamiento variable del factor de potencia se logró mediante el MCT como una fuerza conmutado
de interruptor de alimentación. El circuito de potencia de un controlador de voltaje de corriente alterna
capaz de operar a una de las principales, por detrás, y el factor de potencia se muestra en la Ilustración
3. Debido a la frecuencia de conmutación es baja, las pérdidas de conmutación son insignificantes.

Comparación de los MCT con otros dispositivos de potencia

CT se puede comparar con un MOSFET de potencia, un BJT de potencia, y un IGBT de tensiones similares
y corrientes. El funcionamiento de los dispositivos se compara con el estado, estado desactivado, y en
condiciones transitorias. La comparación es simple y muy completa. La densidad de corriente de un MCT
es 70% superior a la de un IGBT con la misma corriente total. Durante su Estado, el MCT tiene una caída
de conducción más baja en comparación con otros dispositivos.

Figura N 23 Tomada de Wikipedia/ Transistores

El MCT también tiene un coeficiente negativo de temperatura moderada a baja corriente con el
coeficiente de temperatura positivo de inflexión en la mayor corriente [2].La figura 8.3 muestra la caída
de la conducción en función de la densidad de corriente. La caída de avance de un 50-A MCT a 25 ° C es
de alrededor de 1,1 V, mientras que para un IGBT es comparable más de 2,5 V. La caída de tensión
equivalente calculada a partir del valor del SDR? ON? para un MOSFET de potencia será mucho mayor.
Sin embargo, el MOSFET de potencia tiene un tiempo de retardo mucho menor (30 ns) en comparación

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con la de un MCT (300 ns). El activado de un MOSFET de potencia puede ser mucho más rápido que un
MCT o un IGBT por lo tanto, las pérdidas de conmutación sería insignificante en comparación con las
pérdidas de conducción.

CONCLUSIÓN
Hay que tener presente siempre el área de operación de los elementos electrónicos para evitar su daño.
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de los circuitos
electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han dado un giro enorme a
nuestras vidas, y a que en casi todos los aparatos electrónicos se encuentran presentes.
Se conocieron los distintos tipos de transistores, así como su aspecto físico, su estructura básica y las
simbologías utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos y que por necesidades del hombre se
fueron ideando nuevas formas o nuevos tipos de transistores. Además de todos esto, ahora si podremos
comprobar o hacer la prueba de los transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones
para su uso.

Hoy en día los tiristores son los tipos de semiconductores más usados en aplicaciones de electrónica de
potencia, especialmente el SCR y el TRIAC, estos dos por su bajo costo, esquemas sencillos de disparo,
excelentes tiempos de conmutación y altas capacidades en manejo de potencia.
Los tiristores tienen un sin número de aplicaciones en DC y AC según el tipo de carga que se quiera
controlar, desde circuitos manejando unos pocos miliamperios hasta circuitos de potencia manejando
miles de amperios.

BIBLIOGRAFIA

http://francisthemulenews.wordpress.com/tag/transistores/

Benavent, José. (en Español). Electrónica de potencia, teoría y apliciones (Primera edición).

Wikipedia.com

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