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Second Edition
Contenido
Prefacio xix
1 sensor inteligente básico 1
1.1 Introducción 1
1.2 Mechanical-Electronic transiciones en la detección de 4
1.3 La naturaleza de los sensores 5
1.4 Integración de micromaquinado y Microelectrónica 11
1.5 Resumen 15
Referencias 16 Bibliografía selecta 16
2 El micromaquinado 17
17 2.1 Introducción
2.2 grueso micromaquinado 19
2.3
2.3.1 21 Pegado de obleas de silicio sobre Silicon pegado 22
2.3.2 en cristal de silicio (pegado) Anódico 23
2.3.3 Silicio pegado Fusion 24
vii
contenido ix
3.3.3 Efecto Hall
sensores químicos 60 3.3.4 60
3.3.5 mejora las características del sensor 61
3.4
3.4.1 62 sensores de salida digital óptica de codificadores incrementales 63
3.4.2 Técnicas digitales 64
3.5 Aspectos de interferencia de ruido/65
3.6 de bajo consumo de energía, los sensores de bajo voltaje 66
3.6.1 Impedancia 67
3.7 Análisis de sensibilidad mejora 67
3.7.1 fino diafragma
diafragma mayor área 67 3.7.2 67
3.7.3 Solución combinada: Micromaquinado y Microelectrónica 68
3.8 Resumen 68
Referencias 69
4 Obteniendo información del sensor en la MCU 71
71 4.1 Introducción
4.2 La amplificación y acondicionamiento de señal 72
4.2.1 Amplificadores de instrumentación
amplificador operacional SLEEPMODE™ 73 4.2.2 75
4.2.3 Rail-to-rail
Switched-Capacitor Simplifiers operacional 76 4.2.4 77
4.2.5 barómetro amplificador circuito de aplicación 79
4.2.6 4 a 20 mA Transmisor de señal 79
4.2.7 disparador Schmitt 79
4.2.8 inherente Rechazo de fuente de alimentación 81
4.3 versus independiente Acondicionamiento de Señales Integrado 82
4.3.1 elementos pasivos integrados 83
4.3.2 Elementos activos integrados 84
4.4 La conversión digital 86
Contenido xi
5.8 Resumen 116
referencias 116
6 comunicaciones para sensores inteligentes 119
119 6.1 Introducción
6.2 Definiciones y antecedentes 119
6.2.1 Definiciones 119
6.2.2 Antecedentes 120
6.3 Fuentes (organizaciones) y las Normas 122
6.4 Protocolos de Automoción 123
6.4.1 SAE J1850 125
6.4.2 Protocolo CAN 126
6.4.3 Otros protocolos automotriz 129
6.5 Redes Industriales 130
6.5.1 El uso industrial de can 130
6.5.2 Protocolo LonTalk™ 131
6.5.3 Otros protocolos industriales 132
6.6 Office/automatización del edificio 133
6.7 Home Automation 134
6.7.1
6.7.2 LonTalk™ CEBus 135 135
6.8 Protocolos en Silicon 135
6.8.1 MCU integrada con SAE J1850 135
6.8.2 MCU con 137 puede integrado
Neuron® - 6.8.3 chips y protocolo LonTalk™ 139
6.8.4 MI-Bus 141
6.8.5 Otros protocolos MCU y 142
6.9 Otros aspectos de las comunicaciones de red 142
143
6.9.2 6.9.1 MCU protocolos protocolos de transición entre 143
6.9.3 Transición entre sistemas 144
Contenido xiii
8.3.1 Dispositivos de Onda Acústica de Superficie 183
8.3.2 El Radar 183
8.3.3 El Sistema de Posicionamiento Global 185
8.3.4 Detección de emisiones remoto 186
8.3.5 Entrada sin llave a control remoto 187
8.3.6 Sistema Inteligente de Transporte 188
8.3.7 RF-ID 191
8.3.8 Otros Teledetección 192
8.3.8 midiendo la fuerza de la señal RF 192
8.4 La telemetría 192
8.5 MEMS de RF 195
8.6 Resumen 196
referencias 197
9 más allá de los sensores MEMS
9.1 Introducción
9.2 201 201 203
9.2.1 Actuadores Micromecanizado Microválvulas 203
9.2.2 micromotores 203
9.2.3
9.2.4 El color Microdynamometers Micropumps 206 208
motores Microsteam 210
9.2.6 9.2.5 Actuadores en otros materiales semiconductores 210
9.3 Otras Estructuras Micromecanizado 211
9.3.1 Canales de refrigeración 211
9.3.2 213
214 Microgrippers Microoptics 9.3.3
9.3.4
9.3.5 Micromirrors Microprobes 214 215
217
9.3.7 9.3.6 Elementos calefactores emisores Termiónicas 217
Contenido xv
11.1.1 Integración y Mecatrónica 250
11.2 Smart-Power ICs 250
11.3 Detección incorporado 252
11.3.1
11.3.2 252 con sensor de temperatura sensor de corriente en circuitos integrados de
potencia 256
256 diagnósticos 11.3.3
11.3.4 MEMS relés 261
11.4 Matrices de detección 261
11.4.1 varios dispositivos sensores 261
11.4.2 varios tipos de sensores 264
11.4.3 integrado un sistema de detección de 265
11.5 Otros aspectos del sistema 265
11.5.1 Baterías 266
11.5.2 Emisiones de campo muestra 266
11.5.3 Cómo Sistema transitorios de tensión, descargas electrostáticas,
interferencia electromagnética y 267
11.6 Resumen 270
referencias 270
12 normas para detección Inteligente 273
12.1 Introducción 273
12.2 establece los estándares para los sensores inteligentes y sistemas 273
12.3 IEEE 1451.1
12.3.1 Network-Capable Procesador de aplicaciones 276 276
278 modelos de comunicación de red 12.3.2
12.3.3 El IEEE 1451.1 Ejemplo 280
12.4 IEEE 1451.2 281
12.4.1 STIM 282
12.4.2 hoja electrónica de datos del transductor 284
285
12.4.4 12.4.3 TII Calibración/Motor de corrección 286
Prefacio
El principal desafío que enfrentan los ingenieros es la rápida evolución de la
tecnología, según un 1999 Encuesta [1]. IBM estima que más datos ha sido gener-
ciada en los últimos 30 años que en los 5.000 años anteriores! Hay ciertamente no
es la falta de información disponible sobre lo que está sucediendo y las
actividades en curso en el área de detección, el micromaquinado, y sistemas
microelectromecánicos (MEMS). La dificultad surge en la toma de decisiones eficaces
como usuarios de la tecnología o el establecimiento de un plan de largo alcance,
donde una compañía podría utilizar los productos actuales y futuros para
desarrollar productos de usuario final. Este libro pro- denses el material
existente en un formato de fácil lectura y enlaces de la variedad de las
actividades en curso en el área de smart sensor y MEMS.
Según Dana Gardner y como se señaló en la primera edición de este libro, "Para el
año 2000, el 50% de todos los ingenieros de diseño con sensores, arriba del 16% que
habitualmente utilizadas al comienzo del decade" [2]. No sé si esa predicción se
hizo realidad, pero los años noventa ciertamente debe ser recordada como la década
en la tecnología MEMS se aceleró desde el laboratorio en la produc- ción y el
decenio que establecieron los sensores inteligentes a través del IEEE 1451 apre-
ciación. El micromaquinado tecnología continuará siendo la principal razón para
sensores lograr avances de costo que permiten el uso del sensor generalizada. En el
corazón de la mayoría de los sensores inteligentes serán digitales la tecnología de
circuitos integrados.
Microcontroladores incrustados ya desempeñan un papel oculto en la mayoría de las
actividades comunes que ocurren en nuestra vida diaria. Utilice un teléfono
celular, reciba una página, ver la televisión, escuchar un disco compacto, o
conducir un coche modelo actual y tendrá la asistencia de microcontroladores
incrustados. Por ejemplo, hay una docena de microcontroladores en un automóvil
típico, más de 50 si usted conduce un vehículo de lujo bien equipadas. Sensores
semiconductores ofrecen muchos de los insumos de
xix
Prefacio xxi
durante más de 6 años. Un número de otras personas jugaron un papel importante en
la creación de este libro una realidad:
• Ray Weiss de equipo revista de diseño siempre metodología guid- ance y fue el
principal impulsor.
• Mark Walsh y el equipo de Artech House fueron muy favorables en cada paso del
proceso.
• Lj Ristic, Mark Shaw, Cindy madera, y Mark Reinhard del sector de productos
semiconductores de Motorola proporciona capítulo comentarios.
• Carl Helmers y la gente en la revista sensores y captadores Expo pro- brindan
muchas oportunidades editoriales que fueron útiles en el documento- ing varios
aspectos de sensores inteligentes.
• Sandia National Laboratories ha proporcionado material para el arte de portada.
Finalmente, este libro no hubiese sido posible sin la evaluación crítica,
tolerancia y aliento de mi esposa, Rose Ann. Cualquier expre- sión de
reconocimiento es pequeño comparado con los sacrificios que ella hizo.
Referencias
[1] Diseño de Noticias, 18 de enero de 1999, pág. 74.
[2] Gardner, D. L., "Acelerómetros para dibujos exóticos", Diseño de Noticias, 17
de julio de 1989, pág. 55.
[3] Ko, W. H., y C. D. Fung, "VLSI y transductores inteligentes", sensores y
actuadores, 2 (1982), págs. 239–250.
[4] Giachino, J. M., "Sensores Inteligentes", sensores y actuadores, 10 (1986),
págs. 239–248.
1
sensor inteligente Basics
una rosa por cualquier otro nombre sería un olor tan dulce.
-William Shakespeare
Una rosa con un microcontrolador inteligente sería una rosa.
-Randy Frank
1.1 Introducción
casi todo hoy en día en el área de la tecnología es un candidato para tener el
prefijo smart añadida. Sensor inteligente El término fue acuñado a mediados de la
década de 1980, y desde entonces se han llamado varios dispositivos sensores
inteligentes. La inteligencia requerida por dichos dispositivos está disponible en
unidad de microcontrolador (MCU), procesador digital de señal (DSP) y un circuito
integrado de aplicación específica (ASIC) tecnologías desarrolladas por varios
fabricantes de semiconductores. Algunos de estos mismos fabricantes de
semiconductores están trabajando activamente en los dispositivos de silicio más
inteligente para los lados de entrada y salida del sistema de control. El término
de sistemas microelectromecánicos (MEMS) se utiliza para describir una estructura
creada con procesos de fabricación de semiconductores para sensores y actuadores.
Para entender lo que está ocurriendo hoy cuando se aplica la tecnología
microelectrónica avanzada para sensores, una breve reseña de los cambios que se han
producido está en orden.
Antes de la disponibilidad de la microelectrónica, los sensores o transductores
utilizados para medir magnitudes físicas tales como temperatura, presión y caudal,
generalmente se acopla directamente a un dispositivo de lectura, normalmente un
medidor que fue leído por un
1
bidireccional ADC son fuentes de alimentación bus del sensor Sensor acondicionador
de señal y amplificación de la
controladora de memoria MCU
Figura 1.5 Modelo de sensor inteligente.
14 Comprensión de la
tecnología de sensores inteligentes para lograr una solución de productos más
sofisticados. Que puede ser en una placa de circuito impreso o formulario de
sustrato cerámico. La figura 1.9 muestra los pasos que puede tomar para lograr un
mayor nivel de integración monolítica.
La figura 1.10 es un ejemplo de nivel IV, el sensor inteligente de dos chips. La
unidad utiliza el sensor de presión integrado mostrada en la Figura 1.8, junto con
un solo chip MCU de 8 bits, con un convertidor A/D integrado y una memoria de
únicamente lectura borrable y programable eléctricamente (EEPROM) para lograr un
mínimo de componentes--count sensor inteligente [9]. A excepción de tres resistores
utilizados para aumentar la resolución, los otros 10 componentes del circuito son
necesarios para el correcto funcionamiento de la MCU. Un circuito de detección de
subtensión se utiliza para la función de reinicio para proporcionar un apagado
ordenado en el caso de baja tensión de la batería.
Dos puentes (y no los potenciómetros) se utilizan para realizar la calibración
inicial.
El código 01 para los puentes (J1 y J2) se utiliza para la calibración a cero, y el
código 10 se utiliza para indicar el valor de escala completa. 000 de la pantalla
indica cero, y la FFF indica el valor de escala completa durante la calibración. Ya
sea el 00 o 11 de código se usa para el funcionamiento normal. Los valores de cero
y la escala completa se almacenan en la memoria EEPROM. Tres resistencias se
utilizan para proporcionar una referencia radiométrico de
elemento sensor
solución módulo
amplificador integrado y
módulo de sensor
integrado de solución de acondicionamiento de señal y conversión de datos del
módulo del sensor
Sensor de solución y MCU
Figura 1.9 Pasos de desarrollo hacia una mayor integración.
El sensor inteligente Basics 15
Figura 1.10 Dos chip sensor inteligente para mediciones de presión. (Cortesía de
Motorola, Inc.)
VRL= 0,3 A VRH= 4,7, utilizando la más alta capacidad de salida del sensor
integrado.
La pantalla de cristal líquido (LCD) es impulsado directamente desde la MCU
mediante la MCU para generar una señal de onda cuadrada cada 32 ms. El plano
posterior está invertida alternativamente con los segmentos y fuera de fase con el
segmento que está activado. Cada MCU puerto está conectado a un dígito, y otros dos
de entrada-salida (I/O) las líneas se utilizan para generar el punto decimal y el
plano posterior de la señal.
Este enfoque utiliza el software para eliminar la necesidad de un controlador de
pantalla adicionales y logra una reducción tanto en el número de componentes y el
espacio. El mem- ory requeridos por la MCU es mínima, sólo 1 KB de memoria de sólo
lectura (ROM) y 4 bytes de EEPROM, dejando esencialmente toda la memoria restante
para otras funciones. El programa de la MCU está escrito en C, un lenguaje de alto
nivel.
1.5 Resumen de
hoy, es posible construir un sensor inteligente para varias mediciones con basi-
camente dos componentes de semiconductores: el sensor y la MCU. Esa es la fase
actual de desarrollo y uno de los pasos necesarios para el siguiente nivel.
El dinero inteligente está puesto en áreas que aprovechan el número de tecnologías
que están disponibles o en acontecimientos que fundamentalmente
2 El
micromaquinado
me pregunto cuántos ángeles pueden bailar en la cabeza de un alfiler?
-Desconocido Edad Media filósofo
2.1 Introducción
La respuesta a esta pregunta es no más de 25.200, dado que un pasador tiene un
diámetro de 116 pulgadas (15,875 mm) y cada uno (micromecanizado) angel tiene un
diame- ter de 100 mm. Tanto para la filosofía. El micromaquinado está causando el
reinves- res de cada aspecto de la física, química, biología e ingeniería.
La termodinámica, mecánica, óptica, acústica, fluidics magnetics, electro-
magnéticos, onda, cinética, y las fuerzas nucleares, así como la medicina, la
robótica, la dis- desempeña, e instrumentación, están siendo investigados en el
curso académico, nacional, industrial y de investigación y desarrollo (R&D)
Labs. El micromaquinado tecnología está permitiendo que la extensión de la
detección basada en semiconductores más allá de la temperatura, magnético y los
efectos ópticos para producir estructuras mecánicas en el silicio y la detección de
fenómenos mecánicos. Muchas universidades están creando departamentos transversales
y cross-college programas para explorar las posibilidades futuras de
micromecanizado dispositivos MEMS.
El micromaquinado es, en la mayoría de uso común, un proceso de grabado químico
para la fabricación de microestructuras tridimensional que es consistente con las
técnicas de procesamiento de semiconductores. IC procesos de fabricación utilizados
para hacer las microestructuras incluyen la fotolitografía, Deposición de película
delgada, química y grabado de plasma. El micromaquinado a granel ha sido utilizado
para manufacturas- ture semiconductores sensores de presión desde los 1970s.
Recientemente, los nuevos
17
micromaquinado 19
La relativa facilidad de realizar tanto a granel y micromaquinado superficial ha
llevado a muchos investigadores a investigar una variedad de aplicaciones. Algunas
de las áreas que están siendo investigados conducirá a sensores inteligentes a
través de mayores niveles de integración. Un proceso clave asociados con el
micromaquinado es el pegado de silicio a un sustrato de silicio o de material. Los
procesos utilizados para micromachin- ing, procesos asociados, y la aplicación de
la tecnología de sensores son cov- bles en este capítulo.
2.2 El micromaquinado a granel
Bulk micromaquinado es un proceso para la elaboración de tres-dimensional
microstruc- tures en una oblea de silicio enmascarados está grabada en una
orientación de grabado dependiente de la solución [3]. Utilizando la tecnología de
micromaquinado, varias obleas puede fabricarse simultáneamente y muchos-a-muchos
consistencia se mantiene por fiscalizando un número mínimo de parámetros.
Parámetros clave a granel micromaquinado incluyen orientación cristalográfica,
etchant etchant, concentración, semicon- ductor material inicial, temperatura y
tiempo. La fotolitografía técnicas comunes en tecnología IC precisamente definir
patrones de grabado a ambos lados de obleas de silicio. La orientación
cristalográfica, etchant, semiconductores y material de partida son escogidos por
el diseño, dejando etchant concentración, tempera- tura y el tiempo como muchos-a-
muchos elementos de control.
ICs son generalmente fabricadas de silicio (fabricación) con <100> o
<111> silicio. A granel el micromaquinado, un etchant anisotrópicos
(unidireccional), tales como etileno diamino-pyrocatechol (EDP), la hidrazina
(N2H4), hidróxido tetramethylam- monium (TMAH) o hidróxido de potasio (KOH), ataca
el <100> Plano de silicio. El <100> plano está grabado a un ritmo mucho
más rápido que el <111> Plano, normalmente 35 veces más rápido. Silicio tipo
N está grabado a un ritmo mucho más rápido (>50 veces más rápido) que p+-tipo,
de forma que el material tipo n se utiliza a menudo como el comienzo- ción de
material. Material tipo P+ puede ser epitaxially crecido en la oblea o difuso en la
oblea para agregar un elemento de control adicional en la definición de las
dimensiones. Agi- tation mantiene concentración uniforme durante el grabado
anisotrópico. La char- acteristic forma (preferencial) de grabado grabado
anisotrópico de <100> silicio es mostrada en la sección transversal de la
Figura 2.1(a), lo cual produce un 54,7 grados de ángulo para <100> silicio
[4, 5]. La vista superior de grabado en la superficie de la sili- acondicionado
aparece como un hoyo con forma de pirámide.
Tasas de Etch 1.0–1.5 mm/minuto ocurren en el <100> Plano de silicio con
etch–temperaturas de 85 a 115°C para etchants comunes como EDP y KOH [6].
Aguafuerte isótropos, mostrado en la Figura 2.1(b), tiene tasas de etch
independiente de la orientación cristalográfica. Grabado isotrópico permite
subcotizaron y estructuras en voladizo que se producen. A GRANEL DE SILICIO, sin
embargo, es más difícil la
micromaquinado 21
Cuadro 2.2 Atributos de micromaquinado Etchants a granel (Después: [2])
Material grabado Etch Rate (nm/min) Posibles Comentarios Etchant
<100> silicon 1.250 anisotrópico EDP <110> silicon 1.400 KOH Anisótropo
is 900 SF6 isotrópicas–1.300
10.000 300.000–is HF Isotropic
SiO2 400 8.600–Superficie HF de
1 a 20 m m (a) difusión de boro profundo
sustrato de silicio de 4 a 40 m m circuitos capa Epi de
boro (B) enterrados los dispositivos activos de la capa
n de 2 a 40 m m
p Epi capa
(c) unión p-n electroquímico de etch-stop
Figura 2.2 Etch-detener técnicas en etchants anisotrópico: (a) de profundidad,
difusión de boro (B) boro enterrado capa, y c) la unión p-n.
como 15–50 mm, con el enmascaramiento de óxido Capaz de proteger otras zonas
del chip para la adición de circuitos.
2.3 Wafer pegado
además de micromaquinado, diferentes tipos de wafer pegado son necesarias para
producir más complejas estructuras de detección. El accesorio de silicona para una
El micromaquinado 23
25,4 micrones (0,001") de
referencia de membrana de sellado al vacío en la cavidad grabada en el
sello de vidrio restricción
figura 2.3 de obleas de silicio con sensor de presión de silicio-pegado.
2.3.2 en cristal de silicio (pegado) anódico
, electrostático o anódico, pegado es un proceso que se utiliza para conectar una
oblea de silicio superior a un sustrato de vidrio y también para acoplar al Silicio
Silicio. Pegado anódico atribuye una oblea de silicio, con o sin una capa oxidada,
a un borosilicato
Pyrex (vidrio ) se calienta hasta aproximadamente 400°C cuando 500V o más se
aplica a la estructura [4]. Un ejemplo de un producto fabricado con pegada al
cristal de silicio anodically es el silicio capacitivo de presión absoluta (SCAP)
ele- mento de detección se muestra en la Figura 2.4 [11].
El diafragma de silicio micromecanizado con control de la profundidad de la cavidad
es
anodically pegado a un sustrato de vidrio pyrex que es mucho más grueso que el
chip de silicio. A través de los orificios de alimentación están taladrados en el
cristal para proporcionar una conexión precisa a las placas del condensador en el
interior de la unidad. El sustrato de vidrio, metal- lized utilizando técnicas de
Deposición de película delgada, fotolitografía y define la configuración del
electrodo. Después de conectar la oblea de silicio superior al cristal sub- au, los
orificios perforados están selladas con soldadura en vacío. Que proporciona un
elemento de detección capacitivo con un vacío al interior de referencia y golpes de
soldadura para montaje directo en una placa de circuito o sustrato cerámico. El
valor del condensador cambia linealmente desde aproximadamente 32 a 39 pF con
presión aplicada desde 17 a 105 kPa. El elemento capacitivo es 6,7 mm x 6,7 mm y
tiene un coeficiente de temperatura baja de la capacitancia (-30 a 80 ppm/°C),
Buena linealidad (≈1,4%), tiempo de respuesta rápido (≈1 ms), y no hay cables
expuestos bond.
El silicio también está pegado a una segunda oblea de silicio utilizando anódico
pegado. Una delgada (≈4 m m ) capa de vidrio Pyrex es espolvoreado sobre una de
las capas, y mucho menor tensión de aproximadamente 50V se aplica [4]. En lugar de
cristal de silicio de
micromaquinado 25
captadores de presión absoluta, como las unidades de la Figura 2.5(b), un soporte
de la oblea se adjunta a la estructura que contiene el pulmón producidos por
cualquiera de los métodos descritos previamente.
La tabla 2.3 es una comparación de las típicas condiciones de proceso de silicio-
silicio anódico, pegado, pegado y pegado de fusión de silicio.
2.3.4 Wafer pegado a estructuras más complejas y adición de ICs
pegado oblea está siendo investigado como un medio para integrar otros materiales y
estructuras micromecanizado para combinar con la microelectrónica. Investigadores
de la Universidad de California, Berkeley, han utilizado un bono de epoxi para
fijar un SAP- phire wafer con un nitruro de galio (GaN) película a una oblea de
silicio. La oblea de zafiro es la servidumbre frente a la oblea de silicio. Corto,
pulsos de alta intensidad de un láser escaneados hacia atrás y adelante a través de
la oblea zafiro separados la GaN de zafiro. El GaN, que quedó fijado en la oblea de
silicio no tienen irregularidades en la película [13].
Los laboratorios nacionales de Sandia ha crecido una GaN película sobre un estándar
<111> de obleas de silicio. Un implante de hidrógeno en el <111> wafer
provoca pequeñas bub- bles a la forma cuando la oblea se adjunta a una tradicional
(alto volumen) <100> utilizando obleas de Silicio Silicio-pegado. Cuando la
oblea se calienta durante bond- ing, las burbujas pequeñas se expanden, rompiendo
una fina <111> capa de silicio. El sistema de silicio sobre aislante
resultante ha GaN que también pueden integrar circuitos CMOS [13].
2.4 El micromaquinado superficial
el aguafuerte selectiva de múltiples capas de las películas finas depositadas o
superficie micromaquinado, permite movable microestructuras a fabricarse en obleas
de silicio [14]. Con el micromaquinado superficial (mostrado en la figura 2.6),
capas de material estructural, normalmente, de polisilicio y materiales de
sacrificio, como sili- con carbónico, son depositados y telas. Los materiales de
sacrificio, actúa como una capa de separador intermedio y está grabado lejos de
producir una autoestables estruc- tura. El micromaquinado superficial la tecnología
permite que los pequeños y estructuras más complejas con varias capas para
fabricarse en un sustrato. Sin embargo, templar- ing o proceso de deposición de
especial control es necesario para reducir tensiones en las capas que pueden
deformar. En contraste, el micromaquinado granel normalmente está libre de estrés.
El micromaquinado superficial ha sido utilizado para fabricar un acelerómetro para
automoción aplicaciones de la bolsa de aire. Un diferencial de tres capas
condensador es creada por alternativamente capas de polisilicio phosphosilicate y
vidrio (PSG) sobre un
Tabla 2.3 Comparación de oblea típica del proceso de pegado condiciones [8] Nivel
de vacío durante el pegado (Torr) de
silicio-silicio–400 500 1 10 N/A N/A No Sí la rugosidad de la superficie (nm)
lagunas precisas sellado hermético micromaquinado
(frita de vidrio) de temperatura y presión de la tensión (V) Proceso anódico (°C)
300–500 N/A 100–1.000 20 (Bar) Sí Sí 10
-5
Fusión de silicio 1.000 N/A N/A 0.5 Sí Sí -3 10
27
micromaquinado 31
Frita de Vidrio separador/sello de
alambre grueso bonos cap silicio micromecanizado
sustrato de silicio
micromecanizado de superficie de aluminio condensadores duales acelerómetro
Figura 2.7 superficie combinada y a granel el micromaquinado en un acelerómetro
para la protección contra la contaminación.
La cavidad de polisilicio DIAFRAGMA diafragma anclaje
dispositivos NMOS 100 m m
n+ condensador inferior placa grabada en Koh-entrada de presión
Figura 2.8 superficie combinada y a granel el micromaquinado en un sensor de
presión. (Después de: [18].)
medida de 100 mm por 100 mm estructura capacitivos. El 100-fF (femto-
-15 -18 faradio = 10 ) condensador tenía una resolución de 30 attofarads (10 ).
2.5 Otras técnicas de micromaquinado
El micromaquinado técnicas descritas hasta ahora han grabado húmedo tech- niques
utilizada principalmente para piezorresistiva y los sensores capacitivos para medir
la presión y aceleración. Éstos son los procesos básicos utilizados en la
investigación que han progresado en la fabricación comercial. Sin embargo, otros se
están desarrollando técnicas que permitan superar las limitaciones, extender los
tipos de
comprensión de 32 sensores inteligentes
mediciones que pueden realizarse, o mejorar las capacidades de los enfoques
anteriormente examinadas. Las nuevas técnicas incluyen el proceso de Liga, varios
métodos de grabado en seco, micromilling y micromaquinado.
2.5.1 Proceso de liga
uno de los más recientes procesos de micromaquinado es la liga (derivado de Ger-
hombre términos para litografía, electroformación, y proceso de moldeo), que com-
bines de rayos X, litografía y técnicas micromolding electroformación [19].
La liga proceso permite alta con relación de aspecto (altura/anchura) estructuras
para fabricarse. X-Ray–patterned fotorresistente moldes son químicamente
grabados en una placa de metal. Una capa de poliimida unos pocos micrones de
espesor actúa como una capa sacrificial. Un comple- mentary estructura está
construida por electrodepositing una capa de metal, tales como el níquel.
Después del último proceso de grabado, las porciones de la microestructura
permanecer conectado al sustrato y se pueden mover libremente. Las temperaturas
están por debajo de los 200°C durante todo el proceso. Este proceso ha hecho
pequeños engranajes (100 mm sobre el diame- ter de un cabello humano). Hasta una
docena de engranajes metálicos han sido impulsadas por un bajo nivel de campo
magnético alimenta el micromotor. La liga proceso amplía enormemente las
capacidades de micromaquinado, haciendo posible cantilevers vertical, bobinas,
dispositivos, microoptical microconnectors y actuadores [14]. Sin embargo, la Liga
proceso es difícil de integrar con la electrónica y tiene un alto costo de
inversión de capital en comparación a granel y micromaquinado superficial. La Tabla
2.4 compara otros aspectos de los tres procesos de micromaquinado [20].
Un sensor de presión diferencial de doble cara con protección de sobrecarga ha sido
fabricada con un proceso de liga modificada [21]. Como se muestra en la Figura 2.9,
este diseño combina a granel isotrópica micromaquinado de la cavidad y los canales
de flujo, liga la tramitación para galvanizar la estructura de níquel (que es de
100 mm de espesor y tiene una separación de 0,80 mm), y grabado para el polysili
sacrificial- con el diafragma. La alta proporción de aspecto de tope metálico
limita el movimiento y el sup- presiona el diafragma estrés, así como facilita la
opción de una segunda señal para comprobar su rendimiento.
2.5.2 Procesos Dry-Etching
Plasma aguafuerte y grabado iónico reactivo puede producir estructuras que no son
posibles a partir de los procesos de grabado químico húmedo. Grabado de plasma es
un proceso que utiliza el grabado un grabado gas en lugar de un líquido
químicamente etch una estruc- tura. Asistido por plasma grabado en seco es una
tecnología crítica para la fabricación ultra-circuitos integrados a gran escala
[22]. Procesos de grabado de plasma se dividen en cuatro clases: chisporroteando,
grabado químico, energético o daño de iones impulsado por el
micromaquinado 33
Cuadro 2.4 Comparación de grueso, de superficie y LIGA Micromaquinado procesos
(después de: [20] La
capacidad de superficie a granel LIGA
geometría plana Rectangular ilimitado ilimitado
planar mín. El tamaño de la característica 2 × 1 mm de profundidad de
pared de 3 mm características 54.74° pendiente seco limitada etch 0.2 mm de
descentramiento de la
superficie de más de 400 mm y el borde excelente generalmente adecuada definiciones
muy buenas
propiedades de material muy bien controlado bien controlado generalmente adecuada
integración con demostrado demostrado difícil electrónica
moderada baja inversión de capital y el costo elevado de
conocimientos Publicado muy alta Alta Baja
chapeados de níquel por parada de sobrepresión LIGA proceso
diafragma de polisilicio
oblea de
micromaquinado 35
250 nm y con estructura arbitraria orientaciones sobre una oblea de silicio han
sido producidos utilizando el reactivo de cristal único aguafuerte y metalización
(Scream). Como se muestra en la figura 2.11 [23], una deposición de película gruesa
no es necesaria. Una viga en voladizo de silicio está formado con electrodos de
aluminio en ambos lados de la viga usando dióxido de silicio de aislamiento y de la
parte superior y
fotorresistente
sustrato de silicio SiO2 térmico de
aluminio
micromaquinado 39
Figura 2.13 monolítica del sensor de presión piezo-resistivo. (Cortesía de
Motorola, Inc.)
Circuito integrado y estructuras mecánicas en la misma oblea de silicio [30].
El micromaquinado se realiza después del procesamiento CMOS ha sido culminada, lo
cual permite la mezcla eléctrica y mecánica de dispositivos de silicio para ser
desarrollado y producido en pequeños volúmenes. Con este enfoque los instrumentos y
dispositivos de medición- ción puede ser reducida tanto en tamaño como en costo.
De alto volumen, las aplicaciones sensibles al coste, como automóviles o
electrodomésticos, requerirá una planta de fabricación de obleas dedicado bajo el
control directo del fabricante del sensor.
Otro estándar de proceso CMOS de 3 mm se ha combinado con ani- sotropic grabado
húmedo en el Instituto Fraunhofer en Berlín [31]. Los parámetros del proceso CMOS
no se modificaron. Seis más máscaras de capas fueron necesarios para fabricar
monolíticas de acelerómetros. La estructura del sensor CMOS se definió en el
procesamiento, y la prueba de la porción IC fue posible antes de que el
micromaquinado pasos. La parte superior y la parte trasera (con parada de etch)
grabado anisotrópico fueron realizadas para crear la estructura del acelerómetro.
Un sistema modular de proceso CMOS y el micromaquinado superficial fue desarrollada
en la Universidad de California [32]. Una fundición de silicio puede realizar la
gran
micromaquinado 41
utilizados en dispositivos de micromecanizado. Los cuatro ejemplos siguientes
demuestran la variedad de enfoques que se están adoptando.
2.6.1 diamante como un sensor alternativo
selectivamente material depositado diamond film ha sido utilizada como elemento
térmico en un sensor de flujo [34]. El micromecanizado masiva estructura con
película de diamantes se muestra en la figura 2.14. Procesamiento para el boro-
dopado resistencias es per- formado a temperaturas superiores a 1.000 °C. Después
de la preparación de la superficie, la película Diamante se cultiva en las regiones
deseada por plasma de microondas de vapores químicos depo- sición en una mezcla de
hidrógeno y gas metano y en un sustrato de temperatura de 900°C. El contacto de la
placa de aluminio para las resistencias es el próximo paso. Por último, la parte
posterior de la oblea es anisotropically grabados para formar la estructura del
puente del sensor de flujo. Además de las altas temperaturas de funcionamiento,
diamond's resistencia a ambientes corrosivos y abrasivos lo hace atractivo como un
sensor de flujo.
2.6.2 óxidos metálicos y sensores piezoeléctricos
además de materiales semiconductores, diversos óxidos metálicos pueden depositarse
en estructuras de micromecanizado. Un sensor de presión con un óxido de zinc (ZnO)-
elemento sensor zoelectric circular se ha realizado en un proceso compatible con IC
[35].
El micromaquinado superficial se utiliza para crear la cavidad. Como se muestra en
la figura 2.15, una capa de óxido térmico (TOX) es crecido para aislar el sensor
desde el silicio sub- strate. La parte inferior del electrodo de polisilicio está
encapsulado en el Si3N4. El separador de la capa de óxido es muy generosamente
grabado. De polisilicio que se utiliza para formar una con- eléctricamente
reproductiva apoyo estructural y la cavidad para el sensor. El de 0,95 mm de
espesor de la capa de ZnO activo es depositado por RF sputtering. Además de formar
la tarta activo- zoelectric film, el sputtering sella los flancos de la estructura
con una mezcla de O2-Ar en 10 mtorr dentro de la cavidad. El sensor muestra
aproximadamente 0,36 mV/mbar sensibilidad a 1,4 kHz y 3.4 dB en el rango de
variación de la
película Diamante de
aluminio
resistencia Boro
El micromaquinado 43
Contacto a capa sensible sensible capa aislante de SiO 2
contactos a granel integrada calefacción calefacción elemento resistivo de
micromecanizado de silicio sustrato elemento
Figura 2.16 depositado sobre capa de detección masiva estructura micromecanizado.
(Después de: [37].)
2.6.4 El micromaquinado Estructuras Metálicas
un proceso llamado micromaquinado fabricación electroquímica (EFAB) ha sido
desarrollado que puede construir una amplia gama de estructuras tridimensionales
[38].
El proceso se basa en la electrólisis de metal y una máscara de in-situ patterning
técnica. El EFAB proceso se muestra en la figura 2.17.
Deposita selectivamente el electrolito 1 material Manta ánodo-segunda máscara
depositado material
(a) (b) (c) el sustrato
(d) (e) (f)
Figura 2.17 EFAB proceso. (Cortesía de USC/Information Sciences Institute.)
El micromaquinado 45
[4] Goodenough, F., "Sensor de ICs: Procesamiento de materiales, abrir las puertas
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utilizando el módulo CAEMEMS-D", IEEE Solid-State actuador y sensor de taller,
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presión absoluta de capacitancia de silicio", Tercer Internat'l Conf. La
electrónica de automoción, Londres, 2 de octubre–23, 1981, pp. 255–260.
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microelectromecánicos, Septiembre
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[20] Tang, W. C. "JPL Taller examina Micromachine MEMS fiabilidad", dispositivos,
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El micromaquinado 47
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[38] Cohen, A. L., "3-D El micromaquinado de fabricación electroquímica",
dispositivos Micromachine, Vol 4, nº 3, marzo de 1999, pp. 6–9.
3
La naturaleza de la salida del sensor semiconductor
qué desarrollo revoltin' esto es!
-El Pato Lucas, de Warner Bros cartoons
3.1 Introducción El
micromaquinado tecnología combinada con procesamiento de semiconductores pro-
porciona la habilidad de percibir, mecánicos, magnéticos, ópticos, químicos,
biológicos y otros fenómenos. Estos sensores semiconductores son, en la mayoría de
los casos, un engaño considerables mejora con respecto a la anterior mecánica o
otras contrapartes.
Sin embargo, como componentes independientes, están muy lejos de las
características ideales que se desean para la mayoría de las mediciones. En este
capítulo se analiza la salida de piezorresistiva, capacitivos y sensores
piezoeléctricos. Breve consideración es dada por otros enfoques y técnicas de
detección directa para lograr una salida digital- poner desde el sensor. El nivel
real de las señales y los distintos parámetros utilizados para especificar el
rendimiento sensor's son discutidos.
3.2 Características de salida del sensor de
detección de la técnica utilizada para una medición en particular puede variar
consideracio- Bly, dependiendo del alcance del mensurando, la precisión requerida,
ambien- tales consideraciones que afectan el embalaje y la fiabilidad de la sonda,
la
4
Obteniendo información del sensor en la MCU
algún día encontrar It—the we'll rainbow connection.
-Kermit la rana de Jim Henson's Muppets
4.1 Introducción
La señal del sensor es sólo el primer paso hacia un sensor que, en última
instancia, se propor- cionar una entrada a un sistema de control. Acondicionamiento
de señal la salida del sen- sor es tan importante como la elección de la tecnología
de detección adecuado. La mayoría de los elementos transductores requieren la
amplificación, así como offset y salida a escala completa calibración y
compensación para los parámetros secundarios, tales como la temperatura. Si el
acondicionador de señal se realiza como una parte integral del sensor compradas o
realizadas por el usuario, la precisión de la medición, en última instancia, será
determinado por la combinación de las características y la sensor's adicio- nal
circuitos. Los circuitos de acondicionamiento de señal que se requiere es una
función del propio sensor y variará considerablemente dependiendo de si el sensor
capacitivo, piezo resistivo, piezoeléctricos, et cetera.
una vez una señal analógica de alto nivel está disponible, se debe convertir a un
formato digi- tal para el uso en un sistema de control digital. El conversor A/D
(ADC) puede ser una parte integral del sistema de control digital, o puede ser un
intermediario standa- lone unidad. Se utilizan diferentes enfoques para ADCs; La
precisión teórica (resolución), indicada por el número de bits, no siempre se
consigue en la aplicación.
Este capítulo aborda, acondicionamiento de señal y conversión A/D para sen- sors.
Se muestran ejemplos de ICs disponibles que han sido diseñados para simplificar la
R11 Vsource Rg
Vp
Qout
Vs+ +
OA2
R2 R8 -
R5
R9
(a)
MPX51000
VexV2V1VccGnd Vout
(b)
Figura 4.11 (a) del circuito del sensor de presión piezorresistiva integrada e
interfaz con MCU, y
Vout
+
OA3 Q4
-
R10 R13 Gnd
Vrh Vdd
MC68HC05B6
P1 CH1
PORT D
Vrl Vss
(b) sensor interactuar con MCU.
5
Usando MCUs/DSP para aumentar el sensor IQ
podríamos utilizar fichas de vaca en lugar de microchips y salvar millones.
-Dilbert™, por Scott Adams
5.1 Introducción de
varias tecnologías de semiconductores están disponibles para mejorar la exactitud y
la calidad de las mediciones y agregar los diagnósticos e información de otro tipo
a cualquier tipo de sensor. Entre esas tecnologías se MCUs, DSPs, ICs de aplicación
específica (ASIC) y field-programmable gate arrays (FPGAs).
Procesadores de señal del sensor dedicado normalmente son una adaptación de uno de
esos enfoques. Las tecnologías también tienen el potencial para permitir la plena
inte- ciales (monolítico) sensor inteligente. Antes de tomar este gran paso
siguiente, sino, es importante entender las tecnologías que están disponibles, su
contribución a los sensores inteligentes, y su capacidad para proporcionar un mayor
nivel de inteligencia (y el valor) a los sensores.
5.1.1 Otras Tecnologías IC
utiliza tecnología ASIC de diseño asistido por ordenador (CAD), herramientas de
software para lograr diseños de circuitos personalizados. La tecnología ASIC consta
de dispositivos lógicos programables (PLDs) de baja densidad de circuitos
(<5.000 gates), gate arrays de densidad media (<100,000 gates), células
estándar y personalizados de alta gama cir- cuits. El ASIC dispositivos combinan
una alta densidad y plena integración de diseños personalizados con un costo
relativamente bajo y rápido cambio de diseño. Una
comprensión altamente personalizado 93 94 sensores inteligentes
integrados utilizando chip microprocesador "core" celdas combinadas con la
analógica, memoria y funciones lógicas adicionales pueden abordar determinados
requerimientos de detección, tales como detección de nivel de líquido. Asic de
señal mixta combinan analógica con capacidad digital.
FPGAs y matrices analógico programable en campo (FPAA), las versiones analógicas de
los FPGAs, son atractivos como interfaces de sensor porque pueden minimizar el
tiempo de desarrollo y puede ser reconfigurado después que han estado en servicio.
Tanto la FPAA FPGA y usar un front-end de diseño de circuitos programa [1]. Diseño
de un circuito es transferido a la FPGA (FPAA), ya sea por descarga de datos serie
convertida directamente en el chip de memoria estática de acceso aleatorio (RAM) en
la FPGA o serie ROM programable borrable (EPROM). Un núcleo digital incorporado en
el diseño de FPGA le da el mismo tipo de capacidad informática como un MCU con las
ventajas del campo de programación. Las FPGAs son especialmente útiles cuando el
rápido prototipado de circuitos y la flexibilidad son necesarios.
El término "sistema en un chip (SOC) se utiliza con frecuencia para describir un
circuito altamente integrado, el ASIC, MCU, o DSP que incorpora considerablemente
más opciones de hardware que anteriormente las versiones disponibles. Estos chips
suelen incorporar software específico que está estrechamente ligada al hardware en
el chip. Estos chips incluyen una gran y creciente del sistema y reducir el
recuento total del chip. Sólo en los sistemas más sencillos son en realidad todo el
sistema. Esto es especialmente cierto con la parte del sensor del sistema.
La complejidad añadida de añadir el sensor a la SOC realiza un sistema de sensores
en un chip mucho más mucho más disponibles expensive—than Difficult—and
alter- nativos. (Capítulo 14 ofrece más detalles sobre el sensor SOC.)
5.1.2 Requisitos de lógica
el cambio de los requisitos de la lógica de un equipo centralizado a nodos en
sistemas descentralizados está creando la necesidad de sensores inteligentes.
Sensores impulsada en los sistemas de control de procesos que eliminen los
operadores y aumentar la preci- sión del proceso jugará un papel importante en la
fabricación de semiconductores que controlarlos. Una nueva arquitectura e interfaz
han sido propuestos por investigadores de la Universidad de Michigan para abordar
esta aplica- ción [2]. La figura 5.1 muestra el diagrama de bloques de los
elementos clave de esa propuesta. La amplificación y la conversión A/D fueron
examinadas en el Capítulo 4, y la interfaz de comunicaciones está cubierto en el
Capítulo 7. Este capítulo utiliza productos DSP y MCU existente para demostrar los
elementos restantes. Otros componentes del sistema que pueden obtenerse con un MCU
o un DSP también se discute.
datos del controlador del programa controlador de interrupción ALU 24 × 24÷ 56 MAC
de 56 bits de dos acumuladores de 56 bits
Figura 5.6 Arquitectura DSP de 24 bits.
tabla o realizar un cálculo determina el tiempo de respuesta del sensor de entrada
La MCU/DSP parte del sistema. Puede ser un factor limitante para iniciar un cambio
en la salida en un MCU/DSP-controlada del sistema.
Un sensor de control de combinación puede implementar un programa electrónicamente-
mable guarnecido como alternativa al recorte de láser. No obstante, el recorte y la
cali- bration procesos para un sensor requieren algún tipo de conversión de los
datos por el MCU o DSP. El tiempo que se tarda en realizar las conversiones
mediante cálculos matemáticos o de obtener datos de una tabla de búsqueda debe
estar dentro del control system's capacidad para responder a la entrada detectado.
En la aplicación, fresado en tiempo real pueden ser implementados para permitir el
control adaptativo en el sensor. Que mejorará la precisión de un sensor que se ha
desviado después de algún tiempo en funcionamiento.
5.5 Consideraciones técnicas y sistemas
mayor precisión pueden ser obtenidas por sensores por caracterizar dispositivos a
través de la temperatura y la presión (o la aceleración, fuerza, etc.) y almacenar
co- rection MCU algoritmos en la memoria. La MCU puede convertir la medición para
mostrar diferentes unidades (por ejemplo, PSI, kPa, mmHg o en pulgadas de agua para
mediciones de la presión). Otras técnicas utilizan el MCU's capacidad para mejorar
la
-1,0 0 0 10 20 30 40 50 60 70 8090
Span (mV)
Figura 5.7 Span versus la linealidad del sensor de presión de salida.
Ambientes [12]. La figura 5.8 muestra los circuitos simples, baratas utilizado para
crear un ciclo de trabajo que es lineal a la presión aplicada. El tren de pulsos
generados MCU es aplicado a un generador de rampa. La frecuencia y la duración del
pulso puede controlarse con precisión en el software. La MCU requiere de entrada-
salida y captura de comparar canales del temporizador. La salida-capture pin es
pro- grammed a la salida el tren de impulsos que acciona el generador de rampa,
mientras que la entrada-capture pin detecta las transiciones para medir el ancho de
pulso de salida PWM. Los cambios de ancho de pulso de 50 a casi 650 ms por cero a
la salida a escala completa para este sensor.
5.5.3 Autozero y Autorange
combina un sensor y un MCU para realizar una medición que de otro modo sería menos
precisa o más costoso que otras alternativas disponibles es feasi- ble. El costo de
muchos MCU es comparable o menor que la que proporcionan los sensores de
micromecanizado su señal de entrada. Por ejemplo, una señal acondicionado pres-
seguro de sensor se ha combinado con un 68HC05 MCU a medir 1,5 pulgadas o menos de
agua con una precisión del 1% de la lectura de escala completa [13]. La MCU
proporciona software, software de calibración y compensación de temperatura nula
capacidad dinámica. Además, una salida digital compatible con el SPI proto- col se
proporciona para la medición de presión.
6
comunicaciones de sensores inteligentes que
he aquí el pueblo es uno, y todos tienen un solo lenguaje; y han comenzado a hacer:
y nada los hará desistir ahora de lo que han pensado hacer.
-Génesis 11:6
6.1 Introducción
El creciente interés en los sensores inteligentes es un resultado directo de la
necesidad de comu- sensor nicate información en sistemas de control distribuido.
Lamentablemente, se han definido varios protocolos para la comunicación de datos en
el control Sys- tem. Los estándares de la industria han sido y están siendo
desarrollados para varias solici- tudes. Dentro de un determinado segmento de
mercado, varias propuestas están compitiendo para su aceptación. Algunos de estos
protocolos ya han sido implementados en hardware de silicio. Este capítulo
proporciona información de antecedentes, identifica muchos de los protocolos
propuestos, y describe los chips de silicio que han sido desarrollados para apoyar
los diseños de sistema. (Capítulo 12 entra en los detalles de los nuevos estándares
IEEE1451 desarrollado específicamente para sensores.)
6.2 Definiciones y antecedentes
6.2.1 Definiciones de
comunicación de datos de entradas del sensor debe ser analizada con la recogni-
ción que el sensor es parte de todo un sistema de control. Varios
119
7
Técnicas de Control de
una máquina es inteligente cuando hace las cosas de una estructura común en tres
años.
-Marvin Minsky, creador del concepto de la inteligencia artificial
7.1 Introducción
sistemas de control distribuido (DCS) han llevado a la toma de decisiones a la sen-
sor. La inteligencia incorporada para el sensor inteligente puede tomar ventaja de
la vari- ety existentes y el desarrollo de técnicas de control. La medida en que
los nuevos paradigmas de computación afectará a los sensores depende de la
necesidad del control en el sensor y el costo efectividad del uso de las nuevas
técnicas. Las técnicas existentes de con- trol han crecido desde los controladores
lógicos programables (PLC) e instrumentos basados en PC. Proporcional-integral-
Derivativo (PID) y control de la máquina de estado son la base de muchos sistemas
de control. Sin embargo, los nuevos enfoques de la inteligencia artificial de
lógica difusa y redes neuronales afectará cada vez más a los sistemas basados en el
sensor. Lógica difusa ya está encontrando varias aplicaciones en electrodomésticos
y automóviles. Técnicas de control adaptativo utilizando el mayor per- formando
MCUs y DSPs permitirá sensores para ajustar los efectos de envejecimiento durante
su vida operativa. Las estrategias de control que implementan algoritmos
computacionalmente intensa será capaz de reducir una prueba de concepto de
demostración de laboratorio en una solución útil que puede tener aplicaciones
populares basados en el aumento de la capacidad de computación de MCUs y DSPs.
149
Reloj C1 C3 C2
- C4 + salida PWM PWM
analógico + VPN VP de salida del filtro de paso bajo
(b)
Figura 7.1 (a) versus de bucle abierto (B) circuito del acelerómetro de bucle
cerrado.
Control derivados sólo se utiliza en combinación con la acción de control
proporcional o integral. Los cambios en la velocidad o la dirección de la
desviación iniciar acción de control derivado. Esta acción reduce el tiempo que el
sistema
Técnicas de Control
Fuzzy 157 suministrado por las entradas del sistema de inferencia de procesador de
aplicaciones expertos
miembros de Entrada funciones Fuzzification entradas Fuzzy
Regla evaluación
salidas
salida Defuzzification difusa membresía funciones resultados de cálculo de tiempo
de ejecución
entendimiento inteligente de
temperatura de 158 sensores de humo de gas sensor de radar pasivo de humedad del
sensor de infrarrojos de la
tarea de análisis de captura de adquisición de datos de la tabla de tareas
pizarrón lecturas y buffers
tabla de tareas certeza motor tarea
Blackboard amenaza puntuaciones y alarmas
y rastreo de adquisición de objetivos
figura 7.6 Una variedad de sensores aportación a la lógica borrosa certeza de motor
de un robot móvil. (Después de: [13].) de
manera más o menos análoga a las neuronas en el cerebro humano [11]. Neural Net-
Works son útiles en sistemas que son difíciles de definir. Tienen la ventaja
adicional de ser capaz de operar en un entorno de alto ruido. O numerosos complejos
patrones de entrada se encuentran entre los problemas que se están abordando las
redes neuronales [14].
Figura 7.7(a) muestra la estructura de una neurona [14]. La neurona aprende a
partir de un conjunto de datos de entrenamiento. Cada entrada a la neurona se
multiplica por el syn- ábside de peso. La neurona suma los resultados de todas las
entradas ponderadas y procesa los resultados con un típicamente no lineales para
determinar la función de transferencia de salida. Una memoria local almacena
cálculos anteriores y modifica los pesos como aprende.
Una red neuronal se compone de un número de neuronas conectadas de alguna manera,
como se indica en la Figura 7.7(b). En este modelo, existe una capa oculta que
impide la interacción directa entre la entrada y la salida. Sin embargo, la capa
oculta no es necesaria, y más de uno puede existir. Además, el número de neuronas
no tiene que ser el mismo en cada capa. A entrenar o condicionar la neurona para
una respuesta adecuada, varios conjuntos de insumos con resultados conocidos se
aplican a la red neuronal. La salida se compara para cada conjunto de insumos a los
resultados conocidos, y los pesos se ajustan para compensar los errores.
entrada WN XN
(a)
X0 Y0
X1, Y1,
Y2, X2,
X3,
X4 y Y34
input layer capa oculta la capa de salida
(B)
Figura 7.7 (a) y (b) la neurona red neuronal. (Después de: [14].)
Técnicas de Control Z es el
Observador 163
H
- Xe Xe(n+1)(n) øe + B
-1z D + + - Vel d' una velocidad estimada
u X (N+1) X (n) + Ø B -1z D
Control +
una señal de posición de salida
(Motor y transmisión)
Figura 7.10 El diagrama de bloque de un observador para control de velocidad en
bucle cerrado.
delay de operador, y H es el observador de vector. La parte inferior de la figura
7.10 se muestra el diagrama de bloques del motor real, y la parte superior contiene
el observador que está en el algoritmo de software [20].
El observador calcula tanto la velocidad y posición. Una comparación de la posición
estimada con la posición medida se utiliza para corregir para el próximo período de
muestreo. Error de estimación se usa para lograr una mejor estimación para el
siguiente intervalo de muestreo. El observador vector ganancia H se utiliza para
modificar el observador dinámica.
Feedforward técnicas utilizan sensores para modificar los valores estimados para
las entradas del sistema que están en el modelo de observación [21]. La creciente
complejidad de los controles del motor de automoción para cumplir con los cada vez
más estrictos objetivos de emisiones pueden requerir sistemas que anticipar, actuar
y, a continuación, ajustar los algoritmos basados en mediciones sobre un cilindro
por cilindro. Métodos basados en el modelo también puede reducir el esfuerzo de
calibración que lleva mucho tiempo y esfuerzo para cada motor de combustión interna
que un fabricante produce. Sensor inteligente basado en la toma de decisiones
también ha sido investigado como una posible solución basada en computadora
mecanizado desatendidas [22]. Estas y otras técnicas que amplían la capacidad de
las redes neuronales dependen en gran medida del sistema sensor de la sinergia.
Técnicas de control
combinado de 167 7.7.2 CISC, RISC y DSP
una interesante demostración del valor de ambos de CISC y RISC es pro- rectamente
en un circuito de control de comunicaciones se muestra en la figura 7.11 [26]. Esta
es una solución de un solo chip que incorpora el CISC, RISC, y tecnología DSP. La
tecnología CISC (68000) se utiliza para el procesador multiprotocolo integrado.
Tres canales de comunicaciones serie Gestionar control de enlace de datos de alto
nivel (HDLC), asincrónico (UART) y síncrona BYSYNC protocolos. Un Personal Computer
Memory Card International Association (PCMCIA) bloque proporciona una interfaz
directa para un bus PCMCIA (PC card). RISC es utilizado para la comunicación del
procesador. Como resultado, los puertos funcionan independientemente de la 68000-
host y permitir que el procesador 68000 para manejar las tareas de control de nivel
superior [27]. Tecnología DSP proporciona un mayor rendimiento a través de la
arquitectura paralela (Harvard). Que le permite simultáneamente el programa fetch,
datos de X, Y Y-Memoria de datos. Porque ambos núcleos utilizar memoria común, el
costo es reducido.
Motor de comunicaciones de
68K, 68K, 68K, bus PCMCIA
puerto bus B
16550 RISC CP
SCC2 acceso directo
SCC3 SCC1
DSP 56K externo bus*+ SCI IRQA bus I/F.B * ningún interno DSP externo SSI ROM y
memoria RAM necesaria
Figura 7.11 Diagrama de bloques combinados CISC, RISC y DSP para comunicaciones de
datos.
8
transceptores, Transpondedores, y telemetría
Tricorder lecturas indican un nivel extraordinariamente alto de nitrium.
-El Teniente Comandante Data, en Star Trek: La Próxima Generación
8.1 Introducción
un cambio monumental que se aceleró a fines del siglo XX y que está afectando
también a la detección es el deseo para portátiles, productos inalámbricos. La
proliferación de los ordenadores portátiles, combinada con la comunicación
inalámbrica tendrá el mismo efecto en sintiendo que el cambio de un mainframe con
computadoras personales que había en el suelo de la fábrica. El número de
parámetros de la detecta y la facilidad de obtener mediciones aumentará basados en
sensores remotos inalámbricos.
Las mediciones remotas requieren la combinación de las tecnologías digitales
(examinadas en el capítulo 5) y de radio frecuencia (RF), semiconductores,
incluyendo radio frecuencia RFICs (ICs). En algunos casos, la tecnología de RF se
utiliza para realizar la función de detección.
El uso de la tecnología de RF en la teleobservación históricamente ha sido associ-
ciada con el análisis de parámetros geofísicos tales como aire y superficie de
tempera- tura, la velocidad del viento, precipitación y velocidad. Esta información
es necesaria para predecir el clima y normalmente se obtiene a partir de equipos
montados en aviones, satélites y globos meteorológicos. Las aplicaciones de RF
siguen creciendo; nuevas aplicaciones comerciales que son portátiles y mucho menor
costo objetivos serán el foco de este capítulo.
173
174 Descripción sensores inteligentes
inalámbricos portátiles requieren productos de bajo consumo de energía para
aumentar su vida útil antes de requerir el reemplazo de las baterías. Para la
medición de bajo consumo de energía, los sensores de alta impedancia, modo de
reposo y smart tech- niques tales como la técnica de PWM (véase el capítulo 5) son
obligatorios. Dependiendo del tipo de medición (estática o dinámica) y con qué
frecuencia deben hacerse lecturas periódicas pueden ser transmitidos a los
instrumentos de registro distante en controles de proceso, sistemas de control de
materiales peligrosos, y una variedad de aplicaciones de adquisición de datos
móviles. Estas lecturas habría sido más lento, peligroso, prohibitivamente costoso
o difícil con la tecnología disponible anteriormente.
8.1.1 El espectro de RF La
legislación reciente ha ampliado el espectro electromagnético que está disponible
para las comunicaciones inalámbricas en los Estados Unidos. La Comisión Federal de
Comunicaciones (FCC) reglamento Título 47, parte 15, cubre sistemas de seguridad
sin licencia, entrada sin llave, control remoto de RF y LANs. Tabla 8.1 identi-
fies principales rangos de frecuencia que están ya en el centro de varias
industrias. El industrial, científica y médica (ISM) bandas están siendo utilizados
por varias apli- caciones. La integración es la clave para un mayor rendimiento,
pequeños paquetes, y menor costo en la arena de RF, así como sistemas discutidos
previamente, con varias tecnologías utilizadas en distintos rangos de frecuencia.
Existen varias opciones de tecnología de RF en el extremo delantero de un portátil
de comunicación producto, mostrado en la Figura 8.1 [1]. Silicon compite con GaAs
en el 1 a 2 GHz; sin embargo, en el de 2 a 18 GHz, GaAs es la única solución. Con
una tensión de alimentación de 3V, de alta frecuencia (1 GHz) funcionamiento de
GaAs tiene una eficiencia del 50% frente al 40% de silicio bipolar o 43% para un
lat- eral LDMOS MOS (difusa). La contrapartida en eficiencia versus costes deben
ser evaluados antes de iniciar un diseño personalizado. El convertidor y
amplificador de bajo ruido (LNA)/mezclador, transmitir el mezclador, interruptor de
antena, conductor y rampa, y el amplificador de potencia puede ser diseñada con
conjuntos de chips RF compuesto de diferentes tecnologías de IC. El conjunto de
chips enfoque puede ser una alternativa rentable a los niveles más altos de
integración. Diseños de alta frecuencia para la frecuencia de radio son
considerablemente diferentes de los procesos digitales de alta velocidad. El rango
de frecuencia en circuitos de RF de 800–2.400 MHz es mucho mayor que el cir-
cuits digital más rápida. Una de señal mixta que combina el enfoque es necesario no
sólo digital y analógico, sino también tecnología de RF. Circuito aislado es
necesaria para evitar el acoplamiento de señales no deseadas, que pueden oscilar
entre 3 Vp–pto menos de 1 mVp - p. RFICs están diseñadas para una serie de
aplicaciones de alta frecuencia, utilizando una variedad de
9
más allá de los sensores MEMS
"y estos otros instrumentos, el uso del cual no puedo adivinar?" "Aquí, el
profesor, debo darle algunas explicaciones. Será usted la amabilidad de
escucharme?" -Julio Verne, Veinte Mil Leguas Bajo el mar
9.1 Introducción
El micromaquinado tecnología que ha permitido que los sensores de semiconductores
está siendo aplicado a sistemas de control para numerosas aplicaciones mecánicas.
En algunos casos, las microestructuras que están siendo desarrolladas no tienen
ninguna re- lación directa a los sensores. Sin embargo, muchos de estos
dispositivos mejoran el rendimiento del sistema total o permitir el diseño del
sistema que anteriormente no era posible.
Porque el micromaquinado es fundamental para la fabricación de esas estructuras,
los futuros acontecimientos en esta esfera permitirán mejorar tanto el
micromaquinado technol- gía y los sistemas que los utilizan.
El diseño y la fabricación de microscale mecánico y eléctrico de es- tructuras se
denomina sistemas microelectromecánicos (MEMS). Los términos microsystems y
tecnología de microsistemas (MST) también se utilizan para describir las
estructuras formadas mediante el micromaquinado, especialmente en Europa. El
término IMEMS inteligente (MEMS) describe una combinación de MEMS monolítico e IC.
La medida en que el micromaquinado es utilizado para producir los componentes que
no son de sensores está demostrada por la lista de estructuras de silicio
desarrolladas se muestra en la Tabla 9.1 [1]. El procesamiento por lotes de
componentes mecánicos tiene el mismo potencial para la ingeniería mecánica (y otras
disciplinas) que
201
óxido resistencia
<111> Si los aviones
L1 L2
b
w
sustrato
(a)
(b)
Figura 9.12 (a) (después de la AFM: [21]), y (b) SEM de unidad real (cortesía de
Parque Científico instrumentos).
PSG de polisilicio de
obleas de silicio (a)
(b)
(Figura 9.16) una estructura tridimensional con junta elástica (después: [27]), y
(b) robotic bug (cortesía de BSAC, Universidad de California, Berkeley).
pin-y-sistema de grapado y tijeras-diseño de bisagra. Las clavijas y grapas se
necesita un sistema de tres capas estructurales para alcanzar una base, pasador de
eje y grapas de sujeción plegables donde la estructura móvil estaba conectado al
sustrato. La tijera- bisagra teje una segunda capa de polisilicio en y, a
continuación, a través de la primera capa de polisilicio. Permite tejer la
estructura de sujeción para ser depositados en la primera capa, pero no está
conectado a ella. El más reciente desarrollo hace uso de vigas voladizas de
presionar y luego fijar el pasador del eje. El eje está diseñado con un límite
auto-- ing mecanismo que evita que el eje sobresalga por debajo de la primera capa
de polisilicio. La bisagra fue diseñado, construido y probado en una superficie
micro- sistema microphotonic mecanizada. La bisagra podría abrirse a 90 ±0,8
grados.
Nitruro de Silicio
(f) (b)
10
Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes
que lamento que no hay más mundos que conquistar.
-Alejandro Magno
10.1 Introducción
Todos los avances e investigaciones que se están produciendo en el micromaquinado
llevaría a pensar que los avances en esas áreas será suficiente para la revolución-
ize sensing. Lamentablemente, los problemas asociados con el sensor básico pack-
envejecimiento se agravan cuando el sensor se combina con niveles superiores de
electrónica. Estos problemas iniciar en el nivel más bajo de morir y pegado de
alambre y extender a la encapsulación, sellado y provocar problemas de formación.
Conjunto suelen existir diferencias fundamentales entre el sensor y la
microelectrónica pack- envejecimiento y figuran entre los problemas que deben
resolverse para lograr mejor sen- sors. Estas diferencias incluyen die bonding para
subrayar el aislamiento en lugar de disipación de calor y métodos de pegado de
alambre.
El embalaje es esencial para establecer la fiabilidad de la sonda. La fiabilidad-
das requisitos deben tenerse en cuenta en el diseño del paquete, especialmente para
paquetes personalizados en aplicaciones específicas. Prueba del circuito del sensor
de combinación también requiere combinar la capacidad de prueba de ambas
tecnologías. Este capítulo aborda el sensor la tecnología de envasado,
especialmente las nuevas tecnologías de la industria de semiconductores, que
debería ser aplicada a los sensores inteligentes, fiabilidad y prueba de
preocupaciones para los sensores inteligentes.
227
228 Descripción sensores inteligentes
10.2 Semiconductor Packaging aplicada a sensores
de muchos paquetes de sensores today's parecerse a paquetes de semiconductores de
la década de 1980 o incluso 1970. La industria de los semiconductores ha hecho
progresos significativos en plástico de alta densidad los paquetes encapsulados. El
aumento de la utilización de tecnología de montaje superficial (SMT) es uno de los
cambios más importantes. Para lograr mayor funcionalidad sin incrementar la
complejidad de silicio, disponibles tecnologías de silicio se combinan en el nivel
de paquete de paquetes basado en semiconductores, no un módulo fabricante, técnicas
de montaje. Estos mul- tichip módulos (MCMs) están siendo evaluados para varias
aplicaciones, incluidas las de automoción.
Como el uso de tecnología de montaje superficial aumenta, se produce una
disminución en el uso de los conocidos anteriormente en línea doble (DIP) paquete
de plástico. Otros paquetes de orificio pasante como único en línea de plástico
(SIP) y el pin grid array (PGA) también no aumentan. SMT nuevos enfoques, como ball
grid array (BGA) y microBGA paquetes son el foco de las actuales el desarrollo de
embalajes. Para el futuro, los componentes altamente integrado, técnicas de
embalaje debe tomar en cuenta más complejas, los requisitos de nivel de sistema,
así como los requisitos de montaje superficial. La capacidad del sensor a la
industria a adaptarse a los nuevos métodos de embalaje semicon- ductor a sensores
determinará la aceptación de sensor inteligente de la tecnología y el crecimiento
futuro de la industria.
El embalaje, montaje, pruebas y contribución al coste de una bien establecida en
una bajada de presión micromecanizado paquete se muestra en la figura 10.1(a) [1];
el chip sensor es sólo el 14% del coste total. Para envases más complejos, tales
como un sensor de presión, en la que se exigirá el aislamiento del material, los
costes de envasado, ensamblaje y ensayo puede ascender al 95% del costo total.
El tipo de sensor, la cantidad de circuitos, y la aplicación puede cambiar los
costes significativamente. Un acelerómetro tiene un chip de control independiente y
g-célula en un paquete de montaje en superficie. Al morir el costo en ese caso es
de 30% para la celda g y 24% para el ASIC, tal como se muestra en la figura
10.1(b). Sin embargo, el mayor desafío con el acelerómetro para aplicaciones de la
bolsa de aire automotriz es barato comprobación [1].
Paquetes de sensores tienen requisitos básicos que son similares a las de semi-
conductor de dispositivos. La variedad de aplicaciones de sensor duras hace más
difícil que el embalaje embalaje para un dispositivo semiconductor. Sin embargo, el
paquete básico operaciones se producen en orden similar.
Completó una oblea del sensor tiene un paso de procesamiento final que se prepara
para el envasado [2]. Esa medida podría incluir adelgazamiento la oblea y una parte
trasera de fijación metálicos como una de oro-silicio eutéctico. Probado en la
oblea sensores de nivel que no cumplen con las especificaciones mínimas son
identificados como unidades rechazadas por una gota de tinta. Los sensores están
entonces separadas en individuales dados de la oblea de
o soldadura de Silicio
Silicio vidrio
superficie soldable de soldadura de
plástico de presión
Figura 10.6 mayor compatibilidad de medios de embalaje del sensor de presión.
11
mecatrónica y sistemas de detección de
personas están fascinados por lo que can't entender bastante.
-Michael Palin de los Monty Python's Flying Circus
11.1 Introducción
a alcanzar el nivel más alto de detección inteligente, todo el sistema,
esencialmente, tiene que convertirse en un sistema de detección o una extensión de
capacidad de detección. El término mecanis- tronics es frecuentemente usado para
describir el diseño del subsistema de una combinación de componentes
electromecánicos. Equipos o MCUs son una parte integral de muchos sistemas
mecatrónicos. Mecatrónica ha sido definida como la combinación sinérgica de la
ingeniería mecánica de precisión, electrónica de control, y el enfoque de sistemas
para el diseño de productos y procesos de fabricación [1].
Mecatrónica representa un mayor nivel de sofisticación y complejidad, requieran-
ing el diseño de la interfaz del sistema electromecánico. En algunos aspectos, la
mecatrónica es similar al analógico-digital interface, sólo más complejos.
Aunque los ingenieros de diferentes disciplinas comparten sus resultados sobre un
programa en particular, trabajan con una menos-que-perfecto entendimiento de cómo
sus decisiones de diseño que afectan a las decisiones de sus homólogos. Mecatrónica
y otros enfoques, como la ingeniería concurrente, están intentando entender
equilibrios de diseño previamente en el proceso de diseño para reducir el tiempo de
ciclo de diseño y garantizar que el producto final cumpla los criterios de diseño.
Mecatrónica combinado con el micromaquinado y sensores inteligentes permitirá
completar microsystems para ser diseñado y fabricado en un único chip monolítico.
249
protección de Carga
Carga Carga
Figura 11.1 Smart-potencia CI diagrama de bloque.
dispositivos puede proporcionar. Uno de los principales medios para lograr mayor
funcionalidad es integrar en la detección de alimentación inteligente IC.
11.3
Detección detección incorporado en los circuitos integrados de potencia inteligente
detecta las condiciones de fallo y las condiciones de umbral, que permite la
implementación de estrategias de control. Una temperatura excesiva, overcur- renta
y condiciones de sobretensión puede ser detectado, y la alimentación inteligente IC
puede ser diseñado para reaccionar o simplemente dar una señal a la MCU de seguro
el sistema opera- ción. Esta sección explora las diferentes técnicas y aplicaciones
de detección de la señal detectada.
11.3.1
los sensores de temperatura del sensor de temperatura puede ser fácilmente
producida en dispositivos semiconductores utilizando las características de
temperatura de tensión base-emisor (VBE) o una resistencia difusa. Además, los
circuitos se integra fácilmente para producir un monolítico tem- peratura sensor
con una salida que puede ser fácilmente interactuar con un MCU. Mediante un sensor
de temperatura integrado, funciones adicionales pueden ser añadidos para ICs.
(Nota: Un sensor se convierte en un elemento integrado en un producto semiconductor
cuando tiene un secundario en lugar de su función principal.) la
permiten la
entrada de tensión de alimentación 257
V del regulador de la bomba de carga del oscilador Gate de salida de control de
12
normas para detección inteligente de
las leyes de la Mesa Redonda fueron establecidas y cada caballero de la beca
juraron mantener las leyes.
-John Steinbeck, los actos del Rey Arturo y sus nobles caballeros
12.1 Introducción
Los últimos esfuerzos de la industria se han centrado en la definición, la
funcionalidad y la comunicación normas para sensores inteligentes. El objetivo es
la interoperabilidad con una amplia gama de aplicaciones. El sensor inteligente,
con la adecuada capacidad de toma de decisiones local, puede actuar como un sensor
independiente, comunicarse en una red peer-to-peer relación con otros sensores y
actuadores, o actuar como un nodo de una red inteligente. Interoperabilidad
permitirá la implementación de diversas interfaces a través de las diferentes redes
de funcionamiento independiente de la red. Ese esfuerzo debería acelerar el
desarrollo y la transición a la red de smart transduc- ers, así como el desarrollo
y los esfuerzos de comercialización para smart sensores y actuadores inteligentes.
12.2 Establecer las normas para los sensores inteligentes y sistemas
en 1993, el IEEE y el Instituto Nacional de Estándares y pruebas (NIST) inició una
actividad que ha llevado al desarrollo de dos y dos propuestas de estándares
aceptados [1]:
273
13
Las consecuencias de sensor inteligente de estándares
y sus maravillosos instrumentos seguían funcionando, mirando a través de los
experimentos comenzaron hace muchos años.
-Arthur C. Clarke, 3001: La Odisea Final
13.1 Introducción de
estándares del sector para sensores inteligentes, incluyendo el IEEE 1451 Familia y
otras enti- dades que se han iniciado para aplicaciones de control, deberá cumplir
con lo que sus arquitectos imaginan: reducir las barreras a la aceptación y, por lo
tanto, acelerar el desarrollo y uso de nuevos sensores inteligentes existentes y
sistemas avanzados. Algunas de las capacidades que el IEEE 1451 normas permitirá
que ya se han demostrado. Otras posibilidades son propuestos y desarrollados por
empresas con visión de futuro. Este capítulo describe cómo plug-and-play sensores
hace más inteligentes y más fáciles de tratar en el mundo real y las capacidades de
comunicación y control avanzados sensores inteligentes que pueden aportar a los
sistemas de control, el Ethernet y la Internet.
13.2 El sensor Plug-and-Play
con una tecnología informática y una tecnología orientada a objetos de detección de
enfoque está detrás de varios enfoques estándar. Además de la IEEE 1451
297
14
la siguiente fase de sistemas de detección
una vez que se han eliminado lo imposible, lo que queda es posible.
-Antepasado del Sr. Spock, jefe científico oficial de la Nave Enterprise
14.1 Introducción
Como Capítulo 11 señaló, la combinación de varias técnicas que pueden utilizarse
para desarrollar la próxima generación de sistemas de detección inteligente. Que
por muchos años ha sido posible y es la base de muchos instrumentos, tales como el
interferómetro Fabry - Perot Systems, exámenes de sangre, y la cámara en un chip.
Lo que hace que el futuro posibilidades interesantes es la escala (tamaño) de los
sensores hace po- sible por la combinación de micromaquinado y microelectrónica. El
tamaño de los sensores semiconductores es directamente proporcional al coste del
sensor, y el coste es inversamente proporcional al volumen de solicitudes. Cuando
se rompen las barreras de costes, curiosidades de laboratorio, formar parte de la
vida diaria. Sensores de presión absoluta del colector en los coches, los sensores
de presión arterial desechables para aplicaciones médicas, y acelerómetros para
sistemas de airbag han demostrado el grado al cual una rentable tecnología de
detección pueden desplazar a una tecnología anterior. Esto es especialmente cierto
cuando la integración en el chip es posible.
Los sensores inteligentes pueden ser elementos independientes de productos o
simple- mente distribuida en redes complejas como una fábrica o un vehículo. La
disponibilidad de normas tales como el IEEE 1451 debe acelerar el desarrollo en
redes de sensores, especialmente las versiones más inteligente.
En la esfera de la informática, las comunicaciones y el entretenimiento, la con-
vergencia de estas tecnologías es que crea enteramente nuevos productos y mercados.
311
312 Descripción Los sensores inteligentes de
forma similar, la informática, las comunicaciones y otras tecnologías serán se
fusionaba con varios o todos los temas que se han debatido en este libro para crear
nuevos productos de control. Los nuevos productos pueden requerir la combina- ción
de varias tecnologías que están en el proceso de consecución de la condición de las
manufacturas. Las guías de la industria de semiconductores agresiva, la fuerte
inversión en I+D de Sensores, y el gran número de participantes en la fabricación
de tecnología de sensor y prometen una variedad de productos competitivos, con
atención especial a los aspectos de estos sensores inteligentes.
Muchos expertos de la industria están tratando activamente para definir la próxima
"killer" de apli- caciones de la tecnología MEMS. De hecho, varias conferencias
sobre la commerciali- zación de los microsistemas han sido mantenidos por expertos
para compartir ideas en ese ámbito. Como se muestra en el cuadro 14.1, la evolución
del producto ha abarcado décadas en plena fase de com- mercialization today's
éxitos [1]. Los sensores inteligentes en gas, bio/chemi- cal y productos del sensor
de velocidad están entre los dispositivos EMS que todavía están en fase de
evolución.
La tecnología MEMS, que forma la base de los sensores inteligentes que se analizan
en este libro, ha sido calificada como perjudicial para la industria de acuerdo a
un estudio reciente [2]. "La tecnología disruptiva altera el status quo en una
industria. En el caso de MEMS, el mercado tire es llevar la tecnología de proceso y
compañías de embalaje en el régimen de fabricantes de IC. El estudio fue financiado
por la National Science Foundation (NSF) y de semiconductores y la
Tabla 14.1 Calendario de evolución de MEMS/MST Productos (después de: [1]) la
reducción de costes/ Aplicación de producto Producto completo descubrimiento
evolución expansión de
sensores de presión de comercialización 1954––1960 1960 1975 1975 1990
1990 1974–acelerómetros––1985 1985 1990 1990 1997 1997–Sensores
de Gas 1986––1994 1994 1998 1998 2005 2005
1980–Válvulas––1988 1988 1996 1996 2004 2004
boquillas––1972 1984 1984 1990 1990 2002––2002 Fotónica/muestra
1980 1986 1986––1996 1996 2004 2004–Bio/sensores químicos–1980
1994 1994 1999 1999 2002––RF 2002 1994 1998 1998
2001–––2001 2005 2005 1982 1990 los sensores de tasa––1990
1998 1998 2002 2002 1982–Microrrelés––1992 1992 1998 1998 2004
2004–
La siguiente fase de la
síntesis de diseño de sistemas de detección de 327
máscara y forma proceso síntesis síntesis planificación de planta
diseñado Fabricación Fabricación proceso de comportamiento usar máscara de función
realización física de
simulación de procesos de forma distribuida- extracción modelo aglutinado-
(extrusión) element
análisis de
validación de diseño
Figura 14.7 combinados electromecánicos y de señal mixta de modelado de IC.
(Después de: [22].)
Una vista previa de detección inteligente que propone un "sensor inteligente se
define como aquel que es capaz de: (i) proporcionar una salida digital; (ii) que se
comunican a través del bus digital bidireccional; (iii) al que se accede a través
de una dirección específica; y (iv) ejecutar comandos y lógico functions" [25]. El
sensor inteligente también tiene funciones convenientes, tales como la
indemnización de parame- tros secundaria (por ejemplo, temperatura), la falta de
prevención y detección, autodiagnóstico, autocali- bration y diversas operaciones
de cálculo intensivo. El énfasis en atributos de la informática en esta definición
requiere un microcontrolador como un mini- mum requisito para un sensor
inteligente.
Otra definición propuesta dijo que "un sensor inteligente consta de un transductor
combinado con otras y otros circuitos de acondicionamiento de señal para pro- duce
la información de salida de señales que han sido operados lógicamente para aumentar
el valor de la información para el system" [26]. Los aspectos indicados en esta
definición de acondicionamiento de señal y el aumento de valor de la información
son notables. El autor enumera las características del sensor que tienen varios
sensores de la más sencilla a la versión más inteligente, tal como se ilustra en la
Figura 14.8.
Es dudoso que sea autor de esas dos definiciones sería satis- zos con la definición
propuesta por la IEEE. Sin embargo, la clave para smart sens- ing estará en la
capacidad para satisfacer a los usuarios, quienes hacen las definiciones. Sensor
Controlador Inteligente
figura 14.9 smart loop.
14.8 Resumen
sensores inteligentes significará más de la IEEE definición presentada en el
Capítulo 1.
Sin embargo, la tecnología no es inteligente si no es rentable. La pros- pect
emocionante de MEMS combinadas y la microelectrónica es un sensor que añade muy
poco costo en comparación con el costo de todos los demás electrónica necesaria
para hacer que el sensor funcione como se esperaba en el sistema final. El sensor
de nivel V, como se propone en el Capítulo 1, utilizará el procesamiento CMOS bien
definidas para toda la microelectrónica y un proceso de micromaquinado compatible
con CMOS para el sensor(s).
Como se señaló en el Capítulo 1, sensores semiconductores se originó como efectos
no deseados en los transistores. Como la industria mejora la capacidad de fabricar
sensores micromecanizado, especialmente los sensores de micromecanizado
superficial, el área del sensor con respecto al circuito que hace que la salida del
sensor útil e inteligente, se convierte en una parte más y más pequeños de la
superficie global. Procesamiento adicional para el sensor aumentará el costo total.
Visto desde la perspectiva de un fabricante de semiconductores, la proporción del
costo lion's es en todo excepto el sensor. Para todos los intentos, el captador es
"gratis". Los aumentos de los costos, a veces considerablemente, ya que las
especificaciones están definidas para un sensor específico. Rendimiento,
especialmente de precisión, resolución y repetibilidad y fiabilidad, afectan
directamente los esfuerzos de calificación, tiempo de prueba, y Yield—items
que tengan una incidencia directa e impacto significativo en el coste.
El costo se asocia más con el proceso inicial, diseño, embalaje y, por supuesto,
las pruebas del sistema de detección. El costo de la porción CMOS
Glosario
ablación del material de vaporización que se produce durante el proceso de fresado
láser de precisión una comparación real de la señal de salida de un dispositivo
para la El valor real de la entrada. Los diversos errores (como linealidad,
histéresis y repetibilidad, y cambios de temperatura) atribuir a la precisión de un
dispositivo se expresa generalmente como un porcentaje de la escala total de salida
(FSO). Véase también error.
La parte de un actuador de lazo abierto o sistema de control de bucle cerrado que
con- nects la unidad de control electrónico con el proceso
adaptativo (control) se refiere a un sistema de control de procesos avanzados que
es capaz de ajustar automáticamente para adaptarse a la salida deseada, a pesar del
cambio de mando- ción de los objetivos y las condiciones del proceso o
incertidumbres no modelados en proceso
algoritmo dynamics un conjunto bien definido de reglas o procesos para solucionar
un problema en un número finito de pasos
aliasing, distorsión debida al muestreo de una señal continua en una cotización
demasiado baja
aliasing distorsión de sonido componente creado cuando las frecuencias presentes en
una señal muestreada son mayores que la mitad de la tasa de muestreo de
salida analógica de una potencia eléctrica de un sensor que cambia la proporción-
Ante cualquier cambio de ately
anisotrópico de entrada se refiere al grabado que es dependiente de la orientación
cristalográfica
351
Glosario 353
conexión de autobuses entre los componentes del circuito interno o externo
del proceso de calibración de modificar la salida del sensor para mejorar la
precisión de salida de banda portadora de un solo canal digital de banda ancha; o
la señal modulada en un único
chip portadoras moduladas a morir sin embalar (dispositivo semiconductor) de corte
de una oblea de silicio e incorporando elementos de circuito semiconductor tales
como sensores, actuadores, resis- tor, diodos, transistores, condensadores y/o
sistema de control en lazo cerrado que utiliza Un dispositivo de detección para
medir una variable de proceso y control haciendo decisiones basadas en esa
información
estado de colisión de un bus de datos en la que dos o más transmisores están
encendidos simultáneamente a estados conflictivos
combinacionales tecnologías integradas de señal mixta (analógica y digital)
Tecnología compansión el proceso de reducir el rango dinámico de la señal de voz o
de música (comprimir) típicamente en el transmisor, y luego la restauración
(expandir) en el receptor la indemnización circuitos añadidos o materiales
diseñados para contrarrestar los efectos de una fuente conocida de la capacidad de
contención de error para acceder a la estación de autobuses en una determinada
prioridad convolución proceso matemático que describe el funcionamiento de los
filtros fuerza de Coriolis fuerza que crea una desviación de un cuerpo en
movimiento con respecto a la tierra causó Por la rotación de la tierra; aparece
como una desviación a la derecha en el hemisferio norte y un desvío a la izquierda
en el hemisferio sur- ern técnica de compresión de datos que proporciona para la
transmisión de un menor número de bits de datos que originalmente requerido sin
pérdida de información. La recepción loca- ción amplía la recibieron los bits de
datos en la secuencia de bits original.
método de registro de registro de datos de una variable de proceso durante un
periodo de tiempo la decimación proceso por el cual una corriente de datos
digitalizados y muestreados se modi- zos para extraer información relevante
defectivity en la fabricación de obleas de semiconductores, los defectos por unidad
de área delta-P ∆P, el cambio en la presión o presión diferencial
354 Comprensión sensores inteligentes
determinista se refiere a la propiedad de una señal que permite su futuro
comportan- ior para ser precisamente predijo
die Ver
difusión chip un proceso termoquímico controlado mediante el cual se introducen
impurezas en el silicio para definir la piezoresistor. En comparación con la
implantación iónica, tiene dos grandes inconvenientes: (1) La máxima impureza
centration- se produce en la superficie del silicio, dejándolo sujeto a
contaminación de la superficie y hace prácticamente imposible producir enterrado
piezoresis- tores; y (2) el control de las concentraciones de impurezas y niveles
es aproximadamente uno tú- arena veces peor que el obtenido con la implantación
iónica.
Salida del transductor de salida digital que representa la magnitud del mensurando
en la forma de una serie de cantidades discretas codificadas en un sistema de
notación
direct sequence spread spectrum technique de frecuencia fija
la relación constante de disipación (en milivatios por grado Celsius) a una
temperatura ambiente speci- zos, de un cambio en la disipación de potencia en un
termistor para el cuerpo resultante Cambio de temperatura
efecto Doppler el cambio observado en la frecuencia de una onda causada por un
tiempo la tasa de cambio en la distancia entre el origen y el punto de observación
por radar radar Doppler que aprovecha el efecto Doppler para medir la componente
radial de la velocidad relativa entre el sistema de radar y el objetivo de
down converter un dispositivo que proporciona traducción de ganancia y frecuencia a
una menor frecuencia
deriva un cambio indeseable en la producción durante un período de tiempo, con un
rango dinámico de entrada constante aplicado el coeficiente de mayor a menor los
valores de un rango, a menudo expresada en decibelios embedded control Consulte
sistema incorporado de detección incorporado el uso de un sensor en un producto
para una secundaria En lugar de una función primaria, por ejemplo, la protección de
un dispositivo de alimentación al
sistema integrado un sistema con uno o más dispositivos de cálculo (que pueden ser
los microprocesadores o microcontroladores) que no son directamente accesibles al
usuario del sistema
Glosario 355
punto final recta colocar la desviación máxima de cualquiera de los puntos de datos
de un sensor salida de la curva a partir de una línea recta trazada entre el final
los puntos de datos de la salida de la curva
del motor el aspecto computacional de un IC
epitaxial o epi una sola capa crystal semiconductor crecido sobre un sustrato de
cristal única y tener las mismas características que el cristalográfico sub- strate
error material la diferencia algebraica entre el valor indicado y el valor
verdadero de la entrada; generalmente expresado En porcentaje de intervalo de
escala completa y, a veces, en porcentaje de la
banda de errores de lectura de salida del sensor de la banda máxima de las
desviaciones de los valores de salida a partir de una línea o una curva de
referencia especificado debido a esas causas atribuibles al sensor.
Normalmente expresado como un porcentaje positivo de salida a escala completa. La
banda de error deben ser especificados como aplicables durante al menos dos ciclos
de calibración, así como incluir la repetibilidad, y verificó en consecuencia.
etch dejar una capa de material tipo P que etches a un ritmo mucho más lento que el
material tipo N de
software de red de área local Ethernet estándar que determina el funcionamiento del
sistema
de voltaje de excitación (actual) El voltaje eléctrico externo y/o corriente
aplicada a un sensor para su correcto funcionamiento (a menudo denominado como el
suministro cir- cuit o tensión). Ver Tensión de alimentación (corriente)
feedforward precompensate un método a un bucle de control de errores conocidos
efecto ferroeléctrico, la tendencia de los dipolos dentro de un cristal para
alinear en la presencia de un campo eléctrico y siguen polarizadas después del
campo se elimina
fieldbus un enlace de comunicación de dos vías entre los dispositivos de campo
inteligentes y sistemas de control de dispositivos en
un circuito de filtro que reduce el ruido y otros elementos no deseados de una
señal
del firmware o programa informático de las instrucciones almacenadas en la memoria
ROM en lugar de en el software
flash de memoria de semiconductor que puede ser utilizada para el almacenamiento
permanente y que es fácilmente reprogramado eléctricamente en el sistema; más
rápido que la memoria EEPROM
Glosario 357
Transmisión de datos y elementos de presentación. Todos los elementos que no
necesariamente están presentes en cualquier instrumento en particular.
integrada se refiere a la combinación de diseño y fabricación de componentes
interconectados. Un circuito integrado contiene una multiplicidad de transistores y
diodos, resistencias, sensor(es), y así sucesivamente.
Integración La combinación de previamente separados o discretos diseños de circuito
la
intercambiabilidad de la capacidad de varios sistemas o dispositivos para
intercambiar información y utilizar mutuamente la información que se ha
intercambiado entre sistemas y dispositivos, la
interoperabilidad, la capacidad de un sistema informático o de control para
sustituir componentes o dispositivos con componentes o dispositivos de diferentes
manu- facturers y familias de productos diferentes, manteniendo la gama completa o
parcial (rango) de la funcionalidad óptima del sistema de
molienda del haz de iones de un proceso de grabado en seco que utiliza un haz de
iones para retirar el material a través de una acción de sputtering
implantación iónica un proceso en el que la impureza iones son acelerados a Un
nivel de energía- pecífico y repercutió en la oblea de silicio. El nivel de energía
deter- minas la profundidad a la cual la impureza iones penetran en el silicio.
Tiempo de pinzamiento determina la concentración de impurezas.
isotropic grabado que es independiente de la orientación cristalográfica kernel
software integrado en el controlador de
fresado láser (automatizado) Método para ajustar el valor de thin- o resistencias
de película gruesa con un láser controlado por ordenador de la
latencia del sistema acceso garantizado (con prioridad máxima) dentro de un tiempo
definido
un error de linealidad la desviación máxima de la salida de una relación en línea
recta sobre el funcionamiento de entrada mesurando rango. El tipo de relación de
línea recta (punto final, aproximación de mínimos cuadrados, etc.) deben ser
especificados.
Impedancia de carga la impedancia presentada a los terminales de salida de una sen-
sor por la circuitería asociada
Loran-C de la tercera generación del sistema de navegación de largo alcance que
establece la posición midiendo la diferencia de tiempo de las señales que llegan
desde transmisores fijos loca- ción
Glosario 359
dispositivo multiplexor que permite que dos o más señales para ser transmitidas
simul- taneously en una sola portadora o canal
simétrico la ejecución simultánea de dos o más instrucciones por un equipo
nanómetro -de 9 a 10 metros de la
red neuronal una colección de nodos de procesamiento independientes que comu-
nicate el uno con el otro en forma análoga a la del cerebro humano
Neuron™ un componente VLSI que realiza la red y aplicación- procesamiento
específico dentro de un nodo
nodo cualquier subconjunto de un sistema multiplex que se comunica en el sig- nal
bus Desviación nula la salida eléctrica presente cuando el sensor está en ver
salida null null
null offset cero cambio de temperatura el cambio en el valor de salida nula debido
a un cambio en la temperatura Menor tasa de muestreo Nyquist necesaria para
reconstruir por completo un sig- nal sin distorsión debido al solapamiento; igual
al doble de la frecuencia más alta en la señal de componente
una colección de objetos del
modelo de objetos de datos y operaciones de una definición de estructuras de datos
y operaciones organizadas en una especificación formal
observador algoritmo que corrige las variaciones del modelo físico Offset offset
cero Ver
sistema de bucle abierto sin retroalimentación sensorial
la impedancia mide la impedancia de funcionamiento entre el positivo y el negativo
(tierra) terminales de salida en una frecuencia específica con la entrada abrir
el rango de temperatura de funcionamiento de la gama de temperatura entre la
temperatura máxima y mínima en la que la salida se reunirán las características
especificadas operacional- ing
modelo OSI el modelo de interconexión de sistemas abiertos De la ISO define un
modelo de siete capas para una red de comunicaciones de datos
360 Comprensión sensores inteligentes
informática en paralelo el procesamiento de dos o más (a menudo muchas más) pro-
gramos a la vez por la interconexión de los sistemas de procesamiento de
metodología de diseño de sistema de particionado que determina qué parte del
circuito está integrada mediante un determinado proceso de silicio en lugar de
integrar completamente el diseño utilizando un proceso
periféricos componentes de circuito externo necesario para lograr el nivel deseado
de fun- cionalidad, generalmente de un MCU o un
proceso en el cual la fotolitografía MPU un patrón en una máscara es transferido a
una oblea, resultando en áreas que se dopan o
efecto piezoeléctrico extraído selectivamente la capacidad de ciertos materiales
para ser polarizada eléctricamente en respuesta a las tensiones aplicadas o Ser
tensas en respuesta al voltaje aplicado
piezoresistor un resistor que cambia la resistencia en respuesta a las tensiones
aplicadas
dentro de una estructura de bus de canalización MPU que permite operaciones
simultáneas para producirse
un grabado grabado de plasma proceso que utiliza un grabado gas en lugar de un liq-
uid para etch químicamente una estructura
compuesta de silicio de polisilicio dispuestas aleatoriamente las celdas de la
unidad de cristal de precisión los más pequeños cambios perceptibles en la señal de
salida de un dispositivo protocolo las normas que rigen el intercambio de datos
entre elementos interconectados de cuadratura de una técnica utilizada en los
codificadores y los interpretadores que separa los canales de señal de 90 grados
(eléctrico) en dispositivos de retroalimentación
error de cuantificación de la incertidumbre de ±1/2 bit menos significativo (LSB)
que se agrega a los errores de conversión de analógico a digital
Rango del convertidor Ver el rango de temperatura de funcionamiento
(ratiometricity radiométrico error) el cambio en la salida del sensor resultante de
cualquier cambio en la tensión de alimentación (normalmente expresado como
porcentaje de la producción en gran escala). (En una determinada tensión, la salida
del sensor es un valor proporcional del voltaje de alimentación.) en tiempo real
del sistema que acepta entradas externas, los procesa y produce resultados en un
período de tiempo fijo
Glosario 361
repetibilidad el cambio máximo en la salida bajo condi- ciones de funcionamiento
fijo durante un período de tiempo especificado
resistencia característica de relación de la relación de la potencia cero la
resistencia de un termistor medido a 25°C hasta que la resistencia se mide en 125°C
Resistencia Característica de temperatura de la relación entre la resistencia de
potencia cero de un termistor y su temperatura corporal de
resolución el máximo cambio de presión necesaria para dar un cambio específico en
la respuesta de salida es el tiempo necesario para una salida del sensor para
cambiar a su estado anterior en una final Estado dentro de una banda de tolerancia
de error del nuevo valor correcto
Router Dispositivo que conecta los canales en múltiples medios y sistemas de
control de paquetes de información pasa hacia delante y hacia atrás
una película delgada capa sacrificial depositado en la superficie el micromaquinado
proceso que posteriormente fuera grabada para liberar una microestructura
capacidad escalable de MCU O MPU arquitectura para ser modificado para satisfacer
las necesidades de varias aplicaciones que proporcionan puntos de precio-
rendimiento competitivo
trigger Schmitt un circuito que convierte los pulsos de salida de un sensor como un
fototransistor o optodetector en una señal digital pura. Los umbrales superior e
inferior en el desencadenador extraer la transición lineal región entre los estados
de encendido y apagado. la
auto-generación proporciona una señal de salida sin excitación aplicada como un
transductor termoeléctrica
autocalentamiento calentamiento interno resultante de energía eléctrica disipada
dentro del
consorcio Sematech unidad de Estados Unidos y los fabricantes de equipamiento
semiconductor
sensor semiconductor fabricado con silicona, GaAs, SiC, u otros materiales
semiconductores
sensactor una amalgama lingüística propuesto por los ingenieros de Ford de un
sensor combinado de sensor y actuador, microprocesador, posiblemente integrados en
un solo chip de silicio
el cambio de sensibilidad en la producción por unidad de cambio en la entrada para
un determinado suministro o actual
Glosario 363
spread spectrum técnica utilizada para reducir y evitar la interferencia tomando
ventaja de medios estadísticos para enviar una señal entre dos puntos. Una figura
de mérito para los sistemas de espectro ensanchado es "difundir gain" medido en
decibelios.
Los dos tipos de técnicas de espectro de difusión comercial son saltos de
frecuencia- ping y secuencia directa.
sputter de proceso de semiconductores para depositar una capa delgada de material,
normalmente un metal, sobre la superficie squeeze-film efecto de amortiguación de
ambient, gases y espaciado en el mover- ción de estructuras micromecanizado
estabilidad a la capacidad de un sensor para conservar las características
especificadas, después de haber sido sometido a determinadas condiciones
ambientales o la prueba eléctrica de
referencia estándar el termistor de temperatura La temperatura del cuerpo en la
cual potencia nominal cero resistencia es especificado (por ejemplo, 25°C)
máquina de estado circuitos lógicos que, cuando el reloj, las secuencias a través
de operaciones lógicas y puede ser un conjunto de instrucciones preprogramadas o
lógica de estados
stiction fricción estática; las capas de micromecanizado de superficie adherida
debido a las fuerzas capilares generadas durante la húmeda
Rango de temperatura de almacenamiento grabado el intervalo de temperatura entre el
mínimo y el máximo que puede ser aplicado sin causar el sensor (unidad) que no
responden a las características de funcionamiento especificado
submicron medición de las geometrías o crítica de espaciado utilizado para com-
plex, altamente
superescalar de circuitos integrados la habilidad de un MPU enviar múltiples
instrucciones por ciclo de reloj a partir de una secuencia de instrucciones lineal
convencional
de la tensión de alimentación (corriente) la tensión aplicada (actual) con el
positivo y el negativo (tierra) terminales micromaquinado superficial un proceso
para depositar y grabado varios laicos- ers de sacrificio y estructurales de
películas delgadas para construir complejos de
telemetría de microestructuras de medición remota que permite que los datos se
interpretan en una dis- cia del
coeficiente de temperatura del detector de intervalo de escala completa el
porcentaje Cambio en el intervalo de escala completa por unidad de cambio de
temperatura en relación con el intervalo de escala completa a una temperatura
especificada
Glosario 365
un dispositivo transductor de convertir la energía de un dominio a otro y calibrado
para minimizar los errores en el proceso de conversión de
una función de transferencia, matemática, gráfica o tabular de instrucción La
influencia que un sistema o elemento tiene en la salida frente a las terminales de
entrada y salida
transpondedor un transmisor-receptor que transmite señales automáticamente cuando
se recibe una señal de activación
tribología el estudio de la fricción, el desgaste y la lubricación de las
superficies deslizando el uno contra el otro, como en el caso de los cojinetes y
engranajes
de par trenzado de Ethernet (10baseT) Ethernet de par trenzado con un medio físico
capaz de transportar datos a 10 Mbps para una distancia máxima de 185m
un convertidor upmixer con amplificación y posiblemente en otras funciones, como el
control de la alimentación y/o transmitir sobre la conformación de
un lenguaje de descripción de hardware Verilog para comportamiento de diseño de
circuitos de nivel colocado en el dominio público por Cadence Design Systems, Inc.
a través de longitud vertical de metal depositado a través de un pequeño orificio
en el óxido Utilizado para conectar eléctricamente dos capas de metal
(arquitectura Von Neumann) se refiere a los datos y el programa lleva
secuencialmente en el mismo bus
oblea delgada, usualmente una rodaja de material semiconductor del que están hechos
los chips
X-ray (foto)litografía técnica empleada para conseguir espacio físico reducido en
circuitos integrados Young's Modulus modulus de elasticidad
desplazamiento cero la salida a cero para una determinada entrada de corriente o
tensión de alimentación
sobre el autor
Randy Frank es un director de marketing técnico de ON Semiconductor en Phoenix,
Arizona. Él es también un especialista de aplicaciones en tecnología de sensores.
Él tiene un BSEE, un MSEE, y un MBA de la Universidad Estatal de Wayne en Detroit y
más de 25 años de experiencia en automoción y sistemas de control de ingeniería,
incluyendo el desarrollo de los controles electrónicos del motor y potencia
inteligente de productos semi-conductores. El Sr. Frank ha sido el presidente y
actualmente es miembro del Comité de Normas del sensor de la Society of Automotive
Engineers (SAE). Él es un miembro de la Asociación de estándares IEEE y también un
antiguo miembro del IEEE Sensor Taskforce de terminología y la Asociación para el
avance de la Instrumentación Médica (AAMI) Presión sanguínea ducer trans- Comité.
Él ha enseñado de instrumentación y control avanzado de la Universidad de Michigan,
incluyendo los aspectos de fiabilidad de los sensores. El Sr. Frank posee tres
patentes y ha publicado más de 200 documentos técnicos y artículos y varios
capítulos de libros sobre los productos semiconductores y aplicaciones.
373
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Índice
4 a 20 mA con transmisor de señal, 79, 80
, 161, control adaptativo–63 define, 161 en sistemas de lógica difusa, 161 162
servo-tipo bucle de realimentación, ilustración del sistema 161, 161 Ver también el
control de la precisión de la conversión A/D, 86, 100, 90–implicaciones de
precisión 91 consecuencias de errores, 90–91 MCU a bordo, 99–101
consideraciones de tiempo de procesamiento, 100 error de cuantización, 86 Véase
también convertidores analógico-digital (ADC) Avión red de aluminio, 306, 40, 72
82–Amplificación Amplificadores de instrumentación de CMOS, 76, 73, 74
interfaz–75 Modo de reposo, 75–76 capacitor conmutado, 77–78
Codificación por cambio de amplitud (ASK), 179 convertidores analógico-digital
(ADC), 7, 87, 91, 110–8, 89 bits
, 10 bits, aumentando la precisión de 89, 89, 71 Enfoques arquitecturas, diagrama
de bloque de 88, 88, 89–elección consideraciones 90 como componente
controlador digital, el rango dinámico de 71, 77, 88 de primer orden con oscilador
RC interno, Nyquist sobremuestreo de 101, 87, 87, 89–rendimiento 90 Fuente de
alimentación, 2 de resolución, 90 de segundo orden, 88 tipos de, 87 Véase también
la conversión A/D del sensor de velocidad angular, 322 de aplicación específica
(ASIC), ICs, 93 CSICs vs., 103 de señal mixta, 94 Véase también los circuitos
integrados (ICs) protocolo ARCNet, 132–33 Inteligencia Artificial, 168–69
memoria asociativa, 165 Sonda microscopio de fuerza atómica (AFM), 214, 216
15–automatizados y teleobservación, 301
375
Index 377
definiciones, 119–introducción a 20, 119, 120, 122 multidrop punto-a-punto,
120, 122, 179–inalámbrico 82 Véase también protocolos CMOS (semiconductor de
óxido metálico complementario), 8, 72, 77–ventajas 78 interconexiones de
aluminio, 40 amplificadores, BiCMOS 76, 72, 73, 176 circuitos, 13 fundiciones, 38
alta densidad (HCMOS), 8 proceso modular, 39–40 Proceso, 39 vio estabilizado
con receptores, 196 para el acondicionamiento de señales de sensores, 77
micromaquinado superficial, 18 compatibilidad informática de conjunto de
instrucciones complejas (CISC), 165 combinado con RISC y DSP, 167 68–MCUs, 166
vs. 165–RISC, asignación de transistor de 66, 166, 120 el Control adaptativo
de contención, 161–63 sistema de circuito cerrado, 150, 151, 152, 152
derivados, 104–DSP 7 fuzzy logic, 155–57 integral, 151 Introducción
149–54 redes neuronales, 157–60 sistema de circuito abierto, 150, 151,
152 partículas, 30, 149, 150 PID–54 PWM, 108–resumen 9, 169,
149–técnicas 69 sistemas del vehículo, 151 controladores, 6–7 como
elemento de ADC, 71 DLC, 120 ilustración genérico del sistema PLC, 7, 149, 150
, 211 canales de refrigeración–12 definidas, 211 12–microheat tubo, 212
patentes, detección de corriente 212, 256, 257 circuitos integrados especificadas
por el cliente (CSICs), 103–4 ASICs vs. 103 costes de ingeniería no recurrente
y, 104
controlador de enlace de datos (DLC), 120 Demoduladores, sensible a la fase, 72
diagnósticos, 256–fallo 61, 258, 259, 111 MCU 60–OBDII, 259,
302–remoto 3 Diamantes, 40 como alternativa material del sensor, el sensor de
flujo de película 41 ilustración, 41 diafragmas, aumento de área, 67–mueren 68
porcentaje, 84 delgados, 67 claves de cambio de fase diferencial (DPSK), 179
diferencial cambio de cuadratura (claves), 179 DQSK MOS difusa (OCD), 251 sensores
de salida digital, 62–65 definidas, 62–63 técnicas digitales, 64–65
EOB, sensores ópticos, codificadores incrementales 65 63 64–triste
convertidores, 65 vieron los osciladores, de línea de retardo de 64 procesadores de
señal digital (DSP), 1 de 16 bits a 24 bits, 105, 105, 107, 106 algoritmos–7
combinado con CISC y RISC, 167–68 control, 104–Kit de diseño de 7, 106,
105 Características hardware capacidad aritmética, 104 para aumentar el sensor IQ,
93–116 la ejecución de instrucciones, 104 MCU vs. arquitectura, tecnología,
106 105
379 Índice–
HVAC, 318 19–MCU con sensor de presión integrado, 321 23 tasa
microangular–sensor, el sensor inteligente personal ID 321, 324, 315 25
condiciones––16 semiconductores y 313 15–smart loop, 328–29
reconocimiento de voz y–micromicrophones, 319 20 329 30–resumen de
detección inalámbrica, 323–24 Unidad de inferencia difusa (FIU), 156, 157,
155–Lógica Difusa 57 control adaptable en aplicaciones, 161, 162, 155, 168
decisiones de control definido, 155 Ejemplo defuzzification, 156, 156, 156, 157 UIF
requisitos de hardware/software, 156–57 aplicación, 156 con varios sensores,
157 redes neuronales combinadas con PID 160 vs. 155, entrada de sensor para 158,
véase también el control de
GaAs, semiconductores GaN 177 películas, 25 sensores de gas, 263 claves de cambio
mínimo gaussiana (GMSK), 179 del sistema de posicionamiento global (GPS), 181, 185,
185 86–definido–86 satélites, tecnología de 186, 186, véase también la
detección de RF Glob envases superior, 239, 240
, Hall 50, 60 Protocolo Hart, 132 modelos ocultos de Markov (HMM), 164, 134
protocolos de domótica–35 CEBus, lista de 135, 125, 135 LonTalk
Véase también protocolos HVAC–chip sensor, 318 19 integración híbrida, 8
empaquetado híbrido, 231–35 234 35–BGA, cerámica, 232 de doble chip,
233–34 módulos multichip, 232–33 usos para, 231–32 Véase también el
embalaje sensor de Hidrocarburos, 61 Lenguaje de marcado de hipertexto (HTML), 304
, 299 IEEE 1394 IEEE 1451, 297 elementos de la familia de 274 miembros, 275 resumen
la implementación de referencia, relación de trabajo 302, 275, 276–IEEE 1451.1
81 modelo cliente-servidor, 278, 279, 276, 274 definido por ejemplo, 280–81
funcionalidad, 281 NCAP, 276–78 modelos de comunicación de red, 278–80
object-identificar propiedades, 277 componentes del modelo de objetos, modelo 276
publish-subscribe en 278 80–transductor inteligente modelo de objetos, 277,
278, 275 Resumen de las relaciones entre los objetos de nivel superior, 277 IEEE
1451.2, 281–91 Boeing 777 adaptación de 306 Calibración/motor de corrección,
286–89 definidas, 274, 281–82, 291 sensor de medición de presión
definición, 282 unidades SI básicas, 290 fuentes de alimentación STIMs STIM, 289,
282, 275 Resumen 84–TEDS unidad física representación, 289 91–TII,
285–86 hoja electrónica de datos del transductor, 284–85 tipos de
transductores, 282–83 IEEE P1451.3, 291–92
Index 381 de
linearización de predicción lineal, 108, 164 con pantalla de cristal líquido (LCD),
15, 103, 131 El protocolo LonTalk–32, 135, 131 definido sistema LonWorks,
131–32 Neuron chips y, 139–41 de baja potencia (LWIMs microsensores
integrados inalámbricos), 196 de baja presión (LPCVD deposición de vapor químico),
34 mediciones de presión baja, 67–68 sensores de presión baja, MCU con 68
detectores magnéticos, 4 Mecatrónica, 249–70 definidas, 249 sensores
integrados, 252–61 integración y matrices de detección, 250, 261–65
smart-power ICs, 250–52 uso de memoria, 249 Puede MCU, MCU, 138 97
98–Neuron chip, 141 Véase también tipos de memoria específica semiconductor de
óxido de metal (MOS), 8 difusa (OCD), 251 procesos de fabricación, 114 lateral
(difusa), 174 LDMOS de óxido metálico semiconductor transistor de efecto de campo
(MOSFET) de potencia discretos, 13 de fabricación, 42 dispositivos de salida, 13
sensores de temperatura, 255 integración de semiconductor de óxido de metal
(Sistema de Ejecución MOSIS), 38 MI-bus protocol, 141–42 Michigan paralelo
estándar (MPS), 122 sensores de tasa Microangular–23, 321 MicroBGA, paquete de
228 unidades de microcontroladores (MCU), 1 68HC05, 101 autoreferencing–2,
113, 110, 96 Diagrama de bloque
con la CAN, 137–39 CISC, 166 control, 95–96 costo, 109 diagnósticos, 111
mueren tamaño, Arquitectura DSP 114 vs. 106 EMC/RFI reducción, 111–12 para
aumentar el sensor IQ, 93–manipulación de entrada 116, 112 con sensor de
presión integrado, 321–23 E/S, 98 99–impulsada desde LCDs, 15 tablas de
búsqueda, 106–7 con sensor de presión baja, 68 MC68HC05EVM, instrumento para
el desarrollo de la memoria, 113 97 98–diseño modular, 103–4 MPC555,
PowerPC 139 a bordo de una conversión A/D, 99–101 periféricos, 96–97
capacidad de ahorro de energía, 101–3 fuente de alimentación, 2 protocolos,
143 salida PWM, 108–9 con SAE J1850, 135–36 SCI, 97, 71 en la información
del sensor para el sensor interface–91, 85, 96–104 single-chip, 95 con
circuitos integrados de potencia inteligentes, 260 SPI, 97 modo de parada,
102–3 temporizadores, 97 TPU, regulación de tensión/corriente de 105, 103,
208–Microdynamometers definido 9, 208, 209 ilustrado fotodiodos, 208 sistemas
microelectromecánicos (MEMS),201–23, 267, 203 actuadores–11 CAD y,
325–26 canales de refrigeración, 211–12 definidas, 1, 11, 201,
índice 383
en las medidas químicas, 262 sensores de gas, 263 infrarrojos de matriz de plano
focal, 263–64 sonda multicanal, 262 matrices de fotodiodos, 263 sensores de
tipo múltiple, 264 65–multiplexado (MUX), 120, 164 informática multiprocesador
multiusuario proceso MEMS (paperas), 219
, 222–Nanoguitar 23 canal N semiconductor de óxido de metal (NMOS), cerca de
30 sistemas de detección de obstáculos (NODSs), 189–90 procesador de
aplicaciones compatibles con la red (NCAP), 274 IEEE 1451.1, 276–78 IEEE
P1451.4 PC, 293, 294, 281, 284 desencadenadores en Red inalámbrica, detección de
vehículos, 323–24 redes de seguridad para automóviles, 306 aviones, 306–8
ampliar sistemas de detección, 293–95 industrial, 133, 157–neural 60
redes neuronales, 157–60 Ejemplo de aplicación, 160, 157–definido 58
combinado con lógica difusa, 160 ilustrado, 159 neuronas, 158 usos, 158 Ver también
controlan la neurona, IC 139–41 Diagrama de bloque, 141 definidos, 139
transceptor de modo directo, 140 nichos de la red de área local (NAN), 307 Ruido,
65–66 parpadeos, 66 tiros, 65–66 tipos, 65–66 tasa de Nyquist,
convertidores, 87
OLE (vinculación e incrustación de objetos), 298 programable una sola vez (OTP),
ROM 98
claves on-off (OOK), 179 sistema de circuito abierto, 150 circuito del
acelerómetro, 152 comparación, 151 Véase también Control de Interconexión de
Sistemas Abiertos (OSI), 120, 123 Operación rail-to-rail, 76–77 vs. estática,
dinámica de la transmisión de la señal óptica de 57, 182, 129–OSEK protocolo
30 sobremoldeada OMPAC pad portador (matriz), 234, 56 sobremuestreo de
sobrepresión, convertidores, 87
envases ball grid array (BGA), 228, 234, 232 cerámica–35 DISEÑO, 229 Dip, 228
de doble chip, 233–34 flip-chip, 237–38 glob superior, 239, 240, 231
híbrido microBGA–35, 228, 235 sensores para monolítico–39 PGA, 228
alveolos, aumento de plástico, 236, 231 y 227, los requisitos de fiabilidad, 228
Semiconductor, 228–31 SIP, 228 normas, 245 montado en superficie, 236–de
orificio pasante de 37, 228, 238 a nivel de oblea–39 Control de partículas, el
micromaquinado superficial, 30 posibilidades de particionamiento, 9 sistema de
deposición Parylene, 250, 231, 230 de la capa de pasivación de rendimiento, 89
Adc–90 periféricos, MCU, 96–97
Index 387
IC, 19 estructuras de fabricación micromecánica, 202, 52–piezoresistivity en
54, 40 propiedades de deformación plástica, 18 protocolos, 135–42 silicio
capacitivo de presión absoluta (SCAP), 23, 24, 40 de dióxido de Silicio
Silicio–fusion bonding, 24 25 definidas, 24 efecto sobre el tamaño del chip,
26 Proceso, ilustración 26 Utiliza 24 25–nitruro de silicio, 40 de silicio
sobre cristal pegado, 23–24 definidas, 23 SCAP sensor con 24 Véase también
Pegado de obleas de silicio sobre silicio, 22–pegado 23 definidas, 22 Sensor
de presión, ilustración 23 Véase también oblea única pegado de cristal grabado y
reactiva la metalización (Scream), 35–36 en línea única (SIP) paquete de
plástico, 228 amplificador operacional de modo de reposo, 75–76 Diagrama de
bloque, 76 el consumo de energía, 75 Casa Inteligente Application Language (SHAL),
134, 328–Smart loop 29 SMARTMOS, 256 circuitos integrados de potencia
inteligentes, 250–52 enfoque, 251 diagrama de bloque, detección de corriente
252, 257, 250 definido ocho salidas, 255 de detección de fallo/capacidad de
detección, 259 de alto nivel de complejidad, 258 MCU con múltiples controladores de
potencia, 260, 253, 251 la tecnología de proceso de alimentación elección, 251 Ver
también circuitos integrados (ICs) Sensores Inteligentes vistas alternativas de,
326–28
términos de aplicación, 10 básico, 1–16 comunicaciones, 119–46 definidas,
1, 3, 327 elementos discretos, reduciendo, de 8 elementos, 7–8, modelo 7 en
red, paquetes de 295, 13, 324–personal ID 25 para mediciones de presión, 15 IQ
relativa, 328 componentes de semiconductores, circuitos de acondicionamiento de
señal de 15, 13, 273 normas–95 ensayos, 244–45 Véase también sensores
transductor inteligente interface module (STIM), 282–84 definidas, 274 fuentes
de energía, transductores de 289, 282, 283 respuesta de disparo Society of
Automotive Engineers (SAE), 125, 165 procesamiento espectral y de reconocimiento de
voz, 319 20–micromicrophones Spread Spectrum, 177–79 aplicaciones
definidas, 179, 177, 178 secuenciación directa frequency hopping, 178 inmunidad de
interferencia de banda estrecha, 177 vs. 178 Squeeze-film amortiguación, 29 Normas,
273–95, 305–Alternativa 8 IEEE 1451.1, IEEE 1451.2–276 81, 281
91–IEEE P1451.3, 291–92 IEEE P1451.4, 292–93 Consecuencias de
297–introducción a 308, 273, 273–76 Resumen, 295 máquinas de estado, 154
55–definidas, 154–finito, 154 55