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Ficha 3

I – Considere que V=.6V é o valor de limiar de condução dos iD R2


díodos da Fig.1, sendo VZ=5V a tensão de zener de Dz. uD D
uR2
1k
a) Preencha a tabela que abaixo se indica com interruptor SW
Sw aberto. m1 1 m2
2
Consideremos o primeiro caso uG=-6V. Esta tensão negativa uG iZ RL
divide-se por D e por R1 em série, bem como por R2 e Dz R1 uR1 uDZ DZ
uZ 2k
também em série. No primeiro caso, essa tensão negativa 1k iDZ
manifesta-se no díodo D como uD≤0, polarizando esse díodo
inversamente fazendo com que iD=0 (díodo off). No segundo 0 Fig.1
caso, a tensão uG aparece no díodo DZ como uDZ ≥0, polarizando
esse díodo diretamente e possibilitando a condução. Neste caso,
sendo iDZ>0, uDZ=Vque, no caso ideal é Vmas que aqui 5V

é considerada como V=.6V (caso do díodo de silício).

uG uD uZ iD uDZ iDZ
-6V 0 0,6V
+4V 20ms Fig.2

+10V
Na malha m1, uG  u D  u R1 e uR1  R1  iR1  R1  iD  0 , concluindo-se que
uD  uG  6V .
Na malha m2, uG  uR 2  uZ e uR 2  R2  iR 2  R2  iZ , sendo iR 2  iZ  iDZ e uZ  uDZ .
Daqui resulta uG  R2iZ  uZ , e, portanto

uG  uZ 6  0, 6
iZ   mA  5, 4mA
R2 1
Como se ilustra na tabela abaixo, a 1ª linha será preenchida no modo que se indica. Para
as duas linhas seguintes, por simples observação do circuito, pode concluir-se:
uG uD uZ iD uDZ iDZ
-6V -6V -0,6V 0 0,6V 5,4mA
+4V 0,6V 0
+10V 0,6V -5V

Por cálculo, obtém-se :


uG uD uZ iD uDZ iDZ
-6V -6V -0,6V 0 0,6V 5,4mA
+4V 0,6V +4V 3,4mA -4V 0
+10V 0,6V 5mA 9,4mA -5V -5mA
b) Calcule iR2 para uG=10V e o interruptor Sw fechado. Determine o valor da
regulação de linha da tensão na carga RL, uRL/uG, supondo que rZ=50 é a
resistência do díodo de zener.
Quando o díodo funciona na disrupção, o circuito associado à malha m2 e à carga RL pode
ser modelizado pelo circuito abaixo indicado. Usando o princípio da sobreposição pode
tomar-se em separado os efeitos da fonte de tensão DC, UG, e os efeitos da sua variação,
uG. Sendo uG=UG=10V e considerando que urZ<<VZ,
U G  VZ
iR 2  I R 2  5mA
R2
Pela divisão potenciométrica da tensão uG, obtém-se
50 1000
rZ / / RL 1050
uRL  uG  u
R2  rZ / / RL 50 1000 G
1000 
1050
=0.0455uRL
e finalmente
uRL
 0.0455
uG

R2 uR2 R2 UR2 R2 uR2


1k 1k 1k
IR2
Sw Sw Sw
uG=UG+uG UG
m2
2 iZ
2
IZ uG 2
iZ
VZ RL VZ RL
uZ UDZ UZ uZ RL uRL
uDZ rZ rZ uDZ rZ
iDZ IDZ iDZ

0 0 0

c) Estime u10/uG, quando uG é da forma uG=10V+uG e iD=IS(exp(uD/uT)-1),


sendo uT=26mV.

iD ID iD uT 26mV
uD UD D uD rD  
D
rD ID ID
UG
m1 1 1 uG 1
uG=UG+uG
R1 uR1 R1 UR1
R1 uR1
1k 1k 1k
0

Pela aplicação das leis dos circuitos, facilmente se concluirá que os valores de ID e UD no
díodo deverão ser solução do sistema não linear de equações
U G  U D  R1  I D

  Uu D 
I
 D  I  e T
 1 
S
 
  

Uma boa aproximação à caraterística exponencial de um díodo na proximidade da


solução, consiste em admitir que a corrente pode crescer no sentido para infinito sno
sentido de UD, sem que UD≈V se altere. No caso do silício V =0,6V, concluindo-se que,
como se obteve na tabela, ID=9,4mA.

Num circuito linear, e em resultado da aplicação do princípio da sobreposição, o valor de


qualquer variável DC sujeita a uma dada perturbação é o resultado da soma de valores
assumidos por essa variável em dois subcircuitos: um, onde estão só as componentes DC,
e o outro onde estão só as perturbações. Assim, no caso da Fig. acima, para o circuito
onde estão apenas as componentes incrementais associadas à perturbação uG, facilmente
se obtém

R1
u10  uG
R1  rD
uT 26mV
Uma vez que rD    2, 77 , ter-se-á
I D 9, 4mA
u10 1000
  0,9972
uG 1002, 77

Exemplos de decomposição de circuitos simples sujeitos a perturbação

i=I+
i i=I
u u u=0
UG i
i=I+i I i
UG u=U+u
R
U u
u  UG u  0 R R
Relação de constituição:
Relação de constituição:
i=0 i
1
u  i  i  G U  u   i  I  GU , i  Gu
u=U+u U IG R
IG

Relação de constituição: i  iG i  0 i


i=I+i I
u=U+u U u
rD
i=I+
i i=I i
u=U+u UG u u Relação de constituição:
UG uG
uG
 u   di  I  IS
i  I S  e uT  1  i   u  i  g D u, gD 
   du U , I uT
Relação de constituição: u  U u u  u  
G G G

d) Sobre o gráfico da Fig. 2 trace u10(t) e u20(t) (Sw aberto) quando a tensão da
fonte uG(t) é periódica com a forma que se indica. Considere a aproximação
V=0 e rZ=0.
Quando uG>0, o díodo D está polarizado diretamente sendo uD=0. Neste caso, por aplicação
da lei das malhas relativamente à malha 1 facilmente se conclui que u10=uG. Quando uG<0,
díodo D está inversamente polarizado e a corrente iR1=iD=0, e, portanto, u10=uR1=0.

Quando uG<0, o díodo DZ está diretamente polarizado sendo uDZ=0. Neste caso, por
aplicação da lei das malhas relativamente à malha 2 facilmente se conclui que u20=0.
Quando uG>0, díodo DZ está inversamente polarizado podendo ter duas regiões de
funcionamento:
1) Díodo off, iDZ=0 e u20=uZ=uG.
2) Díodo na disrupção de zener, u20=uZ=VZ=5V.
5V
u10

u20 u20
u10

20ms Fig.2

II- Pretende-se verificar se a porta NOT de tecnologia RTL, com RD=1k e com a relação de
transferência abaixo indicada, cumpre a norma TTL dada por VIL=0,8V, VOL=0,4V, VIH=2V,
VOH=2,4V.

a) Trace UO(t) correspondente a UI(t) da figura e atribua-lhe o valor lógico (“0”,”1”,”X”)


correspondente. Determine a margem de ruído superior considerada por esta norma.
NMH=VOH-VIH=2,4V-2V=0,4V

UO(V)5 UI(t) (V) 5


VDD
UI2 “1” “1”
4 RD
3 Uo2 “1”
VOH 2,5
2 UI
UO
1 “x”
VOL
0 0
0 1 2 3 4 5 0 0,5 1 1,5 2
Tempo (ms) 0
UI(V)

b) (i) Determine a tensão de limiar Vt do transístor.


Vt=1,5V

(ii) Trace os andamentos de UO(t) correspondentes


aos sinais UI1(t) e UI2(t) da figura. 5V

UI1 UO2=2V
2,5V
UI2
UO1 UO1=0V
0V
0 0,5 1 1,5 2
(iii) Quais os ganhos de tensão Tempo (ms)

0 2V
GV 1   U O / U I U 0
  0 GV 2   U O / U I U 2,5V   2 .
I
1V I
1V
c) Determine UO na condução do transistor MOS, caso RDS_on=100? Qual o valor lógico
dessa tensão?
VDD

RD
D

G RDS _ on
S
RDS _ on 100 U I  Vt UO
UO   VDD   5V  0.4545V 
RD  RDS _ on 1000  100
 0, 4V  VOL  U O  VOH  2, 4V

0
Modelo da porta lógica quando UI>Vt

O valor lógico de UO é “x”.

d) Desenhe, na lógica RTL, o esquema eléctrico da porta y=x1.x2+x3

VDD=5V

Esta função lógica é equivalente a y  x1.x2  x3 .


Significando isto que, para obter o zero na saída, y=0, R
isto é para obter um caminho de curto-circuito da saída
y para a massa, deverá garantir-se que x1 e x2 estejam y
a 1 ou que x3 esteja a 1.

x1 x3

x2