UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD

Electrónica Análoga 243006

Fase 3

Unidad 3:
Fase 3

Implementar el elemento de control y la protección contra corto circuito

Presentado por:

Esneider Alexander Canencio Dominguez Cód. 80798930

Fredy Alexander Zamudio Cód. 1073599505

Ferley Reyes Riveros Cód.79961598

Presentado a:

John Jairo Leiva

Grupo: 243006_36

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería

Electrónica análoga

Noviembre 26 de 2017

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Fase 3

INTRODUCCION

En esta fase se debe diseñar e implementar el elemento de control y protección contra un corto
circuito, como bien sabemos se denomina cortocircuito a la unión de dos conductores o partes de un
circuito eléctrico, con una diferencia de potencial o tensión entre sí, sin ninguna impedancia eléctrica
entre ellos.
Para implementar dicho control debemos conocer y comprender adecuadamente los principios de
funcionamiento y aplicación de dispositivos semiconductores como son los amplificadores
operacionales para el desarrollo y mantenimiento de sistemas electrónicos análogos.
Por ende en el transcurso de esta unidad aprenderemos sobre dicho elemento de control y
protección mediante los siguientes temas: teoría de amplificadores operacionales, circuitos básicos,
circuito de propósito especial.

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Actividades a desarrollar

El elemento de control

El amplificador operacional no tiene la propiedad de poder manejar grande corrientes en su salida es

por ello que al diseñar un circuito regulador de tensión se emplean transistores como elementos para
el control de la carga, los transistores ofrecen la solución para lograr tener corrientes altas en la
carga.
Para el diseño de la fuente de alimentación se solicita se emplee un transistor Darlington y en las
librerías de componentes de PSpice se cuenta con el transistor Darlington cuyo número de
referencia es 2N6059 es necesario comprobar si este transistor es adecuado usarlo en el diseño del
regulador serie teniendo en cuenta los parámetros de la hoja de características dada por el
fabricante frente a los requerimientos del diseño.

3.1 De la hoja característica del Transistor 2N6059 completar la siguiente tabla:

Ic Hfe Vceo Ptot IB

12 A 100 100 v 150 w 0.2 A

3.2 Teniendo en cuenta que se requiere una corriente de carga IL= 720mA y se conoce
también el voltaje de salida regulado calcular el valor de la resistencia de carga RL

𝑉𝑙 = 𝐼𝑙 . 𝑅𝑙
10 𝑣 = 720 𝑚𝐴 . 𝑅𝑙
10 𝑣
𝑅𝑙 =
0,72 𝐴
𝑹𝒍 = 𝟏𝟑, 𝟖𝟖 Ω

3.3 con el objetivo de conocer si el transistor 2N6059 soporta la potencia que se disipara para
una corriente de carga de 720mA o calcular el valor de la potencia disipada en el transistor
teniendo en cuenta las siguientes formulas:

PD= VCE ∙IL VCE = VS - Vsal

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𝑃𝐷 = 𝑉𝐶𝐸 ∗ 𝐼𝑙
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑠 − 𝑉𝑠𝑎𝑙
DATOS:

Il= 720 mA
VS = 18,6 v
Vsal = 7v
𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟖, 𝟔 𝒗 − 𝟏𝟎 𝒗 = 𝟖, 𝟔 𝒗
Ahora hallamos el PD
𝑃𝐷 = 𝑉𝐶𝐸 ∗ 𝐼𝑙
𝑷𝑫 = 𝟖, 𝟔 𝒗 ∗ 𝟕𝟐𝟎 𝒎𝑨 = 𝟔, 𝟏𝟗𝟐 𝒘

PD

𝟔, 𝟏𝟗𝟐𝒘𝒕𝒔

3.4 Luego ya se puede afirmar si el transistor 2N6059 es apto para usarse en la práctica o no
“justifique su respuesta”:

Si No

El transistor se puede utilizar para la práctica, ya que el valor hallado es inferior al soportado por este
mismo, cuya potencia máxima puede ser hasta de 150 w.

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La protección contra corto circuito

Finalmente con el objetivo de proteger los dispositivos que conforman la fuente de alimentación es
necesaria la implementación de alguna técnica de protección contra corto circuito, es por ello que se
usara el arreglo de limitación constante de corriente el cual para este diseño se limitará a 900 mA la
máxima corriente a circular en la carga ISL
Para una corriente máxima de 900mA. Para que la resistencia Rlim active la base del transistor
2N2222 se necesita que el voltaje de base-emisor sea de 0,7 voltios, entonces la caída de voltaje en
Rlim debe ser de 0,7 voltios, cuando la corriente se aproxime a los 900mA.
𝑉𝑅𝑙𝑖𝑚 = 0,7 𝑣 𝐼𝑅𝑙𝑖𝑚 = 0,9 𝐴
0,7 𝑣
𝑅𝑙𝑖𝑚 =
0,9 𝐴
𝑅𝑙𝑖𝑚 = 0,77 𝛺

Una resistencia comercial seria de 0,5 𝛺 a 5 watss

3.6. Explique cómo funciona esta técnica de protección y cuál es su principal desventaja.
Esta Técnica permite controlar la carga del circuito, cuando se excede una carga determinada, el
circuito no permite el paso de corriente, lo que evita el daño de los demás componentes.
Mientras la corriente de la carga se mantiene por debajo de los 720 mA, el transistor Darlington se
mantiene en zona activa, transfiriendo toda la potencia a la resistencia de carga. En el momento en
que la resistencia de carga es nula o consume más potencia de la permitida, la corriente que
suministra la fuente se eleva por encima de los 720 mA, lo que conlleva a que la corriente en la
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resistencia Rlim, se eleve y al mismo tiempo la caída de tensión en la misma se eleva lo que hace
que el voltaje base-emisor del transistor 2n2222 sea de 0,7 voltios. En consecuencia el transistor
2n2222 entra en saturación permitiendo que la poca corriente que sale del operacional se desvié
hacia el colector, impidiendo activar la base del transistor Darlington, llevándolo a la región de corte
para impedir que se suministre mas potencia a la salida de la fuente.

La principal desventaja es que la potencia generada puede ocasionar que se genere un corto en el
transistor de paso.
SIMULACIÓN

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CONCLUSIONES

 Se estudian y comprenden con claridad los temas referentes la teoría de amplificadores

operacionales, circuitos básicos y circuitos de propósito especial.

 Con el anterior trabajo logramos calcular la protección contra cortocircuitos y el elemento de

control que en este caso será el transistor Darlington 2N6059 y la protección contra
cortocircuitos utilizando el método de limitación de corriente lo cual se adapta
satisfactoriamente a nuestra fuente.

PARTICIPACIONES EN FORO

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BIBLIOGRAFIA

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de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=136&docID=110131
54&tm=1482099944106