República Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educación

Universidad Nacional Experimental Politécnica

"Antonio José de sucre"

Vice-rectorado "Luis Caballero Mejías"

Núcleo Guarenas

Practica nro 3

Prof. Integrantes:

Miguel Ovalles Carlos Vegas exp 2011200292

 Freddy Parra exp
2007100263

DESARROLLO EXPERIMENTAL

EXPERIMENTO 1 IDENTIFICACIÓN FÍSICA DEL TRANSISTOR.

a) Con el multímetro identifique las terminales y el tipo de transistor de los

solicitados en la práctica, posteriormente dibuje cada terminal.

Transistor 2N3902 Transistor 2N3905 Transistor 2N2222

 Desde el punto de vista de la parte plana del transistor la patica del lado
derecho es el colector el centro la base y el lado izquierdo el emisor.

EXPERIMENTO 2 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR NPN.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 2.

 El primer circuito es del transistor NPN 2N2222.

  El segundo circuito es del transistor NPN 2N3903.

b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potenciómetro R1

con la perilla a su valor mínimo, posteriormente haga incrementos en el orden
de 500 Ω; para cada incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar
al valor máximo del potenciómetro.

a) Medidas para el transistor 2N2222.

POTENCIÓMETRO 0 500 1000 1500 2000 2500

(OHM)
IE (MA) 38.7 1.65 0.83 0.55 0.41 0.31

IC (MA) 29.7 1.64 0.83 0.55 0.41 0.31

b) Medidas para el transistor 2N3903.

POTENCIÓMETRO 0 500 1000 1500 2000 2500

(OHM)
IE (MA) 38.4 1.61 0.81 0.54 0.41 0.32

IC (MA) 29.6 1.61 0.81 0.54 0.40 0.32

c) Construya una tabla y grafique los resultados con ejes R1 vs IE y R1

vs IC.
EXPERIMENTO 3 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR PNP.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 3.

b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potenciómetro

R1 con la perilla a su valor mínimo, posteriormente haga incrementos en
el orden de 500 Ω, a cada incremento mida las corrientes IE e IC, hasta
llegar al valor máximo del potenciómetro.

 Transistor PNP 2N3905.

POTENCIÓMETRO 0 500 1000 1500 2000 2500

(OHM)
IE (MA) 41.1 1.60 0.82 0.55 0.42 0.34

IC (MA) 29.8 1.60 0.82 0.55 0.42 0.34

c) Ajuste el potenciómetro R1 con la perilla a su valor mínimo, obtenga los

Parámetros de polarización de emisor máxima, mida VEB, VCB y VCE, anote
Sus resultados.
 Vbe (v) 1.49

Vbc (v) -0.56

Vec (v) 0.93

c) Retire la fuente V2 y obtenga el valor de ICBO.

 Se procedió a retirar la fuente V2 de 6v, (fuente colector común),

se observó que bajo considerablemente la corriente que se
encuentra entre la base y el colector que marco un 5.91mA.

EXPERIMENTO 4 TRANSISTOR REGIÓN CORTE Y SATURACIÓN

a) Construya el circuito de la figura 4.

a) Calcule el valor de las resistencias de polarización RC y RB.

 Variando la resistencia de base (Rb)

Rb 200K 100K 10K 800 400 220 10

(ohm)
Rc 220 220 220 220 220 220 220
(ohm)
Ib 0.02 0.05 0.52 5.94 10.9 17.4 57.6
(mA)
Ic (mA) 5.78 10.8 47.5 47.8 47.8 47.9 47.9

Vbc (v) -10 -8.90 -0.75 -0.23 0.18 0.71 3.96

Vbe (v) 0.70 0.72 0.81 1.25 1.65 2.18 5.42

Vce (v) 10.7 9.62 1.55 1.48 1.47 1.47 1.46

 Variando la resistencia de colector (Rc)

 Rb 220 220 220 220 220 220 220
(ohm)
Rc 200K 100K 10K 800 400 220 10
(ohm)
Ib 17.4 17.4 17.4 17.4 17.4 17.4 17.2
(mA)
Ic (mA) 0.06 0.12 1.20 14.4 27.8 47.9 297

Vbc (v) 2.15 2.15 2.12 1.72 1.31 0.71 -6.79

Vbe (v) 2.16 2.16 2.16 2.17 2.17 2.18 2.22

Vce (v) 0.01 0.01 0.04 0.45 0.86 1.47 9

 Podemos observar que mientras mayor sea la resistencia de base, el

transistor estará en saturación, porque la mayoría del voltaje se ve reflejado
en la conexión colector-emisor. Y mientras menor sea la resistencia de base,
el transistor entrará en estado de corto, porque el voltaje medido en la unión
colector-emisor es próximo a cero.

Al variar la resistencia de colector podemos observar que varía la corriente

que pasa por este, y mientras esta resistencia sea mayor que la resistencia
de base, el transistor estará en saturación.

EXPERIMENTO 5

a) Construye el circuito que se muestra en la figura 5.

f) Con el Multímetro mida los voltajes VBE, Vc y las corrientes IB e IC

para cada incremento de frecuencia.
 30Hz 40Hz 50Hz 60Hz 70Hz 80Hz 90Hz 100Hz

Vbe 8.12V 8.41V 8.12V 5.99V 8.12V 7.33V 8.12V 9.01V

Vc 12V 12V 12V 12V 12V 12V 12V 12V

Ib 91.6mA 95.3mA 91.6mA 65.1mA 91.6mA 81.8mA 91.6mA 103mA

Ic 129mA 132mA 129mA 105mA 129mA 120mA 129mA 138mA

CUESTIONARIO

1. Indique en que sección de las curvas de operación del transistor se

encuentran las zonas de saturación y de corte.

2. Explique porque en cada una de las curvas de operación del transistor

existe una relación de voltaje con respecto a la corriente.

El conjunto de salida relaciona una corriente de entrada con un voltaje de

salida para varios niveles de corriente de entrada, en la región activa hay un
efecto casi insignificante del voltaje en la corriente a través del colector, en la
región de corte se da un incremento exponencial de la corriente del colector al
incrementarse el voltaje hacia 0v y en la región de saturación a medida que se
incrementa el voltaje base a emisor, la corriente del emisor se incrementa en una
forma muy parecida a las características del diodo.

3. Indique cuales son los parámetros que se deben considerar para variar
la región de trabajo en un transistor.

Se deben de considerar 4 diferentes polarizaciones en la región de trabajo

de un transistor. Las 4 regiones son: Región activa directa, Región de saturación,
Región de corte y Región activa inversa.

4. Explique a que se le denomina corriente de fuga en un transistor.

Es la corriente inversa de saturación del diodo de colector cuando el

emisor está en circuito abierto, circula por el colector sin tener ninguna tensión o
excitación en la base, normalmente es pequeñísima y se le denomina corriente
minoritaria y se identifica con el símbolo Ico.

5. De las corrientes que circulan a través del transistor, ¿Cuál es la mayor,

cual es la menor y cuales son relativamente cercanas en magnitud?

La mayor de las 3 corrientes es la corriente del emisor, siendo esta la

suma de las otras 2 corrientes. La 2da corriente mas alta sera la corriente de
colector, para efectos practicos esta corriente se toma igual que la corriente de
emisor ya que estas 2 varian muy poco una de la otra. Dejando asi a la corriente
de base como la mas pequena de las 3, siendo casi despreciable con respecto
a las otras 2 ya mencionadas.

6. Explique cuál es la utilidad de conocer los puntos de operación del

transistor.

Es necesario saber donde se localizan estos puntos para saber las forms
en la que trabajara el transistor, para asi saber si la senal de entrada no se
perdera al estar el punto de trabajo muy cerca de la zona de saturacion o corte.

7. Explique en que consiste polarizar correctamente al transistor y

mencione cuantas configuraciones de polarización se pueden realizar.

Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario

polarizarlo correctamente. Para ellos se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y

- La juntura COLECTOR – BASE este polarizado inversamente.

Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con

respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje también positivo pero,
mayor que el de la base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo
contrario.

Se pueden realizar 3 configuraciones de polarización:

 Configuración en base común.

 Configuración en emisor común.
 Configuración en colector común.

Conclusión

El conocimiento teórico y práctico del funcionamiento de los transistores

y sus diferentes formas de polarización es esencial para el desarrollo de
un ingeniero, ya que un buen manejo en el área de la electrónica
analógica es vital para futuros proyectos o trabajos. Hoy en día disenar
un circuito requiere amplio conocimiento del trabajo del transistor, siendo
este uno de los pilares en el diseño y funcionamiento de muchos de los
artefactos electrónicos que utilizamos cotidianamente y que posee
necesarias y numerosas aplicaciones.