UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO

FACULTAD DE INGENIERÍA

MATERIA: LAB. DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS.

GRUPO: 2

TRABAJO PREVIO 5:
EL TRANSITOR BIPOLAR DE JUNTURA

ALUMNO: PÉREZ AGUILAR EDWIN

SEMESTRE: 2018-2

FECHA DE ENTREGA: 20 DE MARZO 2018

1.- Describa la construcción y funcionamiento de un transistor
bipolar de juntura.

El transistor de unión es un dispositivo electrónico de estado sólido

consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso
de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar
se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos),
y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante
baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas
aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un
solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De
esta manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente

dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que
esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del

colector.

 Colector, de extensión mucho mayor.

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras
dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del
colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en
un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del
semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E),
base (B) o colector (C), según corresponda.
Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN en
el cual se aprecia como la unión base-colector es mucho más amplia que
la base-emisor.

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está

compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta
resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi
imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar
de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque
mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran β.
2.-¿Cuantos tipos de transistores bipolares de juntura existen?
Dibuje su símbolo esquemático y el nombre de sus terminales.

NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las
letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro
de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores
bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del
electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operación.

PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y
"N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP,
debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de
las circunstancias.
3.- ¿Que significa el parámetro hFE = BCD?

Es la ganancia de amplificación que ofrece el transistor (ganancia de

corriente en corto circuito).

4.- Obtenga la hoja de especificaciones del transistor MPS3904.

5.- Simule el siguiente circuito y llene la tabla con los valores pedidos.
 VCE [V]

IB 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
[A]
5 -.44 -.44 -.46 -.47 -.49 -.505 -.52 -.52 -.54 -.56 -.57
0 7 1 6 3 8 2 7

10 -.99 -1 - - -1.1 -1.14 - -.12 - - -

1 1.04 1.07 1.17 0 1.24 1.27 1.31
15 - - - - - -1.83 - - - - -2.1
1.58 1.61 1.66 1.72 1.77 1.88 1.94 1.99 2.05

20 -2.2 - - - - -2.53 -2.6 - - - - IC

2.25 2.32 2.39 2.46 2.67 2.74 2.81 2.88 [mA]

25 - - - - - .3.27 - - - - -
2.85 2.89 2.99 3.08 3.17 3.36 3.46 3.55 3.65 3.74

30 -3.5 - - - - -4.09 - - - - -
3.56 3.67 3.79 3.94 4.24 4.39 4.54 4.69 4.84
35 -4.2 - - -4.5 - -4.77 -4.9 - - - -
4.23 4.37 4.63 5.04 5.17 5.31 5.44

40 -4.9 -4.9 - - - -5.54 -5.7 - - - -

5.06 5.22 5.38 5.86 6.02 6.18 6.34
Anote el valor de la corriente IC para los valores de IB y VCE correspondientes

* Para ajustar el valor de VCE ajuste el valor de VCC

MATERIAL

Transistor

1 MPS3904

Resistencias

de 10k a ½ Wat

2 de 1k a ½ Wat

2 de 220  a ½ Wat

1 potenciómetro de 1k

Tableta para proyectos

5 cables banana-caimán

5 cables caimán-caimán

3 cables BNC-caimán (Obligatorios)

Pinzas de corte y de punta

Alambre calibre 22