STUDI PENGARUH RASIO LAJU ALIR GAS ARGON

DAN NITROGEN TERHADAP SIFAT OPTIK FILM

TIPIS GALLIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN
DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING

Artikel
Disusun dalam rangka penyelesaian Studi Strata 1
untuk memperoleh gelar Sarjana Fisika S1
pada Universitas Negeri Semarang

Oleh

EKO SULASTRI (Astried)

NIM 4250401034

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG
2006
 PERSETUJUAN PEMBIMBING

Skripsi ini telah disetujui oleh pembimbing untuk diajukan ke sidang ujian

skripsi Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas

Negeri Semarang.

Semarang, 22 Februari 2006

Pembimbing I Pembimbing II

Dr. Sugianto, M.Si. Dr. Putut Marwoto, M.Si.

NIP. 132046850 NIP. 131764029

ii
 PENGESAHAN KELULUSAN

Skripsi ini telah dipertahankan di dalam sidang ujian skripsi Jurusan Fisika

Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang

pada :

Hari : Rabu

Tanggal : 1 Maret 2006

Ketua, Sekretaris,

Drs. Kasmadi I.S., M.S. Drs. M. Sukisno, M.Si.

NIP. 1307811011 NIP. 130529522

Pembimbing I Penguji I

Dr. Sugianto, M.Si. Dra. Pratiwi Dwijananti, M.Si.

NIP. 132046850 NIP. 131813654

Pembimbing II Penguji 1l

Dr. Putut Marwoto, M.S. Dr. Sugianto, M.Si

NIP.131764029 NIP. 132046850

Penguji III

Dr. Putut Marwoto, M.S.

NIP. 131764029

iii
iv
 PERNYATAAN

Saya menyatakan bahwa yang saya tulis dalam skripsi ini benar-benar

merupakan hasil karya saya. Pendapat atau temuan orang lain yang terdapat dalam

skripsi ini dikutip atau dirujuk berdasarkan kode etik ilmiah.

Semarang, 22 September 2006

Penulis

Eko Sulastri
NIM. 4250401034

iv
 MOTTO DAN PERSEMBAHAN

“Jangan terlalu berharap pada sesuatu tapi bersungguh-sungguhlah dalam

mengerjakan sesuatu niscaya kamu akan mendapat balasanNya”
“Hidup adalah proses”
“Perubahan adalah pasti, jangan pernah takut pada perubahan
karena waktu akan terus berjalan”

Skripsi ini kupersembahkan sebagai wujud ketaqwaanku kepada ALLAH SWT.

Sebagai wujud rasa hormat dan baktiku teruntuk kedua orang tuaku atas pengorbanan dan
cucuran keringatnya serta segala ilmu yang telah beliau berikan, hingga aku bisa seperti sekarang
dan sampai hari ini, kalianlah guru pertamaku, karya ini belumlah seberapa dibanding
pengorbananmu “ibu”.
Sebagai ungkapan rasa sayang dan terima kasihku kepada guru-guruku, semua makhluk yang
telah mengajarkan banyak hal kepadaku meskipun hanya satu huruf, untuk saudara-saudaraku
terima kasih atas dorongan semangat yang telah kalian berikan selama ini
dan untuk generasi penerusku semoga karya ini bisa bermanfaat.

v
vi
 KATA PENGANTAR

Segala puji hanya bagi Allah SWT, tiada kesombongan yang patut kita

lakukan karena kesempurnaan hanya milik Allah. Rahmat Allah yang telah

dilimpahkan kepada penulis, sehingga dapat menyelesaikan tugas akhir dengan judul

”STUDI PENGARUH RASIO LAJU ALIR GAS ARGON DAN NITROGEN

TERHADAP SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALLIUM NITRIDA YANG

DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING.

Penulis menyadari bahwa dalam penulisan tugas akhir ini tak terlepas dari

bantuan tenaga, pikiran, sarana dan dana dari berbagai pihak. Oleh sebab itu penulis

sampaikan rasa terimakasih yang tulus kepada:

1. Dr. Sugianto, M.Si., sebagai pembimbing I yang telah banyak memberikan

bimbingan, arahan dan koreksi hingga terselesaikannya skripsi ini;

2. Dr. Putut Marwoto, M.Si., sebagai pembimbing II yang telah banyak

membimbing, mengoreksi dan memberikan saran dalam penulisan ini;

3. Dra. Pratiwi Dwijananti, M.Si, sebagai penguji skripsi yang telah banyak

memberikan koreksi terhadap tulisan ini;

4. Drs. Kasmadi Imam S., M.S., Dekan FMIPA Universitas Negeri Semarang;

5. Drs. M. Sukisno, M.Si., ketua jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri

Semarang;

6. Drs. Suharto Linuwih, M.Si., atas kesabarannya selama ini membimbing kami,

anda telah mengajarkan banyak hal tentang hidup ini;

vi
 7. Direktorat Jenderal Pendidikan Tinggi Departemen Pendidikan Nasional

melalui Proyek Peningkatan Penelitian Pendidikan Tinggi ( hibah bersaing XI )

yang telah membiayai penelitian ini;

8. Drs. Hadi Susanto, M.Si, kepala laboratorium Fisika FMIPA UNNES yang

telah memberikan kemudahan dalam peminjaman peralatan laboratorium;

9. Wasi Sakti W.P, S.Pd dan bu Wied, terima kasih atas bantuan dan pelayanan

kepada penulis;

10. Bapak, Ibu dan saudara saudaraku tercinta yang telah memberikan bantuan

moral dan material kepada penulis;

11. “Spesial my friend” crew material laboratory ‘papa Hexi, mama Novi, roha

chayang, Dodowi dan teman-teman di Laboratorium Magnetik “ Pakde Zein,

Taqin, ajiek, billy, kang wariin, purwo, rizal, Topic dan Pak Dika yang makasih

atas semua senyum dan semua yang telah kalian berikan selama ini;

12. Buat Rina, Ariek, Wiyono, Ratih, Yuyun, Nyit2, Aina, Yani, Leli, ani dan

semua angkatan ’01 terima kasih atas kebersamaannya selama ini.

13. Semua pihak yang telah membantu dalam penulisan skripsi ini.

Penulis menyadari bahwa skripsi ini jauh dari sempurna. Penulis berharap

semoga skripsi ini bermanfat bagi penulis khususnya dan pembaca pada umumnya.

Semarang, 22 Februari 2006

Penulis

vii
 Abstrak

Gallium nitrida (GaN) merupakan bahan semikonduktor yang mempunyai celah

pita energi langsung (direct bandgap) besarnya 3,4 eV sehingga berpotensi untuk
aplikasi piranti optoelektronik seperti LD (laser diode) dan LED (light emitting
diode) warna hijau-biru.
Film tipis GaN telah ditumbuhkan di atas substrat safir (0001) dengan metode
dc magnetron sputtering. Proses penumbuhan film tipis GaN dilakukan pada
temperatur substrat 650 oC, daya sekitar 60 watt dan tekanan reaktor sekitar 1 Torr
selama 3 jam. Empat buah sampel film tipis GaN telah ditumbuhkan dengan rasio
laju alir gas argon dan nitrogen (Ar : N2) divariasi sebagai berikut: (90 : 0); (90 : 70);
(60 : 60) dan (40 : 70) sccm. Film tipis GaN dikarakterisasi struktur kristalnya dengan
EDAX dan XRD, sedangkan sifat optik film tipis GaN dikarakterisasi dengan
spektrometer UV-vis
Hasil karakterisasi film tipis GaN dengan EDAX dan XRD menunjukkan
kondisi optimal untuk penumbuhan film tipis GaN dicapai pada saat rasio Ar : N2
sama yaitu 60 : 60 sccm. Persentase atom Ga : N = 42,88 % : 57,12 %. Film tipis
GaN mempunyai struktur heksagonal tumbuh dominan pada orientasi bidang (0002)
sejajar bidang substrat safir (0001). Besarnya FWHM (full width at half maximum)
GaN (0002) sekitar 0,4o, ukuran butiran film tipis GaN tersebut sekitar 217,43 Å dan
kerapatan dislocationnya kecil sekitar 2,115.10-5 (Å)-2, menunjukkan jumlah cacat
dalam film.
Hasil karakterisasi dengan spektrometer UV-vis menunjukkan bahwa pada
umumnya film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan aliran gas nitrogen selama
penumbuhan mempunyai trasmitansi yang lebih baik dibandingkan dengan film tipis
GaN yang ditumbuhkan tanpa aliran gas nitrogen. Film tipis GaN yang ditumbuhkan
dengan rasio laju alir Ar : N2 = 60 : 60 sccm mempunyai celah pita energi (bandgab)
yang terbesar dan energi urbach terendah dibandingkan dengan sampel lain hasil
eksperimen ini.
Rasio laju alir gas argon dan nitrogen pada penumbuhan film tipis GaN dengan
metode dc magnetron sputtering menentukan arah orientasi penumbuhan film tipis
GaN, kualitas kristal dan sifat optik film tipis GaN.

Kata kunci : Film tipis GaN, dc magnetron sputtering, FWHM, Celah pita energi
(bandgab), energi urbach,

viii
 DAFTAR ISI

HALAMAN JUDUL ....................................................................................... i

PERSETUJUAN PEMBIMBING ................................................................... ii
PENGESAHAN KELULUSAN ..................................................................... iii
PERNYATAAN .............................................................................................. iv
MOTTO DAN PERSEMBAHAN .................................................................. v
KATA PENGANTAR .................................................................................... vi
ABSTRAK ...................................................................................................... viii
DAFTAR ISI ................................................................................................... ix
DAFTAR TABEL ........................................................................................... xi
DAFTAR GAMBAR ...................................................................................... xii
DAFTAR LAMPIRAN ................................................................................... xiii

BAB I PENDAHULUAN .............................................................................. 1

1.1 Latar Belakang ........................................................................... 1
1.2 Rumusan Masalah ....................................................................... 5
1.3 Tujuan Penelitian ........................................................................ 6
1.4 Manfaat Penelitian ...................................................................... 6
1.5 Sistematika Skripsi ...................................................................... 6

BAB II KAJIAN PUSTAKA ......................................................................... 8

2.1 Material GaN .............................................................................. 8
2.2 Cacat Kristal ................................................................................ 10
2.3 Sifat Optik Film Tipis GaN ......................................................... 11
2.4 Band tail ...................................................................................... 15
2.5 Sputtering..................................................................................... 17
2.6 Plasma .......................................................................................... 18

BAB III METODE PENELITIAN ................................................................ 20

3.1 Pelaksanaan Eksperimen ............................................................. 22
3.1.1 Pembuatan Target GaN ..................................................... 22
3.1.2 Preparasi Substrat ............................................................. 22
3.1.3 Penumbuhan Lapisan Film Tipis GaN ............................. 23
3.2 Karakterisasi Film Tipis GaN ..................................................... 25
3.2.1 EDAX ............................................................................... 25
3.2.2 XRD .................................................................................. 26
3.2.3 Spektrometer UV-vis ......................................................... 26
3.3 Metode Analisis Data .................................................................. 27
3.3.1 Kandungan Unsur Film Tipis GaN ................................... 28
3.3.2 Struktur dan Orientasi Kristal Film Tipis GaN.................. 28
3.3.3 Sifat Optik Film Tipis GaN ............................................... 29
BAB IV HASIL PENELITIAN DAN PEMBAHASAN ............................... 31
4.1 Hasil Analisis Karakterisasi Film Tipis GaN dengan EDAX ..... 32
4.2 Hasil Analisis Struktur dan Orientasi Kristal dengan XRD......... 35

ix
 4.3 Hasil Analisis Sifat Optik Film Tipis GaN .................................. 42
BAB V SIMPULAN DAN SARAN .............................................................. 49
5.1 Simpulan ..................................................................................... 49
5.2 Saran ........................................................................................... 50

DAFTAR PUSTAKA ..................................................................................... 51

Lampiran ......................................................................................................... 54

x
 DAFTAR GAMBAR

Gambar 2.1. Struktur sel satuan kubik (zincblende) dari GaN ....................... 9

Gambar 2.2. Struktur sel satuan heksagonal (wurtzite) dari GaN................... 9

Gambar 2.3. Fluktuasi random secara acak pada tepi pita akibat adanya

pengotor secara acak ................................................................ 16

Gambar 2.4. Proses sputtering pada permukaan target .................................... 17

Gambar 3.1. Diagaram alir penelitian penumbuhan film tipis GaN di atas

substrat safir dengan metode dc magnetron sputtering............... 21

Gambar 3.2. Sistem reaktor dc magnetron sputtering ..................................... 24

Gambar 4.1. Spektrum energi hasil karakterisasi film tipis GaN dengan

menggunakan EDAX ................................................................. 33

Gambar 4.2. Spektrum hasil karakterisasi target GaN dengan XRD............... 36

Gambar 4.3. Spektrum hasil XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan

perbedaan rasio laju alir gas Ar dan N2 ....................................... 37

Gambar 4.4. FWHM dari film tipis GaN ......................................................... 41

Gambar 4.5. Grafik transmisi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan

perbedaan rasio laju alir gas Ar : N2 hasil karakterisasi dengan

spektrometer UV-vis ................................................................... 43

Gambar 4.6. Grafik absorpsi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan

perbedaan rasio laju alir gas Ar : N2 hasil karakterisasi dengan

spektrometer UV-vis ................................................................... 45

Gambar Foto reaktor dc magnetron sputtering......................................... 55

xii
xiii
 DAFTAR LAMPIRAN

Lampiran 1. Data JCPDS (02-1078) Gallium Nitrida (GaN) .......................... 54

Lampiran 2. Foto alat penumbuhan film tipis GaN ......................................... 55

Lampiran 3. Data hasil pengukuran dengan spektrometer UV-vis GaN ......... 56

xiii
 DAFTAR TABEL

Tabel 3.1. Daftar spektrum XRD dari GaN ..................................................... 29

Tabel 4.1. Penumbuhan film tipis GaN pada substrat safir (0001) dengan

perbedaan rasio laju alir gas argon dan nitrogen ............................ 31

Tabel 4.2. Hasil karakterisasi film tipis GaN dengan EDAX .......................... 34

Tabel 4.3. Daftar spektrum XRD GaN ............................................................ 36

Tabel 4.4. FWHM puncak GaN (0002) .......................................................... 40

Tabel 4.5. Ukuran butiran GaN (0002) ............................................................ 42

Tabel 4.6. Hasil karakterisasi sifat optik film tipis GaN dengan pengukuran

melalui spektrometer UV-vis.......................................................... 47

Tabel Data JCPDS (02-1078) Gallium Nitrida (GaN).............................. 54

xi
 1

BAB 1

PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang

Teknologi semikonduktor telah mengalami kemajuan besar baik dalam hal

penemuan bahan baru maupun teknik pembuatannya. Hal tersebut mendorong untuk

melakukan penelitian lebih lanjut mengenai bahan-bahan semikonduktor. Penelitian

dilakukan untuk mendapatkan bahan-bahan semikonduktor yang berkualitas baik

daripada bahan-bahan semikonduktor sebelumnya. Bahan-bahan semikonduktor

sangat potensial diaplikasikan pada piranti elektronik dan optoelektronik.

Bahan semikonduktor silikon (Si) dan germanium (Ge) telah digunakan sejak

dahulu, namun sekarang ini bahan semikonduktor paduan seperti gallium arsenida

(GaAs) dan semikonduktor paduan golongan III – V lainnya telah mendominasi

untuk pembuatan piranti elektronik daya tinggi dan kecepatan tinggi sekitar 1- 2 GHz.

Saat ini telah dikembangkan suatu transistor HEMT’s (high electron mobiliy

transistor) dibuat dari semikonduktor yang memiliki celah pita energi (band gap

energy) lebar yaitu gallium nitrida (GaN) (Green, 2001).

Seiring dengan kemajuan teknologi dan meningkatnya kebutuhan pasar akan

piranti elektronik dan optoelektronik, maka penelitian rekayasa bahan untuk

pembuatan piranti elektronik dan optoelektronikpun mulai digarap dengan sangat

serius. Penelitian yang dilakukan tidak hanya mencakup kualitas bahan, tetapi juga

penghematan bahan tanpa mengurangi kualitas bahan yang dihasilkan. Usaha untuk
 2

melakukan penghematan bahan tersebut dilakukan dengan menciptakan piranti

elektronik dan optoelektronik yang praktis, multifungsi dan berukuran mikro yang

lebih praktis mudah dalam penggunaan dan penyimpanannya. Salah satu teknologi

penumbuhan bahan semikonduktor yaitu dengan teknologi penumbuhan film tipis.

Film tipis adalah suatu film yang sangat tipis dari bahan organik, inorganik,

metal maupun campuran metal organik yang memiliki sifat-sifat konduktor,

semikonduktor maupun isolator. Film tipis yang dibuat dengan teknik penumbuhan

atom atau partikel pada permukaan substrat dengan ketebalan sampai orde

mikrometer semakin banyak diteliti dan dimanfaatkan. Sifat umum film tipis dari

suatu bahan berbeda dengan bahan padatan, karena proses preparasi (misalnya:

evaporasi, sputtering), geometri (ukuran panjang, tebal dan lebar) komposisi dan

stukturnya (Atmono, 2003). Sifat-sifat film tipis yang ditumbuhkan dapat

dimodifikasi sesuai dengan tujuan penerapannya.

Material golongan III-nitrida seperti AlN (6,2 eV), GaN (3,4 eV), dan InN

(1,95 eV) merupakan trio semikonduktor yang unik karena material tersebut

mempunyai celah pita energi langsung (direct bandgap) (Keller et al., 2001). Apabila

di antara mereka membentuk semikonduktor paduan seperti ternary AlxGa1-xN,

InxGa1-xN dan quarternery InGaAlN maka celah pita energinya dapat diatur mulai

1,95 eV hingga 6,2 eV. AlxGa1-xN merupakan material paduan penting dalam piranti

nitrida, khususnya sebagai lapisan penghalang (barrier) dalam struktur-hetero dan

sumur kuantum dengan lapisan aktif GaN atau InxGa1-xN. GaN dan paduannya telah

diaplikasikan pada piranti optoelektronik seperti LED (light emitting diode) (Eduardo
 3

et al., 2001), LD (laser diode) warna hijau-biru sampai ultraviolet (Sato et al., 2001)

dan diterapkan untuk membuat photodetector UV (ultraviolet) (Kuwabara et al.,

2001). Pada saat ini sedang dikembangkan LED warna putih dengan harapan dapat

menggantikan lampu penerangan dengan konsumsi daya listrik yang rendah

(Zukauskas et al., 2001).

Material GaN merupakan salah satu semikonduktor paduan golongan III–

nitrida yang menarik untuk diteliti karena mempunyai sifat unik dan banyak sekali

penerapannya. Material GaN mempunyai celah pita energi lebar, kecepatan saturasi

elektron tinggi dan memiliki celah pita energi langsung (direct bandgap).

Material GaN mempunyai keunggulan dibandingkan dengan material

semikonduktor yang telah dikembangkan sebelumnya seperti Si , GaAs dan SiC

yang telah mendominasi pembuatan piranti elektronik dan optoelektronik. Si dan

GaAs mempunyai celah pita energi sempit, sehingga kurang menguntungkan untuk

aplikasi piranti yang bekerja pada daya dan temperatur tinggi. Selain itu Si dan GaAs

juga mempunyai kecepatan saturasi elektron rendah sehingga kurang cocok

diterapkan untuk membuat piranti elektronik yang bekerja dengan daya tinggi,

sedangkan SiC merupakan material semikonduktor yang mempunyai celah pita energi

tidak langsung (indirect bandgap), energi yang digunakan oleh elektron untuk

berekombinasi, sebagian digunakan untuk osilasi kisi (fonon) (Wolfe et al., 1989),

sehingga kurang efektif ketika diaplikasikan pada piranti optoelektronik. Dengan

segala kelebihan dari GaN serta dapat diaturnya lebar celah pita energi GaN dan

paduannya dalam rentang panjang gelombang cahaya tampak hingga ultravioet,

 4

maka material berbasiskan GaN tersebut sangat menarik untuk dikembangkan lebih

lanjut.

Proses penumbuhan film tipis GaN dihadapkan pada beberapa kesulitan

antara lain masalah kerapatan elektron yang tinggi pada material nitrida yang

diakibatkan oleh kekosongan nitrogen (nitrogen vacancy) dan cacat kristal lainnya.

Salah satu akibatnya adalah sulit didapatkan GaN tipe-p. Masalah selanjutnya adalah

ketidaksesuaian konstanta kisi (lattice mismatch) antara substrat dengan material III-

nitrida yang cukup besar untuk proses epitaksi. Hal ini dikarenakan tidak tersedianya

substrat kristal tunggal GaN atau kristal tunggal lainnya yang berkualitas tinggi

dengan konstanta kisi yang sama. Seiring dengan usaha untuk mendapatkan film tipis

GaN yang berkualitas baik telah dikembangkan beberapa teknik penumbuhan kristal

modern.

Film tipis GaN pada umumnya ditumbuhkan dengan metode MOCVD

(metalorganic chemical vapor deposition) (Eduardo et al., 2001), MBE (molecular

beam epitaxi) (Kim, et al., 2000 MOVPE (metal – organic vapour phase epitaxy)

(Sato et al., 2001), MOMBE ( metalorganic moleculer beam epitaxy) (Eduardo et al.,

2001), HVPE (hybride vapor phase epitaxy) (Nakayama et al., 2000), dan rf-MBE

(radio frekuensi molecular beam epitaxy) (Nishio et al., 2000).

Pada penelitian ini film tipis GaN ditumbuhkan dengan metode dc magnetron

sputtering yang membutuhkan biaya operasional jauh lebih murah dibandingkan

dengan metode lainnya. Selain itu dengan menggunakan metode sputtering ini,

operasionalnya lebih mudah, dapat menghasilkan film tipis dengan area penumbuhan
 5

yang luas, ketebalan lapisan film tipis dapat dikontrol dengan baik dan juga alat ini

tersedia di laboratorium fisika material jurusan fisika FMIPA UNNES. Reaktor dc

magnetron sputtering ini telah berhasil digunakan untuk penumbuhan film tipis

Ga2O3 (Sjahid, 2005) dan Ta2O5 (Wiyanto dkk., 2004). Penelitian ini dilakukan

bersama dengan penelitian yang dilakukan oleh Sugeng (2005).

Proses sputtering pada permukaan target yang terbuat dari bahan oksida dan

nitrida akan mengalami perubahan stoikiometri unsur–unsur yang terkandung dalam

film tipis selama proses penumbuhan di atas substrat (Mahony, 2002). Unsur yang

lebih ringan (gas) akan mudah menguap. Ketika target GaN tersputter pada proses

penumbuhan film tipis GaN, unsur nitrogen yang terkandung dalam film tipis GaN

akan berkurang sehingga kandungan unsur dalam film tipis tidak stoikiometri. Untuk

mengimbangi jumlah unsur nitrogen yang hilang, maka perlu ditambahkan gas

nitrogen ke dalam tabung reaktor (chamber) selama proses penumbuhan film tipis

GaN.

1.2. Rumusan Masalah

Permasalahan yang muncul dari uraian di atas adalah bagaimana pengaruh

perbedaan rasio laju alir gas argon dan nitrogen terhadap sifat optik film tipis GaN

yang ditumbuhkan pada substrat safir dengan metode dc magnetron sputtering. Sifat

optik yang dikaji meliputi transmisi dan absorpsi film tipis GaN. Data-data hasil

penelitian ini digunakan untuk menentukan besarnya celah pita energi (bandgap) dan

energi Urbach film tipis GaN tersebut.

 6

I. 3. Tujuan Penelitian

Tujuan penelitian ini adalah menumbuhkan film tipis GaN di atas substrat

sapphire dengan metode dc magnetron sputtering dan mempelajari sifat optiknya

untuk laju alir gas argon dan nitrogen yang berbeda.

1.4. Manfaat Penelitian

Penelitian ini bermanfaat untuk mengetahui cara penumbuhan dan

karakterisasi film tipis GaN serta mempelajari perbedaan karakteristik film tipis GaN

dengan parameter perbedaan rasio laju alir gas argon (Ar) dan nitrogen (N2), yang

selanjutnya dijadikan acuan pada proses pemumbuhan dan karakterisasi film tipis

GaN dengan metode dc magnetron sputtering selanjutnya, khususnya sifat optik film

tipis GaN pada teknologi untuk pembuatan piranti optoelektronik seperti LED (light

emiting diode).

1. 5. Sistematika Skripsi

Skripsi ini dimulai halaman judul, persetujuan pembimbing, pengesahan

kelulusan, pernyataan, motto dan persembahan, kata pengantar, abstrak, daftar isi,

daftar tabel, daftar gambar dan daftar lampiran. Latar belakang, rumusan masalah,

batasan masalah yang akan diteliti, tujuan penelitian, manfaat penelitian dan

sistematika skripsi diuraikan pada pendahuluan di bab I. Bab II membahas kajian

pustaka yang mendasari penelitian ini berisi penjelasan mengenai material GaN, cacat

kristal, sifat optik film tipis GaN, band tail, sputtering, Bab III membahas metode
 7

penelitian yang dilakukan meliputi alur penelitian, pembuatan target GaN, preparasi

substrat, penumbuhan lapisan tipis, karakterisasi film tipis GaN dan analisis data. Bab

IV fokus pada analisis dan pembahasan data hasil penelitian. Analisis dan

pembahasan hasil penelitian meliputi analisis dan pembahasan kandungan unsur,

struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN terhadap perbedaan rasio laju alir gas Ar

dan N2. Bab V berisi simpulan hasil penelitian yang telah dilakukan dan saran untuk

penelitian lebih lanjut. Bagian akhir skripsi ini adalah bagian penutup yang berisi

daftar pustaka bahan kajian pustaka dan lampiran hasil-hasil penelitian.

8
 8

BAB II

KAJIAN PUSTAKA

2. 1 Material GaN

Material GaN merupakan bahan semikonduktor paduan golongan III-

nitrida yang mempunyai celah pita energi langsung (direct bandgap). Jarak antar

atomik (atom tetangga terdekat) relatif kecil sehingga GaN mempunyai celah pita

energi sebesar 3,4 eV (Green, 2001).

Struktur kristal yang terbentuk oleh golongan III-nitrida secara umum

dibagi menjadi tiga, yaitu struktur zincblande, rocksalt dan wurtzite. Struktur GaN

kubik (zincblende) dihasilkan dari deposisi lapisan tipis secara epitaksi pada

substrat kubik seperti GaAs, Si dan SiC. GaN struktur zincblende memiliki sel

satuan kubik yang mengandung empat atom Ga dan empat atom N. Struktur ini

memiliki kisi kubus pusat sisi (face center cubic). Masing-masing atom pada

struktur ini terletak di tengah-tengah sisi tetrahedron yang memiliki empat atom

tetangga terdekat yaitu atom-atom yang terletak di masing-masing sudut

tetrahedron. GaN struktur zincblende masing-masing atom Ga berikatan dengan

empat atom N tetangga terdekat, seperti ditunjukan pada Gambar 2.1. GaN

struktur kubik lebih menguntungkan untuk pembuatan piranti elektronik karena

sifat simetri dan tidak mengalami polarisasi spontan (Morkoc, 1999).

Film tipis GaN struktur kubik tidak stabil terhadap temperatur tinggi dan

lebih mudah mengalami cacat selama proses deposisi di atas substrat berlangsung

(Manasreh, 1997). GaN dengan struktur kristal wurtzite, masing-masing atom N

berikatan dengan empat atom Ga tetangga terdekat, seperti ditunjukan pada

 9

Gambar 2.2. GaN struktur wurzite memiliki sel satuan heksagonal. Masing-

masing sel satuan heksagonal memiliki 6 atom dan memiliki dua konstanta kisi,

yaitu a dan c.

a = Atom N

= Atom Ga

Gambar 2.1. Struktur sel satuan kubik (zincblende) dari GaN

(Pankove & Moustakas, 1998:170)

= Atom N
= Atom Ga

Gambar 2.2. Struktur sel satuan heksagonal (wurtzite) GaN

(Pankove & Moustakas, 1998:168)
 10

2. 2 Cacat Kristal

Sifat optik film tipis GaN dipengaruhi oleh berbagai hal antara lain: lebar

celah pita energi, ada tidaknya pengotor (impuritas) / kemurnian kristal dan cacat

kristal. Cacat kristal yang sering terjadi pada material semikonduktor khususnya

film tipis GaN adalah cacat titik (point defect) dan cacat garis (dislocation).

Dislokasi adalah cacat kristal yang terjadi karena bagian kristal bergeser kebagian

lain (Singh, 1993). Dislokasi yang sering terjadi disebabkan karena adanya

pergeseran ikatan kristal. Dislokasi dapat menyebabkan atom-atom terlepas dari

ikatan tetangga terdekatnya sehingga dapat menghasilkan deep level pada pita

energi. Deep level ini dapat menjadi perangkap elektron dan hole saat proses

rekombinasi pada pita energi (Singh, 1993), selain itu dislokasi juga dapat

menyebabkan terjadinya dangling-bond sehingga atom Ga bergerak ke posisi

(0,75 eV) di bawah pita konduksi minimum yang membentuk shallow gap,

sedangkan atom N menempati posisi (0,9 - 1,6 eV) di atas pita valensi maksimum

yang membentuk deep gap (Blumenau et al., 2000). Dislokasi pada film tipis GaN

terjadi pada batas butiran dengan sudut sangat kecil (Morkoc, 1999).

Cacat titik atau sering disebut cacat alami digolongkan menjadi tiga

macam, yaitu kekosongan (vacancy), self intertitial dan antisite. Kekosongan

ialah cacat kristal yang terjadi karena atom-atom tidak menempati posisi pada kisi

kristal sehingga posisi atom tidak terisi (kosong). Self intertitial adalah cacat

kristal yang disebabkan adanya penambahan atom-atom di antara kekisi kristal

yang terjadi secara spontan, sedangkan antisite adalah cacat kristal yang terjadi

apabila kation menempati posisi anion dan sebaliknya anion menempati posisi
 11

kation. Cacat asli dapat terjadi ketika ikatan semikonduktor putus atau rusak

(Morkoc, 1999).

Kekosongan merupakan cacat kristal yang terjadi secara alami pada film

tipis GaN. Kekosongan sering terjadi pada saat konsentrasi impuritas pada sampel

dua kali lebih kecil dari konsentrasi elektron, adanya kekosongan nitrogen

menyebabkan terjadinya autodoping. Kekosongan nitrogen dapat menyebabkan

elektron sub kulit 4s pada atom Ga yang mengandung dua elektron berada dekat

dengan pita konduksi dan elektron sub kulit 4p pada atom Ga yang mengandung

satu elektron berada di atas pita konduksi. Karena pada tingkat elektron sub kulit

4p beresonansi, maka elektron mengalami autoionisasi. Peristiwa autoionisasi

dapat menyebabkan kerusakan pada pita konduksi dan menyebabkan doping GaN

tipe-n (satu elektron per vacancy) (Morkoc, 1999). Kekosongan N bersifat sebagai

donor alami dan kekosongan Ga bersifat sebagai akseptor alami pada lapisan film

tipis GaN.

2. 3. Sifat Optik Film Tipis GaN

Sifat optik suatu material semikonduktor antara lain dapat diketahui dari

besarnya koefsien absorpsi optik dan lebar celah pita energinya (optical bandgap)

Eg. Koefisien absorpsi optik dan lebar celah pita energi (Eg) pada material

semikonduktor dapat ditentukan dengan menggunakan pengukuran transmisi atau

absorpsi (absorbtion). Penentuan besarnya koefisien absorpsi dan lebar celah pita

energi dengan menggunakan pengukuran transmisi atau absorpsi ini tidak

didapatkan informasi banyak mengenai adanya impuritas seperti halnya

 12

pengukuran pada fotoluminesen. Proses absorpsi (absorbtion) terjadi ketika foton

dengan energi lebih besar dari celah pita energi semikonduktor terserap oleh

material. Proses ini biasanya menghasilkan pasangan elektron–hole (eksiton). Ada

dua jenis transisi optik yang berkaitan dengan proses absorpsi yaitu transisi

langsung (direct band–to–band transition) dan transisi tidak langsung (indirect

band–to-band transition). Pada transisi langsung hanya dibutuhkan sebuah foton,

sedangkan pada transisi tak langsung ada penambahan energi yang diberikan

dalam bentuk fonon. Material GaN, AlN, InN dan paduannya mempunyai tepi

absorpsi langsung (Sato et al., 2001)

Ketelitian dalam menentukan besarnya celah pita energi dari pengukuran

absorpsi optik pada material semikonduktor dipengaruhi oleh beberapa hal antara

lain, pengaruh pertama berhubungan dengan terbentuknya band-tail karena

konsentrasi impuritas atau cacat kristal yang tinggi dan bergabung ke dalam pita

konduksi atau pita valensi. Efek ini menghasilkan tepi absorpsi eksponensial

dalam semikonduktor. Pengaruh kedua yaitu karena adanya pembentukan eksiton

dalam semikonduktor. Kondisi eksiton mungkin dalam keadaan bebas, berikatan

mendesak ke permukaan atau bergabung dengan cacat kompleks. Eksiton

mempunyai energi ikat yang kecil dalam orde beberapa meV sehingga eksiton

dapat muncul dengan sendirinya berupa puncak tajam di bawah tepi absorpsi.

Eksiton biasanya teramati lebih jelas pada suhu rendah dan mengalami disosiasi

free carrier pada temperatur ruang. Pada penelitian ini hanya akan dikaji

pengaruh yang pertama yang berhubungan dengan terbentuknya band-tail karena

 13

konsentrasi impuritas atau cacat kristal yang tinggi dan bergabung ke dalam pita

konduksi atau pita valensi. Efek ini menghasilkan tepi absorpsi eksponensial

dalam semikonduktor.

Dengan menggunakan spektrometer UV-vis dapat diperoleh data

transmitansi yang merupakan perbandingan antara intensitas cahaya setelah

melewati material semikonduktor (film tipis GaN) yang akan ditentukan besar

transmitansinya dengan intensitas cahaya mula-mula yang ditembakkan pada

material sekonduktor, yang dinyatakan dalam persamaan sebagai berikut

I
T= (2.1)
Io

dengan T menyatakan besarnya transmitansi material semikonduktor (dalam %), I

merupakan intensitas cahaya setelah melewati bahan dan I0 merupakan intensitas

cahaya mula-mula, dengan asumsi bahwa besarnya intensitas radiasi berkurang

secara eksponensial terhadap ketebalan film sehingga dapat dinyatakan dalam

persamaan sebagai berikut:

I = I o exp (− α b ) (2.2)

= exp (− α b )
I
(2.3)
I0

dengan Io adalah intensitas cahaya mula-mula yang mengenai sampel, I adalah

intensitas cahaya yang ditransmisikan setelah melewati bahan (sampel) dan b

adalah ketebalan film (Lawrence et al, 1997). Dari data transmitansi yang

diperoleh dengan menggunakan spektrum UV-vis selanjutnya dihitung besarnya

koefisien absorpsi optik dengan mengsubtitusikan persamaan (2.1) dalam

persamaan (2.3) sehingga diperoleh persamaan sebagai berikut

 14

T = e −α b (2.4)

− α b = ln T (2.5)

− ln T
α= (2.6)
b

dengan α merupakan koefisien absorpsi optik. Dari data energi cahaya yang

digunakan dalam penggukuran transmitansi dan besarnya koefisien absorpsi optik,

dapat dibuat grafik hubungan antara energi foton terhadap kuadrat dari koefisien

absobsi optik (α2), yang selanjutnya disebut sebagai grafik absorpsi, dari kurva

pada grafik absopsi ini dapat ditentukan lebar celah pita energi. Dalam

menentukan lebar celah pita energi, tepi pada kurva absorpsi dapat digunakan

untuk menentukan lebar celah pita energi dengan mengeliminasi kehadiran

eksiton dalam spektrum absorpsi material nitrida. Untuk sampel yang mempunyai

struktur polikristal atau kurang sempurna, tepi absorpsinya cukup lebar sehingga

tepinya tidak tampak jelas untuk menentukan celah pita energi. Selanjutnya plot

antara α 2 terhadap energi foton dianggap lebih baik untuk menentukan lebar

celah pita energi. Dengan melakukan ekstrapolasi energi foton saat absorpsi sama

dengan nol dapat ditentukan lebar celah pita energi Eg.

Tepi absorpsi optik (optical absorbtion edge) pada celah pita energi

langsung pada material semikonduktor ideal (bebas cacat) diasumsikan

mempunyai persamaan:

α = α o (E − E g ) 0,5 (untuk E f E g ) (2.7)

dengan E adalah energi foton, (E-Eg) mempunyai satuan eV dan α (koefisien

absorpsi) mempunyai satuan (cm)-1. Pada kenyataannya spektrum absorpsi dari

 15

film tipis GaN menunjukkan pertambahan yang lebih gradual dengan energi dekat

celah pita energi daripada yang diprediksi oleh persamaan (2.7) untuk material

semikonduktor dengan cacat kristal dan impuritas tinggi, hubungan antara α dan

(E-Eg) mempunyai bentuk eksponensial atau sering dinamakan urbach, yang

terbentuk di bawah celah pita energi dengan persamaan

⎛ E − Eg ⎞
α = α 1 exp ⎜⎜ ⎟⎟ (untuk E p E g ) (2.8)
⎝ Eu ⎠

dengan Eu adalah besarnya energi urbach dalam (eV). Melalui pendekatan

asimptotik antara persamaan (2.7) dan persamaan (2.8) diperoleh persamaan

sebagai berikut:

2(E − E g )⎤ ⎫⎪ ⎞
0,5
⎛ ⎧⎪
α = α 0 (0,5EU ) 0,5 ⎜ ln ⎨1 + exp ⎡⎢ ⎥ ⎬ ⎟⎟ (2.9)
⎜ ⎪ ⎣ E ⎦ ⎪⎭ ⎠
⎝ ⎩ U

faktor α1 dalam persamaan (2.8) merupakan fungsi α 0 pada persamaan (2.7) dan

(2.9), dan EU ;

α1 = α 0 (0,5EU )0,5 (2.10)

(Lawrence et al., 1997).

2. 4 Band Tail

Penyusutan pita semikonduktor terjadi karena pengaruh doping konsentrasi tinggi

(heavy doped) dan pengaruh penting lainnya dari adanya doping tinggi yang

terjadi dekat tepi pita . Efek penyusutan pita semikonduktor ini terjadi karena

adanya ketidak-teraturan susunan atom pengotor pada kekisi atom yang didoping

(host). Atom-atom pengotor yang menempati secara acak menyebabkan fluktuasi

random pada tepi pita seperti ditunjukkan pada Gambar 2.3.

 16

Gambar 2. 3. Fluktuasi random secara acak pada tepi pita

akibat adanya pengotor secara acak

Fluktuasi potensial yang acak secara alami menimbulkan ekor tepi pita dalam

rapat keadaan. Celah pita energi optik pada semikonduktor akan mengalami

perubahan jika konnsentrasi dopingnya berubah. Celah pita energi optik

ditentukan dari absorpsi optik terhadap data energi photon dan menggungkapkan

pemisahan energi dengan rapat keadaan pita konduksi dan pita valensi menjadi

penting, ada satu lagi yang sering juga didefinisikan sebagai celah pita energi

(bandgab) listrik, celah pita energi listrik ini berasal dari perkalian np dengan

persamaan
2
n p = ni
(2.11)

n p = C exp(− ( E g
elect
) / K BT ) (2.12)

Definisi ini hanya untuk kepentingan matematika dan tidak mempresentasikan

sifat fisis yang riil. Celah pita energi listrik biasanya lebih kecil dibandingkan

dengan celah pita energi optik (Singh, 1993).

 17

2. 4 Sputtering

Sputtering merupakan proses penembakan partikel-partikel (atom-atom

atau ion-ion) berenergi tinggi yang lebih besar dari energi ambang permukaan

padat (target) pada suatu permukaan target sehingga atom-atom individu target

memperoleh energi yang cukup tinggi untuk melepaskan diri dari permukaan

target. Atom-atom yang tersputter dari permukaan bahan yang ditembaki ion

(biasanya disebut target) terhambur kesegala arah, kemudian difokuskan pada

substrat untuk membentuk film tipis.

Ion penumbuk Atom terpental

Permukaan target

Atom target

Implantasi ion

Gambar 2. 4. Proses sputtering pada permukaan target

Ada beberapa sistem sputtering untuk tujuan deposisi film tipis, antara

lain, sputtering diode Rf, sputtering magnetron dan dc magnetron sputtering. Di

antara sistem sputtering, teknik deposisi film tipis yang paling sederhana adalah

dengan metode dc magnetron sputtering. Metode dc magnetron sputtering

menggunakan catu daya searah (dc) tegangan tinggi yang menghasilkan medan

listrik antara katoda dan anoda. Gas argon sering digunakan sebagai bahan
 18

pembentuk plasma, karena gas argon mempunyai massa lebih berat dan mudah

terionisasi dari pada gas-gas mulia lain seperti neon (Ne), helium (He), xenon

(Xe) dan kripton (Kr) (Purwaningsih, 2003). Gas argon dan nitrogen yang

melalui ruang antara elektroda dipecah oleh medan listrik tinggi menjadi plasma

yang mengandung elektron (e-), ion Ar, ion N dan atom N. Ion-ion positif Ar dan

N dipercepat oleh medan listrik menuju elektroda negatif (katoda), sehingga ion-

ion positif menumbuk atom-atom permukaan target yang dipasang di atas anoda.

Ion-ion penumbuk memiliki energi sangat besar sehingga atom-atom permukaan

target terlepas dari permukaan target terhambur ke segala arah. Atom-atom target

yang terpental menempel pada permukaan substrat sehingga membentuk film

tipis.

2. 5 Plasma

Proses sputtering terjadi ketika dihasilkan lucutan listrik dan gas argon

secara listrik menjadi konduktif karena mengalami ionisasi menghasilkan ion-ion

bermuatan positif dan ion-ion bermuatan negatif yang mempunyai jumlah

seimbang yang dikenal sebagai plasma (Purwaningsih, 2003). Plasma merupakan

fase keempat dari suatu materi, yang memegang peran sangat penting pada proses

pembentukan film tipis dengan metode sputtering. Plasma merupakan campuran

dari tiga komponen yaitu elektron-elektron bebas, ion-ion positif dan atom-atom

netral atau molekul-molekul yang mempunyai sifat kolektif (Suryadi, 2003).

Plasma merupakan kumpulan partikel yang mengandung elektron, ion dan

molekul tereksitasi. Muatan partikel adalah elektron dan ion. Jika di dalam plasma

kerapatan ion sama dengan kerapatan elektron maka plasma memiliki muatan
 19

listrik netral (Konuma, 1992). Ion-ion positif gas argon dan nitrogen di dalam

plasma dipercepat oleh medan listrik menuju elektroda negatif (katoda). Partikel-

partikel plasma dimanfaatkan sebagai penembak atom-atom permukaan target

pada proses deposisi film tipis.

 20

BAB III

METODE PENELITIAN

Penelitian ini merupakan kajian dan penelaahan yang bersifat

eksperimental. Eksperimen ini dilakukan dalam tiga tahap penting, dimulai

dengan pembuat target, deposisi film tipis GaN dan dilanjutkan dengan

karakterisasinya, didiskripsikan dan diinterpretasikan dengan merujuk pada

referensi terkait. Pada penelitian ini juga dilakukan studi pengaruh rasio laju alir

gas argon dan nitrogen terhadap sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan

(dideposisi) di atas substrat safir double side (0001) dengan menggunakan reaktor

dc magnetron sputtering. Deposisi film tipis GaN diawali dengan preparasi

substrat safir (0001), kemudian substrat dipasang pada anoda sedangkan target

GaN yang terbuat dari serbuk GaN diletakkan pada katoda. Deposisi film tipis

GaN dilakukan dengan parameter variasi rasio laju alir gas Ar dan N2.

Film tipis GaN hasil proses deposisi, selanjutnya dikarakterisasi dengan

menggunakan XRD (X-ray diffraction) untuk mengetahui struktur dan morfologi

film, EDAX (energi-dispersive Analysis X-ray) digunakan untuk mengetahui

kandungan unsur film tipis GaN atau komposisi rasio Ga dan N yang terbentuk di

atas permukaan substrat safir (0001) dan pengukuran spektrometer UV–vis

(ultraviolet-visible) diperlukan untuk mempelajari sifat optik film tipis GaN. Alur

penelitian dengan metode eksperimen deposisi film tipis GaN di atas permukaan

substrat safir (0001) dan karakterisasinya ditunjukkan pada Gambar 3.1.

 21

Mulai

Pembuatan target GaN Preparasi substrat sapphire

Penumbuhan film tipis GaN dengan

variasi rasio laju alir Ar dan N

Karakteristik film tipis

EDAX XRD UV-vis

Sifat optik:
Komposisi rasio Bidang kristal transmisi absorpsi,
Ga/N Struktur kristal bandgap, Eu

Analisis hasil dan pembahasan

Penulisan laporan hasil penelitian

Selesai

Gambar 3.1. Diagram alir penelitian deposisi film tipis GaN di atas
substrat sapphire dengan metode dc magnetron sputtering
dan karakterisasinya.
 22

3.1 Pelaksanaan Eksperimen

3.1.1 Pembuatan Target GaN

Target GaN dibuat dari serbuk GaN dengan kemurnian 99,99% yang

diproduksi oleh Aldrich Chemical Ltd dalam bentuk pelet. Pembuatan target GaN

dilakukan di laboratorium fisika material elektronika jurusan fisika FMIPA ITB.

Pada proses pembuatan target GaN selumnya serbuk GaN dihaluskan terlebih

dahulu, kemudian dituang ke dalam cetakan yang berdiameter 2,5 cm. Serbuk di

dalam cetakan dipres dengan tekanan sebesar 10 kN menggunakan sistem pres

pompa hidrolik. Pelet diambil dari cetakan kemudian disintering dengan

menggunakan furnace pada temperatur 620 oC di bawah melting point GaN (C.

Vinegoni, et al, 2000). Selama proses sintering pelet GaN dialiri gas nitrogen

selama 12 jam. Setelah mencapai 12 jam pelet didinginkan dan siap digunakan

sebagai target pada proses deposisi film tipis GaN.

3.1.2 Preparasi Substrat

Substrat yang digunakan dalam penumbuhan film tipis GaN adalah

substrat safir double side dengan orientasi bidang kristal (0001). Substrat dipotong

dengan ukuran kurang lebih (1x1) cm. Substrat dicuci dengan aseton untuk

menghilangkan kotoran (minyak dan lemak) yang menempel pada permukaan

substrat. Substrat dibilas dengan air DI (de ionized). Substrat dietsa dengan

campuran larutan H2SO4 : H3PO4 : H2O2 dengan perbandingan 3 : 1 : 1 selama 15

menit. Etsa dilakukan bertujuan untuk menghaluskan permukaan substrat secara

kimia. Selanjutnya substrat dibilas dengan air DI dan dikeringkan dengan

menyemprotkan gas N2 ke seluruh sisi permukaan substrat.

 23

3.1. 3 Deposisi Film Tipis GaN

Deposisi film tipis GaN dilakukan dengan menggunakan reaktor dc

magnetron sputtering seperti ditunjukan pada Gambar 3.2. Deposisi film tipis

GaN dilaksanakan di laboratorium fisika material jurusan fisika FMIPA Unnes.

Langkah-langkah yang dilakukan pada proses deposisi film tipis GaN di atas

permukaan substrat safir (0001) dengan metode dc magnetron sputtering sebagai

berikut:

(a) target GaN dipasang pada katoda dan substrat safir (0001) pada anoda dengan

perekat pasta perak,

(b) substrat safir (0001) dipanaskan pada temperatur sampai 100 ºC dengan

menghidupkan catu daya heater untuk mengeringkan pasta perak. Kemudian

dimasukan ke dalam chamber dengan memasang tutup reaktor dan shutter

ditutup,

(c) sistem pendingin dihidupkan dengan menghidupkan pompa air,

(d) chamber divakumkan sampai tekanan mencapai 1 Torr dengan menghidupkan

pompa pemvakum,

(e) temperatur chamber dinaikkan sampai 650 ºC dengan menghidupkan catu

daya heater pada tegangan 25 volt dan mengatur panel kontrol temperatur,

(f) gas Ar dan N2 dialirkan ke dalam chamber dengan membuka kran saluran

gas,plasma dibangkitkan dengan menghidupkan catu daya tegangan tinggi dc

sampai tegangan mencapai 600 volt kemudian shutter dibuka ketika plasma

sudah stabil dan proses deposisi dimulai,

 24

(g) shutter ditutup setelah waktu deposisi mencapai 3 jam kemudian plasma

dimatikan dengan menurunkan tegangan catu daya plasma hingga mencapai 0

volt kemudian dimatikan dan kran saluran gas Ar dan N2 ditutup,

(h) temperatur chamber diturunkan dengan menurunkan catu daya heater hingga

mencapai 0 volt kemudian dimatikan dan mengatur penurunan temperatur

sampai 30 ºC,

(i) pompa pemvakum, pompa air, panel tekanan dan panel kontrol temperatur

dimatikan setelah temperatur chamber mencapai 30 ºC,

(j) tutup reaktor dibuka dengan membuka kran aliran udara masuk, kemudian

substrat diambil.

Pressure gauge
Heater

Substrat Shutter

Magnet target

Catu daya plasma

Pompa Pompa
Air vakum

N2 Ar Catu Daya Panel Panel

Heater tekanan temperatur

Gambar 3.2. Sistem reaktor dc magnetron sputtering

 25

3.2 Karakterisasi Film Tipis GaN

Karakterisasi dilakukan dengan tujuan untuk mengkaji sifat-sifat film tipis

GaN yang dideposisikan di atas permukaan substrat safir (0001) dengan metode

dc magnetron sputtering. Sifat-sifat yang dikaji adalah kandungan unsur film tipis

GaN, struktur morfologi permukaan, struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN.

3.2.1 EDAX

Jenis unsur-unsur yang terkandung dalam film tipis GaN dapat diketahui

dengan melakukan karakterisasi menggunakan EDAX pada film tipis hasil

penelitian. Selanjutnya komposisi rasio atom Ga/N dapat ditentukan. Prinsip

analisis unsur dengan menggunakan EDAX (Energi dispersive X-Ray Analysis

Spectroscopy) adalah untuk mendeteksi sinar X yang dipancarkan oleh unsur-

unsur dalam film tipis GaN (material sasaran). Sinar X timbul sebagai interaksi

berkas elektron energi tinggi dengan elektron-elektron atom dalam film tipis GaN

sehingga elektron-elektron tersebut akan tereksitasi, yaitu terlemparnya elektron

dari orbit awal ke orbit yang energinya lebih tinggi. Elektron yang tereksitasi

tersebut cenderung kembali ke orbit yang energinya lebih rendah sambil

memancarkan sinar X karakteristik. Informasi langsung yang dapat diperoleh dari

pengujian komposisi menggunakan EDAX adalah spektrum energi sinar X dan

intensitas. Jenis atom-atom atau unsur-unsur yang terkandung dalam film tipis

GaN (material sasaran) dapat diketahui dari spektrum energi sinar X. Persentase

unsur-unsur yang terkandung dalam film tipis GaN dapat diketahui dari besarnya

intensitas. Karakterisasi kandungan unsur dengan menggunakan EDAX, untuk

mengetahui komposisi rasio Ga dan N. Karakterisasi film tipis GaN dilaksanakan

di laboratorium P3GL (Pusat Penelitian dan Pengembangan Geologi Kelautan)

Bandung (Sujitno, 2003).

 26

3. 2. 2 XRD

Struktur kristal film tipis GaN dan orientasi bidang kristal dikaji dengan

mengkarakterisasi film tipis GaN dengan metode difraksi sinar-X. Karakterisasi

dilakukan di laboratorium PPTM (Pusat Penelitian Tambang dan Mineral)

Bandung. Informasi langsung yang dapat diperoleh dari uji struktur kristal dengan

menggunakan XRD (X-Ray Difraktion) adalah spektrum sudut hamburan (2θ)

yang digambarkan sepanjang sumbu datar dan intensitas (I, disajikan pada sumbu

tegak), dari informasi intensitas dapat ditentukan posisi dari atom-atom

penyusunnya (Sujitno, 2003).

3. 2.3 Spektrometer UV – vis

Karakterisasi sifat optik film tipis GaN dianalisis berdasarkan data dari

hasil pengukuran dengan menggunakan spektrometer UV-vis. Pengukuran

spektrometer UV-vis dilakukan di laboratorium jurusan kimia ITB. Pengukuran

dengan menggunakan spektrometer UV-vis diperoleh data perbandingan antara

besarnya intensitas cahaya mula-mula (I0) dan intensitas cahaya setelah melewati

film tipis GaN (I), dalam bentuk data transmitansi film tipis GaN, diasumsikan

bahwa antara trasmitansi dan intensitas cahaya yang ditembakkan pada film tipis

GaN mempunyai hubungan sebagaimana dinyatakan dalam persamaan berikut

I
T= (3.1)
I0

dengan T adalah transmitansi film tipis GaN (dalam %). Data antara panjang

gelombang (λ) dari cahaya ultraviolet hingga cahaya tampak terhadap

transmitansi lapisan tipis GaN yang ditumbuhkan pada substrat safir (0001) diolah

untuk mengetahui bentuk dari spektrum transmisi film tipis GaN. Intensitas

sebelum dan sesudah melewati bahan dapat dinyatakan dalam persamaan

 27

I = I o exp (− α b ) (3.2)

Selanjutnya substitusi persamaan (3.1) dalam persamaan (3.2) maka diperoleh

persamaan sebagai berikut:

T = e −α b (3.3)

− α b = ln T (3.4)

− ln T
α= (3.5)
b

dengan α menyatakan koefisien absorpsi dari suatu bahan (film tipis GaN ) yang

mempunyai satuan (cm)-1 dan b adalah ketebalan bahan dalam cm. Grafik

absorpsi menyatakan hubungan antara energi foton cahaya terhadap kuadrat

koefisien absorpsi (α2). Spektrum transmisi menyatakan karakteristik film tipis

GaN terhadap panjang gelombang cahaya yang melewatinya terutama jika

diaplikasikan sebagai TCO (transparent conducting oxide). Besarnya celah pita

energi film tipis GaN ditentukan dengan menarik garis ekstrapolasi dari ujung

kurva spektrum absorpsi berpotongan dengan sumbu E. Titik perpotongan

tersebut menyatakan lebar celah pita energi dari film tipis GaN. Data tersebut

dibandingkan dengan data standar dari celah pita energi film tipis GaN pada

referensi ataupun dari data-data hasil penelitian sebelumnya. Energi urbach film

tipis GaN ditentukan dengan persamaan tertentu.

3. 3 Metode Analisis Data

Data yang diperoleh dari pengujian dengan menggunakan EDAX dan

XRD diolah dengan bantuan grafik kemudian dianalisis secara kualitatif dengan

interpretasi. Data yang diperoleh dari hasil pengukuran spektrometer UV-vis

dianalisis secara kuantitatif dengan menggunakan persamaan yang dibutuhkan.

 28

3.3.1 Kandungan Unsur Film Tipis GaN

Kandungan unsur film tipis GaN diidentifikasi dengan menginterpretasi

dan membaca hasil karakterisasi yang ditampilkan dalam difraktogram. Informasi

yang diperoleh dari difraktogram adalah persen massa, persen atom masing-

masing unsur dan tingkat energinya.

3.3.2 Struktur dan Orientasi Kristal Film Tipis GaN

Data hasil karakterisasi dengan XRD adalah intensitas dan sudut hambur

2θ. Analisis data dilakukan dengan bantuan grafik antara intensitas dengan sudut

hambur 2θ. Hasil difraktogram muncul puncak-puncak intensitas pada sudut

tertentu yang menunjukan bidang kristal tertentu. Data hasil difraktogram

dibandingkan dengan data JCPDS (joint committee on powder diffraction standar)

untuk identifikasi kristal yang terdeposit pada substrat. Hasil penelitian

sebelumnya juga dijadikan pembanding dalam analisis data hasil dari karakterisasi

GaN dengan XRD ditampilkan pada Tabel 3.1.

Puncak-puncak intensitas hasil difraktogram menunjukkan adanya

perbedaan FWHM (full width at half maximum) FWHM, ukuran butiran (grain

size) dan kerapatan dislocation (dislocation density) pada film tipis GaN yang

diukur pada orientasi tertentu, yang memberikan informasi tentang tingkat

kristalinitas pada film tipis. FWHM menyatakan tingkat strain pada film, semakin

sempit FWHM semakin kecil strain yang terjadi pada film (Suryanarayana, 1998).

Ukuran butiran (t) film tipis GaN ditentukan dengan menggunakan

persamaan scherrer sebagai berikut (Bilgin et al., 2005)

0,94 λ
t= (3.6)
B cos θ
 29

dengan B menyatakan FWHM pada puncak difraksi yang diukur pada orientasi

tertentu dalam radian, θ menyatakan sudut pada puncak maksimun arah orientasi

tertentu dan λ menyatakan panjang gelombang sumber radiasi Cu Kα.

Tabel 3.1. Daftar spektrum XRD dari GaN

2-Theta (derajat) Bidang orientasi Fase kristal

32,4 (10 10) Wurtzite
34,6 (0002), (111) Wurtzite, kubik
36,7 (10 10) Wurtzite
39,8 (002) Kubik
57,6 (11 2 0), (202) Wurtzite, Kubik
67,9 (2020) Wurtzite
68,9 (11 2 2) Wurtzite
70,2 (20 2 1) Wurtzite
73,2 (0004) Wurtzite
Sumber: J. Appl. Paterson et al., 1997: 427

Kerapatan dislocation (δ) didefinisikan sebagai panjang garis dislocation

perunit volume pada kristal, yang dievaluasi dengan persamaan sebagai berikut

1
δ= (3.7)
t2

kerapatan dislocation (δ) menyatakan jumlah cacat dalam film tipis GaN (Bilgin

et al., 2005).

3. 3. 3 Sifat Optik Film Tipis GaN

Sifat optik film tipis GaN dikarakterisasi dengan spektrometer UV-vis.

Pengukuran dengan spektrometer UV-vis diperoleh besarnya celah pita energi

(Eg) film tipis GaN. Film tipis GaN mempunyai celah pita energi langsung. Tepi
 30

absorpsi optik (optical absorbtion edge) pada celah pita energi langsung pada

material semikonduktor ideal (bebas cacat) diasumsikan mempunyai persamaan:

α = α o (E − E g ) 0,5 (untuk E f E g ) (3.8)

dengan E adalah energi foton, (E-Eg) mempunyai satuan eV dan α (koefisien

absorpsi) mempunyai satuan (cm)-1. Pada kenyataannya spektrum absorpsi dari

film tipis GaN menunjukkan pertambahan yang lebih gradual dengan energi dekat

celah pita energi daripada yang diprediksi oleh persamaan (3.8) untuk material

semikonduktor dengan cacat kristal dan impuritas tinggi, hubungan antara α dan

(E-Eg) mempunyai bentuk eksponensial atau dinamakan urbach, yang terbentuk

dibawah celah pita energi dengan persamaan:

⎛ E − Eg ⎞
α = α 1 exp ⎜⎜ ⎟⎟ (untuk E p E g ) (3.9)
⎝ Eu ⎠

dengan Eu adalah besarnya energi urbach dalam (eV). Melalui pendekatan

asymptotik antara persamaan (3.8) dan persamaan (3.9) diperoleh persamaan

sebagai berikut:

2(E − E g )⎤ ⎫⎪ ⎞
0,5
⎛ ⎧⎪
α = α 0 (0,5EU ) 0,5 ⎜ ln ⎨1 + exp ⎡⎢ ⎥ ⎬ ⎟⎟ (3.10)
⎜ ⎪ ⎣ E ⎦ ⎪⎭ ⎠
⎝ ⎩ U

faktor α1 dalam persamaan (3.9) merupakan fungsi α 0 pada persamaan (3.8) dan

(3.10), dan EU ;

α1 = α 0 (0,5EU )0,5 (3.11)

(Lawrence et al, 1997).

31
 31

BAB IV

HASIL PENELITIAN DAN PEMBAHASAN

Penumbuhan film tipis telah berhasil dilakukan dengan cara penumbuhan

atom–atom target GaN di atas permukaan substrat safir (0001) menggunakan

metode dc magnetron sputtering. Penumbuhan film tipis GaN dilakukan dengan

variasi rasio laju alir gas argon (Ar) dan nitrogen (N) seperti ditunjukkan pada

Tabel 4.1.

Tabel 4.1. Penumbuhan film tipis GaN pada substrat safir (0001)
dengan perbedaan rasio laju alir gas argon dan nitrogen

Sampel Laju alir argon (sccm) Laju alir nitrogen (sccm)

GaN #1 90 0
GaN #2 90 70
GaN #3 60 60
GaN #4 40 70

Film tipis GaN selanjutnya dikarakterisasi dengan EDAX (Energi

Dispersive Analysis X-Ray Spectroscopy) untuk mengetahui komposisi kimia film

tipis GaN, sedangkan XRD (X-Ray Diffraktometer) digunakan untuk mengetahui

struktur kristalnya. Struktur dan orientasi kristal diketahui dengan

membandingkan hasil difraktogram dari difraksi sinar-X dengan data yang

dihasilkan pada penelitian sebelumnya JCPDS (joint committee on powder

diffraction standar). Analisis sifat optik film diketahui dari spektrum transmisinya

terhadap panjang gelombang cahaya (λ) yang melewatinya. Sifat optik film tipis
 32

diantaranya dicirikan dengan spektrum transmisi dan spektrum absorpsi. Dengan

menganalisis grafik spektrum absorpsi dapat ditentukan besarnya celah pita energi

(Eg) dan energi urbach (Eu) dengan menggunakan persamaan–persamaan yang

dibutuhkan.

Pada eksperimen ini telah berhasil ditumbuhkan film tipis GaN di atas

permukaan substrat safir (0001) dengan metode dc magnetron sputtering.

Parameter yang digunakan dalam penumbuhan film tipis GaN dengan metode dc

magnetron sputtering ini antara lain temperatur substrat 650 0C dengan daya

plasma sekitar 60 watt, tekanan tabung reaktor selama proses penumbuhan film

tipis GaN sekitar 1 Torr dengan perbedaan rasio laju alir gas argon dan nitrogen.

Film ditumbuhkan selama 3 jam dengan ketebalan sekitar 0,6 μm.

4.1 Hasil Analisis Karakterisasi Film Tipis GaN dengan EDAX

Pengukuran dengan EDAX dari ketiga sampel film tipis GaN hasil

penumbuhan di atas substrat safir (0001) dengan perbedaan rasio laju alir gas

argon dan nitrogen terlihat adanya puncak energi sebesar 0,392 keV yang

mengindikasikan adanya unsur N dan puncak energi sebesar 1,098 keV yang

mengindikasikan adanya unsur Ga dalam film tipis GaN seperti ditunjukkan pada

Gambar 4.1.

Hasil karakterisasi melalui EDAX pada ketiga sampel film tipis GaN yang

ditumbuhkan di atas substrat safir (0001) dengan rasio laju alir gas argon dan

nitrogen yang berbeda secara lengkap diperlihatkan pada Tabel 4.2 yang

menunjukkan persentase unsur-unsur yang dikandung pada tiap-tiap sampel film

 33

tipis GaN secara kuantitatif.

Ar : N2 = 90 : 70 (sccm) GaN #2
Ga

Ga Ar : N2 = 60 : 60 (sccm) GaN #3

Ga Ar : N2 = 40 : 70 (sccm) GaN #4

Gambar 4.1. Spektrum energi hasil karakterisasi film tipis GaN dengan
menggunakan EDAX
 34

Tabel 4.2. Hasil karakterisasi film tipis GaN dengan EDAX

Sampel Rasio laju alir (Ar : N2) Rasio persentase atom (N : Ga)
(sccm) (%)
GaN #2 90 : 70 45,36 : 54,64
GaN #3 60 : 60 57,12 : 42,88
GaN #4 40 : 70 59,88 : 40,12

Tabel 4.2 memperlihatkan hasil pengukuran EDAX yang dilakukan pada

ketiga sampel film tipis GaN hasil eksperimen menunjukkan bahwa tiap-tiap

sampel film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas substrat safir (0001) dengan

variasi rasio laju alir gas argon dan nitrogen mempunyai kandungan unsur Ga dan

N yang bervariasi. Pada saat rasio laju alir gas argon lebih besar dari gas nitrogen

yaitu Ar : N2 = 90 : 70 (sccm), film tipis GaN yang terdeposisi pada substrat safir

(0001) mengandung unsur gallium (Ga) dan unsur nitrogen (N) dengan persentase

Ga : N = 54,64 % : 45,36 %, hal tersebut berarti unsur N yang terkandung dalam

film tipis GaN lebih sedikit dibanding dengan unsur Ga pada film tipis GaN hasil

penumbuhan seperti terlihat pada Gambar 4.1#2.

Sampel film tipis GaN #3 yang ditumbuhkan dengan rasio laju alir gas

argon dan nitrogen sama yaitu Ar : N2 = 60 : 60 sccm film tipis GaN yang

dihasilkan mengandung unsur Ga : N = 42,88 % : 57,12 %, yang berarti unsur Ga

yang terkandung dalam film tipis GaN lebih kecil daripada unsur N seperti terlihat

pada Gambar 4.1#3. Sampel film tipis GaN #4 ditumbuhkan dengan laju alir Ar

lebih kecil dari N2 yaitu Ar : N = 40 : 70 sccm, sampel film tipis GaN#4

mengandung unsur Ga : N = 40,12 % : 59,88 %, berarti unsur Ga yang terkandung

 35

dalam film lebih sedikit daripada unsur N seperti yang terlihat pada Gambar

4.1#4.

Ketiga sampel yang terlihat pada Tabel 4.2 menunjukkan sampel film tipis

GaN #2 yang ditumbuhkan degan laju alir gas Ar lebih besar daripada gas N2

menghasilkan film tipis GaN dengan persentase kandungan unsur N lebih kecil

daripada persentase unsur Ga, ini disebabkan pada proses deposisi banyak unsur

N yang menguap, penguapan unsur N pada proses deposisi film tipis GaN

menyebabkan film tipis GaN yang terbentuk di atas subtrat tidak stoikiometri.

Sampel #2 yang ditumbuhkan dengan laju alir N2 lebih kecil daripada laju alir Ar

kemungkinan menyebabkan film tipis GaN kekurangan unsur N sehingga dapat

menyebabkan terjadinya kekosongan nitrogen atau nitrogen vacancy yang

merupakan salah satu jenis cacat kristal, karena adanya cacat kristal tersebut dapat

mempengaruhi sifat film tipis GaN yang ditumbuh di atas subtrat safir (0001).

4.2 Hasil Analisis Struktur dan Orientasi Kristal dengan XRD

Hasil karakterisasi target GaN dengan XRD (X-Ray Diffraktometer) yang

menggunakan sumber radiasi Cu Kα dengan λ = 1,542 Å (Cullity, 1997),

menunjukkan bahwa target GaN memiliki arah orientasi kristal acak dan fase

kristal yang berbeda sebagaimana diperlihatkan pada Gambar 4.2, nampak adanya

puncak–puncak kristal GaN pada sudut 2θ seperti ditunjukkan pada Tabel 4.2.

Berdasarkan Gambar 4.2 dapat disimpulkan bahwa target GaN memiliki

struktur polikristal. Material yang memiliki struktur polikristal dikatakan

 36

mengalami disorientasi yang memiliki arah tidak sejajar antara bidang kristal satu

dengan lainnya (Cullity, 1997).

4000

(0002)

(1011)
3000
Intensitas (cps.)

(1010)

(1013)
2000

(1120)
(1012)

(1022)
(2021)
(1010)

1000

(0004)
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80

2-theta (derajat)

Gambar 4.2. Spektrum hasil karakterisasi target GaN dengan XRD

Tabel 4.3 : Daftar spektrum XRD GaN

2-Theta (derajat) Bidang orientasi Fase kristal

32,4 (10 10) Wurtzite

34,6 (0002), (111) Wurtzite, kubik
36,7 (10 11) Wurtzite
39,8 (002) Kubik
57,6 (11 2 0), (202) Wurtzite, Kubik
67,9 (20 2 0) Wurtzite
68,9 (11 2 2) Wurtzite
70,2 (20 2 1) Wurtzite
73,2 (0004) Wurtzite
Sumber: J. Appl. Paterson et al., 1997: 427
 37

200
Ar : N2 = 90 : 0 (sccm) #1
Safir (0006)
Sapphire (0006)
150
Intensitas (cps)

100

50

0
30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80

2θ (derajat)
140
120 Ar : N2 = 90 : 70 (sccm) #2
Intensitas (cps)

100
GaN(0002)
80
sapphire(0006)
60
40
20
0
30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
2 theta (derajat)
2000
1800
1600
GaN(0002) Ar : N2 = 60 : 60 (sccm) #3
Intensitas (cps)

1400 Safir (0006)

1200
1000
800
600
400 GaN(0004)
200
0
30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
400 2-Theta (derajat)
Ar : N2 = 40 :70 (sccm)
#4
Intensitas (cps)

300 GaN(0002)

200

sapphire(0006)
Safir (0006)
100

0
30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80

2θ (derajat)

Gambar 4.3. Spektrum hasil XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan
dengan perbedaan rasio laju alir gas Ar : N2 B B B B
 38

Pengukuran melalui XRD pada keempat sampel film tipis GaN yang

ditumbuhkkan di atas substrat safir (0001) dengan laju alir gas argon dan nitrogen

yang berbeda selama proses penumbuhan diperlihatkan pada Gambar 4.3. Pada

tiap-tiap sampel nampak adanya puncak-puncak kristal GaN 2θ tertentu.

Hasil karakterisasi melalui XRD setelah dibandingkan dengan

menggunakan data penelitian terdahulu pada sampel serbuk JCPDS (data-data

Tabel 4.3), sampel film tipis GaN #1 ditumbuhkan di atas substrat safir (0001)

dengan rasio perbandingan gas Ar : N2 = 90 : 0 sccm, menunjukkan puncak yang

terlihat pada 2θ = 41,7° yang mengindikasikan safir (0006), pada Gambar 4.3#1

tampak tak ada puncak dominan lain yang sesuai dengan data penelitian terdahulu

pada sampel serbuk JCPDS yang mengindikasikan kristal film tipis GaN pada

arah orientasi bidang tertentu. Hal tersebut berarti sampel #1 masih berbentuk

amorf.

Pembentukan film amorf dipengaruhi oleh stoikiometri unsur yang

terkandung dalam film tipis GaN. Proses sputtering pada permukaan target yang

terbuat dari bahan oksida maupun bahan nitrida akan mengalami perubahan

soikiometri unsur-unsur yang terkandung dalam film tipis yang terbentuk di atas

substrat (Mahony, 2002). Unsur yang lebih ringan (gas) lebih mudah menguap.

Ketika target GaN tersputter pada proses penumbuhan film tipis GaN, jumlah

unsur nitrogen yang terkandung dalam film tipis GaN berkurang sehingga

kandungan unsur film tipis tidak soikiometri.

Sampel #2 terdapat puncak pada sudut 2θ = 34,62° dan 2θ = 42,36° yang

secara berturut-turut mengindikasikan adanya kristal film tipis GaN dengan

bidang orientasi (0002) dan safir (0006) ditunjukkan pada Gambar 4.3#2, sampel
 39

#3 terdapat intensitas puncak pada sudut 2θ = 34,56°; 41,4o dan 73,06° secara

berturur-turut mengindikasikan adanya kristal film tipis GaN dengan bidang

orientasi (0002), safir (0006) dan kristal film GaN dengan bidang orientasi (0004)

ditunjukkan pada Gambar 4.3#3. Sampel #4 terdapat intensitas puncak pada sudut

2θ = 34,34° yang menunjukkan adanya puncak bidang kristal film GaN dengan

bidang orientasi (0002) dan 2θ = 41,7° yang mengindikasikan safir (0006), seperti

ditunjukkan pada Gambar 4.3#4.

Berdasarkan hasil penelitian yang dilakukan Nahm et al., (2000)

menunjukkan bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas permukaan substrat

safir heksagonal memiliki struktur heksagonal.

Hasil karakterisasi melalui XRD dari keempat sampel menunjukkan

intensitas puncak-puncak yang muncul pada film tipis GaN hasil eksperimen tidak

seragam, hanya teramati bidang orientasi (0002) dan (0004), hal tersebut

menunjukkan bahwa film tipis GaN hasil eksperimen mempunyai struktur

heksagonal yang mempunyai arah bidang orientasi sejajar bidang substrat safir

(0001).

Hasil karakterisasi XRD ini menunjukkan bahwa perbedaan rasio laju alir

gas Ar : N2 mempengaruhi orientasi kristal yang tumbuh pada permukaan

substrat, hal tersebut terlihat pada tiap-tiap sampel film tipis GaN yang

ditumbuhkan dengan variasi rasio laju alir gas Ar : N2 menghasilkan puncak dan

orientasi bidang dengan intensitas yang berbeda. Kualitas kristal GaN (0002) hasil

penumbuhan dengan variasi rasio laju alir gas argon dan nitrogen dipelajari

dengan membandingkan intensitas puncak GaN (0002) serta besarnya FWHM

(full width at half maximum) GaN (0002) setiap sampel. Kualitas kristal yang baik
 40

secara umum digambarkan dengan intensitas puncak paling tinggi, selain itu

kualitas kristal yang baik adalah yang memiliki nilai FWHM paling kecil

(Rusdiana dkk, 2002).

Gambar 4.3 menunjukkan sampel film tipis GaN #3 yang ditumbuhkan

dengan rasio laju alir gas argon dan nitrogen sama yaitu Ar : N2 = 60 : 60 sccm

dengan kandungan unsur Ga : N = 42,88 % : 57,12 % memiliki intensitas puncak

orientasi (0002) paling tinggi dibandingkan dengan sampel lainnya. Hal tersebut

berarti dalam eksperimen ini menghasilkan sampel film tipis GaN #3 memiliki

kualitas kristal paling baik dibandingkan dengan sampel film tipis GaN lainnya.

Tabel 4.4. FWHM puncak XRD GaN (0002)

Sampel Rasio laju alir (Ar : N2) (sccm) FWHM (o)

Sampel #2 90 : 70 0,5
Sampel #3 60 : 60 0,4
Sampel #4 40 : 70 0,4

Hasil perhitungan FWHM GaN (0002) pada tiap-tiap sampel diperlihatkan

pada Tabel 4.4, nampak adanya perubahan FWHM. Sampel film tipis GaN #1

nampak tak ada intensitas puncak dominan yang mengindikasikan kristal film

tipis GaN pada arah orientasi bidang tertentu. Hal tersebut berarti sampel #1

masih berbentuk amorf, sehingga tidak dapat ditentukan besarnya FWHM.

Sampel film tipis GaN #3 memiliki nilai FWHM sekitar 0,4° ditunjukkan

pada Gambar 4.4, sedangkan sampel film tipis GaN #2 dan film tipis GaN #4

secara berturut-turut memiliki nilai FWHM sekitar 0,5° dan 0,4o.

FWHM berbanding terbalik dengan homogenitas orientasi kristal. Film

tipis GaN yang memiliki FWHM semakin kecil berarti film tipis tersebut
 41

memiliki homogenitas orientasi kristal yang tinggi, berarti film tipis tersebut

memiliki kuatitas kristal yang baik.

1500
1400
1300
1200
1100
intensitas (cps)
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
33.8 34.3 34.8

2 θ ( derajat)

Gambar 4.4. FWHM film tipis GaN #3 dengan Ar : N2 = 60 : 60 sccm

FWHM, ukuran butiran (grain size) dan kerapatan dislocation (dislocation

density) film tipis GaN orientasi (0002) memberikan informasi mengenai tingkat

kristalinitas film tipis GaN. Hasil perhitungan ukuran butiran menunjukkan bahwa

dalam eksperimen ini sampel film tipis GaN #3 yang ditumbuhkan dengan

dengan rasio laju alir gas argon dan nitrogen sama yaitu Ar : N2 = 60 : 60 sccm

memiliki tingkat kristalinitas yang paling baik dibandingkan dengan sampel

lainnya, karena film tipis tersebut menunjukkan nilai kerapatan dislocation (δ)

yang paling kecil yang mengindikasikan jumlah cacat dalam film tipis GaN.

Kerapatan cacat mempunyai kecenderungan yang sama dengan besarnya

FWHM, film tipis GaN dengan ukuran butiran (t) paling besar memiliki nilai

FWHM yang kecil cenderung mempunyai kerapatan dislocation yang kecil. Hal

tersebut mengindikasikan sampel film tipis GaN memiliki tingkat kristalinitas

 42

yang paling baik dengan kualitas kristal yang paling baik (Bilgin et al., 2005).

Ukuran butiran film tipis GaN hasil eksperimen ini berkurang dari 217,43 menjadi

173,97 Å dengan bertambahnya nilai FWHM, ditunjukkan pada Tabel 4.5.

Tabel 4.5. Ukuran butiran

Sampel FWHM (B) .10-3 (rad) Ukuran butiran (t) Kerapatan

(Å) dislocation (δ) .10-5
(Å)-2
Sampel #2 8,72 173,97 3,301
Sampel #3 6,98 217,43 2,115
Sampel #4 6,98 217,31 2,118

4.3 Hasil Analisis Sifat Optik Film Tipis GaN

Hasil karakterisasi melalui pengukuran spektrometer UV-vis dalam daerah

panjang gelombang (λ) 190–800 nm. Sampel film tipis GaN ditumbuhkan di atas

substrat safir (0001) dengan variasi rasio laju alir gas Ar : N2 ditentukan sifat

optik film tipis GaN seperti lebar celah pita energi (bandgap) dan besarnya energi

urbach.

Pengukuran transmisi optik dengan spektrometer UV-vis ditunjukkan dengan

grafik transmisi pada Gambar 4.5 nampak adanya perubahan transmitansi yang

cukup tajam pada rentang panjang gelombang (λ) 250 nm sampai 450 nm yang

merupakan daerah panjang gelombang ultraviolet. Perubahan transmitansi yang

cukup tajam menunjukkan adanya absorpsi yang cukup tajam pada panjang

gelombang tertentu. Daerah yang mempunyai absorpsi paling tajam menunjukkan

puncak absorpsi yang terlihat jelas pada energi foton tertentu yang menunjukkan

besarnya bandgap. Kualitas kristal yang baik dipengaruhi oleh kemiringan grafik

transmitansi, semakin tajam kemiringannya maka kualitas kristal semakin baik.

 43

100
Ar : N2 = 90 : 0 (sccm) #1 Ar : N2 = 90 : 70 (sccm) #2

80

80
transmitansi (%)

60

Transmitansi (%)
60

40
40

20 20

0 0
250 350 450 550 650 750 850 950 250 350 450 550 650 750 850 950
λ (nm)
λ (nm)

100 100
Ar : N2 = 60 : 60 (sccm) #3 Ar :N2 = 40 : 70 (sccm) #4

80 80
Transmitansi (%)

Transmitansi (%)

60 60

40 40

20 20

0 0
250 350 450 550 650 750 850 950 250 350 450 550 650 750 850 950
λ ( nm ) λ (nm)

Gambar 4.5. Grafik transmisi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan
perbedaan rasio laju alir gas Ar : N2 hasil karakterisasi
dengan spektrometer UV-vis
 44

Trasmitansi optik sampel GaN #1 hanya sekitar 40 % jauh lebih kecil

dibandingkan dengan sampel lainnya yang lebih dari 80 %. Hal ini berkaitan

dengan stoikiometri kristal dari film tipis GaN, secara kasat mata pada film tipis

GaN yang ditumbuhkan tanpa N2 pada sampel GaN #1 tampak kasar dan tidak

transparan.

Sampel film tipis GaN #3 yang ditumbuhkan dengan rasio laju alir gas

argon dan nitrogen sama yaitu Ar : N2 = 60 : 60 sccm menunjukkan kemiringan

paling tajam, hal tersebut berarti dalam eksperimen ini sampel film tipis GaN #3

mempunyai kualitas paling baik dibandingkan sampel lainnya.

Spektrum absorpsi menunjukkan besarnya serapan optik film tipis

terhadap energi foton gelombang cahaya yang melewatinya. Plot kuadrat absorpsi

optik ( α 2 ) terhadap energi foton dari keempat sampel film tipis GaN ditunjukkan

pada Gambar 4.6. Material GaN mempunyai celah pita energi langsung (direct

bandgap). Celah pita energi pada film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan

perbedaan rasio laju alir gas argon dan nitrogen ditentukan dengan

mengekstrapolasi grafik spektrum absorpsi.

Besarnya celah pita energi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan

perbedaan rasio laju alir gas argon dan nitrogen secara berturut-turut sebagai

berikut: sampel film tipis GaN #1 ditumbuhkan dengan perbandingan rasio laju

alir gas Ar : N2 = 90 : 0 sccm didapat celah pita energi sebesar 2,70 eV

ditunjukkan pada gambar 4.6#1. Sampel film tipis GaN #2 ditumbuhkan dengan

rasio laju alir gas Ar : N2 = 90 : 70 sccm didapat celah pita energi sebesar 2,80 eV

ditunjukkan pada Gambar 4.6#2.

 45

6.E+08 5.0E+08
Ar : N2 = 90 : 0 (sccm) #1 Ar : N2 = 90 : 70 (sccm) #2

5.E+08
4.0E+08

4.E+08
3.0E+08

α ( cm )
−2
3.E+08
α 2 (cm )
-2

2
2.0E+08

2.E+08

1.0E+08
1.E+08

0.E+00 0.0E+00
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
Energi foton (eV) Energi foton (eV)

1.1E+09
Ar : N 2 = 60 : 60m (sccm) 3.0E+09
#3
1.0E+09 Ar : N2 = 40 : 70 ( sccm) #4

9.0E+08 2.5E+09

8.0E+08

7.0E+08 2.0E+09
α 2 ( cm− 2)

α 2 ( cm 2 )

6.0E+08
-

1.5E+09
5.0E+08

4.0E+08
1.0E+09
3.0E+08

2.0E+08
5.0E+08
1.0E+08

0.0E+00 0.0E+00
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
Energi foton (eV) Energi foton (eV)

Gambar 4.6. Grafik absorpsi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan
perbedaan rasio laju alir gas Ar : N2 hasil karakterisasi
dengan Spektrometer UV-vis
 46

Film tipis GaN #3 ditumbuhkan dengan rasio laju alir gas Ar : N2 = 60 : 60

sccm didapat celah pita energi sebesar 3,20 eV, ditunjukkan pada Gambar 4.6#3.

Sedangkan film tipis GaN #4 ditumbuhkan dengan laju alir gas argon lebih kecil

daripada laju alir gas nitrogen yaitu Ar : N2 = 40 : 70 sccm didapat celah pita

energi sebesar 3,10 eV ditunjukkan pada Gambar 4.6#4.

Gambar 4.6 terlihat bahwa grafik spektrum absorpsi cenderung

eksponensial, hal tersebut berarti film tipis GaN hasil penumbuhan dalam

eksperimen ini bukan semikonduktor ideal (bebas cacat), sebab pada

kenyataannya spektrum absorpsi dari film tipis GaN menunjukkan pertambahan

yang lebih gradual dengan energi dekat celah pita energi daripada yang diprediksi

oleh persamaan (2.7). Grafik spektrum absorpsi optik film tipis GaN terlihat pada

rentang energi lebih kecil dari celah pita energi cenderung tidak linier, pada

daerah tersebut dikenal sebagai band tail.

Hasil analisis plot grafik antara kuadrat koefisien absorpsi optik terhadap

energi foton ditentukan pula besarnya energi urbach ( Eu ) dari keempat sampel

film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas substrat safir (0001) dengan variasi rasio

laju alir gas argon dan nitrogen, dengan melakukan fitting pada persamaan (2.9)

berturut-turut adalah sekitar 1,3 eV, 0,95 eV, 0,8 eV dan 0.99 eV.

Studi pengaruh rasio laju alir gas argon dan nitrogen terhadap sifat optik

film tipis GaN dapat dinyatakan dalam Tabel 4.6. Terlihat pada keempat sampel

film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan variasi rasio laju alir gas argon dan

nitrogen menunjukkan bahwa pada saat rasio laju alir Ar : N2 sama yaitu 60 : 60

sccm, film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas substrat safir (0001) mempunyai

harga celah pita energi (Eg) sekitar 3,2 eV paling mendekati harga celah pita
 47

energi referensi GaN sekitar 3,4 eV (Madelung, 1996) dibandingkan dengan

sampel yang lain. Pergeseran harga celah pita energi yang kecil, berhubungan

dengan penambahan karapatan pembawa, alasan lain pergeseran celah pita

tersebut disebabkan tingkat kristalinitas yang baik dengan penambahan ukuran

butiran (Bilgin et al., 2005).

Tabel 4.6. : Hasil karakterisasi sifat optik film tipis GaN

dengan spektrometer UV-vis

Sampel Rasio laju alir Celah pita energi Energi Urbach

Ar : N2 (sccm) (Eg) eV (Eu) eV
GaN #1 90 : 0 2.70 1,25
GaN #2 90 : 70 2,80 0,95
GaN #3 60 : 60 3,20 0,8
GaN #4 40 : 70 3,10 0,99

Hasil perhitungan celah pita energi film tipis GaN dalam eksperimen ini

menunjukkan sampel film tipis GaN #3 memiliki pergeseran harga celah pita

energi sekitar 0,2 eV, harga tersebut paling kecil jika dibanding dengan sampel

lainnya, hal tersebut berarti film tipis GaN #3 dengan ukuran butiran paling besar

mempunyai pergeseran harga celah pita energi paling kecil dengan kerapatan

dislocation paling kecil memiliki tingkat kristalinitas paling baik dengan kualitas

kristal yang baik dibandingkan dengan sampel film tipis GaN yang lain yang

dihasilkan dalam eksperimen ini.

Tampak ada kaitan antara celah pita energi film tipis GaN tersebut dengan

kualitas kristal, pada film tipis GaN dengan FWHM terkecil mempunyai celah

pita energi yang mendekati nilai referensi 3,40 eV (Madelung, 1996).

 48

Hasil fitting pada persamaan (2.9) menunjukkan sampel film tipis GaN #3

yang ditumbuhkan di atas subtrat safir (0001) dengan rasio laju alir gas argon dan

nitrogen sama yaitu Ar : N2 = 60 : 60 sccm, selain mempunyai harga Eg mendekati

harga Eg referensi yaitu 3,4 eV dengan pergeseran celah pita energi yang kecil,

sampel #3 juga mempunyai energi urbach paling kecil. Besarnya energi urbach

tersebut mempunyai kecenderungan yang sama dengan besarnya FWHM.

Perubahan Eu diakibatkan adanya cacat kristal pada film tipis GaN hasil

eksperimen. Saat film tipis GaN ditumbuhkan tanpa dialiri gas N2, film tipis yang

terbentuk mempunyai harga Eu paling besar. Hal tersebut dikarenakan film tipis

yang tumbuh masih berbentuk amorf.

Keempat sampel yang dihasilkan tampak bahwa sampel #3 mempunyai

energi urbach yang terendah, sedangkan berdasarkan analisa FWHM sampel #3

juga mempunyai FWHM terkecil yaitu 0,4o, hal tersebut mengindikasikan bahwa

berdasarkan besarnya FWHM sampel #3 lebih baik dari sampel lainnya.

Hasil karakterisasi XRD maupun EDAX sampel #3 juga lebih baik dari

sampel lainnya, karena menunjukkan bidang orientasi (0002) dengan intensitas

puncak paling tinggi secara umum menggambarkan kristal yang tumbuh di atas

permukaan substrat memiliki kualitas yang baik, berdasarkan data hasil uji

analisis XRD menunjukkan bahwa FWHM dari puncak (0002) film tipis GaN

lebih kecil dari 0,5o artinya film yang ditumbuhkan pada studi ini mempunyai

kualitas kristal yang baik (Wickenden dkk, 1994). Hal tersebut berarti sampel #3

mempunyai kualitas kristal yang baik dengan cacat kristal yang rendah

dibandingkan dengan sampel lainnya.

 BAB V

SIMPULAN DAN SARAN

5.1 Simpulan

Hasil penelitian yang telah dilakukan menunjukkan bahwa film tipis GaN

dapat ditumbuhkan di atas substrat safir (0001) dengan metode dc magnetron

sputtering. Penumbuhan film tipis GaN yang dilakukan dengan parameter variasi

rasio laju alir gas Ar : N2 ke dalam chamber selama proses penumbuhan

menunjukkan bahwa variasi rasio laju alir gas argon dan nitrogen menentukan

arah orientasi penumbuhan film tipis GaN dan mempengaruhi kualitas kristal hasil

penumbuhan.

Studi film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas substrat safir (0001) pada

rasio laju alir gas argon dan nitrogen sama yaitu Ar : N2 = 60 : 60 sccm tumbuh

dengan orientasi (0001) dengan adanya puncak orientasi (0002) dan (0004), pada

puncak orientasi (0002) memiliki FWHM sekitar 0,4o, dengan ukuran butiran

yang besar sekitar 217,43 Å dan kerapatan dislocation yang kecil sekitar 2,115.

10-5 (Å)-2. Film tipis GaN tersebut memiliki persentase kandungan unsur gallium

(Ga) sekitar 42,88 % dan persentasi kandungan unsur nitrogen (N) sekitar 57,12

%, besarnya celah pita energi sekitar 3,2 eV, dengan energi urbach yang kecil

sekitar 0,8 eV.

49
5.2 Saran

Hasil penumbuhan film tipis GaN dengan variasi laju alir gas argon dan

nitrogen belum optimal. Terdapat ketidak-sesuaian parameterkisi antara substrat

dan film, dengan melakukan studi lanjut pengunaan lapisan penyangga untuk

mengurangi ketidak-sesuaian parameter kisi antara substrat dan film tipis,

memungkinkan diperoleh film tipis GaN dengan kualitas yang baik

50
 51

DAFTAR PUSTAKA

Atmono. 2003. Lapisan Tipis dan Aplikasinya Untuk Sensor Magnet dan Sensor
Gas. Yogyakarta: Puslitbang Teknologi Maju BATAN.

Blumenau, T. A., Elsner, J., Jones,R., Heggies, I. M., Frauenheim, T. and

Briddon,R. P. 2000. Dislocation in Hexagonal and Cubic GaN.
J. Phys.12: 10223-10233.

Cullity, D.B. 1997. Elements of X-Ray Diffraction. Notre Dame, Indiana:

Addison-Wesley Publishing Company, Inc:

Eduardo M., et. al. 2001. Microwave Performance of AlGaN/GaN Metal Insulator
Semiconductor Field Effect Transistor on Shapphire Substrate. IEEE
Transactions on Electron Devices. Vol. 48, No. 3. Maret 2001.

Green, M. B. 2001. Characteristics, Optimization, And Integrated Circuit

Applications Of Aluminium Gallium Nitride/Gallium Nitride High
Electron Mobility Transistors.USA: Faculty of the Graduate School of
Cornell University (Dissertation) : 1-4.

Kim, M. H., J. E. Oh and T. W. Kang. 2000. Cathodoluminescence

Characterization of Thick GaN Films Grown by HVPE. Proceedings:
International Workshop on Nitride Semiconductors. IPAP Conf. Series 1
pp, 49-52, Nagoya, Japan.

Konuma, M. 1992. Film Deposision by Plasma Techniques. Berlin: Springer-

Verlag: 1-10.

Lawrence, H. Robins, Jeremiah R. Lowney, and Dennis K. Wickenden. 1998.

Cathodoluminescence, Photoluminescence, and Optikal Absorbance
Spectroscopy of Aluminum Gallium Nitride (AlxGa1-xN) Films. Jurnal
Mater. Res. Vol. 13. No. 9. Sep 1998.

Madelung, O. 1996. Semiconductor Basic Data. Berlin: Springer-verlag: 86-91.

Mahony, O. D. 2002. Pulsed Laser Deposition of Wide Bandgap Semiconductor.

SPIE: 1-22.

Melissa J. Paterson et al. 1997. Characterisation of Microcrystalline GaN Grown

on Quartz and on Sapphire by Laser and Microwave Plasma Enhanced
Metalorganic Chemical Vapour Deposition. J. Appl. Phys. Vol. 37 pp.
426-431. Japanese.
 52

Morkoc, H. 1999. Nitride Semiconductors and Devices. Berlin: Springer-verlag:

8-95.

Nahm, S. K., S. H. Yang, S. H. Ahn, E. K. Suh and K. Y. Lim, 2000. Structure

and Optical Characterization of Thick Gan Film Grown by Direct
Reaction of Ga and NH3. Proceedings: International Workshop on
Nitride Semiconductors. IPAP Conf. Series 1 pp, 34-37, Nagoya, Japan.

Nakayama, T., M. Namerikawa, O. Takahashi, T. Saemasu and F. Hasegawa.

2000. HVPE/MOMBE Hybrid Growth of High Quality Hexagonal GaN
on SiO2 Substrates With An AlN Buffer Layer. Proceedings:
International Workshop on Nitride Semiconductors. IPAP Conf. Series 1
pp, 7-10, Nagoya, Japan.

Nishio, Y., H. Mori, A. Masuda, A. Yamamoto and A. Hashimoto. 2000. An

Indium surfactant effect in cubic GaN Rf-MBE Growth. Proceedings:
International Workshop on Nitride Semiconductors. IPAP Conf. Series 1
pp, 178-181, Nagoya, Japan.

Pankove, I. J. and Moustakas, T. 1998. Gallium Nitride (GaN) I Semiconductors

and Semimetals. America Academic press:

Purwaningsih, Y. S. 2003. Pembuatan Lapisan Tipis ZnO : Al Pada Substrat

Kaca dengan Metode dc Magnetron Sputtering dan Karakterisasi Sifat
Fisisnya. Yogyakarta: FISIKA FMIPA UGM (Tesis): 1-10.

Riyadi, sugeng. 2005. Studi Pengaruh Rasio Laju Alir Gas Argon dan Nitrogen
terhadap Struktur Kristal dan Sifat Listrik Gallium Nitrida yang
Ditumbuhkan dengan Metode dc Magnetron Sputtering. Semarang:
FISIKA FMIPA UNNES (Skripsi): 1-70

Rusdiana, et al. 2002. Pengaruh Temperatur Deposisi Terhadap Struktur Kristal

dan Sifat Optik Film Tipis GaN dengan Pulsed Laser Ablation
Deposition. Banten: Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia.

Seiji Kuwabara, et. al. 2001. Molecular Beam Epitaxy of Wurtzite GaN Bassed
Magnetic Alloy Semiconductor. Jpn. J. Appl. Phys. Vol.40 (2001) PP.
L724-L727, Part 2, No. 7B, 15 Juli 2001.

Singh, J. 1993. Physics of Semiconductors and Their Heterostructures. Singapore:

McGraw-Hill: 338-350.

Sjahid, Noor. 2004. Studi Penumbuhan Lapisan Tipis Ga2O3 dengan Metode Dc
Magnetron Sputtering dan Karakterisasi Sifat Fisisnya. Semarang:
FISIKA FMIPA UNNES (Skripsi): 1-74.
 53

Sujitno, T. A. B. 2003. Aplikasi Plasma Dan Teknologi Sputtering Untuk Surface

Treatment. Workshop: Sputtering Untuk Rekayasa Permukaan Bahan.
Yogyakarta: Puslitbang Teknologi Maju BATAN: 3.

Suryanarayana, C and Norton Grant M. 1998. X-Ray Diffraction A Practical

Approach. New York: Plenum Press: 3-10.

Stacia Keller, et. al. 2001. Gallium Nitride Based High Power Heterojunction
Field effect Transistor Process Development and Present Status at UCSB.
IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 48, No. 3. Maret 2001.

V. Bilgin, et al., 2005. The Effect of Substrate Temperature on the Structural and
Physical Properties of Ultrasonically Sprayed Cds Films. Materials
Chemistry and Physics. 94. 103-108.

Vinegoni, M.cazzanelli, A. Trivelli, G. Mariotto, J. Castro,J. G. Lunney and

J. Levi. 2000. Morphological and Optical Characterization of GaN
Prepared by Pulsed Laser Deposition. Elsevier. Surface and Coating
Technology 124 (2000): 272- 277. Swizerland.

Wasa, K and Hayakawa, S. 1992. Hand Book Of Sputtering Deposition

Tecnology. Principles, Technology and Apllication. Park Ridge, New
Jersey: USA Noyes Publication: 11-75.

Wickenden, A.E.,Wickenden, D. K.,and kistemnacker, T. J., (1994) The Effect of

Thermal Annealing on GaN Nucleation Layers Deposited on (0001)
Sapphire by Metal Organic Chemical Vapour Deposition, J, Appl. Phys.
75, 5367.

Wolfe, M. C.,Holonyak, N, and stillman, E. G. 1989. Physical Properties of

semiconductors. USA: Printice-Hall, inc: 209-214.

Yuici Sato, et. al. 2001. Crystallinity of GaN Thin Films Directly Grown on Metal
Foils by the Reactive Evaporation Method. Jpn. J. Appl. Phys. Vol.40
(2001) PP. 4516-4517, Part 1, No. 7, Juli 2001.

Zukauskas, A., Shur, M. S., and Gaska, R. (2001). Linght Emittting Diode
Progress in Solid State Lighting. MRS Bulletin. October. 2001. 764.