UNIVERSIDAD NACIONAL TECNOLÓGICA DE LIMA SUR

INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES

CICLO 2018 - I

Curso: Electrónica Industrial (IE09N7)

Trabajo 1: SCR, IBJT, GTO, IGCT, Sensores y Cargas industriales

Apellidos y Nombres:

Docente: Ruiz Saavedra, José

Fecha: 11 de abril de 2018

VILLA EL SALVADOR – 2018

SCR

Concepto: El rectificador controlado de silicio es un tipo de tiristor formado por cuatro

capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre
proviene de la unión de Tiratrón y Transistor.

Tiristor.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada
de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como
un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.
Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción
y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir.
Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.
Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien
interrumpir el circuito.
El pulso de conmutación ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo si se
está trabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o adelante el
pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga.
Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará
conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de
mantenimiento (en la práctica, cuando la onda senoidal cruza por cero)
Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor,
éste puede dispararse y entrar en conducción aun sin corriente de puerta. Por ello se da
como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite mantener
bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parásito existente
entre la puerta y el ánodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control,
especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor de
tipo electrónico.
PARAMETROS
 VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
 VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
 IF: Máxima corriente directa permitida.
 PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
 VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
cebado
 IH: Mínima corriente de ánodo requerida
 dv/dt: Máxima variación de voltaje
 di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR
tiristor GTO
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del inglés Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo
de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva
en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser
apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados,
tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente
en la puerta (G).
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las características de apagado son un
poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a través de las terminales puerta
(G) y cátodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta
(G) alcanza su máximo valor, IGR, la corriente de ánodo comienza a caer y el voltaje a
través del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de caída de la corriente de
ánodo (IA) es abrupta, típicamente menor a 1 us. Después de esto, la corriente de ánodo
varía lentamente y ésta porción de la corriente de ánodo es conocido como corriente de
cola.
La razón (IA/IGR) de la corriente de ánodo IA a la máxima corriente negativa en la puerta
(IGR) requerida para el voltaje es baja, comúnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un
voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente
negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.

TIRISTOR IGCT
Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor
IGCT (del inglés Integrated Gate-Commutated Thyristor) es un dispositivo semiconductor
empleado en electrónica de potencia para conmutar corriente eléctrica en equipos
industriales. Es la evolución del Tiristor GTO (del inglés Gate Turn-Off). Al igual que el
GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo además de activarlo, también
desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G (del inglés Gate). La electrónica de
control de la puerta está integrada en el propio tiristor.

Ibjt

El IBJT es el análogo iónico del semiconductor convencional BJT y se fabrica

utilizando técnicas de microfabricación estándar. Empleando el IBJT como un
elemento del circuito bioelectrónico para la administración del neurotransmisor
El control dinámico de microambientes químicos es esencial para el desarrollo
continuo en numerosos campos de las ciencias de la vida. Tal control podría
lograrse con circuitos químicos activos para el suministro de iones y
biomoléculas. Como base para dichos circuitos, informamos un transistor de unión
bipolar de iones en estado sólido (IBJT) basado en polímeros conductores y
películas delgadas de membranas selectivas de aniones y cationes.
El principio de funcionamiento, se basa en el cual una corriente de base aniónica
amplifica una corriente de colector catiónico
Arquitectura
El IBJT consta de dos evacuaciones, emisor-base y colector-base, con la misma región
base que comparte una capa intermedia neutra ( figura 1 B y C ). Las regiones de emisor y
colector son ambas selectivas de cationes mientras que la región de base es selectiva de
aniones. Por lo tanto, la configuración es equivalente al pnp electrónico -BJT. El dispositivo
IBJT está fabricado con una película delgada del polímero conductor polietilendioxitiofeno
con una lámina de plástico junto con electrolitos acuosos sirven como terminales de
suministro de iones

El emisor y el colector se conectan luego mediante una unión que consiste en una capa de
gel de polietilenglicol (PEG) reticulado neutro ( Fig. 1 C y D) Una membrana selectiva de
aniones, se aplica sobre el gel de PEG, definiendo la base. Finalmente, la pila está sellada
por una capa de polidimetilsiloxano (PDMS).

Modos de operación
Se utiliza la configuración de transistor de emisor común ( figura 1 B ). Cuando se opera en
el modo de corte, tanto el emisor-base (EB) y el colector-base (CB) diodos están
polarizados inversamente. La concentración de iones en la mayor parte de la unión ( c J )
es baja y, en consecuencia, la corriente entre el emisor y el colector ( I C ) es
pequeña. Después de invertir el voltaje de polarización solo del diodo EB, el transistor
opera en modo activo. A medida que c J aumenta, tanto I C como el potencial de
resistencia caen a lo largo del emisor (Δ V E) subir. Esto hace que la caída de potencial a
través de la unión EB disminuya hasta que la corriente base ( I B ) sea igual a la corriente
de fuga EB (estado estable). Como Δ V E es resistiva y es igual a la tensión del emisor-
base ( V EB ) en magnitud, se espera que la corriente del emisor ( I E ) y,
por lo tanto, I Cdependa linealmente de V EB : I C = R E · ( V EB - V T ) donde V T es la
tensión umbral.