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ELETRÔNICA
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Presidente da FIEMG
Olavo Machado
Gestor do SENAI
Petrônio Machado Zica
Organização
Unidade Operacional
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APRESENTAÇÃO
O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didáticos, aguçar a sua
curiosidade, responder às suas demandas de informações e construir links entre os
diversos conhecimentos, tão importantes para sua formação continuada !
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Condutores:
Dizemos que um material é condutor, quando os elétrons são fracamente ligados
ao núcleo e ao serem submetidos a uma diferença de potencial passam a se
locomover no interior do material.
Podemos citar como exemplo o ouro, a prata, o cobre e outros.
Isolantes:
Dizemos que um material é isolante, quando os elétrons se encontram fortemente
presos em suas ligações, evitando a circulação desses elétrons.
Podemos citar como exemplo, a borracha, a mica, a porcelana, etc.
Semicondutores:
Dizemos que um material é semicondutor se sua resistência se encontra entre a
dos condutores e a dos isolantes.
Os principais semicondutores utilizados são:
Silício (Si)
Germânio (Ge)
A principal característica dos semicondutores é a de possuir 04 (quatro) elétrons
em sua última camada, camada de valência. Isto permite aos átomos do material
semicondutor a formação entre si de ligações covalentes.
Cristais semicondutores
Dizemos que uma substância é cristalina se ela possui uma estrutura cúbica, tendo
seus átomos ocupando os vértices desse cubo.
O silício (Si) e o germânio (Ge) apresentam-se sob a forma cristalina, significando que
seus átomos acham-se dispostos uniformemente em uma configuração periódica.
Dopagem do semicondutor
Chama-se dopagem de um semicondutor, o processo utilizado para construir
elementos P e
N, através da mistura ao silício (Si) ou germânio (Ge) de quantidades reduzidas de
impurezas
de elementos trivalentes ou pentavalentes.
Semicondutor tipo N
Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade
de um material pentavalente, por exemplo, antimônio (Sb), tendo este 05 (cinco)
elétrons na camada de valência, haverá a sobra de 01 (um) elétron do antimônio (Sb)
que não formará ligação covalente.
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O átomo do antimônio (Sb) que deu esse elétron chamamos de doador. O silício (Si)
ou germânio (Ge) dopados com elementos pentavalentes são chamados de tipo N,
sendo um material negativo.
Os portadores de carga no material tipo N, são os elétrons.
Semicondutor tipo P
Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade
de um material trivalente, por exemplo, índio (ln), tendo este 03 (três) elétrons na
camada de valência, faltará um elétron.
Essa falta de elétron comporta-se como uma carga positiva que chamamos de lacuna.
Os semicondutores dopados com elementos trivalentes são chamados do tipo P, e ao
elemento trivalente da dopagem chamamos de aceitador.
Os portadores de carga no material tipo P são as lacunas.
Portadores de cargas
A condutividade de um semicondutor depende do número de portadores de carga,
elétrons ou lacunas, dependendo da dopagem. Outro fator que influi na condutividade
é a temperatura.
Este fator contribui para o rompimento da ligação covalente, dando origem a elétrons
e lacunas à medida que a temperatura aumenta. No material tipo N os elétrons da
dopagem mais os surgidos pelo rompimento das ligações são chamados de
portadores majoritários, pois existem em maior quantidade no material. E as lacunas
surgidas no material tipo N, devido ao rompimento das ligações, chamadas de
portadores minoritários.
No material tipo P os portadores majoritários são as lacunas e os portadores
minoritários são os elétrons:
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Diodos retificadores
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O retificador mais simples que existe é o diodo (confeccionado com material do tipo
semicondutor), que permite a passagem de corrente elétrica num só sentido; esse
retificador é chamado "retificador de meia-onda" e resulta num sinal de corrente
contínua pulsante, como mostra a figura abaixo
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Diodos Zener são diodos projetados para operar na região de ruptura, onde
grandes variações de corrente produzem pequenas variações de tensões desta
forma permitindo que se construa um regulador de tensão. A figura1a mostra o
símbolo e a figura1b a curva característica mostrando a região de operação.
(a) (b)
Figura 1.5 ( a ) símbolo do diodo Zener ( b ) curva característica
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.16.
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2 RETIFICADORES A DIODO
Valor Médio de Tensão e Corrente de um Sinal periódico
km/
h
100
66,7
min
0 30 60 90
Velocidade Média:
Vm = ( 100 [km/h] x 0,5 [h] + 100 [km/h] x 0,5 [h] ) / 1,5 [h]
Vm = 66,7 [km/h]
e
i Vm = 0
temp Im = 0
o
e Vm = Vmax /
i Im = Imax /
temp
e o
Vm = 2.Vmax /
i Im = 2.Imax /
temp
o
Figura 2.2 Formas de onda retificadas e calculo de seu valor médio.
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.19.
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Ik
temp
o
Figura 2.3 Senoide
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.19.
Ik Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
o
Ik Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
Ik o
Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
o
Figura 2.4 Grafico de tensões retificadas
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.20.
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VP + V RL V L
VS D
VS
Vmax
VL Id = Imax /
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VS VL RL
VP
1
VS
2
D2
Figura 2.7 Circuito retificador de onda completa
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 22.
1 +
+ VS
1
A Ponto de observação
_
VS
_
2
2
1 _
_ VS
1
A Ponto de observação
+ VS
+ 2
2
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VS
_ 2
+ t
1 0
VS + t
2 0 _ 2
Voltemos ao Retificador
D1
VS RL V L
VP
1
VS
2
D2
Quando VS1 estiver no semi ciclo positivo, o diodo D1 estará com seu anodo positivo
de tal maneira que conduzirá.
No mesmo instante em que VS1 é positivo, VS2 é negativo e este potencial está sendo
aplicado no anodo do diodo D2, que comportará como um circuito aberto, não
conduzindo.
Quando VS1 passa a ser negativo, este potencial é aplicado ao diodo D 1 que passa a
se comportar como circuito aberto. Neste mesmo instante o potencial de V S2 é
positivo e está sendo aplicado no anodo do diodo D2 que passará a conduzir.
D1
RL V L
VP
D2
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Pode-se notar que cada diodo conduz somente meio ciclo de onda, e sobre a carga a
corrente sempre circula em um mesmo sentido de tal maneira que temos na carga
tensão e corrente contínua pulsante.
É interessante observar que a tensão reversa sobre cada diodo é o dobro da tensão
de pico. Faremos um exemplo para ilustrar. Vamos supor que o valor da tensão de
pico de VS1 e VS2 sejam iguais a 100 V
1 D1 B
+ 100 + RL V L
V
A
V
VS1
S2 _
2 - 100
C
V D2
D2
-100v +100
v
VR
Conclui-se que a tensão reversa sobre o diodo D2 neste instante é de 220 volts, o
dobro da tensão VS1 ou VS2.
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VS
1
VS2
t
ID1
t
ID2
t
VL
t
A tensão sobre a carga tem uma tensão contínua pulsante cujo valor médio é
Vdc = 2 . Vmax /
E valor eficaz
Vef = Vmax / 2
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2
Vmax
VR = 2 Vmax, logo:
D4 D3
RL V L
2
1
D2
VP + D1
D4
D3
RL V L
2
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D4 D3
RL V L
2
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ID1 = I
D3
t
ID2 = I
D4
t
VD1 = V D3
t
VD2 = V D4
t
VL
t
Figura 2.20 Formas de Onda para os circuitos em ponte
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 29.
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½ OndaCenter Ponte
Tape
Tensão média na Vmax / 2Vmax / 2Vmax /
carga Vdc
Tensão eficaz na Vmax / 2 Vmax / 2 Vmax / 2
carga Vef
Tensão Inversa sobre Vmax 2Vmax Vmax
os diodos VR
máxima
IT
IC IL
VE + _ C RL VL
tC tD
td é o tempo de descarga do capacitor, tempo em que o diodo não conduz pois, sua
tensão de catodo (fornecida pelo capacitor) é maior que sua tensão de anodo. O
capacitor mantém a corrente na resistência RL
Obs: Na escolha do diodo, este deve aguentar tensão inversa máxima maior que
2Vmax, onde Vmax é o valor da tensão de pico da onda de entrada.
2CRf Vmax
Vdc =
1 + 2CRf
Vmax C RL
VE
Vmax
Referência
D2
A tensão média sobre a carga
será:
4.CRf Vmax
Vdc =
1 + 4CRf
Figura 2.24 Forma de Onda retificada do circuito Center tape com filtro.
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 29.
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No circuito abaixo formado por um diodo zener polarizado reversamente pela fonte VE
e um resistor limitador de corrente, temos que:
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Exemplo 2 - Uma fonte de alimentação foi projetada para alimentar uma carga de
560W com tensão de 15V. Porém o sinal de saída do filtro capacitivo corresponde a
uma tensão de 22V com ripple de 5Vpp. Determinar R S do regulador de tensão que
elimina o ripple desta fonte e estabiliza sua tensão em 15V.
• Solução: O resistor RS deve satisfazer as condições dadas pelas
especificações do diodo e pela variação da tensão de entrada..
• Com a corrente mínima definimos o valor máximo para RS. A corrente
mínima acontece para o valor mínimo de VE.
• Com a corrente máxima definimos o valor mínimo para R S. A corrente
máxima acontece para o valor máximo de VE.
• Definimos um valor comercial para RS dentro do intervalo estabelecido.
• Calculamos a potência dissipada pelo resistor.
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Tem-se vários tipos de reguladores de tensão, dentre os quais podemos citar os CIs
da série 78XX para tensão positiva e os da série 79XX para tensão negativa.
Nota: As funções dos pinos 1 e 2 da série 79XX são trocadas em relação à série
78XX
Nos reguladores 78XX, o pino 1 é a entrada e o pino 2 é o comum (ligado ao terra).
Nos reguladores 79XX, o pino 2 é a entrada e o pino 1 é o comum (ligado ao terra).
O pino 3 é a saída tanto para o 78XX quanto para o 79XX.
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Exemplo No circuito a seguir, deseja-se que o Led seja acionado quando a chave
estiver na posição ON e desligado quando a chave estiver na posição OFF.
VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V
ICMAX=200 mA VCEMAX=30V
b =20
Exemplo Um circuito digital (TTL) foi projetado para acionar um motor de 220V/
60Hz sob determinadas condições. Para tanto, é necessário que um transistor
como chave atue sobre um relé, já que nem o circuito digital, nem o transistor
podem acionar este motor. O circuito utilizado para este fim esta mostrado a
seguir.
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Neste circuito, em série com RC, coloca-se a bobina do relê. Esta bobina,
normalmente, apresenta uma resistência DC da ordem de algumas dezenas de
ohms. Por ser tão baixa, a resistência RC, tem a função de limitar a corrente no
transistor, para não danificá-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para
evitar que o transistor se danifique devido à tensão reversa gerada por ela no
chaveamento do relê.
Parâmetros do 2N2222:
ICMAX=500mA VCEMAX=100V
Parâmetros do relé:
RR=80W IR=50mA
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Além da região de operação (região ativa), onde o transistor trabalha sem distorções,
devem ser levadas também em consideração as regiões de corte e de saturação. Na
região de corte, a\ tensão VBE é menor que VBE de condução, logo não haverá
corrente IB circulando, IC também será zero, e VCE estará com valor elevado. Na região
de saturação, a tensão VBE é um pouco maior que VBE de condução. Neste caso, a
corrente de entrada IB e conseqüentemente IC são muito grandes, o que implica em
VCE baixo, em torno de 0,2 Volts (dependendo do transistor)
IE = IC + IB sendo que
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Corrente convencional
Corrente de elétrons
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Os desenhos das Figuras 3.5 e 3.6 são representados pelos seus esquemas
elétricos correspondentes indicados na Figuras 3.7 e 3.8 respectivamente.
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Obs:
1) Esta configuração pode ser feita também com transistores PNP.
2) Como o transistor Q1 opera com baixas corrente, e comumente encontrado na
prática um resistor entre a base e o emissor de Q2 , assim b1 não é reduzido.
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4. LÓGICA DIGITAL
Definições
A Variável lógica (ou de Boole ou binária) - Variável que tem por domínio 2 valores
lógicos distintos, representados pelos valores 0 e 1 (ou outras designações como
FALSE(F) e TRUE (T) ou FALSO(F) e VERDADEIRO(V) ).
Função lógica (ou de Boole ou binária) - Função que tem por contradomínio os
valores lógicos 0 e 1.
Operadores/Funções lógicos elementares:
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A saída com coletor aberto apresenta um transistor que não possui o resistor de
coletor. Por isso, esse tipo de circuito exige um resistor externo para poder funcionar.
Veja figura a seguir.
4.3 Portas lógicas básicas (AND, OR, NAND, NOR, EXOR, EXNOR).
Funções Lógicas E, OU, NÃO, NE e NOU.
Faremos a seguir, o estudo das principais funções lógicas que na verdade derivam
dos postulados da álgebra de Boole, sendo as variáveis e expressões envolvidas
denominadas de booleanas.
Nas funções lógicas, temos apenas dois estados distintos:
O estado 0 (zero) e o estado 1 (um).
O estado 0 representará, por exemplo: portão fechado, aparelho desligado, ausência
de tensão, chave aberta, não, etc. O estado 1 representará, então: portão aberto,
aparelho ligado, presença de tensão, chave fechada, sim, etc.
Note, então, que se representarmos por 0 uma situação, representaremos por 1 a
situação contrária. Deve-se salientar aqui, que cada variável booleana da função
lógica pode assumir somente 2 situações distintas 0 ou 1.
Função E ou AND
A função E é aquela que executa a multiplicação de 2 ou mais variáveis booleanas. É
também conhecida como função AND, nome derivado do inglês.
Sua representação algébrica para 2 variáveis é S = A.B, onde se lê S = A e B.
A figura abaixo mostra o circuito elétrico equivalente a porta E.
CONVENÇÃO
CHAVE ABERTA = 0 LÂMPADA APAGADA = 0
CHAVE FECHADA = 1 LÂMPADA ACESA = 1
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Simbologia
A porta E é um circuito que executa a função E, sendo representada na prática,
através do símbolo abaixo:
Figura 4.4 Símbolo porta AND com 3 entradas e sua tabela da verdade
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 67.
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Função OU ou OR
A função OU ou OR é aquela que assume valor 1 quando uma ou mais variáveis da
entrada forem iguais a 1 e assume valor 0 se, e somente se, todas as variáveis de
entrada forem iguais a 0. Sua representação algébrica para 2 variáveis de entrada é
S = A + B, onde se lê S = A ou B.
Tabela-verdade da Função OR ou OU
Nesta tabela 05, temos todas as situações possíveis com os respectivos valores que
a função OU assume.
Simbologia
È a porta que executa a função OU, representada através do símbolo abaixo:
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CONVENÇÃO
CHAVE ABERTA = 0 LÂMPADA ACESA = 1
CHAVE FECHADA = 1 LÂMPADA APAGADA = 0
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A lâmpada S acenderá (1) quando a chave A estiver aberta (0). Quando a chave A
estiver fechada (1), a lâmpada será curto-circuitada e não acenderá (0).
Veja a seguir o símbolo, as combinações possíveis da chave e a respectiva tabela-
verdade.
Elas são: porta NE (ou NÃO E), porta NOU (ou NÃO OU), porta OU EXCLUSIVO e
porta NÃO OU EXCLUSIVO.
Podemos também formar uma porta NAND através da composição de uma porta
AND com um inversor ligado a sua saída.
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Devido a sua definição, o circuito OU Exclusivo só pode ter duas variáveis de entrada
e possui um símbolo característico mostrado abaixo:
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5. AMPLIFICADOR OPERACIONAL
O Amplificador Operacional (abreviadamente A. O ou amp-op) é certamente um dos
integrados de aplicações lineares mais usados e mais versáteis da atualidade. Além
de ser de fácil emprego, não requer cálculos cansativos e ajustes para sua
polarização, ao contrário dos transistores. Essa versatilidade e seu vasto campo de
aplicações tornaram seu conhecimento uma necessidade para todo técnico e
engenheiro que atuam no campo da eletrônica, mesmo que o componente não faça
parte do seu dia-a-dia.
O A.O. recebeu esta denominação pelo fato de ter sido utilizado inicialmente para
executar operações matemáticas em computação analógica, tais como: somar,
subtrair, integrar, diferenciar, etc.
Atualmente, o componente em forma de CI é empregado em inúmeras aplicações
lineares ou não lineares na eletrônica em geral, mas principalmente em sistemas de
controle e regulação, instrumentação, processamento e geração de sinais.
Trata-se na realidade de um amplificador CC linear, com elevado ganho de tensão e
que usa externamente uma rede de realimentação negativa ou positiva (em função da
aplicação) para controlar suas características de operação.
Abaixo o diagrama interno do 741, considerado o amp-op mais popular.
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Amplificador Inversor
A tensão de saída será igual ao produto da tensão de entrada pelo ganho, estando a
saída defasada de 180º elétricos em relação à entrada.
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Amplificador inversor:
Funcionamento do circuito
Comparador não_inversor
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Funções geradas por blocos funcionais analógicos são muitas vezes processadas por
circuitos digitais (por exemplo, um computador). Para processar este sinal usando
circuitos digitais, deve-se necessariamente efetuar uma conversão para a forma
digital. Tal conversão é efetuada por um conversor analógico/digital ("A/D converter"
ou ADC). Este sinal processado (ou transformado) deve (na maioria das vezes) atuar,
produzindo um efeito sobre o circuito analógico que gerou o sinal original, ou outro
similar.
Um sinal na forma digital, para ser processado por um bloco funcional analógico, deve
ser previamente convertido (ou reconvertido) para a forma analógica equivalente. Este
processo reverso é efetuado por um conversor digital/analógico ("D/A converter" ou
DAC).
Sistemas que aceitam uma palavra digital como entrada e traduzem ou convertem
para uma voltagem ou corrente analógica são chamados de conversores
digitais/analógicos.
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A numeração binário codificado decimal (BCD) usa quatro bits para representar
números decimais de 0 a 9. O bit menos significativo (LSB) é expresso como (valor do
bit x 20), o próximo bit como (valor do bit x 21), o terceiro como (valor do bit x 22), e o
bit mais significativo (MSB) como (valor do bit x 23). Assim o peso de cada coluna da
direita para a esquerda é 1, 2, 4 e 8.
Nesta linha de raciocínio, num circuito conversor D/A que recebe um número BCD a
ser convertido em analógico, o LSB deverá ser apresentado para um resistor de
entrada com o maior valor de resistência do circuito, o segundo com a metade do
LSB, o terceiro com um quarto do LSB e o MSB com um oitavo do LSB. A saída é
então a soma das quatro voltagens atenuadas. Note que o maior valor de resistência
refere-se ao LSB porque ele causa o menor fluxo de corrente resultante.
O resistor de carga (RL ) que é utilizado para criar a voltagem de saída (Va), que
nada mais é, que uma diferença de potencial (ddp) intermediária, calculada entre o
ponto onde as correntes são somadas (Va) e o terra.
A relação entre o valor de resistência de RL e de Req deve ser tal que RL esteja entre
o valor médio e o menor valor de Req (1KW < RL > 500W). Isto deve-se ao fato de
que a ddp sobre RL não deve ser nem muito maior nem muito menor que a ddp sobre
Req.
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A corrente total é obtida pela lei de Ohm (I = V / R), onde V = 5 Volts e R = Req+RL.
Desta forma, ao obter-se a corrente total do circuito, que passa igualmente por Req e
por RL, pode-se também, obter o valor correspondente a conversão da entrada digital,
através da fórmula Va = RL * I.
A seguir é mostrado o gráfico resultante referente aos cinco valores de RL. O eixo X
representa as entradas digitais e o eixo Y as possíveis saídas analógicas,
proporcionais às entradas.
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É o mais rápido dos conversores A/D, mas é expressivamente caro, visto que
necessita de 2N-1 comparadores para um conversor de N bits.
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A saída Y será baixa para todos comparadores com limiar maior que a entrada
analógica respectiva (Vref > Ve; Y=0). E Y será alta para todos os comparadores com
limiar menor que a entrada analógica ( Vref < Ve; Y=1).
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Ve Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 S2 S1 S0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1
2 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0
3 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1
4 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0
5 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1
6 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0
7 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Tabela 6.1 Estados do conversor A/D paralelo como função da tensão de entrada
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7. TIRISTORES
Tiristor é o nome usado para designar uma família de componentes de quatro
camadas (P-N-P-N). Nesta seção serão abordados os tiristores SCR e TRIAC.
Embora o GTO seja também um tiristor, ele será abordado na seção de chaves
controláveis.
7.1 O SCR
O SCR – Silicon Controled Rectifier – é o mais antigo dispositivo semicondutor de
potência, possui construção simples, ainda hoje é o dispositivo capaz de manipular as
mais altas potências. É possível encontrar no mercado dispositivos que podem
suportar vários Kilovolts e vários Kiloampères. Entretanto, como mencionado na
tabela 1, somente seu ligamento pode ser controlado.
O ligamento do SCR é feito através do terminal Gate (porta ou gatilho), onde deve ser
aplicado um pulso de corrente positiva em relação ao catodo, com amplitude e
duração suficientes. O SCR entrará em condução se estiver sob polarização direta
anodo – catodo, e manterá seu estado de condução se, antes de ser retirada a
corrente de gate, a corrente de anodo for superior ao valor chamado corrente de
travamento (latching), IL . Caso contrário o SCR retoma o estado de bloqueio.
A figura seguinte ilustra o processo de ligamento do SCR. Como pode ser observado,
existe um tempo de atraso td entre o estabelecimento da corrente de gate e o início
do crescimento da corrente de anodo. O tempo tr refere-se ao intervalo de
decaimento da tensão anodo-catodo de 90% para 10% de seu valor inicial. O tempo
de ligamento ton é a soma de td e tr.
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Comutação natural: neste caso, a corrente de anodo naturalmente cai abaixo do valor
mínimo chamado corrente de manutenção IH – (Holding Current), o que dá início à
comutação. Em aplicações CA, isto ocorre automaticamente nas passagens por zero
da forma de onda corrente.
Depois de se anular, a corrente de anodo se inverte durante o intervalo trr. Para que o
SCR mantenha seu estado de bloqueio, ele somente pode receber nova polarização
direta após passado um tempo superior a tq (tempo de comutação), o qual é igual à
soma de trr e tgr, o tempo de recuperação de gatilho. O tq é dependente da
temperatura e da corrente direta, dentre outros parâmetros.
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SCRs de freqüência de rede: também conhecidos por “phase control SCRs”, são
utilizados em retificadores controlados e como chave eletrônica CA. Os parâmetros
mais importantes são as capacidades de tensão e corrente e a queda de tensão
direta. Em favor de uma pequena queda de tensão direta, o tempo de comutação tq
não é otimizado, variando entre 50 e 300μs. Este tipo de SCR pode ser encontrado
para operar em tensões de até 5-12kV e correntes de até 3-4kA, aproximadamente.
SCRs rápidos: também conhecidos por “inverter type SCRs”, são projetados para
utilização em choppers e inversores, e desta forma possuem um tempo de comutação
reduzido (2 a 50μs) . A utilização destes tiristores está sendo abandonada devido à
performance muito superior dos transistores IGBT e MOSFET de potência. Apenas
são utilizados em potências muito elevadas.
Os tempos de ligamento e desligamento dos SCR são relativamente elevados, o que
produz consideráveis perdas por comutação. Por isso, a utilização de SCRs é restrita
a aplicações de freqüência não muito elevadas.
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altíssimas potências (na casa das dezenas de MVA), como transmissão de energia
CC em alta tensão (HVDC), acionamento de grandes motores de vários MVA, ETC.
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7.2 Triac
O TRIAC – “Thyristor AC” pode ser interpretado como a conexão de dois SCRs em
anti-paralelo. O componente é bidirecional em corrente e tensão, possuindo os
terminais de carga MT1 e MT2 (MT = “Main Terminal”), bem como o terminal de gate.
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A designação dos parâmetros dos TRIACs são semelhantes às dos tiristores. A tabela
seguinte mostra resumidamente as características de alguns dispositivos.
7.3 Diac
Os diacs são diodos de disparo bidirecional, composto por três camadas (PNP) com a
simples função de disparar tiristores.
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Simbolo
B2
E E – Emissor
B1
B1 – Base 1
B2 – Base 2
Constituição Interna
B2
B1
Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples
resistências (Rb2 e Rb1), em série, tendo ligado no seu ponto central um diodo
(terminal E ou Emissor).
O terminal do emissor (E) está mais próximo da base 2 (B2).
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Princípio de funcionamento
+
6 a 30 Volt
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Características técnicas
Tensão entre bases (Vbb) – é a máxima tensão que pode ser aplicada entre as
bases.
Tensão entre emissor e base 1 (Vb1e) – é a máxima tensão que pode ser
aplicada entre esses dois terminais.
Resistência entre bases (Rbb) – é a resistência existente entre os dois terminais
de base.
Corrente de pico de emissor (Ie) – é a corrente máxima que pode circular entre o
emissor e a base 1 quando o transistor é disparado.
Razão intrínseca de afastamento ()
Rb1
Rbb = Rb1 + Rb2
Rbb
V1
V1 = 0,65 x 10
V1 = 6,5V
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8. BIBLIOGRAFIA
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