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Unidad 1: Semiconductores de potencia

1.1-Didodos de potencia

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación


de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la
corriente circula en sentido contrario

Los diodos de potencia se caracterizan por que, en estado de conducción, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido
inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una
pequeña intensidad de fugas

1.1.1 Características y parámetros

Características estáticas:

 Parámetros en bloqueo (polarización inversa)


 Parámetros en conducción
 Modelo estático

Características dinámicas:

 Parámetros de encendido
 Parámetros apagados
 Influencia en Tn en la conmutación
1.1.2 Rectificadores monofásicos y polifásicos

Rectificadores monofásicos

Un rectificador es un circuito que convierte una señal de corriente alterna en una señal
unidireccional.
Los diodos se usan extensamente en los rectificadores. Un rectificador monofásico de
media onda es el tipo as sencillo, pero no se utiliza normalmente en aplicaciones
industriales

Rectificadores Polifásicos

También conocidos como convertidor trifásico es un dispositivo electrónico capaz de


convertir una corriente alterna de entrada en una corriente continua de salida,
mediante dispositivos semiconductores capaces de manejar grandes potencias
como diodos, tiristores, válvulas de mercurio

1.1.1.4 Alimentaciones de motores de C.C

En la industria, en general se requiere un control de velocidad de una carga mecánica


cuya copla puede ser cambiante. Dado que la alimentación siempre se hacer con u
una fuente de tensión, lo cual debemos relacionar los 3 parámetros

1.2 Transistores de potencia

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los


transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

 bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
 IGBT.
1.2.1 Tipos de transistores bipolar (BJT)

El transistor de unión bipolar un dispositivo electrónico de estado sólido consistente


en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y
disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales.

1.2.2 Metal oxido de Silicio (MOS)

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales: el drenador (D, drain), la puerta (G,


gate), el surtidor o fuente (S, source) y el sustrato (B, bulk). La corriente en el interior
del dispositivo puede ser en forma de electrones o huecos, fluye desde la fuente hasta
el drenador, y es controlada por la puerta. El terminal de sustrato se utiliza para fijar
la tensión umbral del transistor, mediante la aplicación de una tensión constante. Bajo
el terminal de puerta existe una capa de óxido (SiO2) que impide prácticamente el
paso de corriente a su través; por lo que el control de puerta se establece en forma
de tensión. La calidad y estabilidad con que es posible fabricar estas finas capas de
óxido es la principal causa del éxito alcanzado con este transistor, siendo actualmente
el dispositivo más utilizado. Además, este transistor ocupa menos volumen que el BJT,
lo que permite una mayor densidad de integración

1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated
Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica
como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo
posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor
bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del
BJT.

1.2.4 Características y parámetros


 Encapsulado
 Los transistores se ponen en diferentes encapsulados, dependiendo del tipo de
transistor y su uso deseado. Algunos transistores se fabrican con encapsulados
de plástico, pero otros, especialmente aquellos que generan calor, llevan
encapsulados de metal. Los transistores que generan una gran cantidad de calor
a menudo tienen una placa de metal para un disipador de calor o un disipador
de calor integrado.
 Cables
 Los transistores tienen tres cables. Uno de ellos es la base (B). Otro es el colector
(C). El tercer cable es el emisor (E). Se deben hacer las tres conexiones para que
el transistor funcione. El cable base es el que activa el transistor. El colector es el
cable positivo. El emisor es el cable negativo.
 Material semiconductor
 Un número de diferentes materiales semiconductores se han utilizado en los
transistores en los últimos años. Aunque la mayoría de los transistores modernos
están hechos de silicio, muchos transistores anteriores fueron hechos de
diferentes semiconductores, como el arseniuro de galio (GaAs) o el germanio
(Ge).
 Usar el transistor como interruptor
 Un uso común del transistor es el de interruptor. De hecho, los transistores
miniaturizados grabados en un circuito integrado de silicio (IC) configurados
como interruptores son los pilares fundamentales de las tecnologías digitales.
Los transistores existen, cuando se configuran como interruptores, en dos
estados: apagado y encendido, o 0 y 1. Esta es la base de la tecnología digital
binaria.
 Usar el transistor como amplificador
 Los transistores pueden amplificar la corriente porque su producción varía en
proporción a sus entradas. Un transistor que está diseñado como un
amplificador de señal amplificará proporcionalmente la señal de entrada. A
medida que aumenta la señal de entrada, la señal de salida se incrementará.

1.3 Aplicaciones en máquinas eléctricas


 Regular velocidad
 Regular torque de la maquina
 Tiene precisión
 Respuesta inmediata

1.3.1 Arranque y paro de un motor de C.C con un IGBT.

El frenado de flujo es un método que se basa en las pérdidas del motor. Cuando se
necesita frenado en el sistema de accionamiento, aumenta el flujo del motor y,
asimismo, el componente de intensidad de magnetización empleado en el motor. Se
puede controlar fácilmente el flujo mediante el principio de control directo del par.
Con el DTC se controla directamente el inversor para obtener el par y el flujo del motor
deseados. Durante el frenado de flujo el motor está bajo control DTC, lo que asegura
que se pueda frenar según la rampa de velocidad especificada. Este concepto es muy
distinto al freno por inyección de CC que suele utilizarse en accionamientos. En el
método por inyección de CC se inyecta intensidad de CC al motor para que se pierda
el control del flujo del motor durante el frenado. El método de frenado de flujo con
DTC permite que el motor pase rápidamente de frenar a actuar como motor cuando
se necesite.
1.3.2 CONTROL de velocidad de motores C.C

Este sistema de regulación permite reducir el nivel de tensión directamente


en corriente continua mediante unos dispositivos llamados recortadores o choppers.
Estos elementos disponen de varios interruptores estáticos, que pueden ser
dispositivos de electrónica de potencia como tiristores GTO, IGBT o Transistores
Mosfet, y que permiten controlar en qué instantes de tiempos conducen o no la
corriente a través del circuito.

1.4 Circuitos de control híbridos (Electrónicos - electromecánicos)

Un circuito híbrido es una placa de material aislante, generalmente cerámica, sobre la


cual y por medio de un proceso litográfico con tintas especiales, se generan e integran
componentes pasivos como son las resistencias y condensadores, siendo el tamaño
de estos muy reducido, por lo que podemos decir que están “integrados”.

Al lado de estos componentes, pueden ir conectados dispositivos semiconductores


como diodos o transistores, que, en pequeños chips sin encapsular, se fijan a la placa
por medio de pegamentos especiales. Estos componentes pueden ser, y de hecho lo
son, componentes de tecnología superficial, e incluso componentes discretos de
tamaño estándar, aunque esto último es un poco más raro.

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