Professional Documents
Culture Documents
Como se pode observar na figura 6 o JFET possui três terminais que recebem o
nome de Drain (ou Dreno), Gate (ou Porta) e Source (Fonte ou Supridouro). Pode-se
perceber também que diferente do BJT o JFET possui apenas um tipo de portador
(elétron ou lacuna). O JFET é, portanto, um elemento unipolar. Desta forma percebe-se
que o JFET controla a sua malha de saída não a partir de uma corrente de entrada, mas
sim a partir de uma tensão de entrada.
A partir da imagem acima é possível notar que para o caso de um canal do tipo
n nas proximidades do terminal de Dreno a região de depleção é mais larga, portanto
maior é também a “resistência” próxima a estes terminais.
A Tensão de Pinçamento é uma tensão negativa tal que quando aplicada entre
a Porta e a Fonte tem-se que para tensões mais positivas que ela o JFET passa a
conduzir e para tensões mais negativas a corrente de Dreno continua a ser zero.
Figura 3: Curva Característica de um JFET
Por fim pode-se dizer que algumas das características do JFET em relação ao
BJT são:
Prática Spice
R2 I(R1) R2 I(R1)
100,400 1,89E-03 100 2,86E-03
220,100 1,15E-03 220 2,18E-03
323,600 8,74E-03 330 1,81E-03
467,000 6,62E-03 470 1,49E-03
Conforme pode ser visto a partir da tabela anterior os valores obtidos na prática
encontram-se dentro de uma faixa aceitável de erro para com os observados nas
simulações no LTSpice.
Este comportamento pode ser descrito através da equação xxx presente a seguir:
Equação 2
2.3. Análise 2
Na segunda parte foi montado o circuito amplificador de fonte comum com JFET,
conforme ilustrado na figura 2, e cascateado com o circuito desenvolvido na prática 2.
Para uma frequência de 440 kHz foi obtido um ganho de XXX
2.4. Análise 3
Na terceira etapa, foi aumentado o sinal de entrada até que fosse observado
uma deformação de tal forma que o pico superior seja visivelmente diferente do inferior.
A partir do osciloscópio foi obtida uma imagem comparando a entrada e saída.
Figura 10: Distorção do sinal de áudio.
Como pode ser observado na figura anterior percebe-se que a parte superior as
senoide é deformada, sendo que tal comportamento deve-se a não linearidade do JFET.
2.5. Análise 4
√∑𝑁
𝑛=2 𝐴𝑛
𝑇𝐻𝐷𝐹(%) = 𝑥100
𝐴1
Equação 3
𝑇𝐻𝐷𝐹(%) = 12,5 %
A partir do valor obtido através das contas feitas acima pode-se compara este
resultado aos conseguidos anteriormente (aproximadamente THD = 35%) para o BJT.É
possível se concluir então que o JFET apresenta muito mais imunidade a geração de
harmônicos que o BJT.
2.6. Análise 5
Paralelo Serie
Lp 1187,5mH Ls 26,0uH
Cp 22,0nF Cs 961uF
Rp 34,7 Ω Rs 34,87 Ω
Na última parte foi proposta uma análise completa dos circuitos amplificadores
de Dreno, Fonte e Porta comum, para o JFET utilizando o software de simulação Spice.
Os circuitos de dreno comum e porta comum estão ilustrados nas figuras a seguir.
Por fim pode-se afirmar que o JFET apresenta grandes vantagens em relação ao
BJT, como o seu controle de corrente de Dreno a partir de tensão, a sua alta
impedância de entrada, entre outros.