Professional Documents
Culture Documents
Proyecto 3
PRE-LABORATORIO
transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en
cuyo caso estaríamos hablando de un transistor npn.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una
de las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos
terminales se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E
(emitter), B (base) y C (colector).
configuración del transistor (base, emisor o colector común), con lo que a priori
existirán 6 tipos de familias de curvas distintas:
Proyecto 3
Vamos a ver las curvas características de entrada para un transistor BJT pnp.
Los sentidos positivos de tensiones y corrientes son los representados en la
figura.
Como se puede ver en la figura, no hay una única curva que relacione IB con
VBE, sino que hay una familia de curvas en función de VCE. De nuevo, al igual
que en el caso anterior, este desdoblamiento de curvas se debe al efecto Early.
Si despreciamos el valor de
El emisor: Región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más
dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la
corriente.
La base: Región muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que
proviene de emisor pase a colector, como veremos más adelante.
Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse
como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se
tratase.
El colector: Región menos dopada que el emisor. Las características de
esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que
provienen del emisor. En posteriores apartados se tratará el tema.
El beta: La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la
NPN Silicon
C
OLL
ECT
OR
1
3
E
MIT
TER
MAXIMUM RATINGS 2
3
BC BC BC
Rating Symbol 546 547 548 Unit
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage BC546 V(BR)CEO 65 — — V
(IC = 1.0 mA, IB = 0) BC547 45 — —
BC548 30 — —
NPN Silicon
C
OLL
ECT
OR
3
1
E
MIT
TER
2
3
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
THERMAL CHARACTERISTICS*
Characteristic Symbol Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage (1) V(BR)CEO 40 — Vdc
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
a. Examina el transistor de cerca. Puedes ver "E", "B" y "C" en las marcas
en el paquete, la designación de los pines son la base, colector y emisor.
Si esto no está claro, búscalo en un catálogo de transistores. El catálogo
tendrá diagramas de estilos de transistores de casos y sus diseños de
pines. Por lo general, los transistores que tienen el estilo mismo caso con
las denominaciones de un mismo PIN.
b. Enciende el multímetro. Configúralo para medir la beta del transistor,
girando la perilla selectora para que apunte a HFE o beta.
a. Inserta las clavijas del transistor, la base, el emisor y el colector en la toma
de transistor NPN en el multímetro digital. La toma tendrá marcas para los
diferentes pines.
Es muy útil pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de
salida baja.
La impedancia de entrada alta es una característica deseable en
un amplificador pues, el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que
entregarle mucha corriente (y así cargarlo)
cuando le pasa la señal que se desea amplificar. Este circuito no
tiene resistencia en el colector y la salida está conectada a la resistencia del
emisor (ver la figura).
Caracterìsticas:
Método analítico:
Ejemplo:
Proyecto 3
LABORATORIO.
3. Calcule la frecuencia.
1 1
𝑓= = = 0.5 𝑓𝑓
𝑓 2
4. Explique.
Vi = 0.1V / 1KHz
Vbe = 0.7V
RL = 1KΩ
ZCS = ZCR = 1Ω
CS = CR = 15.91μF
Rca = RC || RL = 1k || 1k = 500Ω
Proyecto 3
Mida
VCE = 4.97V
IC = 5.99mA
Q:
Para este diseño, se empleará un diodo Led rojo y un fotoresistor con las
siguientes características:
Se realizarán los cálculos de manera que el led este encendido con máximo
brillo a partir de un nivel de luminosidad de 1000 lux. Esto quiere decir que:
VBE = 0.7V cuando RLDR = 339Ω
Por regla de diseño, sabemos que la corriente que circulara por la fotoresistencia
debe ser al menos 10 veces mayor que la corriente de la base para tener
estabilidad de polarización, de esta manera podremos aplicar LVK en el camino
que recorre VCC, RLDR y VCE para conseguir la corriente de la base:
Calculamos ahora RC empleando como datos los valores típicos del led:
1000 Lux:
D1
LED-RED
LDR1
RC
BAT1 Q1
R1
800 Lux:
D1
LDR1
RC
BAT1 Q1
R1
Proyecto 3
600 Lux:
D1
LED-RED
LDR1
RC
BAT1 Q1
R1
Proyecto 3
POST-LABORATORIO
GM*VBE
RPI
10k
RB RC RL
Vi Vo
4.7k 1k 1k
A = vo / vi
Proyecto 3
CONCLUSIONES