Comportamiento estático del inversor CMOS.

Fernando Razo Pérez, Daniel Pérez Martínez, Fernando Gómez Miguel

Facultad de Ciencias de la Electrónica F. C. E
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Puebla, México
crhono2270@gmail.com
ferdinan369@gmail.com
fernando.k.h.rs@gmail.com

Resumen—En esta práctica se diseñaron y simularon tres
inversores CMOS en base a la tecnología UMC de 65 nm, además
de que también se graficó su comportamiento. Cada inversor
contaba con valores para W y L diferentes en cada transistor.
Estos inversores fueron clasificados con nombres diferentes:
inversor de dimensiones mínimas, inversor de dimensiones mínimas
simétrico y el inversor de dimensiones mínimas óptimo, según sus
parámetros W y L, ya que posteriormente se verificaría que sus
propiedades son diferentes. Los diseños y simulaciones se
realizaron en un software llamado Virtuoso, el cual es también
denominado como simulador, con el fin de poder determinar las
propiedades estáticas (𝑽𝑴 , 𝑽𝑰𝑳 , 𝑽𝑰𝑯 , 𝑵𝑴𝑯 𝒚 𝑵𝑴𝑳 ) de cada uno de
los inversores.
Se utilizaron diferentes funciones y herramientas con las
cuales contaba el simulador previamente mencionado, entre una
de ellas se encuentra la herramienta calculadora, la cual es la
herramienta principal que se aprendió a utilizar para la
determinación de todos los parámetros estáticos ya antes
mencionados, además de otras herramientas.
características de la familia CMOS, es por eso que en el
presente artículo se abordará toda la información obtenida a
partir del diseño de un inversor con características CMOS, en
esencia se medirán las propiedades estáticas que poseen estos
inversores, tanto los tipo P como los tipo N. Toda esta
información fue obtenida con la ayuda de un simulador, el cual
es un software que permite el diseño, simulación y la obtención
de gráficas de transistores. Este simulador el cual se llama
Virtuoso, cuenta con diferentes funciones y herramientas que
facilitan la simulación y sobre todo el cálculo de los parámetros
que nos interesan en esta ocasión de los transistores.
II. DESARROLLO DE CONTENIDOS
A. El software de simulación

Primeramente se tiene que inicializar el software de

I. INTRODUCCIÓN
L os circuitos CMOS, por sus siglas en ingles
Complementary Metal-Oxide Semiconductor, son una de
las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos
integrados. Su principal característica consiste en la utilización
conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS
configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo
de energía es únicamente el debido a las corrientes parásitas.
En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados que se
fabrican utilizan la tecnología CMOS. Esto incluye
microprocesadores, memorias, procesadores digitales de
señales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales .
En general, podemos ver que esta familia tiene aplicaciones
para la construcción de distintos dispositivos electrónicos, esto
en base a los transistores P y N, dichos transistores tienen un
determinado comportamiento ya que están construidos con
ciertas características que los identifican. De acuerdo a lo
descrito anteriormente, es necesario conocer muchas de las
simulación, “Virtuoso”, este software únicamente corre en el
sistema operativo “Linux”, por lo que se tuvo que instalar
algunos otros softwares para correr el sistema operativo dentro
de nuestros equipos, entre estos se encuentra el “virtualbox”, y
un archivo ISO el cual contiene a Linux, posteriormente se
hicieron las configuraciones correspondientes para poder
correrlo, todo esto se realizó para que pudiésemos trabajar
fuera del laboratorio, ya que también se tenía la opción de
trabajar dentro del mismo. Cabe destacar que este programa
necesita conexión a internet para que pueda operar.
Al entrar al servidor de la computadora en Linux, se inicializó
el software y posteriormente se hizo una exploración de las
herramientas que ocuparíamos, esto con el fin de poder tener
una idea de cómo trabajar con este simulador. En la figura 1 se
puede apreciar el servidor (terminal) con el cual se tiene acceso
al simulador después de poner la ruta, al referirnos a la ruta
hacemos referencia a la ubicación y contraseñas del software.
Este servidor llamado terminal forma parte del sistema
operativo de Linux.
 pueden configurar de la misma forma que para los transistores.
Una vez ya teniendo nuestro nuevo circuito, se procedió a
verificar que no hubiese ningún tipo de erros en las conexiones.

Fig. 1 Terminal. Es un programa del sistema operativo Linux.

B. Inversor de dimensiones mínimas

Fig. 2 Diagrama eléctrico del inversor.
Para la creación de nuestro primer inversor, se procedió a crear
una librería propia, es en esa librería donde se quedarían
guardados todos nuestros diseños y esquemas que se estuviesen
trabajando. Posteriormente se abrió una ventana donde se
pueden agregar transistores tanto tipo P como tipo N, dentro de
esta también se pueden configurar sus parámetros W y L de
cada transistor, es en esta configuración donde se define que
tipo de inversor crearíamos. Para este caso y como se estaba
utilizando la tecnología UMC de 65 nm, se crearon los dos
primeros transistores. El transistor nMOS poseía una W=80 nm
y una L=60 nm, para el caso del pMOS los parámetros fueron
W=80 nm y L=60 nm, como se puede observar, ambos
transistores tienen los mismo valores W y L, por lo que a este
inversor se le denominó “inversor de dimensiones mínimas”.
Una vez configurados los valores ya mencionados antes, se Fig. 3 Diagrama eléctrico del inversor utilizando el símbolo antes creado.
prosiguió a realizar las conexiones necesarias para la creación
de un inversor. En la figura 2 se puede apreciar el diagrama Después de esto, se abrió una herramienta para generar la
eléctrico que se utilizó para la conexión de nuestro diseño. Una gráfica del comportamiento de nuestro primer inversor., este
vez que se tenían las conexiones correspondientes se comprobó fue un paso importante ya que aquí se definen qué es lo que se
que no hubiese algún y error y posteriormente se creó un quiere visualizar en la gráfica, es por ello que los ejes de dicha
símbolo para nuestro circuito, por conveniencia, el símbolo que gráfica pertenecen al voltaje de entrada Vin contra el voltaje de
se dibujó para nuestro circuito fue el de un inversor, al decir salida Vout. Más adelante se podrán visualizar las gráficas que
dibujar, es porque literalmente se dibujó, ya que este programa obtuvimos. Cuando se obtuvo la gráfica se procedió a
te permite el trazo de líneas y de círculos, con estas determinar su VM, que es su voltaje medio. Para medir este
herramientas se dibujó el inversor. Cuando se terminó de parámetro se utilizó un cursor de la gráfica, para esto se ayudó
dibujar el inversor, se procedió a conectarlo con otros con el cursor vertical y se ubicó justamente en 0.6, ya que en
dispositivos, en este caso con una fuente de voltaje de 1.2 v, este valor y utilizado la expresión siguiente es donde debería
este valor de la fuente fue especificada por el manual de la de ubicarse nuestro voltaje medio.
práctica. En la figura 3 se encuentra el diagrama que se siguió
para la conexión del circuito, como se puede ver, el circuito 𝑉𝑀 = 𝑉𝐷𝐷 /2 (1)
también cuenta con un capacitor, cuyos parámetros también se
En donde 𝑉𝐷𝐷 es el voltaje de la fuente de alimentación que es
igual a 1.2 v.
Por consiguiente el resultado del voltaje medio debe de ser de
0.6 v. Una vez hecho esto, los cursores nos arrojaron valores
característicos de esta gráfica.
C. Inversor de dimensiones mínimas simétrico
Para el diseño de este inversor, únicamente se tuvo que editar
el parámetro W del pMOS. Debido a que cuando se midió el
VM del transistor de dimensiones mínimas este parámetro no
daba aproximadamente 0.6 v, a consecuencia de esto se tuvo
que ajustar el valor de W que se mencionó al principio en base
a la siguiente relación:
𝑊𝑃 = 𝑚𝑊𝑁 (2)
En donde “m” es el factor de simetría, y puede tomar valores
desde 2 hasta 6 y su valor típico es de 3.
En realidad, se tenían que modificar tanto el parámetro W
como el L de pMOS, sin embargo, se sabe por lo estudiado en
clase que el parámetro L toma el valor más pequeño de la
tecnología que se está utilizando, en este caso UMC 65 nm, es
por eso que solo se estuvo variando el valor de W en función a
la ecuación que se mostró arriba. También se varió el valor de
m desde 2 hasta 6, con diferencias de 0.5, y se fue visualizando
el VM para cada gráfica que se originaba, cuando VM estuvo
muy aproximado a 0.6 v se midieron los valores que habían
resultado de variar tanto a W como a m. Posteriormente se
podrán visualizar los resultados de los parámetros obtenidos
para este inversor y del valor del factor de simetría. Una vez
aproximado el valor de VM a 0.6 se usó la función de
calculadora del propio simulador, esto con el fin de poder
medir los siguientes parámetros:
𝑉𝐼𝐿 , 𝑉𝐼𝐻 , 𝑁𝑀𝐻 𝑦 𝑁𝑀𝐿
Donde VIL es el voltaje bajo de entrada, VIH es el voltaje alto
de entrada, NMH es el margen ALTO de ruido y NM L es el
margen de ruido bajo.
En clase definimos a VIL y a VIH como la derivada del voltaje
de salida con respecto del voltaje de entrada y estos deberían
ser iguales 1 y -1 respectivamente, es decir, se definen de la
siguiente manera:
𝑑𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑑𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑉𝐼𝐻 = = −1 𝑦 𝑉𝐼𝐿 = = −1 (3)
𝑑𝑉𝑖𝑛 𝑑𝑉𝑖𝑛
de las ecuaciones anteriores podemos decir que si encontramos
la derivada de la función que aparece en la gráfica que
previamente obtuvimos encontraremos los valores de VIH y
VIL. Para lograr esto, nuevamente se hizo uso de la
herramienta calculadora del simulador, en esta herramienta
existe la operación derivada, solo se tuvo que configurar y
elegir a que función se le tenía que obtener su derivada. Por
consiguiente, aparece la función que representa a la derivada
de la función original. Cuando se hubo mostrado la gráfica de
la derivada, se utilizó el cursor horizontal y se ubicó en -1 y en
1, tomando en cuenta la escala que nos presentaba el simulador
para la gráfica, ya que los valores que nos mostrase ahí el
cursor son los valores correspondientes de VIH y VIL, lo
anterior dicho se deduce de la educación que se mostró arriba.
Para el cálculo de NMH y NML se tienen las siguientes
ecuaciones que previamente se estudiaron en clase:
𝑁𝑀𝐿 = 𝑉𝐼𝐿 − 0 𝑦 𝑁𝑀𝐻 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐼𝐻 (4)
Posteriormente se podrán encontrar los resultados obtenidos
de estas mediciones.
D. Inversor de dimensiones mínimas Óptimo
Este es el último inversor que se diseñó, y el parámetro W del
pMOS está en función del valor de la raíz cuadrada del factor
de simetría. Como se estudió en clase la raíz cuadrada del factor
de simetría se convierte en el valor de escalamiento óptimo
para inversores con tiempos de propagación simétricos.
Como al inversor que se diseñó antes (el inversor de
dimensiones mínimas simétrico) se le verificó que sus tiempos
de propagación fuesen simétricos, ya que este era el objetivo
de este inversor, ya se puede aplicar el concepto que se
mencionó anteriormente.
El valor de la m que se obtuvo es de 6, por lo que la raíz de 6
es de aproximadamente 2.45. Este valor ahora se multiplicará
por la W del transistor pMOS original, es decir:
W = (2.45) (80) = 195.5
Este valor de para W volvió a poner dentro del transistor pMOS
para así obtener el inversor de dimensiones mínimas óptimo.
Una vez ya diseñado y dibujado nuestro nuevo inversor, se hizo
exactamente lo mismo que con los dos inversores pasados, se
volvieron a medir sus características estáticas las cuales ya se
mencionaron con anterioridad y que con ayuda de la
herramienta calculadora se pudieron obtener. Previamente se
explicó cómo se calculaban estas propiedades. Posteriormente
se podrán apreciar los resultados obtenidos para las
propiedades estáticas de este inversor.
 En la tabla 1 se pueden comparar los valores de las propiedades
III. RESULTADOS NUMÉRICOS, DE estáticas obtenidos a partir de las gráficas de estos dos
SIMULACIÓN Y EXPERIMENTALES inversores.

Dentro de esta sección se muestran las gráficas y valores TABLA I

obtenidos a partir de las simulaciones y diseños que se hicieron COMPARACIÓN DE LAS PROPIEDADES ESTÁTICAS
como parte del desarrollo de la práctica, ya que como se DE DOS INVERSORES.
mencionó anteriormente, en esta sección se encontrarían todos VM VIL VIH NML NMH
estos datos. Cabe señalar que también se encuentra una tabla Inversor de dimensiones mínimas simétrico
comparativa en donde se pueden ver los resultados obtenidos 606.366 505 mV 720 mV 505 mV 480
para dos de nuestros inversores, en la tabla se especifica de que mV mV
inversores se tratan y los parámetros que se muestran dentro de Inversor de dimensiones mínimas óptimo
la tabla. Sin más, a continuación se muestra todo lo antes ya 207.46 450 mV 666.07 450 mV 533.9
mencionado. mV mV 2 mV

En la figura 4 se muestran las gráficas de las curvas obtenidas

para el inversor de dimensiones mínimas simétrico. Para este IV. CONCLUSIONES
𝑉
inversor 𝑉𝑀 ≈ 𝐷𝐷 con un factor de simetría m=6.
2
En base al desarrollo del trabajo anterior podemos decir que es
complicado trabajar en un software que no se conoce al
principio, sin embargo, conforme se va explorando y utilizando
más herramientas del mismo, se va volviendo en algo sencillo
su utilización.
El factor de simetría m que se obtuvo fue de 6, este valor es el
límite de los valores que puede tomar m, sin embargo, se puede
ver que únicamente con este valor se alcanza la máxima
aproximación a 0.6 v.
El software Virtuoso en realidad es una herramienta potente en
el análisis y diseños de circuitos con transistores.
Las propiedades estáticas del inversor pueden variar
𝑑𝑉𝑜𝑢𝑡 dependiendo del valor que se le asigne a W y a L, sobre todo a
Fig. 4 Curva de transferencia de voltaje, y 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑖𝑛 para el inversor de
𝑑𝑉𝑖𝑛 W, que la variable a la cual se le asignaron más valores, esto
dimensiones mínimas simetría, m = 6.
nos dicta que nosotros tenemos el control hasta cierto punto, de
los valores de las propiedades estáticas de un inversor, tal y
como se había comentado en clase.

AGRADECIMIENTOS
Nuestros más sinceros agradecimientos al profesor titular de la
materia, al profesor Héctor Santiago Ramírez, por su gran
disposición para explicar detalles que pasábamos por alto en el
simulador y por consecuencia nos arrojaba errores, además de
que él fue quien explicó todas las ecuaciones que mencionamos
dentro de este artículo.
A nuestros compañeros de clase, Juan Antonio y Sergio,
quienes nos apoyaron diciendo los pasos que habíamos de
seguir para la obtención de la primera grafica de nuestro
Fig. 5 Curva de transferencia de voltaje,
𝑑𝑉𝑜𝑢𝑡
y 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑖𝑛 para el inversor
inversor.
𝑑𝑉𝑖𝑛
de dimensiones mínimas óptimo, 𝑚 = √6.

En la figura 5 se muestran las gráficas de las curvas obtenidas REFERENCIAS

para el inversor de dimensiones mínimas óptimo. Para este
[1] J. P. Uyemura, CMOS LOGIC CIRCUIT DESING, 2002 Kluwer Academic
inversor se utilizó la raíz cuadrada del factor de simetría del Publisher ,New York, Boston, Dordrecht, London, Moscow, Print 2001.
inversor de dimensiones mínimas simétrico, 𝑚 = √6.