Universidad Nacional de Colombia. Física de Semiconductores.

Caracterización Fotodiodos
Juan Pablo Cárdenas N. - 285738 - jpcardenasn@unal.edu.co
Andrés Felipe Loaiza C. - 174384 - afloaizac@unal.edu.co
Miguel Martínez - 262064 - mamartinezl@unal.edu.co
Cesar Carvajal Arrieta - 262016 - cacarvajalar@unal.edu.co
Oscar Cárdenas - 285723 - odcardenasp@unal.edu.co
Fabio González - 261937 - fhgonzalezs@unal.edu.co

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Abstract— It was carried out the characterization of two
unknown photodiodes and one photodiode OP910W observing
the response from LEDs radiation in function of the
wavelength and polarization applied voltage.
Resumen— Se llevo a cabo la caracterización de dos
fotodiodos desconocidos y uno OP910W observando la
respuesta frente a la radiación emitida por LEDs, en función
de la longitud de onda y el voltaje de polarización aplicado.
Fotodiodo de unión PIN:
Un Fotodiodo PIN consta de una estructura de tres capas,
siendo la capa intermedia un semiconductor que debería ser
intrínseco, y las dos externas, una de tipo P y la otra tipo N.
Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye
bien por una capa tipo P de alta resistividad (?) o bien por una
capa n de alta resistividad.

I. MARCO TEÓRICO

Un fotodiodo consiste básicamente en una unión "p-n" en la

cual, debido a la excitación óptica que recibe, genera EHP
(pares electrón hueco) que son barridos por el campo eléctrico Lo que define las propiedades de sensibilidad al espectro de
presente en dicha unión. Este campo transporta los huecos un fotodiodo es el material semiconductor que se emplea en la
hacia la zona P y los electrones hacia la zona n, dando lugar a construcción del mismo. Los fotodiodos están construidos
una corriente inversa que se suma a la corriente generada principalmente de silicio, sensible a la luz visible (longitud de
debido a los efectos térmicos. onda de hasta 1,1 µm), de germanio para luz infrarroja
(longitud de onda hasta aproximadamente 1,8 µm), y los hay
Estructurando un poco más el interior de un fotodiodo, se de otros materiales semiconductores. El rango de espectro es:
puede apreciar típicamente los tamaños de las uniones y de la
región que recibirá la luz, la región de irradiación es del orden Silicio: 190–1100 nm
de µm, por lo que luz dirigida o direccional hacia la misma es Germanio: 800–1700 nm
mas efectiva al momento de concentrar la intensidad y en la Indio galio arsénico (InGaAs): 800–2600 nm
generación por excitación óptica. Sulfuro de plomo: 1000-3500 nm

Comercialmente es más factible encontrar Fotodiodos de

Silicio, debido a que es mas barato y su proceso de fabricación
es más masivo.
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Para efectos prácticos, un fotodiodo se puede representar con
un circuito equivalente en el cual las fuentes de corriente P,I,N
son la representación de la generación de corriente por la
excitación óptica, obviamente por ser una juntura presenta una
resistencia en cada capa. También, existe una capacitancia, la
cual se presenta en la región de agotamiento.
En la práctica se estudió un fotodiodo comerciar de referencia
OP910W, un fotodiodo de silicio tipo PIN (semiconductor
intrínseco en medio de las zonas dopadas) que presenta las
siguientes características:
 Tiempo de respuesta corto
 Respuesta lineal con la intensidad de la luz
 Rango de temperatura de trabajo, hasta 125°C
 Rango de temperatura de almacenamiento, hasta
150°C
 Temperatura de almacenamiento, hasta 250°C
 Disipacion de poder, 250mW
 Corriente fotonica minima (1,7A), 50mW/cm2, 20V
 Corriente oscura maxima (10nA), 20V
A continuacion se muestra el espectro de respuesta del diodo
en funcion de la longitud de onda:
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El silicio como semiconductor presenta una brecha energética
de aproximadamente 1,11eV que corresponde a una longitud
de onda de 1118nm, por lo que se espera, como bien se
aprecia en la grafica, que el fotodiodo absorba radiación desde
aproximadamente 1100nm hacia valores mas pequeños de
longitud de onda, es decir de energía superior a la brecha
energética del material.
Cuando fotones con una energía adecuada (mayor a 1,11 eV
para el caso del silicio) inciden sobre un fotodiodo de silicio
polarizado inversamente (por donde no fluye corriente en
condiciones oscuras), se generan pares electrón-hueco de
forma continua, es decir, se aumenta la población de
portadores de carga en el dispositivo lo que genera una
corriente medible a través del circuito. Puesto que se observan
corrientes significativas (mayores a la corriente de saturación)
se puede detectar radiación con una sensibilidad que depende
del espectro de absorción del diodo.
Se llevo a cabo la caracterización de dos fotodiodos
desconocidos y uno OP910W mediante un experimento en el
que se realizaban polarizaciones inversas, para posteriormente
dejar incidir radiación de distintas partes del espectro
electromagnético.
II. PROCEDIMIENTO
Mediante un montaje que consta de un diodo led, una
resistencia en serie de 2.2k y una fuente DC de 20V
aproximadamente se provee la intensidad luminosa requerida.
Para modificar el color de la luz con la que se irradia el
dispositivo se debe reemplazar el Led por otro con el color
deseado. montaje que emplea el fotodiodo, compuesto.
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Mediante el por una resistencia fija, una fuente de voltaje DC
y un el respectivo fotodiodo polarizado en inverso se dispone
del receptor adecuado para caracterizar los cambios de voltaje
y corriente en el dispositivo.
Se aísla el fotodiodo cubriéndolo con unan caja la cual está
pintada de color negro para evitar cualquier filtración de luz.
Escoja un diodo led y póngalo a una distancia muy cercana del
fotodiodo.
Realice variaciones de la fuente de voltaje ( de 0V a 28V) y
tome medidas en el amperímetro de la corriente que circula
por el circuito
Con el mismo led realice variaciones de voltaje y tome los
datos de diferencia de potencial en la resistencia.
Reemplace el LED por otro para obtener un nuevo color y
repita los pasos 4 y 5.
Realice el paso 7 con diodos que emitan luz a diferentes
longitudes de onda tal que se cubra toda la gama del espectro
visible y una porción del infrarrojo.
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IMPLEMENTOS
 Fotodiodo receptor REFERENCIA (infrarrojo).
 Fotodiodo receptor REFERENCIA espectro visible.
 Diodos LED de colores: rojo, naranja, amarillo,
verde, azul y morado.
 Diodo infrarrojo emisor REFERENCIA.
 2 Fuentes de voltaje DC variable.
 2 Multímetros.
III. FÍSICA DEL FOTODIODO
Para el dispositivo OP610W, el cálculo de la corriente de
oscuridad (dark current) se realiza mediante la siguiente
fórmula propuesta por el fabricante:
En donde la temperatura ambiente se expresa en Celsius y la
corriente en nano amperios.
Empleando una temperatura ambiente de 25 Celsius se obtiene
una corriente de aproximadamente 1nA, Valor que
corresponde al rango esperado por su fabricación. Es
importante notar que este tipo de diodo presenta aumentos
notables en la corriente de oscuridad comparado con un diodo
simple de unión n-p.
Respecto a la corriente es necesario considerar que el aumento
en la misma no es solo causado por la excitación óptica, sino
que es una mezcla de la misma con una corriente de ruido
compuesta por pérdidas relacionadas con la polarización
inversa, la corriente producida por los portadores generados
térmicamente y otras variaciones inherentes a la fabricación
del dispositivo. Entre ellas podemos identificar:
Donde:
q = carga electrón = 1.609 x 10-19
IDark = corriente oscura (dark current) = 1 nA
El valor de delta de f corresponde a la frecuencia eléctrica con
la que se alimenta el fotodiodo. De acuerdo con la teoría, se
puede considerar pequeño si esta frecuencia se encuentra por
encima de 20Hz. Para el caso de las fuentes de laboratorio
empleadas, se decide ignorar este factor y aproximarlo a la
unidad.
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De esta manera tenemos que:
Este valor resulta bastante pequeño y por lo tanto podemos
despreciar su influencia en el circuito.
Por otro lado la temperatura produce un ruido que se puede
estimar mediante:
Donde K es la constante de Boltzman, T es la temperatura en
Kelvin, y nuevamente aparece el factor Delta de frecuencia.
Este valor resulta bastante dependiente del ancho de la
frecuencia por lo que para el caso de nuestro experimento
resulta inadecuado asumir una diferencia de frecuencias de
1Hz.
Mediante los datos obtenidos experimentalmente, cuando
podemos aproximar un valor de voltaje de polarización
cercano a 0 V cuando son iluminados, se observa que la
combinación del ruido, generación térmica y otros factores es
pequeño comparado con el valor al cual tiende estabilizarse la
corriente.
Finalmente una buena aproximación para la corriente
producida por generación óptica se puede realizar mediante la
fórmula:
En la que q es la carga del electrón, nr es el rendimiento
cuántico, JR es el flujo de radiación en la fuente y Ad
representa el área del detector en centímetros. Sin embargo no
se poseen estos datos de fabricación debido a que el datasheet
es bastante impreciso y solo ofrece unos datos de
funcionamiento y valores máximos permitidos. Esto mismo
sucede con los dos diodos receptores infrarrojos que se
caracterizan en este informe, cuya referencia y fabricación son
genéricos y no ofrecen datos de funcionamiento de los
mismos.
IV. RESULTADOS
Los resultados se muestran en las tablas y gráficas del anexo.
V. ANÁLISIS DE RESULTADOS
Fotodiodo OP910W
Es posible observar mediante las gráficas cómo la variación
del voltaje de polarización en inversa genera un aumento en el
valor de corriente que atraviesa el dispositivo. Este aumento
de corriente es mucho más notorio con voltajes menores a -5V
4
y posteriormente la pendiente de la grafica disminuye
rápidamente y para aumentos de voltaje superiores a 5V
aproximadamente, el cambio en la corriente es pequeño. Este
comportamiento corresponde con el comportamiento esperado
para un dispositivo cuya zona de trabajo en la curva V-I se
encuentra en el tercer cuadrante.
De lo anterior, se puede deducir que este dispositivo presenta
una ligera dependencia del voltaje inverso aplicado, es decir,
el dispositivo presenta una alta resistencia dinámica propia de
un generador de corriente, tal como se espera de una curva
teórica como la que se observa en la Figura.
Los datos obtenidos indican que el dispositivo puede
funcionar cuando el voltaje aplicado en sus terminales
mediante una fuente es cercano a 0V, es decir, cuando sus
terminales se encuentran en cortocircuito. Este valor es
entonces una medida de la intensidad de luz que está
recibiendo el dispositivo. Parámetro importante para el
presente laboratorio puesto que es posible analizar los datos
con base en este valor.
En los resultados obtenidos, el valor de la corriente de corto
circuito del fotodiodo cuando es iluminado por los LEDS
difusos rojo y amarillo corresponde a 2.4 y 0.8 microamperios.
Valor que es bastante menor en comparación con los otros
valores obtenidos (alrededor de 6 microamperios). Esto indica
que tanto el LED rojo como el LED amarillo producen una
intensidad lumínica que no es comparable con la intensidad
producida por los LED de chorro o por la linterna. Esto hace
que el análisis de estos colores deba realizarse por separado y
la respuesta a la frecuencia deba tomar en cuenta esta
diferencia. Si se comparan las graficas de las curvas de los
diodos, la primera impresión que se pudiese obtener consiste
en que el fotodiodo es mejor receptor frente al color azul, sin
embargo, este dispositivo presenta una intensidad lumínica
superior a los otros LEDs de su mismo tipo (LED de chorrro).
Un mejor indicador de la respuesta del LED puede encontrarse
con valores más negativos de voltaje. En estos valores se
puede observar como la intensidad tiende a producir una
corriente con variaciones muy leves frente al voltaje inverso,
es entonces la corriente producida en su mayoría por la
generación óptica, la cual es proporcional a la intensidad. De
este análisis, junto con lo mencionado en el párrafo anterior es
posible entonces ver como la mejor respuesta del fotodiodo
OP610W ocurre cuando es iluminado mediante infrarrojo y
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valores cercanos al mismo. Existe un salto en la escala de
colores precisamente en el tono azul. Sin embargo como se
mencionó anteriormente, este color presenta una intensidad
lumínica superior a los otros LEDs de chorro lo que afecta
considerablemente sus valores de corriente.
Finalmente, otro indicador de la respuesta a la longitud de
onda consiste en la variación entre la corriente inicial (Voltaje
de fuente cercano a 0V) y algún valor cuando su voltaje de
polarización inverso esta cercano al final de la escala. Esto
permite comparar qué tanto varia la curva de corriente para
esta frecuencia, encontrando entonces en el infrarrojo, rojo y
amarillo una mayor variación que la que se observa para los
demás colores, en especial para el violeta cuya curva es
bastante plana.
Diodo infrarrojo 1
En este diodo es posible observar de igual manera que en el
dispositivo analizado anteriormente un aumento considerable
en la corriente cuando su polarización es mayor a -5V
aproximadamente, posterior a esto, el aumento de corriente
tiende a presentar cambios más pequeños. Es decir, presenta
también una alta resistencia dinámica intentando mantener
constante una corriente frente a un voltaje de polarización
variable. Sin embargo, esos pequeños incrementos son
mayores que los incrementos que se obtuvieron con el
fotodiodo anterior, lo que indica que la resistencia dinámica
del fotodiodo OP910W es mejor que la que presenta este
diodo infrarrojo genérico. Esto implica que el fotodiodo
OP910W es una mejor aproximación a una fuente de corriente
que el diodo infrarrojo.
Podemos entonces afirmar que existe una mayor dependencia
entre el voltaje de polarización y la corriente que atraviesa el
dispositivo que la que se observa en diodos fabricados con una
composición p-i-n.
Este dispositivo presenta unos valores de corriente bastante
altos en el infrarrojo si se comparan con los valores obtenidos
con los demás colores. Es posible ver como la curva de
respuesta frente a las longitudes de onda incidentes es mucho
más pronunciada en el infrarrojo pero decrece rápidamente
para valores cercanos, llegando al punto que existe una gran
diferencia entre iluminar el dispositivo con un LED infrarrojo
que iluminarlo con un LED rojo.
En el espectro visible, los colores rojo y amarillo presentan
comportamientos similares y valores similares, teniendo en
cuenta que el amarillo presenta valores levemente menores al
rojo. Para los demás colores del espectro la diferencia es
mínima y se selecciona solo los más representativos, que
corresponden al color verde y la luz blanca de chorro. Ambos
presentando valores insignificantes comparados con la
respuesta al infrarrojo.
Diodo infrarrojo 2
Este segundo fotodiodo presenta un comportamiento que
difiere un poco de los comportamientos observados en los dos
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diodos anteriores. Para este dispositivo, no es posible apreciar
como la curva característica de V-I comienza a estabilizarse en
un valor de corriente constante cuando se aplica un voltaje
inverso cada vez mayor. Este comportamiento puede deberse a
que el voltaje suministrado por las fuentes no es suficiente
para poder observar este fenómeno o que el dispositivo ha sido
fabricado para generar una respuesta relativamente lineal
dependiente del voltaje de polarización inversa.
Debido a que se carece del datasheet, referencia, materiales
empleados en su construcción u objetivo, es difícil realizar una
apreciación adecuada del mismo. Sin embargo se puede
afirmar como su comportamiento dista bastante de una fuente
de corriente, aunque esto no significa que no presente un
cambio en su corriente al ser iluminado ópticamente, por el
contrario, este cambio es visualizado en las gráficas
corroborando su función de respuesta frente a una excitación
óptica.
VI. CONCLUSIONES
Fue posible verificar como a medida que la sensibilidad del
dispositivo aumenta, su respuesta efectiva frente a un ancho
de longitudes de onda disminuye. Es decir, Entre mayor
espectro sea capaz de captar, su sensibilidad es menor en
comparación con un dispositivo diseñado para absorber cierta
longitud de onda.
Se pudo verificar experimentalmente como la función de
corriente respecto a su voltaje sigue el comportamiento teórico
de un diodo cuyos valores de voltaje y corriente se encuentran
en el 3 cuadrante, en el cual la corriente que circula por el
circuito es debida a los portadores minoritarios generados por
la temperatura más los portadores minoritarios generados
ópticamente. Estos últimos generando una diferencia de
corriente considerable que es posible visualizar mediante las
gráficas.
REFERENCIAS
[1] Instituto Tecnológico de la Laguna, México D.F. [SEP].
(Junio, 2012). Fotodiodo. Artículo. Extraído el 10 de
Junio de 2012. Disponible en:
http://www.itlalaguna.edu.mx/academico/carreras/electro
nica
/opteca/OPTOPDF2_archivos/UNIDAD2TEMA3.PDF
[2] ROBOTS, Argentina (Junio, 2012). Sensores -
Fotodiodos. Artículo. Extraído el 10 de Junio de 2012.
Disponible en: http://robots-
argentina.com.ar/Sensores_fotodiodos.htm
[3] Streetman, Solid State Electronic Devices.