INTRODUCCIÓN

El análisis o diseño de un amplificador transistorizado requiere conocer la respuesta del sistema tanto
de cd como de ca. Con frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo mágico que puede elevar
el nivel de la entrada de ca, sin la ayuda de una fuente de energía externa. En realidad, el nivel de
potencia de ca de salida mejorada es el resultado de una transferencia de energía de las fuentes de cd
aplicadas.

Varios factores controlan el nivel de operación de cd de un transistor, entre ellos el intervalo de los
posibles puntos de operación en las características del dispositivo. Una vez que se han definido los
niveles de corriente cd y voltaje deseados, se debe construir una red que establezca el punto de
operación deseado. Cada diseño también determinará la estabilidad del sistema, es decir, cuán sensible
es a las variaciones de la temperatura.

Aunque aquí analizaremos varias redes, hay una similitud subyacente en el análisis de cada
configuración, debido al uso recurrente de las siguientes relaciones básicas importantes de un
transistor:

una vez bien entendido el análisis de las primeras redes, la ruta a seguir para la solución de las redes
será cada vez más clara.

PUNTO DE OPERACIÓN

El término polarización es un término totalmente inclusivo de la aplicación de voltajes de cd para

establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores con transistores, la corriente y voltaje
de cd resultantes establecen un punto de operación en las características que definen la región que se
empleará para amplificar la señal aplicada.

Como el punto de operación es un punto fijo en las características, también se llama punto quiescente
(abreviado punto Q). Por definición, quiescente significa quieto, inmóvil, inactivo.

El dispositivo BJT podría ser polarizado para que opere afuera de estos límites máximos, pero el
resultado de tal operación acortaría considerablemente la duración del dispositivo o lo destruiría. Si nos
limitamos a la región activa, podemos seleccionar muchas áreas o puntos de operación diferentes. A
menudo, el punto Q seleccionado depende del uso pretendido del circuito. No obstante, podemos
considerar algunas diferencias entre los varios puntos mostrados en la figura 4.1 para presentar algunas
ideas básicas sobre el punto de operación y, por ende, sobre el circuito de polarización.
Si no se utilizara polarización, al principio el dispositivo estaría totalmente apagado o inactivo, y el punto
Q estaría en A, es decir, corriente cero a través del dispositivo (y voltaje cero a través de él). Como es
necesario polarizar un dispositivo de modo que sea capaz de responder a todo el intervalo de una señal
de salida, el punto A no sería adecuado. Para el punto B, si se aplica una señal al circuito, el dispositivo
variará la corriente y el voltaje a partir del punto de operación, lo que permite que el dispositivo
reaccione (y que posiblemente amplifique) tanto las excursiones positivas como las negativas de la señal
de entrada

El punto C permitiría alguna variación positiva y negativa de la señal de entrada, pero el valor pico a pico
se vería limitado por la proximidad de

VCE 0 V e IC = 0 mA.

La operación en el punto C también hace que surjan dudas con respecto a las no linealidades
introducidas por el hecho de que la separación entre las curvas IB cambia con rapidez en esta región

El punto B es una región de más separación lineal, y por consiguiente de más operación lineal, como se
muestra.

El punto D sitúa el punto de operación cerca del nivel máximo de voltaje y potencia. El voltaje de salida
excursión en la dirección positiva, y por lo tanto se limita si no se excede el voltaje máximo.

Hay que considerar otro factor de polarización muy importante. Habiendo seleccionado y polarizado el
BJT en un punto de operación deseado, también debemos tomar en cuenta el efecto de la temperatura.
La temperatura cambia los parámetros del dispositivo al igual que la ganancia de corriente del transistor
y su corriente de fuga (ICEO). Las altas temperaturas incrementan las corrientes de fuga en el
dispositivo, y cambian por lo tanto las condiciones de operación establecidas por la red de polarización
Para que el BJT se polarice en su región de operación lineal o activa lo siguiente debe ser cierto:

1. La unión base-emisor debe polarizarse en directa (voltaje más positivo en la región p), con el voltaje
de polarización en directa resultante de cerca de 0.6 a 0.7 V.

2. La unión base-colector debe polarizarse en inversa (más positivo en la región n), con el voltaje de
polarización en inversa de cualquier valor dentro de los límites del dispositivo.

La operación en las regiones de corte, saturación y lineal de la característica BJT se da como sigue:

1. Operación en la región lineal: Unión base-emisor polarizada en directa. Unión base-colector

polarizada en inversa.

2. Operación en la región de corte: Unión base-emisor polarizada en inversa. Unión base-colector

polarizada en inversa.

3. Operación en la región de saturación:. Unión base-emisor polarizada en directa. Unión base-colector

polarizada en directa

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA

La configuración de polarización de cd más simple. Aun cuando la red emplea un transistor npn, las
ecuaciones y cálculos aplican igualmente bien para una configuración del transistor pnp tan sólo con
cambiar todas las direcciones de la corriente y las polaridades del voltaje.

Para el análisis de cd se puede aislar la red de los niveles de ca indicados reemplazando los capacitores
con un equivalente de circuito abierto, ya que la reactancia de un capacitor con cd es

Además, la fuente de cd VCC se puede dividir en dos fuentes (sólo para propósitos de análisis) para
separar los circuitos de entrada y salida. También reduce el vínculo entre las dos con la corriente de
base IB. La separación es ciertamente válida.
Polarización en directa de la unión base-emisor

Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 4.4. Al escribir la ley de voltajes de
Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj para la malla, obtenemos.

Observe la polaridad de la caída de voltaje a través de RB como la estableció la dirección indicada de IB.
Resolviendo la ecuación para la corriente IB obtenemos:

Malla colector-emisor

La sección colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la dirección indicada de la corriente IC y
la polaridad resultante a través de RC. La magnitud de la corriente de colector está relacionada
directamente con IB mediante

Es interesante hacer notar que como a la corriente de base la controla el nivel de RB e IC está
relacionada con IB por una constante b, la magnitud de IC no es una función de la resistencia RC. El
cambio de RC a cualquier nivel no afectará el nivel de IB o IC mientras permanezcamos en la región
activa del dispositivo. Sin embargo, como veremos, el nivel de RC determinará la magnitud de VCE, la
cual es un parámetro importante

Saturación del transistor

El término saturación se aplica a cualquier sistema donde los niveles han alcanzado su valor máximo.
Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de líquido. Para un transistor que
opera en la región de saturación la corriente es un valor máximo para el diseño particular. Cambie el
diseño y el nivel de saturación correspondiente puede elevarse o reducirse. Por supuesto, la corriente
de colector máxima
define el nivel de
saturación máximo
tal como aparece en
la hoja de
especificaciones.

Normalmente se
evitan las
condiciones de
saturación porque la
unión base-colector
ya no está polarizada
en inversa y la señal
amplificada de salida
se distorsionará. La
figura 4.8a ilustra un punto de operación en la región de saturación. Observe que en esta región es
donde se unen las curvas de las características y el voltaje del colector al emisor está en o por debajo de
Además, la corriente del colector es relativamente alta en la curva de las características.

Análisis por medio de la recta de carga

Recuerde que la solución de recta de carga de una red de diodo se encontró superponiendo las
características reales del diodo sobre una gráfica de la ecuación de la red que implica las mismas
variables de la red. La intersección de las dos gráficas definió las condiciones de operación reales para la
red. Se conoce como análisis por medio de la recta de carga porque la carga (resistores de la red) de la
red definía la pendiente de la línea recta que conecta los puntos definidos por los parámetros de la red.

Se puede aplicar el mismo procedimiento a redes de BJT. Las características del BJT se sobreponen en
una gráfica de la ecuación de la red definida por los mismos parámetros. El resistor de carga RC para la
configuración de polarización fija definirá la pendiente de la ecuación de la red y la intersección
resultante entre las dos gráficas. Cuanta más pequeña sea la resistencia más pronunciada será la
pendiente de la recta de carga de la red. La red de la figura 4.11a establece una ecuación de salida que
relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN DE EMISOR

La red de polarización de cd de la figura 4.17 contiene un

resistor emisor para mejorar la estabilidad del nivel en
relación con la de la configuración de polarización fija.
Demostraremos la estabilidad mejorada por medio de un
ejemplo numérico más adelante en esta sección. El aná-
lisis lo realizaremos examinando primero la malla base-
emisor y luego utilizando los resultados para investigar la
malla colector-emisor. El equivalente de cd de la figura
4.17 aparece en la figura 4.18 con la fuente separada
para crear una sección de entrada y salida.

Malla base-emisor

La malla base-emisor de la red de la figura 4.18 se volvió a dibujar como se muestra en la figura 4.19. Al
escribir la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de las manecillas del
reloj obtenemos la siguiente ecuación:

Malla colector-emisor

La malla colector-emisor se dibujó de nuevo en la figura 4.22. Al escribir la ley de voltajes de Kirchhoff
para la malla indicada en el sentido de las manecillas del reloj, obtenemos
Estabilidad de polarización mejorada

La adición de un resistor emisor a la polarización de cd del BJT mejora la estabilidad,

es decir, las corrientes de polarización en cd y los voltajes permanecen próximos a los
valores establecidos por el circuito cuando las condiciones externas, como la
temperatura y la beta del transistor, cambian

Nivel de saturación

El nivel de saturación del colector o su corriente máxima en un diseño de polarización

de emisor se determina con el mismo procedimiento aplicado a la configuración de
polarización fija. Aplique un cortocircuito entre el colector y el emisor como se
muestra en la figura 4.24 y calcule la corriente resultante del colector. Para la figura
4.24

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE

En la configuración de polarización anterior, la corriente de polarización y el voltaje eran funciones de la

ganancia de corriente b del transistor. Sin embargo, como b es sensible a la temperatura, sobre todo si
se trata de transistores de silicio, y como el valor real de beta en general no está muy bien definido,
conviene desarrollar un circuito de polarización que dependa menos de, o que en realidad sea
independiente, de la beta del transistor. La configuración de polarización por medio del divisor de
voltaje de la figura 4.27 es esa red. Si se analiza de una forma exacta, la sensibilidad a los cambios en
beta es muy pequeña. Si los parámetros del circuito se seleccionan apropiadamente, los niveles
resultantes de y son casi totalmente independientes de beta. Recuerde por los análisis anteriores que el
nivel fijo de y define un punto Q como se muestra en la figura 4.28. El nivel de cambiará con el cambio
en beta, pero el punto de operación en las características definido por y puede permanecer fijo si se
emplean los parámetros de circuito correctos.
CONFIGURACIÓN DE REALIMENTACIÓN DEL COLECTOR

También se puede obtener un mejor nivel de estabilidad introduciendo una trayectoria de

realimentación desde el colector a la base, como se muestra en la figura 4.39. Aun cuando el punto Q no
es totalmente independiente de beta (incluso en condiciones aproximadas), por lo común la sensibilidad
a los cambios de beta o las variaciones de la temperatura se presenta menos en las configuraciones de
polarización de emisor o de polarización fija. El análisis se realizará de nuevo, examinando primero la
malla base-emisor y luego aplicando los resultados a la malla colector-emisor.

CONFIGURACIÓN EN EMISOR-SEGUIDOR

Las secciones anteriores presentaron configuraciones en las cuales el voltaje de salida en general se
toma del colector terminal del BJT. En esta sección analizaremos una configuración donde la salida se
toma de la terminal del emisor como se muestra en la figura 4.46. La configuración de la figura 4.46 no
es sólo la única donde la salida se puede tomar de la terminal del emisor. De hecho, cualquiera de las
configuraciones que se acaban de describir se pueden utilizar mientras haya un resistor en la rama del
emisor.
CONFIGURACIÓN EN BASE COMÚN

La configuración en base común se diferencia en que la señal aplicada está conectada al emisor y la
base está en, o un poco arriba, del potencial de tierra. Es una configuración bastante popular porque en
el dominio de ca tiene una muy baja impedancia de entrada, una alta impedancia de salida y una buena
ganancia. En la figura 4.49 aparece una configuración en base común típica. Observe que en esta
configuración se utilizan dos fuentes y la base es la terminal común entre la terminal del emisor de
entrada y la terminal del colector de salida. El equivalente de cd del lado de entrada de la figura 4.49
aparece en la figura 4.50

TABLA DE RESUMEN

Es una recopilación de las

configuraciones más
comunes de BJT con sus
respectivas ecuaciones.
Observe las semejanzas
entre las ecuaciones para las
diversas configuraciones
CIRCUITOS DE ESPEJO DE CORRIENTE

Un circuito de espejo de corriente produce una corriente constante y se utiliza principalmente en

circuitos integrados. La corriente constante se obtiene desde una corriente de salida, la cual es la
reflexión o espejo de una corriente constante desarrollada en un lado del circuito. El circuito es
particularmente adecuado para la fabricación de circuitos integrados porque el circuito requiere que los
transistores tengan caídas de voltaje idénticas entre la base y el emisor, y valores idénticos de beta, lo
cual se logra mejor cuando los transistores se forman al mismo tiempo en la fabricación de circuitos
integrados.

CIRCUITOS DE FUENTE DE CORRIENTE

El concepto de una fuente de energía constituye el punto de partida de nuestra consideración de

circuitos de fuente de corriente. Una fuente de voltaje práctica (Fig. 4.70a) es una fuente de voltaje en
serie con una resistencia. Una fuente de voltaje ideal tiene R 0, en tanto que una fuente práctica incluye
alguna resistencia.
Una fuente de corriente ideal produce una corriente constante sin tomar en cuenta la carga que esté
conectada a ella. Se pueden construir circuitos de corriente constante con dispositivos bipolares,
dispositivos FET y una combinación de estos componentes. Hay circuitos utilizados por separado y otros
más adecuados para su operación en circuitos integrados.

TRANSISTORES pnp

El análisis hasta ahora se limitó por completo a transistores npn para

garantizar que el análisis inicial de las configuraciones básicas fuera lo más
claro posible y sin complicaciones por el cambio entre tipos de transistores.
Por fortuna, el análisis de transistores pnp sigue el mismo patrón establecido
para transistores npn. Primero se determina el nivel de IB, seguido por la
aplicación de las relaciones de transistor apropiadas para determinar la lista
de cantidades desconocidas. De hecho, la única diferencia entre las
ecuaciones resultantes para una red en la cual se reemplazó un resistor npn
por un transistor pnp es el signo asociado con cantidades particulares.

TÉCNICAS DE SOLUCIÓN DE FALLAS

El arte de solucionar fallas es un tema tan amplio que no se puede

analizar todo un conjunto de posibilidades y técnicas en sólo algunas
secciones de un libro. Sin embargo, el profesionista deberá conocer
algunas maniobras y mediciones básicas para aislar el área del
problema y posiblemente identificar una solución. Es obvio que el
primer paso para poder solucionar una falla en una red es entender
plenamente el comportamiento de la red y tener una idea de los
niveles de corriente y voltaje esperados. Para el transistor en la región
activa, el nivel de cd más importante mensurable es el voltaje de base
a emisor.

Para un transistor “encendido”, el voltaje VBE deberá ser de cerca de 0.7 V

Un nivel de voltaje igual de importante es el voltaje de
colector a emisor. Recuerde que por las características
generales de un BJT los niveles de VCE de cerca de 0.3 V
indican un dispositivo saturado; una condición que no
debiera presentarse, a menos que se esté empleando
como interruptor. Sin embargo:

Para el amplificador transistorizado común en la región

activa, en general VCE es aproximadamente de 25% a 75% de VCC.

ESTABILIZACIÓN DE LA POLARIZACIÓN

La estabilidad de un sistema mide la sensibilidad de una red a la variación de sus parámetros. En

cualquier amplificador que emplea un transistor la corriente del colector IC es sensible a cada uno de los
siguientes parámetros.

 B: Se incrementa con el incremento de la temperatura

 VBE: se reduce aproximadamente 2.5 mV por grado Celsius (°C) de incremento de la
temperatura.
 ICO (corriente de saturación inversa): duplica su valor por cada 10°C de incremento de la
temperatura.

Cualquiera de, o todos, estos factores puede hacer que el punto de polarización se aparte del punto de
operación designado. La tabla 4.2 revela cómo cambian los niveles de ICO y VBE con el incremento de la
temperatura para un transistor particular. A la temperatura ambiente (aproximadamente 25°C) ICO 0.1
nA, en tanto que a 100°C (punto de ebullición del agua) ICO es casi 200 veces más grande, en 20 nA. Con
la misma variación de la temperatura, se incrementa de 50 a 80 y VBE se reduce de 0.65 a 0.48 V.
Recuerde que IB es bastante sensible al nivel de VBE, sobre todo a niveles superiores al valor de umbral.