EnPu Entraînements B-Multon 2016

Magistère Mécatronique (M1)
UE Systèmes d’entraînements Electriques

2015-2016
Bernard MULTON
Département de Mécatronique - Ecole Normale Supérieure de Rennes
Electronique de puissance
Introduction, contexte
Modulation de largeur d’impulsion et structures de
conversion à découpage
Pertes et échauffements
Semi-conducteurs de puissance modernes
Association machine - convertisseur
B. Multon ENS Rennes 1
Modulation de largeur d’impulsion et
structures de conversion à découpage

Objectifs et principes du découpage
Permettre des conversions électriques avec des rendements élevés :
- les rendements peuvent fondamentalement tendre vers 100%,
- c’est une question de dimensionnement et de compromis technico-économique
A partir d’une source de tension (ex. DC-DC) :
Flux d’énergie
Actionneur,
éclairage,
Tension Filtre Charge process divers…
Udc DC - DC hachée (inductif) consommatrice
Réversibilité (2) Ou productrice (2)
Flux d’énergie Flux d’énergie

Période de découpage T
Principe de la modulation de largeur d’impulsion (MLI)

(découpage)
Tension
hachée
Udc
 est le rapport cyclique de conduction
v  .U dc
.T C’est le paramètre fondamental de modulation
T (Période de découpage)
On réglage est obtenu par action sur le temps de conduction d’un interrupteur K :
vK
K
iK
Signal logique de commande : CK

0 = ouvert, 1 = fermé
Cela permet de faire varier la valeur moyenne de la tension : v  .U dc

et donc de contrôler la valeur moyenne du flux d’énergie (de la puissance)
Le découpage permet intrinsèquement d’obtenir de hauts rendements

Principe du filtrage (un stockage d’énergie
à l’échelle de la période de découpage)
Tension
hachée Pour récupérer la valeur moyenne, il faut filtrer,
Udc c’est-à-dire stocker et déstocker
1
iL I0 F(p) 
v0
1  LCp 2
.T L
v0 Filtre du deuxième ordre
C
T (Période de découpage)
v  .U dc
La quantité d’énergie à stocker dans L et C est proportionnelle à la période de découpage
di 1
Inductances : v L  L. L et E  L.i 2L
dt 2
Équations duales
dv c 1
Condensateurs : i c  C. et E  C.v c2
dt 2
Domaines d’application de la conversion statique,

dans le plan puissance – fréquence de commutation (ou découpage)
Source : Powerex

Technologies de semi-conducteurs modernes
MOS de puissance
MOSFET : : 30 V – 200 A
de puissance m m
15
75 V – 300 A
1200 V – 100 A (SiC)
20
Les mieux adaptés aux basses tensions (moins de 48 V)
mm
Composants les plus rapides
Nouvelle technologie (CoolMOS ou MOS à superjonction)
adaptée aux tensions entre 500 et 1000 V. Ex. NEC 40 V 1,5 m (180 A)
(2,4 kVA/cm²)
IGBT : 250 V – 600 A

(Insulated Gate Bipolar Transistor) 1700 V – 2,4 kA
3300 V – 1,2 kA
140
m
6500 V – 600 A
m
m m
190
Bien adaptés aux moyennes et hautes tensions (de 200 V à 5 kV)
Ex. Powerex 3 x IGBT 6,5kV – 600A
Offre très étendue, possibilités de compromis chute de tension/rapidité (44 kVA/cm²)
Thyristors GTO et GCT : 3 à 6 kV – 1 à 5 kA

(Gate Turn Off, Gate Controlled Thyristors) m
190 m
Bien adaptés aux très hautes tensions et très fortes puissances

(meilleur refroidissement avec boitiers press-pack, fiabilité)
Ex. Powerex 6 kV – 2 kA moyens
mais la concurrence de l’IGBT est de plus en plus forte et 6 kA commutables
(130 kVA/cm²)
Evolution de la tension et du courant « commutable »
« Puissance apparente »
commutable
36 MVA
(GTO)
18 MVA
(IGCT)
9,5 MVA
(IGBT)
46 kVA
(MOS)
Source : Tschirley, PESC 2008

Taille des « puces » de puissance au silicium
Avec du silicium :
Epaisseur (m) Section (mm²) Source : ABB
 100 m/kV 0,03 .mm²

pour 30 V : 0,1 mm²/A 3 à 5 mm²/A
Source : ABB review 4-2006 (ou 0, 2 à 0,3 A/mm²)
(ou 10 A/mm² )
Importance des matériaux

Tenue en tension :
à l’état bloqué, dans tous les interrupteurs SC, on trouve une jonction PN en inverse
Vf <0 E C N D .e

1 .E c2
x2 
VRM  E c .x 2 VRM 
2 2.N D .e
où EC est le champ de claquage (en V/m)

coupe
d’un barreau
PN idéal L’épaisseur de puce w doit être supérieure
(proportions P+ N- ou égale à x2 pour VRM .
abérantes)
2.VRM
à EC= Cte : x2 
Ec
Concentration de charges d’espace
NA en polarisation inverse
qq 1016 à 19 cm-3 Pratiquement, on réalise des
Equilibre => NA.e.x2 - Nd.e.x1 =0 jonctions PIN (P+/N-/N+), alors :
ND .E c2 et V
VRM  x 2  RM
qq 1013 à 14 cm-3 N D .e Ec
Champ électrique dE Q v
Emax < Ec  où Qv est la charge volumique :
dx  NA.e (côté P+) et -Nd.e (côté N-) P+ N- N+
Champ électrique
x2
x1 x2
VR   E.dx où VR est la tension inverse appliquée
x1 1
VRM  E c .( x1  x 2 ) NA.e >> Nd.e, donc x1 << x2
2
Importance des matériaux
Limite en densité de courant :
liée à la capacité maximale de transport de charges dans la zone la moins conductrice
J  .E
où  max est la mobilité maximale des porteurs dans la zone N- (électrons)
 max  N D .e. max
v max   max .E où v max est la vitesse maximale des porteurs
J max  N D .e.v max .E c2

Et si (jonction PIN) : VRM 
N D .e
Alors : J max .VRM   Ec2 . r . o .vmax  600 kVA / cm2 avec du silicium
(attention, il s’agit d’une limite théorique, pas de caractéristiques pratiques)
Comparaison de matériaux pour l’électronique de puissance :
Evolution de la puissance volumique des convertisseurs
10 kW/dm3
Carbure de Silicium
Silicium
Source : Mitsubishi, Power Electronics Europe 2009

La place du modulateur de largeur d’impulsion

(ou Pulse Width Modulator)
Objectif : obtenir un rapport cyclique proportionnel à la tension de commande
Source DC (Udc)
vα C Interrupteurs Sortie
PWM Drivers de puissance hachée
Signal de commande Signal logique
analogique Udc
1
Convertisseur électronique de puissance 0 t
(Nα dans le cas d’une 0 t αT T
commande numérique) αT T
porteuse triangulaire v
vTM 
v TM
vα v0
t Udc
αT T
U dc
Cas du hacheur abaisseur : v 0  .U dc  .v   K H .v 
v TM
0
=> amplificateur de puissance à découpage VTM v
Le bras de pont, brique de base des convertisseurs
Notion de valeur moyenne glissante
CH CL= CH
idc Signaux logiques
de commande
des 2 interrupteurs
KH
ikH 1.T T 2.T 2.T

Udc vo
ikL Udc
v0
α1
.
Ud
c
v0 I0 
v
α
.
U
0
2
d
c
KL 
α
.
I
d
c
2
0
idc 
id
α1
.
I0
Io
c

T T
Si le rapport cyclique varie dans le temps :   ( t )

notion de valeur moyenne glissante (à l’échelle de la période de découpage)
Appliquée à la tension de sortie : v 0 ( t )  ( t ).U dc

au courant d’entrée : i dc ( t )  ( t ).I 0
Le demi-pont ou bras de pont est un

hacheur réversible en courant
Commande complémentaire des transistors KH et KL .(1  )
i  VI
L.F
U dc i0
i0 I0
U dc i
v 0  V0  .U dc
~ ~
En réalité, le courant de sortie comprend une ondulation : i 0  i 0  i0  I 0  i0
Réversible en courant
(cas des MCC à aimants : réversibilité en couple)
Mais aussi utilisé pour les alimentations

DC-DC BT à MOSFET : amélioration du rendement

Modulation sinusoïdale dans un bras de pont
idc
i dc ( t )  ( t ).I0
KH
v 0 ( t )  ( t ).U dc
ikH
Udc
ikL
V0(t) I0(t)
KL
Taux de modulation (ne peut pas dépasser M_maxi = 1)

Pulsation de la modulante
( t )  1   M sin t 
1
2
La valeur moyenne glissante de la tension vaut : v 0 ( t )  ( t ).U dc  .1   M sin t .U dc

1
2
Si la valeur moyenne glissante du courant de sortie est sinusoïdale :
I 0 ( t )  I M sin(t  )
IM 
Alors : i dc ( t )  ( t ).I M sin(t  )  . sin(t  )  M .I M sin(t  ). sin(t )
2 2
 .I
i dc ( t )  M . sin(t  )  M M cos   cos( 2t  )
I
2 4
Superposition de la valeur moyenne glissante

et de l’ondulation
Simulation PSIM
Rappel de l’ondulation de courant :

.(1  )
i L  VI
L.F
Si  est fonction du temps, alors

l’ondulation iL est elle-même
une fonction du temps iL(t) :
( t ).(1  ( t ))
i L ( t )  VI
L.F

Pont complet : usage en hacheur réversible 4 quadrants
(convertisseur DC-DC)
Hacheur 4 quadrants
40 V – 12 A
à transistors MOS
iL
v 0  V0  (2  1).U dc
Avec Cde complémentaire des 4 transistors : i L  2.VI .(1   ) i L max 

VI
(sur chaque bras et pour les bras 1 et 2) L.F 2.L.F
1   (bras 1) 2..(1  2 ).U dc

Avec Cde 3 niveaux : si   1 / 2 : i L 
(réduction des ondulations  2  1   (bras 2) L.F
avec un peu d’intelligence
dans la MLI) VI
i L max 
4.L.F
Pont complet : usage en onduleur monophasé (DC-AC)

Ici avec une modulation de largeur d’impulsion (MLI) sinusoïdale
La valeur moyenne de vo Modulateur de largeur d’impulsions

« glisse » avec vα v  (t )
v 0 ( t )  V0 ( t ) 
[2( t )  1].U dc
v0 (t )
Commande complémentaire
des quatre transistors
iL (t)
Charge résistive
Ici au taux de modulation maximal (αM =1):

( varie du minimum 0 au maximum 1)
( t ) 
1
1  sin t 
2
v 0 ( t )  U dc . sin t
Pont triphasé : onduleur triphasé (convertisseur DC-AC)
Onduleur de traction TGV Est
(IGBT 1200A – 3300 V)
idc MAS 1,16 MW
KH1 KH2 KH3
Udc Machine
triphasée
KL1 KL2 KL3
Collecteur
Collecteur
Grille
Emetteur
Emetteur
Grille
Convertisseur très fréquemment utilisé pour l’alimentation des

moteurs électriques triphasés à vitesse variable
(asynchrones, aimants permanents…)
Ce convertisseur est parfaitement réversible
et peut ainsi fonctionner en redresseur triphasé MLI
Fonctions réalisées avec des bras de pont

Système complet de traction ferroviaire (moteurs de quelques MW) :
Redresseur monophasé MLI (AC-DC) et onduleur triphasé (AC-DC)
Module de dissipation pour un freinage électrique

en cas de coupure de l’alimentation par la caténaire.
Onduleur triphasé
Ventilateur
Capteurs de courant
Modules
Transistors + diodes
Dissipateur à air
Carte
circuits de
commande Condensateurs
de découplage d’entrée
Source : www.europowercomponents.com
Modulation triphasée dans un pont triphasé
Simulation PSIM :
Udc = 700 V
Charge RL : 10  - 0,5 mH
Découpage à 10 kHz
Modulation à 99% à 50 Hz
v1_filtree

Modulation triphasée
En triphasé équilibré (courants de sortie et modulations des 3 bras),
la combinaison des courants d’entrée de chaque bras
élimine la composante basse fréquence
2
i1 ( t )  I M sin( t  ) et i 2 ( t )  I M sin( t    ) ...
3
1 ( t )  .1   M sin t 
1
2
1   2   1   4  
 2 ( t )  .1   M sin  t    et  3 ( t )  .1   M sin  t  
2  3  2  3  
1  2    
Tension entre phases : u12 ( t )  1 ( t )   2 ( t ) .U dc  . M sin t   M sin t  .U dc   M .
3
U dc . sin t  
2  3  2  6
3
Courant absorbé au bus continu : Au taux de modulation maxi avec M =1 : UM  U dc
2
i dc1( t )  M .sin(t  )   M (sin t ).sin(t  )
I
2
I    3.I M   M  3
 M .sin(t  )  M cos   cos(2t    idc (t )  . cos   . M .I M . cos 
2  2  2  2  4
3
Puissance vue de l’entrée : Pe  Udc . ie ( t )  . M .I M .Udc . cos 
vue de la sortie : 4
3 3 3 3
Ps  .U M .I M . cos    M .U dc .I M . cos    M .U dc .I M . cos 
2 2 2 4
Modulation triphasée optimisée

Toujours en triphasé équilibré …
Objectif :
augmenter la tension maximale de sortie pour atteintre au maximum (M =1) Udc
 2 1 
1 ( t )  1 / 21   M sin t  sin 3t 
 3 3 3 
 2  2  1  2 
 2 ( t )  1 / 2 1   M sin  t   sin 3 t   
 3  3  3 3  3 
 2  2  1 
1 / 2 1   M sin  t   sin 3t 
 3  3  3 3 
1  2  2    
Tension entre phases : u12 ( t )  1 ( t )   2 ( t )   .
2
 M sin t   M sin  t    U dc   M .U dc . sin  t  
2 3 3  3   6
Au maximum avec M =1 : U M  U dc
Courant absorbé au bus continu :
I  2. M 1 
i dc1( t )  M .sin(t  )  (sin t ).sin(t  )  (sin 3t ).sin(t  )
2  3 3 3 
IM  M
 . sin(t  )  cos   cos(2t  )  1
cos(2t  )  cos(4t  )
2  3 6 3 
3.I M   M  3. M
 idc ( t )  . cos   .I M . cos 
2  3  2
3. M
Puissance : Pe  Ps  .I M .U dc . cos  +15% par rapport à la MLI « non optimisée »
2
MLI en triphasé :
matrice de calcul des valeurs instantanées de la tension simple
Signaux logiques de commande (complémentaire) des 3 bras : C1, C2 et C3
(Cx = 1 : interrupteur haut du bras x passant et interrupteur bas bloqué)
v1
Charge équilibrée
C1 C2 C3
 v1   2  1  1  C1 
v   1 . 1 2  1.C .U 5 niveaux de tension simples possibles :
 2 3    2  dc 0 +1/3.Udc -1/3.Udc +2/3.Udc -2/3.Udc
 v3   1  1 2  C 3 
Simulation PSIM :
Udc = 700 V
v1_filtree
Udc
2/3.Udc
1/3.Udc
-1/3.Udc
-2/3.Udc
Udc
-Udc
B. Multon ENS Rennes

Bernard MULTON28
Modulation triphasée : spectres des tensions et du courant
Simulation PSIM :
Onduleurs 3 niveaux
Structure NPC : Neutral-Point Clamped
Fortes puissances : 10 MVA
Source : Siemens, EPE 2009 B. Multon ENS Rennes 30

Onduleurs 3 niveaux
Structure NPC : Neutral-Point Clamped
Tension composée (entre phases) : 5 niveaux

Udc
Udc
Udc/2
Udc/2
Vout
- Udc/2
- Udc

Fonction interrupteur statique de puissance
alimentation
Alimentation
dissipateur
Cde
Commande 0-1
rapprochée
état
Protections
"puce" silicium
boitier
Technologie DCB (direct copper bonding)
Source : INRETS
Module
3 bras 200 A – 600 V
(6 transistors + 6 diodes)
Source : INRETS

Formes d’ondes idéalisées dans un SC de puissance
lors d’une période de découpage et pertes associées
Cellule de commutation idéalisée
(diodes parfaites, zéro inductance,
commutations linéaires) tswON tswOFF
Udc vk
vk ik
ik I0
Udc État ON État OFF
I0
I0
1
Signal de commande
VKON
Signal logique 0 t
de commande tON  .T
Udc.I0
Courant de fuites
à l’état bloqué Puissance dissipée instantanée
(généralement négligeable)
VKON.I0
Chute de tension
à l’état passant (ON)
t
Pertes à l’état bloqué Énergie dissipée à la Énergie dissipée

négligeables mise en conduction Pertes de conduction
au blocage
EswON
EswOFF
Pertes de conduction et pertes de commutation

Puissance dissipée (instantanée)
Cellule de commutation idéalisée
(diodes parfaites, zéro inductance, tswON tswOFF
commutations linéaires)
Udc.I0
vk
ik tON  .T
Udc VkON.I0
I0
I0 t
Énergie dissipée à la Pertes de conduction

mise en conduction Énergie dissipée au blocage
EswON EswOFF
Valeur moyenne glissante des pertes (moyenne sur la période de découpage)
1 1 
pk   v k .i k .dt    v k .i k .dt   v k .i k .dt   v k .i k .dt 
T t

TT
 swON t ON t swOFF
Hypothèses : - tension Udc et courant I0 constants durant la période

- formes d’ondes idéalisées 1
pk
vk
ik
d
t
vk T
I
d
t
E swON  .( U dc .I 0 ).t swON

  . .    .  . 0 .
1 1 1
T
 2
s
w
O
N
s
w
O
F
F
O
N
T
tO
1
E swOFF  .( U dc .I 0 ).t swOFF
N
 .
2
p k  F.E swON  E swOFF   .v kON .I 0 
Pertes de commutation Pertes de conduction B. Multon ENS Rennes 36
Limites observées dans le plan
Fréquence de découpage – Puissance apparente commutée
Application de la méthode de la valeur moyenne glissante

au calcul des pertes (nécessaire pour évaluer les fluctuations de température)
KH
Dans un semi-conducteur de puissance
iTH
i0 qui conduit durant un rapport cyclique ()
Udc
ikL la puissance dissipée vaut : p T ()  v T .i T ()
v0 i0
KL
En MLI sinusoïdale : () 
1
1   M sin 
2
v0 ( t )   M .U dc . sin  avec   .t
i 0i0()  I M sin(  )
v0
iTH
iDL
Source : Semikron
Méthode de la valeur moyenne glissante
appliquée au calcul des pertes
La valeur moyenne glissante des pertes de conduction
dans la partie transistor de l’interrupteur KH vaut :
Si vTH = RT.iTH : p cond ()  R T .i 2KH ()  R T .i 2KH () pcond_KH()= RT.() .i0²()
(cas des MOSFET)
2
Si vTH = VT+RT.iTH : p cond ()  VT .i TH  R T .i TH pcond_KH() = ().[VT.i0()+RT.i0²()]
(cas des IGBT)
idc En modulation sinusoïdale :

KH
vTH
Courant en sortie du bras : i 0 ()  I M sin(  )
iTH
i0
Rapport cyclique : ()  1   M sin 
Udc
1
ikL 2
v0
i0
KL
Transistor (cas IGBT) haut (conduit la partie positive du courant de sortie) :

p cond _ KH ()  (). VT .i 0 ()  R T .i 02 () 

Diode du bas : p cond _ DL ()  1  (). VF .i 0 ()  R F .i 0 ()
2

Pertes de conduction : valeur moyenne

sur la période de la modulante
idc Valeur moyenne glissante :
 
KH
iTH p cond _ KH ()  (). VT .i 0 ()  R T .i 02 ()

i0
Udc
ikL
v0 i0
KL
Moyenne sur l’ensemble de la période de la modulante :
p cond _ KH () 
1  
2 
 2
 (). VT .i 0 ()  R T .i 0 () .d 
… tous calculs faits :
1   1  
p cond _ KH ()  VT .I M .  M . cos   rT .I 2M .  M . cos 
 2 8   8 3 

Pertes de commutation : valeur moyenne
sur la période de la modulante
En supposant le modèle général suivant de dépendance de l’énergie dissipée
avec le courant commuté : Esw(i) = Eswon+Eswoff = a + b.i + c.i²
(en négligeant l’ondulation de courant : courant supposé constant sur une période de découpage)
On considère le transistor haut qui ne conduit que la partie positive du courant,

la valeur moyenne glissante des pertes de commutation vaut sur l’intervalle 0,  :
psw _ KH ()  F.E sw (i 0 , )  F.a  b.i 0 ()  c.i 02 ()

 
1  
Soit sur l’ensemble de la période de la modulante : psw _ KH ()  F.  E sw ().d
2 
1   2
psw _ KH ()  F.  [a  b.i 0 ()  c.i 0 ()].d
2 
Ce qui donne, tous calculs faits avec i 0 ()  I M sin(  ) :
a b I 2M 
psw _ KH ()  F.  .I M  c. 
 2  4 
Evaluation de l’échauffement,
schéma thermique en régime permanent
Tj Rth_jc T Rth_ch T
température c h
de jonction dissipateur Rth en K/W
boitier (heatsink) (ou °C/W)
(case)
P Rth_h
(pertes)
Tamb
T j  Tamb   Rth .P
Importance de la température sur la durée de vie
t

Vieillissement et probabilité de vie : R ( t )  e   ( t )  e MTBF
à t = MTBF, la probabilité de vie vaut 37%
Taux de défaillance = MTBF-1

(failure rate)
Référence à 125 °C
E
Loi d'Arrhenius : Log(MTBF)  A  G
k b .T1
EG est l'énergie d'activation du matériau
kb = 8.6x10–5 eV / K (Bolzmann) 0,7 eV :
durée de vie
divisée par 2 tous les 11°C
1 eV :
divisée par 2 tous les 8°C
Tenue au cyclage thermique (fatigue mécanique)

.Tj
Vieillissement en cyclage thermique (loi simplifiée) : N  K.e
Modules Eupec (24 puces IGBT en parallèle)
Tj = 40°C : N  4 Mcycles
Tj = 80°C : N = 30 kcycles
Exemple d’endommagement

Evaluation des échauffements
en régimes thermiques transitoires
Tj Rth_jc Tc Rth_ch Th
p(t) Rth_h
(pertes)
Cth_j Cth_c Cth_h
Tamb
Cth_j < Cth_c << Cth_h Cth en J/K

(ou J/°C)
p(t) Tj
(pertes)
 Rth .PMax
t
Régimes thermiques transitoires sur les « longues durées »
Tj Rth_jc Tc Rth_ch Th
p(t) Rth_h
(pertes)
Cth_j Cth_c Cth_h
Tamb
dT j PMax

dt Cth _ h
p(t)
(pertes) Tj
PMax
( Rth _ jc  Rth _ ch ).PMax
 Rth .PMax
Tamb
t

Régimes thermiques transitoires courts
Hyp : la température du dissipateur (grâce à son inertie thermique)

ne varie pas durant ce régime transitoire
Tj Rth_jc Tc Rth_ch Th =Cte
p(t) heatsink
(pertes)
Cth_j Cth_c
Tamb
Notion d’impédance thermique de l’ensemble puce-boîtier : Zth_jc
Tj = Tc + Zth_jc.PMax
Pour des sollicitations en créneaux répétitifs ou non de puissance d’amplitude PMax
Impédance thermique: exemples
GTO (ABB) 4 kV – 4,5 kA IGBT (IR) 600 V – 48 A

(puce diamètre 85 mm) Rth_jc = 0,45 K/W – Rth_ch = 0,24 K/W
Rth_jc = 8,5 mK/W – Rth_ch = 3 mK/W
10 ms
1,5 mK/W
(10 kW -> 15 K) 1s 1 ms
7,5 mK/W 10 s 0,15 K/W
(10 kW -> 75 K)
7 mK/W (100 W -> 15 K)
(100 W -> 0,7 K)

Exemple de régimes thermiques transitoires
dans un bras de pont en modulation sinusoïdale
Effets de la fréquence du courant de sortie
Source : Infineon
Moyens de dissipation de la chaleur
Dissipateurs dédiés et profilés à air en convection naturelle
Tunnels de ventilation

Moyens de dissipation de la chaleur
Circulation d’eau
assemblage de boîtiers Press-Pack refroidis à l’eau (Westcode à gauche)
Caloducs : jusqu’à plusieurs kW

Principe des réfrigérateurs mais sans compresseur (circulation naturelle par capilarité dans des tubes fins):
l'énergie de circulation du fluide de refroidissement est apportée par les composants dissipatifs eux-mêmes (source chaude)
Les tubes capilaires sont reliés à des ailettes pour

accroitre la surface d’échange avec ambiance,
une ventilation abaisse encore la résistance thermique

Formes d’onde courant et tension dans le transistor
d’une cellule de commutation de type bras de pont
Inductance parasite équivalente
Pic de recouvrement
idc
inverse de la diode
Turn on
KH
ikH
Udc
ikL
v0 I0
KL
 1000 A/ s
Surtension de
commutation au blocage
Turn off
Source : ABB, ISPSD, May 2006, Napoli, Italy
Trajet du point de fonctionnement dans

le plan courant-tension. Notion d’aire de sécurité
idc
KH
ikH
Udc
ikL
IrrM
v0 I0 ik recouvrement
KL DRL
Turn-off
I0
ON ∆V
Turn-on
surtension
de blocage
OFF
Le point de fonctionnement passe en zone linéaire (dissipatrice)

Udc vk
et doit impérativement rester à l’intérieur de l’« aire de sécurité »
Les diodes rapides
iF
Exemple diode Semikron
600 V – 4000 A
vF Chute de
tension
directe
Polarisation
directe
Polarisation inverse 180°C
Courant
Avalanche de fuites Modèle direct :
x2 /10°C vF = V0 + R0.iF
2
Pertes de conduction : Pcond  V0 .i F  R 0 .I Frms
Blocage : phénomène de recouvrement inverse
Dans une cellule de commutation de bras de pont :
Qrr
Charge recouvrée IrrM
Pic de courant négatif
Pertes de recouvrement inverse : Pd _ off  k.F.VR .Q RR k  1/6 à 1/3

drain MOSFET de puissance
Particularités :
-entrée capacitive (courant de grille statique négligeable
mais valeurs élevées durant les commutations)
grille
- grande rapidité de commutation
- diode interne antiparallèle
2.6
- grandes surfaces de puces en haute tension R DSON  VBR
source
Caractéristiques statiques
MOS de puissance
A l’état passant : résistance Rdson variable avec VGS
RDS
RDSON
VGSth  15 V VGS_Max V
GS
Pcond = Rdson.I²drms
Coeff. de température de Rdson : environ 0,5 (MOS « BT ») à 1%/°C (« HT »)

(attention, la résistance est habituellement spécifiée à 25°C)
iD
MOS très basse tension :
En inverse, le canal conduit : VDS
VGS Rdson suffisamment faible
pour que seul le canal conduise
MOS de puissance
Aire de sécurité :
Limite Rdson
Limite puissance dissipée

(selon condition
de refroidissement)
Tension maximale
(avalanche)
Source : Techniques de l’Ingénieur D3109 (Leturcq)
MOS de puissance
Commutations (avec diode idéale) :
Variation réelle des capacités

(IRF 250 N)
Tous les temps de commutation, et donc les pertes associées, sont

inversement proportionnels au courant maximal de grille IGM
MOS de puissance : commande de grille
Avec un courant de grille limité par une résistance :
Consommation de la commande de grille

Charge de grille QG
Energie fournie à la grille : WG   u S .i G .dt V CC .Q G
T
Puissance consommée : PG  f .V CC .Q G
QG est fonction de Vcc, de Udc et de I0,

le fabricant ne spécifie pas la totalité de cette dépendance :
MOS de puissance : pertes de commutation

Cas de la mise en conduction (en négligeant le recouvrement inverse de la DRL)
(le blocage est sensiblement symétrique)
VT
QG QG
Énergie dissipée
à l’amorçage
EswON
QG Vcc  Vplateau
t swON  avec IGM 
Phases 2 et 3 IGM RG
QG
Durée tswON Avec, en première approximation : Vplateau = VT, et donc : t swON  R G .
Vcc  VT
1 1 Q G
Pertes de commutation : E swON  .( U dc .I 0 ).t swON  .( U dc .I 0 ).
(même forme au blocage) 2 2 I GM

MOS de puissance : pertes de commutation
Optimisation de la surface de puce Asi pour minimiser les pertes totales
À technologie donnée : QG et QG  ASi

1
et rdsON  ASi
Q G
Pertes de commutation : Psw  F.( E swON  E swOFF )  F.( U dc .I 0 ).
I GM
A Si
Psw  F.( U dc .I 0 ).
I GM
Pertes de conduction : Pcond  rdsON .I 2rms  rdsON ..I 02 .I 02

Pcond 
A Si
Optimum de Asi (surface de puce) à conditions de commutation données :

pertes de commutation = pertes de conduction
L’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Caractéristique
à l’état passant :
VCEsat  VT  R T .i C
2
Pcond  VT .i C  R T .I Crms
IGBT Toshiba MG100Q2YS50 (100 A – 1200 V)
Minimum de chute de tension pour VGE > 15 V environ
A l’état bloqué : comme un MOS VGE < VGEth

IGBT
Influence de la température sur la chute de tension
(comme les diodes)
IGBT Toshiba 1200 V – 100 A
Aire de sécurité
en court-circuit
Source : Powerex B. Multon ENS Rennes 65
IGBT
Pertes de commutation
Formes d’onde proches de celles du MOS
(même caractéristiques QG…)
IGBT Infineon
Energies de commutation : SGW30N60, 600V, 30A
Energies de commutation :
en fonction de Ic en fonction de RG
2 mJ @ 400 V – 30 A
@ 10 kHz : Psw = 20 W
(@  = ½ et 150°C Pcond = 35 W)
IGBT
Compromis de conception : chute de tension / pertes de commutation.
=> Possibilités de composant bien adaptés à l’application
Exemple International Rectifier :
14
12 énergie dissipée en commutation

en fonction de la chute de tension
10 IGBT 600 V-1,3 A/mm² @ 150°C
Ws w itch en mJ
stan dard
8
6
rapides
4
ultra-rapides
2 "warp-speed"
0
0,9
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2,1
2
V cesat en V
Adaptés aux basses fréquences Adaptés aux hautes fréquences
faibles pertes de conduction faibles pertes de commutation
Commande des composants à « grille isolée » (MOS, IGBT)

Exemple avec contrôle séparé des vitesses de commutation à l’amorçage et au blocage
Exemple avec isolation galvanique par optocoupleur

L’alimentation du circuit de commande
doit également être isolée

Commande des composants à « grille isolée » (MOS, IGBT)
Commande des transistors dans un bras de pont
IR2110
Source : International Rectifier
Thyristor
K G
K
G iG
N+ P N+
TK
N-
Source : ABB
P+ TA
Interdigitation de la
jonction gachette-cathode
A A IA
4 couches modèle à 2 transistors
i A  i cA  i cK   A .i A  i cb0A   K .(i A  i G )  i cb0K

 .i  i i
i A  K G cb0A cb0K
Source : Eupec
1  ( A   K )
Avalanche locale à l’amorçage : expansion à qq 0,1 mm/s

Thyristor, amorçage
Conditions d’amorçage :
-tension VAK > 0
-iGM > iGT (gate triggering)

Schéma de principe d’étude de l’amorçage
-durée totale de l’impulsion :

 supérieure à tGT
 suffisamment grande pour que
iA ait atteint IL
(Lachting current)
Et pour éviter d’endommager le composant :
dI A dI A

dt dt crit
Thyristor, blocage
Contexte de commutation assistée par le réseau :
le blocage est enclenché par l’amorçage d’un autre thyristor du montage
Condition :
polarisation inverse pendant tINV > tq

Thyristor, circuits de commande
Thyristors GTO et GCT

GTO = gate turn off GCT : gate controlled thyristor
Détails de l’interdigitation
de la jonction gachette-cathode
Source : Eupec
Même empilement de 4 couches

que les thryristors, mais avec une
jonction gachette-cathode très interdigitée
Source : Toshiba
Les deux grandes familles de GTO :

- à gauche : asymétriques (utilisables avec diode antiparallèle)
- à droite : symétriques (en tenue en tension)
avec technologie de « shorts d’anode »

Formes d’ondes
Maintien d’un
courant IG durant
la conduction
Courant de gachette extrait :

environ 1/3 du courant d’anode
Ex. IA = 3000 A
IGQ = 1000 A
Source : ABB
Le GTO : un très gros transistor bipolaire avec un gain élevé à l’état passant

IGCT : integrated gate controlled thyristor
Alimentation
Signaux
optiques
Source : ABB
Source : ABB B. Multon ENS Rennes 76

Formes d’onde réelle
2 bras d’un onduleur

NPC 9 MVA
Source : ABB
Source : ABB

ASSOCIATION MACHINE - CONVERTISSEUR
d(i, )
Equation électrique générale monophasée : u  R.i 
dt
Ce qui donne en linéaire avec un flux tolal par phase   f ()  L.i :
di df d
u  R.i  L. 
dt d dt
Chute
ohmique f.e.m. due à l’inducteur
Chute inductive
L = inductance propre f = flux inducteur total
embrassé par une phase
En faisant apparaître le nombre n de spires par phase :
perméance Flux inducteur (par spire)
r est la résistance spécifique,
caractéristique fondamentale
géométrique  dni df d 
u  n r.ni  P. 
d dt 
L
r  . b
k b .S b  dt
ni force magnétomotrice
df
Sachant que le couple (monophasé) instantané correspondant vaut : cem  .ni
d
ASSOCIATION MACHINE - CONVERTISSEUR
En régime sinusoïdal : ni  nI M . sin( t   ) et f  fM . cos t

3
Expression de la valeur moyenne du couple électromagnétique : C  .p.fM .nI M . cos
2
La tension par spire nécessaire dépend du couple et de la vitesse :
u dni d
 r.ni  P.  p. f p = nombre de paires de poles
n dt d
dni
Fmm proportionnelle Vitesse  p..nI M . cos(t   )
angulaire dt
au couple
u
 r.nI M . sin( t   )  P..nI M . cos(t   )  .fM . sin t
n
Résistance spécifique Perméance Amplitude du flux inducteur
Diagramme de Fresnel
avec  =0 :
Amplitude de la force magnétomotrice Pulsation des courants
(alimentation) proportionnelle
Associée au couple moyen à la vitesse angulaire
  p.
INTERÊT DU DEFLUXAGE
Besoins en couple et vitesse : couple maximal CMax et vitesse maximale Max
Couple moteur CMax disponible

sur toute la plage de vitesse Couple moteur CeMax
disponible jusqu’à la vitesse de base
C Max
PMax= Pcoin=
CMax.Max CMax.Max
PMax=
CMax.b
Couple résistant Couple résistant
 
Max Max
Dimensionnement dans le cas d’un moteur à collecteur à excitation séparée

CMax, Max et PMax = CMax.Max PMax = CMax.b beaucoup plus faible
INTÉRÊT DU DÉFLUXAGE
Cas d’un moteur à collecteur à excitation séparée (raisonnement simplifié)
Cahier des charges : U dc  400 V C Max  10 N.m PMax  2kW @  Max  1000 rad / s
Conséquences : C Max . Max  10 kW (niveau de puissance a priori inutile)
Compte tenu de la valeur de CMax, PMax peut être atteinte

P
dès 200 rad/s (vitesse de base) :  b  Max  200 rad / s
C Max
Dimensionnement d’une structure électromagnétique permettant d’obtenir 10 N.m :

flux inducteur (par spire) : φf  7,2 mWb – FMM : NI 1400 A
Cas 1 : moteur sans défluxage (flux maximal)

@ 1000 rad/s : la FEM doit rester inférieure à la tension (+ R.I) => N = 50 spires (E1000rad/s = 360 V)
le courant requis pour obtenir 10 N.m vaut : IMax = 1400 / 50 = 28 A
Sous 400 V, avec un convertisseur capable de délivrer 28 A (puissance de dimensionnement 11,2 kW)
le moteur, avec ce bobinage, est capable de délivrer 10 N.m jusqu’à 1000 rad/s (10 kW)
Cas 2 : moteur avec défluxage (le flux peut être réduit, notamment au-delà de b) :
@ 200 rad/s : la fem doit rester inférieure à la tension (+ R.I) => N = 250 spires (E1000rad/s = 360 V)
le courant requis pour obtenir 10 N.m vaut : IMax = 1400 / 250 = 5,5 A (convertisseur 2,2 kW)
@ 1000 rad/s : le flux doit être réduit d’un facteur 5, pour que la FEM reste inférieure à Udc – R.I
DEFLUXAGE D’UN
MOTEUR SYNCHRONE A AIMANTS
Le flux inducteur des aimants n’est pas réglable mais dans certaines conditions,
le flux résultant (inducteur + induit) peut être réduit
Si  = 0 = Cte à  'b q
L.'b.I' Pmaxi
L.b.I
E'
à b V E
V
b  
I f
d 
b max
cercle V=constante
DEFLUXAGE D’UN
MOTEUR SYNCHRONE A AIMANTS
Si  variable :
Création d’une composante de réaction d’induit démagnétisante au delà de b : Id < 0
q
L.I M
Soit r la réaction d’induit normalisée : r
E' f
X.I' cas b
X.I
cas b
Puissance maximale en fonction de la vitesse
PM
V E r = 0,8
 3.VM .I M 1
V 0.9 r =1
I
I f 0.8
d 0.7 r = 0,2
0.6
0.5 r = 0,4
cercle V=constante 0.4
0.3
0.2
0.1 r = 0,6
0 
b
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3

COURBES ENVELOPPES (couple et puissance maxi)
associées au courant maximal et à la tension maximale
Courbes enveloppes typiques (caricaturales)
CMax  f(IM)  b  UM et PMax  UM.IM
Courant maximal Tension maximale
Exemple de courbes enveloppes d’un moteur à réluctance variable 120 N.m – 35 kW
COURBES ENVELOPPES
Influence du courant maxi et de la tension maxi
(sans modifier le nombre de spires par phase)
Si IM augmente :
Si UM augmente :

COURBES ENVELOPPES
Influence du nombre de spires
à mêmes valeurs du courant maxi et de la tension maxi
A IM et UM constants,
si n augmente : UM/n diminue et nIM augmente
Bibliographie
Livres :
J. LAROCHE, « Électronique de puissance – Convertisseurs », Cours et exercices corrigés, Dunod, 2005.
J.P. FERRIEUX, F. FOREST, « Alimentations à découpage, convertisseurs à résonance: Principes, composants, modélisation »,
Dunod 3ème édit. 2006.
J. FANDINO, R. PERRET, et. al. « Entraînements électriques : Tome 1, Alimentations des machines électriques principe de la
conversion électromécanique », Hermes Sciences, 2006.
R. PERRET, et. al. « Entraînements électriques - Tome 2, Machines électriques industrielles », Hermes Sciences, 2007.
Techniques de l’Ingénieur :
P. LETURCQ, « Physique des semi-conducteurs de puissance», D3102, Nov. 1999.
P. LETURCQ, « Composants semi-conducteurs de puissance, caractères propres », D3100, sept. 1999.
P. LETURCQ, « Composants semi-conducteurs de puissance, partie 2 », D3107, 05-2001.
H. FOCH, et. Al., « Electronique de puissance, principe fondamentaux, commutation dans les convertisseurs statiques »,
D3153, Septembre 1989.
H. FOCH, F. FOREST, T. MEYNARD, « Onduleurs de tension, mise en œuvre », D3177, 08-2000.

EnPu Entraînements B-Multon 2016

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

EnPu Entraînements B-Multon 2016

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Magistère Mécatronique (M1)

UE Systèmes d’entraînements Electriques

B. Multon ENS Rennes 2

Permettre des conversions électriques avec des rendements élevés :

- les rendements peuvent fondamentalement tendre vers 100%,

- c’est une question de dimensionnement et de compromis technico-économique

A partir d’une source de tension (ex. DC-DC) :

Réversibilité (2) Ou productrice (2)

Flux d’énergie Flux d’énergie

Principe de la modulation de largeur d’impulsion (MLI)

Signal logique de commande : CK

Cela permet de faire varier la valeur moyenne de la tension : v  .U dc

Le découpage permet intrinsèquement d’obtenir de hauts rendements

La quantité d’énergie à stocker dans L et C est proportionnelle à la période de découpage

B. Multon ENS Rennes 5

Domaines d’application de la conversion statique,

B. Multon ENS Rennes 6

IGBT : 250 V – 600 A

Thyristors GTO et GCT : 3 à 6 kV – 1 à 5 kA

Bien adaptés aux très hautes tensions et très fortes puissances

B. Multon ENS Rennes 7

Evolution de la tension et du courant « commutable »

Source : Tschirley, PESC 2008

 100 m/kV 0,03 .mm²

Importance des matériaux

où EC est le champ de claquage (en V/m)

J max  N D .e.v max .E c2

Comparaison de matériaux pour l’électronique de puissance :

B. Multon ENS Rennes 11

Evolution de la puissance volumique des convertisseurs

Source : Mitsubishi, Power Electronics Europe 2009

B. Multon ENS Rennes 12

B. Multon ENS Rennes 13

La place du modulateur de largeur d’impulsion

ikH 1.T T 2.T 2.T

Si le rapport cyclique varie dans le temps :   ( t )

Appliquée à la tension de sortie : v 0 ( t )  ( t ).U dc

B. Multon ENS Rennes 15

Le demi-pont ou bras de pont est un

Mais aussi utilisé pour les alimentations

B. Multon ENS Rennes 16

Taux de modulation (ne peut pas dépasser M_maxi = 1)

La valeur moyenne glissante de la tension vaut : v 0 ( t )  ( t ).U dc  .1   M sin t .U dc

Superposition de la valeur moyenne glissante

Rappel de l’ondulation de courant :

Si  est fonction du temps, alors

B. Multon ENS Rennes 18

Avec Cde complémentaire des 4 transistors : i L  2.VI .(1   ) i L max 

1   (bras 1) 2..(1  2 ).U dc

Pont complet : usage en onduleur monophasé (DC-AC)

La valeur moyenne de vo Modulateur de largeur d’impulsions

Ici au taux de modulation maximal (αM =1):

KH1 KH2 KH3

KL1 KL2 KL3

Convertisseur très fréquemment utilisé pour l’alimentation des

Fonctions réalisées avec des bras de pont

Module de dissipation pour un freinage électrique

B. Multon ENS Rennes 23

Modulation triphasée dans un pont triphasé

B. Multon ENS Rennes 24

Modulation triphasée optimisée

(Cx = 1 : interrupteur haut du bras x passant et interrupteur bas bloqué)

B. Multon ENS Rennes

B. Multon ENS Rennes 29