AREA: CIENCIA DE LOS MATERIALES

NOMBRE: RONAL NILS CHOQUE PARI

DOCENTE: JANETTE PINEDA RAMOS

CARRERA: INGENIERIA MECANICA EECTRICA

SEMESTRE: PRIMERO

TURNO: TARDE

GRUPO: B
MATERIALES LÍQUIDOS

MATERIALES SOLIDOS

CONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
 Introducción:

En el proceso de la investigación en cuanto al estado del líquido y la del estado sólido, como estudiantes
de la Facultad de Ingeniería Metalúrgica y de Materiales, hemos desarrollad este trabajo enfocado en la
visión de alcanzar esta información a nuestros compañeros como a aquellos que tienen como objetivo de
conocer fenómenos que nos rodean en esta vida. Es así que presentamos este trabajo.
Objetivos:
 Conocer por medio de la investigación las propiedades de los líquidos
 Conocer por medio de la investigación las propiedades de los sólidos
 El Estado Líquido:

1. Características Generales:
Un líquido está formado por moléculas que están en movimiento constante y desordenado, y cada una de
ellas choca miles de millones de veces en un lapso muy pequeño. Pero, las intensas fuerzas de atracción
entre cada molécula, o enlaces de hidrogeno llamados dipolo-dipolo, eluden el movimiento libre, además
de producir una cercanía menor que en la que existe en un gas entre sus moléculas.
Además de esto, los líquidos presentan características que los colocan entre el estado gaseoso
completamente caótico y desordenado, y por otra parte al estado sólido de un liquido (congelado) se le
llama ordenado. Por lo tanto podemos mencionar los tres estados del agua (liquido universal), sólido,
gaseoso y liquido.
De lo cual concluimos a las siguientes características:
 Tienen volumen constante.
 Son incomprensibles.
 Tienen fuerte fricción interna que se conoce con el nombre de viscosidad.

2. Densidad y Peso Específico:

densidad.- la densidad de una muestra se define como la masa de unidad de volumen. La densidad se
puede emplear para distinguir entre dos sustancias. Se suele expresarse en g/cm3 o g/ml.
densidad = mas
Volumen
Sustancia Densidad en kg/m3 Densidad en g/c.c.
Agua 1000 1
Aceite 920 0,92
Gasolina 680 0,68
Plomo 11300 11,3
Acero 7800 7,8
Mercurio 13600 13,6
Madera 900 0,9
Aire 1,3 0,0013
Butano 2,6 0,026
Dióxido de carbono 1,8 0,018

peso Específico (Gravedad Específica).- Es la relación de su densidad a la densidad del agua a una
determinada temperatura de referencia.
Peso específico = densidad del líquido
densidad del agua
3. Presión de Vapor:
La presión parcial de las moléculas de vapor por encima de la superficie de un líquido es la presión de
vapor, lo cual se debe a los impactos de sus moléculas contra las superficies que confinan al gas y como
la superficie del líquido constituye una de las paredes que limitan al vapor, habrá también una serie
continua de impactos contra esta superficie por las moléculas en estado gaseoso.

4. Tensión de Vapor:
La presión ejercida por el vapor en tal condición de equilibrio (aumento o disminución de velocidad de
condensación), se llama tensión de vapor del líquido. Todos los materiales, sean líquidos o sólidos,
presentan tensiones de vapor definidas, con valores grandes, pequeños o muy pequeños, cualquiera que
sea la temperatura de la sustancia. La magnitud de la tensión de vapor no depende de las cantidades del
líquido y del vapor.
El factor más importante que determina la magnitud de la presión de vapor al equilibrio o tensión de vapor
del líquido, lo constituye la propia naturaleza del líquido, la tensión de vapor depende exclusivamente
sobre los valores de las fuerzas atractivas entre las moléculas.
 Tensión de Vapor de algunos Líquidos
(expresadas en torr)
Tetracloruro de Éter
Agua Etanol Acetona
Temperatura, ºC Carbono Etílico
H2O C2H5OH CH3COCH3
CCl4 (C2H5)2O
0 4.579 12.2 33 ....... 185.3
10 9.209 23.6 56 115.6 291.7
20 17.535 43.9 91 184.8 442.2
30 31.824 78.8 143 282.7 647.3
40 55.324 135.3 216 421.5 1.212 atm
50 92.51 222.2 317 612.6 1.680
60 149.38 352.7 451 1.14 atm 2.275
70 233.7 542.5 622 1.58 3.021
80 355.1 1.069 atm 843 2.12 3.939
90 525.8 1.562 1122 2.81 5.054
100 760.0 2.228 1463 3.67 6.394

5. Humedad:
La humedad atmosférica es la cantidad de vapor de agua existente en el aire. Depende de la temperatura,
de forma que resulta mucho más elevada en las masas de aire caliente que en las de aire frío. Se mide
mediante un aparato denominado higrómetro, y se expresa mediante los conceptos de humedad absoluta,
específica, o relativa del aire.
La humedad absoluta es la masa total de agua existente en el aire por unidad de volumen, y se expresa
en gramos por metro cúbico de aire. La humedad atmosférica terrestre presenta grandes fluctuaciones
temporales y espaciales.
La humedad específica mide la masa de agua que se encuentra en estado gaseoso en un kilogramo de
aire húmedo, y se expresa en gramos por kilogramo de aire.
La humedad relativa del aire es la relación porcentual entre la cantidad de vapor de agua real que existe
en la atmósfera y la máxima que podría contener a idéntica temperatura.
La fuente principal de la humedad del aire es la superficie de los océanos, de donde se evapora el
agua de forma constante. Pero también contribuyen a su formación los lagos, glaciares, ríos, superficies
nevadas, la evapotranspiración del suelo, las plantas y los animales.
La humedad absoluta y la específica aumentan paralelamente a la temperatura, mientras que la variación
de la humedad relativa es inversamente proporcional a la temperatura, al menos en las capas bajas de la
atmósfera, donde su valor mínimo corresponde a las horas de mayor calor, y el máximo a las
madrugadas.
Como la atmósfera en sus capas altas está estratificada, la temperatura y la humedad no son las mismas
de una capa a otra y la humedad relativa varía bruscamente.

6. Tensión Superficial:
En un líquido, cada molécula se desplaza siempre bajo influencia de sus moléculas vecinas. Una
molécula cerca del centro del líquido, experimenta el efecto de que sus vecinas la atraen casi en la misma
magnitud en todas direcciones.
Sin embargo, una molécula en la superficie del líquido no esta completamente rodeado por otras y, como
resultado, solo experimenta la atracción de aquellas moléculas que están por abajo y a los lados. Por lo
tanto la tensión superficial actúa en un líquido perpendicular a cualquier línea de 1cm de longitud en la
superficie del mismo. Para la tensión superficial tenemos lo siguiente:

Donde:
 r = Radio del tubo capilar.
 h = Altura medida desde el nivel del líquido en el tubo de ensaye, hasta el nivel del líquido en el tubo
capilar.
 g = Aceleración de la gravedad.
 q = Angulo de contacto en el líquido con las paredes del tubo capilar.
 g = Tensión superficial.

Para los líquidos que mojan el vidrio, su ángulo de contacto se supone a 0°, y sacando el (cos 0°) es 1,
por lo que la ecuación anterior se reduce a:

Donde:
D r = Es la diferencia de densidades que existe en el líquido y su vapor.
La tensión superficial mide las fuerzas internas (energía) que hay que vencer para expandir el área
superficial de un líquido.
Las moléculas en la superficie del líquido están menos atraídas por las fuerzas intermoleculares, por lo
que prefieren situarse en el interior (figura 6.1). La tensión superficial mide la energía necesaria para
ampliar la superficie de un líquido.

Figura 6.1. Diferencia entre las fuerzas que actúan sobre una molécula dentro del líquido y las que
actúan sobre una molécula en la superficie. Hay una fuerza resultante hacia el interior de la
disolución sobre las moléculas de la superficie. Esta fuerza es la responsable de que las gotas de
agua sean esféricas, ya que una esfera tiene un área menor que cualquier otra forma del mismo
volumen.

7. Viscosidad (Frotamiento Interno):

Algunos líquidos, literalmente fluyen lentamente, mientras que otros fluyen con facilidad, la resistencia a
fluir se conoce con el nombre de viscosidad. Si existe una mayor viscosidad, el líquido fluye más
lentamente. Los líquidos como la maleza y el aceite de los motores son relativamente viscosos; el agua y
los líquidos orgánicos como el tetracloruro de carbono no lo son. La viscosidad es la resistencia de un
líquido a fluir y se relaciona con las fuerzas intermoleculares d atracción y con el tamaño y forma de las
partículas que o constituyen.
La viscosidad puede medirse tomando en cuenta el tiempo que transcurre cuando cierta cantidad de un
líquido fluye a través de un delgado tubo, bajo la fuerza de la gravedad. En otro método, se utilizan
esferas de acero que caen a través de un líquido y se mide la velocidad de caída. Las esferas más
lentamente en los líquidos más viscosos. Si deseamos determinar la viscosidad con respecto al tiempo,
es decir el volumen del líquido que fluye con respecto al tiempo tenemos:

........................ecuación 1
Donde:

 = Velocidad de flujo del líquido a lo largo de un tubo.

 r = Radio del tubo.
 L = Longitud
 (P1 - P2) = Diferencia de presión

A pesar de esto la determinación de las variables L y r es complicado, para esto empleamos un método
de comparación entre un líquido de viscosidad desconocida y el agua como un líquido base, pero si
consideramos que D P es en proporción a la densidad r tenemos el siguiente análisis.

.........................ecuación 2
Donde:
 m 1= Viscosidad del liquido desconocido.
 m 0= Viscosidad del agua.
 8. Solución:
A.- Características Generales:
 Las soluciones son mezclas homogéneas de dos o más especies moleculares puras y distintas en la cual
no se da la precipitación.

Las soluciones incluyen diversas combinaciones en que el sólido, el líquido o el gas actúan como
disolvente o soluto, la homogeneidad de sus componentes se considera desde un punto de vista de
una escala molecular.
9. Solubilidad:
Otra propiedad física que permite conocer el tipo de enlace es la solubilidad. Los compuestos con enlace
iónico son solubles en agua y los que tienen enlace covalente se disuelven en otros compuestos
covalentes. Esta propiedad tiene varias excepciones, la fundamental es que las sustancias que tienen
moléculas con muchos átomos de oxígeno y que no son macromoléculas son solubles en agua porque los
átomos de oxígeno se unen con los átomos de hidrógeno del agua.
Prácticamente todos los compuestos formados con elementos situados a la derecha de la tabla periódica
tienen enlaces covalentes. En la vida corriente serían todas las pinturas,
disolventes, grasas, hidrocarburos, azúcar, alcohol, etc.
La masa de soluto que se ha añadido a un determinado volumen de disolvente se denomina
concentración. Y la máxima cantidad de soluto que puede disolverse, se conoce como solubilidad.
Si la solubilidad es alta, quiere decir que podemos añadir gran cantidad de soluto al disolvente. Pero si es
pequeña, un poco de soluto añadido apenas se disolverá. Normalmente la solubilidad aumenta con la
temperatura. Así el agua caliente puede disolver más sal que el agua fría, aunque si el soluto es un gas,
ocurre justamente lo contrario, al calentarse el agua, el gas se disuelve menos y abandona la disolución.
Por eso los refrescos calientes pierden su efervescencia con mayor rapidez que los refrescos fríos y las
aguas frías suelen ser ricas en pesca, ya que contienen más oxígeno disuelto.
Cuando viertes azúcar en el café y agitas el líquido estás preparando una disolución, una
mezcla homogénea de varias sustancias.
Si en lugar de leche y azúcar usamos agua y sal el proceso es más fácil de seguir: en medio vaso de
agua, al echar media cucharada de sal y agitar, la sal se disuelve y desaparece, parece que sólo tenemos
agua en el vaso, aunque su sabor salado (no te recomiendo que la pruebes) nos indica que contiene
sal; la sal, que es la sustancia que vamos a disolver, se denomina soluto, mientras que el agua, que es
la sustancia en la que se va a dispersar la sal, se llama disolvente, el conjunto de agua y sal recibe el
nombre de disolución o solución.
En general, es fácil distinguir entre soluto y disolvente ya que el primero está en menor proporción. A la
cantidad de soluto disuelto en una determinada cantidad de disolvente se le denomina concentración.
Puesto que la cantidad de sal (soluto) en el agua (disolvente) es poca, decimos que
la disolución es diluida. Si echamos una cucharada más de sal y volvemos a agitar, la disolución se
dice que está concentrada, porque hay mucha cantidad de soluto.
Si volvemos a echar otras dos cucharadas de sal, por más que agitemos queda un resto de sal en el
fondo del vaso, sin disolverse, la disolución está ahora saturada. La concentración de esa disolución
saturada es la solubilidad de la sal.
Al calentar el agua, veremos que se disuelve más cantidad de sal: la solubilidad varía con
la temperatura. Normalmente los sólidos, como la sal, el azúcar o el bicarbonato aumentan
su solubilidad con la temperatura, mientras que los gases, como el dióxido de carbono o el oxígeno, la
disminuyen.
Cuando se empiezan a combinar materiales distintos, como al agregar elementos de aleación a un metal,
se producen soluciones. Estas pueden ser tanto líquidas como sólidas. El interés es determinar la
cantidad de cada material que se puede combinar sin producir una fase adicional. En otras palabras,
la atención se enfocará en la solubilidad de un material en otro.
Las soluciones alteran las propiedades de los materiales como se puede ver en las figuras siguientes.
 Figura 9.1: esta tabla muestra el cambio de propiedades de un material al cambiar su composición.

Figura 9.2: muestra la relación tensión-deformación entre áridos, pasta de cemento y la mezcla de
ambos (Hormigón), produciendo un material de dos fases.
10. Composición de Soluciones:
Se encuentran en uso los seis métodos siguientes para la expresión de la composición de las soluciones:
1.- Porcentaje del soluto por peso. En las soluciones líquidas, mientras no se diga lo contrario, se
entiende que el % de los componentes vienen expresados por peso.
2.- Peso del soluto por unidad de peso del solvente.
3.- Peso de soluto por unidad de volumen de la solución
4.- Fracción molar del soluto.
5.- Moles de soluto por unidad de peso del solvente. Se llama también molalidad y se expresa por "m".
una solución 1 molal contiene 1 mol del soluto por 1000g del solvente.
6.- Pesos molares o equivalentes de soluto por unidad de volumen de la solución. Se conoce con el
nombre de molaridad y se expresa por "M" o "C" cuando se trata de moles de soluto por litro de solución.
Una solución 1 molar contiene 1 mol de soluto de un litro de solución. Se llama normalidad y se
representa por "N" cuando se trata de equivalente- gramos de una sustancia disueltos en un litro de
solución.
El Estado Sólido
1. Sólido Cristalino y Sólido Amorfo:
Los sólidos se clasifican como cristalinos o amorfos. Los sólidos cristalinos son sólidos verdaderos, las
partículas existen en un patrón regular, tridimensional, denominado red cristalina.
Los sólidos amorfos no tienen una estructura microscópica regular como los sólidos cristalinos. En
realidad su estructura se parece mucho más a la de los líquidos que a la de los sólidos.
El vidrio, el alquitrán, los polímeros de alta masa molecular como el plexiglás son ejemplos de sólidos
amorfos.

2. Características Generales:
Los cristales poseen una constitución vectorial, es decir, sus propiedades son función de la dirección. En
las sustancias cristalinas no son equivalentes todas las direcciones. La dependencia entre las
propiedades de un cristal y la dirección está influenciada por la simetría del mismo, es decir por el número
de planos o de ejes de simetría que son los que condicionan el crecimiento del cristal.

3. Fuerzas de Enlace:
Los sólidos cristalinos se clasifican en categorías dependientes del tipo de partículas que forman el cristal
y los enlaces que interaccionan entre ellas.
Las categorías son:
a.- Fuerzas Iónicas Constituidas por fuerzas electrostáticas entre iones de signos opuestos que
constituyen las partículas del cristal iónico. Desde que estas fuerzas son considerables, los cristales
iónicos resultan ser bastante duros, quebradizos, malos conductores caloríficos y eléctricos y de punto
de fusión elevados (600 a 3000ºC).
Ejemplo: NaCl. CaBr2, K2SO4, que son sales características.

b.- Fuerzas de Van der Waals Son fuerzas débiles, por lo cual los cristales son blandos y de bajo punto
de fusión. Son características de sustancias orgánicas que poseen este tipo de fuerza de enlace entre sus
moléculas neutras que constituyen sus partículas cristalinas.
c.- Fuerzas de Enlace Covalente Los sólidos covalentes (sólidos de red cristalina), el diamante es un
ejemplo de los cristales que mantienen unidas sus partículas por enlaces covalentes en tres dimensiones;
cada átomo de carbono esta unido a otros cuatro por un modelo tetraédrico, que permite reconocer la
dependencia con el tetraedro de Van´t Hoff para el átomo de carbono.
En cambio, el grafito, es menos compacto y blando, exfoliable y de más facil ataque por los agentes
químicos, debido a que la estructura cristalina tiene una ordenación de capas bidimensionales de enlaces
covalentes entre sus átomos según distribución hexagonal parecidos a los anillos del benceno.
d. Fuerzas dipolo-dipolo Las fuerzas dipolo-dipolo son atracciones entre dipolos eléctricos de moléculas
polares.
e. Fuerza dipolo-dipolo inducido Estas fuerzas se dan entre una molécula polar y otra molécula no
polar. La molécula polar induce un dipolo en la no polar.
f.- Fuerzas de Dispersión o de London Son atracciones que se dan entre cualquier tipo de moléculas
debido a los dipolos instantáneos que se forman producidos por las fluctuaciones en la densidad eléctrica
que rodea a los átomos. Las fuerzas de London dependen de la forma de la molécula. Para moléculas de
formas semejantes, crecen con la masa molecular y con la polarización ya que esos factores facilitan la
fluctuación de los electrones.
g.- Fuerzas Ión-dipolo En estas fuerzas un catión atrae la carga parcial negativa de un dipolo eléctrico o
un anión atrae la carga parcial positiva del dipolo. Esta fuerza es la responsable de la hidratación de los
iones del agua. La hidratación del catión persiste muchas veces en el sólido por ejemplo el
Na2CO3.10H2O. Un catión se hidrata mas fuertemente cuanto menor sea su tamaño y mayor su carga.
h.- Fuerza de Enlace de Hidrógeno Es una interacción primordialmente de tipo dipolo-dipolo
especialmente fuerte, que se da entre un átomo de hidrógeno con carga parcial positiva y un átomo
electronegativo (normalmente N, O, ó F) La presencia del enlace de hidrógeno en el H2O, NH3 y HF,
justifica las anormalidades encontradas en sus puntos de fusión, es también responsable de la alta
capacidad calorífica molar del agua líquida, así como de sus elevados calores de vaporización y de
fusión.
4. Sistemas Cristalinos:
Es la unida de volumen más pequeña de un cristal que reproduce por repetición la red cristalina, se llama
celdilla unidad. Se puede demostrar que para que una celdilla unidad por repetición pueda reproducir la
red cristalina, de pertenecer a un de los siete sistemas cristalinos de la tabla que mostramos.
Dimensiones de las celdillas unidad para los siete sistemas cristalino
5.- Capacidad Calorífica de los Sólidos:
Las capacidades caloríficas atómicas de los elementos se llaman también calores atómicos, las
capacidades caloríficas moleculares de los compuestos se llaman también calores moleculares.
Las llamadas caloríficas a altas temperaturas se representan por ecuaciones de algunos de los tipos
siguientes que fueron dadas por Kellongg:
Cp= a + bT
Cp= a + bT + cT
Cp= a + bT + cT-2
6.- Fenómeno de Fusión y Sublimación:
Fenómeno de Fusión.- Se denomina al cambio de estado, de sólido a líquido, y va acompañado de un
moderado cambio de volumen. Así por ejemplo, el hielo y el agua saturada con el aire estan en equilibrio
bajo una presión total atmosférica de 1.00 atm, en la cual la presión parcial del vapor de agua sólida es
solo de 4.58 torr, a la temperatura de 0.00ºC que es uno de los dos puntos fijos de la escala centígrada de
temperatura.

Fenómeno de Sublimación.- Los sólidos tienen tensiones de vapor características, que varían con
la temperatura como sucedía con los líquidos. Aumentando la temperatura, aumenta también la
tensión de vapor del sólido. En el caso del equilibrio de un sólido con su vapor saturado, que varía
su presión con la temperatura, la curva se llama una curva de sublimación. El termino sublimación
se usa para indicar la conversión directa sólido vapor, sin la intervención del líquido. La
purificación del yodo, azufre, naftaleno y ácido benzoico resultan muy fácil por sublimación,
debido al hecho que las tensiones de vapor de estos sólidos tienen valores bastante altos.
7.- Macromoléculas:
En el estudio fisicoquímico de los sistemas químicos, se toma uno de los dos puntos de vista
siguiente: molecular o macroscópico. Sin embargo, una importante clase de sistemas químicos es
intermedias entre ambos extremos.
Estos sistemas consisten de moléculas que son tan grandes que pueden ser tratadas como
moléculas gigantes o partículas macroscópicas pequeñas. La mayoría de estas partículas que son
de interes usual, y que se encuentran en en la variación de diámetro de 10 nanómetros y 1
micrómetro, se halla que son moléculas simples, por lo cual es conveniente el termino
"macrmolécula".
Los sistemas de macromolécula pueden ser clasificados como polímeros sintéticos y
macromoléculas naturales. Las macromoléculas sintéticas comprenden los polímeros de adición
como el polietileno y los polímeros de condensación como el nailon.
El mayor interés en las macromoléculas naturales esta centrada en las proteínas y en
los ácidos nucleicos, pero también incluyen a los polisacáridos como la celulosa y los polímeros
de isopreno como el caucho natural.
8.- Osmosis y Diálisis:
La presión osmótica, como condición de equilibrio, será un concepto frecuentemente utilizado a lo largo
de este libro, y es importante hacer notar que el concepto de presión osmótica ha cobrado realidad en
el laboratorio y no en la naturaleza, porque los sistemas biológicos no son de equilibrio y generalmente
realizan acciones transitorias en las que se realizan los procesos eficientemente. La descripción formal de
la ósmosis se referirá más bien a un modelo muy simplificado en el laboratorio y no a una situación
general de la naturaleza. Es decir, los sistemas biológicos son mucho más complicados que como se
estudian en los cursos ordinarios de biofísica y de bioquímica, lo cual no debe desalentarnos ya que es a
través de modelos como el hombre de ciencia describe a la naturaleza.
Mientras que el concepto de presión osmótica se establece en el contexto de la termodinámica clásica de
equilibrio, el flujo osmótico es un concepto asimilado en la teoría termodinámica de no-equilibrio. Esta
última teoría supone relaciones lineales entre flujos y fuerzas, siempre y cuando los flujos producidos no
alejen severamente al sistema de su situación de equilibrio. La termodinámica de no-equilibrio es
actualmente bien conocida, con sus postulados lógicos, autoconsistentes y suficientes para describir
completamente la evolución del sistema a partir de cualquier situación hasta el estado de equilibrio.
Las dos teorías termodinámicas que hemos indicado no son suficientes para establecer la comprensión
del mecanismo a través del cual la ósmosis ocurre, puesto que, aunque describen relaciones
macroscópicas entre las variables de estado y sus efectos espaciales y temporales, no nos dicen como es
la mecánica particular que se extralimita cuando se tiene un movimiento osmótico de masa.
Desde el punto de vista de la teoría cinética de los gases y de la mecánica estadística, el problema
tampoco queda aclarado del todo, aunque de momento puede arrojar alguna luz sobre el particular. Es
decir, dar una imagen microscópica a través de la cual se explique que el mecanismo de la ósmosis es un
problema escasamente resuelto.
En el caso de la capilaridad, la causa intrínseca por la que una columna de agua en un capilar de vidrio se
eleva sobre la superficie libre de un recipiente con agua, puede obtenerse microscópicamente. La
capilaridad se define en términos de acciones moleculares al indicarse la existencia de una fuerza
resultante entre la superficie del agua y la pared del capilar. Esta fuerza ejerce una acción que es opuesta
a la dirección de la fuerza de gravedad y la causa que produce esa fuerza en la interfase agua-aire-capilar
es la competencia entre las fuerzas de cohesión y de adherencia entre las moléculas de agua, del aire y
del vidrio.
Ahora bien, una interpretación parecida en términos de dinámica molecular no ha sido establecida con
respecto a la ósmosis, aunque algo se ha podido decir a este respecto utilizando para ello la mecánica
estadística o la teoría cinética de los gases. Con la intención de observar las dificultades de la
comprensión teórica de la ósmosis vamos a discutir, a continuación, los detalles particulares del
fenómeno y su comprobación macroscópica.
Si no se conoce el fenómeno de la ósmosis y por casualidad se observa este fenómeno en un equipo
experimental, lo primero que se advertirá es que su presencia contradice el sentido común porque el flujo
osmótico ocurre precisamente en dirección contraria a la que se espera.
Cuando tenemos un sistema de vasos comunicantes separados entre sí por una barrera porosa, seremos
capaces de hacer una predicción de la dirección del flujo del líquido entre los vasos. Así percibimos que,
en efecto, el flujo se dirige del recipiente donde la altura del líquido es mayor, al recipiente donde la altura
es menor (véase la figura 2).

Figura 2. Un flujo volumétrico y viscoso se observa entre dos vasos comunicantes de un líquido a
diferentes alturas que puede pasar un medio poroso.
La función de los vasos comunicantes es nivelar las diferencias de nivel del líquido entre los dos sistemas
en contacto. De igual forma ocurre con la presencia de un flujo calorífico, originado por una diferencia de
temperaturas entre dos puntos. En este caso, el flujo de calor ocurre del punto donde la temperatura es
mayor a donde la temperatura es menor.
Sin embargo, en el sistema mencionado de vasos comunicantes haremos un cambio, en lugar de poner
agua pura en el recipiente 2, colocaremos una solución de agua con azúcar, y en vez de ponerlo en
contacto con el recipiente 1 empleando un medio poroso, utilizaremos una membrana semipermeable que
permita el libre tránsito del agua, pero que impida la difusión del azúcar. Entonces ocurre algo
sorprendente, la dirección del flujo que teníamos antes (véase la figura 2) se invierte. Ahora el flujo del
agua es contrario a la dirección natural que tendría si los recipientes fueran vasos comunicantes (véase la
figura 3).
Figura 3. Un flujo volumétrico y viscoso se observa entre dos recipientes con soluciones de diferente
concentración. El flujo de la solución diluida hacia la solución concentrada es el flujo osmótico.
Un novato que contemple este fenómeno directamente frente al experimento, seguramente se
sorprendería mayúsculamente, porque la columna del líquido de uno de los recipientes se eleva a costa
de reducir la altura del vaso contiguo.
El fenómeno observado alcanza el estado de equilibrio cuando entre los recipientes se observa una
diferencia de niveles que no cambia con el tiempo. Esto es lo inesperado, que el equilibrio mantenga una
diferencia de presiones, en lugar de anularla como en el caso observado antes, en los vasos
comunicantes. Así, la explicación más natural que el novato puede dar a dicho flujo osmótico y a la
diferencia final de niveles es suponer la presencia de un pistón que presiona la columna de agua pura.
Tal explicación falla porque dicho pistón no existe. Así pues, el novato se quebrará la cabeza queriendo
dar una explicación en términos de "fuerzas" y sus efectos, pero al final de cuentas la causa de tales
"fuerzas" no aparecerá por ningún lado.
¿Cuál es el error de apreciación que comete el novato que no le permite contemplar una explicación
correcta? La respuesta es que el novato cree que una solución líquida frente a una membrana
semipermeable se comporta como un fluido puro. Por lo anterior, el novato no considera ninguna
información adicional relacionada con la propiedad de las soluciones y mezclas. El novato tendrá que
aprender la teoría termodinámica de mezclas para entender que toda solución posee una
"energía química" (energía libre) la cual es menor en la mezcla que en las correspondientes sustancias
puras. Así pues, la energía química es mayor en el agua pura que en la solución de agua con azúcar; y
otra vez se establece el fenómeno cotidiano por el sentido en que el flujo de masa ocurre, es decir, del
punto donde existe un potencial mayor a donde hay uno menor.
El potencial de que hablamos se refiere a la famosa "energía química".1 Esto explica el fenómeno
osmótico desde el punto de vista termodinámico. Posiblemente tal aseveración no satisfaga al lector
porque la descripción de la energía química no despierta nuestro sentido de apreciación y la curiosidad
misma queda en el vacío. Hemos de reflexionar en que la explicación que hemos dado es formal en
relación a la teoría termodinámica y que, si no la entendemos en esa forma, estamos perdidos.
Sea porque se le llame energía química, energía libre, o bien se nos dé una descripción en términos del
concepto de entropía, no nos aclararía el mecanismo del fenómeno osmótico; y la pregunta que inquietó
vivamente al novato sobre la causa mecánica de dicho fenómeno queda sin respuesta.
Así se confirma el hecho ya comentado de que poco ayuda la teoría termodinámica para establecer el
entendimiento de la ósmosis; por lo que recurriremos a la teoría cinética de los gases y la mecánica
estadística en auxilio de la termodinámica.
Algo se ha podido hacer para dilucidar el fenómeno a partir de las propiedades moleculares, aunque en
general se trata de un deseo no satisfecho, porque esta explicación no está elaborada en forma completa
y definitiva por los físicos. Por lo pronto podemos hacer referencia a las dificultades que involucra un
estudio de este tipo y dar una idea de lo que la teoría cinética de los gases ideales establece para la
ósmosis, como lo haremos a continuación.
Imaginemos un vaso con agua donde se coloca un conjunto de municiones de cobre. Lo que ocurre es
que las municiones se depositan en el fondo del vaso y desde luego no producen ningún efecto osmótico.
Si dividimos las municiones en fragmentos y los colocamos nuevamente en el agua, otra vez observamos
que los fragmentos se depositan lentamente en el fondo del vaso.
Ahora tampoco observamos un efecto osmótico. Este se conseguirá cuando se logre dividir los pequeños
fragmentos metálicos de tal manera que las partículas producidas no se depositen en el fondo, sino que
se distribuyan en el volumen del agua formando una suspensión.
Ahora bien, las partículas que forman una suspensión son tan grandes, comparadas con los tamaños de
las moléculas del agua, que un simple filtro (un medio poroso) funciona como una membrana
semipermeable, ya que impide el libre paso de estas partículas. En este caso estaríamos en posición de
observar el efecto osmótico de una suspensión. Sin embargo, si tuviéramos mil millones de partículas de
cobre en la suspensión, apenas estaríamos considerando una presión osmótica de unas mil millonésimas
de la presión atmosférica. De manera que, para que el efecto tuviera importancia y se observara en un
experimento, se tendrían que dividir aún más las partículas de cobre.
De esta forma llegaríamos al nivel de las dimensiones atómicas. Esto es si insistimos en apreciar con
nuestros sentidos el efecto osmótico. En este caso ya no estaríamos hablando de una suspensión sino de
una solución. En este ejemplo se destaca que 109 partículas no permiten apreciar un resultado de efecto
microscópico, sino que para ello requeriremos un número de partículas en disolución del orden de 1023
(número de Avogadro).
Con esto se destaca el hecho de que el fenómeno osmótico es francamente macroscópico y también se
ilustra que, partiendo del punto de vista macroscópico, una descripción del hecho osmótico podrá hacerse
considerando la superposición de la dinámica de un número muy grande de moléculas, en donde se
pueden establecer resultados promedios, y esto es en realidad un tratamiento mecánico-estadístico a
partir de la dinámica molecular que, como hemos dicho, es un procedimiento que no se ha elaborado en
forma completa para explicar el fenómeno osmótico.
La dificultad principal de este tratamiento es considerar a la membrana como una pared-frontera y
describir su interacción con las partículas. Hasta ahora, los resultados obtenidos son promedios que
implican operaciones matemáticas de un enorme grado de dificultad. De manera que la dinámica
molecular que origina el flujo osmótico queda oculta, y volvemos a lo mismo: tenemos que considerar
dicho fenómeno desde el punto de vista macroscópico.
Las informaciones que se han podido obtener sobre el mecanismo de la ósmosis se han realizado por
medio de la teoría cinética de los gases. Ahora ilustraremos el tipo de información a que da lugar:

Figura 4. El gas ideal A puede pasar a través de la membrana que separa los recipientes 1 y 2. En
equilibrio P 2A = P 1A. La presión total en el recipiente 1 excede a esta presión por P 1B, la presión
osmótica.
Consideremos un dispositivo como el indicado en la figura 4, donde tenemos dos recipientes separados
por una membrana semipermeable. En el recipiente 1 tenemos una mezcla de dos gases ideales que
nombramos A y B, y en el recipiente 2 tenemos el gas ideal A puro, permeable a la membrana; mientras
que la membrana es impermeable al componente B.
Bajo condiciones de equilibrio ocurre que la presión parcial del componente que puede pasar a través de
la membrana es igual en ambos compartimientos, es decir:
P2A=P1
En este caso, en el recipiente 1 tenemos un exceso de presión causado por el componente B. Este
exceso de presión no es observado en el gas del recipiente 2, porque de alguna manera es compensado
por la membrana al impedir el libre tránsito del componente B.
En efecto, en un balance de presiones es la membrana la que contrarresta los efectos del componente
que no puede pasar y así se estima la función de la membrana. De manera que si observamos los
manómetros del dispositivo experimental, el sistema conserva su equilibrio, acusando una diferencia de
presiones. En este caso, nótese cómo la presión osmótica es la presión parcial del componente que no
puede pasar a través de la membrana
π=P1B

A este efecto, algunos autores suelen llamarlo "efecto de manómetro", porque son éstos los que
señalan la diferencia de presiones cuando el sistema está en equilibrio. Este hecho tiene una
consecuencia importante cuando el sistema está fuera del equilibrio, puesto que la diferencia de
 presión del componente que puede pasar no será igual a la diferencia de presión registrada por los
manómetros.
Si consideramos
∆ p Diferencia de presión a ambos lados de la membrana (medida),
Entonces
∆p-π Es la caída de presión del componente que puede pasar a través de la membrana.
La corrección a la presión medida (∆p) por la presión osmótica (π) es para evitar el exceso de
presión del componente que no puede pasar y que los manómetros registran, aunque sin
importancia en el flujo a través de la membrana. El efecto de manómetro nos hace considerar la
naturaleza del flujo osmótico, ya que en la explicación que hemos dado con gases ideales se
indica que la presión osmótica aparece como una corrección entre una predicción teórica y su
ajuste experimental.
Asimismo, observaremos a continuación que el dispositivo empleado con gases ideales no indica
a simple vista la causa del flujo osmótico.
Si consideramos que el dispositivo experimental de la figura 4 no se encuentra en equilibrio, es
decir
P2A ≠ P1A

Entonces se obtendrá un flujo de la especie A (que puede transitar libremente a través de la

membrana), producido por la diferencia entre las presiones P2A y P1A. Ahora demostraremos que
este flujo no es osmótico. La demostración es muy simple, porque en un gas ideal la presión
parcial es proporcional a la concentración, de manera que el flujo es causado por una diferencia
de concentraciones de la especie A a través de la membrana, y bien se sabe que es un flujo de
difusión que se ajusta a la Ley de Fick de la difusión.
Por lo que respecta al flujo osmótico es no difusivo y equivalente al causado por una diferencia de
presiones. En nuestro caso, en un estado de no equilibrio, además del flujo difusivo del
componente A, observaríamos un flujo del mismo componente A causado por π =p1B. Para
observar de dónde surge este término en nuestras ecuaciones, es necesario utilizar el formalismo
completo de la teoría cinética de Boltzmann, para encontrar que, en efecto, es la presión osmótica
de los componentes por lo que no pueden pasar por la membrana, y son los que producen el flujo
osmótico.
Pero este término aparece junto al que origina el flujo viscoso. Es decir, el flujo osmótico puede
interpretarse como un flujo viscoso, producido por los movimientos térmicos moleculares cuando
son interrumpidos por una pared porosa (membrana).
La descripción matemática de este hecho fue realizada por L. F. del Castillo, E. A. Mason y H. E.
Revercomb en 1979, dándole una expresión formal a la sugerencia que consideraba al flujo
osmótico de origen viscoso, descripción cualitativa dada por varios autores cuando estudiaron la
naturaleza hidrodinámica de la ósmosis. Reanudaremos esta explicación en el capítulo VI.
La demostración clásica de la ósmosis y de la presión osmótica es sumergir
las células de sangre rojas en soluciones del osmolarity que varía y mirar qué sucede. El suero de
la sangre es isotónico con respecto al citoplasma, y a las células rojas en que la solución asume la
forma de un disco bicóncavo. Para preparar las imágenes demostradas abajo, las células rojas de
su autor intrépido fueron suspendidas en tres tipos de soluciones:
 Isotónico - las células fueron diluidas en suero: Observe la forma bicóncava hermosa de las
células como circulan en sangre.
 Hipotónico - las células en suero fueron diluidas en agua: En 200 milliosmols (MOS), las células
son visiblemente hinchadas y han perdido su forma bicóncava, y en MOS 100, la mayoría se han
hinchado tanto que han roto, dejando qué se llaman los fantasmas de la célula de sangre roja. En
una solución hipotónica, el agua acomete en las células.
 Hipertónico - una solución concentrada del NaCl fue mezclada con las células y suero para
aumentar osmolarity: En MOS 400 y especialmente en 500 MOS, el agua ha fluido de las células,
haciéndolas derrumbarse y asumir el aspecto spiky usted ve
 9.- Velocidad de Sedimentación:
La sedimentación gravitacional terminal para esferas con gravedad específica de 2, se entiende
como la velocidad con la cual una partícula se sedimenta a través de la atmósfera o a través del
agua.
Para un grano de arena gruesa, con un diámetro de 1000µ en el aire la velocidad de sedimentación
es de 6 m/s. Ésta es mucho mayor que las velocidades verticales comunes de la atmósfera, de
modo que es raro que el viento sople esas partículas hacia arriba una vez que se encuentran en el
aire. Por esta razón, aun cuando una fábrica que emitiera hacia el aire grandes cantidades de
partículas de tamaño de arena, no contribuiría mucho a la contaminación del aire, porque casi
todas las partículas llegarían hasta el piso cercana a la industria.
La velocidad terminal de sedimentación de una partícula con un diámetro de 1µ es de 6*10-5 m/s.
Los movimientos verticales del aire en el exterior normalmente son mayores que este valor, de
modo que las partículas de este tamaño no sedimentan con rapidez en la atmósfera, como lo haría
la arena gruesa, sino en lugar de ello se mueven con el gas y permanecen en suspensión durante
largos períodos.
De este modo, se establece una distinción entre el polvo, que se asienta con rapidez en la
atmósfera debido a su alta velocidad gravitacional de sedimentación, y las partículas
suspendibles, que se sedimentan con tanta lentitud que puede considerarse que permanecen en la
atmósfera hasta que son eliminados por precipitación. No existe una línea divisoria clara y simple
entre las dos categorías, pero si se debe hacer una distinción arbitraria de ese tipo, se haría en
alguna parte cerca de un diámetro de partícula de 10µ. Las partículas bastante pequeñas como
para permanecer suspendidas en la atmósfera, o en otros gases, durante largos períodos se
llaman aerosoles, lo que indican que se comportan como si estuvieran disueltas en el gas.
En virtud de que la estrategia básica de la mayor parte de los dispositivos colectores de partículas es
llevar a cada una de ellas a que entren en contacto entre sí, de modo que puedan aglutinarse y aumentar
su tamaño, debe contarse con cierto conocimiento de las fuerzas de retardo que el aire o gas que las
rodea ejercen sobre esas partículas cuando se intenta moverlas, con el fin de evaluar esos dispositivos.

CONDUCTORES
¿Qué son materiales conductores y digas los tipos?
Los materiales conductores son aquellos materiales cuya resistencia al paso de la corriente es muy baja,
recordemos que un buen aislante presenta una resistencia de hasta 1024 veces mayor que un buen
conductor.
En general podemos denominar material conductor a cualquier sustancia o material que sometido a una
diferencia de potencial eléctrico proporciona un paso continuo de corriente eléctrica.
En general todas las sustancias en estado sólido o líquido poseen la propiedad de conductividad eléctrica,
pero algunas sustancias son buenos conductores, las mejores sustancias conductoras son los metales.
Dentro de los materiales metálicos más utilizados mencionamos: la Plata,
el cobre, aluminio, aleaciones de aluminio, aleaciones de cobre y conductores compuestos de aluminio-
acero y cobre-acero cuyas aplicaciones en las industrias eléctricas son muy útiles.

Tipos de materiales conductores de la corriente

 COBRE:
Símbolo: Cu.
Densidad: 8.9 Kg/dm3
 Resistencia Específica ?: 0.0178
Conductividad: 56
Punto de Fusión: 1085 °C
Propiedades: El cobre es, después de la plata, el metal que tiene mayor conductividad eléctrica; las
impurezas, incluso en pequeña cantidad, reducen notablemente dicha conductividad. También después
de la plata el cobre es el metal que mejor conduce el calor. No es atacado por el aire seco; en presencia
del aire húmedo, se forma una platina (Carbonato de Cobre), que es una capa estanca, que protege el
cobre de posteriores ataques.
Aplicaciones: El cobre puro, con un grado de pureza del 99.9%, se fábrica generalmente
por procedimientos electrolíticos. Su denominación normalizada es KE-CU (Cobre Catódico).
Industrialmente, solo se emplea como material conductor cobre electrolítico.
El cobre Electrolítico se emplea en electrotecnia especialmente como material conductor para líneas
eléctricas y colectores y como material de contacto en interruptores de alta tensión. Se utiliza también, por
su elevada conductividad térmica, por ejemplo en equipos de soldadura, tubos de refrigeración y
superficies de
 ALUMINIO:
Símbolo: Al.
Densidad: 2.7 Kg/dm3
Resistencia Específica ?: 0.0278
Conductividad: 36
Punto de Fusión: 658 °C
Propiedades: El aluminio presenta buena conductividad eléctrica y es también buen conductor del calor.
Es fácil de conformar por laminado y estirado. Su resistencia es ala tracción, modelando, es de 90 a 120
N/mm2 y laminado en caliente de 130 a 200 N/mm2. A la inversa, el alargamiento, varía entre 35 y 3%. El
aluminio se puede alear fácilmente con otros metales. Sometido a la acción del aire, se cubre de una capa
de óxido, que debido a su estanqueidad protege de oxidación ulterior al metal situado bajo la misma, por
lo que el aluminio es resistente a la corrosión. El aluminio se puede estañar y soldar. Como material
conductor se emplea exclusivamente aluminio puro (99,5 % Al). El aluminio purísimo (Krayal) contiene
99,99999 % Al: su conductividad aumenta al bajar su temperatura, hasta, a 4,2 K.
Aplicaciones: El aluminio puro se emplea, debido a su resistencia a la corrosión y a su baja densidad,
para revestimientos de cables. Su buena deformabilidad lo hace apropiado para láminas
de condensadores, su buena colabilidad para jaulas de rotores y su buena conductividad para líneas
aéreas.
 AIRE IONIZADO:
 AGUA:
Compuesto de hidrógeno y oxígeno, de fórmula H2O. Líquido incoloro, inodoro e insípido, esencial para la
vida de los animales y plantas, de los que entra a formar parte. Muy abundante en la naturaleza, no se
encuentra en la misma en estado puro, sino con gran variedad de sales minerales disueltas. Sus puntos
de fusión (0ºC) y ebullición (100ºC) son la base de las distintas escalas de temperatura.

Semiconductores
1. Estructura Atómica
Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente eléctrica mejor que otros.
Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente eléctrica
son conductores. Analógicamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son llamados
aislantes. No existe el aislante perfecto y prácticamente tampoco el conductor perfecto.
Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica,
conducen la corriente bajo ciertas condiciones.
Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atómica. Los conductores son,
generalmente, metales esto se debe a que dichos poseen pocos átomos en sus últimas órbitas y, por lo
tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios átomos de un metal, se
acercan los electrones de su última órbita se desprenden y circulan desordenadamente entre una
verdadera red de átomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la
corriente eléctrica.
Los aislantes, en cambio, están formados por átomos con muchos electrones en sus últimas órbitas (cinco
a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fácilmente y a no establecer una corriente de
electrones. De ahí su alta resistencia.
También existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la característica de
los anteriores, los semiconductores. Su característica principal es la de conducir la corriente sólo bajo
determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras.
Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrónica de estado sólida está basada. La
estructura atómica de dichos materiales presenta una característica común: está formada por átomos
tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su última órbita), por lo que les es fácil ganar cuatro o
perder cuatro.
Semiconductores
Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es
un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En
los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las
cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la
Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros
elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o
a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a
su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.
Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, No existen electrones ni
huecos libres
La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la
figura de arriba, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los núcleos y los puntos
negros son los electrones, menos unidos a los mismos.
La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los electrones de
conducción de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro átomos vecinos.
A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura de arriba en la cual no se
observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.
Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros átomos vecinos para así
formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a
una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendrá tan poca energía que no hará posible la
conducción eléctrica. Al aumentar la temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones
adquieren suficiente energía para romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente orbital. Esto
provoca la formación de un espacio vacío, que por carencia de electrones, posee carga positiva, a este
espacio se lo denomina hueco.
El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre átomos liberándose un cierto número de
electrones.
En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los átomos
se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los
electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situación. La ausencia del electrón
que pertenecía a la unión de dos átomos de silicio se representa por un círculo,
La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrón
puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y por tanto abandona su posición, aparece un
hueco, y le resulta relativamente fácil al electrón del átomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco.
Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posición inicial, De
esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrón, con una trayectoria de sentido
opuesto a la de éste.
Niveles De Energía
Un cristal está formado por un conjunto de átomos muy próximos entre sí dispuestos espacialmente de
forma ordenada de acuerdo con un determinado patrón geométrico. La gran proximidad entre los átomos
del cristal hace que los electrones de su última capa sufran la interacción de los átomos vecinos.
El nivel energético de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de valencia" o en la
"banda de
conducción" del cristal. Un electrón que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia está ligado a un
átomo del cristal y no puede moverse libremente por él mientras que si el nivel ocupado pertenece a la
banda de conducción, el electrón puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo
Formar parte de una corriente eléctrica.
Entre la banda de valencia y la de conducción existe una "banda prohibida", cuyos niveles no pueden ser
ocupados por ningún electrón del cristal. Según la magnitud de esta banda, los cristales pueden
clasificarse en aislantes, conductores y semiconductores.
Aislantes.
La magnitud de la banda prohibida es muy grande ( 6 eV ), de forma que todos los electrones del cristal
se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que, al no existir portadores de
carga libres, la conductividad eléctrica del cristal es nula.
Un ejemplo es el diamante.
Conductores.
No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conducción. Esto hace que
siempre haya electrones en la banda de conducción, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta
conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los
átomos de la red cristalina.
Un ejemplo son todos los metales.
Semiconductores.
La magnitud de la banda prohibida es pequeña ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son aislantes,
pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energía dentro de
la banda de conducción, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es
añadiendo impurezas que habiliten niveles de energía dentro de la banda prohibida.
El germanio y el silicio son semiconductores.
Aceptadores Y Donadores
Se denomina semiconductor puro aquél en que los átomos que lo constituyen son todos del mismo tipo
(por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza.
Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le añade una pequeña cantidad de átomos
distintos (por ejemplo arsénico, fósforo, etc). Se transforma en un semiconductor impuro.
A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras.
Si a la estructura del semiconductor de silicio se le añade alguna impureza, como puede ser el arsénico
(As), que tiene cinco electrones externos ligados al núcleo con carga positiva +5, se obtiene la forma que
se muestra en la figura.
Ahora, bien para aumentar la conducción de cualquier semiconductor se recurre a
un proceso denominado "dopado" o "envenenamiento". El objeto del mencionado proceso es el del
aumentar la cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento en la conductividad del
mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores)
El dopado del cristal es realizado con átomos trivalentes (con tres electrones en su última órbita) o
pentavalentes (con cinco). Esta elección no es resultado de un proceso azaroso sino que uno u otro tipo
de átomo aumentará a su vez la presencia de uno u otro tipo de portador. ¿Cómo es esto?: el silicio,
como ya se ha dicho, tiene cuatro electrones en su última órbita que se combinan a su vez con otros
átomos para formar un cristal. Al introducir un átomo penta o trivalente en dicho cristal, se provocará un
aumento o un defecto de electrones que hará aumentar la cantidad portadores.
Si se introduce un átomo pentavalente (P, Sb, As) en un cristal puro, cuatro de sus electrones se unirán a
cuatro electrones de los átomos de silicio vecinos, pero el quinto queda libre, sin formar parte de ninguna
unión, por lo que está débilmente ligado al átomo: Este electrón libre, requerirá muy poca energía para
"saltar" a la banda de conducción. La energía térmica del ambiente basta para provocar este salto. De
esta forma al agregar átomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de conducción, es decir,
agregamos portadores.
Cabe mencionar que los mencionados átomos pentavalentes se ubican en un nivel de energía mucho
más cercano a la banda de conducción que la banda de valencia, denominado "nivel donador" este nivel
se ubica a una distancia, energéticamente hablando, de 0,05 electron-volt, mientras que la distancia entre
las bandas de un semiconductor es de 0,7 eV.
De la misma forma, podemos dopar al cristal con átomos trivalentes (como el boro, el Alumnio, el Galio,
etc), esto provocará un exceso de electrones en el cristal, ya tres de los cuatro electrones de la última
órbita del Silicio se combinan con los tres electrones del anterior átomo. Esto trae como consecuencia la
generación de un espacio sin electrones, que tendrá carga positiva, es decir, esto generará un hueco.
De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a través del dopado, la cantidad de electrones
o huecos que existen en un cristal. A este tipo de cristal se le denomina extrínseco, ya que fue modificado
por elementos exteriores
Semiconductores Tipo P Y Tipo N
Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico se unirán a los correspondientes electrones de los
cuatro átomos de silicio vecinos, y el quinto quedará inicialmente libre, sin una posible unión, y por tanto
se convertirá en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores
(negativos) se los denomina donadores o del tipo «n».
En un semiconductor con impurezas del tipo n, no sólo aumenta el número de electrones sino que
también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor puro.
La causa de esta disminución se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los
huecos existentes.
Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres electrones externos,
solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio, y la unión incompleta dará lugar a un
hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden
aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo «p».
Al contrario de lo que sucedía antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los
portadores que disminuyen son los electrones en comparación, con los que tenía el semiconductor puro.
A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptad se les llama
respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores
mayoritarios y los huecos portadores minontarios.
En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios.
Veamos ahora, qué ocurre si a un cristal extrínseco le conectamos una fuente externa de tensión. Al
existir mayor cantidad de portadores (no importa de qué tipo), circulará por el cristal una corriente mucho
mayor que en el no dopado. El valor de esta corriente dependerá de que tan contaminado esté el material.
Si el cristal es de tipo 'n' la corriente se deberá casi en su totalidad a los electrones en la banda de
conducción, aunque siempre existe una pequeña corriente producida por los huecos generados
térmicamente. Análogamente, si el cristal es del tipo 'p' la corriente estará regida por huecos mayormente,
existiendo, sin embargo, una pequeña corriente de electrones.
Polarización Directa E Inversa De La Unión P-N
El diodo de unión P-N es el dispositivo semiconductor más elemental. Consiste en el dopado de una barra
de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas
aceptadoras (tipo P)De esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentración de huecos que de
electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es diferente según sea el sentido en que se aplique un campo eléctrico
externo. Existen dos posibilidades de aplicación de este campo: polarización inversa y polarización
directa.
Polarización inversa. Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensión más positiva que a la parte P.
De esta forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tenderán a
circular en ese sentido
Mientras que los electrones tenderán a circular en sentido contrario. Esto significa que circularían huecos
de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente
se ve contrarrestada por una corriente de difusión que tiende a llevar a los huecos de donde son
mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de
huecos es prácticamente nula. Algo totalmente análogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente
de arrastre va en sentido contrario a la de difusión, contrarrestándose ambas y produciendo una corriente
total Prácticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos más la de electrones y se denominan Corriente inversa de
saturación ( Is ). En la práctica, el valor de esta corriente es muy pequeño (del orden de nA en el Silicio) y
depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar Ésta.
Polarización directa.
Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensión más positiva que a la parte N. De esta forma, el
campo eléctrico estará dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularían huecos de la parte
P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo
sentido que la corriente de difusión. De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso
análogo ocurre para la corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de
electrones y toma un valor elevado a partir de un determinado valor de tensión (tensión umbral, V) que
depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de 0,2
V).
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario más elemental, ya que permite el paso de
corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.
2. Rectificadores
Diodo De Unión Y Diodo Zener (Símbolo, Comportamiento Y Curva Característica)
El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente por una unión P-N, añadiéndole un terminal de
conexión a cada uno de los contactos metálicos de sus extremos y una cápsula que aloja todo el
conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N)
El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de la batería al ánodo, y
el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexión opuesta.
Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversión de corriente alterna en continua, a
este procedimiento se le denomina rectificación.
En efecto. si se aplica a este diodo una tensión alterna, únicamente se producirá circulación de corriente
en las ocasiones en que el ánodo sea más positivo que el cátodo, es decir, en las alternancias positivas,
quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en
estas ocasiones el ánodo más negativo que el cátodo.
La corriente resultante será «pulsante», ya que sólo circulará en determinados momentos, pero mediante
los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuación puede ser convertida en una corriente
continua constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vacío
algunas ventajas fundamentales:
- Es de tamaño mucho más reducido, lo que contribuye a la miniaturización de los circuitos. - La cantidad
de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningún calentamiento de
filamento.
- Funciona con tensiones mucho más bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o
baterías.
Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicación que con diodos de vacío
resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamaño de éstos. Existen diodos semiconductores de muy
pequeño tamaño para aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la
desmodulación en receptores de radio. Estos suelen estar encapsulados. en una caja cilíndrica
de vidrio con los terminales en los extremos, aunque también se utiliza para ellos el encapsulado
con plástico.
Diodos zener
Los diodos estabilizadores de tensión se emplean, como su nombre indica, para producir una tensión
entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa.
Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unión
semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.
Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la corriente o lo hace
dejando pasar una intensidad debilísima. Sin embargo, al alcanzar una determinada tensión, denominada
tensión zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de
potencial entre sus extremos se mantiene prácticamente constante, aunque se intente aumentar o
disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa.
Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por
la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado
plástico o metálico.
Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son:
- Tensión zener (Vz).
- Corriente mínima para alcanzar la Vz (Iz).
- Potencia máxima (P/tot).
Rectificador de media onda.
Todo circuito requiere para su funcionamiento de una FUENTE DE ALIMENTACIÓN eléctrica, este
dispositivo se compone a base de varias etapas que se ilustran en la siguiente figura.
En este tema analizaremos la segunda etapa que compone nuestra fuente de alimentación, iniciando don
los rectificadores de media onda.
Un circuito rectificador de forma sencilla se muestra en la figura . Donde la carga del rectificador es una
resistencia donde el secundario del transformador tiene un rectificador que alimenta a la resistencia que
actúa como carga.
El voltaje del secundario del transformador es una señal senoidal de amplitud Vmax, entonces la señal
en función del tiempo será E(t)= Vmax sen (t).
Si observamos la forma de onda de la corriente vemos que es periódica, Se puede observar que las
amplitudes de las armónicas se dan en forma decreciente de manera tal que podemos decir que sólo la
primera armónica tiene un peso considerable, tomando una aproximación de la corriente con dos
componentes.
Ahora bien, si colocamos el mismo circuito de la siguiente manera se aumenta la corriente, para que
soporte la corriente, (la corriente se divide, por el doble diodo).
Podemos así calcular los voltajes de salida de este por las siguientes formulas:
a. Vdc = (0.45) (voltajes eficaces del secundario)
b. Vdc = (0.318) (voltaje pico rectificado)

Este tipo de rectificador, tiene la particularidad de que el valor de la FRECUENCIA de salida, es igual al
de la señal de entrada.
El factor de rizo, es igual a 1.21 y el porcentaje es de 121%, es demasiado elevado por lo que tiene que
emplearse eficaces circuitos de filtro (tercera etapa de la fuente).
Si colocamos un capacitor en paralelo con la resistencia tendremos un filtrado rudimentario de la tensión
suministrada a la carga. Si consideramos régimen permanente podemos analizar como se establece en el
tiempo la tensión sobre la carga y corriente sobre la resistencia y el capacitor para lo cual analicemos las
formas de onda de los mismos.
La tensión que entrega el generador de funciones es senoidal que en primera instancia irá cargando al
capacitor hasta el máximo nivel, luego la tensión en el generador empieza a decrecer pero el capacitor
sigue aumentando el nivel de tensión porque la corriente lo sigue alimentando, cuando la tensión en el
capacitor es superior en 0,7 Volt decimos que el diodo se polariza en inversa, porque se invierten las
polaridades el cátodo se hace positivo respecto del ánodo, interrumpiéndose la corriente sobre el diodo,
que se dará en el instante t1, luego el capacitor se comportará como fuente de tensión descargándose
exponencialmente sobre la resistencia, hasta que la tensión sobre el diodo vuelva a ser positivo el ánodo
respecto del cátodo.
Rectificador de onda completa.
Tenemos dos tipos de configuraciones distintas que pueden ser Tipo puente o transformador con punto
medio (TAP central) tal como se observan en la figura siguiente:
Veremos el funcionamiento del circuito rectificador de onda completa con transformador con PUNTO
MEDIO.
Como se puede apreciar en la figura, se puede considerar a este circuito como dos rectificadores de
media onda, donde la alimentación a la carga esta en contratase es decir que las tensiones sobre el
secundario del transformador están desfasadas 180 ° entre si, es decir durante el semiciclo positivo de
VAC, se enciende el diodo D1, donde la corriente se cerrará a través de la carga y en semiciclo negativo
se pone en inversa D1 pero se pone en directa D2 manteniendo la corriente sobre la carga, tal como lo
podemos ver en la figura Otro detalle interesante es estudiar cual es la tensión que debe soportar los
diodos cuando no están conduciendo, por ejemplo cuando conduce D1 se puede ver que la tensión del
punto A menos 0,7 Volt aparece sobre el cátodo del diodo D2, debiendo soportar el máximo de la tensión
VAB-0.7 en inversa.
Otra desventaja que presenta este tipo de rectificación es que por el secundario del transformador circula
corriente en un solo sentido y durante un semiciclo que deriva en la generación de corriente continua que
puede llevar a la saturación del núcleo pudiendo deformar la onda de tensión.
Podemos calcular el voltaje directo con las siguientes formulas:
VCD = (0.9) (1/2 DEL VOLTAJE EFICAZ SECUNDARIO)
VCD = (0.636) (VOLTAJE PICO RECTIFICADO)
El factor de rizo es 0.482 es decir, 48.2% en este tipo de dispositivo, la frecuencia del rizo de salida es el
doble de la señal de entrada.
Analicemos ahora el rectificador de onda completa tipo PUENTE.
Vemos que cuando la tensión VAB es positiva quedan polarizados en directa los diodos y D2 circulando la
corriente desde D1 pasando por la resistencia de carga y cerrándose por D2, en el próximo semiciclo se
 cortan los diodos D1 y D2 pero se ponen en directa los diodos D3 y D4 estableciéndose una corriente que
sale de D3 pasa por la resistencia y se cierra a través de D4 circulando por la resistencia la corriente en
una sola dirección.
Si se coloca un capacitor en paralelo con la carga tendremos como resultado algo similar al rectificador de
media onda, con la salvedad que ahora la frecuencia de las ondas será el doble y una forma de
aproximación para la determinación del riple es tomando la relación entre el V y el valor Vdc de tensión
continua para este circuito tenemos las siguientes formulas:
Vcd = (0.9) ( V. Eficaz del secundario)
Vcd = (0.636) (voltaje pico rectificado)
El factor de rizo es igual a 0.482 o bien 48.2%
La frecuencia de rizo, es el doble de la entrada.
Porcentaje De Ondulación
Al conocer la magnitud en factor de rizo, que acompaña el valor promedio de tensión directa a la salida
del rectificador o filtro.
"entre menor rizo, mas pura será el valor obtenido de tensión directa"
3. Transistores
Transistor (símbolo, tipos, curva característica y funcionamiento)
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y
una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn,
en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarización las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante
las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollará una apreciación de la
elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. La abreviatura BJT, de
transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de
tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador (electrón
o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
Características de los Transistores:
 El consumo de energía es relativamente baja.
 El tamaño de los transistores es relativamente mas pequeña que los tubos de vacío.
 El peso.
 Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
 Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
 No necesita tiempo de calentamiento.
 Resistencia mecánica elevada.
 Los transistores pueden reproducir el fenómeno de la fotosensibilidad (fenómenos sensibles a la luz).

Se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 4.14a. la operación
del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran la funciones que cumplen el electrón y
el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarización base - colector. El
espesor de la región de agotamiento se redujo debido a al polarización aplicada, lo que da por resultado
un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
Ahora se eliminará la polarización base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a, según se muestra
en la figura 4.16. En resumen:
Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la otra tiene polarización inversa
ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de
portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con
claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál polarización inversa. Habrá una gran difusión de
portadores mayoritarios a través de la unión p-n con polarización directa hacia el material tipo n. Así, la
pregunta sería si acaso estos portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base IB o si
pasarán directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene
baja conductividad, un número muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta
resistencia hacia la terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes,
comparando con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos
portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización inversa, hacia el material tipo p
conectado a la terminal del colector. La razón de esta relativa facilidad con la cual los portadores
mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización inversa se comprenderá con facilidad si se
considera que para el diodo con polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán
como portadores con polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como
portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la región de la base
tipo n. A la combinación de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la región de
agotamiento atravesará la unión con polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el flujo.
Configuraciones
Configuración de Base Común
Para la configuración de base común con transistores pnp y npn. La terminología de la base común se
deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. A su
vez, por lo regular la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo
largo de este libro todas las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en
lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la
dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los
amplificadores de base común se requiere de dos conjuntos de características, uno para el punto de
excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (IE). el conjunto de características de la
salida o colector tiene tres regiones básicas de interés: la regiones activa, de corte y de saturación. La
región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:
En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que la unión emisor - base
se polariza directamente.
La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 4.17. En el extremo más bajo
de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se
debe a la corriente de saturación inversa ICO, como lo señala la figura 4.18.
La corriente ICO real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de
IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuración de base común se
muestra en la figura 4.19. La notación que con más frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas
de especificaciones es, como se indica en la figura 4.19, ICBO.
Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los transistores de propósito
general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo
que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, así como Is,
para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores
temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy
rápidamente con la temperatura.
En la región de corte, tanto la unión base - colector como la unión emisor - base de un transistor tienen
polarización inversa.
En la región de saturación, tanto la unión como la emisor - base están en polarización directa.
Configuración de Colector Común
La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia,
debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a
alas de las configuraciones de base común y de un emisor común.
La figura 4.21 muestra una configuración de circuito de colector común con la resistencia de carga
conectada del emisor a la tierra. Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el
transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor común. Desde un punto de vista
de diseño, no se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los parámetros
del circuito de la figura 4.21. puede diseñarse utilizando las características de salida para la configuración
de colector común son la mismas que para la configuración de emisor común.
Polarización En Configuración Emisor Común
La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la figura 4.20 para los
transistores pnp y npn. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común
o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es común tanto a la
terminal de base como a la de colector). Una vez más, se necesitan dos conjuntos de características para
describir por completo el comportamiento de la configuración de emisor común: uno para el circuito de
entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor.
En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se encuentra polarizada
inversamente, mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada directamente.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la configuración de emisor
común se definirá mediante IC = ICEO.
4. Reguladores De Voltaje
Regulador de transistor con diodo zener.
Como los diodos zener presentan una zona de ruptura típica a una determinada tensión inversa ( Vz ) .- Si
se utiliza esta propiedad que corresponde a una fuente ideal de voltaje para entregar una tensión
constante o estabilizada a una carga que presenta como característica un consumo variable, para su
funcionamiento.-
También este dispositivo debe resguardar las posibles fluctuaciones o variaciones de la tensión
ondulatoria residual de entrada.
Este circuito es el mas sencillo de los reguladores y es el de alimentación de potencia regulada, que esta
hecho a base de diodo zener, como se muestra en la figura de arriba.
Al analizar el circuito regulador de tensión con diodo zener (figura de arriba) , la tensión en la carga
permanece aproximadamente constante , igual a la tensión nominal del diodo zener Vz, aunque varíe la
tensión de entrada Vi o la corriente a través de la resistencia de carga RL, sobre un rango amplio.
Si Vz es constante , el valor de IL depende exclusivamente del valor de RL. Para el caso en que IT se
mantenga constante , si IL aumenta , Iz debe disminuir de modo que siempre se cumpla que IT = Iz x IL.
Por otro lado si IL disminuye , Iz debe aumentar , para el caso que todavía IT sea constante.- El caso más
desfavorable para el Zener sería cuando IL = 0 ya que IT = Iz y la potencia que debería disipar el zener
sería máxima.-Por otra parte si la corriente IL se aproxima o se iguala con IT , la corriente Iz se hace muy
pequeña , pudiendo sacar al diodo zener de la tensión de ruptura o de regulación dejando de operar este.-
Para el caso anterior , las variaciones de la corriente zener Iz pueden ser tal que el diodo deje de operar ,
o que circule excesiva corriente a través de el y se destruya.-
Para este efecto se determina una corriente Máxima ( I.Máx.) que mantiene la tensión zener sin destruir el
diodo , con la cual se puede calcular la potencia máxima.-
También se determina una corriente Mínima ( I. Mín ) para mantener la tensión zener.-
Resumiendo una fuente de tensión , estabilizadora puede ser afectada por la demanda de corriente ( 0 <
IL < I. Máx ) o por la variación de la tensión de entrada ( Vi . Mín. < Vi < Vi. Máx. ) , las que afectan la
fuente de forma extrema de dos formas :
1.- La fuente deja de regular.-
2.- Queman el diodo zener.-
Naturalmente que al especificar el tipo de fuente , se conoce la corriente de carga máxima, ( IL Máx ) ,
como también se puede especificar la tensión de entrada Vi con su rango de variación.-
Esto nos permite determinar el valor de Rs , ( resistencia que asume las variaciones de tensión de
entrada ) , de manera tal que cumpla con el criterio de :
1.- Mantener la regulación de tensión en el peor de los casos.-
2.- Especificar requisitos que debe cumplir el diodo zener .-
Por tanto la condición que debe cumplir el circuito para que exista regulación en las condiciones más
críticas ( IL. Máx. ) ( Vi . Mín ) es que permita pasar una corriente total IT tal que mantenga el diodo zener
regulando.- Por otra parte , la condición que debe cumplir el circuito para que el diodo zener no se queme
cuando se tienen las condiciones críticas que afectan a este , IL =0 y Vi = Máx. , es que la corriente total
IT sea menor o igual a la corriente máxima que soporta el diodo ( Iz. Máx. ) .-
Regulador serie con transistor.
Análisis funcional.-
El más utilizado de los de los reguladores de tensión , es el regulador tipo serie.-
El transistor es la etapa de control y RL es la carga. El diodo zener alimentado a través de R y del
transistor y su corriente de base , suministra una tensión constante de referencia aplicada al base del
transistor.-
Al aumentar la corriente consumida por la carga IL , por cualquier razón , la tensión VL sube e incrementa
el valor de VBE llevando el emisor a un potencial más positivo con respecto a base .
Por tanto la polaridad directa base – emisor se reduce y la corriente de colector disminuye, disminuyendo
así la corriente de carga IL.-
Se ve que a un aumento de la corriente IL , corresponde un efecto de control que disminuye el valor de
IL.. Existe entonces un
efecto de compensación o de regulación.-
El circuito detector de error , en este regulador , actúa por la característica base – emisor del circuito, y el
mismo transistor hace las veces de amplificador.-
Este circuito dividido en bloques, presenta : "etapa de control " ;"etapa de muestreo" ; "detector de error" ;
" amplificador de error"
Una fuente de tensión regulada , utiliza normalmente un circuito automático de control, que detecta ,
prácticamente de un modo instantáneo las variaciones de tensión y las corrige automáticamente .-
En general un sistema de control requiere de las siguientes etapas :
1.- ETAPA DE REFERENCIA :
Para determinar si una magnitud ha variado se precisa de una referencia , que deberá ser lo más estable
posible .- ( batería , diodo zener.).-
2.- ETAPA DE MUESTREO :
Su misión es detectar las variaciones de tensión que se producen en la salida . ( divisor de tensión.- ).-
3.- ETAPA COMPARADORA:
Su finalidad es comparar , en todo momento , las tensiones de referencia con las de muestra , que
pretendemos controlar.-
( amplificador operacional , amplificador diferencial.-).-
4.- ETAPA AMPLIFICADORA DE ERROR :
La tensión de error que no es más que la diferencia entre la muestra y la referencia , puede presentar un
nivel de tensión pequeño que no sea capas de accionar la etapa de control.-
En este caso se debe de amplificar.- ( amplificador transistorizado.- )
5.- ETAPA DE CONTROL :
Como su nombre lo indica controla las variaciones de tensión , contrarresta las variaciones producidas en
la salida .- ( transistor en zona lineal .- ).-
Asume las variaciones de tensión producidas por efecto de la carga o por efecto de la línea o red.-
Principio de funcionamiento :
Una fracción de la tensión de salida % Vo , es comparada con la tensión de referencia Vr.-si la tensión de
muestra Vm es igual a la tensión de referencia Vr la etapa de Control no actúa.-
Si la tensión de muestra Vm es menor que la tensión de referencia Vr , el elemento de control debe
reducir su caída de tensión en sus extremos.-
Si la tensión de muestra Vm es mayor que la tensión de referencia Vr , la caida de tensión en el elemento
 de control ha de aumentar .-
El circuito de control , generalmente es un transistor con colector común o emisor común.-
El circuito de referencia de tensión requiere de una fuente constante actuando como tensión de referencia
, que para este caso es un diodo zener.-
El amplificador , es un bloque que también lo realiza el mismo transistor y amplifica lo que se conoce
como tensión de error , donde dicha tensión controla la base del transistor y lo hace conducir más o
menos .-
Para este caso el transistor de control , asume las variaciones de tensión que se pueden provocar por la
tensión de línea o por el consumo de corriente de la carga.-
La regulación lograda por este circuito es pobre y se puede incrementar aumentando la ganancia del
amplificador de error o realimentando el circuito.-
5. Circuitos Amplificadores
Redes de acoplamiento.
Cuando un sistema está compuesto por más de una etapa de transistores, es necesario conectar, o
acoplar, los transistores entre sí. Existen muchas formas comunes de lograr esta interpretación entre
amplificadores. En las siguientes secciones se analizan los acoplamientos directo, capacitivo, por
transformador y óptico.
 Acoplamiento directo

Dos amplificadores están acoplar es directamente si la salida del primer amplificador se conecta en forma
directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores. La salida en ca de la primera etapa está
superpuesta con el nivel de cd estático de la segunda etapa. El nivel de cd de la salida de la etapa
anterior se suma al nivel de cd de polarización de la segunda etapa. Para compensar los cambios en los
niveles de polarización, en amplificador utiliza diferentes valores de fuentes de tensión de cd en lugar de
una fuente de Vcc sencilla.
El acoplamiento directo se pueden utilizar de manera efectiva al acoplar en amplificador EC a uno ES. El
amplificador acoplado directamente tiene una buena respuesta en frecuencias pues no existen elementos
de almacenamiento en serie (es decir, sensibles a la frecuencia) que afecten la señal de salida en baja
frecuencia.
 Acoplamiento capacitivo

Constituye la forma más simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd de la primera etapa
amplificador, de aquellos de la segunda etapa. En capacitor separa el componente de cd de la señal de
ca. Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarización de la siguiente. Para asegurar que la señal no
cambie de manera significativa por la adición de un capacitor, es necesario que esté se comporte como
cortocircuito para todas las frecuencias a amplificar.
 Acoplamiento por transformador

Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este tipo de acoplamiento se
utiliza a menudo cuando se amplifican señales de alta frecuencia. Los transformaciones son más
costosos que los capacitores, aunque sus ventajas pueden justificar el costo adicional. A través de una
elección adecuada de la razón de vueltas, se puede utilizar un transformador para aumentar ya sea la
ganancia de tensión o bien la de corriente fondo. Por ejemplo, encina etapa de salida de el amplificador
vez potencia, en transformador se utiliza para aumentar la ganancia de corriente. Existen otros beneficios
asociados con el uso de un transformador. Por ejemplo, el transformador se puede sintonizar para
resonar de manera que se convierta en un filtro pasa-banda (filtro que pasa las frecuencias deseadas y
atenúa las frecuencias que quedan fuera de la banda requerida).
 Acoplamiento óptico

Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento óptico de circuitos electrónicos. Estas aplicaciones se

pueden clasificar como sigue:
- dispositivos sensibles a la luz y emisores de luz.
- detectores y emisores discretos para sistemas de fibra óptica.
- módulos interruptor/ reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la luz.
- aisladores /acopladores que transmiten señales eléctricas sin conexiones eléctricas.

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