Professional Documents
Culture Documents
จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี
ลิงก์ขา้ มภาษาในบทความนี มีไว้ให้ผอู ้ ่านและผูร้ ่ วมแก้ไขบทความศึกษาเพิมเติม
โดยสะดวก เนืองจากวิกิพีเดียภาษาไทยยังไม่มีบทความดังกล่าว กระนัน ควรรี บสร้างเป็ น
บทความโดยเร็ วทีสุด
ตัวอย่างวงจรขยายกําลังสัญญาณ
ตัวขยายสัญญาณ หรื อ วงจรขยายสัญญาณ (อังกฤษ: Electronic Amplifier or Amplifier) หรื อเรี ยกสันๆว่า Amp เป็ น
อุปกรณ์หรื อวงจรอิเล็กทรอนิกส์ทีช่วยเพิมขนาดหรื อกําลังของสัญญาณ โดยการใช้พลังงานจากแหล่งจ่ายไฟและการควบคุม
สัญญาณเอาต์พทุ ให้มีรูปร่ างเหมือนสัญญาณอินพุท แต่มีขนาดใหญ่กว่า ในความหมายนี ตัวขยายสัญญาณทําการกลํา
สัญญาณ (อังกฤษ: modulate) เอาต์พทุ ของแหล่งจ่ายไฟ
ตัวขยายอิเล็กทรอนิกส์มี ประเภทพืนฐานได้แก่ ตัวขยายแรงดัน, ตัวขยายกระแส, ตัวขยาย transconductance และตัว
ขยาย transresistance ความแตกต่างอยูท่ ีสัญญาณเอาต์พตุ จะแทนความหมายของสัญญาณอินพุทแบบเชิงเส้นหรื อแบบเอ็กซ์
โปเนนเชียล ตัวขยายสัญญาณยังสามารถถูกแยกประเภทโดยการแทนทีทางกายภาพในขบวนของสัญญาณด้วย[ ]
ในบทความนี ตัวขยายสัญญาณหมายถึงอุปกรณ์เช่นทรานซิสเตอร์, หลอดสูญญากาศ ฯลฯ วงจรขยายสัญญาณหมายถึง
อุปกรณ์ขยายสัญญาณหรื อชินส่วนอิเล็กทรอนิกส์อืนๆทีขยายสัญญาณ
เนือหา
[ซ่อน]
ตัวเลขสําคัญ
ประเภทตัวขยาย
o . พาวเวอร์แอมป์
. . พาวเวอร์แอมป์ โดยการประยุกต์ใช้
. . วงจรพาวเวอร์แอมป์
o . แอมป์ หลอดสุญญากาศ (วาล์ว)
o . แอมป์ แบบแม่เหล็ก
o . แอมป์ ทรานซิสเตอร์
o 2.5Operational amplifiers (op-amps)
o . ตัวขยายสัญญาณเชิงแตกต่างแบบครบเครื อง
o . ตัวขยายสัญญาณวิดีโอ
o . ตัวขยายสัญญาณในแนวตังของ Oscilloscope
o . ตัวขยายสัญญาณแบบกระจาย
o . ตัวขยายสัญญาณแบบ Switched mode
o . อุปกรณ์ความต้านทานเชิงลบ
o . ตัวขยายไมโครเวฟ
. . แอมป์ หลอดคลืนเดินทาง
2.12.2Klystrons
. . ข้อดีของแอมป์ คลาส A
. . ข้อเสี ยของแอมป์ คลาส A
o . แอมป์ แบบ Single-ended และ triode คลาส A
o 4.4Class B
o . คลาส AB
o 4.6Class C
o 4.7Class D
o . คลาสเพิมเติม
. . คลาส E
. . คลาส F
. . คลาส G และ H
. . แอมป์ โดเฮอร์ตี
การนําไปปฏิบตั ิ
o . วงจรแอมป์
o . หมายเหตุเกียวกับการนําไปใช้งาน
ดูเพิม
อ้างอิง
ตัวเลขสําคัญ[แก้]
บทความหลัก : Amplifier figures of merit
คุณภาพของตัวขยายขึนอยูก่ บั ลักษณะสมบัติดงั ต่อไปนี:
ประเภทตัวขยาย[แก้]
ตัวขยายมีความหมายตามคุณสมบัติของ input และ output[ ]. ซึงมีบางชนิดของเกนหรื อปัจจัยการคูณทีเชือมโยงขนาด
ของสัญญาณเอาต์พตุ กับสัญญาณอินพุท เกนอาจจะระบุเป็ นอัตราส่วนของแรงดันไฟฟ้าเอาต์พตุ กับอินพุท(เกนแรงดัน), กําลังที
ออกกับกําลังทีเข้า(เกนกําลัง) หรื อผสมกันของทังกระแส, แรงดันและกําลัง ในหลายกรณี ที input และ output มีหน่วยเดียวกัน
เกนจึงไม่มีหน่วย (มักแสดงในหน่วยเดซิเบล) แต่บางเกนก็มีหน่วย ตัวอย่างเช่น ตัวขยายแบบ transconductance เกนมีหน่วยเป็ น
conductance (กระแสเอาต์พตุ ต่อแรงดันอินพุท)
เครื องขยายเสี ยงมีสีประเภทพืนฐาน[ ] ดังนี :
รี แอคเตอร์ทีอิมตัวได้ เพือสาธิตหลักการของแม็กแอมป์
ตัวขยายสัญญาณแบบแม่เหล็ก (ทีรู ้จกั กันว่าเป็ น "แม็กแอมป์ ") เป็ นอุปกรณ์แม่เหล็กไฟฟ้าเพือขยายสัญญาณไฟฟ้า ถูก
คิดค้นในช่วงต้นศตวรรษที และถูกนํามาใช้เป็ นทางเลือกแทนแอมป์ หลอดสูญญากาศเมือต้องการความทนทานและความจุ
กระแสสูง ประเทศเยอรมนีทาํ ให้ตวั ขยายสัญญาณนีสมบูรณ์ขึนในระหว่างสงครามโลกครังทีสองและมันก็ถูกนํามาใช้ในจรวด
V- ตัวขยายสัญญาณแม่เหล็กโดดเด่นทีสุดในการใช้งานการควบคุมพลังงานและงานความถีตําจาก ถึง จนกระทัง
เมือทรานซิสเตอร์เริ มเข้ามาแทนทีมัน. แม็กแอมป์ ตอนนีส่วนใหญ่ถูกแทนทีโดยตัวขยายสัญญาณทีใช้ทรานซิสเตอร์ ยกเว้นงาน
ทีต้องการความปลอดภัยทีสําคัญและความน่าเชือถือสูงหรื อการใช้งานทีเรี ยกร้องต้องการใช้อย่างมากไม่กีอย่าง เทคนิค
ทรานซิสเตอร์และ Mag-amp รวมกันยังคงถูกนําใช้ในปัจจุบนั
แอมป์ ทรานซิสเตอร์ [แก้]
ดูเพิมเติม: ทรานซิสเตอร์, Bipolar junction transistor, Field-effect transistor, JFET, and MOSFET
บทบาททีสําคัญขององค์ประกอบทีเป็ นแอคทีฟชนิดนี คือการขยายสัญญาณอินพุทเพือให้ได้ สัญญาณเอาต์พตุ ทีมีขนาด
ใหญ่กว่า ปริ มาณการขยาย(หรื อ forward gain)จะถูกกําหนดโดย การออกแบบวงจรภายนอก เช่นเดียวกับอุปกรณ์ทีแอคทีฟ
อุปกรณ์แอคทีฟทีใช้งานทัวไปในตัวขยายสัญญาณทรานซิสเตอร์ คือทรานซิสเตอร์แบบรอยต่อสองขัว
(อังกฤษ: Bipolar Junction Transistor) หรื อ BJT และ metal oxide semiconductor field-effect transistor(MOSFET)
การประยุกต์ใช้งานมีเป็ นจํานวนมาก ตัวอย่างทีเห็นทัวไปคือเครื องขยายเสี ยงสเตอริ โอในบ้านหรื อระบบ PA, การผลิต
RF พลังงานสูงสําหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทีใช้ในงาน RF และไมโครเวฟ เช่นเครื องส่งสัญญาณวิทยุ
ตัวขยายสัญญาณทีใช้ทรานซิสเตอร์ สามารถรับรู ้ได้โดยใช้คอนฟิ กกูเรชันต่างๆเช่น ถ้าเป็ น BJT จะใช้คอนฟิ กแบบ เบส
ร่ วมกัน คอลเล็กเตอร์ร่วมกันหรื ออีมิตเตอร์ร่วมกัน ถ้าใช้ MOSFET จะใช้คอนฟิ กแบบ เกทร่ วมกัน ซอสร่ วมกันหรื อเดรน
ร่ วมกัน แต่ละคอนฟิ กมีลกั ษณะสมบัติทีแตกต่างกัน เช่นเกน, อิมพีแดนซ์ ...
Operational amplifiers (op-amps)[แก้]
LM ออปแอมป์ วัตถุประสงค์ทวไป
ั
บทความหลัก : Operational amplifier and Instrumentation amplifier
ออปแอมป์ เป็ นวงจรขยายทีมีเกนแบบวงเปิ ด(อังกฤษ: open loop gain)สูงมาก และเป็ นวงจรทีมีอินพุทสองชุดทีมีค่า
แตกต่างกันและถูกฟี ดแบคจากภายนอกเพือควบคุมฟังก์ชนั การถ่ายโอนหรื อเกน แม้วา่ วันนีคําว่าออปแอมป์ โดยทัวไปนําไปใช้
กับวงจรรวม การออกแบบออปแอมป์ แต่เดิมจะใช้วาวล์
ตัวขยายสัญญาณเชิงแตกต่ างแบบครบเครื อง[แก้]
บทความหลัก: Fully differential amplifier
ตัวขยายสัญญาณเชิงแตกต่างแบบครบเครื อง เป็ นวงจรรวมแบบโซลิตสเตททีใช้การฟี ดแบคจากภายนอก ในการควบคุม
ฟังก์ชนั การถ่ายโอนหรื อเกน มันคล้ายกับออปแอมป์ แต่ยงั มีขาเอาต์พตุ ความแตกต่างอยู่ ตัวขยายสัญญาณแบบนีมักจะสร้างโดย
ใช้ BJTs หรื อ FETs
ตัวขยายสัญญาณวิดโี อ[แก้]
ตัวขยายแบบนีทํางานกับสัญญาณวิดีโอ และมีแบนด์วดิ ท์ทีแปรเปลียนได้ ขึนอยูก่ บั ชนิดของสัญญาณวิดีโอว่าเป็ นระบบ
อะไร: SDTV, EDTV, HDTV 720p หรื อ i/p ฯลฯ คุณสมบัติของแบนด์วดิ ธ์เองขึนอยูก่ บั ชนิดของตัวกรองทีถูกนํามาใช้
และทีจุดไหน (- dB หรื อ - dB ตัวอย่าง) ทีแบนด์วดิ ธ์ถูกวัด ข้อกําหนดบางอย่างทีพอจะยอมรับได้เป็ นสิ งจําเป็ นสําหรับการ
ตอบสนองเป็ นช่วงๆหรื อทีเรี ยกว่าสเต็ปและภาพกระตุกหรื อโอเวอร์ชูต
ตัวขยายสัญญาณในแนวตังของ Oscilloscope[แก้]
ตัวขยายสัญญาณแบบนีจะทํางานกับสัญญาณวิดีโอ ทีไดรฟ์ หลอด Oscilloscope และ สามารถมีแบนด์วดิ ท์ได้ถึง
ประมาณ MHz ข้อกําหนดเกียวกับการตอบสนองเป็ นสเต็ป, rise time, overshoot และ ความผิดปกติของสี อาจทําให้การ
ออกแบบตัวขยายสัญญาณเหล่านียากยิงขึนไปอีก หนึงในผูบ้ ุกเบิกในตัวขยายแบนด์วธิ สูงแนวตังคือบริ ษทั Tektronix
ตัวขยายสัญญาณแบบกระจาย[แก้]
บทความหลัก: Distributed Amplifier
ตัวขยายสัญญาณแบบนีใช้สายส่งเพือแยกสัญญาณออกเป็ นส่วนๆชัวคราวและขยายแต่ละส่วน แยกต่างหาก เพือให้
บรรลุแบนด์วธิ สูงกว่าทีเป็ นไปได้จากตัวขยายเสี ยงเพียงตัวเดียว เอาต์พตุ ของแต่ละขันตอนจะถูกนํามารวมกันในเอาต์พตุ ของ
สายส่ง ประเภทของตัวขยายนีจะถูกใช้ทวไปในั Oscilloscope ในฐานะทีเป็ นตัวขยายแนวตังในขันตอนสุดท้าย สายส่งมักจะถูก
เก็บ อยูภ่ ายในจอแสดงผลหลอดแก้ว
ตัวขยายสัญญาณแบบ Switched mode[แก้]
แอมป์ ไม่เชิงเส้นแบบนีมีประสิทธิภาพสูงกว่าแอมป์ เชิงเส้นมาก และมีการใช้ในทีซึงการประหยัดพลังงานมีความคุม้ ค่า
กับความซับซ้อนทีมากเกิน
อุปกรณ์ ความต้ านทานเชิงลบ[แก้]
ความต้านทานเชิงลบ สามารถใช้เป็ นตัวขยาย เช่นแอมป์ ไดโอดอุโมงค์
ตัวขยายไมโครเวฟ[แก้]
แอมป์ หลอดคลืนเดินทาง[แก้]
บทความหลัก: Traveling wave tube
แอมป์ หลอดคลืนเดินทาง (อังกฤษ: Traveling Wave Tube Amplifier) หรื อ TWTA จะใช้สาํ หรับการขยายพลังงานสูงที
ความถีไมโครเวฟตํา มักจะสามารถขยายไปตามความกว้างของสเปกตรัมของความถี; แต่มกั จะไม่สามารถปรับได้เหมือน
klystrons
Klystrons[แก้]
บทความหลัก: Klystron
ไคลสตรอนกําลังสูงทีใช้สาํ หรับการสื อสารยานอวกาศทีแคนเบอรรา
en:Klystrons เป็ นอุปกรณ์สูญญากาศทีมีลาํ แสงเชิงเส้นเชียวชาญพิเศษ ทีออกแบบมาเพือให้พลังงานสูง การขยายของ
คลืนปรับได้อย่างกว้างขวางเป็ นมิลลิเมตรและส่วนย่อยของมิลลิเมตร Klystrons ได้รับการออกแบบสําหรับการดําเนินงานขนาด
ใหญ่และแม้จะมีแบนด์วดิ ท์ทีแคบกว่า TWTAs แต่มนั ได้เปรี ยบในการขยายสัญญาณอ้างอิงอย่างสัมพันธ์กนั ทีทําให้เอาต์พตุ
สามารถควบคุมได้อย่างแม่นยําทังขนาด ความถี และเฟส
วงจรขยายสัญญาณเสียงเครื องดนตรี[แก้]
บทความหลัก: Instrument amplifier
วงจรขยายกําลังสัญญาณเสี ยงออดิโอ มักจะใช้เพือขยายสัญญาณเช่นเพลงหรื อเสี ยงพูด มีปัจจัยหลายประการทีมี
ความสําคัญในการเลือกวงจรขยายสัญญาณเสี ยงจากเครื องดนตรี (เช่นแอมป์ ของกีตา้ ร์) และแอมป์ เสี ยงออดิโออืนๆ(แม้วา่
ระบบเสี ยงทังหมด - ชินส่วนเช่น ไมโครโฟน ลําโพง - ก็มีผลกระทบต่อพารามิเตอร์เหล่านี) :
การจําแนกประเภทของขันตอนวงจรขยายสัญญาณและระบบ[แก้]
การจําแนกประเภทหลายทางเลือกได้กล่าวถึงมุมมองทีแตกต่างกันของการออกแบบ โดยเฉพาะอย่างยิงทีเกียวข้อง
ระหว่างพารามิเตอร์การออกแบบกับวัตถุประสงค์ของวงจร การออกแบบวงจรขยายสัญญาณจะต้องประนีประนอมอยูเ่ สมอกับ
ปั จจัยหลายอย่าง เช่นค่าใช้จ่าย การใช้พลังงาน, ความไม่สมบูรณ์ของอุปกรณ์ในโลกแห่งความจริ ง และ ความหลากหลายของ
คุณสมบัติของความสามารถในการทํางาน ด้านล่างนีเป็ นวิธีการทีแตกต่างกันหลายประการในการจัดหมวดหมู่ คือ:
ตัวแปรของอินพุตและเอาต์พุต[แก้]
Current CCCS 0 ∞
Transresistance CCVS 0 0
Transconductance VCCS ∞ ∞
Voltage VCVS ∞ 0
ความล่าช้าในการกระจายเป็ นศูนย์
ระดับชันของพาวเวอร์แอมป์ [แก้]
วงจรพาวเวอร์แอมป์ (ขันตอนเอาต์พตุ ) จะจัดระดับเป็ น A, B, AB และ C สําหรับการ
ออกแบบ แอนะล็อก และ คลาส D และ E สําหรับการออกแบบสวิตชิง ตามสัดส่วนของแต่ละ
วงรอบของอินพุท (มุมการนํากระแส) โดยอุปกรณ์ขยายจะผ่านกระแสในระหว่างมุมนัน. ภาพ
ของมุมการนํากระแสจะมาจากการขยายสัญญาณรู ปซายน์ หากอุปกรณ์ ON ตลอดเวลา มุมจะ
เท่ากับ ° แต่ถา้ มัน ON เพียงครึ งรอบมุมจะเท่ากับ ° มุมของการไหลของกระแสจะ
เกียวข้องอย่างใกล้ชิดกับประสิ ทธิภาพการใช้พลังงานของวงจรขยาย คลาสต่างๆได้ถูกนําเสนอ
ด้านล่าง ตามด้วยการอภิปรายรายละเอียดเพิมเติมภายใต้หวั ข้อของแต่ละคลาสทีตําลงไป
ในภาพประกอบด้านล่าง ทรานซิสเตอร์ BJT เป็ นอุปกรณ์ขยาย หรื ออาจเป็ น
MOSFETs หรื อ หลอดสูญญากาศทีมีคุณสมบัติเหมือนกัน
คลาสของมุมการนํากระแส[แก้]
คลาส A[แก้]
ใช้ % ของสัญญาณอินพุท (มุมการนํา Θ = 360°) อุปกรณ์ขยายทํางานตลอดเวลา[ ]
คลาส B[แก้]
ใช้ % ของสัญญาณอินพุท (Θ = 180°) อุปกรณ์ขยายทํางานครึ งเดียวในแต่ละรอบ
และไม่ทาํ งานในอีกครึ งรอบทีเหลือ
คลาส AB[แก้]
คลาส AB อยูร่ ะหว่างคลาส A และ คลาส B, อุปกรณ์ขยายทังสองทํางานมากกว่า
ครึ งหนึงของ เวลา
คลาส C[แก้]
ใช้นอ้ ยกว่า % ของสัญญาณอินพุท (มุมการนํา Θ < 180°)
แอมป์ "Class D" จะใช้บางรู ปแบบของ pulse-width modulation ในการควบคุม
อุปกรณ์เอาต์พตุ ; มุมการนําของอุปกรณ์แต่ละตัวจะไม่เกียวข้องโดยตรงกับสัญญาณอินพุทอีก
ต่อไป แต่จะ เปลียนตามความกว้างของพัลส์แทน งานนีบางครังเรี ยกว่าแอมป์ "ดิจิทลั "
เนืองจากอุปกรณ์ เอาต์พตุ จะเปลียน ON หรื อ OFF อย่างเต็มที และไม่ได้นาํ กระแสเป็ นสัดส่วน
กับขนาดของสัญญาณ
คลาสเพิมเติม[แก้]
แอมป์ ยังมีคลาสอืนๆอีกหลายคลาส แต่ส่วนใหญ่จะเป็ นรู ปแบบดัดแปลงของคลาสที
ผ่านมา ตัวอย่างเช่น แอมป์ คลาส G และ คลาส H เป็ นการเปลียนแปลงของรางจ่ายไฟที
ตามหลังสัญญาณอินพุท (แบบทีละขันและแบบต่อเนืองตามลําดับ) ความร้อนทีสูญเปล่าของ
อุปกรณ์เอาต์พตุ สามารถลดลงได้ถา้ แรงดันไฟฟ้าส่วนเกินจะถูกจัดการให้มีนอ้ ยทีสุด แอมปฺ์ ที
ถูกเลียงด้วยรางแบบนี จะเป็ นคลาสอะไรก็ได้ แอมป์ พวกนีมีความซับซ้อนมากกว่าและใช้เป็ น
หลักสําหรับการใช้งานเฉพาะ เช่นแอมป์ กําลังสูงมาก แอมป์ คลาส E และคลาส F ก็เช่นกัน
สําหรับการใช้งานคลืนความถีวิทยุในทีซึงประสิ ทธิภาพของคลาสแบบดังเดิมมีความสําคัญ แต่
ยังมีหลายแง่มุมทีเบียงเบนอย่างมีนยั สําคัญจากค่าในอุดมคติของพวกมัน คลาสเหล่านีใช้การจูน
นิงเครื อข่ายเอาต์พตุ แบบฮาร์โมนิค เพือให้เกิดประสิ ทธิภาพทีสูงขึนและได้รับการพิจารณาว่า
เป็ น ส่วนย่อยของคลาส C เนืองจากคุณลักษณะมุมการนําของพวกมัน
Class A[แก้]
วงจรขยาย Class A
อุปกรณ์ขยายสัญญาณทีทํางานในคลาส A นํากระแส ตลอดวงรอบของสัญญาณอินพุต
วงจรขยายสัญญาณคลาส A มีความโดดเด่นด้วยขันตอนเอาต์พตุ ทีมีการ bias ให้เป็ นคลาส A (ดู
คํานิยามข้างต้น) ซับคลาส A บางครังใช้เพืออ้างถึงหลอดสุญญากาศ ที grid ถูกขับให้เป็ นบวก
เล็กน้อยบนยอดคลืน ส่งผลให้มีกาํ ลังมากกว่าคลาส A ปกติเล็กน้อย(A1; grid เป็ นลบเสมอ[ ])
แต่ก่อให้เกิดการบิดเบือนมากขึน
ข้ อดีของแอมป์ คลาส A[แก้]
คลาส A ออกแบบเรี ยบง่ายกว่าคลาสอืนๆ; ตัวอย่างเช่นการออกแบบของคลาส AB
และ B จําเป็ นต้องมีอปุ กรณ์สองตัว (Push-Pull output) เพือจัดการแต่ละครึ งของรู ปคลืน; คลาส
A ใช้อุปกรณ์เดียวปลายเดียว
ตัวขยายสัญญาณจะถูกไบอัสเพือให้ผา่ นกระแสได้ตลอดเวลา ปกติจะหมายถึงกระแส
(สัญญาณขนาดเล็ก) ทีคอลเล็กเตอร์(สําหรับทรานซิสเตอร์) หรื อทีเดรน(สําหรับ FET) หรื อที
เพลท (สําหรับหลอดสูญญากาศ) เป็ นกระแสนิงๆ อยูใ่ กล้กบั ส่วนทีเป็ นเส้นตรงของเส้นโค้ง
transconductance มากทีสุด
เนืองจากอุปกรณ์จะไม่มีการปิ ดๆเปิ ดๆ จึงมีปัญหาเพียงเล็กน้อยกับการจัดเก็บประจุ
และทัวไปแล้วประสิ ทธิภาพการทํางานทีความถีสูง อีกทังความมันคงของวงป้ อนกลับจะดีขึน
(และมักจะมีฮาโมนิคอันดับสูงเล็กน้อย)
จุดทีใกล้ทีสุดก่อนทีอุปกรณ์จะถูกตัดออกไม่ได้อยูใ่ กล้กบั สัญญาณศูนย์ ดังนันปั ญหา
ของการบิดเบือนครอสโอเวอร์ ทีเกียวข้องกับการออกแบบคลาส AB และ B ได้ถูกหลีกเลียงไป
ข้ อเสียของแอมป์ คลาส A[แก้]
แอมป์ แบบนีไม่มีประสิ ทธิภาพ ตามทฤษฎีแล้ว สูงสุดเพียง % ถ้าใช้ coupling
เอาต์พตุ แบบเหนียวนํา และเพียง % ถ้าใช้ coupling เอาต์พตุ แบบเก็บประจุ เว้นแต่เจตนาจะ
ใช้ nonlinearities (เช่นใน ขันตอนเอาต์พตุ Square-law) ในพาวเวอร์แอมป์ ไม่เพียงแต่เสี ย
พลังงานไปเปล่าๆและจํากัดการทํางานของแบตเตอรี เท่านัน ค่าใช้จ่ายทีเพิมขึนและอาจมี
ข้อจํากัดของอุปกรณ์เอาต์พตุ ทีสามารถนํามาใช้ได้ (เช่น, เมือตัดหลอดไตรโอดออดิโอบางตัว
ออก เพือรองรับลําโพงประสิ ทธิภาพตําทีทันสมัย) . การขาดประสิ ทธิภาพไม่ได้มาจากเพียงแค่
ความจริ งทีว่าอุปกรณ์ผา่ นกระแสตลอดเวลา(ทีเกิดขึนแม้จะเกิดกับคลาส AB ก็ตาม แต่
ประสิ ทธิภาพของมันใกล้กบั ของคลาส B) นันก็คือกระแสยืนนิงมีประมาณครึ งหนึงของกระแส
เอาต์พตุ สูงสุด (แม้วา่ สิ งนีสามารถมีน้อยลงด้วยขันตอนเอาต์พตุ แบบ square law) และส่วน
ใหญ่ของแรงดันไฟฟ้าทีแหล่งจ่ายไฟทีเกิดคร่ อมอุปกรณ์เอาต์พตุ ทีระดับสัญญาณตํา (
เช่นเดียวกับคลาส AB และ B แต่แตกต่างจากขันตอนเอาต์พตุ เช่น คลาส D) . ถ้าต้องการ
เอาต์พตุ กําลังสูงจากวงจรคลาส A ก็จะเกิดพลังงานสูญเปล่า(และความร้อนทีเกิดขึน). สําหรับ
ทุกๆวัตต์ทีส่งมอบให้กบั โหลด ตัววงจรขยายสัญญาณเอง ทีทําอย่างดีทีสุด ก็จะสร้างความร้อน
ขึนอีกหนึงวัตต์ สําหรับกําลังขยายมากๆ นีหมายถึงแหล่งจ่ายไฟและ heat sink ต้องมีขนาด
ใหญ่และมีราคาแพงมาก
คลาส A ส่วนใหญ่ถูกแทนทีโดยการออกแบบทีมีประสิ ทธิภาพมากขึน แม้วา่ พวกมัน
จะยังคงเป็ นทีนิยมของมือสมัครเล่นบางคน ส่วนใหญ่เป็ นเพราะความเรี ยบง่ายของมัน มีตลาด
สําหรับเอทป์ คลาส A ทีมีราคาแพงและความเทียงตรงสูง "เทพ" ในหมู่นกั เล่นเครื องเสี ยง
[10]
สําหรับแอมป์ ทีไม่มีการบิดเบือนแบบครอสโอเวอร์ และความเพียนฮาร์โมนิคเลขคีและฮาร์
โมนิคขันสูงตํา
แอมป์ แบบ Single-ended และ triode คลาส A[แก้]
คนทีชอบแอมป์ คลาส A ยังชอบใช้ thermionic วาล์ว (หรื อ"หลอด")แทน
ทรานซิสเตอร์ โดยเฉพาะอย่างยิง ในแบบ Single-ended triode output configurations ด้วย
เหตุผลหลายอย่างดังนี:
วงจรขยาย Class B
วงจรขยายคลาส E
คําอธิบายต่อไปนีจะไม่สนใจ DC ซึงสามารถถูกเพิมได้ง่ายในภายหลัง C และ L
ดังกล่าวข้างต้นจะเป็ นวงจรขนาน LC กับกราวด์ เมือทรานซิสเตอร์นาํ กระแสหรื ออยูใ่ นสถานะ
เปิ ด(ทํางาน) กระแสจะไหลผ่านวงจรอนุกรม LC ไปยังโหลดและบางส่วนเริ มทีจะไหลไปยัง
วงจรขนาน LC ลงกราวด์ จากนัน วงจรอนุกรม LC จะสวิงกลับและไปชดเชยกระแสลงใน
วงจรขนาน LC ณ จุดนี กระแสผ่านทรานซิสเตอร์เป็ นศูนย์หรื ออยูใ่ นสถานะปิ ด(ไม่ทาํ งาน)
วงจร LC ทังสองวงจรตอนนี จะถูกเติมด้วยพลังงานใน C และ L ทังวงจรจะ oscillate ทีเปี ยก
ชืน การทําให้หมาด ๆโดยโหลดได้รับการปรับเพือทีว่าเวลาต่อมาพลังงานจาก L ทุกตัวจะถูก
ส่งไปทีโหลด แต่ พลังงานใน C จะขึนสูงสุดทีค่าเดิมเพือมีผลในการเรี ยกคืนแรงดันไฟฟ้า
ดังเดิมเพือให้แรงดันไฟฟ้าคร่ อมทรานซิสเตอร์เป็ นศูนย์และมันจะสามารถถูกทําให้อยูใ่ น
สถานะเปิ ด(ทํางาน)ได้ใหม่อีกครัง
เมือมีโหลด ความถีและ duty cycle ( . ) เป็ นเหมือนกับพารามิเตอร์และข้อจํากัดที
กําหนดให้วา่ แรงดันไฟฟ้าจะไม่ถกู เรี ยกคืนเท่านัน, แต่ขึนสู่จุดสูงสุดทีแรงดันเดิม, พารามิเตอร์
ทังสี (L, L0, C และ C ) จะถูกกําหนด ตัวขยายคลาส E นําความต้านทานทีชัดเจนมาพิจารณา
และพยายามทีจะทําให้กระแสแตะจุดตําสุดทีศูนย์ ซึงหมายความว่าแรงดันและกระแสที
ทรานซิสเตอร์จะมีความสมมาตรเมือเทียบกับเวลา การแปลงของฟูริเย(อังกฤษ: Fourier
transform) ช่วยให้การกําหนดทีสง่างามในการสร้างเครื อข่าย LC ทีซับซ้อน และบอกว่าฮาร์โม
นิคแรกถูกผ่านเข้าไปในโหลด, ฮาร์โมนิคเลขคูท่ งหมดจะถู
ั ก shorted และฮาร์โมนิคเลขคีทีสูง
กว่าทังหมดจะ open
คลาส E ใช้แรงดันไฟฟ้าฮาร์โมนิคทีสองเป็ นจํานวนมาก ฮาร์โมนิคทีสองสามารถ
นํามาใช้เพือลดความเหลือมลําทีขอบด้วยความคมชัดทีแน่นอน เพือให้มนั ทํางาน พลังงานบน
ฮาร์โมนิคทีสองต้องไหลจากโหลดไปยังทรานซิสเตอร์, และแหล่งจ่ายไฟของเรื องนีจะไม่
สามารถมองเห็นได้ในแผนภาพวงจร ในความเป็ นจริ ง อิมพีแดนซ์เป็ นปฏิกิริยาเสี ยส่วนใหญ่
และเหตุผลเดียวทีมันเป็ นเช่นนันก็คือคลาส E เป็ นตัวขยายคลาส F (ดูดา้ นล่าง)ทีมีเครื อข่าย
โหลดอย่างง่ายมากๆ และนีเองทีมันต้องทําธุรกิจกับความไม่สมบูรณ์
ในการจําลองแบบมือสมัครเล่นของแอมป์ คลาส E หลายครัง, ขอบกระแสทีคมชัดจะ
ถือว่าเป็ นแรงจูงใจทีไร้ผลสําหรับคลาส E และการวัดใกล้ความถีขนส่งของทรานซิสเตอร์จะ
แสดงเส้นโค้งทีสมมาตรมากซึงมีลกั ษณะคล้ายกับแบบจําลองของคลาส F
แอมป์ คลาส E ถูกคิดค้นในปี โดย นาธาน โอ Sokal และอลัน D. Sokal และ
รายละเอียด ถูกตีพิมพ์ครังแรกในปี [ ]
บางรายงานก่อนหน้าในปฏิบตั ิการของคลาสนี
ได้รับการตีพิมพ์ในรัสเซีย
คลาส F[แก้]
ในแอมป์ แบบ push–pull และใน CMOS, ฮาร์โมนิคเลขคูข่ องทรานซิสเตอร์ทงสองตั
ั ว
เพียงแค่ หักล้างกัน การทดลองแสดงให้เห็นว่าคลืนสี เหลียมสามารถถูกสร้างขึนโดยแอมป์
เหล่านัน คลืน สี เหลียมตามทฤษฎีประกอบด้วยฮาร์โมนิคเลขคีเท่านัน ในแอมป์ คลาส-D ตัว
กรองเอาต์พตุ จะบล็อกฮาร์โมนิคทังหมด นันคือ ฮาร์โมนิคจะเห็นโหลดเปิ ด ดังนันแม้กระแส
เพียงเล็กน้อยในฮาร์โมนิคก็พอเพียงเพือสร้างแรงดันคลืนสี เหลียม กระแสจะ in phase กับ
แรงดันไฟฟ้าทีจ่ายให้ตวั กรอง แต่แรงดันไฟฟ้าตกครอมทรานซิสเตอร์จะ out of phase ดังนัน
จึงมีการซ้อนทับกันน้อยทีสุดระหว่างกระแสทีไหลผ่านทรานซิสเตอร์กบั แรงดันไฟฟ้าตกคร่ อม
ทรานซิสเตอร์ ขอบยิงคมชัดเท่าไร การทับซ้อนยิงน้อยเท่านัน
ขณะทีอยูใ่ นคลาส D ทรานซิสเตอร์และโหลดอยูเ่ ป็ นสองโมดูลแยก คลาส F ยอมรับ
ความไม่สมบูรณ์ เช่นการเป็ นกาฝากของทรานซิสเตอร์และคลาส F พยายามทีจะเพิม
ประสิ ทธิภาพของระบบทัวโลกทีจะมีอิมพีแดนซ์สูงสําหรับฮาร์โมนิค แน่นอนจะต้องมี
แรงดันไฟฟ้าในทรานซิสเตอร์ ทีจะผลักดันกระแสข้ามสภาวะ ON เพราะกระแสทีถูกนํามา
รวมกันผ่านทรานซิสเตอร์ทงสองส่
ั วนใหญ่จะเป็ นฮาร์มอนิคแรกทีดูเหมือนรู ปซายน์ นัน
หมายความว่า ในช่วงกลางของคลืนสี เหลียม กระแสสูงสุดต้องไหล ดังนันมันอาจเข้าท่าทีจะมี
รอยบุ๋มในคลืนสี เหลียม หรื อพูดอีกทีก็คือการยอมให้มีการแกว่งเกินของแรงดันไฟฟ้าคลืน
สี เหลียม เครื อข่ายโหลดคลาส F โดยนิยามต้องส่งใต้ความถี cutoffและสะท้อนให้เห็นถึง
เรื องราวข้างต้น
ความถีใดๆทีอยูต่ ากว่
ํ าความถี cutoff และมีฮาโทนิคส์ทีสองสูงกว่าความถี cutoff จะ
สามารถทีจะถูกขยายได้ นันคือแบนด์วดิ ท์ทีแปดอันหนึง ในทางตรงกันข้ามวงจรอนุกรม LC ที
มีค่าเหนียวนําสูงหนึงตัวกับค่าความจุปรับได้หนึงตัวอาจเป็ นวงจรง่ายๆในการนํามาใช้ โดยการ
ลด duty cycle ให้ตากว่
ํ า . , ความสูงของเอาต์พตุ สามารถถูกมอดูเลทได้ แรงดันรู ปคลืน
สี เหลียมจะลดสถานะลง แต่ความร้อนทีมากเกินไปใดๆจะถูกชดเชยโดยการไหลของกําลังงาน
โดยรวมทีตํากว่า การ mismatch ของโหลดใดๆทีอยูห่ ลังตัวกรองทําได้แต่เพียงดําเนินการกับ
รู ปคลืนกระแสฮาร์โมนิคแรกเท่านัน เห็นได้ชดั เฉพาะโหลดความต้านทานทีแท้จริ งเท่านัน
จากนัน ความต้านทานยิงตํา กระแสยิงสูง
คลาส F สามารถขับเคลือนโดยคลืนไซน์หรื อคลืนสี เหลียม, สําหรับคลืนไซน์ อินพุท
สามารถถูกจูนโดยตัวเหนียวนําหนึงตัวเพือเพิมเกน ถ้าคลาส F จะถูกทําขึด้วยทรานซิสเตอร์ตวั
เดียว ตัวกรองจะมีความซับซ้อนในการช็อตฮาร์โมนิคส์เลขคู่ทงหลาย
ั การออกแบบทังหมด
ก่อนหน้านีใช้ขอบของคลืนทีคมเพือลดการทับซ้อน
คลาส G และ H[แก้]
คลาส G
คลาส H
การมอดูเลทแรงดันไฟฟ้าราง
การนําไปปฏิบตั ิ[แก้]
แอมป์ ถูกนําไปปฏิบตั ิโดยใช้องค์ประกอบทีแอคทีฟต่างชนิดกันดังนี
วงจรแอมป์ ในทางปฏิบตั ิ
วงจรแอมป์ ในทางปฏิบตั ิทีแสดงทางขวาจะเป็ นพืนฐานสําหรับการขยายเสี ยงกําลังปาน
กลาง มันแสดงให้เห็นการออกแบบทัวไป(ทีง่ายมาก)ตามทีพบในเครื องขยายเสี ยงทีทันสมัย, ที
มีแอมป์ คลาส AB ขันตอนเอาต์พตุ แบบ push–pull และใช้ negative feedback โดยรวมบางอย่าง
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ถูกแสดงในภาพ แต่การออกแบบนีจะสามารถใช้ FETs หรื อ
วาล์วก็ได้
สัญญาณอินพุทถูกเชือมต่อผ่านตัวเก็บประจุ C เข้าทีเบสของทรานซิสเตอร์ Q ตัวเก็บ
ประจุจะยอมให้สญ ั ญาณ AC ผ่านได้ แต่บล็อกแรงดันไฟฟ้าไบอัส DC ทีถูกสร้างขึนโดยตัว
ต้านทาน R และ R เพือทีวงจรใดๆก่อนหน้านีจะไม่ได้รับผลกระทบจากมัน Q และ Q เป็ น
แอมป์ แบบ differential (แอมป์ ทีจะคูณส่วนต่างระหว่างสองอินพุทด้วยค่าคงทีบางอย่าง) ใน
การจัดเตรี ยมทีเรี ยกว่าเป็ น คูห่ างยาว(อังกฤษ: long-tailed pair) การจัดเตรี ยมแบบนีถูกใช้ใน
การอํานวยความสะดวกในการใช้ negative feedback ซึงถูกป้ อนจากเอาต์พตุ Q ผ่าน R และ
R8
negative feedback ในแอมป์ แบบ differential จะช่วยให้แอมป์ เปรี ยบเทียบอินพุทกับ
เอาต์พตุ ทีเกิดขึนจริ ง สัญญาณทีถูกขยายจาก Q ถูกป้ อนโดยตรงไปยังขันตอนทีสอง, Q ซึง
เป็ นขันตอนอีมิตเตอร์ร่วมทีมีการขยายสัญญาณและไบอัส DC ต่อไปเพือส่งให้ขนตอนเอาต์ ั พตุ
Q และ Q5. R เป็ นโหลดสําหรับ Q (การออกแบบทีดีกว่าอาจจะใช้บางรู ปแบบของโหลดที
แอคทีฟทีนี เช่น constant-current sink) เมือมาถึงเวลานี แอมป์ ทังหมดกําลังทํางานในคลาส A.
คู่เอาต์พตุ จะถูกจัดเตรี ยมในคลาส AB push–pull หรื อทีเรี ยกว่าคู่แถม ทีทาํ งานส่วนใหญ่เป็ น
การขยายกระแส(ขณะทีบริ โภคกระแสนิงตํา) และขับโหลดโดยตรงและเชือมต่อผ่านทาง C ที
ปิ ดกันไฟ DC ไดโอด D และ D จ่ายแรงดันไบอัสคงทีจํานวนเล็กน้อยให้กบั คู่เอาต์พตุ เพียง
เพือไบอัสวงจรให้เข้าทีสถาวะนํากระแส เพือทีว่า การบิดเบือนครอสโอเวอร์จะถูกทําให้นอ้ ย
ทีสุด นันคือ ไดโอดผลักดันขันตอนเอาต์พตุ อย่างมันคงให้เข้าสู่โหมดคลาส AB (สมมติวา่
แรงดันคร่ อมเบส-อีมิตเตอร์ของตัวทรานซิสเตอร์เอาต์พตุ จะถูกลดลงโดยการกระจายความ
ร้อน)
การออกแบบนีจะง่าย แต่เป็ นพืนฐานทีดีสาํ หรับการออกแบบในทางปฏิบตั ิ เพราะว่า
มันจะรักษา จุดปฏิบตั ิการให้แน่นอน เนืองจากฟี ดแบคดําเนินการภายในจาก DC ขึนผ่าน
ช่วงเสี ยงและไกลออกไป องค์ประกอบวงจรนอกจากนีอาจจะพบได้ในการออกแบบทีแท้จริ งที
จะตัดการตอบสนองความถีทีสูงกว่าช่วงทีจําเป็ นเพือป้ องกันไม่ให้เกิดความเป็ นไปได้ของการ
oscillate ทีไม่พึงประสงค์ นอกจากนี การใช้งานของไดโอดไบอัสคงทีแสดงไว้อาจทําให้เกิด
ปั ญหาถ้าไดโอดไม่ match ทังทางไฟฟ้าและทางความร้อนกับทรานซิสเตอร์เอาต์พตุ - ถ้า
ทรานซิสเตอร์เอาต์พตุ นํากระแสมากเกินไป พวกเขาอาจร้อนเกินไปและทําลายตัวเองได้ง่าย
มาก เพราะกระแสจากแหล่งจ่ายไฟจะไหลเต็มที ไม่ได้ถูกจํากัดในขันตอนนี
การแก้ปัญหาง่ายๆเพือช่วยสร้างความมันคงของอุปกรณ์เอาต์พตุ ก็คือ การเพิมตัว
ต้านทานทีอีมิตเตอร์สกั หนึงโอห์มหรื อมากว่า ในการคํานวณค่าของตัวต้านทานและตัวเก็บ
ประจุของวงจรจะสามารถทําได้ ขึนอยูก่ บั องค์ประกอบใช้งานและการตังใจใช้งานของแอมป์
สําหรับพืนฐานของตัวขยายความถีวิทยุโดยการใช้วาล์ว, ดู Valved RF amplifiers.
หมายเหตุเกียวกับการนําไปใช้ งาน[แก้]
แอมป์ ในโลกแห่งความจริ งไม่สมบูรณ์แบบ ดังนี
ผลทีตามมาอย่างหนึงก็คือการทีแหล่งจ่ายไฟของมันเองอาจมีอิทธิพลต่อเอาต์พตุ และ
จะต้องนํามาพิจารณาเมือมีการออกแบบตัวขยาย
เพาเวอร์แอมป์ เป็ นสัญญาณอินพุททีมีประสิ ทธิภาพทีใช้ควบคุมตัวเรกูเลเตอร์ของ
แหล่งจ่ายไฟ - ทําการควบคุมกําลังทีมาจากแหล่งจ่ายไฟหรื อไฟเมนส์ไปทีโหลดของ
แอมป์ กําลังทีออกจากเพาเวอร์แอมป์ ไม่ควรเกินกําลังทีใส่เข้าไปให้กบั มัน
วงจรแอมป์ มีผลการดําเนินงานแบบ"open loop" สามารถอธิบายได้ดว้ ยพารามิเตอร์
ต่างๆ (กําไร, slew rate, เอาต์พตุ อิมพีแดนซ์, การบิดเบือน, แบนด์วดิ ธ์, อัตราส่วนของ
สัญญาณกับเสี ยงรบกวน ฯลฯ)
แอมป์ ทีทันสมัยจํานวนมากใช้เทคนิค negative feedback เพือรักษาค่าเกนไว้ทีค่าที
ต้องการและเพือลดการบิดเบือน การฟี ดแบคในลูปเชิงลบจะมีผลตามวัตถุประสงค์ใน
การบรรเทาทางไฟฟ้าของการเคลือนไหวของลําโพง ซึงในทางกลับกัน มันเป็ นการ
บรรเทาประสิ ทธิภาพการทํางานแบบกลไกไดนามิกของลําโพง
เมือประเมินความจุของกําลังเอาต์พตุ ของแอมป์ มันจะเป็ นประโยชน์ทีจะพิจารณา .
โหลดทีจะใช้ . รู ปแบบของสัญญาณเช่น เสี ยงพูดหรื อเพลง . ระยะเวลาของกําลัง
เอาต์พตุ ทีต้องการ เช่น เวลาสันหรื อต่อเนือง และ . ช่วงไดนามิกทีต้องการ เช่น
โปรแกรมทีบันทึกไว้หรื อถ่ายทอดสด
ในกรณี ทีมีการใช้งานเสี ยงกําลังขับเคลือนสูงทีต้องมีสายยาวต่อไปยังโหลด- เช่น โรง
ภาพยนตร์และศูนย์การขนส่ง - แทนทีจะใช้สายขนาดใหญ่ มันอาจจะมีประสิ ทธิภาพ
มากขึนถ้าเชือมต่อกับโหลดทีแรงดันเอาต์พตุ ของ line ด้วยหม้อแปลง matching ที
แหล่งจ่ายกับโหลด
เพือป้ องกันความไม่แน่นอน และ/หรื อความร้อนสูงเกินไป การดูแลมีความจําเป็ น
เพือให้แน่ใจว่าแอมป์ แบบโซลิทสเตทมีโหลดทีเหมาะสม ส่วนใหญ่มีความจุของโหลด
อิมพีแดนว์ตามาก
ํ
แอมป์ ทุกตัวผลิตความร้อนอันเนืองมาจากการสูญเสี ยทางไฟฟ้า ความร้อนนีจะต้องถูก
ระบายผ่านการให้ความเย็นด้วยลมตามธรรมชาติหรื อลมทีถูกบังคับ ความร้อนสามารถ
สร้างความเสี ยหายหรื อลดอายุการใช้งานของชินส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ควรพิจารณา
ผลกระทบของความร้อนทีมีต่อแอมป์ หรื ออุปกรณ์ทีอยูใ่ กล้เคียง
วิธีการทีแตกต่างกันในการจ่ายกําลังมีผลมาจากวิธีการให้ไบอัสทีแตกต่างกัน ไบอัส
เป็ นเทคนิคอย่างหนึงทีอุปกรณ์แอคทีฟจะถูกตังค่าให้ทาํ งานในพืนทีเฉพาะ หรื อเป็ นเทคนิคที
ชินส่วน DC ของสัญญาณเอาต์พตุ จะถูกกําหนดเป็ นจุดกึงกลางระหว่างแรงดันไฟฟ้าสูงสุดจาก
แหล่งจ่ายไฟ ทังหลายของแอมป์ ส่วนใหญ่จะใช้อุปกรณ์หลายชินในแต่ละขันตอน ทัวไปพวก
มันจะถูกจับคู่ในสเปคทีเท่ากัน ยกเว้นขัว อุปกรณ์ขวตรงข้
ั ามที match กันจะเรี ยกว่าเป็ นคู่
สมบูรณ์ แอมป์ คลาส A ทัวไปใช้เพียงอุปกรณ์เดียว เว้นแต่แหล่งจ่ายไฟจะถูกตังไว้ให้จ่ายทัง
แรงดันบวกและลบ ซึงในกรณี ดงั กล่าว อาจต้องใช้อุปกรณ์คู่ทีออกแบบให้สมมาตร แอมป์
คลาส C โดยนิยามใช้แหล่งจ่าย กระแสไฟฟ้าขัวเดียว
แอมป์ มักจะมีหลายขันตอนต่อเนืองเพือเพิมเกน แต่ละขันตอนของการออกแบบเหล่านี
อาจเป็ นแอมป์ ประเภททีแตกต่างกัน เพือให้เหมาะกับความต้องการของขันตอนนัน
ตัวอย่างเช่น ในขันตอนแรกอาจจะเป็ นคลาส A จ่ายให้คลาส AB push pull ในขันตอนทีสอง
จากนันก็ไดรฟ์ คลาส G ทีเป็ นขันตอนสุดท้าย เป็ นการใช้ประโยชน์จากจุดแข็งของแต่ละ
ประเภทในขณะทีลดจุดอ่อนลงให้นอ้ ยทีสุด
ดูเพิม[แก้]
อ้างอิง[แก้]