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Polarización de transistores y estabilidad

R. Carrillo, J.I. Huircan

Abstract— Se tienen tres formas básicas para la polar- iB iC [mA]

ización de un BJT y un FET: polarización …ja, autopolar- IB
VCC 3
ización y polarizacion universal. Esto permite establecer el
R
C
IB
punto de traba jo o punto Q. Dado este punto, es posible 2

diseñar. Para un circuito de…nido, es posible obtener el I I IB

BQ CQ 1
punto de operacion. El punto Q puede variar por diversos
factores, sobre todo térmico, lo que afecta ICO , VBE y el
parámetro : Se de…ne los factores de estabilidad, S I , S v V
BEQ vBE V V v
y S que dan cuenta de la variación de ICQ en base a los
CEQ CC
CE [Volts]
parámetros mencionados.
Fig. 2. (a) Curva de entrada. (b) Curva de salida.
Index Terms— Polarización de Transistores

I. Introduction Así, la recta de carga asociada a la malla de entrada

¿Cuales son los valores más adecuados de corriente y estará dada por (2), la cual se muestra en la Fig. 2a:
voltaje para que el transistor trabaje correctamente en
vBE VBB
zona activa? Existe un único punto presente en las carac- iB = + (2)
terísticas de entrada y salida denominado punto Q (Quis- RB RB
cent Point), punto de trabajo o punto de reposo, el cual La intersección con la curva iB vBE de…ne el valor de
corresponde al punto de operación del circuito electrónico. operación de la corriente de base.
Para ubicarlo se debe tener en cuenta el comportamiento Planteando la malla de salida se tiene
estático del transistor (sin la presencia de señales de en-
trada o excitaciones). VCC = iC RC + vCE (3)
Si se conoce el punto Q, entonces se puede diseñar. Luego la recta de carga estará dada por (4), la cual se
Si se conoce el circuito, se puede determinar el punto se muestra para un punto Q dado en la Fig. 2b.
Q.
El punto Q puede estar en la región de corte, saturación vCE VCC
iC = + (4)
o región activa. En los siguientes apartados se indican RC RC
las diversas formas de polarizar tanto un el BJT como un La intersección de (4) con las curvas de salida de…nen
FET, estableciendo los puntos de trabajo y condiciones de los posibles puntos de operación.
diseño. Finalmente, se análiza la estabilidad del punto Q Finalmente, para un punto Q de…nido por (ICQ , VCEQ )
y la forma básica de compensar variaciones de éste, debido y un voltaje de polarización continuo VCC dado, se deter-
a efectos térmicos. minan los valores de RB y RC .
La desventaja es que mientras mayor VBB entonces
II. Circuitos de polarización y punto de trabajo
mayor IBQ producido, luego el transistor puede entrar en
A. Circuitos de Polarización …ja para BJT la zona de saturación. Si el voltaje VBB es pequeño y cer-
Sea el circuito de la Fig. 1. cano o menor a vBE = VBE(ON ) , el transistor podría estar
en corte.
RC B. Circuito de polarización …ja para JFET

iC
Sea el circuito de la Fig. 3.
RB +
+
vCE
+ VCC
+ vBE _
i _ iD
V B RD
BB

RG VDD
vDS

Fig. 1. Circuito de polarización Fija. iG vGS

VGG

Planteando la LVK para la malla de entrada

Fig. 3. Circuito de Polarización …ja para el FET.
VBB = iB RB + vBE (1)

Universidad de La Frontera. Documento preparado para la asig- Para la malla de entrada, dado que iG = 0 (la unión
natura de Circuitos Electrónicos I. Ver.2.6-2015. compuerta-fuente se encuentra inversamente polarizada),
2

Planteando la LVK para la malla de entrada

VGG = iG RG + vGS
VCC = iB RB + vBE (9)
vGS = VGG (5)
Luego
Para la malla de salida

vDS VDD 1 1
iD = + (6) iB = vBE + VCC (10)
RD RD RB RB
De acuerdo a la ecuación de Schockley Para la malla de salida se tiene
2
vGS
iD = IDSS 1 (7) VCC = iC RC + vCE (11)
Vp

Donde Vp es la tensión de estrangulación del canal, tam- Si RB es grande, VRBE

B
es despreciable, así iB VCC R1B :
bién llamado VGS(OF F ) e IDSS la corriente de saturación Luego, para un punto Q dado, se tiene que ICQ = VRCC B
;
máxima, datos provistos por el fabricante. La Fig. 4 mues- despejando VCEQ
tra por un lado la curvas de salida iD vDS , y en el otro
lado la relación iD vGS dada por la ecuación de Schockley.
RC
VCEQ = VCC ICQ RC = VCC 1 (12)
i
D
RB

VDD D. Circuito de autopolarización para JFET

RD

IDSS v GS = 0
La autopolarización permite mediante un resistor en la
1
fuente, energizar el dispositivo. Este esquema se muestra
en la Fig. 6. Planteando la LVK en la malla de entrada se
IDQ vGS = - V
2 GG tiene
vGS
3

v -Vp VDD v
GS vGSQ VDSQ DS
RD iD
Fig. 4. Punto de trabajo del JFET.
RG
vDS VDD
Para un punto Q dado (IDSQ ; VDSQ ), se determina RD iG vGS
de (6), como RS

VDD VDSQ
RD = (8)
IDQ Fig. 6. Circuito de autopolarización para el JFET.
De (7), se determina vGS , luego de (5) se obtiene VGG ,
con lo que el diseño que de…nido.

C. Circuito de Autopolarización para BJT

Sea el circuito de la Fig. 5 iG RG + vGS + RS iD = 0 (13)
vGS
iD = (14)
RS
+V RC
CC
Por otro lado, para la malla de salida
RB iC iC
RC +
RB
+
vCE Vcc
+ VCC VDD = vDS + (RD + RS )iD (15)
+ vBE _
i _
V B
CC
Así la recta de carga de la salida será
iB

VDD vDS
iD = (16)
(RD + RS ) (RD + RS )
(a ) (b)

Fig. 5. Circuito de autopolarización.

Para un punto Q, (IDQ ; VDSQ ) de (16), se obtiene RD +
RS : Usando la relación (7), se obtiene vGS y luego RS :
POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES Y ESTABILIDAD 3

ID

IDSS
VT H VBEQ
VCEQ = VCC (RE ( + 1) + RC )
_ 1 RT H + ( + 1) RE
RS (24)
IDQ
Si VT H >> VBEQ ; y RT H es pequeño, entonces el punto
Vp vGSQ vGS
Q es independiente del transistor, ya que

Fig. 7. Intersección ecuación de Schockley y la malla de entrada.

VT H
VCEQ VCC (RE ( + 1) + RC ) (25)
( + 1) RE
+VCC +VCC
Como >> 1, entonces
R RC
RC TH
R1

R1 R2 RE + RC RC
VCEQ VCC VT H = VCC 1+ VT H
Q V
TH
Q RE RE
(26)
+
+VCC R2
R2 RE
R1+ R2 RE
F. Circuito de polarización universal del MOSFET de em-
probrecimiento
(a) (b) Sea el circuito de la Fig. 9, donde

Fig. 8. (a) Circuito de polarización universal. (b) Equivalente.

R2
VT H = VDD (27)
R 1 + R2
E. Circuito de polarización universal para BJT R1 R2
RT H = (28)
R1 + R 2
En los circuitos Fig 1 y Fig. 5, RB debe soportar toda la
corriente, incluso mientras mayor es la polarización, mayor
será la corriente pudiendo llegar a salirse de la zona activa.
VDD
Para evitar ésto, se propone el circuito de la Fig. 8.
Para la malla de entrada se tiene +
R V
RD D i DD
R1 D
VT H = iB RT H + VBE(ON ) + iE RE (17) R TH

Donde
+
V iG
TH RS
R2 RS
R2 RT H
VT H = VCC = VCC (18)
R 1 + R2 R1
R1 R2
RT H = R1 jjR2 = (19)
R 1 + R2 Fig. 9. Circuito de polarización universal para MOSFET canal n.

Dado que iE = iB + iC e iC = iB , entonces se tiene

Para la malla de entrada, dado que iG = 0, se tiene

VT H = fRE ( + 1) + RT H g iB VBE(ON ) (20) VT H = vGS + RS iD (29)

Así 1 VT H
iD = vGS + (30)
VT H VBE(ON ) RS RS
iB = IBQ = (21)
RT H + ( + 1) RE Para la malla de salida
Para la malla de salida
VDS = VDD (RS + RD )iD (31)
VCC = VCE + RE iE + RC iC (22) Como este transistor también usa la relación de Shock-
+1 ley para de…nir la corriente iD , para un circuito dado, es
Como iE = iC ; reemplazando en (22), se tiene
posible trazar una recta de carga para la malla de entrada,
la cual establece el punto Q, de acuerdo a la Fig. 10.
VCC = VCE + (RE ( + 1) + RC ) iB (23)
Por otro lado, para un punto Q dado, más VDD , VT H o
Luego, para iB = IBQ , despejando VCEQ RT H , se obtiene el diseño.
4

ID Para la malla de salida se tiene

IDSS 10 [V ] = iC 470 [ ] + vCE + iE 220 [ ] (35)
Q1
Como iC = iB ; e iE = iB + iC
Q2
750 [ ] 101
2:5 [V ] 0:7[V ] = iC + 220 [ ] (36)
100 100
Vp V TH1 V TH2
Así iC = 7:84 [mA] = ICQ y vCE = 4:57 [V ] = VCEQ :
Fig. 10. Rectas de carga para distintos puntos Q.
IV. Análisis de estabilidad de la polarización y
compensación térmica
III. Determinación del punto de trabajo A. Inestabilidad del Punto de Trabajo
Example 1: Sea el circuito de autopolarización del JFET El punto Q es crítico en un BJT y debe mantenerse …jo.
de la Fig. 11. Considerando Vp = 4 [V ], IDSS = 5 [mA], Sin embargo, un cambio del elemento activo o variación en
considerando VDD = 12 [V ], determinar iD , vDS y vGS . las condiciones ambientales (variaciones de la temperatura)
producirán un desplazamiento del punto de operación. Las
ID ID [mA] variables afectadas son la corriente de saturación inversa,
RD 2.2K
5 ICO (también llamada corriente de fuga ó ICBO ), el
RG voltaje VBE y la ganancia de corriente . En la tabla I, se
VDD =12[V] _ 1
470 muestran los parámetros típicos de un BJT y su variación
IG IDQ respecto de la To .
RS 470

-4 vGSQ vGS TABLE I

Parametros tipicos de un BJT de Silicio.
Fig. 11. Análisis de circuito autopolarizado.

T [o C] ICO [nA] VBE [V ]

De la ecuación en la malla de entrada se tiene
65 0:2 10 3 20 0:85
vGS 25 0:1 50 0:65
iD = (32)
470 [ ] 100 20 80 0:48
175 3:3 103 120 0:3
Luego, usando la ecuación de de Schockley
2
vGS Para un BJT, al aumentar la T o , se produce un aumento
iD = 5 [mA] 1 (33)
4 [V ] en la corriente de colector IC y , lo que implica un corrim-
iento del punto de operación. Esto producirá un aumento
Resolviendo el sistema de ecuaciones vGS = 1:17 [V ] = en ICO , la que se puede duplicar cada 10o de aumento de
VGSQ e iD = 2:5 [mA] = IDSQ , por lo tanto de (15) T o . Así, la corriente de colector se expresa como
se determina vDS = 12 2:5 [mA] (2:2 [K ] + 470 [ ]) =
5:33 [V ] = VDSQ : ICQ = f (VBE ; ICO ; ; :::) (37)
Example 2: Para el circuito de polarización universal de
la Fig. 12a, determine el punto Q. Luego la variación de la corriente de reposo será será

10[V] 10[V] @ICQ @ICQ @ICQ

ICQ = ICO + VBE + + ::: (38)
@ICO @VBE @
470Ω
3k Ω 470Ω
Para medir la variación del punto de reposo se de…nen
750Ω los factores de estabilidad.
β =100
+
2. 5[V] @ICQ
1kΩ
SI =@ICO : Factor de estabilidad de la corriente ICO
220 Ω 220 Ω
@I : Factor de estabilidad del voltaje
SV = @VCQ
BE (respecto de VBE )
@ICQ
(a) (b)
S = @ : Factor de estabilidad de

Fig. 12. (a) Circuito Polarizado. (b) Equivalente. La variación total de la IC en torno a Q estará dada por

Example 3: Planteando la LVK en la malla de entrada ICQ = SI ICO + Sv VBE + S + ::: (39)
en el circuito de la Fig. 12b.
Un circuito será estable cuando su factor de estabilidad
2:5 [V ] = iB 750 [ ] + vBE + iE 220 [ ] (34) sea pequeño, por lo cual, el punto de Q no debería variar.
POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES Y ESTABILIDAD 5

B. Factor de estabilidad SI
El factor SI , es uno de los más recurrentes, este depende @ICQ ( + 1) (RB + RE ) RB + RE
de la corriente ICO . Dicha corriente entre colector y base SI = = = (46)
@Ico ( + 1) RE + RB RE + ( R+1)
B

se modela como se indica en la Fig. 13.

Para >> 1; se tiene
I co Ic
RB
, SI 1+ (47)
Ic
IB RE
El factor de estabilidad es independiente de :

C. Valores de los factores de estabilidad

Fig. 13. Modelación de la corriente ICO :
Considerando que SI está dado por (46), se puede es-
tablecer que si RE ! 0; el factor tiende a + 1, lo cual
Planteando la ecuaciones de Kirchho¤, se tiene hace que sea grande. Si RE 6= 0, se tiene que el factor
de estabilidad disminuye. El valor mínimo ocurre cuando
0
ICQ = ICO + ICQ (40) RB < RE , será el mejor valor de estabilidad, pero la po-
0 larización no es la adecuada.
Pero ICQ = (IBQ + ICO ), así
SI
ICQ = IBQ + ( + 1) ICO (41)
β +1

B.1 Factor SI para el circuito de Autopolarización

Sea el circuito de la Fig. 5a, dado que IBQ =
VCC VBE(ON ) 2
RB ; entonces, 1
RB
1 RE
β +1
VCC VBE(ON ) RB
ICQ = + ( + 1) ICO (42) Fig. 14. Variación de SI respecto de RE
:
RB

El factor SI estará dado por Por lo tanto, existe un compromiso entre el factor de es-
tabilidad y la polarización. La consideración RB 0:1 RE
@ICQ
SI = +1 (43) ó R
RE
B
0:1 ; establece una relación entre los resistores
@Ico
menor al 10% de ; lo cual permite un factor más pequeño
El factor de estabilidad depende de ; luego, si éste es de estabilidad. Respecto a los valores del factor de estabil-
muy grande, S también lo será. idad, se puede estimar que un valor de SI 5; trae como
consecuencia una variación del punto Q menor al 5%.
B.2 Factor SI para el circuito de Polarización Universal
D. Técnicas de compensación ante variaciones de la To
Sea el circuito de la Fig. 8a, dada la ecuación (17),
se determina la corriente de colector en el punto Q, con- Sea el circuito de la Fig. 15, se analizará la variación de
siderando ICO de la ecuacion (41) y además VBB = VT H la IC bajo la in‡uencia de la To ambiente.
y RB = RT H .
VCC V
CC

RC
VBB VBE = IBQ RB + ( + 1) (IBQ + ICO ) RE (44) R1 RC

= IBQ (RB + ( + 1) RE ) + ( + 1) ICO RE R1

Q

Reeemplazando IBQ en función de ICO , despejando ICQ + D

V
D CC
RE
RE R
R2 2
(VBB VBE )
ICQ = + +
RB + ( + 1) RE Vy
( + 1) ICO RE + ( + 1) ICO (RB + ( + 1) RE )
RB + ( + 1) RE (a) (b)

(VBB VBE ) + ( + 1) ICO [RB + RE ]

= (45) Fig. 15. (a) Circuito con diodo compensador. (b) Equivelente.
RB + ( + 1) RE

Luego, derivando respecto de ICO Determinando el VT H , se tiene

6

VI. Condiciones adicionales para diseño en el

VCC R2 + V R1 punto Q
VT H = (48)
R1 + R2 A. Valor de >> 1
VT H VBE El diseño de la red de polarización se simpli…ca con-
IBQ = (49)
RT H + ( + 1)RE siderando que IC IE ; dado que los valores de ; suelen
ser superiores a 100. Así se tiene
Como ICQ = IBQ , y considerando que R1 >> R2 ;
entonces
VCC = IC (RC + RE ) + VCE (58)

@ICQ 1 R1 dV dVBE B. Corriente de base 10% de la corrriente del divisor R1

= R2
@T o RT H + ( + 1)RE R1 + R2 dT o dT o
1 dV dVBE Se puede suponer que sólo el 10% de la corriente prove-
(50) niente del equivalente RB o RT H irá a la base, el otro 90%
RT H + ( + 1)RE dT o dT o
se derivará a R2 , así, la corriente en RB debe será por
Luego, para atenuar el efecto de la variación del punto lo menos 10 veces más grande que la corriente en la base.
Q debido a la temperatura, deben ubicarse un diodo y un Para lograr esto se establece que RB 0:1 RE ; lo que ase-
transistor con características térmicas similares. gura mayor estabilidad en la polarización. Así, la corriente
por R1 y R2 será
V. Diseño considerando el factor de estabilidad
Sea el circuito de la Fig. 8. Para un punto de operación
VCC VBE IE RE
de ICQ = 10 [mA], VCEQ = 4 [V ] y VBE(ON ) = 0:7 [V ], IR1 = (59)
dado VCC = 10 [V ] y SI = 4, diseñe. R1
Para la malla de entrada se tiene VBE + ( + 1) IB RE
IR2 = (60)
R2

VT H = iB RT H + VBE(ON ) + iE RE Si ha de pasar solo el 10% de dicha corriente hacia la

base se tiene que IR1 = 10IB ; entonces
10 [mA]
= RT H + 0:7V + 10 [mA] 1:01RE (51)
100
Y para la malla de salida IR2 R2 = VBE + ( + 1) IB RE
R2
IR2 RB 1+ = VBE + ( + 1) IB RE (61)
R1
VCC = IC RC + VCEQ + IE RE
10 [V ] = 10 [mA] RC + 4V + 10 [mA] 1:01RE (52) Considerando >> 1 y R1 >> R2 ; debido a que el
voltaje VT H << VCC ; luego
Considerando la estabilidad
IR2 RB VBE + RE IB (62)
RT H
4 = 1+ Haciendo IR1 IR2 y VBE es despreciable
RE
RT H = 3RE (53)
VCC RT H 10IB RB = RE IB
Como VT H = ; entonces de (51) y (52) se llega
R1 RE
a RB = (63)
10

3VCC RE Finalmente, si IR1 = IR2 = 10IB , se puede establecer

= 0:3 [mA] RE + 0:7V + 10 [mA] 1:01RE(54) que
R1
6 [V ]
= 6 [K ] = RC + 1:01RE (55)
10 [mA] VCC VBE IE RE
R1 = (64)
10IB
Sin embargo, falta una ecuación. Se podría dar un valor
VBE + ( + 1) IB RE
para RT H = 2 [K ], luego se tiene R2 = (65)
10IB

RE = 666 [ ] (56) VII. Conclusiones

RC = 6 [K ] 1:01(666 [ ]) = 5:327 [K ] (57) Tanto el BJT como el FET tienen redes de polarización
similares. Para determinar el punto Q, es necesario
De (18) se obtiene R1 = 2:62 [K ] ; luego de (19) se plantear la malla de salida y la malla de entrada en cada
obtendrá R2 = 8:5 [K ] : una de las con…guraciones. Para el JFET y el MOSFET
POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES Y ESTABILIDAD 7

de empobrecimiento, se usa la ecuación de Schockley, cono-

ciendo el Vp (VGSOF F ) e IDSS .
Para establecer un punto de trabajo (diseño en corriente
continua), se de…nen los valores de VCEQ e ICQ (IBQ ) para
el caso del BJT y VDSQ e IDSQ (VGSQ ) para el JFET, pero
pueden requerirse datos adicionales, tales como los voltajes
disponibles para polarización y/o valores para los RT H o
RB de las con…guraciones.
La polarización del BJT puede ser afectada por varia-
ciones térmicas, un elemento muy utilizado para diseño es
el factor de estabilidad de la corriente, SI .

References
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