Electrónica Análogo-Digital.

s.s.c.

Unidad # 2.
Transistores bipolares.
El transistor es un dispositivo de tres terminales, el cual consiste de dos materiales tipo n
separados por un material tipo p (transistor npn) o en dos materiales p separados por un
material n (transistor pnp), como se indica en la figura:

Las tres capas o secciones diferentes se identifican como emisor, base y colector. El emisor,
capa de tamaño medio diseñada para emitir o inyectar electrones, está bastante contaminado.
La base, con una contaminación media, es una capa delgada diseñada para pasar electrones. El
colector, capa grande diseñada para colectar electrones, está poco contaminado.
El transistor se puede imaginar cómo dos uniones pn colocadas “espalda contra espalda” que
se denominan “transistores bipolares de unión” (BJT)
Operación del transistor.
Una explicación sencilla pero eficaz de la operación del transistor npn se lleva a cabo
utilizando la técnica de diagramas de barrera de potencial que muestra la figura:

Este método ilustra de manera simplificada la operación básica de un transistor bipolar de

manera que se pueden entender ejemplos de circuitos sencillos. Cuando la union base-emisor
se polariza en forma directa y la union base-colector en forma inversa, los electrones que
dejan el material n del emisor sólo ven una barrera de potencial pequeña en la union np.
Como la barrera de potencial es pequeña, muchos de los electrones tienen la suficiente energía
para llegar al tope de ella. Una vez en el tope, los electrones se mueven fácilmente a través del
material p (base) a la unión pn (base-colector). Cuando se acercan a esta unión, los electrones
se encuentran bajo la influencia de la fuente de tensión positiva y se mueven con mucha
rapidez conformen descienden en la barrera de potencial. Si se reduce la polarizacion en
directo de la unión base-emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. A los electrones
que dejan el emisor les será más difícil alcanzar el tope. Los electrones que lo alcanzan son
aquellos con mayor cantidad de energía, y los que alcanzarán el colector. Por tanto, una
reducción de la poarización en dircto provaca que la corriente a través del transistor se
reduzca en forma considerable. Por otra parte, al incrementar la polarización en directo de la
unión base-emisor se reduce la barrera de potencial y se permite el flujo de un mayor número
de electrones a través del transistor.
El transistor de unión bipolar presenta ganancia de corriente, lo cual se puede utilizar para
amplificar señales. En la siguiente figura se presenta el circuito equivalente simplificado de
un transistor npn.

Samuel Salas C.
Profesor de la Asignatura.
1
Electrónica Análogo-Digital.
s.s.c.

En la siguiente figura se muestra un circuito simple para obtener ganancia de corriente. Se

aplica una fuente de tensión a través de la unión base-emisor, y se conecta una resistencia
entre colector y emisor.

En la siguiente figura se muestra el circuito anterior, donde se reemplazo el transistor por su

modelo equivalente.

Debido a la presencia de la fuente dependiente, una corriente en el terminal de base controla

la corriente de colector al emisor. La fuente de corriente en el colector depende de la corriente
de base. Conforme aumenta la corriente de base, la corriente de colector aumenta en forma
proporcional. La constante de proporcionalidad de denomina Beta (β), ganancia de corriente.
En la siguiente figura se muestra una versión de este modelo, conocida como modelo de
Ebers-Moll.

La unión base-emisor actúa como un diodo polarizado en directo con una corriente iB + iC. La
unión base-colector está polarizada en forma inversa y exhibe una corriente de fuga pequeña,
ICBO, y una corriente grande β iB. Esta última es provocada por la interacción de corrientes en
la base. Por lo tanto se tiene que:

La ganancia de corriente en base común, α, se define como la razón del cambio en la corriente
de colector al cambio en la corriente de emisor, suponiendo que la tensión entre el colector y
la base es constante, por lo tanto:
∆
∆

Se desea encontrar una relación entre las corrientes de base y de colector, dada por:

Samuel Salas C.
Profesor de la Asignatura.
2
Electrónica Análogo-Digital.
s.s.c.

Por lo tanto la corriente en el emisor será:

(a)
Resolviendo para la corriente de base:

1− − (b)
Despejando iE de la ecuación (a) y reemplazándola en (b) se tiene:
1−
∗ −

La ganancia de corriente de base común, α, suele estar entre 0,9 y 0,999; por lo tanto, el
inverso se puede aproximar a la unidad, por lo tanto:

∗ − (c)

Beta se utilizó antes para definir la razón entre cambios de corriente de colector y cambios de
corriente de base, esto es:
∆
∆
Diferenciando (c ) se obtiene que :

=
1−
Los valores típicos de β fluctúan entre 10 y 600. Realizando la sustitución para β, se tiene:

= −

Por lo general, se puede despreciar ICBO , pues es pequeña en magnitud, por lo cual:

=
El termino β se conoce como factor de ganancia a señal grande o factor de amplificación
en corriente continua. Por lo cual, se vuelve al modelo original simplificado, En la práctica,
el valor de β varía con la corriente de base.
Configuraciones comunes en circuitos.
Existen tres configuraciones usadas en circuitos con transistores. La más utilizada es la de
amplificador emisor común (EC), así llamada porque el emisor se encuentra tanto en el lazo
de entrada como en el de salida. El siguiente circuito más utilizado es la configuración
colector común (CC), también conocida como seguidor de emisor. La tercera configuración es
el circuito de base común (BC). En la siguiente figura se muestran ejemplos de estas
configuraciones de amplificadores.

Samuel Salas C.
Profesor de la Asignatura.
3
Electrónica Análogo-Digital.
s.s.c.

Curvas características.
Como el transistor es un dispositivo no lineal, una forma de definir su operación es usar una
serie de curvas características. Existe un conjunto de curvas para cada tipo de transistor.
Como no se está tratando con dispositivos de dos terminales, las ecuaciones incluyen al
menos tres variables. Por lo tanto, se utilizan curvas paramétricas para describir el
comportamiento del transistor.

En la figura a, se muestra la corriente de emisor como función de la tensión entra la base y el

emisor, cuando la tensión colector- emisor se mantiene constante. Nótese que, como se podría
esperar, esta curva es similar a la del diodo. Se dibuja una línea de carga utilizando las dos
intersecciones con los ejes. Cuando iE=0, vBE = VBB. La otra intersección se encuentra
haciendo vBE = 0. El punto donde la línea de carga cruza de iE contra vBE se denomina punto
de operación o punto Q. La pendiente de la línea de carga es −1/ ! ! .

La pendiente de la curva característica es 1/"# , donde rd es la resistencia dinámica de la unión

base-emisor, la cual puede ser determinada aproximadamente por:
26 '
"# $
(

Donde IEQ es la corriente del emisor en el punto Q.

Si ahora iB se mantiene constante, la unión colector-emisor se define por la curva de iC contra
vCE. Como se puede observar en esta curva típica, la corriente de colector es casi
independiente de la tensión entre colector y emisor, dentro del intervalo lineal de operación.
Cuando iB está próxima a cero, iC se acerca a cero de manera no lineal; esto se conoce como
operación en la región de corte. Para la sección de las curvas características donde vCE se
acerca a cero, iC es máxima. Esta región se conoce como región de saturación, no es útil para
amplificar debido a la operación no lineal.
Las curvas características son curvas paramétricas de iC contra vCE, con iB como parámetro.
Cada tipo de transistor tiene su propio conjunto único de curvas características.

Samuel Salas C.
Profesor de la Asignatura.
4
Electrónica Análogo-Digital.
s.s.c.

Como ejemplo del uso de las curvas características, se analizará el siguiente circuito:

Recordando que: = + = = +1 ≈

Aplicando L.K.V. se tiene:

Malla de entrada: (B-E): − ∗! − − ∗! = 0

− ∗! − − +1 =0
De esta ecuación se obtienen los intercepto para trazar la recta de carga en la curva
característica de entrada del transistor.

Malla de salida: (C-E): − ∗! − − ∗! =0

− ∗ ! +! − =0

Polarización de transistores.
Se analizarán algunas configuraciones de polarización de transistores como por ejemplo.
Polarización fija.

Para el análisis en corriente continua, al plantear L.K.V, en la malla base-emisor se tiene:

− ∗! − =0
Cuando se resuelve la ecuación para la corriente de base se tiene:
−
=
!
Malla colector-emisor: La magnitud de la corriente de colector está directamente
relacionada a la corriente de base mediante la ganancia de corriente, es decir:

=
Planteando L.K.V se tiene:

Samuel Salas C.
Profesor de la Asignatura.
5
Electrónica Análogo-Digital.
s.s.c.

− ∗! − =0

= − ∗!

Polarización estabilizada en emisor.

La red de polarización del circuito mostrado en la figura, contiene un resistor en el emisor

para mejorar el nivel de estabilidad respecto a la polarización fija. El análisis se efectuará al
examinar primero la malla base-emisor, y luego utilizando los resultados para analizar la
malla colector-emisor.
Malla base-emisor.

Planteando L.K.V. se tiene: − ∗! − − ∗! =0

Recordando que: = + 1 reemplazando esta expresión en la ecuación anterior
queda:

− ! + +1 ! − =0
Resolviendo para la corriente de base, será:
−
=
*! + + 1 ! +

Malla colector-emisor.
Al plantear L.K.V. en la malla colector-emisor se obtiene:

− ∗! − − ∗! =0
Considerando que ≅ , se tiene:

− ! +! − = 0 ⟹ = − ! +!
La adición del resistor del emisor a la polarización del transistor ofrece una mejor estabilidad;
esto es, los voltajes y corrientes de polarización de corriente continua permanecen más cerca
de donde los fijó el circuito cuando cambian las condiciones externas, como temperatura y la
ganancia de corriente del transistor.

Samuel Salas C.
Profesor de la Asignatura.
6
Electrónica Análogo-Digital.
s.s.c.

Polarización por divisor de voltaje.

En las configuraciones de polarización vistas anteriormente, la corriente de colector y el
voltaje colector-emisor del punto de trabajo eran función de la ganancia de corriente del
transistor. Sin embargo, debido a que la ganancia de corriente es sensible a la temperatura,
especialmente para los transistores de silicio, y que el valor real de beta por lo general, no está
bien definido, lo mejor sería desarrollar un circuito que fuera menos dependiente o, de hecho,
independiente de la beta del transistor.
El circuito a la que se hace referencia es la configuración de polarización por divisor de
tensión. Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a los cambios en beta, resulta ser
muy pequeña. Si los parámetros del circuito se eligen adecuadamente, los niveles resultantes
de la corriente de colector y voltaje colector-emisor en el punto de trabajo pueden ser casi
totalmente independientes de beta, es decir, el punto de trabajo puede permanecer fijo si se
utilizan los parámetros adecuados.

Para realizar el análisis del circuito, habrá que encontrar un equivalente Thevenin entre los
puntos de base y tierra, considerando al transistor como carga, es decir:

0 ∗12
./ =
13 412

13 ∗12
!./ =
13 412

Aplicando L.K.V. en la malla base-emisor en el circuito equivalente Thevenin, se tiene:

./ − ∗ !./ − − ∗ ! = 0 5 " = +1 por lo tanto:

./ −
=
*!./ + +1 ! +
Aplicando L.K.V. en la malla colector-emisor y considerando que ≅ , se determina el
voltaje colector-emisor:

− ∗! − − ∗ ! = 0 = − ! +!

Samuel Salas C.
Profesor de la Asignatura.
7
Electrónica Análogo-Digital.
s.s.c.

Ejemplos: Para cada uno de los circuitos mostrados determine, IBQ, ICQ, VCEQ, VB, VC, VE,
VBE, VCE, VBC, IB, IC, IE:

Solución:
A.- (24,04 µA, 2,40 mA, 6,72V, 0,7V, 6,72V, 0V, 0,7V. 6,72V, -6,02V, 24,04µA, 2,4 mA,
2,42 mA).

B.- (31,7 µA, 3,8 mA, 5,47V, 4,53V, 9,3V, 3,83V, 0,7V, 5,47V, -4,77V, 31,7µA, 3,8 mA,
3,83 mA)

C.-(VTh=2,7V, RTh=18,03k, 14, 09 µA, 2, 11 mA, 10,09V, 2,45V, 11,83V, 1,73V, 0,7V, 10V,
-9,38V, 14, 09µA, 2, 11 mA, 2, 12 mA.

Samuel Salas C.
Profesor de la Asignatura.
8