UNIVERSIDAD AUTÓNOMA SAN FRANCISCO

FACULTAD DE INGENIERÍA

CARRERA PROFESIONAL INGENIERÍA INDUSTRIAL

TEMA: “FUNCIONAMIENTO DE TRANSISTORES BJT”

ALUMNA : AYDEE, CCALACHUA CUYO

CURSO : ELECTRONICA GENERAL

DOCENTE : ING. ESCALANTE ALCÓCER, WILFREDO ETTORE

AREQUIPA- 2018

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 ÍNDICE

INTRODUCCIÓN ............................................................................................... 3

DESARROLLO DEL TEMA ............................................................................... 4

1.1. FUNCIONAMIENTO DE LOS TRANSISTORES BJT .......................... 4

1.1.1. DEFINICION: .................................................................................. 4

1.1.2. FUNDAMENTOS FÍSICOS DEL EFECTO TRANSISTOR ............. 4

1.2. CORRIENTES Y TENSIONES ........................................................................ 5

1.3. FUNCIONAMIENTO DEL BJT.................................................................. 7

1.3.1. FENÓMENOS DE AVALANCHA Y PERFORACIÓN ............................... 7

CONCLUSIÓN .................................................................................................................. 9

BIBLIOGRAFÍA Y/O REFERENCIAS ...................................................................... 10

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 INTRODUCCIÓN

En este trabajo trataremos sobre el funcionamiento del transistor BJT, el

funcionamiento de este transistor es muy sencillo lo que hace es amplificar
la corriente por la BASE, y por el corrector va a circular.

Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) es unos dispositivos activos

de tres terminales que constituyen el elemento fundamental en aglomeración de
aplicaciones que van desde la amplificación de señales, al diseño de circuitos
lógicos digitales y memorias.

El principio básico de funcionamiento de un transistor BJT es el uso de la tensión

existente entre dos de sus terminales para controlar la corriente que circula a
través del tercero de ellos. De esta forma, un transistor BJT podría utilizarse
como una fuente dependiente que, es el elemento fundamental del modelo de
un amplificador de señal.

Además, la tensión de control aplicada puede provocar que la corriente en el

tercer terminal del transistor BJT que cambie de cero a un valor elevado,
permitiendo que el dispositivo activo pueda utilizarse como un conmutador con
dos estados lógicos, que es el elemento básico en el diseño de circuitos digitales.

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 DESARROLLO DEL TEMA

1.1. FUNCIONAMIENTO DE LOS TRANSISTORES BJT

1.1.1. DEFINICION:

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al

cual es posible controlar una gran potencia a partir de una pequeña.
En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento
del mismo. Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se
aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B) se aplica
la señal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con
pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base,
se consiguen grandes variaciones a través de los terminales de
colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir
esta variación de corriente en variaciones de tensión según sea
necesario.

1.1.2. FUNDAMENTOS FÍSICOS DEL EFECTO TRANSISTOR

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la

corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo,
mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede

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 considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que
circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-
colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero
que actúa como una estructura que recoge gran parte de la
corriente que circula por emisorbase. En la figura 9 se puede ver lo
que sucede.

1.2. CORRIENTES Y TENSIONES

Para el análisis de las distintas corrientes que aparecen en un transistor
vamos a considerar un transistor de tipo PNP, que polarizamos tal y como
aparece en la figura 10. Este tipo de polarización será el usado cuando el
transistor trabaje en región activa, como se verá en los siguientes
apartados. La unión emisor-base queda polarizada como una unión en
directa, y la unión colector-base como una unión en inversa.

LAS CORRIENTES EN EL BJT

En un transistor bipolar PNP polarizado como en la Figura 3.2.3 se producen los

siguientes flujos de portadores:

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 1: huecos inyectados que se recombinan sin llegar al
colector
2: huecos inyectados en el colector
3: corriente inversa de saturación en la unión PN de la base
y el colector
4: electrones suministrados por el contacto de base para
recombinarse con los huecos en la base
5: electrones inyectados en el emisor debido a que el emisor
y la base forman una unión PN polarizada en directo

Polarización en activa de un BJT pnp

Flujo de portadores en un transistor pnp polarizado en activa

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1.3. FUNCIONAMIENTO DEL BJT
Efecto Early Una vez polarizado el transistor en su zona de
funcionamiento se pueden producir variaciones no deseadas de las
corrientes en el mismo debidas a variaciones en la tensión colector-base.
Estas variaciones de corriente son consecuencia de la modulación de la
anchura de la base, también conocida como Efecto Early.

En un transistor bipolar, un incremento en la tensión colector-base lleva

asociado un incremento en la anchura de la zona de carga espacial de
dicha unión.

1.3.1. FENÓMENOS DE AVALANCHA Y PERFORACIÓN

El transistor bipolar, como cualquier dispositivo en cuya estructura
existan uniones PN polarizadas, tiene unas limitaciones físicas de
funcionamiento debidas a los fenómenos de avalancha que se
pueden producir al aplicar tensiones elevadas a las uniones.

Ruptura por entrar en avalancha alguna de las uniones.

Si se aplica tensión inversa elevada a las uniones PN del
transistor puede ocurrir que alguna entre en avalancha.
Ruptura por perforación de base. En el apartado anterior
se ha hablado de la disminución de la anchura de la base
debido a la tensión inversa aplicada a la unión colector-
base.

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Consideraciones sobre potencia

Otro motivo por el que se puede destruir un transistor bipolar es la potencia

máxima que es capaz de disipar. En general se puede hablar de potencia en
régimen continuo y potencia en régimen alterno. En este cuaderno sólo se
considerará el régimen continuo, o de polarización del transistor bipolar. La
potencia disipada por cualquier componente viene dada por la ecuación:

La potencia disipada por cualquier componente viene dada por la ecuación:

P=V⋅I

en el caso particular de un transistor bipolar, consideramos que la potencia que

disipa viene dada por la corriente de colector multiplicada por la tensión que
colector-emisor, es decir:

PV I = CE C ⋅

El producto de la corriente de colector por la tensión colector-emisor indica la

potencia disipada por el dispositivo.

En función del tipo de transistor (de su fabricación, características y

encapsulado), de las condiciones ambientales y del uso de disipadores, la
potencia que puede soportar un transistor varía.

La potencia máxima que puede disipar un transistor se puede representar en

unos ejes de coordenadas, obteniendo la hipérbola de máxima disipación del
dispositivo.

En el apartado de curvas características se muestra un ejemplo.

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 CONCLUSIÓN

Como ya hemos podido ver la base teórica sobre el funcionamiento de

transistores BJT, conocido la variedad de aplicaciones de los transistores y
Funcionamiento.

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el
diseño de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad
de control.

Con el desarrollo de este trabajo además de consolidar el trabajo, y consolidar

mi capacidad investigativas me aporto importante conocimientos en algunos
casos en forma de cultura general, y otras ocasiones conocimientos específicos
acerca de los diodos y cada uno de los funcionamientos.

El funcionamiento de un transistor BJT puede ser explicado como el

de dos diodos pn pegados uno a otro.
En el emisor EC, se polariza directamente la unión base emisor; e
inversamente la unión base – colector.
Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0.6 voltios.
La corriente de emisor es aquella que pasa por la unión base- emisor
polarizada en directa y depende de Vbe al igual que un diodo pn.

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 BIBLIOGRAFÍA Y/O REFERENCIAS

1. www.solomantenimiento.com/m_transistores.htm
2. www.unicrom.com/tutoriales.asp
3. www.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso03-
04/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm
4. www.google.com/polarización del transistor BJT
5. www.unicrom.com/el_transistor BJT

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