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1 ( SISTEMA DE GENERACIÓN ELÉCTRICA )(SISTEMA DE CAPTACIÓN SOLAR)

Célula solar fotovoltaica ( Módulo/Panel ) solar fotovoltaico Generador solar fotovoltaico ( GFV )
1.1 CÉLULA SOLAR FOTOVOLTAICA (PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL)
1.1.1 DEFINICIÓN – ESTRUCTURA BÁSICA DE UNA CÉLULA SOLAR DE SILICIO
 Dispositivo electrónico de estado sólido capaz de convertir directamente (sin procesos intermedios)
(sin reacciones químicas, ciclos termodinámicos, procesos mecánicos que requieran partes móviles)
la Esolar incidente sobre él, en Eeléctrica. Principio de funcionamiento basado en el efecto fotovoltaico

① Rejilla metálica conductora – ② Texturizado de superficie + Capa con tratamiento anti-reflexivo

(ARC) – ③ Semiconductor (tipo-n) – ④ Semiconductor (tipo-p) – ⑤ Lámina posterior conductora 
 Sin partes móviles ni fluidos a (p, T). Eficiente. Su estructura base es una unión p-n: semiconductor
de Si tipo-p en cuya superficie se han difundido átomos donadores formando una capa de Si tipo-n
 Célula convencional de Si : Fabricada a partir de un lingote de Si cristalino dopado con B (impureza
aceptadora )( semiconductor extrínseco tipo-p), cortado en discos (obleas) muy finos ( espesor ≈
0.3mm ). Un cara se coloca en una atmósfera gaseosa, a T y rica en P (impureza donadora), con lo
que, mediante procesos de difusión, se consigue una concentración de P en ese extremo, superior
a la concentración de B, obteniéndose un semiconductor extrínseco tipo-n  Se forma la unión p-n.
A continuación, se coloca una rejilla conductora metálica sobre esa cara y una capa/lámina metálica
conductora sobre la cara posterior, para que actúen de electrodos colectores de las cargas eléctricas
generadas y para establecer las conexiones eléctricas entre las células que formarán el módulo F.V.
 Capas activas de material semiconductor: La parte iluminada (emisor)(capa sobre la que incide la
radiación solar) es tipo-n, la parte no iluminada (base) es tipo-p; ( ηcélula )final = f [(tipo, calidad) del
material semiconductor usado; espesor de las capas activas, densidad/concentración de impurezas]
Al incidir la radiación solar sobre la célula, aparece un VDC, como el producido entre los polos de
una pila. Colocando en cada cara unos contactos metálicos (resistencia eléctrica para no provocar
caídas de V adicionales), que sirvan de conexión entre [semiconductor–conductor eléctrico (cable)],
puede extraerse la IDC generada, y alimentar una carga DC externa conectada a la célula  Al iluminar
una célula conectada a una carga, se produce una d.d.p en los extremos de la carga, y se origina una
IDC que circula por la carga. Para hacer útil la Eeléctrica proporcionada por la célula al ser iluminada,
hay que proveerla de contactos eléctricos, que sean capaces de recolectar los e– liberados por acción
de los fotones de la radiación solar incidente sobre la célula, y canalizarlos hacia el circuito exterior.
 Contacto metálico superior –( Malla / Rejilla ) metálica de contacto : Su diseño es crítico ya que
① debe garantizar una recolección adecuada de los e–, sin introducir una resistencia eléctrica, y al
mismo tiempo ②debe dejar pasar la mayor cantidad de radiación posible hacia el interior de la célula.
En la fig. se representa en forma de peine metálico, pero puede tener otras formas. Suele ser de Ag.
 Factor de sombra ( FS ): Mide la cantidad de superficie ocupada por la (malla/rejilla metálica)
de contacto, respecto a la superficie total de la célula sobre la que incide la radiación solar.
 Contacto metálico posterior : Suele hacerse metalizando toda la superficie posterior de la célula,
cuando  el requisito de que ésta reciba radiación solar por su parte posterior. Suele consistir en una
capa/lámina de metal (Al o Mo) conductora que cubre completamente la cara posterior de la célula.
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1.1.2 EFECTO FOTOVOLTAICO–CONDICIONES NECESARIAS PARA QUE SE PRODUZCA
 Fotovoltaico [palabra griega photos (luz) + volt (unidad de Felectromotriz de la Ieléctrica)]  Generación
de electricidad a partir de luz. La conversión directa ( Esolar → Eeléctrica ) se debe a la interacción de
la radiación luminosa con los e– en materiales semiconductores → Efecto fotovoltaico: Se consigue

por la separación, mediante un campo eléctrico ( E ) creado en el interior del material semiconductor
que forma parte de una estructura heterogénea, de los portadores de carga ( e–, h+ ), generados por
ionización de átomos cuando los e– de su capa más externa absorben fotones de la radiación luminosa.
Efecto fotovoltaico desde un punto de vista cuántico : Capacidad de transmitir la E de los fotones
de la radiación solar incidente, a los e– de valencia de los átomos de materiales semiconductores, de
forma que estos e– rompen su enlace covalente que los tenía ligados al átomo. Por cada enlace roto
se forma un par (e–, h+) que circula por el interior del material. El movimiento de portadores de carga

(e–, h+) en sentidos opuestos [por la existencia de un campo eléctrico ( E ) interno] genera en el material
una Ieléctrica(DC) que puede circular por un circuito externo. La ESF se basa en aprovechar este efecto.
 La absorción de radiación solar es un proceso de generación de pares ( e–, h+ )(portadores de carga)
en el seno o fronteras de un semiconductor, y lleva asociado un proceso inverso de recombinación.
 En ausencia de perturbaciones, la densidad de portadores generados↑ al iluminar el semiconductor
y ↓ rápidamente (debido a la recombinación) a su valor de equilibrio cuando cesa la iluminación.
Recombinación producida al encontrarse 1 e– libre y 1 h+ o por defectos en la estructura cristalina
del material. Hay que garantizar el menor nº posible de (recombinaciones, trampas) y aprovechar
la mayoría de cargas libres producidas  son mejores los cristales de Si puro mono-cristalino
 Separación de cargas: Es necesario extraer los e– del semiconductor, ya que éste no es capaz de

producir por sí mismo una Ieléctrica. Un método es crear un campo eléctrico ( E ) interno, de carácter
superficial y permanente, en la estructura del semiconductor  ( Dopado del semiconductor )
  
Bajo la acción del E , los elementos con carga (portadores) sufren una Farrastre  ( q E ) , de modo

que las cargas  son llevadas en la dirección del E , y las  son empujadas en sentido contrario.
1) Para obtener Ieléctrica(DC) se ha de crear una d.d.p entre las cargas (  , ) añadiendo al semiconductor
puro dosis de átomos impureza, capaces de ceder/aceptar e–: Para evitar la recombinación hay que
 
crear un E en el interior del semiconductor, mediante una unión p-n. Se puede crear un E dentro de
un cristal de Si, dopando ligeramente una zona con átomos donadores [zona N (con exceso de e–)], y

otra zona con átomos aceptadores [zona P (con exceso de h+ )]. Este E de la unión separa los 2 tipos
de portadores de carga (cargas libres móviles) para evitar su recombinación, lleva los e–a N y los h+

a P  aparece así una Ieléctrica(DC)(neta) que atraviesa el semiconductor en el sentido del E (de N a P)
2) La iluminación de un cristal así contaminado lleva a una acumulación de cargas  en P y  en N, y
se manifiesta como un VO (potencial termodinámico). Un cristal iluminado tiene cargas eléctricas
libres (  ,) que se mueven aleatoriamente por el interior de la estructura cristalina, hasta que
vuelven a encontrarse y a restablecer su enlace covalente  La EG que fue necesario absorber para

romperlo, se libera en forma de calor. Si hay un E establecido dentro del cristal, las cargas se mueven
ordenadamente, se separan y tienden a acumularse en ≠ zonas del cristal, originando un V entre sus
extremos, pero esta acumulación de cargas tiene un límite, relacionado con la dificultad que puedan
tener para reencontrarse de nuevo dentro del cristal: (a mayor dificultadmayor acumulación↑VO)
3) La unión de N y P mediante un hilo conductor externo, representa un camino adicional de encuentro
de cargas (  ,) ( Iluminación del cristal = Circulación de Ieléctrica por el hilo conductor externo)
4) La iluminación sobre el cristal semiconductor hace que éste se convierta en un generador de Eeléctrica:
A mayor cantidad de radiación absorbida por el cristal (mayor irradiancia o área) mayor Ieléctrica
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Condiciones para que se produzca el efecto fotovoltaico (F.V) en un material
semiconductor y pueda aprovecharse eficientemente para producir energía eléctrica
 ① La radiación luminosa incidente debe ser capaz de generar cargas libres al ser absorbida por el
material semiconductor: Creación de pares (e–, h+) dentro del semiconductor cuando éste absorbe la
radiación solar incidente, de forma que se produzca ↑ sensible de portadores respecto a su condición
de no iluminación → Condición : [ ( EG )( gap )(ancho de la BP del semiconductor)(E necesaria para
romper un enlace covalente entre átomos y liberar 1 e–)] ≤ [Efotones de la radiación luminosa incidente
sobre el semiconductor ]  [esta Efotones es absorbida por los e– de valencia, y así éstos pueden romper
el enlace covalente con sus átomos, quedando libres para desplazarse por el interior del material ]
 Efotón[eV ]  [ h  ( c / λ )]  ( h  υ )  EG [eV ] Efotón[eV ]  [ 1242 / λ ( m)]  EG [eV ]
 ( λ, υ ): [ longitud de onda (m), frecuencia (Hz) ] de la radiación solar incidente ( del fotón )
 Constante de Planck: h  4.14 1015 [ eV  s ] ; velocidad de la luz en el vacío : c  3  108[ m / s ]

 ② Existencia de un campo eléctrico ( E ) interno [caracterizado por su ( VO )(barrera de potencial)]
en la estructura interna del semiconductor, que sea capaz de separar/desplazar, en sentidos opuestos,
los portadores de carga (e–, h+) creados, hacia los extremos del semiconductor, para su recolección en

unos terminales/contactos metálicos  debe haber una estructura heterogénea que produzca ese E
Estructura heterogénea: agrupación de materiales que permite extraer de manera eficiente, mediante

la acción de un campo eléctrico E generado en su interior, la Ieléctrica(DC) para su aprovechamiento.
Ej.: unión p-n en semiconductores, contactos ( metal–semiconductor ), ( semiconductor–aislante–
semiconductor ), ( metal–aislante–semiconductor ), [semiconductor–electrolito (ácido/alcalino)]
 ③ Los portadores de carga foto-generados (minoritarios) deben poder alcanzar los contactos antes
de recombinarse, para producir una IDC al conectar el material semiconductor a una carga (o circuito)

externa. Aquellos portadores de carga generados en el entorno del E interno (y que son impulsados
por éste hacia los contactos metálicos) tienen probabilidad de ser recolectados en los terminales.

 La célula solar F.V cumple todos los requisitos necesarios para que se produzca el efecto fotovoltaico
 Cantidad de Eeléctrica(DC) entregada por un dispositivo F.V = f [(tipo, área) del material semiconductor;
(intensidad, λ) de la radiación solar incidente sobre el dispositivo F.V]. La intensidad de la radiación
incidente influye en la cantidad de e– generados, no determina su E, ésta es f (frecuencia fotónica)

 Cuando un fotón alcanza la superficie del semiconductor: Si Efotón < Eg  fotón no absorbido, no
tiene suficiente E para forzar el salto de 1e– desde BV a BC  no contribuye a la generación de Ieléctrica.
Si Efotón = Eg  el fotón puede ser absorbido produciendo el salto de 1 e– desde BV hasta BC, dejando
1 h+ en BV y generando un par (e–, h+). Si Efotón > Eg  la E sobrante es disipada en forma de calor

Átomo de Si: EG = 1.12eV.

 La era moderna de la tecnología solar no llegó hasta 1954, cuando los investigadores estadounidenses
Gerald Pearson, Calvin S. Fuller y Daryl Chapin, de los Laboratorios Bell Telephone, descubrieron de
manera accidental que los semiconductores de Si dopado con ciertas impurezas eran muy sensibles a
la luz. Avances que contribuyeron a la fabricación de la 1ª células solar comercial. Usaron una unión
p-n difusa de Si, con eficiencia de conversión (Esolar → Eeléctrica) ≈ 6%; aplicación en naves espaciales.
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1.1.3 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE LA CÉLULA SOLAR FOTOVOLTAICA
A CÉLULA SOLAR ILUMINADA (BAJO CIERTAS CONDICIONES DE ILUMINACIÓN)
 Para que ocurra efecto fotovoltaico [conversión directa ( Eelectromagnética → Eeléctrica )]: Efotones de la
radiación solar incidente sobre la célula > EG (gap)(ancho de BP del semiconductor)[ salto energético
entre (BC–BV) ]  Si Efotones > EG los fotones incidentes son absorbidos y rompen enlaces covalentes
en las zonas (P, N), generando pares ( e–, h+ )( portadores de carga ). La rotura de enlaces covalentes,
y por tanto la generación de pares ( e–, h+ ), se puede producir también debido a la agitación térmica.
 Por difusión, muchos de los pares ( e–, h+ ) generados alcanzan la zona de carga espacial (zce)[aquí
también se generan pares debido a la radiación incidente] de la unión p-n, donde el campo eléctrico
 
( E ) existente los separa ( h+ a P, e–a N ) antes de recombinarse  El E conduce los portadores foto-
generados y dificulta su recombinación  Se origina una Ieléctrica(DC) ( fotocorriente )( corriente de
iluminación )( corriente foto-generada )( IL )( Iph ) que circula por ( interior de la célula, carga DC )

Para separar (e–, h+) se necesita un campo eléctrico ( E )→ Si conectamos 2 cables a un semiconductor
sin estructura p-n y lo exponemos al Sol, lo que conseguimos es que el semiconductor se caliente, ya
que los pares generados desaparecerían  Para conseguir la extracción es necesaria una unión p-n.
 La conexión en polarización directa permite la conducción de la Ieléctrica(DC), pero produce pérdidas
por recombinación: Un V aplicado en los terminales de la unión (d.d.p en una R conectada a la célula)
↓ barrera de potencial de la unión, favoreciendo la recombinación de pares ( e–, h+ ) y originando
(corriente de diodo)(corriente de oscuridad)( ID )[supone una pérdida de I en la célula, que es f (V)]
 ( Eabsorbida para la generación, Ecedida en la recombinación) = EG (gap)(ancho de la banda prohibida)
 En una célula solar F.V. iluminada coexisten 2 tipos de Ieléctrica(DC) de (sentidos opuestos, ≠ origen):
1) IL : Debida a la generación de portadores de carga ( e–, h+ ) producida por la incidencia de
fotones (con suficiente E para poder romper enlaces) sobre la célula. Circula de zona N a zona P
2) ID : Debida a la recombinación de portadores de carga ( e–, h+ ) originada por el VDC externo
necesario para poder entregar Eeléctrica(DC) a la carga. Circula de zona P a zona N. Es f (V aplicado)
Ineta entregada por la célula a la carga suponiendo que la célula responde linealmente a excitaciones
de (iluminación, V): ( Ifotovoltaica ) I = IL – ID (V) → Ecuación característica de una célula solar F.V.
 La I generada sale de la célula por la zona P, atraviesa la carga y entra en la célula por la zona N
 La diferencia entre (célula solar–diodo) está en el sentido de circulación de la I, son opuestos:
Célula: actúa como generador de corriente, internamente la I circula de N a P.
Diodo: actúa como fuente de tensión; con polarización directa, internamente la I circula de P a N
 Si ( generación = recombinación )[( I = 0 )(se establece una situación de equilibrio eléctrico)]
 5
B (FACTORES QUE AFECTAN AL η DE LA CÉLULA)( PÉRDIDAS EN LA CÉLULA )
 En el diseño de una célula solar se busca: ( maximizar la absorción, minimizar la reflexión ) de fotones
y minimizar la recombinación de pares ( e–, h+ ), y por tanto maximizar la conducción ( ↑ ηcélula )
 Célula solar F.V de Si cristalino (c-Si) :
①: Separación de cargas. Generación de pares ( e–, h+ )
②: Recombinación de una parte de las cargas generadas.
③: Transmisión: Una parte de Eluminosa no se aprovecha,
atraviesa la célula sin producir separación de cargas.
④: Reflexión y efecto de sombra debido a los contactos
eléctricos metálicos en la cara iluminada de la célula.
 Las pérdidas hacen ↓ηcélula, de ahí la diferencia entre ηcélulas obtenidos en laboratorio y ηcélulas comerciales
resultantes de procesos de fabricación. Importante (conocer, controlar) los ≠ mecanismos de pérdidas.
 Generación de portadores de carga debida al efecto fotovoltaico = f ( Efotones incidentes ) : Para Si son
aprovechables los fotones en el [VIS ( 400nm < λ < 700nm ), UV cercano (300nm < λ < 400nm)]. Los
del IR ( λ > 1100nm ) no consiguen romper enlaces y los del UV lejano son demasiado energéticos.
Los fotones más energéticos ( λ,  ) rompen enlaces covalentes en la superficie del semiconductor.
 Algunos de los fotones incidentes sobre la célula pueden no ser aprovechados para obtener Eeléctrica
y no todos los portadores foto-generados por fotones que sí son aprovechados, pueden incorporarse
a la Ieléctrica externa ( Ineta )(incluso en cortocircuito) y ser aprovechados en la generación de Eeléctrica

1) Fotones con ( Efotón < EG ) no son absorbidos : Poco energéticos ( λ,  ), no interactúan con el
semiconductor y lo atraviesan como si fuese transparente, sin ser absorbidos, y por tanto sin ceder su
E para generar pares ( e–, h+ ) ① Pérdidas de no–absorción : Inevitables, sólo son f ( EG )( gap )
2) Parte de los fotones incidentes con E suficiente ( Efotón ≥ EG ) no son absorbidos :
 La célula no tiene capacidad para absorber todos los fotones incidentes, debido a ( anchura finita
del semiconductor, valor finito de su coeficiente de absorción )  ② Pérdidas de transmisión
 Células gruesas, pero no demasiado para no ocasionar un ↑ recombinación de pares ( e–, h+ )
 Algunos fotones pueden reflejarse en la superficie de la célula: El Si es un material brillante que
actúa de espejo, reflejando más del 30%radiación incidente sobre él  ③ Pérdidas por reflexión
superficial , que hay que ↓ para que el semiconductor capture tanta radiación como sea posible
[ ↑ Eabsorbida por la célula ( ↑ ηcélula )]. La radiación no debe reflejarse sobre la rejilla metálica.
3) Parte de los fotones con (Efotón ≥ EG ) son absorbidos , pero algunos de los pares (e–, h+) creados se
recombinan dentro de la célula antes de salir del semiconductor hacia el circuito exterior, generando
calor  ④ Pérdidas por recombinación = f (defectos de la estructura cristalina del semiconductor)
 Cuanto más puro el material semiconductor (Si monocristalino)  ↓ Pérdidas por recombinación
 
Pares generados lejos del E de la zce, pueden recombinarse antes de alcanzarla, ya que E no podrá
ejercer sobre ellos la Fatracción suficiente para evitar su recombinación  La unión PN aprovechará
fotones energéticos capaces de romper enlaces, pero la interacción no debe ocurrir lejos de la unión.
 ⑤Pérdidas por fugas de I debidas a [imperfecciones/defectos en la estructura cristalina de la unión
p-n; conducción eléctrica por la superficie de los bordes de la célula; pequeños cortocircuitos locales]
 Se caracterizan como una resistencia en paralelo ( RP ) en el circuito equivalente de la célula.
 RP suele tener valor  apenas influye en el funcionamiento normal de muchos tipos de células.
 ⑥ Pérdidas por efecto Joule al circular una Ieléctrica a través de un semiconductor, produciendo un
calentamiento. Debidas a la resistencia del propio material semiconductor a la circulación de e− por
su interior ( lo ideal son células delgadas, pero sin que ello suponga ↓ capacidad de absorción)
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 Se caracterizan como una resistencia en serie ( RS ) en el circuito equivalente de la célula: RS
presenta un carácter distribuido en la célula, su valor no siempre es cte; (base, emisor) tienen ≠
RS debido a las direcciones en que fluyen los portadores y a las ≠ concentraciones de impurezas.
 Contactos (metal–semiconductor) introducen caídas resistivas  Se tiende a dopar en mayor %
estas zonas de contacto. La malla de metalización frontal es uno de los principales contribuyentes;
una malla muy fina ( sección ) introduce caídas resistivas, pero permite mejor captación de
radiación; el ↓ su RS implica usar dedos de metalización más gruesos a costa de ( ↑ FS, ↓ ηcélula )
 Los contactos metálicos deben permitir extraer, de la forma más eficiente posible, e– por una de sus
caras y devolverlos a la célula por la cara opuesta. Al mismo tiempo, la célula debe ser capaz de
captar la mayor cantidad posible de radiación solar incidente sobre ella, para así favorecer el efecto
fotovoltaico, sin que la presencia de los contactos suponga una merma en el proceso de absorción.
El diseño del dibujo sobre la superficie de la célula es muy importante, cuantos más contactos, más
e– capturados pero menor iluminación llegará a la superficie activa de la célula, ya que estos contactos
no son transparentes  Permitir que la mayor parte de superficie de la célula quede libre para recibir
radiación, y a la vez, cubrirla adecuadamente para recolectar la mayor cantidad posible de portadores.
 Compromiso entre (superficie de recolección de portadores–superficie libre para recibir radiación)
 Contacto delantero (donde inciden los rayos solares): Cuando la radiación solar incide sobre la
célula, una I de e– fluye sobre toda su superficie; si se ponen contactos solamente en sus bordes,
no trabajará bien debido a la resistencia eléctrica de la capa superior del semiconductor, sólo
un nº de e– haría contacto  Para recolectar más e–, se deben poner contactos a través de la
superficie entera de la célula rejilla de contactos eléctricos (tiras/dedos metálicos). Esta rejilla,
al ser opaca (no transparente), cubre parte de la ( superficie de captación útil )célula que absorbe
Eluminosa y por tanto bloquea la luz incidente  Una rejilla haría sombra en las partes activas de
la célula  ↓ η  Hay que ↓ efectos que ensombrecen la superficie de incidencia de la radiación.
 ⑦ Pérdidas por contactos metálicos  El diseño de la rejilla será un enrejado metálico formado
por muchos dedos finos, que deben tener resistencia eléctrica para conducir bien, y a la vez no
deben bloquear mucha luz incidente (no deben ensombrecer demasiado la superficie de la célula)
  ≈ 84% (hasta 90% con Si amorfo) Esolar incidente sobre un módulo se pierde en forma de calor 
( ≈ 16%Esolar ) se transforma en Eeléctrica  es necesaria una (superficie)módulos para conseguir PDC
 7
1.1.4 RESPUESTA ESPECTRAL DE LA CÉLULA PROPIEDADES OPTO-ELECTRÓNICAS
 Si [ Efotón  EG ( gap de E del semiconductor ) ]  Semiconductor capaz de absorber eficientemente
los fotones incidentes sobre su superficie. Cada semiconductor se caracteriza por un valor de la E de
su BP, que indica la Emínima ( o λmax ) de la radiación solar incidente que es capaz de absorber. Esta
EG también determina el límite superior teórico para la VOC de una célula basada en dicho material.
 ( Efotón< EG )  Fotones no absorbidos, atraviesan la célula como si ésta fuese transparente.
 ( Efotón > EG )  Fotones absorbidos. Cada semiconductor tiene una capacidad de absorción ≠
para fotones con ≠ E, medida mediante el parámetro coeficiente de absorción – α ( λ ) : [cantidad
de fotones absorbidos por unidad de longitud de material semiconductor atravesado por la
radiación solar incidente, para cada longitud de onda ( λ )] = f ( Efotón, material semiconductor )
 Semiconductor de gap directo: α varía fuertemente con la Efotones incidentes. Buen absorbente
de luz, capta todos los fotones con E > EG, en una capa de material de pocos μm. (Si amorfo)
 Semiconductor de gap indirecto: α varía suavemente con la Efotones incidentes. Necesita varios
cientos de μm de grosor de material para alcanzar absorciones al tener α( λ ) (Si cristalino)
 Los fotones incidentes se absorben más cerca de la superficie para valores mayores de α  el
de gap directo necesita menor espesor de material para absorber fotones, que el gap indirecto.
 No sólo el material semiconductor debe ser capaz de absorber fotones y generar pares ( e–, h+ ), estos
portadores de carga deben extraerse de la célula para suministrar Eeléctrica a un circuito/carga externa.
 Eficiencia de colección – ηC : Fracción de portadores que finalmente es extraída de la célula.
Es f (propiedades electro–ópticas del material, estructura de la célula). No se consiguen (ηC ≈ 1)
para todas las λ, ya que una parte de los portadores foto-generados ( e–, h+ ) se recombina antes

de alcanzar los contactos metálicos, o la zce de la unión PN donde actúa el campo eléctrico ( E )
 Una forma de diagnosticar si la célula está recolectando adecuadamente fotones de ≠ λ, es mediante:
 Eficiencia energética cuántica – QE ( λ ) = [ Nº e– extraídos de la célula (en cortocircuito) / Nº
fotones incidentes sobre la célula ] para cada longitud de onda ( λ ): QE ( λ )  α( λ )  ηc ( λ )
Eficiencia energética cuántica interna : Como QE ( λ ) pero descontando las pérdidas (pérdidas
por factor de sombra, pérdidas por reflexión en la superficie externa de captación de la célula)
 Respuesta espectral – SR( λ ) [ A / W  nm ] = [( I producida por vatio de radiación incidente )
( I extraída de la célula por unidad de Pluminosa incidente )] por cada longitud de onda ( λ )
 q (carga del e  )  1.602110 19 C 
 q  Flujo electrónico   q  λ 
SR ( λ )        QE ( λ )   34


 fotón
E  Flujo de fotones   h  c   h (Cte de Planck )  6 .626  10 J  s 
QE ( λ )  ( Flujo electrónico / Flujo de fotones )  5 
 c (vluz )(vonda incidente )  3 10 km / s 
[SR(λ), QE(λ)] permiten identificar (problemas, defectos) en la célula y saber dónde se producen.
  q  Ac  
ISC  I L (corriente fotogenera da )  A c   [ SR ( λ)  G( λ) ]  d λ      [ Q E (λ)  G( λ)  λ ]  d λ
0  hc  0
G( λ )[ Distribución espectral de la radiación solar incidente]; Ac (área de la superficie de la célula)
 [(Rendimiento energético)célula ( ηcélula )] es f (contenido espectral de la radiación solar incidente);
es decir, con radiaciones de determinadas λ, una célula proporciona más Eeléctrica(DC) que con otras λ
 Un dispositivo F.V es tanto mejor cuanto mejor sea su respuesta espectral, es decir, cuanto mejor
se adapte su curva de respuesta espectral al espectro de la radiación solar incidente sobre él.
 Sensibilidad espectral: Indica el rango de λ en el que la célula trabaja de forma más eficiente.
La radiación global más energética está entre (400  800)nm ( correspondiente al
espectro VIS )
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← α( λ ) para ≠ materiales F.V en f ( Efotones incidentes ): La línea

punteada es la distribución espectral AM1.5 de referencia
[ Fracción absorbida de radiación solar incidente, con energía
superior al gap ][ %fotones absorbidos con ( Efotón > Eg ) ]

Si cristalino (c–Si) se comportan mejor con λ largas; las de película delgada lo

hacen mejor en el rango VIS [Si amorfo ( a–Si ) absorbe mejor radiación de λ corta;
( CdTe, CIS ) absorben mejor las de λ media ]

Curva de ηóptimo para el aprovechamiento del espectro solar en f (gap de energía del semiconductor), con
una indicación de los materiales típicos para aplicación F.V. El gap óptimo se sitúa entre (1.4  1.5)eV
 9
Material Ge CuInTe2 CuInSe2 c-Si InP GaAs Cu2Se CdTe CuInS2 Se a-Si:H CdS
Gap [eV] 0.67 0.9 1.01 1.12 1.27 1.45 1.4 1.44 1.5 1.6 1.7 2.42

1.1.5 MODELO IDEAL CURVA CARÁCTERÍSTICA ( I-V ) PARÁMETROS BÁSICOS

 Principio de superposición  Ineta de una célula iluminada y sometida a una V = [ I que pasaría por
la célula en circuito abierto e iluminada + I que pasaría por la célula sometida a V pero sin iluminar]
 Ieléctrica ( Ineta )( I ) suministrada por una célula es un balance entre [fotocorriente ( IL )( Iph ), corriente
de oscuridad ( Idiodo )( ID )( depende de la tensión ( V ) aplicada en los terminales de la célula )]
Circuito
equivalente
de dispositivo
intrínseco

I  ( I L  I D )  I L  I 0  [ e[ V / ( mVT ) ]  1 ] V  m  VT  Ln ( 1  [ ( I L  I ) / I0 ] ) VT  ( k Tc ) / q

 ID (corriente del diodo) representa la recombinación inducida en la célula, depende exponencialmente

de la tensión de operación (V)  Si ↑ V  ↑ Recombinación  (↑pérdidas por recombinación, ↓I )
 I0 ( corriente inversa de saturación del diodo ); ( q )( carga eléctrica del e– ) = 1.6021 10 19 C
 ( m )[(Factor de idealidad del diodo)(parámetro constructivo), (m = 1) diodo ideal]; Tc ( Tcélula )[K]
( k )( Constante de Stefan Boltzman )  5.6697  108 ( W  m2  K 4 )  1.38  1023 ( J / K)
  k  Tc   1.38110 23  (273.5  25)  
Voltaje térmico: VT      0.0257V  → VT ( 25º C )  25.7mV
  q   1.60211019 
 
 [ Característica de iluminación ][ curva característica ( c.c )( I–V ) de una célula solar F.V ]:
Representa pares de valores ( I, V )DC en los que puede encontrarse funcionando la célula bajo
determinadas condiciones de operación/trabajo [Tambiente ( Ta ) o Tcélula ( Tc ); irradiancia solar ( G )]
 Célula cortocircuitada ( V aplicada a la célula
= 0 ) la Ineta que circula por la célula se debe
solo a la ( IL ): Si ( V = 0 )  ( I = IL = ISC )
 ① I permanece casi cte hasta cerca del valor
de tensión (V) en el que el diodo se polariza
directamente y empieza a conducir corriente.
 ② I ↓ abruptamente hasta anularse (célula en
circuito abierto) en el punto (VOC, 0) de la c.c
(I, V), donde ( IL, ID ) quedan compensadas:
Si ( I = 0 )  ( IL = ID )  ( V = VOC )
 IDC (max) que circula por la célula cuando está en cortocircuito. (ISC ↑ al ↓ EG)
ISC Corriente de
cortocircuito  Para un EG dado, está determinada por (reflexión, absorción, recombinación)
 Imax = ISC = I ( V = 0 ) = IL
Tensión  VDC (max) en bornes de la célula cuando no está conectada a ninguna carga.
VOC en circuito  Vmax alcanzado cuando toda la IL se transforma en ID (circula por el diodo)
abierto  Vmax  VOC  V ( I  0 )  m  VT  Ln [ 1  ( IL / I0 ) ]  m  VT  Ln ( IL / I0 )
 Corresponde a la situación: nº procesos de recombinación = nº procesos de generación
 ( VOC ↑ al ↑ EG ), para un EG dado, está determinada por los procesos de recombinación.
 En la c.c ( P–V ) hay un máximo [ Punto de Máxima Potencia ( PMP )–( MPP )( Maximum Power
Point ) ]( Vmpp, Impp ). Su localización viene definida por la condición: [ ( dP / dV ) = 0 ]
 10
Potencia de la célula : P  ( V I )  ( V I )  ( V I )  [ e[ V / ( mVT ) ]  1 ]  se sustituye V
mpp 
 L 0



[ ( dP / dV )  0 ]  [1  ( I / I ) ]  e[Vmpp / ( mVT )]  ( 1  [ V / ( m  V ) ] )  en I  I mpp  
 L 0 mpp T 

 La PDC (max) [ PDC entregada por la célula en el MPP de su c.c (I-V) ] se considera como Pnominal :

Pmpp  (Vmpp Impp)  Producto ( Vmax  Imax ) de los valores de ( V, I ) máximos para los que
la P entregada por la célula a una carga conectada a ella es máxima.
 Potencia pico ( Pp ): Pmax generada en condiciones estándar (STC)[ Tcélula = (25 ± 2)ºC, irradiancia
solar incidente = 1000 ( W / m2 )(en un día soleado al mediodía)]. Unidad: [Vatios pico][ Wp ]
 Potencia máxima ( Pmpp )( Ppmp ): Pmax en condiciones ≠ a las STC. Unidad: Vatios [ W ]
 [ Área del rectángulo definido por ( Vmpp  Impp ) < Área del rectángulo definido por ( VOC  ISC ) ]→
La relación entre ambas áreas se cuantifica mediante el parámetro factor de forma (o de relleno):
 Vmpp  I mpp   Pmpp   [ 0 < FF ( Fill Factor )( PDC (max) que la célula puede entregar
FF   
  V I


 VOC  ISC   OC SC  a una carga conectada a ella / PDC (max teórica) ) < 1 ]
 Es una medida de la calidad de la unión PN y de la resistencia serie ( RS ) de la célula.
 [ ( FF)  muchas pérdidas en la célula ] [ ( FF )( > 0.70 )  célula de buena calidad ]
Cuanto más cercano a 1 (cuanto más prominente/agudo sea el codo de la c.c localizado en MPP), la
c.c ( I–V ) con iluminación se aproxima más al rectángulo de Pmax teórica  Célula de mayor calidad
( Rendimiento )( Eficiencia de conversión energética de radiación solar en electricidad ) = Peléctrica(max)
( Pmpp ) que la célula puede entregar a la carga / Psolar radiante ( PL ) incidente sobre la célula [ irradiancia
incidente ( G )  área ( Ac ) de la célula ] → ηmax = ( Pout (max) / Pin ); cuantifica la calidad de una célula.
 Pmpp   Vmpp  I mpp   FF ( VOC  ISC ) Al ↑ ( ISC y/o VOC )(siempre que no se perjudiquen
η   
  A G

 

 PL   c   Ac  G  otros parámetros de funcionamiento )( ↑ ηcélula )

1.1.5 MODELO REAL (CIRCUITO EQUIVALENTE REAL DE UNA CÉLULA SOLAR F.V)
 Circuito equivalente real de una célula solar F.V iluminada = (Fuente de corriente DC en | | con un
diodo) + [ 2 resistencias que representan las pérdidas intrínsecas al diseño (calidad de la unión PN) y
al comportamiento de los materiales semiconductores de la célula ]→ Ineta ( I ) = ( IL – ID – IRp )

 La corriente foto-generada ( IL )( Iph ) se modela como un generador

de corriente DC y la corriente de oscuridad ( ID ) como un diodo.
 Se incluye [ resistencia serie ( RS ), resistencia paralelo ( Rp ) ] para
representar los efectos no incluidos en la ecuación de I del modelo
equivalente ideal, pero apreciables en las células solares F.V reales.
 H : ( ex >> 1 ) en todas las condiciones de operación, ( ISC  IL ), contribución de Rp despreciable [
en células solares de calidad → ( FF, η )  ( Rp ) comparada con el valor del numerador ]
 V  ( IR s )  Hipótesis: ( m 1 ) ( e x 1 )
  ( R p   ) ( I L  ISC )  V  ( IR s ) 
 
mVT 
I  I L  I0  [e   1]  [( V ( I R s ) ) / R p ]  I  ISC  I0  e
VT 

 En circuito abierto :   VOC  VT  Ln ( ISC / I0 )  [ V  ( IR s )  VOC ] / VT

    ( VOC / VT )   I  ISC  [ 1  e ]
 ( I  0 )( V  VOC )   I0  ISC  e 
I (V=0) ≠ ISC; pero en células VOC  ( I R s )  I (V  0)  ISC  [1  (I 0 / ISC )]  (ISC  I0 )  ISC

 Una célula estándar (10×10 cm)(100 cm2)], a [VDC ≈ (0.5  0.6)V ] da [ IDC = (2.2  4)A; PDC ≈ 1Wp]
 11
La célula suministra Ieléctrica(DC) de forma proporcional a la intensidad de la radiación solar que reciba
(I varía linealmente con la radiación solar incidente sobre la célula). En días nubosos (radiación),
la célula sigue operando; mientras haya luz solar, sigue generando Ieléctrica, pero en menor cantidad.

CÉLULA SOLAR F.V EN AUSENCIA DE ILUMINACIÓN (EN LA OSCURIDAD)

 El funcionamiento de la célula solar en ausencia de iluminación (en la oscuridad) es similar al de la
unión PN; c.c (I–V)célula similar a la del diodo de unión. En oscuridad (considerando el modelo ideal):
I  I D  I0  [ e[ V / ( mVT ) ]  1 ] [ ( I0 ): Corriente inversa de saturación del diodo, es f ( T ) ]
 I va de P a N y se produce por la recombinación inducida en la célula por efecto de la V
 Célula básica polarizada directamente y sin iluminar: Potencial térmico
 V  ( IR s )   V  ( IR s )   k  Tc 
    VT   
 n d VT   n r VT 
I  I D   I0 d [ e 1 ]  I 0r [ e 1 ]  q 

Ineta entregada a una CÉLULA SOLAR F.V ILUMINADA

carga por una célula  V  ( IR s )   V  ( IR s ) 
   
iluminada y polarizada  n d VT   n r VT 
I  I L  I0 d  [ e  1 ]  I0 r  [ e  1 ]  [( V ( I R s ) ) / R p ]
directamente
 Corriente foto-generada (Corriente de iluminación) debida a la generación de portadores que
IL
produce la iluminación [fotones que inciden sobre la célula con E ≥ EG (ancho de la BP)(gap)]
I0d  Corriente inversa de saturación debida a fenómenos de difusión.
 Corriente inversa de saturación debida a fenómenos de recombinación de portadores de carga
I0r
que produce el V externo aplicado. ( I0r >> I0d )
nd nr  Factores de idealidad del diodo para [ difusión ( ≈ 1 ), recombinación ( > 1 ) ]
 Modelo de rectas:
 Para ( V  Vmpp ) : 
  
 I  ISC  ( V / R s )  I mpp 
 Para ( V  Vmpp ) : 
 
 I  [( VOC  V ) / R s ]
Símbolo de una
célula solar F.V
[ válido para un
módulo solar F.V ]
Componente de recombinación
domina en el rango V, donde
no suelen trabajar las células;
componente de difusión domina
en el rango de V (rango
práctico de uso de las células F.V)
 Al iluminar una célula, mientras esté conectada a una carga externa, funciona como un generador de
Eeléctrica ( como fuente de IDC ), proporcionando unos valores de ( I, V )DC variables en f ( condiciones
de operación )[irradiancia ( G ), temperatura ( T ), punto de trabajo ( I, V )DC que imponga la carga]
 Sin iluminación, la I que circula a través de la célula coincide con la que circula ( ID ) a través de un
diodo, es debida a la recombinación inducida dentro de la célula por efecto de la tensión V aplicada.
 12
 Para irradiancia solar ( G ) = 1000W/m2, la célula genera
una VOC ≈ 0.6V y una ISC que dependerá de su área de
exposición a la radiación solar. En general, para un área
de exposición de 100cm2 la intensidad suele ser de ≈ 3A
 Figura: conexión de células en serie y/o paralelo

 c.c ( I–V )( O ) de la célula en oscuridad = c.c de un

diodo ordinario; la c.c ( I–V )( E ) corresponde a la
célula iluminada, cuando sobre ella incide una
determinada radiación, resulta de trasladar la c.c (
O ), proporcional a la Eluminosa recibida.

 En la práctica, una célula F.V trabaja con dificultad

fuera de ④, donde la PDC entregada por la célula
pasa por un valor máximo (Pmpp) para determinados
valores de ( Vmpp, Impp )(correspondientes al PMP)

 ①: Diodo con polarización directa (forward bias); [ para ( I = 0 ), Vbornes de la célula = VOC ]
 ②: Diodo con polarización inversa (reverse bias); [ I independiente de V  Fuente de I ]
 ③: c.c ( O )(célula sin iluminar) indica la Iinversa de fuga en la oscuridad en f ( Vinversa ); la c.c ( E )
(célula iluminada) da la variación de esa I con la iluminación. La célula funciona como fotodiodo.
 ④: Célula funciona como generador de E. Región de trabajo normal de una célula.
 13

1.1.6 EFECTO DE LAS RESISTENCIAS(RS,RP) Y DE LOS FACTORES AMBIENTALES

EN LA C.C(I-V) Y EN LOS PARÁMETROS DE FUNCIONAMIENTO DE LA CÉLULA
 RS : Debida a [contactos (metal–semiconductor), malla de metalización, interconexiones eléctricas,
capas semiconductoras, vol. de material semiconductor]. Al circular I por ella, disipa E en forma de
calor debido al efecto Joule; se debe a que los e– generados en el semiconductor que alcanzan la
zona N superficial, deben correr por la superficie hasta alcanzar una tira metálica de la rejilla metálica.
 Menor cuanto mayor superficie metálica de rejilla, pero entonces menor área del semiconductor
sobre la que incide la radiación solar y el valor de VOC es también más pequeño  compromiso
 Al ↑ RS  [ ↓ Pmpp ( ↓ P en el MPP ) ][ ↓ FF (  ↓ ηcélula ) ][ ↓ ISC ( muy poco, es casi cte ) ]
No afecta a VOC, afecta significativamente al Voperación

 ( Rp )( Rsh )(shunt resistance): Se debe a la no idealidad de la unión PN y a las impurezas cerca de

la unión. Relacionada con (imperfecciones, calidad) de la unión PN. Modela [fugas de I en los bordes
de la célula; cortocircuitos metálicos; recombinación favorecida en las fronteras de grano del cristal]
 Al ↑ Rp  [ ↑ Pmpp ( ↑ P en el MPP ) ][ ↑ FF (  ↑ ηcélula ) ][ ↑ VOC ( muy poco, es casi cte) ]
No afecta a ISC, afecta significativamente a la Ioperación
 Valor  influencia en el funcionamiento global de la célula  Despreciable su contribución
 En aplicaciones terrestres, influyen 2 factores externos: Temperatura [ ( Tambiente )( Ta )–( Tcélula )(
Tc ) ]– Intensidad de la radiación solar incidente ( G )( irradiancia solar )( nivel de iluminación )
 Tc ( Tcélula ) = f [ Ta ( Tambiente ), G ] = f ( variaciones climáticas, dispositivos concentradores )
 La exposición al Sol provoca calentamiento, y al ↑ Tcélula, su producción de Eeléctrica varía.
1) INFLUENCIA DE T SOBRE IL ( ≈ ISC ): El ↑ Tcélula estrecha el salto entre (BV–BC)  con iluminación
cte, IL ↑ ligeramente, debido al estrechamiento de la BP, que desplaza el umbral de absorción hacia
fotones de menor E. La mejora es más acusada en células de GaAs que en las de Si, pero la variación
es muy pequeña  [ IL ( ≈ ISC ) ↑ ligeramente al ↑ T ]  ( puede considerarse independiente de T )
2) INFLUENCIA DE T SOBRE ( VOC, ISC, Pmpp, FF, η ): [ Al ( ↑ T )  ↓ ( VOC, Pmpp, FF, η ) ]; ISC ≠ f (T)
[ q / ( k Tc ) ][ V  ( I R s ) ]
 Suponemos una célula ideal ( m = 1 ): I  I L  I 0  [ e 1 ] ①

I0 ( T )  ( K Tc3 )  e[ E G 0 / ( kTc ) ] ② [ K, EG0 (ancho de BP a 0K) ]: Ctes independientes de T

 De ( 1 ) y ( 2 )  0  I L  I 0  e
[( q VOC ) /(k Tc )]   E G 0   k Tc   K Tc3 
        
I  0  V  V     OC
V (T)     Ln
3 [ E G 0 / ( k Tc ) ]   q   q   
 OC  
I 0  K Tc  e   IL 
3) INFLUENCIA DE G SOBRE ( VOC, ISC, Pmpp, FF, η ): Al ( ↑ G )  ( VOC ↓ ligeramente, ISC ↑, Pmpp ↑ )
 El efecto de G en VOC es menos importante que en ISC, puede despreciarse en muchos casos.
 El FF de la célula intrínseca ( RS = 0, Rp = ∞ ) ↑ ligeramente con G: Si ↑G  FF ↑ ligeramente
 η↑ logarítmicamente al ↑G, hasta alcanzar cierto nivel máximo, y luego ↓ rápidamente al ↑ G
 14
4) INFLUENCIA DE G SOBRE IL : IL directamente proporcional a G en un margen de funcionamiento
→( La cantidad de e– liberados depende de la cantidad de fotones incidentes aprovechables )
 Célula de buena calidad  ( ISC  IL )  ISC ( G )  ( X ISC1 )  [ ( G / G0 )  ISC ( G0 ) ]
Dependencia lineal ISC ↑ al ↑G [ ISC( G0 ) ≡ ISC(1) ≡ ISC1 : IL (  ISC) generada con 1Sol ]
 ( G )[ Irradiancia en las condiciones de trabajo dadas ]; ( G0 )[ Irradiancia en condiciones (STC) ]
1Sol = 1000[W/m2 ]( AM =1.5, Tcélula=25ºC )→(STC)(día claro con el Sol en el cenit, al mediodía)
 15

1.2 [( MÓDULO/PANEL/PLACA ) SOLAR FOTOVOLTAICO][PV SOLAR MODULE]

1.2.1 INTRODUCCIÓN–(DEFINICIÓN-CARACTERÍSTICAS-COMPONENTES)

 Dispositivo comercial acabado, formado por células solares F.V (conversión Esolar→Eeléctrica) iguales,
conectadas eléctricamente entre sí [en serie (y/o paralelo), de manera que la ( V, I )DC suministradas
por el módulo se ↑ hasta ajustarse al valor deseado para la aplicación F.V] y encapsuladas en un
único bloque [estructura (rígida, robusta, manejable)] para proporcionar [aislamiento eléctrico del
exterior, protección a la intemperie (humedad, corrosión)]; y preparado para su instalación exterior.
 16
 Célula solar F.V: ① Frágil [vulnerable a (lluvia, granizo, nieve, viento, polvo, humedad, corrosión)],
no aislada eléctricamente, propensa a sufrir daños mecánicos (no tiene soporte estructural)–②Genera
poca Eeléctrica [da valores de ( V, I )DC limitados, menores a los requeridos por las cargas (receptores)
(aparatos de consumo) convencionales conectadas a ella]  ③ Necesario una estructura mecánica
(hermética, rígida, resistente) que pueda contener un nºcélulas  Módulo solar F.V cumple ambos
requisitos, además de facilitar ( transporte, conexionado externo, montaje a una estructura soporte );
es el elemento de generación usado para la implementación de los sistemas solares F.V (SFCR, SFA)
 Necesidad de agrupar células en serie y/o paralelo para obtener robustez y suficiente Eeléctrica [para
suministrar a las cargas valores de (V, I)DC adecuados)] hasta generar la PDC deseada, que será f (tipo
de ISF, cargas a alimentar, si dispone o no de un sistema de acumulación y/o de adaptación de I…)
 Además de células solares, hay otros componentes para conseguir ↑ ( η, vida útil )módulo, éstos deben:
 Proteger al módulo de la acción de los agentes atmosféricos externos. Debe aguantar condiciones
meteorológicas duras [lluvia, impacto por granizo, viento, hielo, abrasión, cambios bruscos de T]
 Proporcionar aislamiento eléctrico del exterior, permitiendo las conexiones eléctricas exteriores.
 Dotar al módulo de suficiente rigidez mecánica para su fijación a una estructura soporte metálica.
 Sin partes móviles, no contamina, silencioso, no consume combustible, inalterable al paso del tiempo,
mantenimiento nulo/escaso [ por su propia configuración, la lluvia elimina la necesidad de limpieza;
de ser necesario, por ej. si la ISF está en un entorno con mucho (polvo, tierra), podría producirse una
ligera ↓ ( producción )módulo  limpiar con (agua + detergente no abrasivo)]; capta [ radiación directa,
radiación difusa ( la filtrada a través de las nubes )( genera Eeléctrica en días nublados, pero con menor
η ); en noches de luna llena puede proporcionar VDC, pero apenas habrá IDC () para poder usar ]
(Amplia gama de aplicaciones F.V–Integración en edificios)  muchos tipos de módulos,
diferentes en sus características (eléctricas, estructurales, estéticas). [ Vida útil = ( 25  30 ) años de
uso, con una degradación ]; un módulo debe ser ( fiable, estable ) incluso operando en condiciones
ambientales adversas (T, nieve, granizo, lluvia, humedad…) se somete a unos ensayos de
cualificación de sus características (eléctricas, físicas, ambientales). Fabricado bajo certificaciones
de (calidad, seguridad)
 Construcción de un módulo : [ ① asociando células en serie hasta obtener el nivel de VDC deseado
+ ② asociando en | | varias asociaciones serie de células hasta alcanzar el nivel de IDC requerido]
 VDC(total) del módulo = f ( nº células asociadas en serie ) [ VDC (salida) ]célula estándar ≈ 0.5V

 IDC(total) que suministra el módulo = f [nº células conectadas en | |, (tipo, tamaño) de las células]
 [( P, V, I )DC]módulo son f [nº células asociadas en serie y/o paralelo, condiciones de funcionamiento
(nivel de radiación solar incidente, viento, inclinación, orientación…)]. La [irradiancia solar (G),
(Ttrabajo)células/módulo] determinan mayoritariamente los (parámetros eléctricos de operación)módulo
 Módulos comerciales (nº células ≥ 36)( 36, 48, 54, 60, 66, 72, 88, 96 ) diseñados para trabajar con
baterías (SFA) de VDC múltiplo de 12V (12, 24, 48)V. (la superficie del módulo no está cubierta
totalmente por células;  pérdidas eléctricas debidas a la asociación serie de células)  ηmódulo

 Los módulos suelen construirse con todas sus células en serie, cuyo nº depende de las características
técnicas (de las células, deseadas para el módulo). Según el tamaño de la célula usada se obtendrán ≠
valores de ISC. Las células que formarán el módulo se eligen con características muy similares para
optimizar la producción de Eeléctrica [para ↓ (pérdidas por dispersión de parámetros)(mismatching)]
 Modularidad : Pueden acoplarse en forma modular  Permiten pasar de un sistema F.V doméstico
(consumo) a otro sistema F.V mayor ( industrial )[ ( parques, huertas ) F.V ](consumo). Las ISF
 17
suelen necesitar más de un módulo para satisfacer la demanda eléctrica  Se asocian en serie
y/o paralelo para obtener PDC (IDC  VDC) necesaria  string (rama/cadena)(asociación serie
de 2 o más módulos); array (Generador F.V)(GFV)(asociación de 2 o más strings); los GFV se
interconectan entre sí para formar un campo solar F.V (sus parámetros eléctricos se determinan a
partir de los del módulo)
 Un aspecto clave en el desempeño de un módulo es su comportamiento cuando está expuesto a un
sombreado parcial/total en cualquier parte de su superficie de captación de radiación solar incidente.
Los módulos no deben verse afectados por sombras, ya que ocasionaría ↓ drástica de la IDC generada.
 Un módulo F.V puede tener forma cuadrada o rectangular. En su fabricación, cada fabricante usa su
propia empaquetadura, pero ciertas características son comunes a todos ellos, como es el uso de una
estructura en sándwich, en la que ambos lados del conjunto/grupo de células asociadas entre sí quedan
mecánicamente protegidos  ① evita la entrada de [ tierra, nieve, agua ( humedad )( principal causa
de degradación del módulo a largo plazo )...]; ② proporciona protección frente a agentes atmosféricos
y cambios bruscos de T [pueden llegar a ser importantes por ej. en ISF ubicadas en lugares desérticos
con niveles de irradiación, donde Tmódulo puede oscilar entre (–10ºC durante la noche, cerca de 80ºC
en horas centrales del día)…]; ③ proporciona rigidez mecánica al conjunto y aislamiento eléctrico.
Los módulos de Si cristalino (c–Si) se encapsulan en cristal (delante) y tedlar (detrás), con marco de
Al. Los módulos con tecnología de lámina delgada (thin-film) no se suelen enmarcar (frameless); la
cubierta trasera (posterior) actúa de substrato sobre el que se depositan varias capas de material F.V
Todo material expuesto a la radiación solar debe resistir a la acción deterioradora de los rayos UV
 Reciclado : Un módulo es a día de hoy reciclable al 80% mediante un adecuado tratamiento consiente
en recuperar materias primas. Gran parte de los materiales de los que está formado el módulo pueden
recuperarse y reutilizarse al final de su vida útil, ya sea para fabricar nuevos módulos u otros productos
nuevos; materiales como (vidrio, Al) así como una gran variedad de materiales semiconductores, son
valiosos cuando se recuperan  El reciclaje beneficia al medio ambiente, reduciendo notablemente
las cantidades destinadas a convertirse en residuos ( ↓ Vresiduos ), ayuda a ↓ E necesaria para proveer
de materia prima y por lo tanto ↓ (costos, impactos ambientales) de la producción de módulos. Los
procesos industriales de reciclaje existen para la tecnología de película delgada y para módulos de Si;
 Huella de Carbono (Carbon Footprint): Su estudio debe ser acorde a la ISO 1064 y al protocolo GHG
(GreenHouse Gas Protocol), organismo para cuantificar y gestionar las emisiones de gases de efecto
invernadero (GEI) y su objetivo es determinar la repercusión de las emisiones de GEI emitidos por
causa directa o indirecta a lo largo de toda la cadena de valor del módulo, valorando así su impacto
real en el entorno. La generación de Eeléctrica con módulos no produce GEI directamente, las emisiones
están asociadas a otras partes del ciclo de vida del módulo tales como (fabricación, transporte). Los
principales componentes del módulo están hechos de Si cristalino y su fabricación es un proceso de
consumo energético que representa un % del total de E usada para fabricar el módulo. La huella
de carbono de un módulo (nivel medio de emisiones de GEI del que es responsable durante un plazo
de tiempo superior a su vida útil) es f (origen de los materiales, distancia a la que deben transportarse,
fuente de E usada por las plantas de fabricación…) y es ≈ 72 [ gCO2e / kWh ][ g de dióxido de carbono
equivalente por kilovatio-hora de Eeléctrica generada por el módulo], que supone un [tiempo de retorno
de E (Energy Payback Time) para su fabricación < 1 año][considerando una (vida útil)módulo = 30 años]
18
19
20
 21
 Cubierta frontal : Expuesta a la acción de los rayos solares, protege al resto de componentes [protege
la (cara activa)células ] de las inclemencias meteorológicas y esfuerzos mecánicos. Al ser parte de la
(estructura)módulo le da rigidez mecánica de cara a acomodar bien las células y el cableado entre ellas.
 ① Transmisividad en la banda espectral en la que trabajarán las células, en todo el rango
de λ de la radiación solar incidente aprovechadas por la célula. Transparente al (VIS,
IR cercano)[( 350 ≤ λ ≤ 1200 )nm ](c–Si) – ② Reflectividad (buen comportamiento
anti–reflexivo) para aprovechar al máximo la radiación; puede ↓ aplicando capas anti-
reflectantes o tratamientos anti-reflexivos.
③ Superficie externa lisa, sin bordes ni desniveles, para no facilitar la acumulación de (suciedad
/ polvo)[provocan pérdidas y dificultan la auto-limpieza mediante la acción del (viento + lluvia)];
superficie interna rugosa, para mejorar su adherencia al encapsulante, con el que está en contacto
directo, y la penetración de la radiación; al reflejarse la radiación entre los intersticios que dejan
las células, ésta se refracta en las rugosidades, haciendo que incida nuevamente sobre las células.
 Impermeable al agua [si entrara agua/humedad ambiente dentro del módulo,
corroería (contactos metálicos, interconexiones eléctricas), degradando su
funcionamiento  ↓ vida útil ]; estable ante una exposición prolongada a los rayos
UV (muy energéticos); resistividad térmica ( para disipar bien el calor generado por
las células, ya que la PDC que éstas entregan ↓ al ↑ Tcélula ); resistencia mecánica [a ( impactos,
abrasión ) causados por (granizadas, vientos fuertes que portan arena)]
 Material–( vidrio solar )[ templado, contenido en Fe ( ↓ absorción de Eradiante )]: (
transparencia, transmisividad ), reflectividad, impermeable al agua, buenas
propiedades de auto–limpiado ( la suciedad tiene menos tendencia a adherirse a su
superficie externa), resistencia a la acción deterioradora de los rayos UV. Con capa anti-
reflectante para ↓ reflexión de la radiación solar.
Si está humedecido con agua puede proteger del sombreado provocado por (polvo,
suciedad) y así mejorar la auto-limpieza del vidrio de modo que las (células)módulo
puedan mantener una η.
(Mechanical specifications): [( 3.2, 4.0 )mm, low iron content, high transparency, low reflection,
tempered / hardened, termally pre-stressed, white] solar glass with anti-reflective coating (ARC)
 Encapsulante : ① Proporciona adhesión entre [células–cubiertas (frontal, posterior)] – ② Protege
las células y a sus contactos eléctricos de interconexión (evitando su corrosión)–③ Previene el daño
mecánico [amortigua posibles (vibraciones, impactos) que puedan producirse] – ④ Controla, reduce,
o elimina el ingreso de humedad al interior y proporciona aislamiento eléctrico  ↑( vida útil )módulo
 El conjunto de células se encapsula entre 2 láminas finas de EVA (Ethylene Vinyl Acetate)(etilen
vinil acetato)[polímero termoplástico conformado por unidades repetitivas de (etileno, acetato de
vinilo); una de las láminas está colocada entre [( contacto frontal )células–(superficie inferior)vidrio],
y la otra entre [( contacto trasero )células–(superficie superior)cubierta posterior]. Todo el conjunto (EVA
+ células) se calienta (a ~ 150/140ºC) para endurecer el EVA y así pegar entre sí los componentes.
Solar EVATM : Buenas propiedades ópticas de (transparencia, transmisión)[ transmisividad, sin
verse afectada por la continua exposición al Sol ]; [ nula degradación ante la radiación UV, estable
a T ][ resistencia al envejecimiento por (UV, calor) ], resistente a ( humedad, fatiga térmica,
abrasión ), impermeable al agua ( sin capacidad para absorberla ) / gases; excelentes propiedades
de encapsulado durante el laminado [muy buena adherencia al (vidrio, células, capa posterior);
flexibilidad (protege las células del estrés mecánico durante el laminado), resistividad térmica
El EVA debe garantizar el efecto de aislante eléctrico y protector durante toda la (vida útil)módulo
Una lámina de EVA de calidad, a largo plazo, puede sufrir degradación severa [descomposición,
decoloración (cambio del color), de-laminado]  ( ↓ ηmódulo )  debe usarse un EVA de calidad
 22
 TPO (thermoplastic polyolefin): Material repelente al agua que ↓ efectos de corrosión del módulo.
Por ej., módulos con SmartWire Connection Technology ( SWCT )( SolarTech Universal ) lo usan.
En el laminado estándar se usa EVA, que contribuye a la degradación del módulo al exponerse a
la humedad; el TPO ofrece mejor protección contra el PID al absorber menos humedad que el EVA.

 Células solares F.V : Realizan la transformación (Esolar → Eeléctrica). Tienen unos contactos metálicos
en su cara posterior y frontal [rejilla metálica en forma de dedos muy finos (grid or contact fingers)]
que recogen la IDC generada, y la llevan a unos buses/barras conductoras (Busbars)(BB) [hechas de
una pasta de Cu revestida con Ag (mejora la conductividad eléctrica en la cara frontal y ↓ oxidación
en la cara trasera)]. Unas cintas conectoras planas de Cu [(tab / stringing / interconnect) ribbons or
wires](flat copper wires), se sueldan a los BB para conectar entre sí las células (capa P de una célula
con capa N de la siguiente) de una rama y recoger la ( IDC )rama. Las cintas se conectan en | | mediante
bus wires (string interconnect) que llevan la (IDC)módulo a la caja de conexiones (junction box)(J-box)
Los dedos metálicos que forman la rejilla frontal de la célula y los BB, son impresos sobre la superficie
de la célula mediante una tecnología llamada screen printing. En la parte trasera backside printing.
 Cubierta posterior –(Backsheet)–Proporciona: ① sellado por la parte trasera 
protección frente a agentes ambientales externos [ agua, humedad, absorción de
radiación UV (perjudicial) ](protege los componentes electrónicos/eléctricos de la
exposición directa al ambiente/entorno); ② aislamiento eléctrico (da seguridad
de operación con VDC)]. Resistividad térmica (para disipar bien el calor)
 Material–(Tedlar® PVF film)(Poly-Vinyl Fluoride): Una película de fluoropolímero
termoplástico adosado a toda la (superficie trasera)módulo; resistencia a agentes
atmosféricos, permeabilidad al (vapor, humedad) y a los líquidos, puede usarse
en un amplio rango de Ttrabajo (–70  110 )ºC
 TPT (laminado tricapa)[PVF + PET (resina de poliéster termoplástica) + PVF]: buenas propiedades
de barrera anti-humedad y de resistencia a rayos UV; [ ↓ ( Ttrabajo )células, ↑ ( longevidad )módulo ]
 Varias capas opacas o transparentes (para reflejar la radiación solar que traspasó las células,
volviendo a la superficie interna del vidrio para volver aprovecharse). Los módulos bifaciales (con
células bifaciales) llevan un vidrio para captar la radiación por la parte posterior. Puede tener una
hoja metálica (metal foil)(de Al )(mejora la disipación de calor, muy importante para la PDC(salida))
OPCIONES: ①[ PVF/adhesivo/PET/adhesivo/PVF ]; ②[ PVF/adhesivo/PET ]; ③[ PVF/adhesivo
/lámina de Al/adhesivo/PET ]; ④[ PET/adhesivo/SiO2 PET ]; ⑤[ coating/PET/adhesivo/EVA ]
 Marco : Enmarca todo el conjunto y proporciona la p necesaria para mantener juntas las partes que
integran el laminado (vidrio-EVA-células-EVA-backsheet). De Al anodizado [evita oxidación, óptima
relación (momento de inercia–peso) que da mayor rigidez y resistencia a la (torsión, flexión)]; protege
el laminado albergado en su interior de tensiones (térmicas, mecánicas); sirve de punto de fijación a
la estructura soporte; diseñado para facilitar el (transporte, instalación)módulo; adherido con silicona.
 Da al módulo rigidez estructural y ↑ su resistencia mecánica. Tiene perforaciones/orificios a lo
largo de su perímetro [agujeros/slots de montaje/instalación para anclarlo mediante elementos de
sujeción (tornillos, anclajes) a una estructura soporte; orificios de drenaje; varias tomas de tierra]
 Viene preparado de fábrica para su puesta a tierra (de ser necesario). Sin salientes, para que no se
acumule (agua, polvo). No taladrarlo, las vibraciones producidas pueden hacer estallar el vidrio.
 Toma de tierra: Deberá usarse si el nº unidades (módulos) que van a instalarse es grande.
 Junta selladora ( perfil de goma )( material esponjoso ): sirve de cierre hermético a lo largo de todo
el perímetro del módulo, evitando la entrada de agua (humedad) y la oxidación (lo que ↑ resistencia
óhmica) de las conexiones eléctricas internas; protege los bordes del vidrio (evitando la exfoliación)
 23
Silicona: para el (pegado, sellado) de (marcos, cajas de conexiones). Gran adhesión a la mayoría de
los substratos usados en la fabricación de módulos y no pierde su flexibilidad en un amplio rango de
T, por lo que ofrece una perfecta protección contra la entrada de agua en el laminado. Fabricada con
materiales de (calidad, eficiencia). No reacciona químicamente con el EVA, asegura la estabilidad
química. Se aplica en los surcos del marco y el borde del laminado de manera que se evite cualquier
infiltración (gaseosa, líquida) que pueda erosionar al módulo. Al mismo tiempo, su elasticidad sirve
como protección frente a posibles impactos mecánicos durante su instalación o en su manipulación.

 Caja de conexiones eléctricas : Con 2 terminales (  ,) de salida, a los que llegan los terminales
(  ,) de la serie de células, y donde se conectan los cables para conexionado del módulo con otros
componentes de la ISF [conectar módulos para formar un GFV, conexión con un (regulador, inversor)]
 Debe estar bien adherida a la cubierta posterior (backsheet) del módulo, mediante silicona u otro
adhesivo (cinta especial). Su superficie de contacto con el módulo debe ser la mínima posible para
↓ transferencia de calor. El módulo no debe tener ningún componente interno expuesto; si tiene
cables, éstos saldrán de la caja de conexiones de manera que no comprometan su hermeticidad.
 Cierre hermético, estanca, preparada para estar a la intemperie, grado de protección (IP65, IP67,
o IP68) que proporciona [aislamiento frente a (humedad, inclemencias meteorológicas, suciedad,
radiación UV), aislamiento térmico] para proteger las conexiones eléctricas internas; fabricada
en PVC (plástico resistente a T); conexiones soldadas (↓ resistencia eléctrica); puede abrirse en
caso de avería, facilitando la sustitución de diodos dañados, sus tapas tienen un dibujo indicativo.
 Aloja a los dispositivos de protección (diodos bypass)(diodos de paso)( protegen el módulo del
fenómeno punto caliente, y de sobrecargas y/o cambios en las condiciones de funcionamiento )
2 tipos de diodos: (de Si de unión p-n / Schottky )[( p-n junction silicon / Schottky barrier ) diode]
 Problema típico en cajas de conexiones: peligro de incendio ( fallo del módulo) debido a (arcos
eléctricos que pueden fundir/quemar la caja, un sellado deficiente, o la no disipación de calor)
 UNE-EN 50548:2012/( A1:2013 )( A2:2015 ): Cajas de conexiones para módulos fotovoltaicos.
IEC 62790:2014 : Cajas de conexión para módulos F.V. Requisitos de seguridad y ensayos.
 2 cables : flexibles, polarizados, simétricos (o no) en longitud, ensamblados en la caja de conexiones.
Capacidad para transportar IDC eficientemente y con gran durabilidad en el tiempo; resistencia
de contacto para mínimas pérdidas por caída de V. Material (poli-olefina/elastómero termoestable
libre de halógenos) para (cubierta, aislante) de resistencia[térmica, mecánica (esfuerzos de tensión,
elongación), climática ( rayos UV de la radiación solar, frío / heladas, humedad ), abrasión]. Partes:
 Conductor interior [Cu estañado (mayor resistencia a la corrosión por oxidación), flexibilidad]
Aislante–(Cubierta/Funda)[emisión (humos, gases)(corrosivos, tóxicos) en caso de incendio]
 Especificación en la hoja técnica del módulo: Cable solar de tecnología F.V de [calibre (sección),
longitud] = [4 mm2 (0.006 in2)(IEC) / 12 AWG 1000V ( UL ), L = (900, 1000, 1100, 1200, 1250)mm
(cables simétricos)(de no serlo, se indica la longitud de cada cable, la del terminal  y la del )
 VDC(max) permisible = 0.9 / 1.8kV, Vtrabajo(DC) = 1kV, VAC(max) permisible = 0.7 / 1.2kV; rango de
Tamb permisible = ( –40  +90 )ºC (en servicio permanente); ( Ttrabajo(max) permisible )conductor =
120ºC (IEC 60216) durante 20000h (=2.3 años) / 90ºC (= 30 años); Tcortocircuito(max) = 250ºC (5seg)
 [ Certificaciones para cables fotovoltaicos (F.V) ][ PV cables for use at the DC-side of photovoltaic
(PV) systems ]: TUV 2 PfG 1169/08.2007 – UL 4703 – LCIE (UTE C 30-502) – IMQ (CEI 20.91)
 UNE-EN/IEC 60228 (conductor para cables aislados) – UNE-EN/IEC 60216-1/2 (materiales para
aislamiento eléctrico) – UNE-EN 50267-2-1/2 (métodos de prueba para cables bajo condiciones
de fuego) – UNE-EN 50395/50396 (métodos de prueba eléctrica para cables de bajo voltaje)
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 Conectores / tomas de corriente , preparados para estar a la intemperie y ensamblados en los cables.
 UNE-EN 50521:2010/A1:2013: Conectores para sistemas F.V. Ensayos y requisitos de seguridad.
 TIPOS – PV Connectors : MC4 (Multi-Contact)(compatible con conectores/tomas de tierra de
sistemas eléctricos)(el típico en cables solares de módulos) – Amphenol ( UTX, Helios H4 ) – QC4
(QC solar)–Friends PV2a/b –TLIAN T4-PC-1 (módulos Canadian)– TongLing TL-Cable01 (módulos
REC) – HOSIDEN HSC2009(female)/2010(male) – SMK (CCT/CTA) – JINKO PV-JK-03M – YUKITA
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PV junction box : ① HerculesTM [rated voltage: UL 600V/1000V DC, IEC/TUV 1000V DC; rated current: up to
30A; temperature range: –40ºC to +90ºC; diodes quantity option: (2, 3, 4, 6); degree of protection: IP67; cable
size: 12AWG/4mm2, 10AWG/6mm2; connector type: Helios H4] – ② Hercules III 5T4D [UL 1000V, TUV 1000V,
10A, –40ºC to +85ºC, 4 diodes, IP67, 12AWG/4mm2, UTX connector; safety class: II] – ③ Hercules III (3 or 6
diodes, UTX connector) – ④ Hercules II (Helios H4 connector) –⑤Thin-film –⑥ Hercules P (Helios H4 connector)
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1.2.3 CLASIFICACIÓN DE MÓDULOS DE Si CRISTALINO POR SU Nº DE CÉLULAS

 Importante saber el ( nº células )módulo: ① en el mercado F.V aún hay módulos antiguos o chinos con
nº células no estándar (20, 25, 30, 32) que se venden como módulos de 12V pero no son capaces de
cargar baterías de 12V; para usarlos es necesario configurar varios en serie–paralelo y/o usar un MPPT
(caro) – ② muchos fabricantes nombran a sus módulos de 60 células como módulos de 24V
 Módulos de: ( 36 células )[4 tiras en serie con (9 células en serie / tira)] – ( 72 células )[6 tiras en
serie con (12 células en serie / tira)] – ( 60 células )[6 tiras en serie con (10 células en serie / tira)]
 Tensión de trabajo ( Vtrabajo ), Nº células : Para ( ISF aisladas, con baterías )(SFA)  módulos de [36
células (12V), 72 células (24V)]. En SFA con una batería monoblock de 12V, necesitamos módulos
de 12V; en SFA, con sistema de acumulación (2 baterías monoblock 12V o 12 vasos estacionarios
2V/vaso) necesitamos módulos de 24V. [ISF de conexión a red (SFCR), kits solares de autoconsumo]
módulos de 60 células, no válidos para SFA a menos que se conecten a un regulador de carga MPPT.
( 36 células, 12V )( 9x4 ): Células conectadas en serie para trabajar a [VDC = 18V (0.5  36)] en su PMP
Aptos para cargar baterías de 12V que necesitan llegar hasta 14.4V para cargarse al 100%. Teniendo
en cuenta que (VDC)módulo ↓ al ↑ T, un módulo que trabaje a menos VDC no será capaz de ↑ Vbatería
hasta 14.4V, cuando la Texterior sea . Las baterías de 12V no mantienen estos 12V permanentemente,
dependiendo del (SoC)batería, esta VDC variará de 12V (batería al 0%carga) a 14.4V (fase de absorción)
para llegar al 100%carga. Vbatería < 12V suponen descargas de alta profundidad que ↓ ( vida útil )batería
 No recomendable la carga directa de la batería mediante estos módulos pequeños, no sabríamos
cuándo estaría cargada y podríamos sobrecargarla, dañándola y ↓ su vida útil  regulador solar
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de carga PWM para realizar cargas completas de baterías de 12V, detendrá (corta el flujo de Icarga)
la carga cuando esté cargada al 100%; no es necesario un regulador MPPT (también puede usarse)
 [ Vmpp = (18–19)V, Impp = (3.5  8)A; Pmpp = (50  150)Wp (módulos nuevos) ], VOC = (22–23)V
 Los antiguos módulos de 32 células con Vmpp = 16V no son capaces de ↑ Vbatería desde 12V hasta
los 14.4V cuando la T es . Están descatalogados y no deben usarse para cargar baterías de 12V.
( 72 células, 24V )( 12x6 ): Células conectadas en serie para trabajar a [ VDC = 36V ( 0.5  72 ) ] en su
PMP  Aptos para cargar baterías de 24V hasta los 28.8V necesarios para cargarse al 100%, o cargar
bancos de baterías de 24V (por ej. 2 baterías monoblock de 12V o 12 elementos OPzS de 2V). Como
la (VDC)módulo ↓ al ↑ T  un módulo que trabaje a menos VDC no sería capaz de ↑ Vbatería hasta 28.8V,
cuando la Texterior sea . Al ser mayores, el precio (€ / Wp ) es menor, ya que al trabajar a 24V la IDC
es la mitad que en una ISF de 12V y por tanto el cableado puede ser de menor sección  ↓precio total.
 Usan regulador PWM para hacer cargas completas de baterías de 24V, no es necesario un MPPT.
 [ Vmpp = (36–37)V, Impp = 5A; Pmpp = (180  320)Wp (módulos nuevos) ], VOC = (44–45)V
60 células ( 10x6 ): Células conectadas en serie para trabajar a [VDC =30V (0.5  60)] en su PMP, VDC
insuficiente para garantizar la carga al 100% de una batería de 24V que necesita llegar hasta 28.8V;
si ↑ Tmódulo  ↓( VDC(trabajo) )módulo, llegando a ser < 28.8V y por tanto no llega para cargar la batería
al 100%  ↓ ( vida útil )batería por mal mantenimiento y debe compensarse con cargas de ecualización
con elevada frecuencia  necesitan un regulador MPPT que modifique el (PMP)módulo. Se diseñaron
para trabajar en ISF de conexión a red, con inversores de conexión a red con MPPT  su menor coste
que los módulos de 24V en relación (€ / Wp) para una misma P instalada, debe compararse junto con
el mayor coste de los reguladores MPPT frente a los reguladores PWM que usan los módulos de 24V.
Módulos de 60 células con: ① (baterías de 24V + reguladores PWM) implica cargas parciales de las
baterías ↓ (vida útil)batería – ② (baterías de 12V + reguladores PWM) implica situar el (punto de
trabajo)módulo en los 12V de la batería, muy lejos del (punto de ηmax)módulo (30–31)V  pérdida de η
③ [Módulos de 60 células + Regulador MPPT (para cargar correctamente las baterías)(obligatorio)]
 [ Vmpp = (30–31)V, Impp = 8A; Pmpp = (230  265)Wp (módulos nuevos) ](consultar hojas técnicas)

 Módulos de conexión a red / de alto voltaje [(60, 72) células en serie] para SFCR [ ISF de producción
de Eeléctrica para su venta a la red de distribución eléctrica, ISF de autoconsumo con conexión a red ],
con inversores de conexión a red, diseñados para trabajar con VDC(entrada), para tener pocas ramas.
Pueden usarse en ISF aisladas (SFA) pero con regulador solar de carga MPPT o inversor híbrido MPPT.
 Módulo auto-regulado : No necesita regulador solar de carga. No apto para [SFA; zonas con T
y mantenidas, o T e intensidad de radiación solar; aplicaciones con Cb de batería...] para
[SFA remotos con mantenimiento caro; SFA domésticos en los que el nº módulos no sea excesivo]
 AC–module : Incorpora un inversor en la caja de conexiones  Su salida es AC ( genera
una iAC )

1. PÉRDIDAS ENERGÉTICAS – FACTORES QUE AFECTAN AL RENDIMIENTO

 Factores que afectan al ηmódulo : ( Ttrabajo )módulo – Un montaje con módulos de ≠ PDC ( pérdidas
por mismatch)–Pérdidas por reflexión–Suciedad–Sombreado parcial/total–Eficiencia de conversión
con radiación–Conexiones deterioradas–Sistema de protección (fusibles, magneto-térmico, diodos)
 Al igual que en todo proceso de generación eléctrica, las pérdidas son un factor determinante a tener
presente en todo momento para evaluar el ηequipos. Es fácil pensar que la Eeléctrica producida por una
ISF es directamente proporcional a la irradiación solar incidente en el plano del GFV. Ej., un sistema
F.V con un GFV de ( Pnominal = 1 kWp ) instalado con unas condiciones meteorológicas tales que reciba
una irradiación anual de 1800kWh / m2  en ausencia de pérdidas, el GFV produciría 1800 kWh, pero
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la experiencia y estudios dicen que la Eeléctrica producida por el GFV es inferior. La ↓ Eeléctrica entregada
por el GFV respecto de la Esolar incidente puede explicarse mediante una serie de pérdidas energéticas:
1) Pérdidas por no cumplimiento de la Pnominal : Los módulos obtenidos de un proceso de fabricación
industrial no son todos idénticos, su Pnominal (en STC) presenta cierta dispersión. Los fabricantes suelen
garantizar que la P de un módulo de Pnominal (P*), está dentro de una banda que oscila entre [(P*± 3%)
(P* ± 5%)(P* ± 10%)]. A veces se da el caso de que la P de cada uno de los módulos se sitúa dentro
de la banda inferior de P garantizadas por el fabricante. Esto es, la Preal suministrada por el fabricante,
entendida como la suma de P de cada uno de los módulos del GFV, de una ISF de 1kWp nominal cuyo
fabricante garantice el ±10%, debería estar entre ( 0.9  1.1 )kWp. pero se sitúa entre (0.9  1)kWp. Las
tolerancias de producción hacen que (Pnominal)módulo < (dentro de las tolerancias) Pnominal declarada.
2) Pérdidas por dispersión de parámetros–Pérdidas de conexionado–Pérdidas mismatch: Aparecen
al conectar módulos de un mismo tipo, en serie o | |, de P ligeramente diferentes, para formar el GFV.
 Al conectar 2 módulos en serie con ≠ IDC, el módulo de menor IDC limitará la IDC de la serie. Igual
ocurre con VDC al conectar módulos en | |  Las diferencias de ( I, V )DC(nominales) entre módulos
del mismo tipo, conectados en serie o en paralelo ( | | ), hacen que PGFV < ( ∑ Pmódulos del GFV )
 ↓ con una instalación ordenada en P (o en I en el PMP) de los módulos, o usando diodos bypass.
 Están entre [ 3  5 (valor típico en la mayoría de ISF) ]%
3) Pérdidas por (polvo, suciedad): Deposición de (polvo, suciedad) sobre (superficie)módulo hace ↓ PGFV
 La suciedad uniforme hace ↓ (I, V)DC entregadas por el GFV. La suciedad localizada (excrementos
de aves por ej.) origina ( ↑ pérdidas mismatch + pérdidas por formación de puntos calientes )
 ↓ con un buen mantenimiento: [2% (ISF con buen mantenimiento en zonas con buena climatología)
 8% (ISF con poco mantenimiento en zonas con ambiente polvoriento)]; 4% (valor típico en ISF)

4) Pérdidas por sombreado del GFV : SFCR suelen instalarse en entornos urbanos con posible presencia
de sombras sobre el GFV en ciertas horas del día  pérdidas por ( ↓ captación de radiación, efectos
de mismatch a los que puedan dar lugar ). Pueden producirse sombras de unos GFV sobre otros.

5) Pérdidas espectrales y angulares : La (Pnominal)módulo está referida a las STC, pero en condiciones de
operación habituales del módulo, ni la incidencia de la radiación solar es  , ni el espectro solar es
estándar durante todo el (tiempo de operación)módulo. Pérdidas angulares ↑ con el grado de suciedad.
 Que la radiación solar incida sobre la superficie de un módulo con ángulo ≠ 0º implica pérdidas:
Al ↑ inclinación de los rayos solares ( a mayor ángulo de incidencia )  ↑ Pérdidas angulares
 Las células son espectralmente selectivas: La IDC generada es ≠ para cada λ del espectro solar de
la radiación solar incidente. La variación del espectro solar en cada momento respecto al espectro
normalizado, puede afectar a la respuesta eléctrica de las células, originando ganancias o pérdidas.
 Están entre [1  4 (valor típico)]%
6) Pérdidas por T : Un GFV no funciona a T estándar de 25ºC. Tcélulas suele ser > 25ºC (valor en STC)
 ( Toperación )módulo = f [ factores ambientales ( irradiancia solar, Tambiente, vviento ); coeficiente de
convección de transferencia de calor, que es f ( encapsulado del módulo, posición del módulo o
aireación por su parte posterior ) ]  Un sistema F.V, a igualdad de radiación solar incidente
sobre los GFV (sistema generador), producirá menos Eeléctrica en un lugar cálido que en uno frío.
 [ El ( VDC )módulo ↓ al ↑ Tmódulo ]  [ ↓ ( PDC )módulo ]  ( ↑ Pérdidas )
 Un módulo tiene unas pérdidas de PDC del orden del 4% por cada 10ºC de ↑ Toperación, % variable
en f (tecnología de fabricación del módulo). Calculadas a partir de la TONC (dada por el fabricante)
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y de los datos de ( irradiancia, Tambiente ) del lugar de instalación. Van desde el 3% en zonas con
Tambiente, a más del 10% en zonas con Tambiente, incluso superiores si no se airean lo suficiente
los módulos por su parte posterior como sucede en integración en edificios. Valor típico del 6%.
7) Pérdidas por caídas óhmicas en el cableado : En la parte DC y en la AC (desde la salida del inversor
hasta los contadores de Eeléctrica) del SFCR, se producen pérdidas debidas a caídas de V cuando una
I circula por un conductor de (material, sección) determinados. Se ↓ dimensionando correctamente
la sección de los conductores en f (I que circula por ellos). Al circular I por conductores se producen
pérdidas de P por efecto Joule, que coinciden con %caída de V usado en el cálculo de la sección de
los conductores; las pérdidas se fijan al calcular la (sección)conductores con el %caída de Vmax usado.
PCT ( IDAE )[caída de Vmax = (1.5% para cableado DC, 2% para cableado AC)] – REBT ( ITC–BT–40 )
[caída de V entre (GFV–punto de interconexión a la Red o instalación interior) < 1.5%, para la Inominal]
8) Pérdidas por no seguimiento del PMP : PMP varía en f ( V, I )DC(entrada). Para cada instante  una
VDC en el lado DC que hace máxima la PAC ( P en el lado AC ). Cuanto más se acerque el inversor a
este valor, menores pérdidas. El seguidor del PMP (SPMP) que incorpora el inversor usa algoritmos
que pueden tener tolerancias y cometer errores en el seguimiento del PMP, con la consiguiente ↓ P.
 Valores entre [ 2  5 (valor más frecuente) ]%
9) Pérdidas por ηDC/AC del inversor : El inversor puede caracterizarse por la c.c (η–Poperación). Tiene ≠
η según la zona de trabajo. Importante seleccionar un inversor de η en condiciones nominales de
operación y hacer una selección adecuada de la Pinversor en f ( PGFV )( usar un inversor de P excesiva
dará lugar a que el sistema opere gran parte del tiempo con η  pérdidas de generación eléctrica)
 Pérdidas en vacío; pérdidas al circular la I, que produce unas caídas de V en los semiconductores;
pérdidas por efecto Joule debidas a la resistencia eléctrica de los componentes del inversor.
 Variables, van desde 8% hasta un 15%, estando más próximas al valor superior del rango cuando
( Pinversor < 5kW ). Valores típicos: 8% para ( Pinversor > 5kW ), 12% para ( Pinversor  5kW )
 Pérdidas por otros aspectos : Además de las pérdidas consideradas anteriormente puede haber otras
específicas para cada ISF, como pueden ser: Pérdidas debidas a paradas por (mantenimiento, averías,
mal funcionamiento del equipo), pérdidas por efecto de ↓ ηmódulo en condiciones de irradiancia...
31
 32
PARÁMETROS A TENER EN CUENTA AL COMPRAR UN MÓDULO SOLAR F.V
1) Nivel de calidad de un fabricante : La garantía que ofrecen puede ser de (25-30) años. Sin embargo,
¿cuántas empresas estarán allí al final de ese plazo si se requiere reclamar una garantía?  importante
conocer al fabricante del módulo; una forma de clasificar a los fabricantes es mediante su nivel/escala.
a) Fabricante de primer nivel ( Tier-1 )–( Grandes fabricantes/empresas/compañías )
 Los que nos darán mayor confianza en cuanto a durabilidad de sus productos – Financieramente
estable (probabilidad de permanecer a largo plazo en el mercado F.V) – Fuerte inversión en
investigación/desarrollo (adquisición de tecnología punta para poder competir en el mercado F.V)
 Producción automatizada  permite que el producto final (módulo) tenga una calidad uniforme.
 Centro de producción con rigurosos controles de calidad: Supervisión completa/control de calidad
en cada fase individual del proceso productivo. Certificado según las normas (algunas) indicadas.
b) Fabricante de segundo nivel (Tier-2)–(pequeños, medianos) fabricantes/empresas/compañías
 Productos de buena calidad a buen precio – Producción semi-automatizada (una parte usa mano
de obra humana  control de calidad limitado) – Menor inversión en investigación/desarrollo
c) Fabricante de tercer nivel ( Tier-3 )–( Pequeños ensambladores de módulos solares F.V ): Joven
(poco tiempo en el mercado)(garantías sin respaldo sólido) – Producción manual ( control de
calidad difícil) – Nula inversión en investigación/desarrollo (usan tecnología de otras compañías)
2) Certificación : Actividad mediante la cual una entidad, independiente al fabricante del producto/s,
testifica que ese producto/s cumple con las normas/estándares de (calidad, seguridad) aplicables.
 Normas de (calidad/seguridad) aplicadas a plantas/centros de manufactura de módulos solares F.V:
ISO (International Organization for Standardization)(Organización Internacional de Normalización); OHSAS
(Occupational Health and Safety Assessment Series)(Sistemas de Gestión de Seguridad y Salud Ocupacional);
SA [(norma de Responsabilidad Social regulada por SAI (Social Accountability International) y supervisada por
los Servicios de acreditación de Responsabilidad Social (Social Accountability Accreditation services)(SAAS)]
ISO 9001:2015 ( requisitos para implantar un sistema de gestión de la calidad ) – ISO 14001:2015
[ requisitos para la implantación de un sistema de gestión ambiental ( SGA ) ]–[ OHSAS 18001:2007,
ISO 45001:2016][normas de seguridad y salud laboral. Requisitos para la implantación de un (Sistema
de Gestión de la Seguridad y Salud en el Trabajo)(SG-SST)]– UNE-EN ISO 50001:2011 (establece los
requisitos que debe tener un sistema de gestión energética (SGE) para realizar mejoras continuas y
sistemáticas del rendimiento energético de una organización–UNE-EN ISO/IEC 17025:2005 (establece
los requisitos generales necesarios para la competencia de los laboratorios de ensayo y de calibración)
ISO 14064 : 1. Principios para (desarrollo/gestión/presentación de informes) de inventarios de (gases
de efecto invernadero). Requisitos para determinar los límites de (emisiones, remociones) de GEI de
una organización e identificar sus acciones específicas para mejorar su gestión de GEI – 2. Proyectos
de GEI para ↓ emisiones o ↑remociones – 3. Guías para (validar, verificar) la información de GEI.
SA 8000:2008 : Requisitos mínimos necesarios para tener un ambiente de trabajo seguro/saludable.
 33
 Normas internacionales emitidas por la IEC ( Comisión Electrotécnica Internacional ), que regulan
las calidades (técnicas, eléctricas) y los requisitos necesarios de seguridad de los módulos solares F.V:
 IEC 61215:2016 – UNE-EN 61215-1-1:2017 –(Módulos F.V para uso terrestre. Cualificación del
diseño y homologación. Parte 1-1: Requisitos especiales de ensayo para módulos F.V de Si
cristalino): Evalúa características (mecánicas, eléctricas). Define requisitos necesarios de diseño
/ fabricación para su operación en períodos prolongados de tiempo y en entornos con condiciones
climáticas adversas. El módulo se somete a pruebas de resistencia para obtener esta certificación,
que simulan décadas de desgaste al aire libre, que seguramente el módulo sufrirá durante su vida.
Cubre los parámetros (fuerzas de la naturaleza) responsables del envejecimiento del módulo:
① rayos UV [ensayo de exposición UV: la norma exige un mín. de 15 kWh/m2 UV (280  400nm),
la media en Europa central es 50kWh/m2  año  4 meses de radiación máx. para la (vida)módulo]
② ( humedad, helada )[ congelación de humedad: 10 ciclos desde +85ºC, 85%RH, a –40ºC; calor
húmedo: 1000h a 85ºC / 85%RH (humedad relativa) ] – ③ T [ ensayo de ciclado térmico: 200
ciclos de variación de T desde –40ºC a +85ºC] – ④ [ carga mecánica dinámica ( DML )( viento,
nieve ) → 2400Pa de carga máx. uniforme (para viento); si los módulos van a instalarse en zonas
con grandes nevadas  recomendable ↑ capacidad de carga hasta 5400Pa (para nieve) ]–[ para
la resistencia al granizo, exige un impacto desde 4m, con una bola de acero de (D = 25mm, 7.53g)]
 IEC 61730:2016 – UNE-EN 61730:2007/A1:2013 (cualificación de la seguridad de módulos F.V)
[Parte1: (requisitos, características) de construcción obligatoria. Parte2: requisitos para ensayos]
Se definen 3 clases de aplicación para un diseño de módulo: A (aplicaciones generales), B (acceso
restringido), C (aplicaciones de bajo voltaje); [ Vsys = A: ( > 50VDC (IEC), > 120VDC (EN) ); B: ( >
50VDC (IEC, EN) ); C: ( < 50VDC (IEC), < 120VDC (EN) )][clase de seguridad: II (A), 0 (B), III (C)]
⑤Módulo sometido a ensayos para determinar su resistencia al fuego. En la parte 1 se caracterizan
los módulos y sus componentes en términos de propiedades de inflamabilidad de los materiales
poliméricos; en la parte 2 se definen los requisitos necesarios para ensayo de fuego (MST 23). Los
módulos F.V integrados en edificios (BIPV) pueden requerir de unas características más avanzadas
y específicas en lo que respecta al riesgo de fuego que aquellas que son ensayadas por esta norma.
Se establece una clasificación (clases de resistencia al fuego): A (la más alta), B, C (fundamental)
 BAPV (Building Attached PhotoVoltaic)(módulo sujeto al edificio): necesaria C como mínimo.
 BIPV (Building Integrated PhotoVoltaic)(módulo integrado en el edificio): necesaria (A o B)
Se reemplazan elementos constructivos en vez de ser aplicados sobre otros elementos (BAPV)
 IEC 62716:2013 – UNE-EN 62716:2014 : Ensayo de resistencia a la corrosión por amoniaco.
 IEC 61701:2011 – UNE-EN 61701:2012 : Ensayo de resistencia a la corrosión por niebla salina.
 IEC 61345:1998 – UNE-EN 61345:1999 : Ensayo ultravioleta (UV) para módulos fotovoltaicos.
 IEC 60068-2-68:1994 – UNE-EN 60068-2-68:1997 : Ensayos ambientales. Parte 2: Polvo y arena
 IEC/TS 62804:2015 : [ Photovoltaic ( PV ) modules – Test methods for the detection of potential-
induced degradation ( PID ) ][ Part 1 ( defines test methods for evaluating PID in crystalline silicon
PV modules ). Part 2 ( defines test methods for evaluating PID in thin-film PV modules ) ]
 IEC 61646:2008 – UNE-EN 61646:2009 : Módulos F.V de lámina delgada para uso terrestre.
Cualificación del diseño y homologación. (=IEC 61215 en muchos aspectos). Una prueba adicional
certifica la degradación del comportamiento del (a-Si) debido a la (T, exposición a la radiación)
 IEC 62108:2016–UNE-EN 62108:2011: Módulos y sistemas fotovoltaicos de concentración (CPV)
Cualificación del diseño y homologación. Concentración de radiación solar a través de (lentes,
espejos) causa estrés en el equipo. Especifica los criterios de diseño del tipo de concentrador y
ensamblado adecuado para operaciones a largo plazo, y en general, en instalaciones al aire libre.
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① Los niveles de concentración salina en el aire ambiente pueden dañar la integridad estructural
del módulo, y ocasionar corrosión en ciertos materiales afectando a su seguridad eléctrica. El ensayo
de niebla salina (salitre) corresponde a un tiempo de funcionamiento real de más de 20 años en una
instalación en un ambiente marino. La certificación IEC 61701 de un módulo es importante para ISF
cercanas a la costa o aplicaciones marítimas (módulos flexibles para embarcaciones de recreo, barcos,
boyas, faros, señalización marítima) – ② En lugares con concentraciones de animales (granjas),
se libera (amoníaco, partículas de polvo) que (aceleran envejecimiento, ↓ generación eléctrica)módulos
El módulo se somete a ensayos de resistencia a los efectos del aire de una granja de ganado durante
un período de al menos 20 años – ③ Los ensayos de resistencia a la exposición a ( arena, polvo ),
ponen a prueba la capacidad del módulo para mantener niveles de η estables en ambientes desérticos.
La (arena, polvo) pueden causar abrasiones en la superficie del módulo, siendo el vidrio la parte más
afectada, que afectarían a la capacidad de absorción de la radiación solar del módulo, e incluso causar
corrosión del mismo. Esto puede conducir a una ↓ eficiencia de generación de Eeléctrica del módulo.
 ( American National Standards Institute / Underwriters Laboratories Inc.)( ANSI / UL ) 1703:2013 :
certifica que el módulo cumple las normas de seguridad requeridas por el Código Eléctrico Nacional
(NEC)(National Electric Code) y por la Asociación Nacional para la Prevención de Incendios (NFPA)
(National Fire Protection Association) de EE.UU. Especifica requisitos de diseño/ensayos de módulos
para la calificación de operación segura (eléctrica, mecánica) a lo largo de su vida útil. Los ensayos
acreditan que (eficiencia)módulos fue probada y se confirmó que alcanzan el 90% (o más) PDC indicada
por el fabricante. Sin certificado UL, en EE.UU, no se permite la conexión de los módulos F.V a la red
eléctrica, anula o penaliza la cobertura del seguro de la ISF y no se reciben bonificaciones del gobierno.
El módulo es sometido a ensayos para determinar su resistencia al fuego (clase A, B, C)(tipo 1,…,15)
ANSI/UL 790-2004 ( revisions, 2008 )–( Standard test methods for fire tests of roof coverings ):
 Determine the fire resistance of roof covering materials [Building Integrated Photovoltaics (BIPV)
materials used in residential and commercial applications for class (A, B, C) roofing systems]
 Tests: Spread of flame [evalúa si el módulo puede propagar una llama externa sobre su superficie
superior, para ello, una llama de gas es dirigida hacia la (superficie)módulo y expuesta al viento]
Burning brand (evalúa si un fuego externo puede causarle al módulo algún tipo de quemadura)
ANSI/UL 1703-2013 –( Standard for safety for flat-plate photovoltaic modules and panels )
 The fire classification rating approach takes into account the module/panel in combination with
the mounting system and the roof covering system/products over which it is installed.
 International Standards for Building Products European test procedures for fire behaviour :
UNE-EN 13501-1:2007+A1:2010 (Clasificación según el comportamiento frente al fuego de los productos de
construcción y elementos para edificación. Parte 1: Clasificación a partir de datos obtenidos en ensayos de
reacción al fuego)– UNE-CEN/TS 1187:2013 (Métodos de ensayo para cubiertas expuestas a fuego exterior)
 CE : Marca de Conformidad Europea establecida por la Comunidad Europea. Indica que el producto
cumple con los mínimos requisitos (legales, técnicos) de (seguridad, salud, medio ambiente) de todos
los Estados miembros de la Unión Europea (UE). Obligatoria para comercializar productos en Europa.
 MCS (Microgeneration Certification Scheme): sistema de certificación EN45011 de módulos para su
(uso en ISF, comercialización en el mercado F.V) en el Reino Unido. Sistema de garantía de calidad que
demuestra la (calidad, fiabilidad) de los productos certificados según rigurosos estándares. Implica la
evaluación de (productos, procesos de fabricación, material, procedimientos, capacitación de personal)
 MCS 005-2.3 : Requisitos de certificación de producto para módulos solares fotovoltaicos (F.V)
 CEC (Clean Energy Council): Consejo de Energía Limpia de Australia. Asociación industrial integrada
por más 600 empresas que operan en los campos de las energías renovables y la eficiencia energética.
 35
 NRTL (Nationally Recognized Testing Laboratory)(Laboratorio de Pruebas Reconocido Nacionalmente):
Para que una organización privada sea reconocida como NRTL por la OSHA (Occupational Safety and
Health Administration)(Administración de salud y seguridad en el trabajo) debe tener la capacidad
como laboratorio para hacer pruebas de seguridad a los productos y como organismo de certificación
de productos; certifica que el producto cumple con las normas nacionales de seguridad, y puede ser
comercializado en USA: UL (Underwriters Laboratories Inc.), CSA (Canadian Standards Association)
Group Testing and Certification Inc., ITSNA (Intertek Testing Services NA, Inc.), TÜV SÜD (America
Inc. & Product Services GmbH ), TÜV Rheinland [(of North America, Inc.)&(PTL, LLC)][ de ensayos y
certificación de componentes eléctricos y (componentes, materiales) F.V ], SGS North America, Inc.
MET Laboratories, NSF International, QAI ( Quality Auditing Institute ) Laboratories, BACL ( Bay Area
Compliance Laboratories), QPS Evaluation Services, FM Approvals LLC, NNA (Nemko North America)
Marca UL: Propiedad de Underwriters Laboratories Inc, regula las normas de fabricación, materiales,
componentes y pruebas que intervienen en la (seguridad / protección / eficiencia) de aparatos tanto
desde el punto de vista eléctrico como de uso. Es una de las certificaciones más exigentes y se usa de
patrón para otras certificaciones. Aunque su uso solo se enmarca para USA, países latinoamericanos
con idénticas regulaciones de ( v, f )línea la toman como una garantía de seguridad en sus productos.
Marca ETL (Electrical Testing Laboratories): De Intertek, inspecciona y certifica los productos para
garantizar que cumplen los requisitos de seguridad estándar. Significa que el producto ha pasado las
pruebas de seguridad eléctrica necesarias para poder comercializarlo en USA, su fabricación ha sido
auditada y tiene re-inspecciones continuas de comprobación. Si el logo va acompañado de (US, C)
pequeñas indica que está aprobada su comercialización en (USA, Canadá). Alternativa a la (UL, CSA)
Marca CSA: Regula las características de los productos comercializados en Canadá. Similar a la UL.
SGS (Société Générale de Surveillance): Servicios de (inspección, ensayo, certificación, verificación)
para probar que los productos cumplen con los estándares mundiales y regulaciones locales. Certifica
que los productos cumplen con las normas de (calidad, seguridad) a nivel de Suiza e internacional.
TÜV SÜD : Organización alemana, con sede en Múnich, especializada en (certificación, ensayos,
auditorías, formación). En (España, Portugal) está la (TÜV SÜD ATISAE S.A.U, TÜV SÜD Iberia S.A.U)
 TÜV NORD: Certificación de sistemas de gestión, productos (acredita el cumplimiento de los criterios
técnicos y de seguridad indicados por la UE para la comercialización de productos), y de personas.
GS : Seguridad Probada, marca aplicable de manera voluntaria en Alemania; evalúa la seguridad de
productos antes de comercializarlos y hace comprobaciones en la venta para asegurar que todos ellos
cumplen las normas y características certificadas en la muestra inicial. Ofrece seguridad y facilita
elegir productos libres de sustancias nocivas, resistentes a roturas y eléctricamente seguros. Integra
varias directivas europeas de productos, comprueba si el manual de operación es correcto y completo.
VDE ( Testing & Certification Institute ): Instituto de ensayos y de certificación para (componentes,
sistemas)(eléctricos, electrónicos). Los módulos con certificado de calidad VDE cumplen con unos
estándares de (fiabilidad/seguridad, calidad); admiten una pérdida energética máxima total del 5%
 ↑( fiabilidad )módulo, garantizando que cumplirá los requisitos de η durante su período de garantía.
PI-Berlín : Laboratorio de test para certificar módulos F.V, acreditado por la autoridad de acreditación
alemana DAkkS y reconocido internacionalmente como un CBTL (Certification Body Testing Lab) por
la IECEE. Estándares de certificación: IEC (61215 / 61646 / 61730 / 61701 / 62716), UL 1703, MCS
Fraunhofer ISE (Institute for Solar Energy Systems): Desarrolla (materiales, componentes, sistemas,
procesos) en 5 áreas tecnológicas [(photovoltaics, solar termal, building energy, hydrogen, energy
system) technology]; ofrece servicios y procedimientos de (ensayo, certificación). La infraestructura
de su laboratorio de ensayos está certificada de acuerdo al estándar de calidad DIN EN ISO 9001:2008
 ICIM(Instituto de Certificación Italiano para la Mecánica): Organismo de certificación en los sectores
(mecánica, termo-hidráulica, E renovables, eficiencia energética), y evaluación de la sostenibilidad.
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 DNV-GL(Det Norske Veritas–Germanischer Lloyd): Ofrece servicios de clasificación y aseguramiento
técnico, software y servicios de asesoramiento en el sectores (energético, marítimo, petróleo & gas)
 UKAS (United Kingdom Accreditation Service): Organismo nacional de acreditación del Reino Unido.
 JET ( Japan Electrical Safety & Environment Technology Laboratories ): Entre sus objetivos está
determinar la (fiabilidad, seguridad) de módulos F.V. La marca de certificación JET PVm (certification
of photovoltaic modules) certifica que los módulos han pasado varios test de (calidad, seguridad),
basados en estándares internacionales, y han sido manufacturados bajo estrictos controles de calidad.
CQC ( China Quality Certification center ): Los productos certificados por CQC cumplen con las
normas aplicables en cuanto a (calidad, seguridad, rendimiento) del producto y de medioambiente.
Designado para validar el otorgamiento de la certificación CCC y para certificar el cumplimiento de
otras normas. Forma parte de la General Administration for Quality Supervisión and Inspection and
Quarantine (GAQSIQ) que es un departamento subordinado directamente al consejo de estado Chino.
CCC (China Compulsory Certification): Obligatoria en China, para los productos comercializados en
su mercado interno y los importados. Garantiza el cumplimiento de normas de (seguridad, protección)
en los aparatos, sobre todo en lo referente a seguridad eléctrica, es decir, hace seguros a los aparatos
para su explotación y uso sin riesgo para la vida. Implica (obligatoriedad, normas de seguridad, tipos
de test a realizar a los productos, inspecciones y auditorías al fabricante, garantía de seguridad). No
compatible con otras certificaciones, siendo éste uno de los puntos de discrepancia fundamentalmente
con la UE, la CCC establece métodos de pruebas y normas que no se aplican en otras certificaciones o
no cumplen estándares internacionales; sin embargo, según la opinión de algunos expertos, la CCC es
más severa que otras certificaciones como la CE y va más allá de regulaciones eléctricas. Por eso en
la descripción China de esta certificación se refiere en términos generales a “garantizar la seguridad
y calidad de los aparatos” y no especifica el término “seguridad eléctrica” como lo hace por ej. la UL.
 INMETRO : Instituto Nacional de Metrología, Normalización y Calidad industrial. Certificación de
(productos electrónicos, electrodomésticos) para poder acceder al mercado brasileño, obtenida por un
laboratorio acreditado INMETRO, (ETL, SGS, TÜV SÜD), cuya marca debe ir junto a la marca INMETRO.
 FIDE : Fideicomiso privado, constituido por iniciativa de la Comisión Federal de Electricidad (CFE)
(México), como apoyo al Programa de Ahorro de Energía Eléctrica. Su objetivo es promover el ahorro
y uso eficiente de Eeléctrica en sectores (residencial, comercial, industrial, agrícola). Ofrece asistencia
técnica a los consumidores, para mejorar la productividad, contribuir al desarrollo (económico,
social) y preservar el medio ambiente. Los productos con este sello garantizan un ahorro energético.
 Energy Star : Programa de protección al medio ambiente. Surgió para promover el consumo eficiente
de electricidad en los productos electrónicos (sobre todo electrodomésticos y aparatos de iluminación
para el hogar) y con ello reducir la emisión de gases de efecto invernadero en las centrales eléctricas.
RoHS (Restriction of use of Hazardous Substances)(Restricción en el uso de Sustancias Peligrosas):
Certificado de aplicación para la Comunidad Europea, relacionado con las producciones que respetan
el medio ambiente y garantizan la seguridad personal al no incluir en sus aparatos/equipos (eléctricos,
electrónicos) sustancias peligrosas o tóxicas. Esta norma restringe el uso de 6 elementos/sustancias
potencialmente peligrosas en la fabricación de aparatos (eléctricos, electrónicos) [ plomo, mercurio,
cadmio, cromo IV, (PBB, PBDE) (2 sustancias retardadoras de llamas usadas en los plásticos)]. Un
producto que cuente con esta marca indica que no contienen ninguna de esas sustancias, cumpliendo
con dicha normativa. Las baterías están excluidas de esta norma ya que tienen su propia certificación.
PV CYCLE : Ofrece soluciones especializadas de gestión de residuos a empresas F.V (o de otro tipo)
WEEE (Waste Electrical and Electronic Equipment)(Directiva de residuos de aparatos eléctricos y
electrónicos, 2012/19/UE): Pretende promover el (reciclaje, reutilización, recuperación) de residuos
generados por equipos (eléctricos, electrónicos) dentro del mercado de la UE, para ↓ su contaminación.
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3) Degradación de potencia : Sufrida por un módulo a lo largo de su vida. La calidad de los materiales
usados en su fabricación influyen en el nivel de degradación  A mayor calidad, menor degradación.
Células de Si cristalino, durante los primeros meses de exposición a la radiación solar, pueden sufrir
una degradación fotónica que podría hacer ↓ [( PDC(salida)(max) )( Pmpp )( Pnominal )]módulo hasta un 3%
Garantías : Las garantías descritas son un estándar en la industria F.V, si falta alguna es señal de que
el fabricante no ofrecerá respaldo a su producto. Hay que evaluar la cobertura de la garantía para ver
si nuestras necesidades de servicio/soporte serán cubiertas si ocurriese algún problema con el módulo
después de su instalación inicial. Las garantías son un complemento de la (calidad, durabilidad)módulo
a) [( Garantía del producto )( Garantía por defectos de fabricación )][( Product warranty )( Product
workmanship warranty ) ]: Garantía de mano de obra, por partes defectuosas del módulo, debido
a problemas originados durante el proceso de fabricación o por usar insumos (materiales F.V) de
mala calidad. Su duración suele ser (10, 12, 20, 25) años, a partir de la fecha de compra del módulo.
El fabricante optará (gratis) por reparar el módulo defectuoso o sustituirlo por uno en buen estado.
b) La cantidad de Eeléctrica que genera un módulo ↓ ligeramente cada año → degradación del módulo.
El grado de degradación se cuantifica en (fracciones de % / año). Una práctica en la industria F.V
es garantizar que un módulo no perderá más del (10 / 20)%capacidad de producción en los 1os
[10 / (25-30)] años; el módulo producirá como mínimo un (90 / 80)%(PDC(salida))( Pnominal )(Pmpp)
indicada en su hoja de características técnicas, durante [10 / (25-30)] años  ( un % es mejor )
Los fabricantes suelen cuantificar la degradación anual de sus módulos después de un periodo
de prueba de 1año; garantizando una ↓ máx. ≤ (0.7%Pnominal/año)(un % es mejor que un %)
[Garantía de (rendimiento / potencia de salida) estándar][ power output warranty ]: Cubre que
la PDC(salida)(módulo) no será menor a un límite preestablecido, al término del periodo de cobertura.
Duración: (25/30) años. Un ej. de esta garantía es que el módulo no tendrá una PDC(salida) < [ ①
90% a los 10/12 años; ② 80% a los 25/30 años (la PDC(salida) más alta no bajará del 80% por 25/30
años) (un módulo de Pnominal = 100W comprado en 2010, no deberá generar menos de 80Wp (en
STC) hasta el 2035)]. Se reduce de forma escalonada en los periodos temporales establecidos.
[ Garantía de potencia de salida lineal ][ linear power output warranty ]: Las garantías de P
escalonadas se mantienen continuas de principio a fin del mismo periodo. Debido a la drástica ↓
en la cobertura de la garantía al pasar de un escalón temporal a otro, la PDC(salida)(módulo) puede ↓
bruscamente al inicio del periodo, sin que se le pueda reclamar al fabricante. Para evitar pérdidas
de P inesperadas fuera de garantía  Es mejor una garantía de P que se reduzca linealmente a lo
largo de la (vida útil)módulo. Cubre el 1er año de operación a ( > 95%Pnominal ), luego ↓ linealmente
a razón de x%/año, hasta llegar a ( > 80%Pnominal ) al finalizar el periodo de garantía (25/30 años)
EJEMPLOS DE ALGUNAS GARANTÍAS DE FABRICANTES DE MÓDULOS SOLARES F.V
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CAUSAS MÁS COMUNES DE FALLO/DEGRADACIÓN EN MÓDULOS SOLARES F.V
 Aunque un módulo no tenga partes móviles y sea bastante fiable, no significa que no tenga problemas;
a pesar de su larga vida (diseñado para producir Eeléctrica durante al menos 20años), a lo largo de su
vida útil puede sufrir daños, entre las causas de fallo más comunes están las indicadas a continuación.
Se distinguen 2 tipos de fallas: Las relacionadas con la seguridad (ocasionan daño a la propiedad o a
la persona) y las relacionadas con las prestaciones del módulo (ocasionan una pérdida de PDC(salida))
Pueden ocurrir en las siguientes zonas: células de módulos de (c-Si) y de módulos de película delgada
– encapsulado (EVA) – vidrio – cableado interno y caja de conexiones – marco y anclajes/fijaciones
 ①Rotura de células (micro-fracturas)–Fuentes: [ en su manufactura ( la soldadura de las cintas de
interconexión eléctrica induce esfuerzos residuales en las células, que pueden provocar fracturas;
rotura causada por la p ejercida por una máquina sobre la oblea de Si durante la fabricación; rotura
por impacto contra un objeto duro ) – una mala manipulación y/o vibraciones durante el transporte e
instalación pueden inducir/expandir las fracturas – estrés (térmico, mecánico) en servicio – con el
paso del tiempo (↑tamaño, ↓espesor) de las obleas, lo que ↑ tendencia a su rotura ]. Según el nivel de
rotura, partes de la célula quedan inutilizadas y no contribuyen a la PDC(salida)(módulo) Pérdida de P
Una vez producida la rotura,  riesgo de que durante el funcionamiento del módulo, una fractura
pequeña se vuelva más grande; debido a esfuerzos [mecánicos (vibraciones, cargas de viento (pviento),
cargas de nieve ( pnieve ) ), térmicos ( producidos por variaciones bruscas de T ) ] sobre el módulo.
El proceso de encintado (stringing) de las células tiene un riesgo de que se produzcan fracturas.
Las micro-fracturas son roturas en el substrato de Si de la célula, y por lo general no son observables
a simple vista. Pueden detectarse, antes de hacer la instalación, mediante métodos de ensayo de calidad
basados en la electroluminiscencia (ELectroluminescence Crack Detection)( ELCD )(el más aplicado)
Falla típica en módulos de calidad. Si se observa más de una falla de este tipo en el módulo, indica
una falta de control de calidad durante la fabricación; y posiblemente se usaron células de 2da calidad.
 ② Vidrio rayado o roto, debido a factores externos [tormenta de granizo, mal embalaje (transporte)
o no tener cuidado en el desembalaje (instalación), impacto de alguna piedra]. En módulos sin marco
(frameless) como los de película delgada, los tornillos de fijación deben fijarse directamente sobre el
vidrio, y esto puede provocar su rotura. El rayado afectaría a su capa anti-reflexiva (ARC) y su rotura
permitiría la entrada de (agua, humedad, nieve, objetos extraños,...) ↓ ( producción eléctrica )módulo
 ③ De-laminación: Separación del EVA de los elementos con los que está en contacto. Puede ocurrir
por falla de adhesión entre cualquiera de las interfaces (vidrio–EVA–células–EVA–cubierta posterior)
Además de por una mala adhesión del EVA, su separación del vidrio puede deberse a la contaminación
(malos procedimientos de limpieza del vidrio durante el proceso de fabricación), y su separación de
las células puede deberse a la contaminación de la superficie de la célula. La de-laminación va seguida
de la entrada de (aire, humedad) y corrosión [el EVA reacciona con la humedad y forma ácido acético
que acelera la corrosión de los elementos conductores (contacto eléctricos de Ag)células. Este ácido
también puede resultar del proceso envejecimiento del EVA. Si la capa posterior es permeable, no hay
problema, el ácido puede escapar]. La falla es seria si se forman burbujas de aire en el laminado; la
humedad puede acumularse en el vacío y crear cortocircuitos cerca de los ( hilos conductores )células.
La de-laminación en las interfaces atravesadas por el camino óptico recorrido por la radiación solar,
provoca pérdidas ópticas por reflexión (4%) [pérdida de IDC  (↓ PDC, ↓prestaciones del módulo)]
 riesgo de seguridad, salvo si es una de-laminación de la capa posterior quedarían expuestos los
componentes eléctricos. Si ocurre cerca de los bordes del módulo crearía un camino para que el agua
(de lluvia) entrase al módulo, proporcionando un camino eléctrico directo hacia tierra, y ocasionando
un serio problema de seguridad. Si ocurre cerca de la caja de conexiones puede llegar a inutilizarla.
De-laminación de la capa anti-reflexión (ARC)célula: Cuando la ARC se despega de la (superficie)célula,
no supone un defecto serio, a menos que haya mucha cantidad de-laminada. La ARC influye en la PID.
 42

 ④Degradación del encapsulante: El EVA contiene aditivos para ↑resistencia UV (exposición al Sol)
y prevenir el efecto browning (decoloración marrón/amarilla del EVA); si el EVA es de calidad, o es
almacenado bajo condiciones inapropiadas o durante mucho tiempo antes del proceso de fabricación
de las células, los aditivos desaparecen parcialmente  Como resultado de una exposición prolongada
al Sol, y por tanto, a la radiación UV y al calor (T), el EVA comienza a degradarse y a adquirir
un color amarillo/marrón. No solo se produce decoloración, también se pueden formar (aldehídos,
ácido acético) que producirían corrosión en la metalización y en las cintas de interconexión eléctrica
de las células. La absorción de calor ↑ con este efecto; a mayor absorción de calor, efecto más rápido.
La decoloración es mucho más acentuada en el centro de la célula, la parte externa permanece clara.
La consecuencia es una pérdida de capacidad de transmisión (↓ PDC(salida)(módulo)); pero ha de pasar
tiempo (5-10años) para poder apreciar la decoloración y más tiempo para tener una ↓ PDC apreciable.
 ⑤ Degradación de la cubierta posterior (backsheet): Además de cualquier tipo de daño físico (por
ej. por una manipulación negligente del módulo), su degradación es principalmente causada por una
exposición severa a la radiación UV directa por su cara frontal y radiación UV transmitida y reflejada
en su cara posterior, que puede causar [decoloración amarilla (yellowing) debida la degradación del
polímero usado para proporcionar adhesión del backsheet al EVA, de-laminado (según donde ocurra
puede permitir la entrada de agua), formación de burbujas, rotura ( las células quedarían expuestas)
En los modelos que además de una capa termoplástica usan un vidrio como cubierta posterior, hay
riesgo de rotura del vidrio, en cuyo caso quedaría solo la capa termoplástica como elemento protector.
 ⑥ Snail trail (huella de caracol): Decoloración (de color negro/gris) de la pasta de Ag usada para la
metalización (rejilla) de la cara frontal de las células. La decoloración empieza en una esquina de la
célula y se extiendo a lo largo de las micro-roturas (no perceptibles). Ocurre al cabo de 3 meses o 1
año después de instalar el módulo y suele deberse a la entrada de humedad a través de las micro-
roturas, lo que lleva a la deposición de Ag de los (dedos metálicos de la rejilla, busbars) en el EVA.
 ⑦ Células desalineadas: No representa un problema salvo que las celdas estén muy juntas entre sí.
 ⑧ Defectos en el sellado exterior: Marco unido al laminado (vidrio + EVA/celdas/EVA + backsheet)
mediante un gel de silicona especial Verificar si se aplicó de manera continua y uniforme; encontrar
discontinuidades/sobrantes de silicona que sobresalen del marco, indica que se aplicó manualmente;
una mala aplicación puede dejar expuestos al medio ambiente los bordes del laminado  causa fallas.
 ⑨ Rotura/Corrosión de las interconexiones eléctricas entre células: La rotura de cintas conectoras
ocurre como resultado de una (expansión, contracción) térmica o de esfuerzos mecánicos repetitivos,
dando como resultado células en circuito abierto. Una zona crítica son los puntos de soldadura de las
interconexiones, en donde se produce la unión de muchos materiales distintos (material de soldadura,
cintas, Si); los cambios en la estructura/geometría de estos puntos debido a la segregación de metales
(SbPb, SnAg, BiSn) durante la soldadura y a la fatiga termo-mecánica, provoca degradación y rotura
de las interconexiones [ ↑ resistencia en serie ( RS ), aparición de puntos calientes y de quemaduras
en el backsheet, fracturas en el vidrio por calentamiento excesivo del módulo…] ↓ PDC(salida)(módulo)
Los cortocircuitos en las células pueden ocurrir en las interconexiones; es una falla muy común sobre
todo en células de película delgada, ya que en ellas los contactos están más próximos unos de otros.
 ⑩ Caja de conexiones: un mal cableado o una mala conexión de los diodos bypass dentro de la caja,
debido a un fallo de manufactura, puede hacer que los diodos se sobrecalienten y provoquen un fuego
dentro de la caja. En aplicaciones F.V siempre se usan materiales resistentes al fuego, de modo que,
por lo general, un fuego no se propagaría en la mayoría de casos. Si la estructura mecánica de la caja
es comprometida o su sellado no es apropiado, el agua de lluvia puede entrar, alcanzar los terminales
de conexión y corroerlos, ocasionando ( ↑ RS, ↓ PDC(salida)(módulo), arcos eléctricos que podrían inicia
un fuego). Otros fallos que pueden darse son una caja mal cerrada o abierta, debido a un mal proceso
de manufactura; una mala adhesión de la caja al backsheet, por lo que debe usarse un buen adhesivo.
 43

 ⑪ Conectores defectuosos (de calidad) pueden dar problemas como rotura durante el ensamblado,
sobre todo a Tamb; mal contacto eléctrico ( riesgo de producir chispas y se queme el conector)
 ⑫ Marco de Al con defectos (doblado, golpeado, rayado), afectaría a la (rigidez estructural)módulo
La acumulación de hielo en las esquinas del módulo, congelaría el marco pudiendo llegar a doblarlo.
 ⑬ Cuerpos extraños en el laminado: [pedazos de (silicona, soldadura), basura, insectos] atrapados
en el laminado, pueden causar puntos calientes y son indicativo de un deficiente control de calidad.
 ⑭ Etiqueta/Código de barras en mal estado: Todo módulo certificado tiene un código de barras.
La etiqueta debe ser resistente a (intemperie, solventes suaves) sin sufrir decoloración y/o borrarse.
 Los mecanismos de degradación pueden involucrar una ↓ gradual o total en la PDC(salida)(módulo). Una
degradación gradual en el funcionamiento (o en las prestaciones) del módulo puede ser causada por:
↑ RS (resistencia serie) debido a una mala adherencia de los contactos o a la corrosión (normalmente
causada por vapor de agua)– ↓ Rsh (resistencia paralelo) debida a la PID o a la degradación de la ARC
La degradación térmica produce defectos en la estructura de las células, afectando a sus propiedades
eléctricas, y [↑ RS, ↓ Rsh, deterioro de la capa anti-reflexiva (ARC)]. (De-laminación, Efecto browning)
hacen que la radiación solar no pueda alcanzar las capas activas de las células  Degradación de
prestaciones, y afecta a la disipación de calor uniforme, resultando en un ( ↑ Toperación )células daño
La humedad puede entrar en el módulo desde las esquinas del laminado o del backsheet, resultando
en corrosión [provocaría el fallo de contacto entre (rejilla conductora–semiconductor)célula, causando
unas pérdidas eléctricas], ↑ Ifugas, ↓ fuerzas de adhesión en las interfaces entre las ≠ capas del módulo.
Los puntos calientes (hot spots) ocurren cuando la (Ioperación)módulo excede la ISC de una célula (o de
un grupo de células) sombreada. Causas probables de formación de puntos calientes: iluminación no
uniforme del módulo – degradación de una célula debido a rotura – pérdida de una parte del circuito
serie-paralelo debido a circuitos abiertos formados en las interconexiones – defectos en la unión PN.
Según la agencia
internacional de la energía
( IEA )( International
Energy Agency ), los fallos
en un módulo solar F.V se
dividen en 3 categorías:
① Fallo prematuro
[ Infant (or early) failure ]
② Fallo de media vida
( Midlife failure )
③ Fallo por desgaste
( Wear out failure )

 Fallos prematuros: Ocurren al comienzo del ciclo de vida del módulo. Pueden ser (fallos de contacto,
desconexión de ramas de células, rotura de vidrio, marco dañado, fallos en la caja de conexiones…)
La degradación inducida por iluminación ( LID )(Light-Induced power Degradation) se produce justo
después de instalar el módulo; en células de (c-Si) ocurre durante las 1as horas de exposición al Sol y
↓ ISC en un (1-5)%; No se considera una falla. Es más destacable en los módulos de película delgada.
 Fallos de media vida: Ocurren hasta los (10-15) años de operación. [PID (degradación inducida por
potencial eléctrico), fallo en diodos, rotura de las interconexiones eléctricas de células, degradación
del vidrio, decoloración del EVA, de-laminación, rotura de células, rastros de caracol (snail trails)…]
 Fallos por desgaste, tales como corrosión de las interconexiones eléctricas de las células (falla típica)
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( DEGRADACIÓN INDUCIDA POR POTENCIAL ELÉCTRICO )( PID )

 PID –(Potential-Induced power Degradation): Pérdida gradual de PDC(salida)(módulo) debida a VDC
usados en los sistemas F.V. Causada por un potencial externo y dependiente de su (magnitud, signo).
(cuando hay un potencial  relativo a tierra). Se inducen Ifugas entre [células–(marco, vidrio)] que
↓ (capacidad de generación eléctrica)células  ↓ ηcélula
 En plantas F.V con una configuración eléctrica de puesta a tierra, el PID puede prevenirse conectando
a tierra el polo del inversor. En sistemas F.V susceptibles al PID es difícil predecir cuándo y dónde
ocurrirá el PID. Recomendable una inspección técnica para comprobar la susceptibilidad al PID, para
cualquier sistema F.V en el que no haya la certeza o no pueda confirmarse que el polo del inversor
está puesto a tierra. Tomar acciones inadecuadas para mitigar este efecto puede resultar en daños al
equipo e invalidar las garantías del fabricante. Las estrategias de mitigación variarán en f (planta F.V)
y pueden ser (cambios en la configuración eléctrica del sistema, reemplazo de módulos, instalación
de equipo adicional, o una combinación de todos ellos). En muchos artículos técnicos se menciona
que los efectos del PID son reversibles y que una vez implementadas las actividades de mitigación
apropiadas, los módulos comenzarán a recuperarse; pero esto no es del todo cierto, en condiciones de
laboratorio muy controladas, algunos módulos han mostrado mejoría, pero dependerá de la severidad
de la pérdida de P que hayan sufrido. Los módulos con una ligera pérdida de P (< 10%), normalmente
se recuperan, pero aquellos que han sufrido una mayor pérdida (> 30%), no se recuperan del todo.
 Las diferencias de VDC generadas entre (células–marco), hacen que los iones migren desde el
semiconductor hacia otros componentes (vidrio, marco), y los iones  desde esos componentes hacia
el semiconductor (se derivan cargas hacia la capa activa de las células provocando una incorrecta
evacuación de los e– liberados por efecto fotovoltaico). Esta migración de iones (,  ) merma las
características eléctricas de las células solares F.V, originando una degradación de la ( PDC(salida) )célula
 Factores que afectan a/aceleran la PID: ① ambientales [↑ (T, humedad), niveles de irradiancia solar][
(superficies)módulo húmedas, como en días de lluvia)]–② Diseño/Construcción del módulo [(calidad,
propiedades) de los materiales de ( células, vidrio, encapsulado, cubierta trasera )  (materiales de
calidad, tecnología avanzada en las plantas de fabricación) aseguran una producción de módulos
resistentes al PID. No todas las células son igual de sensibles a la PID]–③Configuración eléctrica del
sistema F.V [(V, topología de puesta a tierra)sistema (el PID ocurre si el polo del inversor no está
conectado a tierra, en un inversor sin transformador, o en un sistema configurado como bipolar en
el que el polo (+) del inversor está conectado a tierra][no ocurre en sistemas F.V en los que el polo
del inversor está conectado a tierra, o en sistemas con Vsys ≤ 600V; se elimina el potencial por V
que conduciría a que se produjese el PID]
Efectos del PID: [ ↓ ( Rp )(resistencia paralelo)( Rsh )(shunt resistance) ]  [ ↓ ( MPP, VOC ) ]

Fig.Izq.: Esquema de un array F.V conectado a la red eléctrica mediante un inversor sin transformador. Fig.central:
sección transversal del módulo. Fig.dcha.: Detalle de la sección transversal, cerca del marco (a tierra) del módulo.
 48
1.2.3 CURVA CARACTERÍSTICA ( C.C ) DE SALIDA ( I-V ) DE UN MÓDULO
 Característica ( I–V ) de un módulo solar F.V: Representa las posibles combinaciones de valores ( V,
I )DC en los que puede funcionar el módulo bajo unas condiciones ambientales (G, T) determinadas.
 [ c.c ( I–V )módulo ] varía con las condiciones ambientales [radiación solar incidente (irradiancia), T]

 Conexión serie permite adicionar tensiones ( V ): Vm  ( Ns  Vc )

Vnominal del módulo = [ ( Nº células en serie por rama )  ( Vnominal de una célula ) ] (células iguales)
 Conexión paralelo permite adicionar intensidades de corriente ( I ): Im  ( Np  Ic )
Inominal del módulo = [ ( Nº ramas en paralelo (| |) )  ( Inominal de una célula ) ] (células iguales)
 Ppmpm  ( Ns  Np )  Ppmpc  Nc  ( Vpmp Ipmp)c  (Pmax )módulo  [Nº total células  (Pmax )célula ]

① Efectos de Rp despreciables ( Rp → ∞ ); RS ≠ f (condiciones de operación) R s m  R s  ( Ns / Np )

② [ Corriente foto-generada ( IL )  Corriente de cortocircuito ( ISC ) ] → ( IL  ISC )
[ ( V  ( IR s ) ) / VT ]
③ En cualquier condición de operación: e  1 [ VT ≅ 25mV, para ( m = 1 )(ideal)]
④ Todas las células son iguales y trabajan en las mismas condiciones de [ irradiancia solar ( G ), T ]
⑤ Caídas de V despreciables en los conductores que interconectan entre si las células del módulo.
Corriente de cortocircuito ISCm  ( Np  ISC ) Tensión de circuito abierto VOCm  ( Ns  VOC )

Corriente neta entregada  Vm  ( I m R s m )  VOCm   Vc  ( I c R s )  VOC   k  Tc 

por el módulo solar F.V  
   VT   
N s VT
I m  ISC m  [ 1  e ]  ( )  [1  e ]  q 
VT
N p  ISC

 c.c (I–V): tienen una zona donde la Isalida

permanece casi cte para valores crecientes
del Vsalida  Módulo como fuente de I cte,
se mantiene así hasta alcanzar una zona de
transición, a partir de la cual, pequeños ↑
Vsalida dan lugar a bruscas ↓ Isalida
 c.c (P–V): Al ↑ V, P ↑ hasta PMP y luego ↓

 P  ( V I ) : Si ( I = ISC )  ( V = 0 )  ( P = 0 ) Si ( V = VOC )  ( I = 0 )  ( P = 0 )
 El (punto de trabajo/operación)módulo [ ( (V, I)DC )módulo cuando se conecta a una carga] es f (muchos
factores)[radiación solar, Ttrabajo, características de la carga DC conectada al sistema, (SoC)batería…]
Para unas determinadas condiciones de trabajo, está definido por la VDC entre terminales del módulo
y la IDC que suministra a la carga DC conectada entre sus terminales.  un punto de máxima potencia
( PMP )(MPP)(Maximum Power Point) = ( Punto de trabajo )módulo para una ( G, T ) dadas, en el que
[ PDC(salida) = ( VDC  IDC ) ]módulo es máx.( Ppmp )[≈ rectángulo de mayor superficie que puede extraerse
bajo la c.c (I–V) ]  Un módulo que trabaje en su PMP tendrá PDC(salida)(max) (genera la Eeléctrica(max))
 49
1.2.4 PARÁMETROS ELÉCTRICOS BÁSICOS

VOC Tensión VDC (max) que puede entregar el módulo bajo unas condiciones de [ radiación solar
en circuito (irradiancia solar)(G) incidente, temperatura (T)] determinadas, correspondientes
Vca abierto a una circulación de corriente ( I ) nula [ y consecuentemente a potencia ( P ) nula ]

 (Terminales)módulo en circuito abierto, sin carga conectada  [ Vsalida(total) = VDC(max), ( I = 0 ) ]módulo

 ( VOC ↓ )[ ligeramente al ( ↑ G ); sensiblemente (se ve muy afectada) al ↑ ( Toperación )módulo ]

① ( Vnominal )módulo > ( Vnominal )baterías de una ISF , para paliar la ↓ que puede producirse debido al ↑ T
( VOC )módulo > (siempre)( VDC(max) )batería , para poder cargar la batería correctamente y ↑ su vida útil
② ( VGFV ↑ al ↓Toperación )  en los cálculos se usa la ( VOC )módulo a la Toperación más baja posible en la
zona donde esté la ISF, suele coincidir con G  Obtener ( VOC )módulo en condiciones ( G, Tamb )
③ Limita en el nº máximo de módulos que pueden conectarse en serie para un inversor dado.
④ [ VDC(salida)(max) en el instante de conexión entre ( GFV–inversor ) ] = ( VOC )GFV
( VDC(salida)(max) )GFV en las condiciones extremas < (siempre) VDC(entrada)(max) admisible del inversor

ISC IDC (max) que puede entregar el módulo bajo unas determinadas condiciones de
Intensidad de
[ radiación solar ( irradiancia solar )( G ) incidente, temperatura ( T ) ],
Icc cortocircuito
correspondientes a una tensión ( V ) nula ( y consecuentemente a una P nula )
 (Terminales)módulo en cortocircuito, sin carga conectada  [ ( Isalida(total) = IDC(max) ), ( V = 0 ) ]módulo
 ( ISC ↑ )[ sensiblemente (se ve muy afectada) al ( ↑ G ); ligeramente al ↑ ( Toperación )módulo ]

① Limitación el nº máximo de ramas/cadenas/strings que pueden conectarse en | | para formar el GFV.

Para un (GFV, inversor) dados: ( IDC(salida)(max) )GFV < (siempre) IDC(entrada)(max) admisible del inversor
② Como IDC(salida) ↑ fundamentalmente con G, e IDC(salida)(max) para unas condiciones dadas de ( G, T )
es ISC  es necesario obtener el valor de la ( ISC )módulo en condiciones de Gmax
③ Parámetro eléctrico importante en el diseño del sistema de protección de la ISF.

Potencia  PDC (max) que puede entregar el módulo en unas determinadas condiciones de (G,
Ppmp máxima T), correspondientes al punto de la c.c ( I–V ) en el que ( V I ) DC es máximo.

 Ppmp  ( Vpmp Ipmp ) → Ppmp = f ( G, T )→[ ( Ppmp ↑ ) al ( ↑ G, ↓ T ) ]–[ ( Ppmp ↓ ) al ( ↓ G, ↑ T ) ]

 El fabricante proporciona este dato con una tolerancia, ya que no todas las células que forman el
módulo son idénticas, y la célula con menores prestaciones afectará al comportamiento del resto.
 [ ( Ppmp )( Pnominal ) ] debe ser > P(consumo/demandada)(max) ) para la cual ha sido diseñada la ISF.
 Medida en condiciones estándar (STC): ( Potencia pico )( Pp )( Ppk )[ vatios pico ][ Wp ]

 Ipmp – Ip : IDC (salida)(max) que entrega el módulo a Pmax, bajo determinadas condiciones de ( G, T )
 Valor usado como Inominal. Varía fundamentalmente con la G: Ipmp = f ( G )→( Ipmp ↑ ) al ( ↑ G )

Vpmp – Vp : VDC (salida)(max) que entrega el módulo a Pmax, bajo determinadas condiciones de (G, T)
 Usado como Vnominal. Varía fundamentalmente con la Toperación: Vpmp = f ( T )→ Vpmp ↓ al ↑ T
 Un módulo se diseña para trabajar a una determinada Vnominal, procurando que los valores de
Vpmp en las condiciones de (G, T) más frecuentes coincidan con dicho valor. Suele ser 80%VOC
 Si el módulo trabaja a una VDC < o > Vpmp  [ ↓ ( PDC(salida) )módulo ]
 50
 ( PDC generada por el módulo ) en unas condiciones determinadas de trabajo: Corresponde al área del
rectángulo definido por los ejes ( I, V ) y el punto ( Vm, Im ) de la c.c ( P–V ) donde trabaja el módulo.
( PDC(max) )( Ppmp ) = área del mayor rectángulo que pueda inscribirse bajo la c.c ( P–V ); está definido
por los ejes ( I, V ) y el punto (Vpmp, Ipmp) donde debe trabajar el módulo para extraer la ( Ppmp )módulo

 Tolerancia de potencia : Debido a (≠ etapas del proceso de fabricación, ≠ componentes que forman
el módulo) la PDC(salida) puede variar sensiblemente respecto a la indicada en la hoja de características
técnicas ( Pnominal )( Pmpp ); variación denominada tolerancia. Algunos fabricantes especifican una
tolerancia típica de [(+/– 5%)(+5/–5)%]  al comprar un módulo de 100W, éste puede entregar PDC
= (95  105)Wp (STC); si el módulo costó 100€, en el 1er caso sale a 1.05 €/Wp, en el 2do a 0.95 €/Wp
 diferencia de 10 (c€ / Wp) a tener en cuenta, sobre todo en ISF con PDC instalada. Otros fabricantes
usan tolerancias en W  Al comprar un módulo de 250W con tolerancia (+/– 5W), podemos recibir
un módulo de 245 a 255W. Actualmente, es un estándar ofrecer una tolerancia positiva, nos asegura
que vamos a obtener, como mínimo, la PDC que hemos pagado; si compramos un módulo de 250W
con tolerancia [( 0 /+5 )( 0 ~ +5 )] o [( 0 /+3 )( 0 ~ +3 )] Wp , deberemos recibir un módulo de 250Wp
y hasta de (255 o 253)Wp. Puede venir expresada en %. Recomendable evitar tolerancias negativas.
 La PDC(salida) es usada habitualmente para referirnos al tamaño/capacidad del módulo; es una PDC que
casi nunca se consigue en condiciones de operación normal porque su valor se midió en condiciones
estándar (STC) que difícilmente se dan en el día a día cuando el módulo está en funcionamiento. Este
valor nos sirve para poder comparar 2 módulos de igual tamaño. Por ello, tiene mayor relevancia el
valor de PDC en condiciones nominales de operación (ya que suelen ser más habituales, más realistas)
 Un módulo no suele trabajar en condiciones de Pmax, ya que (punto de trabajo)módulo es f [condiciones
ambientales (G, T, viento, lluvia, nieve, humedad...), carga conectada]. Si en la ISF hay un dispositivo
encargado de mantener al módulo trabajando en su PMP   seguimiento del MPP  El dispositivo
que controla el (punto de trabajo)módulo deberá disponer de un sistema de seguimiento del MPP para
maximizar la (generación eléctrica)módulo, maximiza la [( PDC(salida) )módulo, ( Eeléctrica(salida) )ISF]. En
SFCR (sistema F.V de conexión a la red de suministro eléctrico) se usa un inversor (convertidor DC/AC);
en SFA (sistema F.V aislado/autónomo) se usa un regulador solar de carga MPPT. Las características
eléctricas del módulo deben ajustarse a las del dispositivo que controla el ( punto de trabajo )módulo
Aunque todos los módulos de un GFV fueran idénticos, los PMP serán ≠, ya que no todos los módulos
estarán a igual T: los que estén en el lado por el que sopla el viento estarán más fríos; en montajes
con varias ramas, los módulos de las ramas superiores recibirán el calor evacuado por las inferiores.

 η –( Rendimiento )( Eficiencia de conversión energética ): Determina la calidad del módulo.

 [ ( Peléctrica (max) )( Pmpp ) que puede entregar el módulo / Psolar radiante ( PL ) incidente sobre la
(superficie)módulo de área ( Am )] [ PL = ( irradiancia solar incidente )( G )  ( área )módulo ( Am ) ]

 η ( % )  ( Ppmp / PL ) 100  [( Ipmp Vpmp ) / ( G Am )] 100 ηmódulo ↓ al ↑ ( Toperación )módulo

 Reducción de eficiencia desde 1000W/m2 a 200W/m2 = x [%] ( x = 4, 5, 5.3, 6, 6.6, 7.1, 7.3 )(ej.)
 Según el área que se tenga en cuenta, hay varias formas de definir el ηmódulo  ηmódulo respecto al:
( Área total )módulo : [células, contactos/rejillas, marco, espacio intercelular y entre (células–marco)]
( Área )células : Considera el área que está cubierta por células dentro del módulo, ignorando el espacio
entre (células–marco). Se sustituye el ( área total )módulo ( Am ) por el ( área de células )módulo ( Ac )
( Área activa )células = ( área )módulo expuesta a la radiación solar, sin incluir las áreas tapadas por
contactos/rejillas de las células. Es el η de mayor valor, pero sólo aplicable a células en laboratorio.
 51
 Eficiencia : PDC que es capaz de producir 1m2 de módulo al recibir una irradiación de 1000W/m2
Ej.: Si en la hoja de características técnicas de un módulo de 245W se indica una eficiencia ( η ) = 15%
 por cada 1000W/m2 de irradiación que recibe 1m2 de módulo, producirá 150W. Los módulos de
mayor η (mayor Eeléctrica producida) suelen ser más caros. Sin problemas de espacio, no tiene sentido
pagar un precio por un módulo de η; si el espacio es limitado habrá que instalar módulos con η.
Módulo mono-cristalino deberá tener η = (15.5  21.5)%, un módulo poli-cristalino ( 14.5  16.6 )%
NOTA: η calculadas para el módulo como unidad, ya que algunos fabricantes indican la ηceldas(módulo)
de manera individual [ > (siempre) ηmódulo ]. Si ( ηmódulo < η actuales )  el proveedor está vendiendo
un módulo que ha sido fabricado con anterioridad o está formado con celdas de tecnología obsoleta.

Factor de forma /  [ Pmax que puede entregar el módulo, definida por el punto ( Ipmp, Vpmp )
FF llenado / relleno de la c.c ( I–V ) / Pmax (teórica) definida por el producto ( ISC  VOC ) ]
 Ipmp  Vpmp   [(FF < 1)(siempre)(en tanto por 1)][ Ppmp = ( Ipmp  Vpmp ) < ( ISC  VOC )]
FF   
 ISC  VOC   ( FF ↓ ) al ( ↑ Toperación )módulo [ = ( 0.7  0.8 ) para células de ( Si, GaAs ) ]
 Cuanto más próximo a 1  módulo de más calidad, más se aproxima la c.c (I-V) al rectángulo de Pmax
 ( c.c (I-V) )módulo con ( FF = 1) sería un rectángulo  para (ISC, VOC) proporcionaría la Pmax posible.
[CARACTERÍSTICAS(FÍSICAS/MECÁNICAS)–CONDICIONES OPERATIVAS](c-Si)
 Características físicas : Dimensiones [ largo (length) x anchura (width) x altura (height) ]( L x W x
H )[mm][in]  área expuesta a la radiación solar = ( L x W )[m2] – Peso (Weight) [ kg ][ lb ] – Células
que forman el módulo: tipo ( m-Si, mc-Si ), cantidad ( nº ), tamaño ( dimensiones )[( 156 x 156 )mm
(6 x 6)in, (125 x 125)mm (5 x 5)in ], asociación eléctrica (serie, paralelo), conexión ( nº busbars ) –
(Material, Grosor)(marco, cubierta delantera / posterior, encapsulante)módulo – Caja de conexiones
[material de fabricación, grado de protección IP, nº diodos bypass (2/3)] – Conectores (tipo, material,
grado de protección IP) – Cables [ tipo (de tecnología F.V), longitud [mm][in], sección [mm2][in2] ]
 Condiciones operativas para un funcionamiento óptimo del módulo en el sistema F.V (SFA, SFCR):
IR (corriente inversa máx.)(maximum reverse current): Imax en sentido inverso que el módulo puede
soportar en régimen permanente. Valores típicos en las hojas características: (15, 16, 18, 20, 25)A
 (capacidad máxima del fusible en serie)(maximum series fuse rating) [A] = (15, 20)A (típico);
también viene especificado en alguna hoja de características como protección máx. del string.
Vsys ( tensión máxima del sistema )( maximum system voltage ): Limita el nº máx. de módulos que
pueden conectar en serie. Ej.: [ 1000V (IEC) / 600V (UL) ]; [ 1000V DC (IEC, UL) ]; [ 1000V (SC II) /1500V
(NEC) ](SolarWorld); 1000V DC (UL1000V); [1500V (IEC) / 1000V (UL) ]; [ 1000V (TÜV) / 1000V(UL) ]
Rango de Ttrabajo/operación [ºC]: Establece los límites (mín., máx.) de Tambiente que puede soportar el
módulo. En las hojas técnicas: [( –40  85 / 90 (de LG) )ºC ](operating module temperature rating)
Carga máx. de viento : pviento(max) [ Pa ][kgf / m2][lbs / ft2] que soporta el módulo, o vviento(max) [m/s]
Carga máx. de nieve : (pnieve(max) [Pa] o peso máx. [kgf / m2][lbs / ft2]) que puede soportar el módulo.
 [ Carga estática máxima: frontal (nieve)( 5400 ); ( frontal & posterior )(viento)(2400/3600) ][Pa]
 [maximum static (or mechanical) load: front (snow & wind), back (wind)](certified nominal load)
Máximo impacto por granizo –Parámetros de los ensayos: [granizo de 25mm, desde 1m de distancia
a 23m/s] [impact resistance: Hailstone / Ø 25mm / 83 km/h (51 mph)][ 35mm hail stones at 97km/h ]
Resistencia a la degradación inducida por potenciales eléctricos ( PID-free PV solar modules )
 52
El módulo, durante toda su vida útil, es sometido a cargas mecánicas (carga de viento). Los vientos
fuertes ocasionan pviento sobre la superficie del módulo y pueden causar daños  En lugares con
vientos fuertes es preferible un módulo con una capacidad para soportar/resistir cargas de viento.
La resistente estructura del módulo debe superar los test de carga mecánica IEC/EN 61215 a 2400Pa.
En zonas de clima frío, los inviernos nevados blanquean los módulos con nieve, y originan una carga
de nieve que supone un peso extra sobre la superficie del módulo, y podría comprometer su integridad
estructural  El módulo debe poder soportar la pnieve extra. El exceso de p por nieve es uno de los
daños importantes en sistemas F.V, junto a los daños por (tormentas, sobretensión, granizo, incendio).
En tejados inclinados, la carga de nieve sobre el módulo está desigualmente distribuida; la nieve se
desliza hacia abajo hasta la parte inferior del marco, provocando cargas sobre (módulo, piezas de
montaje). Provoca efectos en la ( estructura, vidrio )módulo  El módulo debe estar diseñado para
soportar condiciones climáticas duras, como las de las zonas con nevadas. La estructura del módulo
debe superar los test de carga estática (IEC / EN 61215) a 5400Pa [para (ANSI / UL 1703) son 3600Pa]

1.2.5 CONDICIONES DE [(MEDIDA/ENSAYO)EN LABORATORIO/OPERACIÓN]

 (Comportamiento eléctrico)módulo, que es necesario conocer para usar el módulo y diseñar el GFV, está
determinado por unos parámetros, medidos bajo determinadas condiciones de [irradiancia solar (G),
temperatura (T)], no ctes, ya que para su medida los fabricantes toman como referencia determinadas
condiciones. La c.c (I–V) cambia con las condiciones ambientales  se definen unas condiciones de
operación para extrapolar a partir de ellas a otras condiciones y contrastar valores de ≠ fabricantes.
 Condiciones de ensayo de un módulo/célula en un laboratorio : (Condiciones Estándar de Medida)
(CEM)– ( Condiciones de ensayo normalizadas )( CEN )–( Condiciones de Ensayo Estándar )( STC )
(Standard Test Conditions)(Comisión Electrotécnica Internacional IEC 60904–1 , UNE–EN 61215 )
 Irradiancia solar ( G ) = 1000 [W/m2]; distribución espectral estándar de la radiación solar (global &
direct)(ASTM G173-03e1): AM1.5 (masa de aire); con incidencia normal (  ); Tcélula = ( 25 ± 2 )ºC
 [Parámetros eléctricos, c.c (I–V)(P–V)]módulo/célula de la hoja técnica del fabricante, vienen definidos
en STC, permiten comparar módulos/células entre sí, pero no son útiles para diseñar la ISF, no suelen
darse en la práctica: G=1000 (W/m2) se alcanza al mediodía y en muy pocos días; T=25ºC es baja, la
célula/módulo alcanza mayor T en condiciones normales  Condiciones de operación más realistas:
 Condiciones de operación a TONC (Temperatura de Operación Nominal de
Condiciones de
la Célula)[( NOCT )(Nominal Operating Cell Temperature)]: T que alcanza
Operación Estándar
una célula cuando se somete a las siguientes condiciones de operación:
( SOC )(Standard 2
Operating Conditions)  Irradiancia solar ( G ) = 800 [ W / m ], con la distribución espectral de la
radiación solar dada como referencia en la norma UNE–EN 60904–3
Condiciones
 AM1.5; incidencia normal (  ); ( Tambiente )( Ta ) = 20ºC; vviento = 1 [m/s]
Nominales de
 Módulo en circuito abierto, viento soplando en una dirección | | al plano del
Operación (CNO)
sistema, cuyas partes están totalmente expuestas a la acción del viento.
 La célula, en condiciones nominales de operación, alcanza T superior a la alcanzada en condiciones
estándar de medida del laboratorio (STC). La TONC es una medida cuantitativa de ese incremento.
 Valores típicos indicados en las hojas técnicas de los módulos: TONC = (43, 44, 45, 46, 47) ± 2ºC
 Relación entre Ta y Tc (Tcélula) [o Tm(Tmódulo)]: Tc [ºC] = Ta [ºC] + [(TONC – 20ºC) / 800 (W / m2)]  G
Condiciones de ensayo  Irradiancia solar ( G ) = 200 [ W / m2 ], con la distribución espectral dada
a baja irradiancia solar como referencia en la norma UNE–EN 60904–3 , AM1.5, Tcélula = 25ºC
PTC  Irradiancia solar (G) = 1000 [W / m2 ], Taire = 20ºC, vviento = 1 m/s a 10m sobre el nivel del suelo
 (PVUSA test conditions): Desarrolladas para probar/comparar sistemas F.V como parte del proyecto
PVUSA (Photovoltaics for Utility Scale Applications). Los valores PTC son inferiores a los valores STC.
 53
CÁLCULO DE PARÁMETROS DE UNA CÉLULA/MÓDULO SOLAR F.V
 Los fabricantes suelen dar ( VOC, ISC, Pmpp, Vmpp, Impp ) medidos en STC
 Si las condiciones a las que se ve sometido el módulo son ≠ a las STC, sus características cambiarán.
EN CUALQUIER CONDICIÓN DE [IRRADIANCIA SOLAR( G ),TEMPERATURA( T )]
 Para un módulo, se sustituyen [( I, V )DC ]célula por los del módulo y Tcélula ( Tc ) por Tmódulo ( Tm )

 HIPÓTESIS : ISC [ = f ( G ), ≠ f ( Tc ) ]; VOC [ ≠ f ( G ), = f ( Tc ) ]; Pmpp = f ( G, Tc ) ]

( Nula influencia espectral )–( RS = cte )–( Efectos despreciables de la vviento sobre Tc )–( En la
disipación de calor al ambiente a través del encapsulado, predominan los efectos de conducción )

1) (Toperación)célula ( Tc ) es f [irradiancia (G), Tambiente (Ta )]: Tc = Ta + [ ( TONC–20ºC ) / 800(W/m2) ]  G

2) ISC depende fundamentalmente de G, ↑ linealmente al ↑ G, proporcional a G : La hipótesis supone

despreciar los efectos, sobre ISC, de la Tcélula y de la distribución espectral de la radiación solar
incidente sobre la célula. Todo ello supone un ( error < 0.5% ) en condiciones reales de operación.

 ISC ( G 2 )  ISC ( G1 )  ( G 2 / G1 ) → Válida para variaciones de G a ( T = cte ), y resulta una

aproximación cuando T varía, ya que supone despreciar los efectos que T tiene sobre ISC
 ISC ( G 2 )  G 2  ( ISC ( G1) / G1 )   ISC, STC   ISC [ 1000 ( W / m2 ) ]  
 I ( G )  ( G C )  G ( I   C1 
  
 1000 ( W / m2 )  

 SC 1 SC, STC / G STC )   G STC   
 G ( W / m2 ) 
 ISC ( X )  ( X ISC, STC )    G  SC, STC 
I
   
   SC
I ( G ) ISC, STC  2   G
 X  ( G / G STC )   GSTC ( W / m )   STC 

 En f ( T ): ISC ( Tc )  ISC,STC( TSTC)  [1  αISC  ( Tc  TSTC )] [ TSTC = ( Toperación )célula en STC ]

 En f (G, T): ISC ( Tc )  ISC,STC( TSTC)  ( G / GSTC)  [αISC  ( Tc  TSTC )] ( α ISC en [mA / ºC] )

3) VOC solo depende de ( Toperación )célula ( Tc ), y ↓ linealmente al ↑T : La hipótesis desprecia los efectos
de la iluminación sobre VOC, lo que en condiciones reales de operación supone un ( error < 1% )
 Variación de VDC(circuito abierto) con T: VOC ( Tc )  VOC,STC( TSTC)  [1  βVOC  ( Tc  TSTC ) ]

 En f (G, T): VOC ( Tc )  VOC,STC( TSTC)  m  ( k T/ q )  Ln ( G / GSTC)  [ βVOC  ( Tc  TSTC ) ]

m ( factor de idealidad )diodo (1  1.2)( células de c-Si ); q ( carga del electrón ) = 1.602·10–19C; k
(constante de Stefan Bolztman)(1.38·10–23 J / K); β VOC ( coeficiente de T de VOC )[mV / ºC]
*
4) Variación de PDC(max) con (G, T): Pmpp ( Tc )  Pmpp, STC  ( G / G )  [1  γ Pmpp  ( Tc  TSTC )]

( COEFICIENTES DE T )( COEFICIENTES DE VARIACIÓN CON LA T )

 Representan el comportamiento del módulo/célula ante variaciones de T; toman como referencia GSTC
Expresan la variación/dependencia con la T ( Tcélula )(Tmódulo) de (VOC, ISC, Pmpp). Indican la [pérdida
de ( VOC, Pmpp ), ganancia de ISC] porcentual por cada ºC que ↑ Tcélula/módulo por encima de 25ºC.
 Algunos fabricantes incluyen en la hoja técnica de sus módulos, los coeficientes de T de (Impp, Vmpp)
 Mejor un módulo con unos coeficientes de T para tener mayor producción energética a Toperación
Coeficiente de T de ISC αISC   (  ISC/  T ) Variación de ISC al variar T Coeficientes
correctores
Coeficiente de T de VOC βVOC   (  VOC/  T ) Variación de VOC al variar T
expresados como
Coeficiente de T de Pmpp γ Pmpp   (  Pmpp /  T ) Variación de Pmpp al variar T [x% / ºC]
 54
1.2.5 FACTORES QUE AFECTAN A LA CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA (I-V)
 G ↑  IDC(salida)↑ (directamente proporcional), VDC(salida) casi cte  VOC apenas varía, ISC↑, Ppmp ↑
 Tmódulo ↑  VDC(salida) ↓ en forma directamente proporcional  En lugares con Tamb son aptos
módulos con mayor nº células en serie para que den la suficiente VDC(salida) para cargar las baterías.
Si ( ↑ T )  [ VOC ↓, ISC ↑ muy ligeramente (permanece casi cte), Ppmp ↓ [ Ipmp ↑(poco), Vpmp ↓ ] ]
 A menor Tmódulo, mejor trabajará y más PDC entregará  Cuanto menor sea (TONC)célula, mejor.
 55

1.2.6 INTERACCIÓN DE UN MÓDULO CON UNA (CARGA RESISTIVA, BATERÍA)

 El ( punto de trabajo )módulo dentro de su c.c (I-V) es f (características de carga DC conectada en los
bornes del módulo)  La carga determina el punto de trabajo  Conocer la ( c.c operativa )carga 
( punto de trabajo )módulo = punto de intersección entre [ c.c ( I–V )módulo – ( c. c )carga DC (para una
carga resistiva y una batería, su c.c es una recta, recta de funcionamiento de la carga DC conectada)]
 56
INTERACCIÓN DEL MÓDULO
A CON UNA CARGA RESISTIVA
 Módulo/GFV conectado a una carga DC que se
comporta como una resistencia eléctrica (por
ejemplo una lámpara incandescente), cuya c.c
(recta de carga ) está dada por: I  ( V / R )
[R [Ω]: Resistencia de la carga DC conectada]
 Para hacer que módulo trabaje en su MPP, se
debe ajustar el valor de R para que el punto de
intersección coincida con el MPP del módulo.

B INTERACCIÓN DEL MÓDULO CON UNA BATERÍA (IDEAL, REAL)

 El valor de Vbatería es impuesto a todos los elementos conectados a la batería  La batería determina
el (punto de trabajo)módulo. La ( IDC(salida) )módulo está influenciada por las variaciones de (G, T) a lo
largo del día, lo que se traduce en una Icarga variable que ingresa a la batería.
Zona gris: rango de trabajo normal (11 
15)V para una batería de (Vnominal = 12V);
da una idea de la (zona de trabajo)módulo.
A la izq. del PMP  el módulo produce
menos Eeléctrica de la que produciría en
condiciones nominales de trabajo, ya que
estaría trabajando fuera de su PMP  Un
regulador solar de carga MPPT obligaría
al módulo a funcionar en su PMP, haciendo
que entregue la Pmax posible (Eeléctrica(max))

①Conexión [módulo–batería ideal de 12V (VB cte, resistencia interna ( RB ) nula)]. Rango de (Vbatería)(
VB ): (11  15)V; PDC que entrega el módulo = ( ISC  VB ) – ② Punto de trabajo de un SFA en un proceso
de carga de la batería – ③ Punto de trabajo ( PT ) de un SFA en un proceso de descarga de la batería
 Batería real: Tiene [VB, RB (resistencia interna)] que son f [muchos factores, entre ellos el (SoC)batería]
 VB(real) = VB + ( IB  RB )  (Recta de funcionamiento)batería dada por: IB = ( VB(real) – VB ) / RB
 Consumo DC = carga resistiva pura cte: A la Vtrabajo ( VT ) la carga DC está demandando una IR < IT,
de la Eeléctrica producida por el GFV, EG  ( IT  VT  t ) , una parte, ER  ( IR  VR  t ) , es consumida
por la carga, y la diferencia se entrega a la batería para su carga. [( t )(intervalo temporal considerado)]
 Proceso de carga  c.c ( I–V )batería es una recta con pendiente  cuyo valor ↑ al ↑ ( SoC )batería
PT variará si varía alguna de las 3 c.c, lo que ocurre constantemente. Si suponemos que c.c (I–V)módulo
es la que varía, al ↓ radiación solar por ej., el sistema trabaja según la fig.② ( Eeléctrica generada <
Eeléctrica demandada por la carga )( IT < IR )  la diferencia debe ser suministrada por la batería.
 Proceso de descarga  c.c ( I–V )batería es una recta con pendiente
 57
1.3 GENERADOR SOLAR FOTOVOLTAICO GFV
 GFV: Conexión en paralelo de varias ramas de módulos conectados en serie. Conjunto de módulos
conectados en asociaciones serie y/o paralelo para conseguir: ①adaptarse a las condiciones de
operación de una aplicación F.V determinada – ② La VDC(trabajo) adecuada de los convertidores de
potencia (regulador de carga, inversor…)–③ Los niveles de IDC(max) admitidos por los convertidores
de potencia –④ La PDC necesaria de la ISF, como producto [ VDC(max)(total)  IDC(max)(total) ] en el PMP
Nº total de Resistencia serie del GFV:
módulos del GFV: Nº total de células del GFV:  Ns   Ns  Ns 
NmG  ( Ns m  Npm ) NcG  ( Ns m  Npm )  ( Ns  Np ) R sG  R sm  m   R s   m 
 Np   Np  Np 
 m  m 
 Asociación serie: La IDC que circula por los módulos asociados en serie es la misma para todos ellos.
VDC(total) = [ ( VDC )módulo  Nº módulos conectados en serie ](si todos los módulos son idénticos)
 Asociación paralelo: La VDC(trabajo) de todos los módulos es la misma. IDC(total) = Σ ( IDC que circula
por cada módulo asociado en paralelo ) = [ ( IDC )módulo  Nº módulos en paralelo ](módulos idénticos)
 (Itotal)GFV: IG  ( Np m  Im )  ( Np m  Np )  Ic  (V ) : V  ( N  V )  ( N  N )  V
total GFV G sm m sm s c
 ( Np m ): Nº ramas en | | de módulos en serie.  ( N s m ): Nº módulos en serie en cada rama.
 ( Np ): Nº ramas en | | de células asociadas en  ( NS ): Nº células en serie en cada módulo.
serie que forman cada módulo del GFV.
 A partir de ( Impp, Vmpp )célula: VmppG  Vmpp ( Ns m  Ns ) ImppG  Impp ( Np m  Np )
 Potencia nominal del GFV = Σ ( PDC(max) de cada módulo que forma parte del GFV )
PmppG  ( VmppG  ImppG )  ( Vmpp Impp )  ( Ns m  Ns )  ( Npm  Np )  ( Vmpp Impp )  NcG
Corriente de cortocircuito del GFV: Tensión de circuito abierto del GFV:
ISCG  ( ISCm Np m )  ( ISC Np m  Np ) VOCG  ( VOCm Ns m )  ( VOCNs m  Ns )
Ecuación  VG  ( I G R s )  VOC   Vc  ( I c R s )  VOC 
 G G   
de la c.c (I–V)  N  N  V 
 [ 1  e ]  ( N  ]
sm s T VT
del GFV IG  ISC G pm  N  I
p SC )  [ 1  e

GFV compuesto por 2 ramas (strings) en paralelo ( | | ) de 3

módulos en serie cada una, incluyendo protección mediante
fusibles en cada rama y diodos de paso incluidos en cada módulo

 En el esquema de la derecha se han incluido 2 tipos de diodos que actúan como diodos de bloqueo
(DR, DB) evitando la circulación de IDC(inversas) por cada rama del GFV y por el propio GFV (en este
caso se bloquea la IDC procedente de la batería/s, evitando así la descarga de ésta a través del GFV).
Otra protección habitual, que sustituye a los DR, son los fusibles (esquema de la izquierda), que suelen
conectarse tanto en el terminal  como en el  de cada una de las ramas (string) del GFV (array)
 Nº (máx., mín.) de módulos que pueden asociarse en serie, determinado por [VDC(entrada)(max, min) del
inversor (u otro tipo de convertidor usado), ( VOC, Vpmp )módulo usado en la ISF. Nº máximo de ramas
en || se determina a partir de [ IDC(entrada)(max) del inversor, ( Ipmp )módulo ]. En los cálculos se dejan
unos márgenes de seguridad suficientes para garantizar el correcto funcionamiento de la ISF.
 58
1.4 AGRUPACIÓN DE ( MÓDULOS/CÉLULAS ) EN ( SERIE/PARALELO )
1.4.1 INTRODUCCIÓN
 Al hablar de la c.c ( I–V ), se ha supuesto que el módulo estaba formado por células idénticas :
V multiplicado por NS ( nº células en serie ), I por Np ( nº ramas en | | de grupos de células en serie )
 Debido a la dispersión de parámetros de las células en el proceso de fabricación, y la posibilidad
de que no todas trabajen en iguales condiciones de (G, T), es frecuente que no todas las células
de un módulo o no todos los módulos de un GFV, operen en las mismas condiciones [por ej.: que
en un módulo parte de las células estuviesen en sombra y el resto iluminadas (al Sol)]. Algunos
efectos son evitables diseñando bien la ISF, otros son impredecibles/inevitables  protecciones
 Células idénticas iluminadas con ≠ intensidad luminosa producen una IDC de diferente magnitud.
Las características eléctricas de una célula sombreada difieren de las de una célula iluminada.
 Al agrupar (células / módulos) en (serie / paralelo) consideramos que: ① Todos son idénticos en sus
parámetros físicos – ② Reciben exactamente la misma irradiancia – ③ Todos operan a la misma T
Estas condiciones ideales de trabajo no son habituales ya que se puede producir lo siguiente:
1) (Pérdidas por dispersión de parámetros)( Pérdidas por desacoplo )(Mismatch losses): Se originan
porque las (células/módulos) agrupados en (serie/paralelo) para formar un (módulo/GFV), no son
exactamente idénticos. (Parámetros eléctricos)(células / módulos) nunca son exactamente iguales. Para ↓:
a) Los fabricantes clasifican las células por categorías, agrupando en un mismo módulo aquellas
células con valores próximos de ISC, que no tengan una dispersión grande en sus valores de ISC
b) Clasificar los módulos que componen el campo F.V por categorías en función de su IDC en el
PMP, para luego asociar en serie sólo módulos que estarían dentro de la misma categoría.
 Al conectar módulos en serie con ≠ IDC  el módulo de menor I limitará la I del montaje serie
 Al conectar módulos en | | con ≠ VDC  el módulo de menor V limitará la V del montaje | |
2) Algunas (células/módulos) pueden estar expuestos a menor irradiancia si están sombreados.
Sombreado parcial : Inevitable en muchos casos, puede hacer que una célula sombreada invierta
su polaridad convirtiéndose en una carga, y en una situación próxima a la de cortocircuito, tendría
que disipar toda la PDC generada por el resto de células asociadas a ella en serie. Si Pdisipada 
↑↑ Tcélula  fenómeno del punto caliente ( hot spot )  destrucción → Sol.: Usar diodos de paso
 En ambos casos (dispersión de parámetros, sombreado parcial), se producen 2 efectos:
① [ ↓ ( Pmax )GFV ] → PGFV, max   Pmax (módulos que forman el GFV)
② Algunas células pueden convertirse en cargas, teniendo que disipar la E generada por el resto.

1.4.2 ASOCIACIÓN DE CÉLULAS NO IDÉNTICAS EN SERIE

 59
 En el punto de VOC de la ( c.c )G : ( Itotal )( IG ) = 0 Vtotal  VOC G   VOC  ( VOC A  VOC B )
 En cualquier punto entre ( VG P , VOCG ), las células (A, B) operan como generadores de corriente.
En ①: ( I total )( IG1 )  IA1  IB1 ( Vtotal )( VG1 )  ( VA1  VB1 )
 P corresponde al límite de la corriente de cortocircuito ISCB  IG P  IAP de la célula de menor η
(sombreada). (Vtotal en P de la asociación en serie = V de la célula A en P): VG P  VA P VBP  0
 ② corresponde al punto de operación en cortocircuito de la asociación en serie (A + B):
ISCG  IA2  IB2 VG 2  ( VA2  VB2 )  0  ( VB2   VA2 ) Para que ( VG  0 ), B se deberá
2
polarizar inversamente hasta que ( VB2   VA 2 ) actuando consiguientemente como un receptor.
 I ha de ser la misma para todas las células  el Vtotal del sistema completo podría llegar a aplicarse
sobre el elemento de menor η si las condiciones de operación son próximas a las de cortocircuito,
haciendo que el elemento tuviera que disipar P, calentándose y produciéndose en él el llamado
fenómeno del punto caliente→ Para evitar una disipación de P que ↑ T hasta el punto de deteriorar
la célula, se insertan diodos de paso ( diodos by–pass ) en | | con una rama de células en serie.
1.4.3 ASOCIACIÓN DE CÉLULAS NO IDÉNTICAS EN PARALELO ( | | )
 Se suman las I de las
células individuales a V
iguales para obtener la
c.c resultante (c.c)G de
la asociación en | |
 Para una asociación de
células más grande, en |
|, con una de menor η,
obtendríamos la c.c
resultante de la drcha.
En este caso, la célula
en malas condiciones
(la célula de menor η)
absorbería la I de las
otras, aumentando su T
 Inserción de diodos
de bloqueo en serie en
cada una de las ramas
en | | de células en serie.
 En el punto de ISC de la ( c.c )G : ( Vtotal )( VG ) = 0 I total  ISC G   ISC  ( ISC A  ISC B )
 En cualquier punto entre ( IG P , ISCG ), las células ( A, B ) operan como generadores de corriente.
En ①: ( Vtotal )( VG1 )  VA1  VB1 ( I total )( IG1 )  ( IA1  IB1 )
 P, punto crítico, corresponde al voltaje en circuito abierto VOCB  VG P  VAP de la célula ( B ) con
menor η ( sombreada ). ( Itotal en P de la asociación en | | = I de la célula A en P ), ya que en P la célula
B no genera ni disipa E: IG P  IA P I BP  0
 ② corresponde al punto de operación en circuito abierto de la asociación en | | (A + B):
VOCG  VA2  VB2 [ IG 2  ( IA2  IB2 )  0 ]  ( IA 2   IB2 )
 En este caso, el problema del punto caliente es más difícil que se produzca ya que la dispersión de
parámetros y la intensidad de la radiación solar afectan poco a VOC
 60

1.4.4 PROTECCIÓN DE UN GFV PARA CONTROLAR LOS FLUJOS DE CORRIENTE(I)

A ELEMENTOS DIFERENTES CONECTADOS EN PARALELO DIODOS DE BLOQUEO
 ① Bloquean los flujos de I en sentido inverso, hacia ramas en || de módulos en serie, deterioradas
o sombreadas durante el día: Al conectar en || ramas de módulos en serie, puede ocurrir que una
rama esté sombreada/deteriorada, y el resto descargue sobre ella (que la I de otra rama se derive
hacia ésta)(que un grupo de módulos en serie absorba el flujo de I de otro grupo conectado a él en
||) diodo de bloqueo (anti-retorno) en serie con cada rama, impide que la I circule hacia la rama
sombreada / deteriorada, evitando que se comporte como una carga; aísla las ramas defectuosas.
 ② Previenen descargas nocturnas de la batería sobre el GFV. No es peligroso para el GFV, pero
ocasiona pérdida de E almacenada en la batería  Diodos de bloqueo en serie entre (GFV–batería),
evitan descarga de la batería sobre el GFV por la noche o en horas de insolación (iluminación)
Permiten el flujo de I desde GFV a batería durante el día, bloquean el paso inverso de I desde batería
a GFV por la noche [(irradiancia = 0)  ↓VDC(GFV), (Vbatería > VDC(GFV) ) y la batería se descargaría
a través del GFV, ya que la batería mantiene su Voperación, que impone al GFV  La I que atraviesa el
GFV va en sentido opuesto]. El paso de I a través del diodo durante el día, produce caída de V = ( 0.4
 1 )V, que para Vbatería(12V) puede ser importante (6%)  Valorar las pérdidas de E nocturnas y
diurnas en diodos, para decidir si se usan. Pueden o no estar incorporados en el regulador de carga.
Diodos de bloqueo en un campo F.V con ramas en paralelo de módulos en serie
 Los diodos tienen una caída de V = (0.6  0.7)V y deben poder soportar (ISC, VOC)
del campo F.V completo. NORMA→ Seleccionar unos diodos que puedan soportar:
VD  ( 2  VOC ) ; ID  ( 2  ISC ) [ ( ISC, VOC )campo F.V ]
 Diodos de bloqueo evitan que un grupo de módulos asociados en serie absorba el
flujo de I de otro grupo de módulos asociados en serie conectado a él en paralelo.
B ELEMENTOS DIFERENTES CONECTADOS EN SERIE DIODOS DE PASO (BYPASS)
 Algunas células del módulo o algunos módulos del GFV, pueden funcionar en algún momento como
cargas/receptores, con 2 consescuencias: ① Si las condiciones de operación son próximas a las de
cortocircuito, estas (células/módulos) deben disipar toda la PDC generada por el resto de elementos
conectados en serie con ellas/os  se calientan, pudiendo alcanzar T que causarían daños a los
materiales del (encapsulado, backsheet), pudiendo además producir la fusión de soldaduras (de las
interconexiones eléctricas de las células) y/o del Si  destrucción de ( células/módulos ) → punto
caliente ( hot spot ). Puede afectar a 1 célula o a varias, o por la configuración del módulo, una célula
defectuosa puede influir en las circundantes o en toda la serie] – ② ↓ Ptotal de la agrupación en serie
 [① iluminación no uniforme, ② sombreados (células total/parcialmente sombreadas), ③ células
defectuosas] pueden hacer que una parte (alguna célula) del módulo trabaje en ≠ condiciones que el
resto  hot spot  Se colocan diodos de paso (bypass diodes) en | | con ramas de células conectadas
en serie, para impedir que sobre la célula/s sombreada/s se descarguen el resto de células que están
en la misma rama. Los diodos deben poder soportar valores de IDC que pudieran circular por ellos y
valores de VDC a los que pudieran estar sometidos, sin que ↑ demasiado su T ni sufrir ningún deterioro.
 NORMA : I D  ( 2  ISC ) (ISC de la rama) VD  ( 2  VOC ) (VOC de todo el módulo/campo F.V)
 Parámetros para seleccionar un diodo: Rango de (I, V) directa, voltaje de ruptura inversa (reverse
breakdown voltage), corriente de fugas inversa (reverse leakage current), rango de T de la unión.
 Los diodos bypass protegen individualmente a cada módulo de un campo F.V, de posibles daños
ocasionados por sombras parciales; impiden que cada módulo individualmente absorba la IDC de
otro de los módulos del grupo/rama en serie, en caso de que 1 o más módulos de la misma rama
estén sombreados; generalmente no son necesarios en aquellos sistemas F.V que operan a ≤ 24V.
 61
 Células asociadas en serie, y todo el conjunto cortocircuitado: Si una célula trabaja en condiciones ≠
del resto, por ejemplo, con sombreado parcial, no genera IDC y se convierte en una resistencia, que
podría tener que disipar toda la PDC generada por el resto de células conectadas en serie con ella,
calentándose  Diodo en | | con cada célula o grupo de células, y conectado con polaridad opuesta a
la de las células conectadas a él en | |, de forma que si las células trabajan correctamente (actuando
como generadores), la polaridad de la VDC en sus bornes mantenga al diodo cortado (no pasa IDC por
él) y sólo conduzca si la célula funcionara como carga (con una VDC de signo contrario y por tanto
polarizando directamente el diodo)  si una célula no trabaja, la IDC no circula por ella sino por el
diodo; cuando la suma de los VDC  del resto de células asociadas en serie con la célula sombreada
supera el VDC de ésta en una cantidad ≥ ( Vpolarización directa )diodo, el diodo comienza a conducir,
ofreciendo un camino alternativo a la IDC, y evitando así que la célula sombreada resulte dañada; la (
Vpolarización directa )diodo es  ( ≈ 0 )( diodo ideal ) e invariable con la IDC  la célula apenas disipa
P. Si una rama de células en serie está sombreada, de forma que invierta su polaridad  la polaridad
del diodo cambia y ofrece un camino alternativo al paso de la IDC generada por el resto de células.
Si se sombrease una célula, sólo se descargarían sobre ella el resto de células de
la misma rama  en f (nº células / diodo) se puede limitar la PDC a disipar por una
célula, y por tanto su T. La IDC que atraviesa las células que trabajan como generadores no es
igual a la IDC que atraviesa la célula que trabaja como receptor/carga, siendo por tanto
independientes. Conectar un diodo por célula no es real/práctico, se inserta un diodo por grupo de
células asociadas en serie, así se puede limitar la Imax que debe poder disipar una célula, a la que
puedan generar las que están conectadas a ella en serie.
 Los fabricantes incorporan diodos bypass en las tomas intermedias dentro de la caja de conexiones
del módulo para ↓ riesgo de calentamiento de las células sombreadas, limitando la IDC que pueda
circular por ellas y evitar daños irreversibles. Usados siempre que ( nº células en serie )módulo > 33,
su objetivo es preservar la integridad del módulo ante esta situación de funcionamiento indeseada.
Las sombras hacen que los diodos bypass entren en funcionamiento y esto provoca escalones en la
c.c (I-V); ↓ producción. Ej., un módulo de 60 células con 3 diodos bypass, uno por cada serie de 20
células, en el momento de sombra, si un diodo conduce, el módulo produce 1/3 menos de lo debido.
C DIODOS DE PASO EN UN CAMPO FOTOVOLTAICO–FORMACIÓN DE UN CAMPO F.V
 Para formar un campo de módulos F.V, hay 2 maneras de hacer la conexión entre los ≠ módulos:
① Conectar 1º los módulos en | |, y luego asociar en serie los grupos de módulos en | |
② Conectar 1º los módulos en serie, y luego conectar en | | los grupos de módulos en serie.
Se recomienda la ②, ya que si se conectan 1º los módulos en | |, será necesario insertar diodos de
paso de gran P que soporten toda la I que podría pasar sobre ellos en caso de producirse sombreado.
 Grupos de módulos en | | conectados en serie : Si un módulo de uno de los grupos en serie es
sombreado  ese grupo no generará la misma cantidad de I que los otros grupos en serie con él. Los
módulos no sombreados en el grupo intentarán compensar esto produciendo más I  operarán a
menor V, desplazando el punto de operación en la c.c ( I–V ) hacia V cada vez más pequeños. Si el
sombreado es severo, puede que el grupo pase por 0V y opere en la región de V < 0 para tratar de
alcanzar el nivel de I de los otros grupos no sombreados en serie con él. Si esto ocurre, los diodos de
paso de los módulos individuales empezarán a conducir I, pero esta I no es la de un solo módulo,
podría ser la de todo el sistema, haciendo que estos diodos se sobrecargaran  se instala un diodo de
paso externo, lo suficientemente grande para soportar la ( IDC )campo F.V. Si un grupo sombreado
necesita compensar la I alcanzando V < 0  el grupo defectuoso completo es puenteado a través del
diodo externo. Esto puede implicar un (cableado, coste) extra, por lo que no es la práctica habitual.
 Grupos de módulos en serie conectados en | | : Si los módulos se conectan 1º en serie, los diodos
de paso de los módulos individuales son suficientes y no hacen falta diodos de protección extra.
 62

Fig.1: Diodos de paso Fig.2: Diodos de paso en  Fig.1: La IDC que puede circular a través de
en ramas de módulos en ramas de módulos en || cada diodo es sólo la IDC de un módulo, ya
serie conectadas en || conectados en serie que la IDC que pasa por cada rama serie es la
de un módulo. Si un módulo es sombreado,
éste es puenteado, la IDC pasa por el diodo y
va hacia el resto de módulos de la rama que
están conectados en serie con él.
 Fig.2: La IDC que puede pasar por el diodo
es la suma de IDC de cada módulo en serie.

 (Figura superior derecha): En la configuración SP (serie-paralelo), el mismo nivel de dispersión de

parámetros (mismatched level) en los módulos de una misma fila, tendría un efecto diferente sobre
la (I, P)array. Por ejemplo, si el módulo 4 tiene diferente irradiancia, intercambiando su posición con
la del módulo 3, cambiarían las condiciones de operación de cada string, lo que modificaría la c.c (P-
V)array. El mismo intercambio de módulos en la configuración TCT, no tendría el mismo impacto sobre
(I, P)array, ya que la I de la fila es la misma independientemente de la posición de los módulos.

Modo adyacente: Se anulan 18 células en caso de

sombreado ( ½ módulo )(módulo de 36 células)

Modo Overlapping: Se bypasean 24células (2/3 módulo)

 63

(A) Voltage across shaded cell: [–26.4 – (+9 )] = –35.4V (reverse bias); multicrystalline solar cell reverse
bias breakdown voltage = –13V  Result: Cell over heats and is damaged (hot spot)!!  Bypass diodes

 Los diodos de paso no evitan el sombreado de las células, ni mejoran su respuesta eléctrica en esas
situaciones, son una medida de protección para ↓efectos del “punto caliente” en asociaciones serie.
 NOTA: Si conectamos un módulo directamente a una batería y se invierte la polaridad uniendo los
terminales de ≠ signo con la batería, los diodos de paso permitirían la circulación de Iinversa desde la
batería al módulo, originándose un cortocircuito. (La batería se descargaría a través del módulo)
 64

1.2.8 COMPORTAMIENTO TÉRMICO DE LA CÉLULA

Balance térmico de AC  Área de la célula. Si la célula funciona de
una célula solar F.V Gef  Irradiancia efectiva sobre la célula. manera correcta, el criterio
de signos supone un valor 
( A C  G ef )  ( PC  PQ ) P C  Peléctrica entregada por la célula.
para Pc; en caso contrario
PQ  P calorífica disipada al entorno. supone un valor
 La convección el principal mecanismo de disipación de calor en módulos planos terrestres.
[ ζ  ( CT / A c ) ]( CT Cte ) Tc  Ta  ( CT / A c )  PQ
 [( T
célula )( Tc )  ( Tambiente )( Ta )  ( ζ PQ )] 
ζ: Coef. térmico del laminado
AGRUPACIÓN SERIE DE CÉLULAS CON UNA CÉLULA DIFERENTE AL RESTO
 Diferencia máxima de T entre (célula afectada–resto de células):
 ND (nº células conectadas en serie asociadas a un diodo de paso); GS (irradiancia que recibe la
célula diferente); η (eficiencia de las células que funcionan correctamente)
 Balance de P aplicado a la célula diferente: ( A c  G s )  ( N D  1 )  ( η A c  G ef )  PQs ①
Aplicado a las células que funcionan correctamente: ( A c  G ef )  ( η A c  G ef )  PQ ②
 Diferencia de T entre la célula diferente y el resto de células:
T  Ta  ( ζ PQ ) ( Tc  Ta )  (C T / A c )  PQ 
    ( Tcs  Tc )  ( CT / A c )  ( PQs  PQ ) ③
ζ    
 s 
 ( C T / A c 
) (Tcs Ta ) (C T / A c ) PQ

 Sustituyendo (, ) en : ( Tcs  Tc )  CT  [ ( Gs  G ef )  ( N D  η G ef ) ] ④

 El valor máximo ocurre cuando la irradiación que recibe la célula diferente es igual a la que
recibe el resto: Si ( GS = Gef ) ( Tcs  Tc ) max  CT  ( N D  η G ef )
 Si el módulo no incluyese diodos de paso: ( Tcs  Tc ) max  CT  ( Ns  η G ef )

1.2.9 [DEGRADACIÓN,(TEMPERATURA, POTENCIA) DE TRABAJO] DEL MÓDULO

 Si Ttrabajo↑  Psalida ↓. Debido a la disipación de calor dentro de las células, salvo en climas fríos, la
Ttrabajo > 25ºC  Psalida nunca alcanza el valor pico especificado por el fabricante. El diseño de un
sistema F.V debe tener en cuenta esta degradación del módulo, sobre todo en días calurosos (verano).
Se usa un factor de degradación (coeficiente de potencia) dado en % respecto a la ( Pmpp )( Ppico )
1) Si en la región no hay brisas diurnas sostenidas durante el verano, que ayudan a disipar el calor,
y Tambiente = ( 35  40 )°C  δ = 0.8 ( % / ºC ) para esa estación.
2) Para Tambiente de verano de hasta 30°C  δ = 0.6 ( % / ºC )
3) Si Tambiente < 25°C (durante el verano) o cercana o < 0°C (durante el invierno)  Ppico para el
diseño. Si Tambiente promedio < 25ºC (para el periodo invernal )  No se considera degradación.

 ( Tt )( Ttrabajo ) que alcanza un módulo: Tt  Ta  ( K G ) ; ( K  G )( representa el ↑T que sufre el

módulo sobre la máxima ); G [ ( irradiancia solar )( 80  100 )( mW / cm2 ) ]; Ta ( Tambiente (max) )
K: Coeficiente, variable entre ( 0.2  0.4 ) [ ( º C cm2 ) / mW ] en f ( vviento promedio ):
a) [ ( sin viento o vviento )  (produce un enfriamiento nulo o pobre del módulo) ]( K = 0.4 )
b) [ ( vviento )( produce un enfriamiento efectivo del módulo ) ]  ( K = 0.2 )

 ( Pt )( Psalida a la Ttrabajo ) que alcanza un módulo: Pt  Pp  ( Pp  δ ΔT )  Pp  [ 1  ( δ ΔT ) ]

 Pp [ ( Ppico )( Pmpp ) del módulo ( a T = 25ºC ) ]; δ ( coeficiente de degradación )
CÁLCULO : ① calcular Ttrabajo ( Tt ); ②[ ΔT = ( Tt – 25ºC ) ][ ↑ de T respecto a la Tprueba ( 25ºC ) ]
 65
1.5 TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN DE CÉLULAS/MÓDULOS SOLARES F.V
1.5.1 TIPOS-CLASIFICACIÓN
Silicio Cristalino ( c-Si ): Amorfo
( Si ): Monocristalino ( m-Si ) Multicristalino ( mc-Si ) [ Policristalino ( pc-Si ) ] ( a-Si )( a-Si:H )
Arseniuro de Galio ( GaAs ) Teluro de Cadmio ( CdTe ) Diseleniuro de Cobre–Indio (CuInSe2)(CIS)

Células solares de Si cristalino Células solares de película delgada Células de

( Crystalline Silicon )( c-Si ) [ Thin-Film (Solar/Photovoltaic) Cells ][ TFSC / TFPV ] alta eficiencia
Monocristalino Multicristalino Material amorfo (a-Si): Material multicristalino (Multiunión)
( m-Si ) ( mc-Si ) tándem (a-Si + μc-Si), ( CIGS )[ Cu(In, Ga)Se2 ], Célula solar
Microcristalino Nanocristalino triple capa (a-Si + a-SiGe) ( CdTe ), ( GaAs ) híbrida ( HIT )
( μc-Si ) ( nc-Si ) Material orgánico: Células solares orgánicas (OPC) ( a-Si / c-Si )

 Diferencias: (proceso de fabricación, eficiencia ( η )] η( m–Si ) > ηHIT > η( mc–Si ) > ηCIGS > ηCdTe > η( a–Si )
( m-Si )[ ηdirecto = (14  20)% ( > 21% ); ηen laboratorio = ( 24  25 )% ] – ( mc-Si )( pc-Si )[ ηdirecto = ( 12 
17)% ( > 19% ); ηen laboratorio = (19  20)% ] – ( a-Si )[ ηdirecto = ( 7  10 )% ( > 13% ); ηen laboratorio = 13%]
CdTe [ η = ( 10  12 )% ( 16% )( ηlab = 19.6% ) ] – CIGS [ η = ( 16  17 )% ( 22.6% obtenido por ZSW ) ]
 Cuanto mayor sea la η  menor superficie [m2] necesaria de tejado/suelo para el montaje.

 CLASIFICACIÓN DE LAS CÉLULAS SOLARES F.V SEGÚN LOS MATERIALES USADOS : En f (nº elementos
que configuran sus materiales de fabricación), podemos hacer una 1ª clasificación básica (casi trivial)
 De material simple: el material más usado es el Si, aunque otros materiales han demostrado su
potencial uso sin llegar a usarse de forma útil para los sistemas F.V, como es el caso del (Ge, Se)
 De compuestos binarios: ( CdTe, GaAs, InP, CdS, Cu2S ), con materiales de los grupos (III, V)
 De compuestos ternarios: De estructura calcopirita basados en el Cu, como CuInSe2 (CIS)(de los
más usados por su utilidad práctica y por los buenos η alcanzados); ( CuInS2, CuInTe2, AlGaAs )
Esta clasificación es interminable, ya que el nº elementos presentes en una aleación de materiales
semiconductores y metálicos puede ser, en principio, tan grande como se quiera. La elección de unos
u otros dependerá de sus características ópticas [anchura del gap de energía ( Eg ), coeficiente de
absorción, respuesta espectral) y algunas propiedades electrónicas (longitud de difusión, tiempo de
vida de los portadores, concentración de impurezas…), que caracterizan y determinan el ηcélula final.
 CLASIFICACIÓN DE LAS CÉLULAS SEGÚN SU ESTRUCTURA : usar ≠ materiales para producir la unión.
 Homouniones: la unión p-n se crea sobre un único material por difusión de dopantes desde lados
opuestos de la célula. La mayoría de células de (c-Si) disponibles comercialmente son de este tipo.
 Heterouniones: Los 2 materiales situados a ambos lados de la unión son diferentes, y a veces,
producidos por ≠ tecnologías de fabricación (estructura híbrida). Sin embargo, la mayoría de las
células de este tipo se fabrican con materiales policristalinos y con tecnología de lámina delgada.
Se pueden tener estructuras formadas por varias uniones p-n en una misma célula:
 Célula de unión simple: una única unión p-n en la estructura de la célula; puede estar formada por
un mismo compuesto (homounión) o compuestos distintos (heterounión), a cada lado de la unión.
 Célula multiunión (Multijunction cell): Varias uniones superpuestas, que pueden formar parte de
una única célula [estructuras tipo ( n+–p–p+ ), ( p-i-n )] o corresponder a ≠ células crecidas en la
misma estructura (células tandem). Suele involucrar ≠ materiales (heterouniones) y técnicas de
fabricación de lámina delgada. Maximiza la eficiencia de conversión ( Esolar→Eeléctrica ) al usar
varias capas semiconductoras con ≠ respuestas a las ≠ longitudes de onda de la radiación solar.
 66
Según el nº dispositivos F.V usados en la misma estructura:
 Dispositivos monocélula: los más comunes en el mercado F.V. Para aprovechar el mayor rango
posible del espectro solar se recurre a seleccionar aquellos materiales semiconductores con la
mayor anchura de respuesta espectral y gap de E prohibida ( Eg ) adecuado, en un solo dispositivo.
 Dispositivos tándem (en cascada): Combinación de 2 o más células en una misma estructura
para aprovechar el mayor rango posible del espectro solar. Cada dispositivo está especializado
en un determinado rango del espectro solar y es transparente al resto (dejando pasar la radiación
solar incidente a las otras células). Han alcanzado η mayores a los de los dispositivos monocélula.
Normalmente se les hace trabajar bajo luz concentrada para ↑ η. Distintas formas de disposición:
Monolíticas [cada célula está depositada sobre la anterior. A veces se añaden contactos eléctricos
intermedios para recolectar más eficientemente la IDC producida por cada sección del dispositivo,
de forma que hay dispositivos con (3, 4) terminales. Los fotones más energéticos son absorbidos
por el 1er material, el resto se transmite; parte los absorbe el 2do, y así sucesivamente] – Apiladas
mecánicamente [unas células no tienen contacto directo con otras más que a través de un artificio
mecánico que las mantiene unidas. Células están unas sobre otras como en el caso anterior] – Con
separación espectral [filtros/espejos dividen la radiación incidente en 2 partes con ≠ contenido
espectral, y son dirigidas a células separadas especializadas en el rango de esa radiación parcial]
 CLASIFICACIÓN DE LAS CÉLULAS SEGÚN EL TIPO DE APLICACIÓN : Hay diferencias estructurales y de
diseño entre células destinadas a aplicaciones diferentes o que trabajan en ≠ condiciones de operación
 clasificación por tipo de aplicación, implica modos de operación y tecnologías bien diferenciadas:
 Células para aplicaciones terrestres sin concentración: la casi totalidad de módulos disponibles
comercialmente son para este tipo de aplicaciones; llamados también de panel plano, reciben y
transforman la luz solar sin ningún tipo de dispositivo añadido. En cuanto a su (estructura, proceso
de fabricación), distinguimos entre módulo (monocristalino, multicristalino, de lámina delgada)
 Células para integración en edificios: hasta hace algunos años, las células usadas en aplicaciones
de integración en edificios eran del mismo tipo que las usadas en panel plano. Sin embargo, han
ido apareciendo diseños especiales de células (Si cristalino, lámina delgada) cuya característica
destacada es su semi-transparencia, permitiendo pasar una fracción de la luz recibida a la parte
posterior [típicamente entre (5  15)%]. Esta semi-transparencia se logra mediante unos surcos o
agujeros de anchura controlada, creados en las capas activas de la célula, que sacrifican parte de
su eficiencia en aras de su adaptación a las necesidades de iluminación interior de los edificios.
 Células para aplicaciones terrestres con concentración: Para obtener mayor ηconversión, se han
incluido sistemas ópticos concentradores) en algunos (módulos, células), capaces de ↑ bastante
la radiación solar incidente sobre la célula. Estos sistemas resultan caros debido a la adición de
los concentradores en el coste, y a las mejoras tecnológicas con las que se debe dotar a las células
para resistir (concentraciones de luz, T). Muchos modelos necesitan incorporar disipadores
térmicos o sistemas de refrigeración a las células. Normalmente, destinadas para ISF de gran PDC.
 Células para aplicaciones espaciales: han seguido una evolución permanente, de forma paralela
a las aplicaciones terrestres. Las especiales condiciones extra-terrestres (mayor radiación solar,
distinto espectro, presencia de radiaciones ionizantes...), requisitos técnicos [relación (η / peso),
necesidad de módulos desplegables...], y el no escatimar en gastos para tener la mejor fuente de
E, hacen que sus diseños difieran sensiblemente respecto de los usados en aplicaciones terrestres.
 67
A TECNOLOGÍA ( c-Si )(SILICIO CRISTALINO)(CRYSTALLINE SOLAR CELLS)
 η y f ( Toperación ); tecnología fiable y consolidada en el mercado. Garantía > 20 años ( 80% Ppmp )
 m–Si : Se obtiene de Si de pureza. Misma red cristalina en todo el material (en el proceso de
cristalización se produce un único cristal, pocas imperfecciones, estructura ordenada). Proceso de
fabricación con [ ( gasto/coste ) energético (en términos de E consumida en su fabricación)(requiere
mucho material activo (Si ) ), desperdicio de Si ]; η superior al del resto de tecnologías [átomos de Si
perfectamente alineados, facilitando la conductividad eléctrica; al ser más eficiente se puede ocupar
menos espacio para conseguir la misma captación que con (mc–Si), característica importante cuando
el espacio disponible para ubicar los módulos es reducido]; peor coeficiente térmico (η ↓ más al ↑ T);
peor comportamiento con sombras parciales; funciona mejor en condiciones de radiación solar;
mayor vida útil, mayor coste económico [variable en f (país, primas/incentivos recibidas por su uso)]
 Células azul oscuro/negro totalmente homogéneo/uniforme, cuadradas con las esquinas biseladas.
 Viendo la superficie externa del módulo se ven las conexiones de las células individuales entre sí.
 Este tipo de tecnología constructiva es la que habitualmente se usa en módulos de (12, 24)V
 mc–Si : Se obtiene de Si de menor pureza. La red cristalina no es la misma en todo el material [en
el proceso de cristalización, el Si fundido se deja solidificar lentamente en un molde, formándose un
sólido compuesto por muchos cristales (granos) de Si, cada uno de ellos con ≠ orientación]. Proceso
de fabricación más (económico, sencillo)(menor desperdicio de Si)(menor precio); menor η (debido
a fronteras de grano irregulares e imperfecciones en su estructura cristalina)(  módulos de tamaño
más grande, es necesario una mayor superficie de módulos para obtener igual PDC ); mejor coeficiente
térmico ( mejor comportamiento ante ↑ T ); peor funcionamiento en condiciones de radiación solar
 Superficie de aspecto granulado, compuesta por ≠ cristales [color azul metálico de ≠ (tonalidades
brillos)], que muestran la orientación de cristalización en la célula [forma cuadrada, el Si fundido
se vierte en moldes cuadrados  sin esquinas redondeadas/biseladas como en una célula (m-Si)
(pseudo-cuadrada), lo que permite un mejor factor de empaquetamiento de células en el módulo.
 Los más vendidos (> 50%mercado F.V); usados habitualmente en ISF de conexión a red (SFCR)

B TECNOLOGÍA DE CAPA/LÁMINA/PELÍCULA DELGADA–(THIN FILM SOLAR CELLS)

 Deposición de capas muy finas de material F.V (fotosensible) sobre una superficie/base (substrato de
apoyo)(vidrio, metal, cerámica, plástico), dando como resultado ↓ ( coste energético, material, peso )
[ más (ligeras, baratas), proceso de fabricación más (sencillo, económico)] que en células de (c–Si)
 En módulos (c-Si), cada célula consta de una sola pieza de Si; en un módulo de película delgada,
el material semiconductor es depositado sobre un área/substrato; células definidas por trazado
a través del material para producir regiones eléctricamente aisladas. Las células se fabrican en
forma paralela una a otra a medida que se van depositando las ≠ capas de semiconductores, para
hacer la conexión en serie de células y así obtener el (VDC(salida))módulo necesario para la aplicación.
 Color homogéneo oscuro (marrón/gris/negro/azul),  conexión visible entre células individuales.
 Comparado con (c-Si) : ① mayor coeficiente de absorción en el espectro VIS  célula de espesor (e)
; para un e de capa dado, absorbe más Eradiante  menos cantidad de material para su fabricación
②[ aprovecha la radiación difusa (funciona en días nublados); η se ve poco afectado por la Toperación
( coeficiente de T  pérdidas al ↑T )(  PDC(salida) con dependencia de la Tamb  ideal para
ISF en zonas con clima templado y/o cálido) ] mayor producción [kWh] a igual PDC [kWp] instalada
③ mejor comportamiento a ( T, irradiancia, sombreado parcial/total ) – ④ menor (coste / Wp)
⑤ degradación más rápida con el paso del tiempo ( menor vida útil)–⑥ menor η [ necesaria más
superficie [m2] para igual PDC instalada, hay que montar más módulos  ↑ material auxiliar (cables,
estructuras…)  ↑( coste )ISF] – ⑦ Puede fabricarse en láminas flexibles (material F.V depositado
sobre un plástico haciendo flexible a la célula)  adaptable a todo tipo de superficies  pueden
cubrirse superficies, ideal para su integración arquitectónica en edificios por su atractivo estético.
 68
 2
(c-Si): Mayor ( PDC [kWp] / m instalado ), menor superficie de instalación necesaria, mayor η.
Poco apto para integración arquitectónica: (complejidad, costes de producción); funcionamiento
óptimo con irradiancia directa; pérdida de η al ↑T; susceptible al sombreado (parcial y/o total)
 a-Si : η(a–Si) < η(c–Si) , mayor aprovechamiento de Si, requiere menos cantidad de Si, con grado de
pureza menos exigente que con (c–Si). Durante los 1os meses de operación sufre una degradación
de su PDC por exposición a la radiación, (η a pleno Sol, PDC ↓ con el tiempo); una vez estabilizado,
η se mantiene estable durante su vida útil. Absorbe solo el espectro VIS de la radiación solar incidente.
 CdTe : Rápido desarrollo en los últimos años, debido a su competitividad en cuanto a costo; se han
desarrollado técnicas de fabricación de costo. Su estructura robusta combinada con un rendimiento
de producción aceleró su desarrollo; sin embargo, el uso de material tóxico (Cd) requiere atención
especial durante la producción de células, así como durante la fase de reciclaje al final de su vida útil.
 CIGS : [ coeficientes de absorción más elevados (consumo de material absorbedor), mayor η ] en
esta tecnología, no hay inestabilidad inducida por radiación solar como en otras tecnologías de capa
fina, amplio espectro de captación de radiación solar, degradación con el paso del tiempo. Cara.
CIS : Similar a CIGS pero sin Ga  mayor cantidad de (In, Se)(poco abundantes, caros)  más cara.

 Célula de Si heterounión con capa fina intrínseca – HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin–layer):
Formada por una oblea (c–Si) tipo-n situada entre (estructura sándwich) capas ultra-delgadas (a–Si:H)
 Células de Si micromorfo : El (μc-Si) absorbe un espectro más amplio de luz solar que el (a-Si), y se
puede combinar con este último formando una célula de lámina delgada doble o célula en tándem.
La parte superior (a-Si) reacciona ante un cierto rango de λ de la luz solar recibida; la parte inferior
(μc-Si) capta otra parte del espectro solar [la IR (radiación infrarroja)]. Sumando las η de ambas
capas [superior (a-Si) + inferior (μc-Si)], el módulo llega al 10% frente al 6.8% de las células (a-Si).
① Relación de producción (kWh generados / kWp instalados) mayor a la del Si tradicional, ya que su
coeficiente de disminución de ηcélula por la T ≈ mitad del de una célula (c-Si)  las pérdidas por este
efecto ≈ 50% de las anteriores; además, su comportamiento ante la radiación difusa mejora la relación
de producción  pueden producir hasta 10% más de (kWh / kWp) que el (c-Si) – ② Las ISF se pueden
hacer con menor ángulo de inclinación que con otros módulos, y así poder ↓ altura de las estructuras
usadas como soporte para los módulos y también ↓ costos de instalación finales de dichos módulos.
 Célula solar orgánica : Fabricada con polímeros plásticos semiconductores y compuestos orgánicos
nano-moleculares. El coeficiente de absorción óptica de las moléculas orgánicas es   cantidad
de luz puede ser absorbida con una cantidad de materiales  baratas de fabricar. Las principales
desventajas son (η, estabilidad, resistencia) en comparación con otras tecnologías y se degradan
rápido por efecto de la luz solar. Investigación y desarrollo de tecnologías F.V orgánicas ha logrado
una η récord del 12% y una duración (vida) al aire libre superior a 1 año. Sin embargo, se requieren
aún algunos años antes de que los módulos fotovoltaicos orgánicos puedan ser lanzados al mercado.
 ( Célula solar sensibilizada por colorante )( Dye-Sensitized Solar Cell )( DSSC )( DSC )( DYSC )–(Célula
solar foto-electroquímica de Grätzel): La versión moderna fue originalmente co-inventada en 1988
por los químicos [Brian O´Regan (USA), Michael Grätzel (Suiza)], en la UC Berkeley, y su trabajo
fue desarrollado más tarde por científicos de la École Polytechnique Fédérale de Lausanne, hasta la
publicación de la 1ª DSSC de η en 1991. Está basada en un semiconductor formado entre un ánodo
fotosensible y un electrolito. Costo de fabricación, cantidad de E empleada durante su fabricación,
materiales no tóxicos, buen comportamiento con (ángulo de incidencia, intensidad de radiación,
sombreado parcial), ligera, semiflexible, semitransparente (incluso totalmente transparente). En la
práctica, su uso presenta inconvenientes como son el desgaste del electrolito o el uso del ánodo bajo
ciertas condiciones ambientales. Retos: mejorar [eficiencia de conversión (η), estabilidad, robustez]
 69
1.5.2 PROCESO DE FABRICACIÓN DE UN MÓDULO DE ( c-Si )[( m-Si ), ( mc-Si )]
 A pesar de las ventajas del Si [ abundante en la corteza terrestre (27-28%, por detrás del O), no tóxico,
semiconductor importante en la industria electrónica, fácil de dopar (con elementos donantes o
aceptadores), buena respuesta al espectro solar (activo para fotones con λ = (300  1200)nm )], para
fabricar células se necesita una cantidad de Si de pureza [ las propiedades de los materiales F.V
son sensibles a los defectos del material, la presencia de impurezas (activas, inactivas)[en rangos del
orden de 1ppm (parte por millón)] implica cambios en el efecto fotovoltaico y la resistividad eléctrica
de los materiales semiconductores; (defectos cristalinos, fronteras de grano) modifican la movilidad
de los portadores eléctricos y sus tiempos de vida ]  La fabricación de células de (c-Si) es costosa
RETOS: ↓ costes energéticos de (obtención de materia prima ( Si ), proceso de fabricación); ↑ ηcélula
 ( η, coste )células finales es f (grado de pureza, cristalinidad)obleas de Si  un reto a nivel industrial es
obtener Si de calidad adecuada para usos solares a un precio lo más bajo posible. La tecnología F.V
aprovecha los avances de la industria electrónica en cuanto a (obtención, purificación) del Si para su
uso en (circuitos impresos, componentes). Otros materiales semiconductores ( ≠ Si ) llevan un retraso
tecnológico [procesos de (fabricación, purificación), conocimiento de propiedades electrónicas]; sin
inversión económica en (desarrollo, investigación) de un semiconductor idóneo para uso electrónico.
Costes en un sistema F.V con tecnología de Si:
①Coste energético de fabricación del módulo,
desglosado entre sus componentes–②Costes
económicos del módulo–③Costes económicos
del sistema F.V ya instalado, con sus diversos
integrantes. Fuente: L. L. Kazmerski ( Executive
Director, Science & Technology, NREL )
 70
1) OBTENCIÓN Y PURIFICACIÓN DEL Si : El Si raramente aparece en estado puro, se encuentra formando
compuestos, sobre todo como dióxido de silicio (sílice)( SiO2 ) en forma de [arena, minerales (cuarzo,
cuarcita)( > 90%SiO2 ) de sílice]  ① (extracción, minería) del mineral, el cual contiene impurezas;
② desoxidación/reducción, en un horno de arco eléctrico con electrodo sumergido, a (T ≈ 1780ºC),
el mineral de sílice se funde mezclado con (carbón de coque, astillas de madera)[ambos aportan C
(agente reductor); la madera, además de aportar C, facilita la permeabilidad de la mezcla de materias
primas dentro del horno]se obtiene Si de grado metalúrgico (metallurgical grade silicon)(MG-Si),
con un coste (energético, económico), destinado principalmente para su consumo en las industrias
(química, del Al) y comercializado en forma de polvo de textura fina; con (grado de pureza ≈ 98/99%)
insuficiente para usos (electrónicos, solares), en los que se requiere un grado de pureza, ya que
las impurezas en el Si producen pérdidas de (eficiencia)célula debido al efecto de recombinación que
provocan las impurezas sobre los [electrones (e–), huecos (h+)] generados por efecto fotoeléctrico
③ Industria electrónica purifica el (MG-Si) para obtener (Si de grado electrónico/semiconductor)
( EG-Si ): (grado de pureza = 99.9999999%)[9N(nueves)], coste de producción, forma de guijarros
y estructura poli-cristalina, por lo que a veces se denomina polisilicio (polysilicon, silicon feedstock)
 Reducción carbotérmica : [ SiO2 (mineral) + 2C ( coque, madera )(reductores) → MG-Si + 2CO ]
 (cuarcita, cuarzo) son (malos conductores de electricidad, muy refractarios)como estabilizador
del arco eléctrico y fundente se usa cantidades de calcita (≈1%) con contenido de impurezas.
 La obtención de (MG-Si) es un proceso químico endotérmico de reducción. Los minerales usados
(cuarcita, cuarzo) son muy estables  se requiere mucha E para extraer el O y además, la reacción
necesita T, lo que involucra mayor consumo de E. La única E que permite alcanzar niveles
de (E, T), sin aportar impurezas al proceso y en un tiempo relativamente corto, es la Eeléctrica. Por
ello se usa un horno eléctrico de arco sumergido, en cuyo interior se producen diversas reacciones.
 La granulometría de la materia prima juega un factor importante no solo en el η y productividad
del proceso metalúrgico sino también por su influencia en el medio ambiente por la producción
de polvo, por lo que se debe exigir un control de calidad adecuado. Cuanto mayor grado de pureza
tenga el mineral de sílice y mayor control de sus especificaciones  (MG-Si) de mejor calidad.
 Como residuo sólido se obtiene una masa de sílice vítrea constituida en parte por la materia prima
inicial que alcanzó la fusión pero que no llegó a reaccionar totalmente en los hornos. Esta masa
retiene en su seno cantidades variables de Si ( > 30%), y cantidades menores de ( SiC, SiO, óxidos
de metales ligeros). Usos: aditivo para otros procesos, abrasivo, producir refractarios especiales.
 Purificación ①[ MG-Si + 3HCl → SiHCl3 + H2 ]( a T ) o [ MG-Si + 2H2 → SiH4 ]( a p )
②[4SiHCl3 + H2 → EG-Si + 3SiCl4 + 3H2] ③[ 2SiHCl3 + 3H2 → 2EG-Si + 6HCl ](inversa a la ①)
Durante la reacción ① se pueden formar otros compuestos: ④[ MG-Si + 4HCl → SiCl4 + 2H2 ]
Difícil purificar un líquido (o un sólido)  se gasifica el (MG-Si) y se separan las impurezas mediante
destilación en una torre de destilación  el proceso arranca en un reactor de lecho fluidizado, con la
hidrocloración① del (MG-Si) mediante su exposición a HCl (gas) a ( T = 300°C ) y en presencia de
catalizador, hasta obtener triclorosilano (SiHCl3)[líquido a Tamb (25ºC), Tebullición = 31.7°C]. Muchas
de las impurezas contenidas en él tienen puntos de ebullición mayores, lo que permite someterlo a un
proceso fraccionado/iterativo de destilación (en unas columnas de destilación) hasta que %impurezas
activas eléctricamente < 1ppb. El SiHCl3 purificado se mezcla con H2 dentro de otro reactor, a T =
(900  1100)°C, donde se produce su descomposición térmica③, obteniendo ( EG-Si ) de pureza
(0.001ppm). Unas barras de Si se exponen a la mezcla gaseosa ( SiHCl3 + H2 ), en cuya superficie
reaccionan  (EG-Si) va depositándose [vdeposición<1mm/h] sobre las barras, aumentando su sección.
Cuando las barras tengan el grosor requerido, el proceso para y las barras se fracturan mecánicamente
en trozos/guijarros, para ser vendidos a la industria electrónica, y los trozos pequeños o el polvo de
Si se venden a la industria solar, junto con el Si residual depositado cerca de las partes internas de los
equipos y el rechazo de producción que no cumpla con las especificaciones de la industria electrónica.
 71
 La industria F.V no exige para el Si un grado de pureza tan grande como la industria electrónica, es
suficiente que la pureza alcance unos valores de concentración de impurezas activas del orden de
0.01ppm; por ello, la industria F.V es capaz de usar eficientemente todo aquel material (residuos de
Si) que la industria microelectrónica rechaza por no cumplir los requisitos de pureza necesarios.
Esta dependencia de la industria microelectrónica no es sostenible en un marco en el que la industria
F.V está alcanzando un grado de (desarrollo, producción)  Surgieron varias alternativas a esta
dependencia, enfocadas, por un lado, a producir Si de pureza suficiente, pero a un coste menor, y por
otro, el uso de material con estructura multicristalina  Para ↓ (costes de fabricación) del (EG-Si),
se desarrollaron procesos de purificación (especiales, simples) para obtener Si de grado solar (solar
grade silicon)(SG-Si)(Si de grado intermedio), con (grado de pureza = 99.9999%)(6N(nueves)), menos
(puro, caro) que (EG-Si), más (puro, caro) que (MG-Si), apto para la fabricación de células solares F.V.
 ① ( MG-Si ) se somete a un proceso de decantación del Si fundido [extracción (líquido–líquido)],
y se obtiene un Si pre-refinado, que también puede obtenerse a partir de ② reducción alumino-
térmica de (arena de cuarzo + Al). Para ambos casos, le sigue: pulverización y lavado con ácidos
(extracción sólido-líquido) del Si pre-refinado, obteniendo un granulado de Si purificado; luego
un soplado de gases reactivos a través de ese Si nuevamente fundido [extracción (líquido–gas)]
[( MG-Si )→(extracción líquido-líquido)] o [( cuarcita + Al )→( reducción alumino-térmica )] →
[Si pre-refinado]→(ext. sólido-líquido)→[granulado Si purificado]→(ext. líquido-gas)→[SG-Si]
 ③ Obtiene el Si mediante la reacción del SiO2 con C, igual que en el proceso convencional, pero
ambos productos se purifican previamente, con lo que se obtiene desde el principio Si muy puro.
PROCESO: [ cuarcita + carbón ]→(refinado multietapa y formación de pellets)→[ SiO2 puro + C
puro ]→(reducción carbotérmica)→[ Si purificado ]→(purificación final)→[ Si de grado solar ]

2) CRISTALIZACIÓN DEL Si : Una vez obtenido el Si con pureza adecuada (EG, SG), se trata de producir
un lingote cilíndrico o paralelepípedo que luego es aserrado en láminas planas muy finas (obleas de
Si)(como si se tratara de un pan de molde al que hay que hacerle rebanadas) para fabricar las células.
Todos los métodos pretenden la cristalización del Si en una estructura lo más homogénea posible,
formando un único cristal (m-Si) o un conglomerado de cristales (mc-Si)[tamaño (1mm, varios cm)]
Principio de la gran mayoría de procesos de (cristalización del Si)(crecimiento de cristales de Si): Se
funde polisilicio a T= (1400  1500)°C en un crisol; una vez que todo el material está líquido, se pone
en contacto con una varilla en cuyo extremo hay una semilla de Si. La varilla tiene un movimiento
rotativo ascendente, de forma que el Si fundido se va solidificando al enfriarse en la interface (líquido-
sólido) e inicia su cristalización sobre la semilla; si el proceso/crecimiento es lo suficientemente lento,
los átomos de Si fundido tienden a ordenarse según las posiciones de la red cristalina de la semilla,
formando un monocristal que es una prolongación de ésta, y en forma de lingote cilíndrico metálico
de (c-Si) cuyo diámetro es f [T, ( vascenso, vrotación )varilla]; si el crecimiento es lo suficientemente rápido
resulta en (mc–Si)(estructura cristalina desordenada, cristales con ≠ orientación). Los fabricantes de
obleas suelen añadir en los crisoles de fundición una cierta cantidad bien controlada de B o P junto al
polisilicio, para obtener tras la cristalización, lingotes de (c-Si) de tipo-p o de tipo-n respectivamente.
Métodos de crecimiento de cristales/producción de lingotes : ①( m–Si ): Método Czochralski (Cz)
– Método de zona flotante ( FZ )( Floating Zone )[se obtiene ( m–Si ) más puro, el Si no se contamina
en el crisol, como ocurre en el método CZ]–②(mc–Si): Métodos de colada (MC)(Cast)[ Solidificación
Direccional ( DS ) –Electromagnetic Continuous Pulling ( EMCP ) – Heat Exchanger Method ( HEM )]
 La calidad del (c-Si) producido se mide por el tiempo de vida ( τ ) de los portadores minoritarios,
magnitud de carácter estadístico que da idea de cuánto tiempo tarda en recombinarse un portador
minoritario a partir del momento en que se genera el par (e–, h+). A mayor tiempo de vida, mejor
es el material. Tabla, recoge las principales propiedades del material producido con cada método.
 72
 Método Cz : Método más usado actualmente. Recibe su nombre de Jan Czochralski, quien en 1918
determinó la vcristalización de diversos metales cuando se extraían verticalmente sus cristales desde un
crisol que contenía el material fundido. Produce (m–Si) en forma de lingotes cilíndricos, con un grado
de pureza suficiente para la mayoría de dispositivos electrónicos (τ =100s). El (EG-Si) se funde ( Tf
= 1410ºC) en un crisol de cuarzo, colocado dentro de un recipiente de grafito aislante, junto con los
dopantes (P o B) en un % adecuado. Una semilla de (m–Si), ubicada en el extremo de una varilla, se
pone en contacto con la masa de Si fundida, y simultáneamente se eleva y se hace rotar lentamente
(rotación contraria a la del crisol); (diámetro)( d )lingote es f [T, (vrotación, velevación)varilla, vrotación(crisol)],
al principio estos parámetros se ajustan para obtener inicialmente un d del cristal de muy pocos mm
(denominado cuello), eliminando posibles dislocaciones creadas por el contacto abrupto inicial entre
(semilla–material fundente), luego, se reajustan todos los parámetros para que el lingote tenga el dmax
requerido; las partes (superior, inferior) del lingote formado no son cilíndricas, tienen forma cónica.
IMPUREZAS QUE CONTAMINAN EL LINGOTE: ① Durante el proceso, el material [cuarzo (SiO2)] del
crisol empieza a disolverse poco a poco, desprendiendo cantidades de O sobre el material fundido;
más del 99%O se elimina en forma de SiO gaseoso en la superficie líquida, pero el resto permanece
en el material y se incorpora a la red cristalina del Si en el lingote formado. ② El SiO evaporado
reacciona con el crisol de grafito, que está a T, para formar CO, el cual se deposita sobre el fundente.
③ Otras impurezas, aunque en menor concentración que el O, son (Al, Ga, As, Sb, Fe, Sn). Algunos
avances modernos aplican campos magnéticos intensos, horizontal o verticalmente, para controlar el
flujo convectivo en el Si fundido, permitiendo menos mezcla entre el líquido de la parte central y el
de la parte externa; consigue (menor concentración de O, distribución de impurezas más homogénea)
La presencia de O en el (m-Si) presenta (inconvenientes, ventajas): Un inconveniente es la formación
de precipitados de O debido a la menor solubilidad del O en el Si a Tamb; una concentración de O
puede dar lugar a formación de defectos activos eléctricamente, que pueden ↓(resistividad )obleas. Una
ventaja es que los átomos de O en el Si actúan como centros de atrapamiento de impurezas metálicas
en el cristal y contribuyen a fijar dislocaciones, ayudando al fortalecimiento mecánico del material.
 Método FZ : basado en el principio de fundición localizada, inventado por Theuerer (1962). Produce
(m-Si) de mejor calidad (≈1ms). El proceso ocurre en una cámara de vacío o con una atmósfera de
gas inerte; parte de un cilindro de polisilicio, sostenido verticalmente, y una semilla de (m-Si) que se
adhiere al cilindro desde su parte inferior, mientras ambos rotan. Mediante unas bobinas (o anillos)
inductoras de radiofrecuencia, partiendo del extremo donde está la semilla, el Si se funde localmente.
Inicialmente, se produce el mismo cuello que en Cz hasta conseguir un cristal libre de dislocaciones,
a partir de donde se permite ↑ (diámetro)cilindro hasta su dimensión final. La bobina se va desplazando
lentamente hacia arriba a lo largo de toda la longitud del cilindro, a media que la zona flotante/fundida
(en torno a la bobina/anillo) se desplaza, el Si se va solidificando, creciendo, y transformándose poco
a poco en un único cristal, replicando la estructura cristalina de la semilla. El Si fundido se sostiene
por la acción combinada [(tensión superficial )líquido + efecto elevador del campo de radiofrecuencia]
El Si fundido no entra en contacto con ninguna otra sustancia que no sea el gas inerte de la cámara
de crecimiento. La (pureza)Si va ↑ durante el proceso gracias al efecto de segregación de impurezas,
por la que la concentración de éstas tiende a ser mayor en la fase líquida que en la sólida; las impurezas
tienden a concentrarse en la zona flotante y al moverse ésta son barridas hasta el extremo superior
del lingote; las impurezas se acumulan en la fase líquida  mayor nivel de pureza y menos defectos
reticulares  menor concentración (O, C, impurezas metálicas procedentes de las paredes del crisol)
( Pureza )Si-FZ ↑ haciendo varias pasadas consecutivas en el cilindro. El único contacto del Si fundido
es con el gas inerte de la cámara  los lingotes-FZ se pueden dopar añadiendo dopantes [fosfina (
PH3 ) o di-borano ( B2H6 )] en forma gaseosa al gas inerte, y conseguir así dopajes (tipo-n) o (tipo-p)
Comparación: (Si-FZ) [ mejor calidad pero más caro de producir, solo puede usarse como material de
partida bloques cilíndricos de pureza ( uso limitado a células de laboratorio de η); valores de
resistividad mayores ] – (Si-Cz)[ puede soportar mayor estrés térmico, mayor vproducción, menor costo]
 73

① Cristal de Si en el inicio del proceso de crecimiento; ② Crecimiento del cristal de Si (zona inferior)
③ Fusión localizada (por zonas): Permite purificar lingotes hechos de un semiconductor; se basa en que
las impurezas se disuelven en el semiconductor fundido. Luego, si una zona fundida avanza por el lingote,
las impurezas se irán concentrando en ella, quedando a su paso el semiconductor purificado. Se usa un
crisol de cuarzo que se mueve respecto a una bobina de inducción (fabricada con tubo de Cu, por cuyo
interior circula agua para refrigerarla) por la que circula una i de radiofrecuencia que induce corrientes
de Foucault en el semiconductor, llegando a fundirlo, por efecto Joule. Al ir avanzando la bobina, la zona
fundida también lo hace, arrastrando consigo las impurezas, mientras el semiconductor se recristaliza al
enfriarse. Se hacen varias pasadas, y al final, se corta el extremo que contiene las impurezas acumuladas.
Se obtiene una concentración de impurezas en el lingote tratado, que puede ser < 1ppm. La mayor/menor
facilidad para separar átomos de un elemento se llama índice de segregación, cuanto mayor sea, más fácil
es que la fusión por zonas separe ese elemento. No todas las impurezas (como O) se eliminan fácilmente.
 74
 Métodos de colada (MC): Producen (mc-Si) de calidad inferior al (m-Si) en términos de tiempo de
vida; [densidad de fronteras de grano (probabilidad de recombinación), dislocaciones, defectos
puntuales inherentes a su estructura] ↓ su calidad electrónica; productividad (sencillez de proceso
y de equipos). Métodos específicos de cada fabricante; el básico consiste en verter polisilicio fundido
en un molde de grafito sobre un crisol de cuarzo, y controlar el enfriamiento del crisol desplazándolo
verticalmente con respecto a la zona calefactora, para obtener la solidificación del Si; el enfriamiento
determina el tamaño de grano y distribución de las impurezas. Durante el proceso no hay segregación
de impurezas y la interacción con el crisol es inevitable. El bloque obtenido es separado del molde y
cortado en bloques (barras) más pequeños.  refinamientos que consiguen ↑ calidad del producto.
Solidificación Direccional (DS): El Si se introduce en un crisol recubierto por SiN dentro del horno de
cristalización. Después de una purga de la cámara por evacuación e inserción de gas inerte, comienza
la cristalización (3 fases): 1º se funde el Si y después un enfriamiento controlado mediante el descenso
vertical del crisol fuera de la zona de calentamiento del horno  se produce una interface (sólido-
líquido) horizontal que va desplazándose poco a poco hacia la superficie del bloque, de forma que se
favorece la segregación de impurezas metálicas. Tras la cristalización, el crisol se elimina para extraer
el bloque, y a continuación se cortan la cara superior, donde están las impurezas segregadas, y los
bordes del bloque, que debido a su contacto con las paredes del crisol tienen concentraciones de O.
Las limitaciones son la larga duración del ciclo y uso de consumibles (crisol) que deben desecharse.
Heat Exchanger Method (HEM): El gradiente de T no se controla mediante el movimiento del crisol
o de los elementos calefactores, se usa un intercambiador de calor para someter al bloque cristalino
a un recocido uniforme en la misma vasija del horno, tras haber ↓ Thorno por debajo de la Tsolidificación.
El proceso es asistido mediante una semilla de (m-Si) refrigerada, que favorece el crecimiento del
cristal. El crecimiento de la interface (sólido–líquido) se produce en 3 dimensiones en lugar de en un
plano como en DS, estando la fase sólida sumergida. En estas condiciones, ↓ perturbaciones (térmicas,
mecánicas) y se promueve un crecimiento uniforme del cristal  menor nº (defectos, dislocaciones).
Electromagnetic Continuous Pulling (EMCP): Permite la solidificación continua del Si a vcrecimiento
10 veces superior a la del DS. 1º se funde una cantidad de Si en la parte superior de un crisol especial
fragmentado en secciones, en cuya base hay un émbolo de grafito, que durante la cristalización actúa
tirando del bloque hacia abajo, mientras se alimenta de forma continuada la parte superior del crisol
con Si granulado. En la zona alta del crisol, una vez producido el fundido inicial, actúan unas bobinas
inductoras que calientan el Si líquido y crean un campo electromagnético capaz de confinar el líquido,
evitando su contacto con las paredes del crisol. Los segmentos inferiores del crisol están refrigerados
por agua, haciendo que el cristal se vaya solidificando mientras el émbolo tira lentamente del mismo.

Método de Material Velocidad de Dimensiones de los Tiempos Eficiencia [%]

crecimiento producido crecimiento lingotes (o bloques) de vida () Lab. Comercial
Cz (0.1  0.2) cm/min  = 15cm, L = (1-2)m 100s 20 (12  16)
m-Si
FZ (0.3  0.5) cm/min  = 12.5cm, L = 1m (1  10)ms 24 –
MC mc-Si – Bloque/Paralelepípedo (1  10)s 18 (12  14)
 75
3) OBTENCIÓN DE OBLEAS DE Si : Lo que se busca al fabricar células a partir de obleas es conseguir la
mayor superficie de captación posible usando la mín. cantidad de material semiconductor (caro), sin
perder las posibilidades de conversión fotovoltaica. Por ej., no tendría sentido fabricar células con
forma cúbica con igual área de captación, ya que, además de desperdiciar material, impediríamos
que los pares (e–, h+) generados por la absorción de fotones alcanzaran los bordes del dispositivo F.V.
Los lingotes de Si obtenidos del proceso de cristalización ①se pulen superficialmente para eliminar
las irregularidades producidas durante su fabricación, debido a (vibraciones, micro-oscilaciones) del
lingote durante su extracción; ② se cortan sus extremos  se consigue un diámetro uniforme. Una
vez acondicionado, se procede a su corte en láminas muy finas (obleas), operación frecuente en la
industria electrónica; sin embargo, para la industria F.V se requieren obleas cuadradas/rectangulares,
para tener un mayor factor de empaquetamiento de las células en el módulo que en el caso de células
redondas  ③ cada lingote se corta longitudinalmente para extraer su núcleo con la forma adecuada.
El proceso supone un gran desperdicio de material, aunque los bordes externos eliminados puedan
ser reutilizados en los hornos junto al polisilicio  tendencia a obtener unas dimensiones del lingote
que mantengan un equilibrio entre el mayor aprovechamiento de la sección del lingote y el factor de
empaquetamiento final (lo cuadrada que es la célula). El proceso de corte de las obleas es una de las
etapas más costosas del proceso de fabricación, ya que en él se desperdicia aproximadamente la mitad
del Si de los lingotes [por ser el espesor (200  500)m, de las sierras usadas, del mismo orden que
el de las obleas de Si obtenidas], aunque luego pueda reciclarse de alguna forma el material sobrante.
Herramientas de corte (industria microelectrónica): ① sierras de diámetro interno [recubiertas de
polvo de diamante), 30 obleas/hora, (0.7m2 de oblea /kg de lingote); muy lento, productividad, se
desperdicia mucho material] ② sierras multihoja/multihilo (↓ pérdida de material, ↑ productividad),
permiten cortar simultáneamente centenares de obleas, hilos de corte más finos (140  180μm)  las
obleas pueden cortarse más delgadas y desperdiciar menos material. Los hilos se impregnan de aceites
con partículas abrasivas (5  15μm), responsables del corte, que se hace a Tamb (a T genera difusión
sólida de los gases o de las partículas de la herramienta sobre las obleas y produciría pérdida de η )
Células se fabricadas con espesor (160  180)μm, hilos con d = 140μm  se desperdicia ≈ (50%Si )
se encarece el costo de los módulos ya que se está usando un espesor ≈(300  400)μm del lingote para
fabricar una célula. Las células se pueden fabricar con espesor de hasta 20μm sin pérdidas de η en la
célula, pero este método no permite cortarla tan delgada debido a la rigidez del Si, y hasta el momento
 un método de corte que permita cortar células tan delgadas y sin pérdidas de Si durante el corte. Se
trabaja en ↓(espesor de la oblea, pérdidas de corte), ya que significaría una ↓costo final del módulo.
Debido al inconveniente que estos métodos de corte tienen en cuanto a desperdicio de material, se
han desarrollado procesos alternativos que permiten el crecimiento del Si directamente en lámina:
Crecimiento definido por el borde (EFG)(Edge-defined Film-fed Growth): Se parte de Si fundido que
asciende por capilaridad a través de una matriz de grafito, en cuya salida se coloca una semilla (c-Si)
de la que se tira hacia arriba lentamente (2-3cm/min). Material resultante casi mono-cristalino, pero
con propiedades eléctricas similares a las del (mc-Si). Se producen cintas (w ≈10cm, e ≈ 300m, L de
varios m); vproducción = 160cm2/min. Hay problemas de estabilización de la inter-fase (líquido-sólido)
Crecimiento en cintas sobre un soporte : Una malla de material barato se pone en contacto con el
Si fundido, y queda recubierta por él, cristalizándose sobre la misma cuando ésta se extrae lentamente
del crisol. Produce (mc-Si), vcrecimiento, espesor pequeño (50m) de la capa producida, fácil control
de T. Inconvenientes: calidad de las láminas depende de la malla usada y ésta puede ser contaminante.
 Método HSW (Horizontal Supported Wed): Estirado horizontal, soporte (malla) de fibra de carbón
Mayor superficie de contacto entre fases  Favorece la disipación de calor  Mayor vcrecimiento
Inconveniente: Difícil control del espesor de la capa/lámina formada sobre el soporte/malla/red.
 Método RAFT (Ramp Assisted Foil Technique): Estirado vertical. Soporte reutilizable (superficie
recubierta con material que facilita la separación del Si); vcrecimiento = 10m/min, e = (150  250)m
 76
Epitaxia en fase líquida : Crecimiento de una capa/lámina muy fina de material cristalino sobre un
substrato de igual o ≠ naturaleza cristalina, que actúa de semilla [acero recubierto de CSi, Si o GaP
(monocristalino); cerámica conductora (multicristalino)]. El crecimiento epitaxial se produce a ( T
< Tfusión (Si) ). El material que se quiere depositar se incorpora a una solución metálica (Si en Sb, Pb,
In, Au)(centros de nucleación) y se deposita sobre el substrato, que comienza a enfriarse (controlado)
desde T = (900  950)°C, a un ritmo de 1°C/min. A partir de unos centros de nucleación, el cristal
crece lateralmente hasta recubrir por completo el substrato. La ventaja del método es su capacidad
para depositar capas muy delgadas (hasta 30m) de Si. vcrecimiento =1m/min, vproducción = 150cm2/min

4) TRANSFORMACIÓN DE OBLEAS EN CÉLULAS SOLARES : Las obleas se someten a una serie de procesos
para obtener células solares; cada proceso aporta una mejora en la característica final de la célula,
sobre todo en su η final. Cada fabricante aplica una cierta cantidad de procesos y mejoras a sus células
de acuerdo al costo que implica la aplicación de esos procesos y mejora relativa en la ηcélula obtenida
con la aplicación de esos procesos. Las células de mayor η se fabrican con (m-Si) y tiene una η del
orden del 22%, estos mismos procesos y mejoras pueden aplicarse a las células de (mc-Si), aunque
su η siempre es (1  2)% menor, debido a sus peores propiedades fotovoltaicas comparado con (m-Si)
 ①Preparación de la superficie de la oblea–(Limpieza + Decapado): Una vez obtenida la oblea hay
que mejorar/restaurar su superficie, hay que eliminar los restos de metales procedentes de las sierras
de corte y los restos (orgánicos, metálicos) procedentes de los procesos de fabricación de las obleas.
 Ataque químico con ácidos: Limpieza de obleas con ácidos ( HCl, NO3H, HCl + H2O2, NH4OH
+ H2O2 )( H2O2: peróxido de hidrógeno, agua oxigenada). El agua usada en los aclarados está
des-ionizada, por lo que tiene un gran poder de disolución de los iones de los compuestos usados.
 Ataque químico con bases: A pesar de la limpieza, debido al proceso de corte las obleas presentan
(tensiones, defectos, irregularidades) en su superficie  Decapado, se eliminan algunos m de
material para suavizar la superficie, que queda lisa y preparada para los tratamientos posteriores
(como los texturizados o las metalizaciones, que requieren de superficies lisas)  inmersión de
las obleas en en baños químicos de KOH o NaOH (disolución acuosa de NaOH al 30%, a 90C)
 ② ( Formación de la unión p-n )–Dopaje: Se deposita el elemento dopante sobre la superficie de la
oblea. Las obleas usadas suelen ser de tipo-p (ya están dopadas con B)  la unión p-n se forma por
difusión de un dopante tipo n (el más usado es el P) en la superficie. Técnicas usadas para deposición:
serigrafía; extensión de un líquido con el dopante sobre la superficie por centrifugación; poner en
 77
contacto con la superficie discos de un material que contiene el dopante [como el pentóxido de fósforo
(P2O5)]→ Son técnicas de deposición por fuente sólida; sin embargo, se usan más las técnicas de
deposición por fuente líquida, más (económicas, limpias), como difusión térmica en fase de vapor:
Se hace burbujear N2 en un líquido que contiene el dopante, arrastrando sus vapores hasta las obleas
Una vez depositado el P en la superficie, hay que introducirlo en el interior de la red de Si, para ello
se introducen las obleas con el P en su superficie en un horno a T (900  1000)ºC durante un
tiempo prefijado, y por la diferencia de concentración de P entre la superficie y el resto de la oblea,
se produce la difusión de éste hacia el interior. Los átomos de P se introducen en la red cristalina del
Si, reemplazando a sus átomos. La profundidad de penetración del P en el material semiconductor (
Si ) es f ( Thorno, duración del proceso de difusión térmica ). Los hornos usados pueden ser de cinta,
en el que las obleas se colocan horizontalmente en una cinta transportadora metálica, o bien hornos
de cuarzo, en los que las obleas se colocan en barquillas de cuarzo en posición vertical. Finalmente,
puede ser necesaria una nueva secuencia de limpieza para eliminar restos de la difusión (normalmente
óxidos formados), dependiendo del tipo de fuente usada y de las técnicas de pre-deposición y difusión.
 ③ Después de los procesos descritos, la célula tiene una superficie frontal que rechaza 30%radiación
solar incidente sobre ella, dado su aspecto metálico  Se cubre con una capa anti–reflectante (ARC)
[material transparente al espectro solar que adapta el índice de refracción (n) del Si al del aire] cuyo
(espesor, n) sean tales que su reflectancia sea mínima para las λ del espectro solar en un intervalo lo
más amplio posible, para ↓ reflexión (↑ absorción) de la radiación sobre la célula y conseguir que
sobre ella incida la máx. cantidad de radiación posible, entre en su interior y se convierta en Eeléctrica
La ARC consigue ↓ reflectividad hasta un 1% en superficies texturizadas y hasta un 10% en superficies
lisas. El valor óptimo del índice de refracción (n) de la ARC, para célula encapsulada en vidrio, es 2.3.
 (Material anti-reflectante): (TCO)(Transparent Conductive Oxide)[óxido conductor transparente
de silicio (SiO2), titanio (TiO2), tántalo (Ta2O5), aluminio (Al2O3), InSnO (ITO)(Indium-Tin-Oxide),
InZnO, In2O3:H, In2O3:Zr, ZnO:Al (AZO), ZnO:Ga (GZO), ZnO:B, ZnSnO]; nitruro de silicio (Si3N4)
Si entre (célula–vidrio) se introduce algún material para encapsulado, el nóptimo variará en f (material
usado). El material se deposita mediante evaporación al vacío. Cuando la ARC se forma al provocar
la aparición del óxido (SiO2) del material en su superficie, haciendo que las 1as décimas de m de la
superficie dejen de ser activas para la absorción de fotones  se habla de pasivado de la superficie.
Sistema de atrapamiento de radiación solar, para que ésta recorra la mayor distancia posible en el
interior del cuerpo de la célula y así obtener la máx. cantidad de Eeléctrica: (a) Capa reflectante en la
parte inferior de la célula para que cuando la luz solar llegue al fondo de la célula se refleje y vuelva
al cuerpo de la misma. (b) Texturizado [(m–Si), (mc–Si) no lo admite] de la superficie frontal, para
obtener una superficie que absorba mejor la radiación solar incidente. Se crea un patrón de (conos,
micro-pirámides…) para que los rayos solares incidentes reboten externa/internamente, y vuelvan a
entrar en el cuerpo de la célula, capturan los rayos solares que fueron desviados lejos de la célula 
la luz reflejada es redirigida de nuevo hacia la célula, teniendo otra oportunidad de ser absorbida. Las
micro-pirámides se forman mediante un ataque químico selectivo (en disolución acuosa de NaOH
o KOH al 2%, 90C), antes del dopado o después. (Decapado, Texturización) dejan la superficie de
la oblea oxidada (SiO2). Los óxidos formados se eliminan por inmersión en HF diluido, dejando la
superficie limpia para la difusión; los iones de HF adheridos se eliminan mediante aclarado en agua
des-ionizada y se realiza un secado rápido para evitar la re-oxidación. Ventajas [ ↓ reflectividad; ↑
absorción de radiación cerca de la unión ] este sistema permite ↓espesor de las células sin que ↓ η.
Pasivado de las superficies: Las impurezas y los cambios de fase producidos en la superficie superior
(frontal) e inferior (posterior) de la célula, producen pérdidas por recombinación pasivado de esas
superficies, en las que suele usarse H2 o nitruro de silicio y el objetivo es ↓ vrecombinación en esas zonas.
Emisor selectivo: solo en células con contactos eléctricos frontales, en las que parte de su superficie
frontal, donde no están los contactos, se pasiva con (H2 o nitruro de silicio); y en la parte inferior a
los contactos, para ↑conductividad eléctrica del Si en dicha región, se hace un pasivado inferior, pero
 78
no completo, ya que esas zonas no están expuestas a la luz (al estar debajo de la rejilla del contacto
superior). La mayoría de células se fabrican con contacto superior, pero debido al ↑η logrado con los
contactos en la parte inferior, cada vez más se fabrican células solares con contactos posteriores.
 ④Formación de los contactos metálicos: Rejilla en la cara iluminada [debe permitir (el paso de luz,
la extracción de IDC) simultáneamente]; continuo (lo normal) en la cara posterior (recubierta de metal)
a) Evaporación al vacío: Cañones electrónicos crean el contacto aplicando sucesivamente capas de
≠ metales, pasando posteriormente por un tratamiento térmico para que el material penetre en la
célula y realice buen contacto eléctrico. Método de calidad, pero muy lento ( no competitivo)
b) Deposición catalítica (método electroquímico): Inmersión de la célula en líquidos controlados
en T. Puede usarse (Ni, Cu), depositados en ≠ capas, pasando posteriormente por un tratamiento
térmico para sintetizar estos materiales. Usado en la fabricación de componentes electrónicos.
c) SERIGRAFÍA –[Coste de producción, fácil automatización, aplicable a células (m-Si) y (mc-Si)]:
Formación del contacto metálico posterior: se hace pasar una pasta viscosa, que contiene metal en
polvo, a través de una máscara o pantalla que reproduce la forma o dibujo de la malla que se pretende
imprimir; una paleta automática barre la máscara adhiriendo la pasta a la superficie posterior sólo
en aquellas zonas que permiten que la atraviese. Los metales usados son (Ag, Al, o una combinación
de ambos). Junto con los metales, las pastas de serigrafía contienen un polvo de vidrio (frit) de punto
de fusión. Las obleas, con los contactos metálicos adheridos por serigrafía, se introducen en hornos
a 800°C; a esta T, el frit se funde disolviendo parte del Si y adhiriéndose a éste. El horno más apto es
el de infrarrojos porque calienta uniformemente la oblea. La forma/diseño del contacto posterior no
es crítico, pudiendo ser una capa continua de metal o con forma de enrejado para ahorrar pasta, el
único requisito que se exige es su resistencia eléctrica para no limitar la eficiencia final de la célula.
Campo superficial posterior (Back Surface Field)(BSF): Con substratos de resistividad (>10Ω  cm),
o de espesor comparable a la longitud de difusión de los portadores minoritarios] es recomendable
crear un campo eléctrico posterior, previo a la formación del contacto metálico posterior. El BSF se
consigue formando, entre (Si tipo p–contacto metálico), una zona p+, fuertemente dopada; materiales
usados para crear el BSF: B, puede difundirse mediante técnicas similares a las usadas para el P en la
formación de la unión p-n. El Al es el más usado, tiene un efecto añadido de limpieza de la oblea al
difundirse en su interior, mejorando el (tiempo de vida)portadores[ ↑ ( V, I )DC(célula)]; se deposita por
técnicas serigráficas y se alea al Si a 800°C, proceso similar al usado para sinterizar la pasta de Ag.
Formación del contacto metálico frontal: Proceso similar al usado para formar el contacto posterior,
pero aquí la pasta no puede contener Al, ya que es un dopante tipo-p, y penetra rápidamente a través
de la unión cortocircuitando la célula  Pastas de Ag (pura o aleada). El proceso es más delicado ya
que debe evitarse que los contactos perforen la unión, que puede ser sólo de algunas décimas de m.
El diseño de la rejilla frontal es fundamental para determinar la ηcélula final. La rejilla debe permitir
el paso de luz solar y tener resistencia de capa. En general, para un espesor de dedo determinado,
la rejilla frontal será mejor cuanto más estrechos sean los dedos y mayor el nº dedos. Para ↓ pérdidas,
la metalización debe tener [relación de aspecto (altura/anchura), dedos de grosor, conductividad
eléctrica, resistencia de contacto con el Si ]. La serigrafía paga por su simplicidad un alto precio
en estos 4 parámetros. Las anchuras de dedo conseguidas por serigrafía están entre (150  200)µm.
Al tener unos dedos tan anchos, la separación entre ellos debe ↑ para evitar un sombreado excesivo.
Después de su (impresión, recocido), el (grosor)dedo ↓ a la mitad; típicamente, la pasta es depositada
con grosor de 20µm que queda reducido a 10m. Relación de aspecto(0.06), conductividad de la
pasta recocida del orden de 1/3 de la de la Ag pura, metalización con resistencia de contacto (por
la presencia del polvo de vidrio necesario para conseguir la adherencia al Si ) Dedos de metalización
creados por serigrafía pueden transportar IDC a distancias sin incurrir en caídas resistivas  se
optó por disponer buses paralelos más anchos a lo largo de la célula, a los que se conectan los dedos,
haciendo que su longitud efectiva sea del orden de 2.5cm en una célula de 100cm2. Para evitar estrés
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térmico, los buses deben ser delgados, sombreando un (4-5)%superficie. Resistencia de contacto
y separación entre dedos, imponen tener un dopaje en la capa superficial de Si (lado n de la unión),
para ↓ resistencia y que permita a los portadores desplazarse lateralmente hasta alcanzar el metal.
Penalización en η debido a estos factores. El área ocupada por la rejilla en una célula típica es 10%,
en una célula de laboratorio de η (24%) el factor de recubrimiento es 3%. El %pérdidas por efectos
resistivos en células con serigrafía es del 10%, y (1-2)% en una célula de laboratorio. El dopaje de
la capa n hace que su respuesta espectral en el azul sea más baja, por la creación de una capa inactiva
en la superficie. Esto hace que la densidad de corriente sea 10% más baja que en una célula de η.
Aislamiento de las zonas (p, n): Cuando los procesos de formación de la unión y de formación de los
contactos finalizan, ambos extremos de la célula están conectados eléctricamente, principalmente por
efecto de la difusión del P por los bordes de la oblea. Para romper este contacto se recurre a técnicas
que van desde el corte de los bordes con una sierra de disco o un láser, o mediante ataque con agentes
abrasivos (arena), hasta el ataque con gases ionizados mediante un campo de f (ataque con plasma).
 ⑤Comprobación de células–(medida y clasificación): Las células ya terminadas se someten a unas
pruebas eléctricas, una por una, para clasificar sus características. Se analiza su respuesta ( I–V ) y su
respuesta espectral. Las células se miden en las mismas condiciones de (irradiancia, T) y se clasifican
en f ( ISC, η ). La clasificación por corrientes es necesaria para evitar las pérdidas por interconexión
en serie de las células; la clasificación por eficiencias es necesaria para predeterminar la PDC final de
los módulos producida con esas células. Esta etapa es común en cualquier tipo de tecnología de (c-Si)
5) FORMACIÓN DEL MÓDULO : Todas las etapas mencionadas son aplicables a células de (c-Si)
①Encintado de las células: La rejilla metálica frontal está compuesta por dedos de metalización,
que recogen la Ifotogenerada en la célula, y buses conductores más anchos donde van conectados todos
los dedos y que llevan la IDC hacia el circuito exterior. La 1ª operación es soldar tiras de Cu estañadas
sobre los buses de la superficie frontal; se aplican fundentes (Sn o aleaciones con contenido en Ag,
por ej.) entre (cintas –célula) y se desliza un soldador sobre la cinta. La operación se puede hacer de
forma manual, pero  equipos que lo hacen automáticamente. Cuantos más busbars: Mejor relación
(Eeléctrica obtenida–superficie ocupada); menor stress térmico de las células (mejor distribución de I);
menor resistencia eléctrica; mayor vida útil; más complejidad tecnológica; menor η (se tapa más
superficie de célula a la que no llega radiación) pero mayor producción global (se extrae más Eeléctrica)
②Interconexión eléctrica de las células: En f (PDC final, nº células)módulo, las células se agrupan en
cadenas/ramas de longitud variable y conectadas en serie o paralelo en f [valores (V, I)DC deseados].
Por ej., para un módulo de 36 células conectadas en serie, las células se disponen en 4 filas de 9
células. A continuación, se sueldan las tiras que vienen de la cara frontal de una célula con la cara
posterior de la célula adyacente, después se colocan las conexiones entre (tiras–terminales de salida).
③ Encapsulado de células → Laminación [juntar todos los materiales del laminado (vidrio frontal
+ EVA + células (conectadas eléctricamente en serie) + EVA + Tedlar (parte trasera) )] + Curado [el
laminado se procesa en un horno a T controlada, para conseguir buena adhesión de los componentes]
1º se preparan los materiales (vidrio, tedlar, EVA) para la laminación. El EVA (polímero transparente)
funde a T (100°C) y puede solidificar de nuevo al enfriarse; al sobrepasar los 150°C durante varios
min, el proceso ya no es reversible y el EVA no vuelve a comportarse de manera plástica, resultando
ser un medio de cohesión perfecto para las células. Este proceso se denomina curado del EVA. El EVA,
a la intemperie, absorbe humedad y con el paso del tiempo provoca de-laminación del módulo  por
su cara frontal se coloca el vidrio y en la posterior una lámina de poliéster (asegura la estanqueidad),
protegida entre 2 láminas de tedlar para que la luz solar no degrade al poliéster  orden de colocación
de los materiales es (vidrio–EVA–células–EVA–tedlar), a los que se pueden añadir imprimaciones para
mejorar su adherencia. La laminación forma, con estos materiales, un todo compacto sin aire en su
interior y con las ≠ capas bien adheridas entre sí; se usan laminadoras, que someten al sándwich
formado a un ciclo de calentamiento (100°C), vacío y p. El curado del EVA puede hacerse en la propia
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laminadora (elevando T a 150°C) o en hornos independientes. Al finalizar el proceso, el producto
resultante se llama laminado, y forma una sola pieza/conjunto, con la (rigidez, protección) necesarias.
④Enmarcado–Colocación de (diodos de protección, caja de conexiones): 1º un recorte de rebabas;
se coloca un sellador elástico (silicona) en todo el perímetro del laminado y luego los perfiles de Al
que forman el marco; por último, se coloca la caja de conexiones y los diodos bypass de protección.
Al laminado se le añade un marco de Al que protege su perímetro de posibles golpes y de la humedad
y lo convierte en una estructura manejable de fácil instalación. La canaleta (los 4 laterales) del marco
que va a alojar el laminado se rellena con silicona, se adhiere al laminado y luego se atornillan los 4
bordes entre sí. Se añade una caja de conexiones, sujeta en la parte posterior del módulo, para facilitar
el cableado/conexión entre varios módulos. De la caja salen terminales de interconexión. Se colocan
diodos de protección bypass conectados en inversa en el interior de la caja, para evitar formación de
puntos calientes, debidos al sombreado de alguna célula (normalmente por suciedad externa), lo que
provoca que ésta no actúe como generador sino como carga para el resto del circuito, disipando P
por calentamiento que puede destruir al módulo; si ocurre, el diodo correspondiente a la rama en la
que está esa célula se polariza en directa  cortocircuita la rama y la desconecta del resto del circuito.
⑤El módulo se mide en condiciones estándar en un simulador solar, y se clasifica según la PDC que
alcanza. Se le hace una prueba de eficiencia aplicando una intensidad de radiación normalizada y se
mide la Eeléctrica producida, especificada en las características del módulo para su comercialización.
 Los módulos se montan sobre una estructura soporte que soporte la Fviento sobre los módulos. Si se
diseñan sistemas de concentración hay que dotar a los soportes con sistemas de seguimiento solar.

 BP Solar: En la fábrica de San Sebastián de los Reyes se ensamblan los módulos con las células
producidas en la planta de Tres Cantos. Proceso: Lavado de células – Encintado frontal y posterior
de células – Interconexión eléctrica (unión de tiras/strings de células) – Laminación [poner capas de
materiales (vidrio, EVA, Tedlar)] – Corte de restos (quitar lo que sobra del cristal) – Colocación de
(cables, diodos de protección) – Verificación de PDC con una máquina – Infrarrojos (para ver si hay
roturas) – Colocación de la caja de conexión – Enmarcado – Prueba de continuidad (uso de voltímetro
para ver si hay posibles cortocircuitos) – Inspección (ver posibles defectos) y limpieza – Empaquetar

TÉCNICAS DE PREPARACIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS

 Basadas en la deposición física/química a partir de la fase vapor: Formación de un vapor del material
a depositar, con el objetivo de que el vapor se condense sobre la superficie del substrato, formando
una capa/lámina delgada. El proceso ha de hacerse en vacío o en una atmósfera controlada para evitar
la interacción del vapor con la atmósfera del aire. La principal diferencia es que en la PVD el material
a depositar ya existe (en forma de sólido); en la CVD el material no existe previamente, se sintetiza
mediante una reacción en fase vapor. Otras técnicas: (Oxidación térmica a T – Oxidación anódica)
1) Deposición física a partir de la fase vapor (PVD)(Physical Vapour Deposition): El material en forma
sólida se somete bien sea a un proceso de calentamiento hasta su evaporación (evaporación térmica)
o se pulveriza mediante bombardeo intenso con partículas cargadas en forma de iones energéticos
(bombardeo catódico)(sputtering). En este último caso, los iones proceden de una descarga eléctrica
entre 2 electrodos en forma de plasma, usando un gas inerte (argón). Se puede bombardear la muestra
con un haz de iones procedentes de una fuente de iones externa [permite variar la (E, intensidad) de
los iones que alcanzan la superficie del material a depositar]. Alternativamente, es posible usar la
fuente de iones para bombardear directamente la superficie del substrato durante la evaporación, para
impartir más E a los átomos evaporados y mejorar así las propiedades de la capa depositada (densidad,
adherencia...); a esta técnica se le denomina ( deposición asistida mediante haces de iones )(IBAD)
 Sputtering: Extracción de átomos de la superficie de un electrodo por intercambio de momento
con iones que bombardean los átomos de la superficie  Es básicamente un proceso de ataque,
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frecuentemente usado para la limpieza de superficies. Como durante el proceso se produce vapor
del material del electrodo, también se usa en la deposición de películas, similar a la evaporación.
Gran ventaja a nivel industrial, puede aplicarse sobre substratos [rígidos (vidrio), flexibles (metal,
polímeros)] permitiendo usar procesos de fabricación roll to roll con η, contribuyendo a ↓costes.
2) Deposición química en fase vapor (CVD)(Chemical Vapour Deposition): Parte directamente de gases
(a veces en forma líquida que pasan a estado vapor) los cuales mediante reacción dan un producto
nuevo que se condensa en forma de película delgada sobre el substrato. Consiste en la reacción de
una mezcla de gases en el interior de una cámara de vacío (de un reactor) para originar la formación
de un material en forma de capa delgada; los subproductos de la reacción son evacuados hacia el
exterior mediante un sistema (bomba 'roots' apoyada con rotatoria) de vbombeo. Hay variedad de
equipos para hacer el proceso, diferenciados por el método de activación de la reacción de deposición.
 ( CVD a p )(LPCVD): ( ptrabajo )reactor < 1Torr, (aunque a veces se usan p mayores), para ↑difusión
de los gases en aquellas zonas del substrato no directamente expuestas (cavidades, poros...) 
se favorece la reacción en superficie y se mejora la homogeneidad en espesor del recubrimiento.
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