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UNMSM

Facultad de Ingeniería Electrónica,


Eléctrica y de Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Nº de Matricula

Montes Carranza Julio Anibal 13190178

Curso Tema

Transistor bipolar NPN


Dispositivos Electrónicos I
Características Básicas
Informe Fechas Nota

Previo Realización Entrega

Número
23 de octubre del 30 de octubre
2014 del 2014
7

Grupo Profesor

6 Ing. Luis Paretto Q.


Transistor bipolar NPN

Transistor C828:

Codigo Descripcion Caso Diag. Maxima Colector Colector Colector Disipaciion Frecuencia
de y Estilo N° corriente en el a emisor a Base a Base Hfe máxima (M Hz) ft
transistor aplicacion colector(Amp) (volts) (volts) (volts) β del
Ic BVceo BVcbo BVebo colector
(watts)
C828 NPN-Si TO92 0.4 70 70 4 120min 0.625 200

PROCEDIMIENTO:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el β (P1 = 0 Ω).
b) Medir los voltajes entre colector – emisor (Vce), entre base – emisor
(Vbe), y entre emisor – tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2
Tabla 2
Valores Ic (mA.) Ib (μA.) β Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)
(R1= 56
KΩ)
Teoricos 7.636 64 120 2.684 0.7 1.694

Datos:
R1= 56 KΩ
R2= 22 KΩ
Re= 0.22 k Ω
Rc= 1 KΩ
VBE= 0.7 v (Por ser silicio) +12v
P1= 0 KΩ
β = 120

Formulas a usar:

Vcc (R2 )
V=R1 + R2 + P1

R2 ( R1 + P1 ))
Rb= R1 + R2 + P1

V−Vbe
Ib=Rb+(β+1)Re

Ve=Ie.Re

Ic=Ib. β

Ie=Ic+Ib
Resolviendo:

(22).(12)
V= 56 + 22 = 3.385 v

(22)(56)
Rb= 56 + 22 = 15.795 kΩ

3.385−(0.7)
Ib=15.795+(50)0.22=0.064mA

Ic=120(0.100)=7.636mA

Ie=7.69998mA

Vce=-(7.636)(1+0.22)+12=2.684v

Ve=(0.22)(7.69998)=1.694 v

d) Cambiar R1 a 68K Ω, repetir los pasos (a) y (b), anotar los datos
obtenidos en la Tabla 3 (por ajuste de P1).
Tabla 3
Valores Ic (mA.) Ib (μA.) β Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)
(R1= 56
KΩ)
Teoricos 6.684 56 120 3.846 0.7 2.408

Resolviendo:

(22).(12)
V= 68 + 22 = 2.933 v

(22)(56)
Rb= 68 + 22 = 13.689 kΩ

2.933−(0.7)
Ib=13.689+(120)0.22=0.056mA

Ic=120(0.090)=6.684mA

Ie=10.943mA

Vce=-(6.684)(1+0.22)+12=3.846

Ve=(0.22)(10.943)=2.408 v
e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K Ω, 250K Ω, 500K Ω y 1M Ω.
Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce
(Usar Re=0). Llenar la Tabla 5.

P1 100KΩ 250K Ω 500KΩ 1MΩ


Ic(mA.) 4.873 0.614 - 1.378 - 2.534
Ib(uA.) 41 5.116 - 11 -21
Vce(v.) 6.055 11.251 13.681 15.091

- Para P1=100KΩ:

(22).(12)
V=56 + 22+100= 1.483 v

(22)(56+100)
Rb= 56 + 22+100 = 19.281 kΩ

1.483−(0.7)
Ib= =-0.041mA
19.281

Ic=120(0.061)=4.873mA

Ie=4.914mA

Vce=-(4.873)(1+0.22)+12=6.055

- Para P1=250KΩ:
(22).(12)
V=56 + 22+250= 0.805v

(22)(56+250)
Rb= = 20.524 kΩ
56 + 22+250

0.805−(0.7)
Ib= =5.116 µA
20.524

Ic=50(0.025)=0.614mA

Ie=0.614mA

Vce=-(0.614)(1+0.22)+12=11.251v

- Para P1=500KΩ:
(22).(12)
V=56 + 22+500= 0.457v

(22)(56+500)
Rb= 56 + 22+500 = 21.163 kΩ

0.457−(0.7)
Ib= =- 0.011 mA
21.163
Ic=120(-0.011)=- 1.378mA

Ie=-1.389mA

Vce=-(-1.378)(1+0.22)+12=13.681v

- Para P1=1000KΩ:
(22).(12)
V=56 + 22+1000= 0.245v

(22)(56+1000)
Rb= 56 + 22+1000 = 21.551kΩ

0.245−(0.7)
Ib= =- -0.021mA
21.551

Ic=120(-0.021)=- 2.534mA

Ie=-2.555mA

Vce=-(-2.534)(1+0.22)-12=15.091v