Informe Pevio N°3:

“La característica cuadrática del transistor efecto de campo”

I. OBJETIVOS
 Obtener experimentalmente el contenido armónico de la corriente de drenado del transistor de
efecto de campo (FET)

II. MARCO TEORICO

1. Diseñar la red de polarización del GATE determinando los valores de RB y CB, tal que CB se cargue al valor
pico de v1(t) (frecuencia del generador = 255kHz MHz)

Para la fuente:

V1cos(Wot)

Y la f0 = 455 KHz.

Enclavamiento del FET:

RbCb, T = 6.22/Wo de lo cual Vdc = V1

Carga de Cb:

ReCe=1/455x1000 Hz = 2.2x10−6s
Rb gran valor para virtual:

Rb = 1MΩ

Cb = 100pF

2. Determinar una expresión general v0(t) en resonancia asumiendo los datos de la bobina y un QT alto (datos
del transistor son conocidos).

Se sabe que v0(t) depende de la relación entre V1 y VP. Esta relación podemos resumirla en tres casos.

I) V1 < VP /2 (trabajando en la zona cuadrática)

vGS  v1 (t )  VDC  V1 cos wot  VDC  V1 cos wot  V1

vGS  V1 (cos wot  1)
2 2
 v   V (cos wot  1) 
iD  I DSS 1  GS   I DSS 1  1 
 VP   VP 
I DSS
ID  VP  V1  V1 cos wo t 
2
2
VP
I DSS 
2  P
ID  V  V1   2 VP  V1 V1 cos wo t  V1 cos 2 wo t 
2 2

VP 

I DSS  
2
V1
ID          
2
2  VP V1 2 VP V1 V1 cos wo t (1 cos 2 wo t ) 
VP  2 
I DSS  
2 2
V1 V1
I D  2 VP  V1    2 VP  V1 V1 cos wo t 
2
cos 2wo t 
VP  2 2 
I D  I o  I1 cos wo t  I 2 cos 2wo t

Debido a la selectividad del tanque, basta la componente fundamental:

Vp  V1 V1
2 I DSS
I1 
V p2

I' I N1
 1  I'  I1
N1 N 3 N3
N1
vo (t )   I1  RL cos wo t
N3
 N1  2 I DSS 
2  P
vo (t )   V  V1 V1  RL cos wo t
N 3  VP 

II) V1 = VP/2 (trabajo en el límite de la zona cuadrática).

Según el análisis de la parte I: VP - V1 = V1

2 I DSS 2 I DSS VP VP I DSS

I1  2
(V1 )V1  2
  
VP VP 2 2 2
N1
vo (t )   I1  RL cos wo t
N3

N1 I 
vo (t )    DSS   RL cos wo t
N3  2 

III) V1 > VP/2 (trabajo fuera de la zona cuadrática).

 V  V 
  cos1  P 1 
 V1 

In
iD  I P  cos wo t  I o  I1 cos wo t  I 2 cos 2wo t  ...
n 0 I P

Donde :
 3  
I o 1    4 sin 2  2 cos 2 
  
IP   1  cos  
2

 
  sin 2 sin 4 
 
I2 2  4 6 48 
  
IP   1  Cos 
2

 
I1 2   4  n  sin n   n  1 n  2  sin n cos n  3n sin  n  2   
2

  
IP  
 n  n 2
 1 n 2
 4  1  cos  
2



El tanque es selectivo (pasa sólo la componente fundamental).

 N1
vo (t )  I1 RL cos wo t ; I P  I DSS
N3

 3 1 
sin   sin 3   cos  
N1  2 I DSS  4 12
vo (t )      RL cos wo t
N3    1  cos   
  

3. Especificar los métodos para determinar los parámetros del FET(uno para determinar experimentalmente
VP y el otro para IDSS). Explicar en forma clara y concisa.

El procedimiento experimental es resumido a continuación.

a) Determinación de IDSS.-

Para VGS = 0.
Se aumenta VDD hasta que ID alcance su nivel de saturación, esto es IDSS.

Vmeter VGS  0
I DSS 
RD

b) Determinación de Vp.-

En VDD = 15V.
Variar Vgg_var haasta IDSS = 0.
V p  VGS I D 0
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