ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Alumno: Testa Morales Mario Alberto

M131

5/28/18

Diodos semiconductores

Profesor: Alejandro Martínez Badillo

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1. Diodos semiconductores.
1.1 El diodo semiconductor.-----------------------------------------------------------------------------------------3
1.1.1 Polarización directa.------------------------------------------------------------------------------3
1.1.2 Polarización inversa.------------------------------------------------------------------------------4
1.1.3 Niveles de resistencia.---------------------------------------------------------------------------5
1.1.4 Resistencia CD.-------------------------------------------------------------------------------------7
1.1.5 Resistencia CA.-------------------------------------------------------------------------------------7
1.2 Materiales semiconductores, Si y Ge.------------------------------------------------------------------------9
1.3 Diodos discretos.--------------------------------------------------------------------------------------------------9
1.3.1 Diodo de crecimiento de la unión.----------------------------------------------------------10
1.3.2 Diodo de Aleación.------------------------------------------------------------------------------10
1.3.3 Diodo por difusión.-----------------------------------------------------------------------------10
1.3.4 Diodo por crecimiento epitaxial.-------------------------------------------------------------11
1.4 Enlaces covalente.-----------------------------------------------------------------------------------------------12
1.5 Material extrínseco.---------------------------------------------------------------------------------------------13
1.5.1 Material tipo n.-----------------------------------------------------------------------------------13
1.5.2 Material tipo p.-----------------------------------------------------------------------------------13
1.5.3 Flujo de electrones en materiales huecos.------------------------------------------------14
1.5.4 Portadores mayoritarios y minoritarios.---------------------------------------------------14
1.6 Circuitos equivalentes al diodo.-----------------------------------------------------------------------------15
1.6.1 Modelos para el diodo.------------------------------------------------------------------------15
1.6.2 Modelo Ideal.------------------------------------------------------------------------------------15
1.6.3 Modelo Simplificado.---------------------------------------------------------------------------16
1.6.4 Modelo por segmentos lineales.-------------------------------------------------------------17
1.7 Tipos de diodos.--------------------------------------------------------------------------------------------------17
1.7.1 Diodo rectificador.------------------------------------------------------------------------------17
1.7.2 Diodo Led.-----------------------------------------------------------------------------------------18
1.7.3 Diodo Zener.--------------------------------------------------------------------------------------18
1.7.4 Diodo Varicap.------------------------------------------------------------------------------------19
1.7.5 Foto Diodo.----------------------------------------------------------------------------------------19
1.7.6 Diodo Tunel.--------------------------------------------------------------------------------------19
1.7.7 Diodo Gunn---------------------------------------------------------------------------------------20
2. aplicaciones
2.1 introducción.----------------------------------------------------------------------------------------------------20
2.2 Análisis por recta de carga.----------------------------------------------------------------------------------21
2.3 Aplicaciones practicas
2.3.1 Rectificación de media onda.-----------------------------------------------------------------22
2.3.2 Rectificación de onda completa.-------------------------------------------------------------24
2.3.3 Rectificación trifásica---------------------------------------------------------------------------26
2.3.3.1 Rectificación de media onda y onda completa-------------------------------26
3 Resumen, conceptos importantes y ecuaciones.-------------------------------------------------------------------28

2
 El diodo semiconductor
El diodo es un dispositivo de dos terminales que, en una situación ideal, se comporta como un
interruptor común con la condición especial de que solo puede conducir en una dirección. Tiene un
estado de encendido, el que en teoría parece ser un circuito cerrado entre sus terminales, y un estado
cerrado en el que sus características son similares a un circuito abierto. En la figura 1.1 aparecen las
características ideales del diodo con el símbolo del dispositivo.

(Fig. 1.1)

Para valores de 𝑉𝐷 (𝑉𝐷 > 0𝑉) el diodo se encuentra en estado de circuito cerrado (R=0Ω), para la
polaridad opuesta el diodo se encuentra en estado de circuito abierto (R=∞Ω). La corriente del diodo
solo puede pasar en dirección de la flecha que aparece en el símbolo.

Polarización directa.

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece aplicando el potencial positivo al

material tipo p y el potencial negativo al tipo n, La aplicación de un potencial de polarización en directa
VD “presionará” a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se
recombinen con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de la región de empobrecimiento El
flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al material tipo n (y de
huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud (puesto que el nivel de conducción es
controlado principalmente por el número limitado de impurezas en el material),aunque la reducción del
ancho de la región de empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores mayoritarios a través de
la unión. Un electrón del material tipo p ahora “ve” una barrera reducida en la unión debido a la región
de empobrecimiento reducida y a una fuerte atracción del potencial positivo aplicado al material tipo p.
En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la región de
empobrecimiento continuará reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unión, lo
que produce un crecimiento exponencial de la corriente como se muestra en la región de polarización
en directa de las características de la figura 1.2. Observe que la escala vertical de la figura 1.2 está en
mili amperes (aunque algunos diodos semiconductores tienen una escala vertical medida en amperes) y
la escala horizontal en la región de polarización en directa tiene un máximo de 1 V. Por consiguiente, en
general el voltaje a través de un diodo polarizado en directa será menor de 1 V. Observe también cuán
rápido se eleva la corriente después de la rodilla de la curva. Se puede demostrar por medio de la física

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de estado sólido que las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir
mediante la siguiente ecuación, conocida como ecuación de Shockley, para las regiones de polarización
𝑉𝑛
en directa y en inversa: 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ((𝑒 𝑛𝑉𝑇 )-1)

Donde;

𝐼𝑠 es la corriente de saturación en inversa.

𝑉𝐷 es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo.

n es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y construcción física;
varía entre 1 y 2 según una amplia diversidad de factores. (se supondrá n = 1)
𝑘𝑇
El voltaje 𝑉𝑇 en la ecuación se llama voltaje térmico y está determinado por: 𝑉𝑇 =
𝑞

Donde;

k es la constante de Boltzmann = 1.38x1023 J/K

T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + la temperatura en °C.

q es la magnitud de la carga del electrón= 1.6x1019 C.

Fig. 1.2

Polarización inversa.

Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal positiva conectada al
material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como se muestra en la Fig.1.3.

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 Fig. 1.3.

El número de iones positivos revelados en la región de empobrecimiento del material tipo n se

incrementará por la gran cantidad de electrones libres atraídos por el potencial positivo del voltaje
aplicado. Por las mismas razones, el número de iones negativos no revelados se incrementará en el
material tipo p. El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la región de
empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios la
puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero, como se
muestra en la Fig 1.3.

Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran a la región de empobrecimiento no

cambia, y se producen vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud indicada en la
figura 1.12c sin voltaje aplicado. La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama
corriente de saturación en inversa y está representada por 𝐼𝑠 .

La corriente de saturación en inversa rara vez es de más de algunos microamperes, excepto en el caso
de dispositivos de alta potencia. De hecho, en los últimos años su nivel, por lo general, se encuentra en
el intervalo de los nanoamperes en dispositivos de silicio. El término saturación se deriva del hecho de
que alcanza su nivel máximo con rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos
en el potencial de polarización en inversa, como se muestra en las características de diodo de la figura
1.15 con VD < 0 V. Las condiciones de polarización en inversa se ilustran en la Fig 1.3. Para el símbolo de
diodo y unión p-n. Observe, en particular, que la dirección de 𝐼𝑠 se opone a la flecha del símbolo.
Observe también que el lado negativo del voltaje aplicado está conectado al material tipo p y el lado
positivo al material tipo n, y la diferencia indicada con las letras subrayadas por cada región revela una
condición de polarización en inversa.

Niveles de energía

Dentro de la estructura atómica de cada átomo aislado hay niveles específicos de energía asociados con
cada capa y electrón en órbita, como se muestra en la figura 1.4. Los niveles de energía asociados con
cada capa son diferentes según el elemento de que se trate. Sin embargo, en general: Cuanto más
alejado está un electrón del núcleo, mayor es su estado de energía y cualquier electrón que haya
abandonado a su átomo padre tiene un estado de energía mayor que todo electrón que permanezca en
la estructura atómica. Observe en la figura 1.4 que sólo puede haber niveles de energía específicos para
los electrones que permanecen en la estructura atómica de un átomo aislado. El resultado es una serie

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de brechas entre niveles de energía permitidos donde no se permiten portadores. Sin embargo,
conforme los átomos de un material se acercan entre sí para formar la estructura entrelazada cristalina,
interactúan entre ellos, lo cual hace que los electrones de una capa particular de un átomo tengan
niveles de energía ligeramente diferentes de los electrones presentes en la misma órbita de un átomo
adyacente. El resultado es una expansión de los niveles de energía fijos discretos de los electrones de
valencia de la figura 1.4 a bandas, como se muestra en la figura 1.5. En otras palabras, los electrones de
valencia de un material de silicio pueden tener diversos niveles de energía, en tanto se encuentren
dentro de la banda de la figura 1.5. La figura 1.5 revela con claridad que hay un nivel de energía mínimo
asociado con electrones que se encuentran en la banda de conducción y un nivel de energía máximo de
electrones enlazados a la capa de valencia del átomo. Entre los dos hay una brecha de energía que el
electrón en la banda de valencia debe salvar para convertirse en portador libre. Esa brecha de energía es
diferente para Ge, Si y GaAS; el Ge tiene la brecha mínima y el GaAs la máxima. En suma, esto significa
que: Un electrón en la banda de valencia de silicio debe absorber más energía que uno en la banda de
valencia de germanio para convertirse en portador libre. Asimismo, un electrón en la banda de valencia
de arseniuro de galio debe absorber más energía que uno en la de silicio o germanio para entrar a la
banda de conducción. Esta diferencia en los requerimientos de las brechas de energía revela la
sensibilidad de cada tipo de semiconductor a los cambios de temperatura. Por ejemplo, al elevarse la
temperatura de una muestra de Ge, el número de electrones que pueden absorber energía térmica y
entrar a la banda de conducción se incrementa con rapidez porque la brecha de energía es mínima. Sin
embargo, el número de electrones que entran a la banda de conducción en Si o GaAs es mucho menor.
Esta sensibilidad a los cambios de nivel de energía puede tener efectos positivos y negativos. El diseño
de foto detectores sensibles a la luz y los sistemas de seguridad sensibles al calor, parecen ser una
excelente área de aplicación de los dispositivos de Ge. No obstante, en el caso de redes de transistores,
en las que la estabilidad es de alta prioridad, esta sensibilidad a la temperatura o a la luz puede ser un
factor perjudicial.

Fig. 1.4

Fig.1.5

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Niveles de resistencia en CA y CD.

A medida que el punto de operación de un diodo se mueve de una región a otra, su resistencia también
cambia debido a la forma no lineal de la curva de características. En los párrafos siguientes se
demostrará que el tipo de voltaje o señal aplicada definirá el nivel de resistencia de interés. En esta
sección se presentarán tres niveles diferentes, los cuales volverán a aparecer cuando examinemos otros
dispositivos. Es de suma importancia, por consiguiente, que su determinación se entienda con toda
claridad.

Resistencia de CD o estática

La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor produce un punto

de operación en la curva de características que no cambia con el tiempo. La resistencia del diodo en el
punto de operación se halla determinando los niveles correspondientes de VD e ID como se muestra en
la siguiente ecuación:

𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷

Los niveles de resistencia de cd en la rodilla y debajo de ella son mayores que los niveles de resistencia
obtenidos para la sección de levantamiento vertical de las características. Los niveles de resistencia en la
región de polarización en inversa son por naturaleza bastante altos. Como los óhmetros en general
emplean una fuente de corriente relativamente constante, la resistencia determinada será un nivel de
corriente preestablecido (por lo general de algunos miliamperes). En general, por consiguiente, cuanto
mayor sea la corriente a través de un diodo, menor será el nivel de resistencia de cd.

Resistencia de CA o dinámica

Es obvio de acuerdo con la ecuación, que la resistencia de cd de un diodo es independiente de la forma

de las características en la región alrededor del punto de interés. Si se aplica una entrada senoidal en
lugar de una de cd, la situación cambiará por completo. La entrada variable moverá el punto de
operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo de una región de las características, y por lo tanto
define un cambio específico de la corriente y voltaje como se muestra en la figura 1.6 Sin ninguna señal
variable aplicada, el punto de operación sería el punto Q que aparece en la figura 1.6, determinado por
los niveles de cd aplicados. La designación de punto Q se deriva de la palabra quiescente, que significa
“fijo o invariable”.

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 Fig. 1.6

Una línea recta trazada tangente a la curva por el punto Q como se muestra en la figura 1.7 definirá un
cambio particular del voltaje y corriente que se puede utilizar para determinar la resistencia de ca o
dinámica en esta región de las características del diodo. Se deberá hacer un esfuerzo por mantener el
cambio de voltaje y corriente lo más pequeño posible y equidistante a ambos lados del punto Q. En
forma de ecuación:

∆𝑉𝑑
𝑟𝑑 =
∆𝐼𝑑

Fig. 1.7.

Donde ∆ indica un cambio finito de la cantidad. Cuanto más inclinada sea la pendiente, menor será el
valor de Vd con el mismo cambio de Id y menor es la resistencia. La resistencia de ca en la región de
levantamiento vertical de la característica es, por consiguiente, bastante pequeña, en tanto que la

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resistencia de ca es mucho más alta con niveles de corriente bajos. En general, por consiguiente, cuanto
más bajo esté el punto de operación (menor corriente o menor voltaje), más alta es la resistencia de ca.

Materiales semiconductores, Si y Ge
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de
un buen conductor y la de un aislante.

El primer paso en la fabricación de cualquier semiconductor es la obtención de materiales

semiconductores, como el germanio y el silicio, del grado de pureza deseado. Se requieren de niveles de
impureza de menos de una parte por mil millones (1 en 1 000 000 000).

Las materias primas primero se someten una serie de reacciones químicas y a un proceso de refinación
zonal para formar un cristal policristalino. Los átomos de un cristal policristalino se acomodan al azar,
mientras que en el mono cristal deseado los átomos se acomodan en una red cristalina, simétrica y
uniforme.

El aparato para el proceso de refinación zonal mostrado en la figura 2 se compone de un contenedor

(“bote”) de cuarzo o grafito para que la contaminación sea mínima, un tubo de cuarzo y un juego de
inducción de radiofrecuencia (RF). El interior del cubo se rellena con un gas inerte (escasa o ninguna
reacción química) o al vacío para reducir aún más la posibilidad de una contaminación.

(Fig. 2; proceso de refinación zonal)

Diodos discretos
Los diodos semiconductores normalmente son de uno de los siguientes tipos:

 De crecimiento de la unión.
 De aleación.
 De difusión.
 De crecimiento epitaxial.

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Diodo de crecimiento de la unión:

Los diodos de este tipo se forman mediante el proceso de Czochralski de estiramiento de cristal. Las
impurezas de los tipos n y p se agregan de una manera alternada al material del semiconductor fundido
en el crisol, y el resultado es una unión pn, como se indica en la figura 3. Después de “rebanado “un
dispositivo de gran área puede entonces recortarse en un gran número (en ocasiones miles) de
dispositivos diodos semiconductores de un área más pequeña.

(Fig. 3)

Diodo de Aleación:

El proceso de aleación de un diodo semiconductor al igual que la aleación por unión produce un diodo
con alta capacidad de corriente y un valor nominal de PIV grande. Sin embargo la capacitancia e unión
también es grande, debido a la gran área de unión.

La unión pn se forma colocando primero colocando la impureza tipo p sobre un sustrato tipo n y
calentándolos hasta que ocurre licuefacción donde los dos materiales se unen como se muestra en la
figura 3.1

(Fig 3.1; diodo de proceso de aleación)

Diodo por difusión:

El proceso de difusión (Fig. 3.2) para formar diodos de unión de semiconductores puede emplear ya sea
la difusión solida o gaseosa. Este proceso requiere más tiempo que el de aleación pero es relativamente
más barato y puede controlarse con mucha precisión. Este proceso se realiza mediante una densa
concentración de partículas se “difunde” hacia la región circundante menos concentrada. La diferencia
primordial es el hecho de que en el proceso de difusión no ocurre la licuefacción. En el proceso difusión

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se agrega calor solo para incrementar la actividad de los elementos implicados. El uso de difusión es el
proceso más frecuente en la actualidad para la fabricación de diodos semiconductores.

(Fig. 3.2; proceso por difusión)

Diodo por crecimiento epitaxial:

El termino epitaxial se deriva del griego epi “sobre” y taxis “arreglo” se conecta una oblea base de
material 𝑛+ a un conector metálico como se muestra en la figura 3.3. el 𝑛+ indica un nivel de dopado
muy alto para una característica de resistencia muy reducida.

(Fig 3.3; proceso de crecimiento epitaxial)

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 Enlaces covalente.
Para apreciar plenamente por qué Si, Ge y GaAs son los semiconductores más utilizados por la industria
electrónica, hay que entender la estructura atómica de cada uno y cómo están enlazados los átomos
entre sí para formar una estructura cristalina. Todo átomo se compone de tres partículas básicas:
electrón, protón y neutrón. En la estructura entrelazada, los neutrones y los protones forman el núcleo;
los electrones aparecen en órbitas fijas alrededor de éste. El modelo de Bohr de los tres materiales
aparece en la figura 4.1.

(Fig. 4.1; estructura atómica del Si, Ge y GaAs)

Como se indica en la figura 1.3, el silicio tiene 14 electrones en órbita, el germanio 32, el galio 31 y el
arsénico 33 (el mismo arsénico que es un agente químico muy venenoso). En el germanio y el silicio hay
cuatro electrones en la capa más externa, los cuales se conocen como electrones de valencia. El galio
tiene tres electrones de valencia y el arsénico cinco. Los átomos que tienen cuatro electrones de
valencia se llaman tetravalentes; los de tres se llaman trivalentes, y los de cinco se llaman
pentavalentes. El término valencia se utiliza para indicar que el potencial (potencial de ionización)
requerido para remover cualquiera de estos electrones de la estructura atómica es significativamente
más bajo que el requerido para cualquier otro electrón en la estructura.

En un cristal de silicio o germanio puros, los cuatro electrones de valencia de un átomo forman un
arreglo de enlace con cuatro átomos adyacentes, como se muestra en la figura 4.1. Este enlace de
átomos, reforzado por compartir electrones, se llama enlace covalente.

Material Extrínseco
Como el Si es el material más utilizado como material base (sustrato) en la construcción de dispositivos
de estado sólido, el análisis en ésta y en las siguientes secciones se ocupa sólo de semiconductores Si.
Como el Ge,el Si y el GaAs comparten un enlace covalente similar, se puede ampliar fácilmente el

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análisis para incluir el uso de otros materiales en el proceso de fabricación. Como ya antes se indicó, las
características de un material semiconductor se pueden modificar de manera significativa con la adición
de átomos de impureza específicos al material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas,
aunque sólo se agregan en 1 parte en 10 millones, pueden alterar la estructura de las bandas lo
suficiente para cambiar del todo las propiedades eléctricas del material. Un material semiconductor que
ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material extrínseco. Hay dos materiales
extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de dispositivos semiconductores: materiales
tipo n y tipo p. Cada uno se describe con algún detalle en las siguientes subsecciones.

Material tipo “n”:

Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un número predeterminado de átomos
de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que
contienen cinco electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo (Fig
5.1). (Con antimonio como la impureza en una base de silicio). Observe que los cuatros enlaces
covalentes permanecen. Existe, sin embargo, un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza,
el cual no está asociado con cualquier enlace covalente particular. Este electrón restante, enlazado de
manera poco firme a su átomo padre (antimonio),está en cierto modo libre para moverse dentro del
material tipo n recién formado, puesto que el átomo de impureza insertado ha donado un electrón
relativamente “libre” a la estructura. Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se
conocen como átomos donadores.

(Fig. 5.1; impureza de antimonio en material tipo n)

Material tipo “p”:

El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con átomos de impureza que
tienen tres electrones de valencia. Los elementos más utilizados para este propósito son boro, galio e
indio. El efecto de uno de estos elementos, el boro, en una base de silicio.

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 (Fig. 5.2; impureza de boro en materia tipo p)

Observe que en la figura 5.2 el número de electrones es insuficiente para completar las bandas
covalentes de la estructura recién formada. El vacío resultante se llama hueco y se denota con un
pequeño círculo o un signo más, para indicar la ausencia de una carga positiva. Por lo tanto, el vacío
resultante aceptará con facilidad un electrón libre: Las impurezas difundidas con tres electrones de
valencia se llaman átomos aceptores. El material tipo p es eléctricamente neutro por las mismas razones
descritas para el material tipo n.

Flujo de electrones contra flujo de huecos

El efecto del hueco en la conducción se muestra en la figura 5.3. Si un electrón de valencia adquiere
suficiente energía cinética para romper su enlace covalente y llenar el vacío creado por un hueco,
entonces se creará un vacío o hueco en la banda covalente que cedió el electrón. Existe, por
consiguiente, una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, como se
muestra en la (Fig. 5.3). La dirección que se utilizará en este texto es la del flujo convencional, la cual
está indicada por la dirección del flujo de huecos.

(Fig. 5.3; Flujo de electrones en huecos)

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o Si se debe sólo a los electrones en la

banda de valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas o luminosas para romper la
banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los vacíos que quedan en la
estructura de enlace covalente representan una fuente muy limitada de huecos. En un material tipo n, el
número de huecos no cambia significativamente con respecto a este nivel intrínseco. El resultado neto,
por consiguiente, es que el número de electrones sobrepasa por mucho al de huecos. Por eso: En un

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material tipo n (Fig. 5.4) el electrón se llama portador mayoritario y el hueco portador minoritario. En el
material tipo p el número de huecos excede por mucho al de electrones, como se muestra en la fig. 5.4.
Por consiguiente: En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario.
Cuando el quinto electrón de un átomo donador abandona el átomo padre, el átomo que queda
adquiere una carga positiva neta: de ahí el signo más en la representación de ion donador. Por las
mismas razones, el signo menos aparece en el ión aceptor. Los materiales tipo n y p representan los
bloques de construcción básicos de los dispositivos semiconductores. En la siguiente sección veremos
que la “unión” de un material tipo n con uno tipo p producirá un elemento semiconductor de
considerable importancia en sistemas electrónicos

Fig. 5.4

Circuitos equivalentes al diodo.

En ingeniería, como en otras áreas del conocimiento, es muy común el uso de la simulación y de los
modelos, en el análisis y diseño de circuitos el trabajo se facilita si los dispositivos que se manejan se
sustituyen por modelos. Un modelo representa al dispositivo original de manera práctica y con efectos
equivalentes a aquél, y consiste en un conjunto de elementos organizados de manera apropiada para
reproducir, de la mejor manera posible, los efectos del dispositivo al que representa. En el caso del
diodo semiconductor se emplean tres formas básicas para representarlo de manera aproximada a la
realidad:

 Modelo ideal o primera aproximación.

 Modelos simplificados o segunda aproximación.
 Modelo de segmentos lineales o tercera aproximación.

Modelo Ideal.

El diodo se considera como si fuera un dispositivo ideal totalmente, por lo cual, en polarización directa
se comporta como un conductor perfecto para cualquier voltaje Fig. 6.1; en este modelo no se considera
ningún voltaje de umbral (VT), así que para todo VD > 0 habrá un valor para ID > 0 que crece
repentinamente tendiendo a valor infinito y la cual será limitada solamente por los elementos
conectados en serie con el diodo ideal. En polarización inversa es un circuito abierto para todo voltaje de
polarización negativo. Simbólicamente se le representa mediante un interruptor que cierra en
polarización directa y abre en polarización inversa.

15
 Fig. 6.1

Modelo ideal para el diodo. a) Curva característica.

Modelo ideal para el diodo. b) En polarización directa se comporta como interruptor cerrado.

Modelo ideal para el diodo. c) En polarización inversa es como un interruptor abierto, no circula
corriente.

Modelo Simplificado

El diodo se considera como si fuera un dispositivo que en polarización directa se comporta como un
conductor cuando el voltaje de polarización directa en sus terminales es mayor que el voltaje de umbral
Fig. 6.2 (VT) así que para todo VD > VT habrá un valor de ID > 0, que crece exponencialmente tendiendo
a valor infinito y la cual será limitada por las características intrínsecas del cristal y por los elementos
conectados en serie con el diodo. En polarización inversa es un circuito abierto para todo voltaje de
polarización negativo.

Modelo simplificado para el diodo. a) Curva característica.

Modelo simplificado para el diodo. b) En polarización directa se comporta como interruptor cerrado en
serie con una fuente de voltaje VT.

Modelo simplificado para el diodo. c) En polarización inversa es la misma fuente de voltaje VT en serie
con un interruptor abierto, no circula corriente.

Fig. 6.2

Se representa mediante el símbolo de una fuente de voltaje de cd, que se opone al voltaje de la fuente
externa, en serie con un interruptor que cierra, en polarización directa, y abre en polarización inversa.

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Modelo por segmentos lineales

El diodo se considera como si fuera un dispositivo que en polarización directa se comporta como un
conductor cuando el voltaje de polarización directa en sus terminales es mayor que el voltaje de umbral
(VT), así que para todo VD > VT habrá un valor de ID > 0, que crece exponencialmente tendiendo a valor
infinito y la cual será limitada por las características intrínsecas del cristal, por una resistencia interna RB
del cristal y por los elementos conectados en serie con el diodo. En polarización inversa es un circuito
abierto para todo voltaje de polarización negativo.

Fig. 6.3

Modelo de segmentos lineales para el diodo. a) Curva característica.

Modelo de segmentos lineales para el diodo. b) En polarización directa se comporta como interruptor
cerrado en serie con una fuente de voltaje VT y una resistencia interna RB

Modelo de segmentos lineales para el diodo. c) En polarización inversa es la misma fuente de voltaje VT
en serie con RB y un interruptor abierto, no circula corriente.

Se representa mediante el símbolo de una fuente de voltaje de cd, que se opone al voltaje de la fuente
externa, en serie con un interruptor que cierra, y una resistencia interna RB en polarización directa, y
abre en polarización inversa. La resistencia RB representa la oposición que las moléculas del cristal
presentan al paso de las cargas eléctricas, comúnmente es de un valor de más o menos 2 Ω, y es
determinado por el fabricante.

Tipos de diodos.

Diodo como rectificador (Fig. 7.1).

Este diodo, como el de tubo es un rectificador, tiene una amplia cobertura de usos, aunque con
diferentes tamaños y características, dependiendo de la sección y función que vaya a llevar a cabo, en
esencia es, rectificar señales, ya sea eliminando el componente de radiofrecuencia, en este caso usado
como detector, o en las salidas de audio; también los vemos en las fuentes de alimentación encargados
de rectificar la corriente alterna, ya sé que provenga de un transformador o directamente de la red
eléctrica. En la imagen vemos un puente de diodos, estos vienen en un chip con los 4 diodos
internamente, aunque pueden hacerse con 4 diodos normales.

17
 Fig. 7.1 (símbolo)

(Configuración como rectificador de onda completa)

Diodo Led (Fig. 7.2).

Light Emitting Diode, diodo emisor de luz, que al ser polarizado directamente emite luz, llamada
incoherente en un espectro reducido, están clasificados dentro de los semiconductores y están
formados por una juntura PN. Existen en color rojo, verde, amarillo e infrarrojos; para que un led
funcione necesita apenas unos 20 mA, no es el caso de las lámparas incandescentes y las neón, que se
usan como pilotos en equipos variados. Los leds de alguna forma están desplazando en uso de estas
lámparas, gracias a su consumo mínimo.

Los leds se pueden sin problemas conectar a cualquier voltaje, únicamente se les tiene que agregar un
resistor limitador, en caso de corriente alterna es necesario agregar un diodo rectificador además del
resistor. Para calcular el resistor debes de dividir el voltaje dentro de 0.02.

Fig. 7.2 símbolo.

Diodo Zener(Fig. 7.3).

Si aplicamos voltajes bajos a un zener, se comportará como cualquier diodo rectificador, toda vez que el
voltaje supere cierto nivel, el diodo entra en avalancha (conducción de corriente en sentido inverso) y
conduce en ambas direcciones. Voltaje de ruptura o zener es el nombre dado al voltaje en el cual el
diodo entra en avalancha. Estos diodos son utilizados en el diseño de fuentes de alimentación para, fijar
un voltaje, es decir, si necesitamos en una fuente 5 voltios, colocamos un zener con este voltaje y
siempre se mantendrá, para esto también se necesita un resistor que limite la corriente al diodo;
también pueden usarse en el diseño de osciladores por relajación. Cabe también decir que los zener
disipan corriente en forma de calor, tomando en cuenta que oponen cierta resistencia al paso de la
corriente. El nombre que reciben estas resistencias es “limitadoras”. Para saber que diodo zener
necesitas esta es la fórmula: WATTS = V x I = R x I x I

18
En este caso I es la intensidad, la cual resulta de restar el voltaje zener del máximo voltaje de la fuente y
dividir por el valor en ohmios de la resistencia limitadora.

Fig. 7.3 (símbolo)

Diodo Varicap (Fig. 7.4).

Diodo de capacidad variable, esto es el diodo varicap, también llamado Varactor. Este diodo forma una
capacidad en los extremos de la unión PN, que resulta de utilidad, cuando se busca utilizar esa
capacidad en provecho del circuito en el cual debe de funcionar el diodo. Cuando polarizamos un
varicap de forma directa, observamos que además de las zonas constitutivas de la capacidad que
buscamos, en paralelo con ellas aparece una resistencia de muy bajo valor óhmico, conformando con
esto un capacitor de pérdidas muy elevadas. En cambio si lo polarizamos en sentido inverso, la
resistencia en paralelo mencionada, es de un valor relativamente alto, dando como resultado que el
diodo se comporte como un capacitor de pérdidas bajas.

Fig. 7.4 (símbolo y elemento)

Foto Diodo(Fig. 7.5).

Un Foto Diodo hace lo inverso a un diodo led, para funcionar necesita luz, es parecido a una fotocelda o
foto resistor, que funciona en relación a la cantidad de luz que recibe; a diferencia que el foto diodo,
responde a mayor velocidad con respecto a la oscuridad y luz. Se utilizan en el desarrollo de alarmas,
juguetes, etc.

Fig. 7.5

Diodo Tunel.

Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto

rápidamente al observar su curva característica, la cual se ve en el
gráfico (Fig. 7.6). En lo que respecta a la corriente en sentido de
bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de
paso ofrece unas variantes según la tensión que se le somete. La
intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy
poco valor de tensión hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al

19
recibir mayor tensión, se produce una pérdida de intensidad hasta D que vuelve a
elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensión.

Diodo Gunn

Este diodo tiene características muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador.
Se trata de un generador de microondas, formado por un
semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto
Gunn. Cuando se aplica entre ánodo y cátodo una tensión
continua de 7 V, de modo que el ánodo sea positivo con
respecto al cátodo, la corriente que circula por el diodo es
continua pero con unos impulsos superpuestos de
hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir
oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisión
de microondas se produce cuando las zonas de campo
eléctrico elevado se desplazan del ánodo al cátodo y del
cátodo al ánodo en un constante viaje rapidísimo entre ambas
zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos.

INTRODUCCION
En el capítulo 1 se presentaron la construcción, las características y los modelos de diodos
semiconductores. Ahora conoceremos el funcionamiento del diodo en varias configuraciones, utilizando
modelos adecuados al área de aplicación. Al final del capítulo deberá entender con claridad el patrón de
comportamiento fundamental de los diodos en redes de cd y ca. Los conceptos que aprenda en este
capítulo tendrán una aplicación en los siguientes; por ejemplo, que los diodos se emplean con
frecuencia en la descripción de la construcción básica de transistores y en el análisis de redes de
transistores en los dominios de cd y ca. Este capítulo muestra un interesante y muy útil aspecto del
estudio de un campo como el de los sistemas y dispositivos electrónicos: Una vez que se entienda el
comportamiento básico de un dispositivo, se pueden examinar su funcionamiento y respuestas en una
infinidad de configuraciones. En otras palabras, ahora que tenemos un conocimiento básico de las
características de un diodo junto con su respuesta a voltajes y corrientes aplicados, podemos utilizarlo
para examinar una amplia variedad de redes. El análisis de circuitos electrónicos puede seguir uno de
dos caminos: utilizar las características reales, o aplicar un modelo aproximado para el dispositivo. Para
el análisis inicial del diodo incluiremos sus características reales para mostrar con claridad cómo
interactúan las características de un dispositivo y los parámetros de la red. Una vez que haya confianza
en los resultados, se empleará el modelo por segmentos aproximado para verificar dichos resultados
utilizando las características completas. Es importante entender el rol y la respuesta de varios
elementos de un sistema electrónico para no tener que recurrir continuamente a procedimientos
matemáticos larguísimos. Esto en realidad se logra por el proceso de aproximación, el cual puede llegar

20
a ser una habilidad para usted. Aunque los resultados obtenidos por medio de las características reales
suelen ser algo diferentes de los obtenidos mediante una serie de aproximaciones, tenga en cuenta que
las características obtenidas de una hoja de especificaciones pueden ser ligeramente diferentes de las
del dispositivo en uso. En otras palabras, por ejemplo, las características de un diodo semiconductor
1N4001 pueden variar de un elemento al siguiente en el mismo lote. La variación puede ser leve, pero
bastará para justificar las aproximaciones empleadas en el análisis. También considere los demás
elementos de la red. ¿El resistor marcado como de 100Ω es exactamente de 100Ω? ¿El voltaje aplicado
es exactamente de 10 V o tal vez de 10.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a la creencia general
de que una respuesta determinada mediante una serie apropiada de aproximaciones puede ser “tan
precisa” como una que emplee todas las características.

ANALISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE

CARGA
El circuito de la figura 8.1 es la más sencilla de las configuraciones de diodo, y servirá para describir el
análisis de un circuito con un diodo empleando sus características reales. En la siguiente sección
reemplazaremos las características por un modelo aproximado del diodo y compararemos las
soluciones; la del circuito de la figura 8.1 se reduce a determinar los niveles de corriente y voltaje que
satisfagan, al mismo tiempo tanto las características del diodo como los parámetros seleccionados de la
red.

Fig. 8.1

En la figura 8.2 las características del diodo se colocan en el mismo sistema de ejes como una línea recta
definida por los parámetros de la red, la cual se llama recta de carga porque la carga aplicada R define la
intersección en el eje vertical. Por consiguiente, el análisis a seguir se llama análisis por medio de la
recta de carga. La intersección de las dos curvas definirá la solución para la red, así como los niveles de
corriente y voltaje. Antes de revisar los detalles del trazo de la recta de carga en la gráfica de
características, tenemos que determinar la respuesta esperada del circuito sencillo de la figura 8.2.
Observe en esta figura que el efecto de la “presión” establecida por la fuente de cd es establecer una
corriente convencional en la dirección indicada por la flecha en el sentido de las manecillas del reloj. El
hecho de que la dirección de esta corriente sea la misma que la de la flecha que aparece en el símbolo

21
del diodo revela que éste está “encendido” y que conducirá un alto nivel de corriente. En otras palabras,
el voltaje aplicado produjo una situación de polarización
en directa. Con la dirección de la corriente establecida, las
polaridades del voltaje a través del diodo y el resistor se
pueden superponer. La polaridad de VD y la dirección de
ID revelan con claridad que el diodo sí se encuentra en
estado de polarización en directa, lo que produce un
voltaje a través del diodo de aproximadamente 0.7 V y

Fig. 8.2

una corriente de 10 mA o más.

Aplicaciones practicas
Rectificación de media onda.

Antes de explicar esta función tenemos que entender lo que es la corriente alterna. Existen 2 tipos de
corriente, la corriente directa y la corriente alterna.

La corriente alterna pasa “alternándose” entre positiva y negativa. Tiene la forma de una onda senoidal
(Fig. 9.1).

(Fig. 9.1)

Como vemos la corriente tiene un semi ciclo positivo y un semi ciclo negativo (Fig. 9.2).

Fig. 9.2

22
La corriente fluye desde el punto de mayor potencia hasta el punto de menor potencial. Si tenemos 2
conductores, uno conectado a tierra y el otro sometido a una onda de corriente alterna, la corriente
fluirá de dicho conductor hasta el aterrizado o ground(tierra) en el semiciclo positivo; en el semiciclo
negativo el flujo será del ground hasta el conductor con corriente alterna. La corriente directa es
diferente de la corriente alterna. La corriente directa no alterna su signo. Cuando es rectificada su valor
no varía en el tiempo, a diferencia de la corriente alterna que siempre está cambiando. La corriente
alterna es la que se utiliza en nuestros hogares, en las industrias, oficinas, negocios, etc. En Panamá, la
corriente alterna convencional que se distribuye es de 120 voltios por fase, a una frecuencia de 60 Hz,
ósea 60 ciclos por segundo. Esto quiere decir que la onda de corriente alterna que tenemos disponibles
en nuestros hogares alterna su signo entre positivo y negativo unas 60 veces cada segundo. Los aparatos
que encontramos en nuestros hogares, como computadoras, televisores, reproductores de audio y DVD
funcionan con corriente directa. Arduino y los microcontroladores en general necesitan ser alimentados
con corriente directa, como la de una batería de 9 voltios por ejemplo. Si queremos utilizar la corriente
alterna obtenida del suministro eléctrico necesitamos darle un tratamiento especial, un proceso al que
llamamos Transformación AC/DC o transformación de corriente alterna a corriente directa. Aquí es
donde entra en juego el diodo.

El diodo tiene la capacidad de provocar que la corriente vaya en un solo sentido. Como la corriente
alterna va en 2 sentidos, es decir, en el semi ciclo positivo va hacia un lado y en el semiciclo negativo va
hacia el otro lado, podríamos “suprimir” una parte de la onda de corriente alterna y convertirla en una
corriente directa (Fig 9.3) que permanece inestable, posee un rizo. Pero al menos ya no alternará su
signo. Este es el principio de la conversión de una corriente a otra.

(Fig. 9.3)

Ya se ha eliminado la parte negativa de la onda. Ya no es corriente alterna. Ahora es un rizo, corriente

alterna inestable.

Si en vez de eliminar el semi ciclo negativo se desea eliminar el negativo entonces se invierte el diodo
(Fig. 9.4).

23
 (Fig. 9.4)

Rectificador de Onda Completa, Puente de Diodos o Puente Rectificador

El puente de diodos o puente rectificador es un arreglo hecho con 4 diodos cuyo propósito es rectificar
una onda de corriente alterna(Fig.9.5). A diferencia del rectificador de media onda que elimina uno de
los semiciclos, esta configuración invierte el signo de uno de los semiciclos, logrando que una onda de
corriente alterna se convierta en corriente directa.

(Fig.9.5, Símbolo de puente de diodos)

Como vemos en la figura 9.6, el puente rectificador recorta una parte de la onda y le invierte el signo.
Aquí ha desaparecido la parte negativa de la Onda senoidal y se ha vuelto una señal completamente
positiva. A esto se le llama Corriente Directa con rizado.

(Fig. 9.6, onda rectificada)

El rizado puede eliminarse aplicando capacitores en paralelo como se muestra en la figura 9.7.

24
 (Fig 9.7)

Como vemos, con los capacitores se suprime el rizo y se obtiene corriente directa. Este es el proceso de
rectificación. En las fuentes de poder se utiliza un esquema similar pero con más elementos como
transformadores y reguladores de voltaje.

Rectificacion trifasica.
Rectificación de media onda y onda completa.

Media onda

Consisten en conectar un diodo a la salida de cada arrollamiento, que se unirán en un punto común que
después alimentará a la resistencia o carga del circuito. El retorno de la corriente se realiza a través de la
línea de neutro. La Figura 10.1 nos aclara esta explicación.

Fig. 10.1

Es evidente que el arrollamiento secundario está dispuesto en estrella y que de la unión común de las
tres bobinas se saca la línea de neutro. Además, tal y como indica la imagen, cada bobina tendrá, con
respecto a neutro, las tensiones V1, V2 y V3 respectivamente, que se producirán desfasadas 120º como
se muestra en la fig. 10.2.

25
 Fig. 10.2

Las tensiones V1, V2 y V3 están representadas en la gráfica, por las ondas roja, verde y azul. Pero en
realidad, al haber colocado un diodo a cada salida, el semiciclo negativo de cada onda quedará
suprimido, es decir, que la tensión que le llegue a la carga será la línea ondulada de color gris como se
muestra en la Fig. 10.3.

Fig. 10.3.

Analizando la imagen 10.3 podemos observar que cada bobina alimentará la carga durante 1/3 del
periodo y cada diodo estará conduciendo durante tanto tiempo como la corriente de su bobina sea
superior que la de las demás. La línea de trazos de la imagen representa la duración de un ciclo, tal y
como puede observarse. Como la corriente de alimentación de la carga la aportan tres bobinas en cada
ciclo, esta será más continua.

Rectificador trifásico de onda completa

Si ahora disponemos de un puente hexadiodo (Fig 10.4), de manera que podamos rectificar el
semiperiodo negativo, que antes quedaba anulado, la tensión producida será aún más continua que en
los casos anteriores.

26
 Fig.10.4

Podemos observar como ahora, nuestro transformador, tiene a la salida de cada bobina dos diodos, de
manera que se rectificará la onda completa. Para aclarar más aún el funcionamiento, vamos a
representar las bobinas R, S y T desfasadas en el espacio 120º (Fig.10.5), pues constructivamente es
como se encuentran. Imaginemos que la producción de corriente comienza en la bobina R-S (onda roja),
siendo el semiperiodo positivo el que se produce a la salida de R. La corriente por tanto circulará hasta
D1 que, por ser positiva, lo atravesará hasta la carga R y retornará por D5 hasta la bobina S. 180º
después, se producirá el semiperiodo negativo, por lo que al haber cambiado el sentido de la corriente,
el positivo estará a la salida de la bobina S, atravesará el diodo D2 en dirección a la carga, retornando
por D4 hasta la bobina R.

Fig. 10.5

Esta secuencia la repetimos para las bobinas S-T (onda verde), actuando D2 y D6 para el semiperiodo
positivo y D3 y D5 para el semiperiodo negativo; y para las bobinas T-R (onda azul), en cuyo caso la
secuencia será D3 y D4 para la semionda positiva y D1 y D6 para la semionda negativa.

Ya sólo queda hacer un matiz, y es que el desfase entre el semiperiodo positivo y negativo es de 180º,
mientras que el desfase entre arrollamientos es de 120º, por lo que antes de que el semiciclo de una de
las bobinas haya finalizado, se estará produciendo la siguiente onda en otro arrollamiento. Esto queda
de manifiesto si en la representación senoidal de un transformador trifásico, se solapan los semiciclos
positivos y negativos como se muestra en la fig. 10.6.

27
 fig. 10.6

Puede apreciarse como ahora el aporte de tensión es cada 1/6 del periodo, resultando una tensión aún
más continua que en los casos anteriores. Si depuramos las partes de la onda que no afectan a la
alimentación de la carga, resultará una señal como la que muestra la imagen 10.7.

Fig. 10.7

Resumen, conceptos importantes y

ecuaciones.
1. Las características de un diodo ideal son exactamente las de un interruptor simple, excepto por el
hecho importante de que un diodo ideal puede conducir en sólo una dirección.
2. El diodo ideal es un corto circuito en la región de conducción y un circuito abierto en la región de no
conducción.
3. Un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad entre la de un buen conductor y
la de un aislante.
4. Un enlace de átomos, reforzado por la compartición de electrones entre átomos vecinos, se llama
enlace covalente.
5. El aumento de las temperaturas puede provocar un incremento significativo del número de
electrones libres en un material semiconductor.
6. La mayoría de los materiales semiconductores utilizados en la industria electrónica tienen coeficientes
de temperatura negativos; es decir, la resistencia se reduce con un aumento de temperatura.

28
 7. Los materiales intrínsecos son aquellos semiconductores que tienen un nivel muy bajo de impurezas,
en tanto que los materiales extrínsecos son semiconductores que se expusieron a un proceso de
dopado.
8. Un material tipo n se forma agregando átomos donadores que tengan cinco electrones de valencia
para establecer un alto nivel de electrones relativamente libres. En un material tipo n, el electrón es el
portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario.
9. Un material tipo p se forma agregando átomos aceptores con tres electrones de valencia para
establecer un alto nivel de huecos en el material. En un material tipo n, el hueco es el portador
mayoritario y el electrón el minoritario.
10. La región cerca de la unión de un diodo que tiene muy pocos portadores se llama región de
empobrecimiento.
11. Sin ninguna polarización externa aplicada, la corriente en el diodo es cero. 12. En la región de
polarización en directa, la corriente en el diodo se incrementa exponencialmente con el aumento del
voltaje a través del diodo.
13. En la región de polarización en inversa, la corriente en el diodo es la corriente de saturación en
inversa muy pequeña hasta que se alcanza la ruptura Zener y la corriente fluye en la dirección opuesta a
través del diodo.
14. La corriente de saturación en inversa Is casi duplica su magnitud por cada 10 veces de incremento de
la temperatura.
15. La resistencia de cd de un diodo está determinada por la relación del voltaje y la corriente en el
diodo en el punto de interés y no es sensible a la forma de la curva. La resistencia de cd se reduce con el
incremento de la corriente o voltaje en el diodo.
16. La resistencia de ca de un diodo es sensible a la forma de la curva en la región de interés y se reduce
con altos niveles de corriente o voltaje del diodo.
17. El voltaje de umbral es aproximadamente de 0.7 V para diodos de silicio y de 0.3 V para diodos de
germanio.
18. El nivel de disipación de potencia nominal máxima de un diodo es igual al producto del voltaje y
corriente del diodo.
19. La capacitancia de un diodo se incrementa exponencialmente con el aumento del voltaje de
polarización en directa. Sus niveles mínimos ocurren en la región de polarización en inversa.
20. La dirección de conducción de un diodo Zener se opone a la de la flecha en el símbolo y el voltaje
Zener tiene una polaridad opuesta a la de un diodo polarizado en directa.
21. Los diodos emisores de luz (LED) emiten luz en condiciones de polarización en directa pero requieren
2 V a 4 V para una buena emisión.

Ecuaciones
𝑣𝑛
⁄𝑛𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑟 -1)

29
 𝑘𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞

𝑇𝑘 = 𝑡𝑐 + 273°

𝑘 = 1.38𝑥10−23 𝐽⁄𝐾

𝑉𝐾 ≅ 0.7 (Si)

𝑉𝐾 ≅ 1.2 (GaAs)

𝑉𝐾 ≅ 0.3 (Ge)

𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷

∆𝑉𝐷 26 𝑚𝑉
𝑟𝐷 = =
∆𝐼𝐷 𝐼𝐷

∆𝑉𝐷
𝑟𝑝𝑟𝑜𝑚 = 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑎 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜
∆𝐼𝐷

30