UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Facultad de Ingeniería Electrónica y eléctrica

APELLIDOS Y NOMBRES: N° DE MATRICULA:

 Si vas a planchar, plancha bien :v  16190163

CURSO: TEMA:

EL TRANSISTOR
DISPOSITIVOS BIPOLAR PNP.
ELECTRONICOS CARACTERISTICAS
BÁSICAS.

INFORME: FECHAS: NOTA:

PREVIO REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO:
10/05/17 14/06/17
06

GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:

03 MIERCOLES
Ing. Luis Paretto
10am – 12pm

Ciudad Universitaria, 2017

LIMA-PERÚ

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EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP

CARACTERISTICAS BÁSICAS

I. OBJETIVOS

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

 Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar
PNP.

II. INTRODUCCION TEORICA

TRANSISTOR BIPOLAR PNP

Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición.
Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los
denominados PNP. A partir de este punto nos centramos en el estudio de los
transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento de
los transistores PNP totalmente análogo.

El emisor en un transistor NPN es la zona

semiconductora más fuertemente dopada con donadores
de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la
base y el colector. Su función es la de emitir electrones a
la base. La base es la zona más estrecha y se encuentra
débilmente dopada con aceptores de electrones. El
colector es la zona más ancha, y se encuentra dopado
con donadores de electrones en cantidad intermedia
entre el emisor y la base.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el
diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado
en inversa. En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la
base consiguen atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al
colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y es

transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un

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aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la

corriente de colector, ésta depende exclusivamente de la tensión entre
emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un
interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la
corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de
colector, de forma casi independiente de la tensión entre emisor y colector.
Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa,
mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a
mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente
de colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor
en su circuito C-E como un interruptor abierto.

III. INFORME PREVIO:

3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento.

Trabajamos con el transistor BC557

 POLARIDAD: PNP
 MATERIAL: SILICIO (Si)
 GANANCIA DE CORRIENTE (β) = 125-800

Datos del circuito:

 Re=330Ω
 Rc=1kΩ
 R1=56KΩ
 R2= 22KΩ.
 Vcc= -12v

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Hacemos el equivalente de Thevenin del circuito:

(R1+P1)×R2
Rb = (R1+P1)+R2

R2×Vcc
V=
(R1+P1)+R2

Con este nuevo circuito procedemos a realizar las operaciones de las siguientes tablas.

OBSERVACIÓN: El transistor BC557 está hecho de SILICIO y es PNP, entonces su VBE

(activa) y su “β” es respectivamente:

VBE= -0.6v β = 125

Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω

 Hallando el Rb:  Hallando Ib:

R1×R2 V−VBE
Rb = R1+R2 Ib=Rb+(β+1)Re

56K×22K −3.384−(−5)
Rb = (56+22)K Ib=15.794×103 +(125+1)330

Rb = 15.794k Ω Ib = 28.1661 µA

 Hallando el V:
R2×Vcc
V= R1+R2
 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

V=
22k×(−12) Ic = (28.1661 µA)(125)
(56+22)𝑘
Ic = 3.520 mA
V = - 3.3846 v

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 Hallando VCE: (Ic = Ie)  Hallando VE:

Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re VBE = VB - VE……. (VB = V)

VCE=Vcc – Ic (Rc+Re) VE = V - VBE

VCE = -12 – (3.520 ×10−3 )(1000+330) VE = - 3.3846 – (-5)

VCE = -16.6816v VE = 1.6154 v

TABLA 2

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K Ω)

Teóricos 3.520 28.1661 125 -16.6816 -5 1.6154

Para P1 = 0 Ω y R1 = 68k Ω

 Hallando el Rb:  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

R1×R2
Rb = Ic = (35.496 µA) (125)
R1++R2

68K×22K Ic = 4.437 mA
Rb =
(68+22)K
 Hallando VCE: (Ic = Ie)
Rb = 16.623k Ω Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re

 Hallando el V: VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)

R2×Vcc
V= R1+R2 VCE = -12 – (4.437×10−3 )(1000+330)

22k×(−12)
V= VCE = -17.90121 v
(68+22)𝑘

V = - 2.934 v  Hallando VE:

VBE = VB - VE……. (VB = V)
 Hallando Ib:
V−V
BE
VE = V - VBE
Ib=Rb+(β+1)Re
VE = - 2.934 – (-5)
−2.934−(−5)
Ib=16.623×103 +(125+1)330
VE = 2.066 v

Ib = 35.496 µA

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Tabla 3
Valores
IC(mA.) Ib(uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K Ω)

Teóricos 4.437 35.496 125 -17.90121 -5 2.066

Para P1 = 100K Ω y R1 = 56k Ω

V = -1.483 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−1.483−(−5)
Ib=19.2808×103 +(125+1)330

Ib = 57.787 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

 Hallando el Rb: Ic = (57.787 µA) (125)

(R1+P1)×R2
Rb = Ic = 5.97337 mA
R1+P1+R2

156K×22K
Rb = (56+100+22)K  Hallando VCE: (Ic = Ie)
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
Rb = 19.2808k Ω
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
 Hallando el V:
VCE = -12 – (5.9733 ×10−3 )(1000+330)
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
VCE = -199.944
22k×(−12)
V = (56+100+22)𝑘
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Para P1 = 250K Ω y R1 = 56k Ω

 Hallando el V:

R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+250+22)𝑘

V = -0.8048 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.8048−(−5)
Ib=20.524×103 +(125+1)330

Ib = 67.5544 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (67.5544 µA) (125)

 Hallando el Rb: Ic = 8.4443 mA

(R1+P1)×R2
Rb =  Hallando VCE: (Ic = Ie)
R1+P1+R2

306K×22K
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
Rb = (56+250+22)K
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
Rb = 20.524k Ω
VCE = -12 – (8.4443 ×10−3 )(1000+330)

VCE = -23.230919 v

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(Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+500+22)𝑘

V = -0.4567 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.4567−(−5)
Ib=21.162×103 +(125+1)330

Ib = 72.4124 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (72.4124 µA) (125)

Ic = 9.05155 mA

 Hallando el Rb:  Hallando VCE: (Ic = Ie)

Rb =
(R1+P1)×R2 Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
R1+P1+R2

556K×22K
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
Rb = (56+500+22)K
VCE = -12 – (9.05155 ×10−3 )(1000+330)

Rb = 21.162k Ω
VCE = -24.0385615 v

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Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V=
(56+1000+22)𝑘

V = -0.245 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.245−(−5)
Ib=21.551×103 +(125+1)330

Ib = 75.3196 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (75.3196 µA)(125)

Ic = 9.41495 mA

 Hallando Rb:  Hallando VCE: (Ic = Ie)

(R1+P1)×R2
Rb = Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
R1+P1+R2

1056K×22K
Rb = (56+1000+22)K VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)

VCE = -12 – (9.41495×10−3 )(1000+330)

Rb = 21.551k Ω
VCE = -24.5218 v

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Tabla 5

P1 100K Ω 250K Ω 500K Ω 1M Ω

Ic(mA) -0.715 -1.599 -2.03105 -2.924

Ib(uA) -14.317 -31.996 -40.621 -58.492

VCE (v.) -11.049 -9.873 -9.2987 -8.11108

IV. CONCLUSIONES

 Aprender a aplicar las formulas teóricas.

 Aprender cómo obtener los puntos de operación de un transistor en un
circuito.
 Saber aplicar el equivalente Thevenin.

V. BIBLIOGRAFIA

 http://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=21734
 http://unicrom.com/punto-trabajo-q-recta-carga-estatica-transistor/
 https://es.slideshare.net/JonathanRuizdeGaribay/02bfundamentos-de-los-
transistores

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