UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto

DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR
OPERACIONAL DE TRANSCONDUCTANCIA
“OTA”
Jefferson Manuel Vega Suárez, Daniel Felipe Suarez Urango
Escuela de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y de Telecomunicaciones,
Universidad Industrial De Santander, Bucaramanga, Colombia.

OBJETIVO Datos obtenidos previamente

- MOSFET tipo N
Analizar el comportamiento en frecuencia del OTA tanto en su Vth= 0.6276
forma ideal como en la compuesta por MOSFET. Kn= 98.5u
Lamda= 16.45m

CONDICIONES DE DISEÑO - MOSFET tipo P

Vth= 0.6276
 Ganancia= 40 dB = 100 v/v Kn= 34.08u
 1 ≤ W/L ≤ 50 Lamda= 39.65m
 Rango de excursión= 1.5
 P = 2 mW Ganancia Diferencial
Para hallar la ganancia diferencial se procedió de la misma
De acuerdo a los datos obtenidos en la caracterización previa forma hecha en clase dando como resultado:
del MOSFET tipo N y tipo P, se procedió a realizar el respectivo
diseño del amplificador fuente común con carga activa, dicho Avdff = -gm1* (ro2//ro4)
diseño se realizó sobre el esquema mostrado en la Fig.1
Ganancia en modo común
De igual forma se procedió para hallar la ganancia en modo
común ya que el circuito es simétrico se pudo doblar y aplicar
lo visto en clase para el cálculo arrojando el siguiente resultado:
Avcm = -1 / (2*gm3*Rout)

Por lo tanto en CMRR = Avdff / Avcm

CMRR = 2*gm1* gm3*(ro2//ro4)*Rout

Utilizando la condición de la potencia se pudo hallar el valor de

Id
P = 3.3 * (2*Id)

Despejando Id se obtuvo

Id = P / (6.6)

Para un valor de P = 132u

Fig.1 Par diferencial completo simple Id = 20u

Hallado el valor de Id y sabiendo que los transistores deben

estar en saturación para que amplifiquen se utilizó la ecuación
de saturación:
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Dando como resultado:

Id = 1/2 *Kn * W/L * (Vgs5 - Vth) 2 Vgs3 = 0.4563
Vgs3 = 0.7988
Para valores de L= 1u y W= 30u, se obtuvieron valores los Descartando el valor inferior a Vth, por lo tanto al reemplazar
siguientes valores de Vgs5: este valor en Vcmax se obtuvo:
Vgs5 = 0.51125 Vcmax ≤ 3.1288

Vgs5 = 0.7439 CALCULO DE GANANCIA

Se descartó el primer valor de Vgs5 ya que no supera el valor de

Vth.
Por tal motivo el rango de excursión quedo:

Id = 1/2 *Kn * W/L * (Vgs1 - Vth) 2

Reemplazando datos se obtiene:
Id teoricamente seria la mitad Id=15u, por lo tanto Vgs1 Av = 306.419
sera:
Vgs1 = 0.5368
OBSERVACIONES
Vgs1 = 0.7283
Se puede observar en las gráficas de los dos barridos que por
más que se quiso hacer idénticos los valores de ganancias era
De igual forma que en el anterior se descarta el valor
algo difícil ya que una está en el orden de los Gigas y la otra
inferior a Vth.
en el de los miles.
RANGO DE ENTRADA EN CM
CONCLUCIONES
Las ecuaciones para hallar los valores de Vcmin y Vcmax
fueron las concluidas en clase.  Se pudo comprobar que la resistencia de salida un
amplificador de transconductancia debe ser muy
Vcmin = Vgs1 + Vov grande o si no dicho amplificador no tendrá un
comportamiento adecuado.
Donde Vov= Vgs5 – Vth, remplazando esto y los valores
 Se debe tener precaución a la hora de variar los datos
correspondientes de Vgs1 y Vgs5 hallados previamente se llego
a que: ya que esto puedo ocasionar un cambio brusco en los
Vcmin = Vgs1 + Vgs5 – Vth resultados

Vcmin = 0.8446
BIBLIOGRAFÍA
Vcmax ≤ Vth +Vdd – Vgs3
 Sedra & Smith-Circuitos microeletronicos –
Para calcular el valor de Vgs3 se procedió de igual forma que Oxford University Press, Inc. USA- 4 edt.
para los anteriores casos teniendo en cuenta que es tipo P.  http://proton.ucting.udg.mx/somi/memorias/electron/
Ele-1-2.pdf
 Fundamentals of microelectronics (behzad razavi)
Id = 1/2 *Kn * W/L * (Vgs3 - Vth) 2
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ANEXOS

V15 0
3.3

MODP1 MODP1

M14 M15

V18
VOFF = 0
VAMPL = 2m
FREQ = 1k M13 M16

MODN1 MODN1
V19 V20
1.9 VOFF = 0
I2 VAMPL = 2m
20u FREQ = 1k

V17
3.3

M18 M17

MODN1 MODN1
0

0 0

Fig. 2 circuito implementado en orcad

Fig. 3 señal a la salida del ota

Ganancia = señal de salida/ señales de entrada
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A=608m/2m=304, muy similar a lo calculado matemáticamente.

TRANSCONDUCTANCIA IDEAL

Fig. 4 ota con elementos ideales

Se utilizó Rout = 100Meg y C = 15p

G1
V2 +
1Vac R1 C1V
-
0Vdc G 100Meg 15p
GAIN = 1 Cbreak

0
0

Fig. 5 ota ideal implementado en orcad

0V 0V
Obteniendo como resultado

0V 0V

Fig. 6 diagrama de barrido en frecuencia del ota con elementos ideales

Ahora con el ota agregandole la resisntecia y condensador a la salida se obtuvo el siguiente diagrama:
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Fig. 7 diagrama de barrido en frecuencia ota con transistores

Se puede ver que tiene un comportamiento un poco parecido hasta 300 Hz donde para el ideal la grafica cae
suabemente en el ota cae bruscamente hasta llegar a 0 y empieza a aumentar lo cual no ocurre en el ideal