Prof. Ing.

Luis Ponce Martinez

Alumnos:
-Martin André Rodríguez Aranzana 17190293
-Oscar García Agüero 16200175
-Stefany Juan de Dios Arango 16200131
- Cristian Quispe Tapullima 17190275
Turno: Jueves – de 9 a 11 am.
Tema: “Rectificador Controlado de Silicio”

Ciudad Universitaria, Julio del 2018

 ÍNDICE GENERAL
 CARÁTULA

 OBJETIVOS

 INTRODUCCIÓN TEÓRICA

 MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

 PROCEDIMIENTO

 DATOS OBTENIDOS-INTERPRETACIÓN

 CUESTIONARIO FINAL - DESARROLLO

 CONCLUSIONES

 BIBLIOGRAFÍA
OBJETIVOS:
 Verificar en forma estática el estado operativo de un UJT.

 Verificar y determinar las características de funcionamiento de un UJT

MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

o Una fuente de corriente continua de voltaje ajustable.

o Un voltímetro analógico DC.

o Dos miliamperímetros analógicos DC.

o Un multímetro digital.

o Un capacitor de 0.01µF

o Un UJT 2N2646.

o Resistores: 10KΩ, 100Ω, 100Ω .

o Potenciómetros: 5 00KΩ.

o Cables conectores de cocodrilo/banano (10) y un cordón CA.

INTRODUCCION TEORICA:

El transistor UJT (transistor de unijuntura – Unijunction transistor) es un

dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un
dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN
que es utilizado para hacer osciladores. Muy importante: No es un FET.
El transistor monounión es un tipo de transistor que contiene dos zonas
semiconductoras. Tiene tres terminales denominadas Emisor (E), Base 1 (B1)
y Base 2 (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los
terminales B1 – B2, en la que difunden una región tipo P+, el emisor, en algún
punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, stand
off ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

SÍMBOLO DEL UJT

FUNCIONAMIENTO DE UN UJT
En la gráfica de la figura 1 se describe las características eléctricas de este dispositivo a
través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se
definen dos puntos críticos: punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y punto de valle o
valley-point (Vv, Iv), ambos verifican la condición de .
Estos puntos a su vez definen tres regiones de operación: región de corte, región de
resistencia negativa y región de saturación, que se detallan a continuación:

FIGURA 1
Desde el punto de vista del funcionamiento, no hay similitud entre el emisor de un UJT
y el emisor de un transistor bipolar. En realidad los nombres de las terminales obedecen
a sus funcionamiento interno, el cual considera la acción de los portadores de carga
CARACTERÍSTICAS
Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje VEB1
sobrepasa un valor VP de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de
resistencia que al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta
baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región de llama región de
resistencia negativa. Este es un proceso con realimentación positiva, por lo que esta
región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo
de tiristores y en osciladores de relajación.