Lab.

Electronicos 3 FIEE UNMSM

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Laboratorio de Circuitos Electrónicos 3:

CARACTERISTICAS EXPONENCIALES DEL TRANSISTOR

(INFORME FINAL)
LABORATORIO Nº2

PROFESOR: ING. ALFREDO VASQUEZ

HORARIO: SABADO 12:00 – 2:00 HRS.

GRUPO HORARIO: G3

TURNO: 1

ALUMNOS:

 CARBAJAL RIVERA ANDRES, 13190146

 BARRAZA CCACCYA ROMEL, 13190144
 TAFUR BECERRA INGRID JASMIN, 14190106
FECHA: 07 DE JULIO, 2018.

Ing. Vasquez Informe Final 2

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I. OBJETIVOS
 Obtener experimentalmente el contenido armónico de la
corriente de colector de un transistor bipolar.
II. MATERIALES
 Transistor Q1 = BF494.
 Bobina de FI de AM amarilla.
 Resistencias.
 Condensadores.
 Fuente de alimentación.
 Generador de funciones.
 Osciloscopio.

INFORME FINAL 2:
1.- Presente los datos y cuadros obtenidos en el laboratorio.

a) Arme el circuito de la figura #1 con los valores diseñados en su informe previo.

b) Conecte el generador Vin con V1 = 520mV (gran señal, se aumento el valor de V1

debido a que 260 mv no era visible en el osciloscopio); llene el cuadro #1

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anotando la frecuencia de resonancia fo y el ancho de banda BW; es decir se

graficará la respuesta en frecuencia

Frecuencia 400 430 450 455 470 490 500 520 540
(Khz)
Vo(mV) 33 38 40 41 41.5 39.4 32.7 32 26.3

c) Con el generador de señales a la frecuencia de resonancia del circuito tanque

varié la amplitud de entrada Vin y llene el cuadro #2 .
Obs: La Fo/2 sera de 455 Khz

Vin (mV) 100 200 300 400 450 520

Vo (mV) 27 46 64 76 84 122

Vb(mV) - 9.6 12.8 19.2 20.7 22.3

VEQ (mV) 94 212 308 408 456 528

Nota para VB dibuje la forma de onda para cuatro valores de V1:

Vb para Vin= 520mv

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Vb para Vin= 450mv

Vb para Vin= 400mv

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Vb para Vin= 300mv

d) Cambie la frecuencia del generador de señales a la mitad de la frecuencia de

resonancia del circuito tanque varié la amplitud de entrada Vin y llene el cuadro
#3 .
Obs: La Fo/2 será 228 Khz
Vin 50 80 150 300 400 520
(mV)
Vo (mV) 29.6 50 80 186 544 568

Vb (mV) 0.05 0.23 0.47 0.72 0.98 1.24

VEQ 7.59 26 58 66 126 172

(mV)

Nota para VB dibuje la forma de onda para valores de V1:

Vb para Vin= 520mv

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Vb para Vin= 400mv

Vb para Vin= 50mv

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e) Con el generador de entrada en V1 = 260mVp llene el cuadro #4 variando

la frecuencia de entrada a los valores indicados. Dibuje las formas de onda
de Vo y VB.

Frecuencia Fo Fo/2 Fo/3 Fo/4 Fo/5

Khz (455 Khz) (228 Khz) (114 Khz) (91 Khz)
Vo (mv) 1600 344 - 92 108
Vb (mv) 880 820 - 740 700

Para Fo = 455 Khz:

VB:

Vo:

Para Fo/2 = 228 Khz

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Vo:

VB:

Para Fo/4 = 114 Khz

Vo:

VB:

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Para Fo/5 = 91 Khz

Vo:

VB:

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2.- Determine el ancho de banda con los datos del cuadro #1

Del grafico y de la tabla , observamos que el valor de Vo esta relativamente en

valor constante y alto desde los 450 Khz hasta los 490 Khz, restando estos dos
valores encontraremos el ancho de banda del circuito:

490– 450 = 40 Khz es el ancho de banda aproximadamente.

3.- Gráficas:
𝐼 (𝑋) 𝑉
a. 2 𝐼1 (𝑋) 𝑉𝑆 𝑋 = 𝑉1
0 𝑇
Tomando los valores de V1 del cuadro 2, se muestra las
tabulaciones en la tabla 1:

V1 (mV) X 2(I1(x)/Io(x))
100 3,85 1,66
200 7,69 1,86
300 11,54 1,9
450 17,31 1,93
520 20,00 1,95
Tabla 1. Tabulaciones para 2(I1(x)/Io(x)) vs X.

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2(I1(x)/Io(x)) vs X
2
1.95
1.9
1.85
1.8
1.75
1.7
1.65
1.6
1.55
1.5
3.85 7.69 11.54 17.31 20.00

b. Usamos el cuadro 2 para graficar la transconductancia en función

a X.
𝐼 0.53𝑚𝐴 1
Teniendo en cuenta que 𝑔𝑚𝑄 = 𝑉𝐷𝐶 = 26𝑚𝑉 = 0.02 Ω
𝑇
Cálculo de 𝐺𝑚 (𝑥):
𝐺𝑚 (𝑥)
𝐺𝑚 (𝑥) = 𝑔𝑚𝑄 × [ 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑡𝑎𝑏𝑙𝑎]
𝑔𝑚𝑄

V1 (mV) X Gm(x)/gmQ Gm(x)

100 3,85 0,6 0,0120
200 7,69 0,25 0,0050
300 11,54 0,17 0,0034
450 17,31 0,11 0,0022
520 20,00 0,09 0,0018
Tabla 2. Cálculo de Gm(x).

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Gm(x) vs X
0.0140
0.0120
0.0100
0.0080
0.0060
0.0040
0.0020
0.0000
3.85 7.69 11.54 17.31 20.00

Gráfica 1. Gm(x) vs (X=V1/VT).

𝐼 (𝑋) 𝑉
c. 2 𝐼2 (𝑋) 𝑉𝑆 𝑋 = 𝑉1
0 𝑇
De la tabla:

V1 (mV) X 2(I2(x)/Io(x))
50 1,92 0,02
80 3,08 0,93
150 5,77 1,51
300 11,54 1,66
400 15,38 1,79
520 20,00 1,80
Tabla 3. 2(I2(x)/Io(x)) vs X.

2(I2(x)/Io(x)) vs X
2.00
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
1.92 3.08 5.77 11.54 15.38 20.00

Gráfica 2. 2(I2(x)/Io(x)) vs X.

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4.- Compare el cuadro iv con los resultados teóricos obtenidos por las tablas
o gráficos, considerar el transformador utilizado.

Frecuencia (kHz) VO (mV) VB (mV)

F0 1600 880
F0/2 344 820
CUADRO F0/4 92 740
IV F0/5 108 700

Para f0:
𝑉𝐵 880𝑚𝑉
𝐼𝐶𝑄1 = = = 0.88𝑚𝐴
𝑅6 1000 𝑂ℎ𝑚

Entonces: 𝑉0 = 𝐼𝐶𝑄1 ∗ 𝑅𝑃 (𝑓0)

Entonces: 𝑅𝑃(𝑓0) = 1408Ω

Conociendo 𝑅𝑃 ∗ 𝐾, veamos la forma de V0/Vb:

𝑉0 𝐼𝐶𝑄1 ∗ 𝑅𝑃(𝑓0) 𝑅𝑃(𝑓0)
= =
𝑉𝐵 𝐼𝐶𝑄1 ∗ 𝑅6 𝑅6

Entonces, para f0/2:

𝑉0 𝑅𝑃2 1 𝑘Ω
= 0.42 =
𝑉𝐵 1 𝑘Ω

𝑅𝑃2 = 419.51 Ω

Para f0/4:
𝑉0 𝑅𝑃3
= 0.12 =
𝑉𝐵 1 𝑘Ω

𝑅𝑃4 = 124.32 Ω

Para f0/5:
𝑉0 𝑅𝑃4
= 0.15 =
𝑉𝐵 1 𝑘Ω

𝑅𝑃4 = 154.29 Ω

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5.- Observaciones y conclusiones:

 En este laboratorio hemos observado el comportamiento del transistor y con

ello comprobar la característica exponencial del BJT.

 Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las
variaciones de la tensión de polarización Vbe sobre la corriente de base Ib.
Estas graficas reciben el nombre de curvas caracteristicas de transferencia.
Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se
polariza directamente.

 Se pudo obtener experimentalmente el contenido armónico de la corriente de

colector del transistor bipolar.

 Con una resistencia en paralelo al generador de señales se puede mejorar la

forma sinusoidal de la tensión de salida.

2018

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