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Universidad Nacional de Ingeniería – Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
III. DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA
1.- Armar el circuito según el gráfico 3.1
a = 2.29 cm
b= 1.01 cm
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Por lo tanto teóricamente tenemos que la 6.- Indicar según tabla comercial, y según las
frecuencia de corte según la ecuación 1 es la mediciones de los lados a y b de la guía el tipo
siguiente: de guía de onda que se trabaja.
377
𝑍𝑔 =
2
√1 − (𝑓𝑐 )
𝑓
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VI. REFERENCIAS
[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Snell
[2] Elementos de Electromagnetismo, 3ra Edicion –
Matthw N.O. Sadiku
[3] Fundamentos del Electromagnetismo para Ingeniería-
David K. Cheng.
[4] http://es.wikipedia.org/wiki/Cavidad_resonante
[5] Microwave engineering/David M. Pozar.—4th ed.
V. CONCLUSIONES
El descubrimiento del efecto Gunn, en
materiales como el GaAs, permite la
generación de microondas, mediante el
concepto de resistencia diferencial
negativa para un rango de frecuencias
comprendidos entre 5 y 140GHz.
Le energía que los electrones deben
ganar para pasar de un valle a otro es
aproximadamente de 0.36eV, esto les
permite moverse de un valle a otro y
generar así dominios Gunn, y por tanto
corrientes de oscilación de las
microondas.
La corriente de oscilación generada por
los electrones es amplificada, hasta
llegar a un estado e la energía dentro de
la NDR sea igual a la disipada por la
resistencia, esto se puede entender
mediante el concepto de resistencia
negativa.
No existe el concepto de resistencia
negativa, debido a que la resistencia
estática es siempre positiva, lo que
existe es la resistencia diferencial
negativa.
El fundamento básico para un oscilador
Gunn es un circuito RLC, el mismo que
es modelado mediante el uso de una
cavidad resonante.
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