ELETRÔNICA GERAL I 15

UNIDADE II – SEMICONDUTORES

TEORIA DO SEMICONDUTOR
1- Classificação dos materiais:
Quando um elétron é bombardeado com uma energia externa, haverá um acúmulo
de energia e o mesmo desloca-se de uma órbita menor para uma órbita maior. Em
alguns átomos esse deslocamento será mais fácil que em outros. Essa maior ou menor
facilidade de fazer com que um elétron se movimente, é o que define o material como
isolante, condutor ou semicondutor.

a) Isolantes:
São aqueles que possuem baixa condutividade e alta resistividade, ou seja,
oferecem muito oposição à passagem de corrente elétrica, pois quase não
possuem elétrons livres.
Este grupo de materiais está composto de átomos estáveis, ou seja, átomos que
possuem em sua última camada 8 elétrons, estando fortemente ligados ao seu
núcleo.
Exemplos: madeira seca, vidro, porcelana, baquelite, mica, quartzo fundido,
papel, borracha, plástico, cerâmica, água pura.

b) Condutores:
São aqueles que possuem alta condutividade e baixa resistividade, ou seja,
oferecem pouca oposição à passagem de corrente elétrica, pois possuem muitos
elétrons livres.
Este grupo de materiais está composto de átomos instáveis, ou seja, átomos que
possuem em sua última camada 1, 2 e 3 elétrons, estando fracamente ligados ao
seu núcleo.
Exemplos: grafite, mercúrio, ferro, alumínio, cobre, prata, ouro, platina, etc.

c) Semicondutores:
São aqueles que possuem condutividade e resistividade intermediárias entre os
materiais isolantes e condutores, pois possuem poucos elétrons livres. O silício e
o germânio são os mais usados na indústria de semicondutores, portanto na

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ELETRÔNICA GERAL I 16

indústria de equipamentos eletrônicos. Também podemos citar o arsenieto de

gálio e o fosfeto de gálio.

silício - Si germânio - Ge

2- Tipos de semicondutores:
a) Compostos:
São constituídos de dois ou mais elementos químicos.
Exemplo: arsenieto de gálio (GaAs), fosfeto arsenieto de gálio (GaAsP)

b) Elementares:
São constituídos por um único elemento químico, ou seja, por um só tipo de
átomo.
Exemplo: O silício, largamente usado nos dispositivos eletrônicos em geral, e o
germânio, com uso restrito a apenas algumas aplicações específicas na
Eletrônica. O germânio e o silício elementares, obtidos industrialmente,
possuem uma concentração de impurezas da ordem de 2 %, o que torna inviável
sua utilização na Eletrônica. Para fins eletrônicos, o Ge e o Si tem que ser
extremamente puros ou intrínsecos.

2.2- Material semicondutor intrínseco:

É o material formado exclusivamente por átomos de germânio (Ge) ou silício
(Si) obtidos pelas fábricas de semicondutores através de processos de refinação ou
purificação repetidos até atingir uma concentração de impurezas de ordem de 10-9 %.

ÁTOMOS DE GERMÂNIO E SILICIO

Número atômico (Z): Si = 14 e Ge = 32

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ELETRÔNICA GERAL I 17

Distribuição eletrônica de níveis ou camadas:

K L M N
Si 2 8 4
Ge 2 8 18 4

Estrutura atômica (modelos de Bohr):

Camada de valência – É a última camada de órbita da eletrosfera de um

determinado átomo. Apresenta SEMPRE de 1 a 8 elétrons.
Elétrons de valência – São os que compõem a camada de valência de um
determinado átomo. São também os que participam da maioria dos fenômenos químicos
e elétricos.
Número de valência – Equivale ao número de elétrons que existem na camada
de valência do átomo, e que determina se o elemento é, por exemplo, monovalente (1
elétron), tetravalente (4 elétrons), etc.
O germânio e o silício são tetravalentes, pois possuem 4 elétrons na camada
de valência. O que os diferencia, entretanto, é o número atômico (Si=14 e Ge=32) e o
número de camadas de órbita (Si=3 e Ge=4).

ESTRUTURA CRISTALINA DO MATERIAL

SEMICONDUTOR INTRÍNSECO

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ELETRÔNICA GERAL I 18

Na sua forma intrínseca (extremamente pura) e na temperatura ambiente, o

material semicondutor intrínseco (Ge e Si) é um mau condutor de eletricidade, pois
possui poucos elétrons livres. Na temperatura ZERO ABSOLUTO (0o K ou -273o C),
este material é isolante perfeito, não possuindo elétrons livres para conduzir
eletricidade.

Ligação covalente:
É aquela em que os elétrons mais afastados dos núcleos (elétrons de valência)
são compartilhados por átomos adjacentes, formando a estrutura cristalina quase sem
elétrons livres.

Condutividade no cristal semicondutor intrínseco:

A corrente que pode circular por um cristal semicondutor intrínseco é muito
pequena e, para fins práticos, é considerada desprezível. Esta corrente é da ordem de
poucos µA no cristal de germânio e de poucos nA no cristal de silício, sendo conhecida
por corrente intrínseca ou corrente de fuga.
As correntes intrínsecas existem porque a temperatura ambiente (TAMB = ±27o
C ou 300o K) constitui calor suficiente para agitar termicamente os átomos da estrutura
cristalina, fazendo com que alguns poucos elétrons de valência das ligações covalentes
se tornem livres, podendo circular pelo interior do cristal e até sair do mesmo, bastando
apenas que lhe seja aplicada uma tensão elétrica.

2.3- Material semicondutor extrínseco:

É o material formado predominantemente por átomos tetravalentes de silício
ou germânio com pouquíssimos átomos de impurezas pentavalentes ou trivalentes.
Dopagem:
É um processo industrial pelo qual se adiciona, de forma controlada,
quantidades extremamente pequenas de impurezas aos cristais puros de silício ou
germânio, com o objetivo de aumentar-lhes a condutividade e torná-los menos
dependentes da temperatura. A proporção da dopagem é de um átomo de impureza para
alguns milhões de átomos de silício ou germânio. Dependendo de qual vai ser a
aplicação do semicondutor extrínseco, em apenas um centímetro cúbico de material

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ELETRÔNICA GERAL I 19

semicondutor poderão existir de 1013 a 1019 átomos de impurezas, o que é pouco,

comparando-se com o número de átomos de Si ou Ge.

Condutividade no semicondutor extrínseco:

O semicondutor, após ser dopado, ou seja, tornado extrínseco, aumenta
milhares ou milhões de vezes sua condutividade, atingindo correntes da ordem de mA
ou Ampères no germânio e correntes da ordem de µA, mA ou Ampères no silício.

MATERIAL SEMICONDUTOR TIPO N

É um cristal semicondutor extrínseco que recebeu, como dopagem, átomos de
elementos pentavalentes, ou seja, impurezas doadoras.

Impurezas doadoras:
São átomos de elementos pentavalentes, adicionados aos cristais puros de Ge
ou Si com o objetivo de aumentar o número de elétrons livres nos mesmos e, por
conseqüência, a condutividade. É chamada de impureza doadora porque doa ao cristal
elétrons livres, ou seja, portadores de corrente elétrica.

Exemplo de impurezas doadoras:

Distribuição eletrônica
de níveis
K L M N O
Fósforo (P) Z=15 2 8 5
Arsênio (As) Z=33 2 8 18 5
Antimônio (Sb) Z=51 2 8 18 18 5

Condução elétrica no material semicondutor tipo N:

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ELETRÔNICA GERAL I 20

Quando uma tensão contínua é aplicada aos extremos de um material tipo N,

o fluxo de elétrons livres através do cristal é dirigido para o terminal positivo da fonte.
O número total de elétrons livres no cristal sempre permanece o mesmo. Cada elétron
que deixa o cristal indo para o pólo positivo da fonte, é substituído por outro que entra
pelo terminal negativo. Estabelece-se, assim, uma corrente ininterrupta pelo circuito. O
material tipo N não possui polaridade específica. Se os terminais da fonte de tensão
contínua forem invertidos, os elétrons fluirão no sentido oposto. A presença dos átomos
de impurezas doadoras faz com que os elétrons passem através dele em qualquer
sentido.
Como a condução elétrica neste material ocorre devido às cargas negativas
em excesso (elétrons livres), ele é conhecido como material semicondutor tipo N.

MATERIAL SEMICONDUTOR TIPO P

É um cristal semicondutor extrínseco que recebeu, como dopagem, átomos de
elementos trivalentes, ou seja, impurezas aceitadoras.

Impurezas aceitadoras:
São átomos de elementos trivalentes adicionados aos cristais puros de Ge ou
Si com o objetivo de aumentar o número de lacunas móveis nos mesmos e, por
conseqüência, a condutividade. É impureza aceitadora porque aceita elétrons livres de
átomos (Ge ou Si) do cristal, gerando lacunas no mesmo, ou seja, portadores de corrente
elétrica.

Exemplo de impurezas aceitadoras:

Distribuição eletrônica
de níveis
K L M N O
Aluminio (Al) Z=13 2 8 3
Boro (B) Z=5 2 3
Galio (Ga) Z=31 2 8 18 3

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ELETRÔNICA GERAL I 21

Condução elétrica no material semicondutor tipo P:

Quando uma tensão contínua é aplicada aos extremos de um material tipo P,

as lacunas fluem apenas no interior do cristal, em direção ao terminal ligado ao pólo
negativo da fonte. As lacunas não saem do cristal, elas apenas recebem os elétrons
provenientes do pólo negativo da fonte. O número total de lacunas no interior do cristal
é sempre o mesmo, pois para cada elétron proveniente do negativo da fonte que entra no
cristal, tomando o lugar de uma lacuna, simultaneamente outro elétron abandona o
cristal em direção ao pólo positivo da fonte, criando assim, uma nova lacuna no cristal.
A nova lacuna se dirige internamente ao extremo do material ligado ao pólo negativo da
fonte e sentido oposto, um fluxo ininterrupto de elétrons por todo o circuito. Da mesma
forma que o material tipo N, o material tipo P não possui polaridade específica. A
presença dos átomos de impureza aceitadora faz com que o semicondutor se comporte
como um condutor, permitindo que os elétrons passem através dele em qualquer
sentido.
Como a condução elétrica neste material ocorre devido ao fluxo interno de
lacunas (cargas positivas), ele é conhecido por material semicondutor tipo P.

3- Junção PN:
Quando um material semicondutor tipo P é unido a outro do tipo N, de modo a
formar um bloco composto e fundido na área de união, está formada uma junção PN
(chip). Esta é a base da constituição de todos os dispositivos do estado sólido, desde os
diodos semicondutores até os circuitos integrados e microprocessadores.

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(a) região semicondutora receptora P (b) região semicondutora doadora N

junção PN

3.1- JUNÇÃO PN NÃO SUBMETIDA À TENSÃO ELÉTRICA:

Quando a junção PN é formada, alguns elétrons do material tipo N atravessam a
junção, tomando o lugar das lacunas do material tipo P e obviamente criando lacunas
nos átomos que eles abandonaram no material tipo N. Este deslocamento de elétrons
que existe durante a formação da junção é conhecido por corrente de difusão e ocorre
apenas na zona próxima à junção.
Após cessar a corrente de difusão, tem-se como conseqüência uma ionização
positiva ou formação de cátions no material tipo N e uma ionização negativa ou
formação de ânions no material tipo P. Esta ionização dos materiais tipo P e N ocorre
apenas na zona próxima à junção porque a presença dos ânions no material tipo P
constitui uma barreira, que impede que todos os elétrons livres do material tipo N se
recombinem com todas as lacunas do material tipo P.
A zona imediata da junção, onde ocorrem as ionizações, é conhecida como
região de carga espacial, região de esgotamento, região de transição ou zona de
depleção.

Devido à ionização ocorrida nesta região, aparece aí uma tensão elétrica, tendo
sua polaridade positiva no material tipo N e sua polaridade negativa no material tipo P.

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ELETRÔNICA GERAL I 23

Esta tensão é denominada potencial de barreira (VB) e tem um valor diferente para
cada tipo de material semicondutor básico da junção PN.
Por exemplo, o potencial de barreira existente numa junção PN de silício é de
aproximadamente 0,6 V e numa junção PN de germânio é de aproximadamente 0,3 V.

3.2- JUNÇÃO PN INVERSAMENTE POLARIZADA:

Quando uma fonte de tensão contínua (VCC) é aplicada aos extremos de uma
junção PN de maneira que o pólo negativo seja ligado ao material tipo P e o pólo
positivo ao material tipo N, diz-se que a junção PN está inversamente polarizada. Neste
caso, a região de transição aumenta, pois tanto as lacunas do material tipo P quanto os
elétrons livres do material tipo N são atraídos para longe da junção, deixando em seu
lugar átomos carregados eletricamente, ou seja, cátions no material tipo N e ânions no
material tipo P. Em consequência disso, o potencial de barreira aumenta tornando-se de
valor igual à tensão da fonte VCC.
Por não dispor de portadores de corrente (elétrons e lacunas) próximo à zona
de junção, a intensidade de corrente I no circuito é praticamente zero (existe apenas uma
desprezível corrente de fuga).
A tensão inversa da fonte VCC não poderá ser aumentada indefinidamente
sobre a junção PN. Existe um limite máximo que é expresso no manual do fabricante e

conhecido como tensão de ruptura inversa ou tensão inversa de pico máximo (Vrrm). Se

a tensão da fonte VCC superar este valor máximo, a resistência da junção cai
bruscamente e a corrente sobe a níveis insuportáveis pela junção, vindo a destrui-la.

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ELETRÔNICA GERAL I 24

3.3- JUNÇÃO PN DIRETAMENTE POLARIZADA:

Quando uma fonte de tensão contínua (VCC) é aplicada aos extremos de uma
junção PN de maneira que o pólo negativo seja ligado ao material tipo N e o pólo
positivo ao material tipo P, diz-se que a junção PN está diretamente polarizada. Neste
caso, se a tensão da fonte VCC for de valor inferior ao potencial de barreira (VB) da
junção PN, a intensidade de corrente no circuito será praticamente ZERO. No entanto,
se VCC for maior ou igual a VB, estabelecer-se-á um fluxo ininterrupto de elétrons livres
através dos materiais tipo N e P, podendo circular correntes milhares, milhões ou
bilhões de vezes maiores que a chamada corrente de fuga em polarização inversa.
Quando VCC > VB, a região de transição se estreita e os elétrons livres do material tipo
N atravessam a junção para se recombinarem com as lacunas do material tipo P. Para
cada elétron que atravessa a junção, simultaneamente outro ingressa no material tipo N
proveniente do pólo negativo da fonte VCC e outro abandona o material tipo P em
direção ao pólo positivo da fonte VCC.
Quanto maior for o valor da tensão de polarização direta, maior será a corrente
que circulará na junção PN e no circuito.
A tensão da fonte VCC, entretanto, não poderá ser aumentada indefinidamente
sobre a junção PN. Existe um limite máximo de corrente em polarização direta que a

junção PN poderá suportar. Este valor é expresso por Ifmax (corrente direta máxima) no

manual do fabricante, de acordo com a referência impressa no corpo do componente.

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ELETRÔNICA GERAL I 25

DIODO RETIFICADOR

É constituído normalmente por uma junção PN de silício e, apesar de ter um

número muito grande de aplicações, o seu uso principal está na montagem de fontes de
alimentação. Tais fontes transformam tensão alternada em tensão contínua, sendo
indispensáveis ao funcionamento dos circuitos e equipamentos eletrônicos.
Diferente dos resistores, os diodos retificadores não apresentam um
comportamento linear, ou seja, a corrente não é diretamente proporcional à tensão
aplicada. Este fato é devido à barreira de potencial existente nos diodos. Se
desenharmos uma curva de tensão versus corrente, teremos uma curva não linear.

- Simbologia.
A simbologia do diodo retificador lembra uma seta, que indica o sentido de fluxo
de corrente que circula do lado P para o lado N.
Abaixo são mostradas a junção PN, o símbolo elétrico e um diodo retificador,
respectivamente.

marca que identifica o catodo

- Polarização do diodo.
O gráfico a seguir mostra a curva para um diodo retificador de silício. O que
vemos neste gráfico?

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ELETRÔNICA GERAL I 26

Inicialmente, a corrente é praticamente zero nos primeiro décimos de tensão.

Quando atingimos 0,6 V, os elétrons começam a cruzar a junção PN em grande
quantidade (a corrente começa a aumentar). Acima de 0,6 V, o mais leve aumento na
tensão produz um grande aumento na corrente.
O valor da tensão no qual a corrente começa a aumentar rapidamente é chamada
potencial de barreira do diodo retificador. Este valor depende do tipo de cristal que é
formado o diodo. Para o silício temos 0,6 V e para o germânio temos uma barreira de
potencial de 0,3 V.

Quando se polariza reversamente um diodo retificador, obtem-se apenas uma

pequena corrente, chamada de corrente de fuga. A corrente reversa é extremamente
pequena, menos na região de ruptura, onde a corrente aumenta muito destruindo o
diodo.

- Polarização direta:

O circuito do diodo retificador, quando diretamente polarizado, apresenta as

seguintes características:

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ELETRÔNICA GERAL I 27

1º) Pode ser comparado a um interruptor fechado ou ligado.

2º) A resistência ôhmica do diodo é muito baixa (poucos Ohms).
3º) A corrente elétrica no circuito é alta, ou pelo menos de valor apreciável.
4º) A tensão sobre o diodo retificador é igual ao valor do potencial de barreira do
material usado como semicondutor (Si – 0,6 V e Ge – 0,3 V).
5º) Existe uma queda de tensão no resistor R1 em série com o diodo, devido a
corrente que percorre o circuito.

- Polarização inversa:

O circuito do diodo retificador, quando inversamente polarizado, apresenta as

seguintes características:
1º) Pode ser comparado a um interruptor aberto ou desligado.
2º) A resistência ôhmica do diodo é altíssima, praticamente infinita.
3º) A corrente elétrica no circuito é praticamente igual a zero. Existe apenas a
chamada corrente de fuga.
4º) A tensão do diodo é igual a tensão da fonte.
5º) A queda de tensão no resistor R1, conectado em série com o diodo, é nula.

Como pode ser observado, o diodo retificador pode ser considerado como uma
chave automática, a qual está fechada (ligada) quando o material P (anodo) possui um
potencial elétrico de aproximadamente 0,6 V maior que o do material N (catodo), e caso
contrário, a chave está aberta (desligada).
Deve ser ressaltado que, para o diodo retificador conduzir não é obrigado que
haja potencial positivo no anodo e negativo no catodo. Ambos eletrodos podem ser
positivos ou ambos podem ser negativos. Observe os exemplos a seguir, onde diodos
retificadores de silício são utilizados.

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ELETRÔNICA GERAL I 28

+5V +4,4V +5V +4,8V -5V -5,6V

I>0 I=0 I>0

- Especificações do diodo retificador.

Antes de submeter um diodo a uma determinada aplicação, deve-se observar
principalmente as seguintes especificações do mesmo:
a) Corrente direta máxima (Ifmax) – é a maior corrente suportável pelo
diodo, quando submetido à tensão de polarização direta.
b) Tensão reversa máxima (Vrmax) – é a maior tensão reversa suportável
pelo diodo, quando submetido à tensão de polarização inversa.
A tensão reversa que causa a destruição de um diodo retificador é comumente
conhecida como tensão de ruptura.

Estas especificações são encontradas no manual do fabricante, de acordo com a

referência alfanumérica impressa no corpo do diodo retificador. Veja exemplo.

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ELETRÔNICA GERAL I 29

QUESTÕES:

1- O que são impurezas aceitadoras?

2- Caracterize um material semicondutor.
3- O que é estrutura cristalina?
4- O que significa material semicondutor intrínseco?
5- Em que situações um material semicondutor intrínseco apresenta condutividade
e quando é isolante perfeito? Por quê?
6- Por que dizemos que um determinado átomo é trivalente?
7- O que é dopagem de um semicondutor?
8- Como obtemos materiais semicondutores tipos P e N?
9- Quais são os portadores de corrente no material tipo P?
10- Como polarizamos diretamente uma junção PN? Qual o seu comportamento,
então?
11- Descreva o que ocorre internamente em uma junção PN inversamente
polarizada.

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ELETRÔNICA GERAL I 34

DIODO EMISSOR DE LUZ (LED – Light Emitting Diode)

A K

Quando um diodo conduz, há liberação de energia devido à recombinação entre

elétrons e lacunas. Nos diodos retificadores, por exemplo, a energia é liberada
principalmente na forma de calor. Já nos LEDs essa energia é emitida na forma de luz
(daí o seu nome).
A luz produzida pelos LEDs pode ser de cor verde, azul, amarela, laranja,
vermelha ou infravermelha (invisível), dependendo do material de que estes são feitos,
como Arsenieto de Gálio, Fosfeto de Gálio, etc.

Os LEDs podem substituir lâmpadas incandescentes em muitas aplicações, por

sua baixa tensão de alimentação, longa vida útil e baixo consumo. Assim, eles podem
ser utilizados como indicadores, acionadores para controles remotos, formar displays
alfanuméricos, etc.

Da mesma forma que os demais diodos, os LEDs devem ser alimentados sempre
através de uma resistência em série, para evitar avalanche térmica. Quando conduzindo,
a queda de tensão sobre eles fica entre 1,5 e 3,5 V, de acordo com o material e a
corrente utilizada, podendo chegar a 12 V em alguns modelos. Atualmente, os LEDs
são feitos para trabalhar com correntes entre 10 e 75 mA.

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ELETRÔNICA GERAL I 35

No atual estágio de evolução, os LEDs estão sendo montados de forma a serem

compatíveis com os padrões elétricos de iluminação já existentes. Os bulbos LED, por
exemplo, são compatíveis com as conhecidas conexões em “rosca” (E27) e tensão de 90
a 240 V. Assim, como temos a lâmpada incandescente, temos também a lâmpada LED.

Além da iluminação geral, o LED pode ser aplicado em decoração de ambientes.

Para isso, foi fabricado o LED RGB, o qual é composto de três LEDs independentes, nas
cores vermelho, verde e azul, combinados em apenas um dispositivo. Com o controle
individual de cada cor, é possível criar livremente qualquer tonalidade imaginável.

A seguir, apresentamos uma tabela de diodos emissores de luz.

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ELETRÔNICA GERAL I 36

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ELETRÔNICA GERAL I 39

DIODO ZENER

A K

O diodo zener é especificamente produzido para operar na sua região de ruptura

sem ser danificado, o que não ocorre com os diodos retificadores comuns. Assim, se
aplicarmos uma tensão reversa ao zener e formos aumentando-a gradativamente, ao
atingirmos o “valor de zener” do dispositivo, este passa a conduzir uma corrente reversa
considerável. Essa corrente poderá variar muito (vários mA), sendo que a tensão entre
os terminais do diodo permanecerá praticamente constante (variando somente alguns
décimos de Volt). Podemos observar este comportamento na curva característica abaixo.

tensão de joelho

REGIÃO DE TRABALHO

Por causa de suas propriedades, o diodo zener encontra aplicações como

regulador de tensão em fontes de alimentação, eliminando o ripple e mantendo a tensão
de saída constante para diferentes valores de carga. Pode também ser usado como

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ELETRÔNICA GERAL I 40

elemento que estabelece uma tensão de referência em circuitos comparadores, por

exemplo. Para isso, devem ser observadas as seguintes especificações:
VZ – tensão reversa, em torno da qual ocorre o funcionamento do dispositivo
(chamada de tensão zener).
IZmin – mínima corrente para assegurar o funcionamento (corrente de
manutenção). Se a corrente através do zener estiver abaixo desse valor, a tensão entre
seus terminais não se manterá constante.
IZmax – máxima corrente suportável pelo zener. Ao projetarmos um circuito de
aplicação, devemos ter cuidado para não ultrapassar este valor para não danificar o
componente.
PZmax – máxima potência dissipada pelo componente. Procuraremos na folha de
dados do fabricante um zener com PZmax superior ao valor calculado pelo produto VZ x
IZ, utilizado no circuito.
Por exemplo, se VZ = 6,2 V e IZ = 12 mA, então:
PZ = 6,2 V x 12 mA = 74,4 mW.

Desde que essa potência calculada não seja ultrapassada, o diodo zener pode
operar dentro da região de ruptura sem ser destruído.

Se desejarmos saber a corrente especificada de um diodo zener de 6,2 V com

uma especificação de potência de 500 mW, então:

IZmax = 500 mW / 6,2 V = 80,6 mA

Isto significa que, existindo uma resistência limitadora de corrente para manter a
corrente de zener abaixo de 80,6 mA, o diodo Zener pode operar dentro da região de
ruptura sem se danificar.

Exemplo:
Dimensionamento de RS, objetivando o projeto de um circuito estabilizador
utilizando um diodo Zener de 6,2 V – 1 W, alimentado com 10 V ± 10 %, tendo como
carga um resistor de 180 Ω.
.

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ELETRÔNICA GERAL I 41

RS

RL

- Cálculo de IZ máx e IZmín:

PZmáx 1
I Zmáx = = = 161,3mA
VZ 6,2

I Z min = 10% xI Zmáx = 16,13mA

- Dimensionamento de RS:
V Emáx − VZ 11 − 6,2
RS min = = = 29,76Ω
I Zmáx 161,3 × 10 −3

VE min − VZ 9 − 6,2
RSmáx = = = 173,6Ω
I Z min 16,13 × 10 −3

RS adotado = 33 Ω (valor comercial mais próximo ao RSmin calculado)

PRS = RS × (I Zmáx ) = 33 × (161,3) = 858,6mW

2 2

Será escolhido o RS de valor comercial 33 Ω/ 1,15W.

- Cálculo da máxima corrente de saída (ILmáx):

VE min − VZ 9 − 6,2
I Lmáx = − I Z min = − 16,13 × 10 −3 = 68,7 mA
RS 33

- Cálculo da variação da tensão de entrada:

VZ 6,2
IL = = = 34,44mA
RL 180

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ELETRÔNICA GERAL I 42

VE min = RS × (I Z min + I L ) + VZ

VE min = 33 × (16,13 × 10 −3 + 34,44 × 10 −3 ) + 6,2 = 7,87V

VEmáx = RS × (I Zmáx + I L ) + VZ

( )
V Emáx = 33 × 161,3 × 10 −3 + 34,44 × 10 −3 + 6,2 = 12,66V

A seguir, apresentamos tabelas com dados característicos de alguns diodos

zener.
TABELA DIODO ZENER

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ELETRÔNICA GERAL I 43

TABELA DIODO ZENER

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ELETRÔNICA GERAL I 44

QUESTÕES:

1- Como se comporta um diodo zener polarizado diretamente?

2- De que depende a cor da luz gerada por um LED?
3- O que é o “potencial de barreira” de um diodo semicondutor?
4- Podemos utilizar um diodo zener como retificador? Por quê?
5- Desenhe o símbolo do diodo e indique seus eletrodos. Por que recebem esses
nomes?
6- Como devemos proceder para ligar corretamente um LED? Exemplifique.
7- Montamos uma fonte de alimentação que entrega 12 VCC em sua saída. Se
quisermos usar um LED de 35 mA como indicador de que a fonte está ligada, como
procederemos? Calcule e desenhe o circuito.
8- Estabeleça diferenças entre um LED e uma lâmpada incandescente.
9- Desenhe a curva característica V x I do diodo semicondutor e explique o que ela
representa.
10- Cite os parâmetros de um diodo zener que devem ser considerados ao
projetarmos um circuito para sua aplicação. Justifique.
11- Determinar o valor de RS do regulador de tensão utilizado para que uma fonte de
12VCC possa ser ligada num circuito que represente uma carga de 1 kΩ e cuja tensão
de alimentação é de 5,6 VCC.
Especificações do diodo Zener: VZ = 5,6 V e IZmax = 100 mA

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ELETRÔNICA GERAL I 47

UNIDADE III – FONTES DE ALIMENTAÇÃO

A geração e a distribuição de energia elétrica são feitas na forma de tensões

senoidais, porém muitos aparelhos eletrônicos são alimentados por tensões contínuas.
Para transformarmos tensões alternadas senoidais em tensões contínuas de valores
adequados à alimentação destes circuitos, utilizamos dispositivos denominados fontes
de alimentação.

2.1 - DIAGRAMA EM BLOCOS DE UMA FONTE DE ALIMENTAÇÃO

(CONVERSOR CA/CC)

Através do circuito retificador, a tensão alternada é convertida em unidirecional,

ou seja, a corrente elétrica circulará apenas em um sentido, mas sua intensidade varia
periodicamente de acordo com a tensão da rede. Como é preciso eliminar as variações
da tensão contínua para que esta se torne constante, torna-se necessária a utilização de
filtros e reguladores de tensão.
Convem salientar que a tensão alternada na entrada de um circuito retificador
precisa ser reduzida ao valor adequado, e este trabalho é realizado pelo transformador.

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ELETRÔNICA GERAL I 48

2.2 - TRANSFORMADORES

Os transformadores utilizados em fontes de alimentação são normalmente

constituídos por dois enrolamentos (primário e secundário) de fio de cobre esmaltado,
montados em torno de um núcleo de ferro laminado – responsável pelo acoplamento
magnético entre os dois enrolamentos.

componente símbolo

Na maioria das fontes há rebaixamento da tensão da rede para ser aplicada ao

circuito retificador, tornando-se necessário o uso de um transformador rebaixador.
Neste, o número de espiras de fio no enrolamento primário é superior ao do secundário,
obedecendo a seguinte relação:
N P VP
=
N S VS
onde: NP – número de espiras do primário
NS – número de espiras do secundário
VP – tensão do primário
VS – tensão do secundário

Da mesma forma, as correntes IP (no primário) e IS (no secundário) estão

relacionadas ao número de espiras dos dois enrolamentos, conforme apresentado a
seguir:
IP NS
=
IS NP
Num transformador ideal, a redução da tensão ocorre sem perda de
potência, ou seja, a potência entregue ao primário é igual à potência fornecida pelo
secundário.
V P × I P = VS × I S

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2.3 - RETIFICADOR DE TENSÃO MONOFÁSICO

É um circuito eletrônico que transforma a tensão alternada monofásica em tensão

unidirecional pulsante de meia onda ou de onda completa.

RETIFICADOR DE MEIA ONDA

- Formas de onda:

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ELETRÔNICA GERAL I 53

- Funcionamento:
Para analisar o funcionamento do retificador de meia onda, será tomada por
base a tensão alternada existente no secundário do transformador (VS).
Semiciclo positivo:
Durante a ocorrência deste semiciclo, a polaridade existente no secundário do
transformador polariza diretamente o diodo, fazendo com que ele se comporte como
uma “chave fechada”. Com isto, praticamente todo este semiciclo é transferido para os
terminais da carga (RL), com exceção da pequena queda de tensão sobre o diodo,
determinada por sua barreira de potencial.
Percebe-se também, neste semiciclo, a existência de um fluxo de corrente de
amplitude variável (If), percorrendo o circuito conforme a trajetória e o sentido
indicados no diagrama esquemático.

Semiciclo negativo:
Durante a ocorrência deste semiciclo, a polaridade existente no secundário do
transformador polariza inversamente o diodo, fazendo com que ele se comporte como
uma “chave aberta”. Com isto, este semiciclo não será transferido para os terminais da
carga (RL). Percebe-se, então, que não existe circulação de corrente e, portanto, a queda
de tensão sobre a carga (VRL) é zero. Assim, a carga transfere para os terminais do
diodo toda tensão do secundário do transformador.
Se medirmos a tensão na carga (VRL) com um voltímetro CC, ele indicará o
valor médio, ou seja:
VRL = 0,318 × VPICO
Se, por exemplo, tivéssemos no secundário do transformador um VPICO = 12 V,
logo a tensão na carga seria a seguinte:
VRL = 0,318 × 12 = 3,82V

É bom lembrar que: VPICO = VEFICAZ × 2 ou

π
V PICO = V MÉDIO ×
2

Preste atenção com qual tensão você está trabalhando, pois para o cálculo de
VRL sempre será utilizada a tensão de pico.

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RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

- Formas de onda:

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- Funcionamento:
Na figura anterior, vemos um retificador de onda completa em ponte. Usando
quatro diodos em vez de dois, eliminamos a necessidade de uma tomada central
aterrada. Com isso, temos a vantagem de que a tensão retificada na carga é o dobro
daquela que teria o retificador de onda completa com tomada central.
Durante o semiciclo positivo da tensão da rede, os diodos D1 e D3 conduzem,
produzindo um semiciclo positivo no resistor de carga. Durante o semiciclo negativo da
tensão da rede, os diodos D2 e D4 conduzem, produzindo outro semiciclo positivo no
resistor de carga. O resultado é um sinal de onda completa no resistor de carga.

comportamento do retificador de onda completa em ponte

Tomando o exemplo anterior, a tensão média CC medida sobre a carga seria:

VRL = VPICO × 0,636 = 12 × 0,636 = 7,63V
Com este tipo de retificador, obtemos o dobro da tensão média sobre a carga, se
comparado aos circuitos apresentados anteriormente.
π
Lembrete: VPICO = VEFICAZ × 2 ou V PICO = V MÉDIO ×
2

É importante ressaltar que os cálculos até aqui feitos, consideram um caso ideal,
ou seja, a queda de tensão sobre os diodos (VB ou potencial de barreira) foi desprezada.
Para o caso real, teremos os seguintes valores de tensão média de carga para os
tipos de retificadores apresentados anteriormente.

Retificador de meia onda VRL = (VPICO − VB ) × 0,318

Retificador de onda completa com center tap

V RL =  − V B  × 0,636
V PICO
 2 
Retificador de onda completa em ponte VRL = (VPICO − 2 × VB ) × 0,636

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ELETRÔNICA GERAL I 58

QUESTÕES:

1- O que é corrente unidirecional pulsante?

2- Por que a frequência de ondulação da saída de um retificador de onda completa é
o dobro da frequência do retificador de meia onda?
3- Calcule o número de espiras no secundário de um transformador que possui
NP=1350 espiras e, quando alimentado por 110 V, apresenta tensão de saída de
37 V.
4- Calcule a tensão média sobre a carga de um retificador de onda completa com
center tap, alimentado por um transformador rebaixador de tensão com relação
de espiras 8:1, conectado à rede de 220 V.
5- Estabeleça três diferenças entre um retificador de onda completa em ponte e um
retificador com center tap.
6- Em uma fonte de alimentação, diga o que fazem as seguintes etapas e
exemplifique:
a) Transformador.
b) Retificador.
c) Filtro.
d) Regulador.
7- Desenhe os circuitos e explique o funcionamento dos seguintes retificadores:
a) meia onda.
b) onda completa com center tap.
c) onda completa em ponte.

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ELETRÔNICA GERAL I 59

2.4 - FILTRO CAPACITIVO

A tensão de saída de um retificador aplicada numa carga é pulsante. Assim, um

ciclo completo na saída, a tensão na carga aumenta a partir de zero até um valor de pico
e depois diminui, retornando a zero.
Esse não é o tipo de tensão utilizado pela maioria dos circuitos eletrônicos, os
quais requerem uma tensão estável ou constante, similar a que é produzida por uma
bateria. Para tanto, torna-se necessário o uso de um filtro – normalmente capacitivo.
Conforme os gráficos a seguir, ao filtrarmos uma tensão retificada de meia onda,
temos uma ondulação (ripple) muito grande, o que causará o surgimento de ruídos nos
circuitos alimentados pela referida tensão. Além disso, a tensão média na carga é bem
menor quando usamos retificação de meia onda.
Por outro lado, se filtrarmos uma tensão retificada de onda completa, o ripple
torna-se bem menor, necessitando de menores valores de capacitância para a filtragem.

A figura abaixo representa uma fonte de alimentação, formada por um

transformador ligado a um retificador de onda completa em ponte, com filtro capacitivo
na saída – em paralelo com a carga.

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ELETRÔNICA GERAL I 60

Com o primeiro semiciclo da tensão retificada, o capacitor se carrega através dos

diodos D2 e D3 até o valor de pico. Quando a tensão retificada diminui, os diodos que
estavam conduzindo ficam reversamente polarizados, fazendo com que o capacitor se
descarregue lentamente pela carga RL.
No segundo semiciclo, quando a tensão retificada fica maior que a tensão no
capacitor, os diodos D1 e D4 passam a conduzir, carregando novamente o capacitor até o
valor de pico, e assim sucessivamente, formando a ondulação conhecida como ripple.

A descarga do capacitor é lenta devido à constante de tempo RLC, ou seja,

quanto maior a capacitância do capacitor ou a resistência de carga, maior a constante de
tempo e menor o ripple. Porém, mesmo com o ripple, a filtragem aumenta
consideravelmente o valor médio da tensão de saída.

O valor de pico a pico do ripple (Vr ) pode ser calculado pela equação abaixo:

Vmf
Vr =
f × RL × C
onde:

Vmf – tensão média após a filtragem (aproximadamente VPICO do secundário),

π
portanto, Vmf pode ser obtido por VPICO = VEFICAZ × 2 ou V PICO = V MÉDIO ×
2
f – frequência de ondulação (meia onda: 60 Hz, onda completa: 120 Hz)
RL – resistência de carga
C – capacitância do capacitor de filtro

Exemplo:
Determine o valor do capacitor de um filtro necessário para produzir um ripple
de 0,2 Vpp, numa fonte de alimentação com retificação de onda completa, a qual fornece
uma tensão média de 24 V a uma carga de 1 kΩ.

Para calcular C, temos que, em primeiro lugar, determinar VPICO.

π π
V PICO = V MÉDIA × = 24 × = 37,68V
2 2
Vmf 37,68
Assim, C = = = 1,57mF
f × R L × Vr 120 × 1000 × 0,2

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2.5 – REGULADORES DE TENSÃO

Há muitos equipamentos eletrônicos que operam satisfatoriamente apenas com a

utilização de fontes de alimentação não reguladas. Mas, equipamentos que exigem
muita precisão para o seu funcionamento, como computadores, costumam utilizar fontes
reguladas.
Um circuito regulador permite que, apesar do ripple, das alterações frequentes
na tensão da rede e possíveis variações na carga, a fonte de alimentação forneça sempre
a mesma tensão. Atualmente, existem muitos circuitos integrados utilizados para regular
a tensão de saída de fontes, podendo fornecer tensões positivas ou negativas, fixas ou
ajustáveis.

REGULADORES DE TENSÃO POSITIVA FIXA

A série 78XX de reguladores fornece tensões reguladas fixas de 5 a 24 V. A

figura a seguir, mostra como um CI desta série deve ser conectado para regular a tensão.

1 – IN
2 – GND
3 – OUT

Exemplo: Comportamento do CI 7812.

Uma tensão de entrada não-regulada VIN é filtrada pelo capacitor C1 e alimenta
o CI no terminal IN. O terminal OUT do CI fornece +12 V regulada, a qual é filtrada
pelo capacitor C2 (empregado para atenuar possíveis ruídos de alta frequência). O
terceiro terminal do CI é conectado à massa do circuito. Mesmo variando a tensão de
entrada e a carga, dentro de uma faixa permitida, a tensão de saída permanece constante,

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ELETRÔNICA GERAL I 66

ou com pequenas variações, dentro de limites especificados. Estes limites são

fornecidos pelas folhas de especificações do fabricante.
A tabela a seguir, apresenta uma lista de reguladores com tensões positivas
fixas.

Código do CI Tensão de saída (V) Tensão de entrada (V)

7805 +5 7,3 a 25
7806 +6 8,3 a 25
7808 +8 10,5 a 25
7810 +10 12,5 a 28
7812 +12 14,6 a 30
7815 +15 17,7 a 30
7818 +18 21 a 33
7822 +22 25 a 36
7824 +24 27,1 a 38

Características do regulador de tensão 78XX:

- Tensão máxima de entrada: 35 V.
- Tensão mínima de entrada: em torno de 3 V acima da tensão de saída.
- Corrente máxima de saída: 1 A.
- Potência máxima dissipada: 15 W. PDMAX = (VENTRADA − VSAIDA ) × I L

A conexão de um 7812 em uma fonte de alimentação completa é mostrada no

esquema abaixo. A tensão AC da rede (20 Vrms) é reduzida para 18 Vrms, em cada

metade do transformador com center tap. Um retificador de onda completa e um filtro

capacitivo produzem uma tensão DC não-regulada, com uma amplitude de
aproximadamente 22 V, com ripple AC de poucos Volts, como entrada para o regulador
de tensão. Esta tensão é aplicada ao CI 7812, o qual fornece em sua saída +12 VDC
regulados.
A seguir, apresentamos um circuito prático de uma fonte de alimentação
utilizando regulador de tensão 7812.

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ELETRÔNICA GERAL I 67

REGULADORES DE TENSÃO NEGATIVA FIXA

A série de CIs 79XX é formada por reguladores de tensão negativa, semelhantes

aos da série 78XX. Por exemplo, o 7912 fornece uma tensão de saída de -12 V, se a
tensão na entrada do CI for mais negativa do que -14,6 V.

1 – GND
2 – IN
3 – OUT

Nas duas famílias de reguladores fixos, podemos obter uma tensão de saída maior
do que a especificada, usando alguns artifícios, tais como, colocar um diodo zener entre
o terminal comum do CI e a massa. Como resultado, a tensão total de saída será igual à
soma da tensão nominal com a tensão do zener. Há, porém, o inconveniente que o CI
deixa de ser protegido contra curto-circuitos. Observe o exemplo abaixo:

12 a 25V 7905 8V1

220µF 220nF
3V1

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ELETRÔNICA GERAL I 68

REGULADORES DE TENSÃO AJUSTÁVEIS

Existem reguladores de tensão disponíveis no mercado que permitem ao usuário

ajustar a tensão de saída para um valor desejado. O CI LM317, por exemplo, pode ser
operado com a tensão de saída regulada em um nível entre 1,2 e 37 V. Para tensão
negativa temos disponível o CI LM337.
A seguir, apresentamos a pinagem do CI LM317.

1 – AJUSTE
2 – OUT
3 – IN

O circuito utilizando o CI LM317 é mostrado abaixo.

Os resistores R1 e R2 determinam o valor da tensão de saída (Vout) em qualquer

valor dentro da faixa especificada. Podemos calcular Vout da seguinte maneira:

 R 
VOUT = 1,25 × 1 + 2 
 R1 

Na prática, o resistor R2 é o de ajuste da tensão de saída e o resistor R1 é fixado

com valor em torno de 220 Ω, conforme orientação do fabricante do CI.

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ELETRÔNICA GERAL I 69

O funcionamento do CI LM317 é baseado em fixar uma tensão entre os pinos

Vout e tensão de ajuste. A tensão de saída do LM317 é 1,25 V, sendo chamada de

tensão de referência, a qual está sobre o resistor R1, gerando uma corrente elétrica
constante em direção ao resistor de ajuste R2. Sendo a corrente interna do CI que flui do
pino de ajuste muito baixa, a corrente que circula por R2 é praticamente devido à
corrente gerada por R1. Assim, a corrente é desprezada para o cálculo da tensão de
saída, conforme a equação apresentada anteriormente.

Os valores dos capacitores do circuito foram considerados de tântalo. Caso

seja feita a opção por capacitores comuns de alumínio, os mesmos devem ser
dimensionados com valores 10 vezes maiores.
A seguir, mostramos um exemplo de aplicação do CI regulador LM317 num
projeto de fonte de alimentação ajustável de 1,25 V a 16,5 V.

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ELETRÔNICA GERAL I 70

QUESTÕES:

1- Como atua o filtro numa fonte de alimentação?

2- O que é tensão de ripple?
3- O que é um regulador de tensão ajustável?
4- O que acontece com a tensão de saída de uma fonte de alimentação, se for
aumentado o valor do capacitor de filtro? Justifique.
5- O que acontece com a tensão de ripple em uma fonte de alimentação se for
reduzida a resistência de carga? Por quê?
6- Explique como se compota um regulador de tensão negativa fixa e como
devemos liga-lo corretamente.
7- Explique como se compota um regulador de tensão positiva fixa e como
devemos liga-lo corretamente.
8- Calcule o valor do capacitor de filtro necessário para produzir um ripple de 0,5
VPP, numa fonte com retificação de onda completa que fornece uma tensão
média de 12 V a uma carga de 470 Ω.
9- Calcule o valor de ripple em uma fonte de alimentação com retificação de meia
onda, a qual fornece Imédia=600 mA a uma carga de 330 Ω, utilizando um filtro
de 820 µF.
10- Calcule o valor médio DC da tensão na saída de uma fonte de alimentação com

VPICO=13,8 V e Vr=2,5 V.

11- Qual a máxima tensão de saída que obteremos ao ser usado um regulador
LM317, sendo R2=22 kΩ e R1=4,7 kΩ?
12- Calcule R1 para um regulador ajustável com LM317, sendo R2=15 kΩ e
VOUTmax=6,5 V.

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ELETRÔNICA GERAL I 75

REFERÊNCIAS CONSULTADAS:

BOYLESTAD, R. & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos.

5ª edição. PHB.
CIPELLI, A. & SANDRINI, W. Teoria e Desenvolvimento de Projetos de Circuitos
Eletrônicos. Editora Érica.
LURCH, E. N. Fundamentos de Eletrônica. Vol. 1. LTC.
MALVINO, A. P. Eletrônica. Vols. 1 e 2. 4ª edição. Makron Books.
MARQUES, ALVES CRUZ & CHOUERI JR. Dispositivos Semicondutores – diodos e
transistores. Editora Érica.
CAPUANO, Francisco Gabriel & MARINO, Maria Aparecida Mendes. Laboratório de
eletricidade e eletrônica. Editora Érica.
www.lsi.usp.br
www.fsc.ufsc.br
www.eletronica.org
www.ezuim.com
www.centelhas.com.br
www.portaldoled.tumblr.com
www.eletronica24h.com.br
www.ee.pucrs.br
www.policompre.com.br

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