G U L A D O K D E V O L T A J E R M S

P O R T I R X S T O R E S

Tesis previa a la obtensión del Título de Ingeniero

en la especlalisáción de Electrónica y Telecomunicaciones de la
Escuela Politécnica "Nacional.

Hornero Granizo Gavidia

Quito

Octubre de 1.976
-II-

Certifico que este trabajo ha

sido realizado en su totalidad
por el Sr. Hornero Granizo Gavá
día.

Ing. Jacinto Jijón

CONSULTOR DE TESIS

Quito, Octubre de 1.976.

-III-

A LA MEMORIA DE MIS PADRES

OLGA Y GIULIANO
A LA MEMORIA DE MI TÍO:
PABLO
A MI ABÍ3SLITO;

GIANCAKU).
 - IV -

A G K. A D E C I M I E N T O

Expreso mi mas profundo agradecimiento al Ecuador que pe»

sibilitó* mis estudios en la Benemérita Escuela Politécnica Nació -
nal, dándome la oportunidad de forjarme un hombre útil a la Socie-
dad y a mi mismo.

Agradezco además al personal del Departamento de Electro

nica, en especial al Laboratorio de Microondas.

Al Ing. Jacinto Jijón que como mi Consultor de Tesis con

sus conocimientos muy amplios despejó claramente mis inquietudes.

Dejo constancia de mi reconocimiento muy grande para el

Ing. Hugo Banda Gamboa, quien como mi profesor personal de la mat£
ria de Proyectos en el 5to. Curso, con su invalorable experiencia,
me prestó la ayuda mas desinteresada, sacrificando mucho de su
tiempo libre, dándome la oportunidad de llegar al feliz término de
la parte práctica de esta Tesis.
 - V -

I NT R O D U C G I O N

La disponibilidad de los Tiristores da al diseñador la

oportunidad de aprovechar muchas ventajas como costo reducido, cir
cuitos simples y pequeños, que no son posibles de conseguir con o-
tros dispositivos electrónicos o mecánicos.

El uso de este dispositivo se ha generalizado mucho, pu-

diendo citarse por ejemplo en:

Comando de motores, comando de temperatura, atenuadores

de luz, calefactores, inversores, reemplazo de relés, etc.

En términos generales puede decirse que el Tiristor ha -

venido a solucionar muchas necesidades de los circuitos de poten-
cia»

Esta Tesis desarrolla:

En el Capítulo I, el estudio de varias formas de onda, a.

nalizando la posibilidad de que el Tiristor sea excitado por cual-
quiera de ellas* Las diferentes maneras de detectar el valor RMS -
de un voltaje dado. La teoría general del funcionamiento y caracte.
rísticas importantes de los Tiristores.

En el Capítulo II, dado que en esta Tesis se hace uso de

un Triac, se esttidia la teoría de este dispositivo.

En el Capítulo III, se hace un estudio muy exahustivo

del control de Fase de los Tiristores, porque se considera este te.
ma quizá el más importante para su use.

,- En el Capítulo IV7, se procede bajo las consideraciones -

* teóricas anotadas y las especificaciones impuestas, a diseñar el
REGULADOR DE VOLTAJE RMS POR TIRISTORES.

En el Capítulo V, se indica las consideraciones tomadas

para que el diseño físico tenga un acabado semiprofesional, y se
muestra el equipo construido en diferentes vistas.

En el Capítulo VI, se muestran los resultados obtenidos

en el equipo construido.

Se adjunta además los programas hechos para la computa-

dora que posibilitaron muchos aspectos de esta Tesis; y, la Bi
bliografía útil para el efecto.
 l Jj__D I C E

TITULO I
CERTIFICACIÓN II
DEDICATORIA III
AGRADECIMIENTO * IV
INTRODUCCIÓN V
ÍNDICE . . VI

CAPITULO I
ASPECTOS GENERALES

1.1.- Estudio de varias formas de onda 1

1.2.- Estudio de detectores del valor RMS 14
1.- Métodos aritméticos ..... 14
2.- Métodos luminosos 22
3. - Métodos térmicos ............c... ...o,.............. 24
1.3.- Estudio del Tiristor .,. ........ 28
a . •- Funcionamiento t 28
b*- Características de tensión y corriente . * „ .. 32
c.- Características de compuerta .....**„ 36
d.~ Características de conmutación 38
e.- Tensión y niveles de disparo « . 42
1.4.- Técnicas de disparo del Tiristor ...........*. 44
a,- Requerimientos del circuito de disparo 44

_CAPITULO_II
ESTUDIO DEL TRIAC

2.1.- Descripción 0 „ «, 47
2.2.- Principales características 47
2.3.~ Características de disparo ........4. * ».a.............. 50
2.4.~ Teoría del Triac , -,...... 51
2.5.- Conmutación de Triaos .»«...•.»...*..». .....= 54
2.6.- Resistencia térmica ., 56
2.7.- Usos del Triac 59

CAPITULO..!!];
ESTUDIO DEL CONTROL DE FASE

3.1,- Principio de Control de Fase 65

3.2.- Análisis del Control de Fase . 66
3.3.- Conmutación en circuitos de AC 75
3.4.- Circuitos básicos para Control de Fase 78
3.5.- Circuitos para Control de Fase de Ganancia alta 87

CAPITULO, IV
DISEÑO DEL SISTEMA REGULADOR DE VOLTAJE

4,1.- Especificaciones del Diseño *.**«».*«*». 101

4-?-,- Diseño del Circuito de Potencia ,a....,< 102
a.- Diseuo del autotransformador 111
4-3-- Diseño del Circuito Sensor *.*.,. 113
4.4.- Diseño del Circuito Comparador ,.....,, 114
4.5.- Diseño del Circuito de Disparo 118
4.6.- Diseño de las Fuentes de Alimentación , 121
4.7.- Diseño del Transformador de Poder 123
4.8.- Otros Circuitos que se diseñaron 126

CONSTRUCCIÓN

5.1,- Consideraciones para el Diseño Físico 132

5.2.- Construcción del equipo „ 133
5.3.- Calibración del Equipo 137
CAPITULO VI
RESULTADOS Y CONCLUSIONES

6.1.- Mediciones en el equipo construido *.... 138

6.2.a.- Análisis de los resultados 147
6.2.b.- Conclusiones * * 159

CAPITULO VII
APÉNDICES Y BIBLIOGRAFÍA
 C A P I T U L O I

A S P E C T O S G E N E R A L E S
 -1-

1'1'- ESTUDIO DE VARIAS FORMAS DE ONDA.-

Al analizar las diferentes tensiones que varían con el

tiempo, se simboliza matemáticamente esa relación funcional como
v(t), quedando definida dicha función para cualquier valor de t.

La relación entre v(t) y t puede especificarse ya sea a-

naliticamente, por medio de fórmulas o gráficamente. En cualquiera
de estos casos, nos referimos con el término ""onda".

1.1.a.- DEFINICIÓN DE VALOR EFICAZ. -

La potencia disipada en una resistencia es directamente

proporcional al cuadrado de la tensión aplicacla a sus bornes.

Por tratarse con funciones periódicas;

Vab (t) - Vab (t + nT)
De lo antedicho; y, por definición cíe resistencia, la p_o
tencia instantánea entregada a una resistencia R, conectada a los
bornes a y b, es :
o
Pab (t) - Vab'1 (t) / R

La potencia media entregada a la resistencia a lo largo

de un período es :

7V

dt
 Al valor \/Pab se define como Valor Eficaz de F(t); y,
se representa por Frms.

De las ondas que son de interés estudiarlas, por ser de

aplicaciones industriales, citaré:

1.- Las ondas sinusoidales (Seno y Coseno).

2.- La onda triangular.
3.- La onda cuadrada.

l.l.b.- CALCULO DEL VALOR RMS.-

Para el desarrollo de este tema, es impresindible el cal

culo del valor RMS para ondas periódicas; y, dentro ello, del cál-
culo cuando el ángulo de conducción varía de 0° a 180°,.

f(wl) PARA 0\T)A SENO.»

nTTrTTTT Vít

cié cov-id<jccio\
T/

2--L/" 4a C
-'ir
a-rr

eos
Tí"
-TT

Vl2V\
 -3-

PARA ONDA COSENO

)

VBMS

PARA ONDA TRIANGULAR,-

A
A
f (wt)

\t

"tu.) __ /\/a

j_
 -4-

•Para ' o<. <

PARA ONDA CUADRADA,-

n-a n

cov\ciocciov\T
 -5-

CALCULO DE LA VELOCIDAD DE VARIACIÓN DEL VOLTAJE RMS COMO FUNCIÓN

DEL ÁNGULO DE CONDUCCIÓN DE UN TIRISTOR,-

Creo de gran importancia este cálculo porque permitirá

visualizar el tramo en el cual la velocidad de variación del vol-
taje RMS dependiente del ángulo de conducción sea más lento o más
rápido, lo cual facilitará encontrar el punto de trabajo en condi.
clones normales.

PARA ONDA SENO.-

cf A

El cálculo para la onda Coseno es el mismo que el reali-

zado para la, onda Seno.
 -6-

PARA ONDA TRIANGULAR.-

JD<z. <zc. 3

3 z=
77"

z> <Z (Z.C 4.

TT

PARA. ONDA CUADRADA.-

(2.C .

<¿
o7.

Puesto que los cálculos anteriores dan no más que una

fórmula, y no ayudan a visualizar de una manera más objetiva, es
conveniente graficar en la Computadora, para lo cual se elaboró un
programa que consta en el Apéndice A. Los resultados de estos cál-
culos aparecen a continuación en copias reducidas.
 -13-

De las Fig. anteriores puede anotarse que hay tramos más

lineales que otros, en los cuales el voltaje RMS varía con respecto
al ángulo de conducción, lo cual se comprueba con el gráfico corre£
pendiente a su velocidad de variación.

Para propósitos que será de nuestro interés, cabe anotar

que del gráfico de la Fig. 1.6, se ve que el tramo más lineal co-
rresponde al comprendido entre más o menos 75° y 105°.
 -14-

1.2.- ESTUDIO DE DETECTORES DEL VALOR RMS.-

Del punto 1.1.a, el valor RMS se define como:

•frj
v 'o
^Odt
Este valor para una función dada puede detectarse básica,
mente por los siguientes métodos:

1.- Métodos Aritméticos.

2.- Métodos Luminosos.
3.- Métodos Térmicos.

1.2,1.- MÉTODOS ARITMÉTICOS.-

1.2.1.a.- POR MULTIPLICADORES.-

Dada la existencia de dispositivos semiconductores que

realizan.-la siguiente función:

X .Y

D o n d e X=Y.'.

X.X

Fig, 1.2.1

Que se conoce como un cuaarador.

 -15-

Por definición de valor RMS, para una función f(t)

T
f£(t)dt
O

Si f 2 C t )= G ( t )

~r G ( f )dt
O

F r rn s = / < G ( t ) '>
V
• Entonces el valor RMS de una función se define como la
raíz cuadrada del promedio cuadrática de dicha función, entonces
se puede operar como se indica.

RED QUE DA ES7RACTOR

UAORADOR Frm
DE R A Í Z
PROMEDIO CUADRADA

Fig. 1.2.2

Que electrónicamente, sería así;

f(t)

Fig. 1.2.3
 -16-

Donde el Amplificador Operacional A-, nos realiza la si-

guiente operación:
K = Ganancia de A., tiende a infinito

Va ~-- KfVs-
(. Vi /}

y-

£>/ o
A
=> ±
r
O
K-(t¿¿ - o

-
l,2.1.b.- POR DETECTORES LOGARÍTMICOS.-

La característica voltaje corriente de un diodo se defi-

ne como:

JT= 1

= Ico.

Ec lo
Q V. &o /

Si analizamos la Fig. 1.2.4

Vi o

7/7/r
Fig. 1.2.4
 -17-

De Ec. 10

1/2 - /lX +-1

Q

Vs. ~
~ . ~L~ + i _ .,
Q \ Z&o Porque si la ganancia
del Amplificador Operacíonal tiende a infinito Vo = 0.

Si consideramos que •- / , entonces la Ec. 11 pode_

mos aproximar a:
12
O. Ic

'Con estas consideraciones podemos operar de la siguiente

manera:

Vi In /i por V-irm'
dio

Fie- 1.2.5

Que electrónicamente sería como lo indica la Fig. 1.2.6

En el punto a se cumple que;

J_ V,'
KR
 -18-

Ri

C In-
KR

wfi/r

Vrms

l'ig. 1.26. Detector de. Voltaje Rl-IS ;i,or métodos logarít-

micos „
 -19-

A de anotarse que la Ec. 12 es una aproximación de la Ec

11; y, que por lo tanto cuando V- es O, teneracs:

Vz = !<r . > I ~ . KT •# Ja.

a Ico Q
Vz - _AT z/? o
o

Lo que naturalmente no se cumple, pues en el punto que

V- ~ O, tenemos:

i + 1 - JCT r? '/

Vs - o

Por Lo tanto, en ese caso introduce <¿ste método un error.

De lo antedicho, se concluye que esta método es preciso

en el rango que I >=^Ico, e introduce un error cuando I es compara-
ble a Ico.

I . 2 . I . C . - POR DETECTORES CUADRATICOS.-

El circuito de la Fig. 1.2.7 muestra la siguiente opera-

ción:

La corriente que circula por la juntura Base-Emisor del

f-r.an^ 1 Pí"_or O PfiJTJÍí
vl
 -20-

Vt r m s

Fig. 1.2.7. Detector de Voltaje RMS con dispositivos

caadraticos.
 -21-

Y la salida de A., será:

.2
Vo
.2

El filtro R9 - C promedia esta señal en tiempo, obteni-

éndose la siguiente:

= K
TJ
o
ft2 ~¿.
-Ai

0» Q y R-T hacen lo mismo con Eo, obteniendo una señal:

Vé = JL. £T°Z
7^j2

Si Va 4 Vb, la salida Vo cambia hasta lograr que Va=Vb,

entonces:

7"
• .2 > t.

7-o

- Yt RMS

Los componentes R 0 > R. y C0 se utilizan para dar cierta

J 4 2
estabilidad al circuito, R. debe ser mucho mayor que R,, y C debe
Q j ¿.
ser pequeño para no afectar la velocidad de respuesta del sistema.

Finalmente, . el voltaje V-, puede ser solamente, positivo,

por lo cual se utiliza una red rectificadora de onda completa a la
entrada del sistema, así:
 -22-

nra

Fig. 1.2.

1.2.2.- MÉTODOS LUMINOSOS. -

Este método hace uso de la capacidad que tiene un dispo-

sitivo de entregar una señal proporcional a la cantidad de luz que
en él incide. De entre los más conocidos pueden citarse: los foto-
diodos, los, fototransis toree y fototiristores, cuyos símbolos se -
indican en la Fig. 1.2.9.

Fotodiodo

Fototransistor (darlington)

Fototiristor

1.2.9
 -23-

Cada uno de estos dispositivos, actúan básicamente as£:

'88

l=f(U
o-
FOTODISPOSU
TlVt)

vCt )
Vs
o-L-

Fig. 1.2.10

L - Intensidad luminosa

Donde: L es función de la potencia discipada en el foco

asi:

~ /</ •

L - K dt
T

/"_

7"
 -24-

1.2.3.- MÉTODOS TÉRMICOS.-

De entre los métodos más fáciles y más económicos, el me

todo Térmico es a no dudarlo el procedimiento más preciso de dete^
tar el valor RMS,

De entre los más útiles, pueden citarse los que utilizan:

1.- La Termocupla.
2.- Elementos semiconductores *

1.2,3.1.- LA TERMOCUPLA.-

El uso de la Termocupla como detector del valor RMS, se

basa en que el calor discipado en una resistencia es proporcional
al promedio del cuadrado del voltaje. Un instrumento que usa este
dispositivo funciona así:

Al aplicar un voltaje desconocido a los terminales de u-

na resistencia de alambre lo calienta, por efecto de la corriente
que por ella circula* Esto está asociado a una Termocupla que con-
siste en la unión de dos alambres diferentes escogidos de tal inane
ra que se crea un voltaje cuando se calienta la unión* La salida
de la Termocupla se conecta a un microamperí.metro muy sensible, el
cual da una indicación de la corriente alterna que pasa por el a-
lambre calentador. O también puede indicar el voltaje aplicado,
puesto que la resistencia del alambre calentador es conocida.

Los tipos de instrumentos de Termocupla que se usa para

medir magnitudes RMS se ilustran a continuación en la Pig. 1.2.11

a.- El tipo mutuo, hace uso de una Terrnocupla que le sirve de su

propio calentador, lo que le caracteriza como uno muy sensi-
ble.

b.- El tipo de contacto, tiene conductores de tal manera que el

 -25-

Fig. 1.2.11. Tipos de medidores con termocupla,

a.- Tipo mutuo.

b.- Tipo de Contacto,

c.~ Tipo calentador separado,

_ , 1
n
001
d.- Tipo puente.
 -26-

calentador está alejado, pero tiene la desventaja de que el micro-

amperírnetro cortocircuita el calentador.

c.~ En el arreglo del calentador separado, éste se mantiene aleja-

do de la Termocupla, pero aislado por una estructura de vidrio,
Esto hace inactivo al instrumento y también menos sensible que
el tipo de contacto, ya que hay un calentamiento del vidrio, a-
notándose que este tipo es muy útil en determinados trabajos.

d.~ El tipo puente, preserva la sensibilidad del tipo mutuo y evi-

ta el cortocircuito del tipo de contacto colocando el microam-
perímetro a través de la rama neutra del puente.

La sensibilidad de un arreglo de Tenrtocupla puede ser in

creiaentada colocando la Termocupla y el calentador asociado, en el
vacío. De esta manera se evita la pérdida de calor en el aire que
rodea el conjunto; al mismo tiempo la ausencia de oxígeno en con -
tacto con el calentador hace posible operar a tina temperatura mu-
cho mayor del que sería posible al aire libre.

1.2.3.2.- CON DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.-

Se basan en el calentamiento indirecto de un sensor, el

que cambia las características de coaducción de un elemento activo,
funcionalmente opera así como lo indica la Fig, 1.2.12.

V- ~ Señal de entrada
Vout = Señal de salida

Si V- sube, R0 se calienta más y por ende aumenta la ca-

I J
pacidad de conducción de Q-, , entonces se produce una mayor caída
de voltaje en R , en consecuencia V9 baja de su anterior valor de
funcionamiento, como consecuencia de ello Vout sube, en tales cir-
cunstancias por R circula una mayor corriente que lo calienta más
aún, dando opurcuaidad que Q9 condujera más, entonces V baja y
 -27-

v.(t)

Ri

Vout

r
t
1
1
1
1

i 1
1
1
1
HÍTÍ
,-,,.,,
i5

ntra

Fig, 1.2.12, Detector térmico de voltaje RMS.

Voat tiende a bajar, lo que. compensa el anterior efecto, por pro-

cedimientos regenerativos así analizados, Vout tiene un valor DC
que produce el mismo calentamiento en R, que lo que V (t) produce
en R^. Por lo tanto V-(t) y Vout tienen el mismo valor RMS, pero
Vout es DC, en cuyo caso tenemos:

yí — Voal
 -28-

1.3.- ESTUDIO DEL TIRISTOR.-

1.3.a.- FUNCIONAMIENTO.-

Los Tiristores son dispositivos semiconductores que fun-

cionan con características semejantes a las del Tiratrón (diodo de
gas). Diríase que con características de conmutadores, ya que su -
estado de funcionamiento depende de la realimentación regenerativa
en su estructura PNPN.

Dentro la familia de Tiristores, los SCR's y Triacs, fun

cionalmente se diferencian en que los SCR's son elementos unidirec
clónales, útiles para usos tanto con corriente continua como con -
corriente alterna; y, los Triacs que siendo bidireccionales, fun -
cionan principalmente con corriente alterna.

Para una mejor comprensión de su funcionamiento conviene

hacer uu análisis con un modelo equivalente a cada uno de los ele-
mentos citados, ello se justifica, dado que básicamente puede con-
siderarse a un SCR, como un transistor, al cual se le ha agregado
una cuarta juntura. Lo cual nos dice que la fácil comprensión del
funcionamiento de estos dispositivos comienza en el análisis de el
efecto de las regiones semiconductoras agregadas.

ANALOGÍA CON MODELOS EQUIVALENTES.-

CASO DE UN SCR.-

De la Fig. 1.3.1 puede decirse que la estructura del SCR

está formada por dos transistores bipolares: pnp y npn, esquemáti-
camente así como en la Fig. 1*3.2. Del análisis matemático de las
corrientes que circulan por el SCR asi representado, se obtiene la
siguiente relación:

}
 -29-

ANODO

P P
i
N N ! N
COMPUERTA
P P P

N N

Fig. 1.3.1 Fig. 1.3.2

entonces :

~ co

/ -f-

>/ ' = es una corriente negativa, ello di.

ce de una circulación de corriente
de cátodo a ánodo, que no es factl
ble de suceder, en consecuencia:
debe ser una cantidad menor que uno para que el
SCR funcione.

V^ __ . j t~, ,
¿=r **¿ ^r> ^^ ^ O.£T

Sabemos que oc varía al variar la corriente de colec-

tor, siendo diferente el comp o r tama i en t o del Gemanio y del Silicio,
así :
cr*
A
i
 -30-

De donde se ve la ventaja de trabajar con Silicio, razón

ésta para que los SCR's se construyan de Silicio y no de Germanit?.

La construcción con unidades de ^^ bajo, significa otra

ventaja adicional, que es: permitir usar una región de base más an
cha, que ofrece una mayor factibilidad de soporte de las tensiones
altas a que están sometidos estos dispositivos en su uso práctico.

Cuando el SCR se polariza directamente, o sea el poten-

cial ánodo positivo respecto al cátodo, en funcionamiento normal,
es necesario de una tensión positiva al electrodo de compuerta pa-
ra pasarlo al estado ON o de alta conducción, permaneciendo en a-
quel, aún cuando se elimine la tensión de compuerta o se haga ne-
gativa, hasta cuando la tensión de ánodo se reduzca a un valor i_n
ferior al mínimo necesario, que mantiene la regeneración*

Fig. 1.3.3

Analizando el modelo equivalente que simula el funciona

miento del SCR polarizado directamente: en la Fig. 1.3.3, cuando
el modelo está en estado OFF o estado de alta ímpedancia, la co-
rriente que circula por el dispositivo es cero; si se aplica un
pulso positivo a la base del transistor npn, aumenta el estado
de conducción da este transistor, que analizando sucesivamente ej>
te proceso, se llegaría a la conclusión que el dispositivo se envala
 -Si-

lo que significaría que puede llegar a conducir una corriente infi

nita, con la cual el dispositivo se quemaría, que naturalmente e -
lio no se cumple, porque las limitaciones físicas de carga estable
cen en un momento dado las condiciones de regeneración y corriente
máxima de circulación.
.*
Teóricamente, el modelo permanece en estado ON, hasta
cuando la corriente I se reduce a la mínima corriente de manteni-
miento, que en la práctica es apenas superior a cero, o sea aque -
lia a la cual ya no es posible mantener la regeneración necesaria.

Para mantener las condiciones de funcionamiento, la co-

rriente I debe aumentar, incrementando consecuentemente la co -
rriente de base del transistor npn y la corriente derivada por R¿j.,
implica obviamente un aumento en los requerimientos de la corrien-
te de enganche y retención.

De la Ec. 1.3.1, cuando los valores de «^o se incremen-

tan, intrínsecamente dice de un incremento de la corriente de co-
lector; y, en consecuencia de también un incremento del estado de
conducción.

La resistencia compuerta- cátodo difundida internamente e^

limina los efectos de la temperatura, ya que siendo los SCR's dis-
positivos regenerativoSj al incrementarse la temperatura, causa u-
na corriente que de migrar a la compuerta, llevaría al SCR a la re
gión activa, lo que significaría pasar al estado de conducción; y,
consiguientemente un flujo de corriente a través del Tiristor. Pe-
ro también puede utilizarce una resistencia derivadora entre com-
puerta-cátodo (R 4. de Fig. 1.3.3), para dar un camino a la corrien-
te 'de bloqueo que derive la juntura compuerta-cátodo, mejorando a-
sí la capacidad de bloqueo en estado ON, pero en cambio se está re
duciendo la sensibilidad de la compuerta.
 -32-

CASO DE UN TRIAC.-

Los Triaos son dispositivos que trabajan bidireccional -

mente; y, su modelo equivalente es semejante al de 2 SCR's en para.

lelo > as£: Ánodo

SCRt SC32

La compuerta de el Triac está dispuesta en forma tal que

para pasarlo al estado de conducción, lo hace al aplicársele una *•
tensión positiva o negativa y cualquiera sea la polaridad a los
terminales principales.

El apagado de los Tiristores puede obtenerse por una in-

versión de la tensión a los terminales principales, no así para
los Triacs; pues, en tal caso, la corriente circula en sentido con
trario.

1.3.b.- CARACTERÍSTICAS DE TENSIÓN Y CORRIENTE.-

Las curvas características de tensión-corriente de los

Tiristores indican que estos dispositivos son ideales para la con-
mutación de potencia. Pero, para su funcionamiento dentro de un
margen de máximo rendimiento, con.flabilidad, comportamiento y dura,
ción, se les debe hacer trabajar bajo los regímenes máximos especi
ficados, los cuales se analizan a continuación.
 -33-

CORRIENTE DE

SOSTENIMIENTO

TENSIÓN DE
RUPTURA

J?ig. 1 . 3 . 4 . S C R TR1AC

REGÍMENES DE TENSION.-

Puesto que el Tiristor soporta tensiones altas de blo-

queo directo e inverso. Es de gran importancia los conocimientos
de los regímenes de tensión, porque el encendido de los Tiristo-
res puede sucederse, no únicamente por "gatillados", ñiño porque
al llegar a ciertas condiciones que son límites de funcionamien-
to normal, pueden suceder encendidos; por ejemplo: por avalan
cha, perforación de tensión o por una elevación rápida excesiva
de la tensión cuando el Tiristor está apagado.

Devido a que el Tiristor soporta tensiones altas de

bloqueo directo e inverso, tiene una región de base (tipo N),
bastante ancha que lo soporta.

La ruptura por avalancha, se produce cuando en dicha

base, el campo eléctrico sobrepasa el campo eléctrico límite, en
el cual los portadores han adquirido energía suficiente como pa-
ra moverse libremente que al chocar producen pares electrón -
hueco. Cuando la contaminación es leve, aumenta la tensión de a-
valancha.

La perforación ocurre cuando con polarización directa,

el ancho de base se anula para algún valor de tensión.
 -34-

Cuando a un. Tiristor se le aplica tensiones de línea, ya

sea el momento de aplicarla, dependiendo que tan rápido aumenta e-
se transiente, el dispositivo pueda pasar al estado de conducción
sin necesidad de haberlo disparado. Esto sucede porque cuando la -
rapidez de aumento de tensión de estado NO supera el régimen .....
dv/dt del dispositivo, lo que significa que la capacitancia inter-
na del Tiristor hace circular una corriente de carga a través del
elemento, siendo ésta igual a:

/' - Q
db

Para evitar estos falsos gatillados, se usan los Xiristo

res de acuerdo a la necesidad, por ejemplo para aplicaciones donde
puedieran existir transis torios pequeños y rápidos, se usarían dis_
positivos con regímenes de tensión mayores que el transistorio más
alto previsible. En cambio en aplicaciones con mayores exigencias,
se usarían Tiristores que cumplan esas condiciones, o de ser nece-
sario células que recorten dichos efectos, o también se. prevés el
uso de amortiguadores, como por ejemplo: el RC, que en tales con.dj.
ciones el régimen dv/dt está limitado por la impedancia de circui-
to de carga y del valor RC.

REGÍMENES DE CORRIENTE.-

Los regímenes de corriente están determinados por:

Régimen de temperatura máxima de juntura.
Resistencia térmica entre juntura y carcaza.
Discipación de potencia intex*na por efecto de la circulación de
corriente principal.
Temperatura ambiente.

La discapación máxima promedio de potencia directa es i-

gual a la ¿iíereneic. do la temperatura rfo funcionamiento máxima y
 -35-

la temperatura máxima de carcaza, relacionada con la resistencia

térmica entre juntura y carcaza, osea:

Coa este dato, y con el conocimiento da determinado ángu_

lo de conducción, puede hallarse el régimen de corriente directa,
de los gráficos de régimen de disipación de potencia.

Los regímenes de corriente se basan según como se ha he-

cho el montaje del dispositivo, así: si se lo ha hecho sobre un di,
sipador, prima la temperatura de carcaza; pero, si montado sobre -
sus terminales, los regímenes están basados en la temperatura am-
biente.

El régimen de corriente máxima promedio de estado ON, en

el caso de SCR's se especifican para corrientes de media onda, míen
tras que para los triacs está dado solo en valoTñs eficaces, por-
que son elementos que se usan con corriente alterna.

Guando los Tiristores se usan con carcas capacitivas, se

debe tomar precauciones, para limitar la corriente de pico.

Cuando la temperatura de juntura máxima admisible es al-

canzada; y, en ese momento se sobrepasa el límite máximo de sobre*-,
corriente^ transitoria, el Tiristor no puede bloquear la corriente
dé bloqueo de estado OFF, razón esta para que luego del aparecí" . -
miento de una sobrecorriente transitoria, se deba dejar que trans-
curra un tiempo, hasta cuando la juntura recobre su temperatura de
funcionamiento normal, y con esto, el control ¿e la compuerta.

Los regímenes de sobrecorriente están dados para los Ti-

ristorcs pnra valores pico, lo que ayuda al escojitamiento de fusi.
bles y disyuntores que protejan a dichos dispositivos, porque e.s -
 -36-

tas sobrecorrientes transitorias cada vez que se suceden degradan

su vida útil.

Al analizar el Tiristor con un modelo equivalente se ha-

bló de las corrientes mínimas de funcionamiento normal o corrien -
tes de retención y enganche. La corriente de retención es aquella
de mínimo valor que mantiene al dispositivo en estado ON; y, si la
corriente anódica disminuye por debajo de ese valor, el Tiristor -
sale del estado de conducción y pasa al estado de no conducción.
La corriente de enganche es la mínima requerida para mantener la -
conducción cuando no hay señal de compuerta.

El conocimiento de la corriente de enganche es importan-

te cuando el Tiristor ha de usarse con cargas inductivas porque la
inductancia limita la velocidad de aumento de corriente de ánodo.

Cuando el Tiristor al pasar al estado ON, lo hace por e-

fecto de pulsos de disparo., la circulación de corriente se produce
primeramente a las inmediaciones de la compuerta, requiriéudose un
lapso breve de tiempo para que se difunda por todo el material; pe
ro, si la rapidez del crecimiento de la corriente anódica es gran-
de tal que se compara a la anterior, se producen localizaciones a-
leatorias de energía, en consecuencia, puntos de alta temperatura
que pueden alterar las características de los Tiristores, en casos
peores, dañarlos. Razón ésta para que los fabricantes especifiquen
el régimen di/dt para valores de. corrientes de disparo, por cur -
vas *

I.3.C.- CARACTERÍSTICAS DE COMPUERTA..-

Se ha dicho que la compuerta de un Tiristor, ejerce la

función de control. Los fabricantes dan especificaciones de ten
sión y corriente en formas de Lugares Geométricos de loe límites
máximos y mínimos de impedancla de compuerta, constituyéndose di
chos puntos en las diferentes condiciones de disparo.
 -37-

ÁREA DE

16 TRA3AJO

2 4 6 8 10 2 4 6 8
Corriente do compuerta Comente de compuerta

Anchos de los pulsos

Fin. 1.3.5

El voltaje directo de ruptura de un Tlristor puede ser

variado o controlado por la aplicación de una señal en la compuer_
ta, ya que al aplicar dicha señal, conforme se va aumentándola., la
disponibilidad del Tiristor por soportar la tensión aplicada, se re_
duce, hasta cuando habiéndose llegado a un valor determinado el
dispositivo conduce.

Puesto que el Tiristor conduce cuando se sobrepasa la

tensión de ruptura, puede producirse disipación instantánea que de
no estar dentro de los regímenes normales de funcionamiento, po-
día el disparo no tener una condición reversible. Razón ésta para
que se trabajen condiciones de tensiones inferiores a la de ruptu-
ra; y, con señales de compuerta suficientes que aseguren un encen-
dido completo.

El comportamiento del Tiristor en los diferentes modos -

de funcionamiento difieren dependientemente del sentido de la co -
rriente anódica respecto a la corriente de compuerta, siendo meno-
res los requerimientos cuando son en el mismo sentido.

Como muchos otros parámetros de dispositivos semiconduc-

 -38-

tores, las magnitudes de la corriente y el voltaje de compuerta pa

ra el disparo varían con la temperatura de juntura, ya que con un
aumento de la excitación térmica de los portadores en los materia-^
les semiconductores, la corriente de fuga sufre un incremento que
a la postre significa facilitar el disparo con una señal de com -
puerta.

Por lo antedicho, la coaipuerta se hace más sensible con

incrementos de temperatura de juntura. Por el contrario, cuando -
un Tiristor va a operar en condiciones de bajas temperaturas, se -
debe suministrar suficientes corrientes de compuerta que aseguren
el disparo de todos los dispositivos a las más bajas temperaturas
de operación de cualquier aplicación particular.

1.3.d.- CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN.-

Las especificaciones de los Tiristores se basan en la

cantidad de calor que generan dentro del bloque semiconductor que
forma el dispositivo; y, en la habilidad que éste tiene en transfe_
rir dicho calor hacia la envoltura externa.

Para aplicaciones en las cuales se requiere un alto

dimiento para la conmutación de valores muy altos de corrientes de
pico, pero de anchos pequeños de pulso, la energía interna disipa-
da durante el proceso de transición debe estar determinada, permi-
tiendo así no salirse de las especificaciones de trabajo del disp_o
sitivo.

Cuando los Tiristores se dispara por medio de señales de

compuerta, sv, encendido se realiza en dos etapas: un tiempo de re-
tardo y un tiempo de crecimiento. El Tiempo da Retardo se define
como el intervalo entre el punto del 107o del lado inicial del vol-
taje de disparo en la compuerta y el punto del 10% d4. la corriente
principal pai:a uua carga resistiva. El tietnpn de Crecimiento o de
 -39-

subida, es el requerido para que la corriente principal crezca del

10 al 9070 de su máximo valor. De lo antedicho las dos etapas se -
cumplen desde la iniciación, de la señal de compuerta hasta cuando
la corriente anódica alcanza el 9070.

Si bien el Tiristor es afectado de alguna manera por el

voltaje pico en estado GFF, y la corriente pico en estado ON, el -
tiempo entre estados (turn-on) es influenciado primeramente por la
magnitud del pulso de corriente de disparo, así:

CORRIENTE DE
ÁNODO

Corriente directo máximo

b.- PULSO DE'

Di SPARO DE
COMPUERTA

Fig.

Un cambio más rápido cuando hay mayor estímulo desde la

compuerta, resulta de una disminución en el tiempo de retardo aso-
ciado con el Tiristor debido a la densidad de corriente en la peri
ferie compuerta- cátodo.

De mayor importancia en el intervalo de tiempo que el Ti

ristor pasa al estado de conducción es la relación entre el volta-
je del Tiristor y el flujo de corriente principal; pues, en ese ?".n_
 -40-

tervalo la caída de voltaje dinámica es alta y la densidad de co-

rriente puede producir regiones calientes, localizadas dentro del
material. De lo anotado es importante entonces, que la disipación
de potencia no se exceda de lo permitido para ese lapso.

El tiempo de transición de un Tiristor puede asociarse -

solamente con los SCR, ya que en los triacs un voltaje inverso no
puede ser usado como voltaje de cambio de estado, porque un volta-
je inverso aplicado a la mitad de la estructura significa un volta.
je directo para la otra mitad. En los SCR's, el período de recupe_
ración de compuerta como se muestra a continuación:

dv/dt/ -

Valor pico de ia corriente inversa

Fig. 1.3.7

Cuando la corriente directa de un SCR se reduce a cero

al final del período de conducción, la aplicación de un voltaje -
inverso origina un flujo de corriente inversa hasta el momento en
 -41-

que dicha corriente pasa de su valor pico a uno de estado estable,

este tiempo transcurrido se conoce como el de recuperación inver-
sa. Un segundo período de recuperación, llamado el tiempo de recu-
peración de compuertas transcurre para que la juntura en bloqueo
directo establezca una región de agotamiento, para que al ser rea-
plicado el voltaje de bloqueo directo, el Tiristor lo bloquee con
éxito. El tiempo de recuperación de compuerta de un SCR es ordina-
riamente mas largo que el tiempo de recuperación inversa. Así, el
tiempo total que transcurre desde que la corriente de recuperación
inversa fluye, hasta el inicio del voltaje directo de bloqueo rea-
plicado, se llama tiempo de conmutación del circuito al estado
OFF. Este tiempo depende de varios parámetros a saber:
- Corriente de conducción antes del cambio,
- Velocidad de cambio de la corriente durante la transición de es-
tado directo-inverso.
- Voltaje de bloqueo inverso.
- Velocidad de cambio de voltaje directo reapiicado*
- Nivel de disparo en la compuerta*
- Polarización de la compuerta.
- Temperatura de juntura.

De los puntos anotados los que tienen mayor significa-

ción son la temperatura de juntura y la corriente de estado de con.
ducción, ya que los otros serían importantes en caso de poder
obtenerse para aplicaciones específicas.

Para usos en que los SCR's sirven para controlar poten-

cia AC de 60 Hz, la mitad negativa de la onda sinusoidal, es condj.
cióa mas que suficiente para cambio de estado. En aplicaciones en
las cuales los SCR's se usan para controlar salidas de puentes re_c
tificadores de onda completa, en realidad no hay un voltaje inve_r
so; y, el cambio, de estado ON a estado OFF, puede lograrse sola -
mente cuando la salida del puente se reduce a cero voltios o la co
rriente principal se reduce a un valor menor que el do la. corrien-
te de retención. Puesto que los tiempos de cambio, a estado OFF ,
 -42-

no se asocian con los Triaca devido a su estructura física, se in-

troduce un nuevo término llamado "razón crítica de aumento de vol-
taje de conmutación", que significa la habilidad del Triac de con-
mutar un valor fijo de corriente bajo condiciones específicas; es-
to puede axplicarse considerando dos SCR's conectados en paralelo,
pero, inversamente el uno del otro como en la Fig. 1.3.4.

Se supone que el SCR-1 está conduciendo y hay una co-

rriente directa establecida, luego de que el flujo de corriente
principal pasa por el nivel de referencia cera, una pequeña co-
rriente circula por el SCR-1, hasta que este cambie al estado OK£;
la corriente principal entonces, es desviada for el SCR-2, supues-
to que contiene suficiente corriente de compta&rta.

Dado que en la estructura de el Triac, las junturas de

bloqueo son comunes a las dos mitades del dispositivo, por lo que,
cuando conduce la primera, una cierta cantidad' de carga se acumula
en la región de tipo N, resultado del flujo &E la corriente anódi-
ca; cuando esta corriente se reduce a cero, miia pequeña corriente
inversa se establece producto de la carga restante en dicha región
dado que esta corriente de recuperación iwersa significa para
la segunda mitad una corriente directa que guede ocacionar el
cambio de estado OFF al estado de conducción, en ausencia de una
señal de compuerta, lo que significaría una perdida del control de
potencia del dispositivo, a menos que existiese un intervalo de
tiempo en el cual se asegure el cese de conducción. Razón ésta pa-
ra que los fabricantes suministren los datos completos sobre la ca
pacidad de conducción del dispositivo bajo rráximas condiciones de
corriente y temperatura de envoltura, permitiendo así un uso ñor.-
mal en AC y con fuentes de 60 Hz.

1.3. e.- TENSIÓN Y NIVELES DE DISPARO. -

T ,9 £ £mr) e T~X t.-n ra ó £ j TI n tu ra d r-í s f*ro.p f.fvfc T) a p i?, 1 imp o r t a.n te , ya

que varía inversamente con el valor absoluto de la corriente y ten
 -43-

sión.necesaria para el gatillado; así, a mayores temperaturas de

juntura, disminuye la señal de compuerta necesaria para producir
el disparo del Tiristor. Lo antedicho establece que la peor condi-
ción de disparo sucede cuando la mínima temperatura.

Una característica importante es el conocimiento de la

máxima señal de compuerta, que a la máxima temperatura de juntura
no dispare al dispositivo, constituyéndose así en la medida del-ni
vel de rechazo de ruidos de un Tiristor.

Los fabricantes especifican la corriente de compuerta cc>

mo el valor DC requerido para pasar a un Tiristor al estado ON, pa
ra fines prácticos este valor puede considerarse como un pulso de
corriente de 50 microsegundos de ancho; para anchos menores de pul.
sos se debea usar las curvas de pulsos de corrientes asociadas con
cada dispositivo para asegurar su funcionamiento. En la práctica ,
el encendido por pulsos debe hacerse con valores absolutos que su-
peren el nivel DC especificado por el fabricante, lo que ofrece
ciertas ventajas corno:
- Reduce las variaciones en el tiempo de encendido.
- Aumenta la capacidad de la rapidez crítica de aumento de la COTV
rrlente de estado ON»
- Reduce al mínimo el efecto de la variación de temperatura en las
características de disparo.
- Permite tiempos de conmutación breves.

Cuando al Tiristor se lo dispara, siendo grande la co~ *?

rriente anódica, la conducción se realiza por la parte mas sensibfe
del cátodo ocacionando esto, localizaciones de energía que pueden
causar daños irreversibles al dispositivo, a menos que la rapidez
de aumento de la corriente, principal se reduzca a niveles tolera *•'•
bles, para que ésta se difunda por una mayor área cuando a la com-
puerta se aplica una señal mucho mayor, inicialmente se enciende
una mayor parte del cátodo, lo que reduce el tiempo de encendido;
y, el dispositivo puede soportar un pico rp?.yor ríe corr5.e.nte an.ócii-
ca«
 -44-

1.4.- TÉCNICAS DE DISPARO DEL TIRISTOR.-

Al disparar los Tiristores, debe cumplirse como primer

requerimiento que la corriente de compuerta sea de amplitud sufi -
ciente que satisfaga las especificaciones técnicas dadas por el fa.
bricante. Requerimientos que son dados en términos de corriente y
tensión DC. Devido a que es usado mas a menudo el disparo por pul-
sos, es necesario tomar en cuenta el tiempo de duración del pulso,
ya que debe suministrarse durante el encendido del Tiristor. A me-
dida que aumenta la amplitud de la señal de disparo de compuerta,
el tiempo de encendido del dispositivo disminuye.

1.4.a.- REQUERIMIENTOS DEL CIRCUITO DE DISPARO.-

La complejidad del circuito de disparo, depende de la a-

plicación que se le va a dar al Tiristor, por ejemplo: cuando ha
de tratarse con cargas inductivas, el pulso debe ser suficientemen
te largo, porque la itxductancia controla el aumento de corriente
en el tiempo de encendido, razón por la cual la corriente princi-
pal demora un poco hasta al cansar el nivel de la corriente de en-
ganche»

Con el disparo por pulsos, se conoce inicialmente el an-.

cho del pulso necesario para encender el Tiristor, para determina-
da potencia de entrada de compuerta; y, con el conocimiento de las
curvas de encendido, que ofrecen la posibilidad de diseñar el cir-
cuito básico de disparo haciendo uso de la línea de carga. Este t_i
po de curvas se indican en la Fig, 1.4.1, para un dispositivo es-
cojido al azar.

De la Fig. 1.4.1, puede anotarse lo siguiente:

1.- La existencia de dos tiempos de encendido, ello es

producto de la variación de las curvas características de disparo
de compuerta para elementos de la misma familia.
2«- Devido al mayor factor de sobre excitación involucra
 -45-

do, la misraa corriente de compuerta que se aplicaría para encender

un dispositivo, si se lo aplica a otro de menor corriente, el en -
cendido se logrará en menor tiempo.

Poro 1=25°

Tiempo do
2 Js
encendido
(useg)

cientos de.
Corciente de compuerta — (miüampenas).-

F ig. 1.4.1

La línea de carga en las curvas de pulsos de disparo, se

traza con el conocimiento de la tensión de fuente de polarización
y un punto ligeramente por encima de la intersección de la corrien
te de compuerta requerida y la curva de máxima resistencia de com-
puerta, según se indica en el ejemplo trazado en la Fig. 1.4.3..; de
lo anotado se puede encontrar ya, la resistencia máxima del circuí
to (Re de la Fig. 1,4.2).

'Re. ™— -

La potencia pico de compuerta se calcula en el punto de

tangencia, que nos ha proporcionado el ancho del pulso (P2) . El re
gimen de potencia promedio de la compuerta está dado por el fabri-
cante, como dato del dispositivo (Pl) . De los datos así obtenidos,
podemos determinar la frecuencia máxima de los pulsos.

JB.

Si uu hay discipación de potencia inversa, el régimen de

 _v
Re

Fuente
do pulso/") Es

Fkj. 1.4.2

Resistencia máxima de compuerta^

11 . . u
mm¡ma
a -ancho de pulso Cus)

V 40

O 2 4 6 10 12 14 16
i de compuerta

Fig. 1.4.3, Característica do compuerta

 -46-

discipacion de compuerta total es el especificado por el fabrican-

te. Sí hay discipación de'potencia inversa la frecuencia se reduce
a la mitad. En consecuencia hay que mantener una relación muy es-
trecha entre frecuencia máxima de pulsos, ancho de pulsos, poten-
cia promedio de compuerta y discipación de compuerta promedio, pa-
ra mantenimiento en el área de trabajo de la compuerta.

En general el circuito de disparo debe cumplir los reque

rimientosj de tal manera que pueda ofrecer un disparo confiable ,
que garantice el disparo, dentro de márgenes de confiabilidad.
 C A P I T U L O II

E S T U D I O DEL T R I AC
 -47-

2.1.- DESCRIPCIONo-

El Triac es un dispositivo semiconductor de tres termina

les; que al aplicársele una señal a uno de ellos (compuerta), pasa
de un estado de alta a uno de baja impedancia.

>
El Triac, llamado también Tiristor Bidireccional, es un
dispositivo que trabaja con tensiones alternas»

Los Tiristores ofrecen las ventajas técnicas y benefi -

cios del uso de las funciones básicas de conmutación y control cíe
,fase, con dispositivos de estado solido. Sin embargo en algunos ca.
sos el uso de estas funciones básicas esta limitado por el costo,
tamaño, complejidad o reabilitamiento.

El desarrollo del Triac estaba basado sobre un estudio

continuado da las varias formas de mejorar el uso de estas funcio-
nes básicas, incluyendo evaluación de circuitos y componentes.
T

2.2.- PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS TERMICAS_._~

La estructura básica de el Triac se muestra en la Fig.

2.1, La región comprendida entre el terminal Mil y el terminal MT2
es un conmutador ENPN en paralelo con un conmutador NPNP. La re
gión de la compuerta es un arreglo mas complicado que puede ser
considerado para operar en cualquiera de los 4 modos siguientes:

I.- Compuerta polarizada directamente.

II.~ SCR normal con juntura de compuerta.
III.- SCR complementario de compuerta remota con excita-
"^ ción positiva.
IV.- SCR de compuerta remota con excitación negativa.

La Fig. 2.1, muestra también el sirabolo del Triac, orien

tado según la forma de su estructura. Nótese que el símbolo, a pe-
sar de que no es el definitivo, está compuesto por el símbolo
 -48-

tado del SCR, combinado con el símbolo de un SCR complementario.

Debido a que los términos ánodo y cátodo no son aplicables para el
Triac, las conecciones son simplemente designadas por números. El
terminal MTl es el punto de referencia para mediciones de voltaje,
al terminal compuerta y al terminal MT2.

La características de voltaje y corriente de el Tri-

ac, Fig. 2.2, está basada sobre el terminal Mil como punto de refe
rencia.

TERMINAL MT3

DISIPADOR MT2
//r/ff/u/ffff/ffr/fA tff/r//frffffff/-t tr/ o
P

N N

N P

COMPUERTA MTl Ó
MTi

Fig. 2.1

CURRANTE 1
MT2 H-

CUADRANTE

MT2-

Fig. 2.2

El pr5.iner cuadrante, Q-I, es la región donde KI2 es

 -49-

tivo respecto a KTl y viceversa para Q-III. El voltaje de ruptura

Vrt, en ambos cuadrantes (sin señal de compuerta), debe ser mas al
Bu
to que el pico de la onda AC aplicada, para tener control por la
compuerta. Una corriente de compuerta de amplitud específica de am
bas polaridades disparará el Triac a conducción en ambos cuadran'-
tes, pues con ello se está logrando disminuir el voltaje V 0 -, Si
.DÜ
V_. es excedido, aún transientemente, el Triac se disparará al es-
BO
tado de conducción y se mantendrá en ese estado hasta que la co-
rriente caiga por debajo de la corriente de mantenimiento 1^. Esta
acción prevée que se debe hacer uso de dispositivos auxiliares que
inmunicen al Triac de estos efectos.

En algunas aplicaciones, el encendido del Triac por seña

les transientes, produce resultados indeseables o al azar para cij:
cuito alguno, por lo que es necesario prevenir estos encendidos,
aún cuando el Triac no sea dañado por estos transientes.

Los rangos de corriente del Triac están basados en la

máxima temperatura de juntura, igual que para los SGR's* Los ran-
gos de corriente para baja conducción están deteírminados por la
disipación de potencia y la resistencia térmica de juntura a car-
caza basada en el calentamiento propio de la envoltura propiamen-
te dicha o disipador.

Si la temperatura de envoltura es permitida subir por en

cima del valor límite, que determinen las especificaciones, el TrjL
ac no puede garantizar largamente que puede soportar el voltaje l_í
míte, o el apagado cuando la corriente principal pase por cero.

Para cargas inductivas, por la diferencia de fase entre

la corriente de línea y el voltaje de línea, e3 momento que la co-
rriente cae al valor de la corriente de mantenimiento y el Triac
cambia al estado de no conducción, un cierto voltaje de línea debe
aparecer a través del Triac. Si este voltaje también aparece rápi-
damente, el Triac inmediatamente reasumirá la conducción. Para lo-
grar una conmutación adecuada con cargas inductivas, se limita la
 -50-

velocidad de conmutación con un circuito RC en paralelo con el

Triac, o reduciendo la corriente, voltaje, cambio de fase o tempe-
ratura de juntura.

2.3.- CARACTERÍSTICAS DE DISPARO.-

Desda que el Triac puede ser disparada con corriente po-

sitiva o negativa de baja energía en ambos cuadrantes de funciona-
miento, el diseño del circuito tiene una amplia libertad para la
selección del control.

El disparo puede ser logrado de diferentes maneras: por

DO., A.C rectificada, AC, por una fuente de pulso.; con transistor de
unijuntura. lámparas de neón, diodos de conmutación, tales como el
diac (ST-2), el conmutador bilateral de silicio (SBS) y el conmuta
dor de disparo asimétrico (ST-4).

Los modos de disparo del Triac son:

MT2 4-, Compuerta f, I -i-; Primer cuadrante, corriente y voltaje de

compuerta positivos.

MT2 + , Compuerta - , I - ; Primer cuadrante, corriente y voltaje

de compuerta negativos.

MT2 - , Compuerta + ; III + ; Tercer cuadrante, corriente y volta-

je de compuerta positivos.

MT2 - ; Compuerta - ; III •- ; Tercer cuadrante., corriente y volta-

je de compuerta negativos.

La sensibilidad de el Triacs es mejor en los modos I + y

III -. El modo III -I-, no debería usarse, a merxcs que se lo requie-
ra para circunstancias especiales. En tal caso., el Triac debe ser
 -51-

seleccionado especialmente según la aplicación y debería ser espe-

cificado.

La característica Voltaje-Corriente de compuerta de el

TRiac, muestra como una impedancia baja no Imeal entre compuerta
y terminal MTl. La característica es similar a un par de diodos co
nectados inversamente en paralelo.

Debido a que en algunos modos, la característica dada es

similar a la compuerta de un SCR, los requerimientos de la compuer
ta están especificados igual que los SCR's.

2.4.- TEORÍA DEL TRIAG.-

Cuatro conceptos básicos de los Tirisuores, proveen in

formación de la teoría de la operación de un Tiristor bidireccio
nal o Triac, estos conceptos son:

a).- El básico Tiristor de bloqueo inverso (SCR),

b).- El Tiristor de emisor cortocircuitado.
c).~ El Tiristor con compuerta de juntura.
RGK COMPUERTA

Fig. 2.3

La figura dibujada es la estructura típica de un tiris-

 -52-

tor de juntura, inicialmente, la corriente de compuerta I polari-

za directamente la juntura de compuerta P9-N^. de la estructura au-
xiliar P--N--P9-N., y esta estructura, enciende el modelo PNPN, co-
mo P--N--P -N_ se prende, la caida de voltaje a través de el disp_o
sitivo baja, y la sección de la parte derecha se mueve hacia el p£
tencial de cátodo, estableciéndose una gradiente de potencial
transverso a través de P9; y fluye una corriente lateralmente a
través de Prt.

Corno la orilla de la región P9~N queía polarizada dire_c

tamente los electrones son inyectados a este pursto y la estructura
principal se enciende.
d)0- Tiristor de compuerta remota.

*iaK3*r!^m:2tt!ai&ix-Kiitr.aafaK9M*Sf,
Na

awrxii.rr-.ir.; i

ÁNODO °-W'l'Il--O COMPUERTA

Fig. 2,4

Un Tirístor de compuerta remota es unr que puede ser dis

parado sin contacto ohmico u otro de la región ¿e base interna.

La corrieiite externa de compuerta I l:ace que la juntura

G
P_-N quede directamente polarizada, e inyecte electrones como se
muestra. Estos electrones que se difunden a trares de la región P-
son colectados por la juntura P -N . Nótese q:o la juntura P,-N-
puede actuar como uri colector directamente polarizado, ya que el
flujo eléctrico está asociado con esto, es la m: ^ina direcciíu como
si la Jjuntura P,-N,
1 i estuviera inversamente polarizada,
. - • • - - • - • como
• - - normal
> • • • _
 -53-

tnente está un colector. Los electrones inyectados desde K0 son co

j
lectados por la juntura P N causando un incremento de la corrien
te a través de dicha juntura, en consecuencia comienza la regenera.
ción y la estructura se activa.

El trabajo de los cuatro dispositivos citados, combina -

dos en uno solo da como resultado el Triac, que puede bloquear el
voltaje en cualquier dirección, conducir corriente en cualquier di
rección y ser disparado en cualquier dirección por una señal de
compuerta positiva o negativa. La Fig. 2.5 muestra el dispositivo
que opera como sigue:

a)«- Terminal principal número 2 positiva, corriente de compuerta

positiva.- En este modo el Trlac se comporta como un Tiristor
• convencional. Las partes activas son: P N P~ '^o •
b).- Terminal principal número 2 positivo, corriente da coapuerta
positiva.- El funcionamiento es análogo al Tiristor con"cora -
puerta de juntura.
c).- Terminal principal número 2 negativa, corriente de compuerta
negativa.- Modo de compuerta remota, P í-L P, N, es la princi-
pal estructura. La juntura P~ N, inyecta el6Ctrcn.e$ que son
colectados por la juntura P~N, .
d),- Terminal principal número 2 negativo, corriente de compuerta
positiva.- La juntura P«N9 está polarizada e inyecta electros
nes que son colectados por P "N, . P^N, llega a ser polarizada
directamente.

La corriente a través de la porción P-N..P, N, se incremeri

ta y esta sección se prenda. En este modo, la operación es análoga
a cuando el Tiristor opera coa compuerta remota.
 -54-

COMPUERTA

Fig. 2.5. Estructura típica del Triac,

2-5.- CONMUTACIÓN PE TRIAOS.-

Una importante diferencia entre el use de un par de

SCR's y el uso de un Triac en circuitos de AC c.; que con SCR's
cada Tiristor tiene un medio ciclo para su apágalo, mientras el
Triac debe apagarse durante el corto instante er: que la corriente
de carga ceta pasando a través de cero* Para caicas resistivas es-
to es bastante simple, ya que el tiempo aprovechable por el Triac
para el apagado se extiende desde el momento que la corriente cae
po debajo de la corriente de mantenimiento, hasta cuando el volta-
je reaplicado excede el valor del voltaje de líiea requerido para
mantener la corriente de enganche. Con cargas iv.ductivas el traba-
jo de conmutación es mas dificultoso.

La Fig. 2.6 muestra las formas de ondí de voltaje y co-

rriente para un típico circuito con carga inductiva. Si examinamos
las formas de onda a corriente cero (punto de alagado), la respuejs
ta sería una forma de onda tal como la de la Fig. 2.7.

De las formas de onda de la corriente, de la Fig. 2.7,

 - 55-

puede verse que la corriente de recuperación está actuando como u-

na corriente virtual de compuerta y difícilmente el dispositivo
vuelve a prenderse.

CARGA

,~/^—,^.
U R
.'H!
Linea
A C
JL Cs Ci

dv/dt >. Voltaje a través dí^li Tnac

Punto '.¿te c o n m u t a c c i o n

Fig, 2 1 6* Fe mas rlc Onda par? indtictiva *

 -57-

Cornenfe del Triac

Vf

T
Corriente CorneTiitta debida a Cj
de
recuperaccion
Voltaje en si "Frltoc;

dv/dt

Fig. .2.7* Corriente y Voltaje en la 'Conmutación del

Triac.

En suma hay una componente de corriente inversa que es

debida a la capacitancia de juntura y la reapliczción del dv/dt.
Esta componente se suma directamente a la corriente de recupera-
ción, pero no aparece hasta cuando el Triac comitenza a bloquear po
larizado abiertamente..

NOTES- g
1 Tj -II5-C y
2 FC1 300'CCNCUCTICN ¿-,!

d¡/dt- AMPERES/ W¡LLIS£ CONO

Fig. 2.8.
 -56-

Como la porción de corriente de traslado (-dt/dt) de-

crese, la corriente de recuperación también dusminuye. Esto impli-
ca entonces que a di/dt's mas bajos es permitodb dv/dt's mas altos
para una conmutación determinada mas apta.

Un ejemplo de la relación antedicha ÍES muestra en la Fig

2.8. Si el dv/dt es mayor que este valor, en torces el circuito de
protección adicional debe ser incorporado. El método mas usado es
agregar una red RC, tal como R. y C_ mostradas en la Fig. 2.6. El
valor de estos elementos dependen de la carga, el voltaje de línea
y el Triac usado.

2.6.- RESISTENCIA TÉRMICA.-

El fabricante generalmente especifica para el Triac dos

valores diferentes de resistencias térmicas paya, el mismo disposi-
tivo. Esto en principio es imposible, pero pare comprender porqué
" esas dos características principales están ahí, analicemos:

2.6.1.- RESISTENCIA TÉRMICA JEDEC.-

Esta especificación de resistencia tármica, usualmente

dada en tablas de características de Triacs, e* una característica
térmica especificada como JEDEC para propósito! de estabilización
de dispositivos intercambiables. Es el valor obtenido midiendo el
pico de la temperatura de juntura, sobre el pinto de referencia de
la envoltura, producida por una potencia unidireccional DC disipa-
da en el dispositivo. El JEDEC se define asum'imdo la dirección de
conducción para la cual el valor de esta resistencia térmica apli-
cada da el mas alto valor de rendimiento; asuni.endo esa caracterís
tica térmica se deduce que no es totalmente Is misma para ambas djL
recciones de conducción.
 -58-

2.6.2.- RESISTENCIA TÉRMICA APARENTE.t~

Un Triac es generalmente utilizado en aplicaciones donde

se trabaja con tensiones alternas, consecuentemente, si se utiliza.
ría el valor de la resistencia térmica unidireccional ( JEDEC ) pst
ra efectuar el cálculo del rango de la temperatura máxima del en-
capsulado, podría producirse en el dispositivo algún efecto térmi-
co conservativo.

Para evitar esto, se establece un velor de resistencia

térmica aparente que cuando es multiplicada por el promedio de po-
tencia producida para una onda sinusoidal completa de corriente de
frecuencia específica, cediendo la temperatura de juntura instant¿[
nea al final de cada semiciclo de conducción de corriente.

El 'rango de corriente es así estabilizado a ese valor

instantáneo de temperatura de juntura al máximo valor del disposi-
tivo. Este asegura que el dispositivo está apto para bloquear el
voltaje en el intervalo de no conducción.

Esta resistencia térmica aparente de el Triac puede ser

representada por un modelo Y como el mostrado en la Fig. 2.9 (b) .

TIIQP Tji a p/e

R6C

Te Te

a.- Resistencia Térmica JEDEC. b.- Resistencia Térmica

aparente.

is. 2.9. Resistencia Térmica del Triac.

 -59-

Las ramas de la Y ( R^., Rü_ ) representa cada resisten^

UA U.D
cía térmica de aproximadamente la mitad del elemento de silicio
(operación para una polarización de corriente de circuito). El ra-
mal común de la Y representa la resistencia térmica de la base
del encapsulado desde el punto del elemento de silicio al punto de
referencia ( T ), También se ha establecido una curva de impedan-
u
cia térmica transiente aparente para uso en AC para cálculos con
corriente de sobrecarga.

Nuevamente el promedio de potencia producida por algunos

números de ciclos enteros de corriente AC multiplicados por el va-
lor correspondiente de impedancia térmica tomados de la curva, da-
rá el valor instantáneo de temperatura de juntura al final del in-
tervalo del medio ciclo de conducción de corriente.

2.7.- USOS DEL TRIAC.-

La versatilidad del Triac y la simplicidad de su uso lo

hace un dispositivo útil en una variedad de, aplicaciones de con
trol de potencia de tensiones alternas*

2.7.1.- CONMUTACIÓN ESTÁTICA.-

El uso del Triac como un conmutador estático en circui,-*

tos de ÁC da algunas ventajas sobre la conmutación mecánica. Permi
te el control de altas corrientes coa una muy baja fuente de poten
cia de control. Ya que el Triac "cierra" cada medio ciclo sin efe_c
to de rebote, y lo hace siempre a corriente cero, no hay arcos o
voltajes transitorios devidos a la energía almacenada en la carga
o líneas de potencia. En suma, hay una considerable reducción del
número de elementos comparado con otros dispositivos semiconducto-
res estáticos de conmutación.

El mas notable ejemplo de simplificación, de circuito es

 -60-

visto en el conmutador elemental estático mostrado en la Fig. 2.10

(a) . El conmutador de lectura magnética encapsulado en vidrio pro-
vee varios millones de operaciones de un imán permanente o un re-
lé electromagnético de DC. Devido a que los contactos están condu-
ciendo unos pocos microsegundos durante el encendido del Triac, u-
na amplia variedad de pequeños conmutadores de lectura, tal como
teles, termostatos, conmutadores de presión y conmutadores tempori
zadores programables . En algunos casos, el golpeteo de los contac-
tos de disparo puede ser eliminado, reduciendo así también su cos-
to.

Este circuito usa disparo de compuerta en los modos MT9+

con compuerta + y MI - con compuerta -. La Fig. 2,10 (b), muestra
el uso de un diodo de baja corriente en serie con la resistencia :
limitadora; y, en la tercera posición del conmutador para obtener
una simple tercera posición de control. En la primera posición, no
hay cotí-ección a la compuerta; y, la potencia está apagada. En la
segunda posición, la corriente de compuerta es permitida solamente
en un medio ciclo; y, la potencia en la carga es la correspondien-
te a la media onda. En la tercera posición, hay corriente de com -
puerta para ambos ciclos; y? la potencia es completa.

Como se muestra en la Fig. 2.10 (c), el conmutador puede

ser remplazado por el debanado de un transformador, este circuito
hace uso de la diferencia entre la impedancia del primario a cir -
cuito abierto y el caso de secundario a cortocircuito.

La resistencia R se escoje para derivar la corriente de

magnetización de primario a tierra. Este circuito provee control
con contactos de bajo voltaje aislado.

Otro uso de circuitos de conmutación son mostrados en la

Fig. 2.11, en aplicaciones del Triac para AC y DC.

El conmutador S 1 puede ser remplazado por un transistor

que es controlado por un tennis tor o una fotocelda, u otra señal .e
Icctrica como la mostrada en la Fig. 2.12.
 -61-

a.- Circuito básico de conmutador estático.

7
> o^

A C
24]
^ /O>
ÉJ*

b.- 3 posiciones de conmutador estático,

CARGA

A C

fRi

c.- Operación con bajo voltaje de control.

i/ ig. 2.10. Aplicaciones del Xriac como conmuatador

estático.
 -62-

L1NEA

A C CONTROL
A C°-r

Fig. 2.11. Conmutador estático con ÁC y DC,

O—

LINEA LINEA

O—

Fig. 2.12. Control de disparo con Transistores.

La señal ÁC de la Fig. 2.11 (b) podría ser de 60 Hz, es-

tando correctamente en fase con la tensión de línea, se obtendría
así, el disparo al inicio de cada semiciclo. Las frecuencias mas
altas sobre los 600 Hz, son también efectivas y reducen el tamaño
del período, pero produce muy leves irregularidades en el punto de
disparo, que usualmente son insignificantes. La selección de la
frecuencia puede ser obtenida por la selección del período, o por
el uso de otro conmutador estático o circuito de filtro para trabci
jo de control remoto o para cinta magnética programada de algún
sis teína* En algunos casos la seffal de disparo sería significativa-
 -63-

mente ON o OFF, ya que la sensibilidad del disparo del Triac no es

totalmente uniforme en arabas polarizaciones o arabos cuadrantes, y
no sería usado algunas veces como detector de umbral.

Las conecciones de los transistores de los circuitos de

la Fig. 2.12, son ideales para la conducción del Triac, o un
to de Triacs, de una fuente de bajo nivel de DC.

2.7.2.- ENCENDIDO CON DIODOS PE DISPARO.-"

Solamente cuatro componentes son necesarios para formar

un circuito de control de fase de onda completa, como lo muestra
la Fig. 2.14.

> 100a

0.1 uF

Fig. 2.14. Circuito básico de control de fase con Diac.

El potenciómetro RI y el capacitor CL son los únicos ele

mentos del circuito. Cuando el voltaje a través de C- alcanza el
voltaje de ruptura V del Diac (diodo de disparo bidireccional),
el condensador C1 se descarga parcialmente por el Diac a través de
la compuerta del Xriac. Estos pulsos disparan el Triac al modo de
conducción para el resto de la mitad de la onda. Disparando en los
modos 1+ y III- en este circuito. Sin embargo en este circuito se
tiene un rango de control largo y un efecto de histéresis bajo al
final de la salida, su simplicidad única lo hace útil para aplica-
 -64-

ciones de pequeño rango como son: lámparas, calentadores y control

de velocidad para ventiladores.

Para eliminar algunos de los problemas de este circuito

básico, se usa generalícente circuitos más sofisticados cuando se
requiere un rango de control mas completo.

Otros tipos de diodos de disparo bidlreccionales tales

como el conmutador de disparo asimétrico (ST-4).

2.7.3.- OTROS MÉTODOS DE DISPARO.-

En suma, para el Diac (ST-2) y ATS (ST~4) mensionados,

puede usarse dispositivos tales como el transistor de unijuntura
(UJT) y el transistor de unijuntura programable: (PUT), que pueden
ser usados para disparo de Triacs.
 C A P I T U L O III

E S T U D I O DEL C O N T R O L DE F A S E
 -65-

3.1.- PRINCIPIO DE CONTROL DE FASE,

Control de Fase es el proceso de la conmutación rápida

ON - OFF, que conecta una fuente de AC a una carga; para una frac-
ción controlada de cada ciclo. Esta es una manera altamente efi-
ciente para controlar la potencia promedio de cargas, tales como
lámparas, calentadores, motores, fuentes de DC, etc. Esto se con-
sigue mediante el control del ángulo de disparo, al cual se encien.
de el Tfristor, el dispositivo conducirá entonces el resto del se-
miciclo.

Hay varias formas de Control de Fase posible con el Ti-

ristor, como se muestra en la Fig. 3.1. La forma mas simple es el
control de media onda, como lo muestra la Fig, 3.1 (a), que usa un
SCR para control de la corriente en una sola dirección, este cir -
cuito es usado para cargas que requieren desde cero hasta mitad de
la potencia máxima y que también permiten o requieren corriente d_i
recta. La adición de un rectificador, según lo muestra la Fig ....
3.1 (b), provee un medio ciclo fijo de potencia, quedando el rango
de control de potencia desde potencia media máxima a potencia com-
pleta máxima, pero, con una componente de DC, fuerte. El uso de 2
SCR's, Fig. 3.1 (c), controla desde cero a potencia completa y re-
quiere de señales de compuerta aisladas, ya sea como dos circuitos
de control o un transformador de pulsos, acoplado desde un control
simple. Igual ángulo de disparo de 2 SCR's producen una salida de
onda simétrica que no tiene componente DC, por lo tanto una salida
de media onda DC reversible, se obtiene controlando la simetría
del ángulo de disparo. Una forma alternada de control de onda com
pleta está mostrada en la Fig. 3.1 (d) , este circuito trieue la ven.
taja de una compuerta de cátodo común conectada para los 2 SCR's.
Los 2 rectificadores evitan el aparecimiento ¿el voltaje inverso a
través de los SCR's, pero reducen la eficiencia del circuito por
la pérdida de potencia durante la conducción. El circuito rnás fie
xible, mostrado en la Fig. 3.1 (e), usa un SCK dentro de un puente
rectificador; y, puede ser usado para controlar ya sea ÁC u onda
completa rectificada DC. Los rectificadores 1racp.ii di* esta forma;
 -66-

la menos eficiente, y la conmutación es a veces un problema. Por

otra parte, usar un SCR para cada ciclo de la -mida es una objeción,
más eficiente de la capacidad del SCR, de ahí njprie la elección de -
la forma del circuito está basada en factores: económicos como tam
bien en los requerimientos del comportamiento «Sel circuito. El
más simple y eficiente método de control de potencia AC es usando
el Triac, como se muestra en la Fig, 3.1 (f) .

El hecho de que el Triac está controlado en ambas direc-

ciones por una sola compuerta y está autoprote&ido contra daños de^
bidos a alto voltaje transiente, le ha hecho el principal conten -
dor para control de potencia de 120 a 240 VAC.

3.2.- ANÁLISIS DEL CONTROL DE FASE,-

Los rectificadores y SGR's están catalogados en términos

de corriente promedia, debido a que este parámetro es fácilmente _i
dentificable por un amperímetro de DC. Puesto q¡ue las cargas AG
conciernen más a valores de corriente efectiva, o RMS, los Tráacs
se catalogan en términos de corriente RMS.

Las Fig. (3.2) y (3.3), muestran las relaciones de volta.

je RMS, pico, promedio, como función del ángulo de fase de disparo,
como también de la potencia en una carga resisíriva.

Debido a que el SCR es un conmutador,, aplica el vol*a je

a la carga, pero, el valor de la corriente despende de la impedan-
cia de carga.

La Fig. 3.4 muestra una gran variedad de circuitos de

SCR's para control de cargas AC y DC, junto a las ecuaciones apro-
piadas para voltajes y corrientes. Esta infoonación puede ser usa
da para la selección del mejor circuito para &n caso en particular,
y para determinar los rangos apropiados de semiconductores.
 -67-

a.- Control de media onda

CARGA

s
O --©—ÍO-

b.- Control de media onda más media onda fija.

CONTROLES

c.-- Control de onda completa.

 -68-

•DI

A c

.d,- Control de onda completa,

O—iCARGA •CARGA
! DC
A C

T
e.- Control de onda completa,

CARGA

A C LÚE
CONTR

f.- Control de onda completa para AC o DC.

Fig. 3.1. "Formas básicas de Control ae Fase»

 FACTOR

H*
CQ OQ
C

Cu
fl)
Cu O O
C
£•) *~i 3
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C
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Cu Cu C o
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•Cu O
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O
C CQ
E3
rt
SI*
o
to

P.
(D

Cu

0
to
t
 -70-

Onda completa rectificada,

Onda completa alterna.

Ángulo cíe conducción total = 2 ( 180 - 0 )

20* 40» 60* 80- 90* 100' 120* 140" 160' 100'

. - Fase del ángulo de disparo en grados.

Fig, 3.3.- Carta del análisis del control de fase de una

onda completa simétrica.
 -71-

1]
. .
. ..
- • ii
MÁXIMA C'C- MAXIMA CCP.RIrN
1
•
" •" "; "'' • j ' " '" "~ i :•. RRIEK7E OE TE DE ESTADO
MAX. VOLTAJE _EK LA RANGO FP.ECl'IX
f VOLTAJE ESTADO ES- ESTALLE EN EL
VOLTAJ CARGA EN i?UNCIOX DEL - — i- -L . Vf -

EL V O L ,'. XOTAS Y
-. ' -
PROHEDI CON*
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 -75-

3.3.- CONMUTACIÓN EN CIRCUITOS DE AC.~

La conmutación del Tiristor en circuitos de AC, usualmen

te no es un problema debido a la inversión periódica de la fuente
de voltaje. Hay casos sin embargo que pueden llevar a fallas en -
conmutar adecuadamente como resultado de insuficiente tiempo de a--
pagado o excesivo dv/dt del voltaje reaplicado, o ambos.

el circuito de la Fig. 3*5 que tiene 2 ...

SCR's, en paralelo inverso, con una carga inducltíva, al tiempo que
la corriente alcanza a cero, de manera que el SCB. en conducción
puede conmutar (punto A), existe un cierto voltaje, el cual debe a.
parecer como polarización directa sobre el otro SGR, La razón de
cambio de este voltaje depende de la inductancia y capacitancia
del circuito de carga, como también de las características de recu
peración inversa de los SCR's. En ciertos casos, un L di/dt tran-
siente puede ser observado como resultado del ajagado del SCR cuan
do la corriente cae bajo el valor de la corriente de mantenimiento
(L ) . La adición de un circuito serie RC en paralelo con los SCR's
o con la carga, puede redxicir el dv/dt a niveles aceptables. La »
magnitud de C es determinada por la impedancia ¿He carga y la limi-
tación dv/dt del SCR, el valor de R debe ser unu tal que atenúe
cualquier oscilación LC, con un valor mínimo determinado por la co
rriente de pico repetitivo del SCR producido curando los SCR's des-
cargan al capacitor.

Una solución alterna es obviamente el uso de SCR's capa-

ces de apagarse en un tiempo corto con un dv/afitt alto aplicado y un
alto voltaje.

En circuitos de alta potencia, ésta es a menudo la mejor

aplicación, debido al tamaño y costo de malíes RC adecuadas.

Las cargas inductivas AC en el circuito puenteado y SCP,

de la Fig. 3.6 tiene un efecto apenas diferente. La rápida rever-
sión del voltaje a los terminales de entrada del puente rectifica-
 -76-

dor no representa solamente un alto dv/dt, siu» que también reduce

el tiempo disponible para la conmutación. Si leus rectificadores u-
sados en el puente tienen un tiempo de recuperación reversa lenta,
comparado con el tiempo de apagado de el SCR la corriente de recu-
peración reversa es usualmente suficiente para ¿proveer tiempo ade-
cuado para la conmutación.

El uso de la malla serie R.. C_ no es práctico a la entra

1 1
da de los terminales del puente.
FUENTE

de CAR GX

^
VOLTVWE A TRAVEb
¿>£L SCR
fCARGA

Ldl/dt/"

Fig. 3.5. Supresión del dv/dt y transientes para cargas

inductivas.

DURANTE EL INTtTíVA'LO DE CONMUTAC.

R3 X_
t
V i
L R 1 7 1
r^r^ A
V\A : T
Ri

Ci
_5 '- VOLTAJE A
TRAVÉS DEL
í i
SCR /dv/vit

1r
*
1
r
\E A LA ENTRADA DEL PUENTE

TIEMPO DE
APAGADO

Fig. 3*6. Supresión del dv/dt incrementando la reversión

de voltaje.
 Una forma alternada de suprimir este problema es usar una
malla C9 R« a través del SCR, la cual limitará el dv/dt, pero en ton
ees será necesario un resistor R para preveer iau camino a la cir-
culación de la corriente (del orden de T ), para permitir suficien
n " ™
te tiempo de conmutación. El capacitor CL es grande y puede proveer
corriente de mantenimiento al SCR durante el período normal de con-
mutación y así evitar el apagado hasta que el capacitor se descar-
gue.

La carga AC inductiva tiene un efecto similar sobre la

conmutación del Triac, y la solución es obtener un Triac más rá-
pido o reducir el dv/dt con una malla RC.

Cargas DC inductivas, requieren a menudo la adición de

un diodo, que permite el paso libre de corriente, D, en la Fig.
3.7, para mantener el flujo de corriente cuando el SCR está apa-
gado.

CARGA DC
SCRi

D'TT
, - r
P
** R
L

—, 0
4rR

SCR2

-''Fig. 3.7, Circuitos para carga inductiva DC con diodos

que permiten libre oscilación.
 -78-

Cuando se usa para una carga DC inductiva en el circuito

puente, Fig« 3.7 (c), la inductancia causa que una corriente de
mantenimiento fluya a través del SCR y el rectificador puente du -
rante el tiempo que el voltaje de línea atraviesa el cero previnien
do conmutación.

La razón de corriente promedia requerida para el diodo -

D. es un medio de la corriente promedio máxima en la carga para
(a), y 1/4 de la corriente promedio máxima de carga para (b) y (c) .

3•4.- CIRCUITOS BÁSICOS PARA CONTROL PE FASE.-

Puede usarse, un oscilador de relajación, o cualquier gerie

rador de pulsos, adaptados para el control de fat~?.f Debido a que -
estos son simplemente de control de tiempo, se dtbe proveer sincro
nisrno con la fuente de AC. Esto se hace solamente tomando el volta.
je de entrada del oscilador, desde la fuente.

Eay varias maneras de conectar las varias versiones del

circuito oscilador básico, usando diferentes dispositivos semicon-
ductores de disparo, Tiristor, fuente y circuito de carga. Cada
combinación tiene propiedades únicas que deben s?;r consideradas peí
ra la selección de un circuito para obtener la función deseada.

3.4.1.- _CONTRQL_DE FASE DE HEDÍA ONDA.-

El circuito de la Fig. 3.8 usa un oscilador de relajación

para disparar el SCR a ángulos de disparo controlados , durante
los medios ciclos positivos del voltaje de linca. Debido a que el
potenciómetro R, puede ir hasta cero, el diodo &- se usa para pro-
teger el dispositivo de disparo y la compuerta del SCR durante los
medios ciclos negativos. Ciertos dispositivos cíe disparo permitirán
usar v.n resistor fijo R._ en lugar del diodo.
 -79-

Fuente de
e= Ep Sinwt

Fig. 3.8. Circuito básico de Control de Fase de media on_

da.

Q.-

Fig. 3.9. Formas de onda del circuito de la Fig. 3.8,

con diodo y SUS.

Las formas de onda del voltaje de alimentación, es y vo_l

taje V , a través del capacitor se muestra en li: Fig, 3,9. Las ma£
nitudes de R, , C, Ep y Vs, determinan, la razón ¿le carga del capa-
citor y el ángulo de fase, o^ , al cual ocurro, el disparo. Los
 -80-

primeros y últimos posibles ángulos de disparo que pueden ser obte

nidos están indicados por cxr, y ora en las formas de onda de la Fig.
3.9* Si la corriente de conmutación, Is, del dispositivo de dispa-
ro es considerada, obtenemos las siguientes relaciones:

y 3.2

Debido a que el valor usable loáximo de R- produce dispa-

ro en alfa9j se puede calcular R- para valones dados de e, C y Vs,
pero ignorando Is por el momento, usando la siguiente ecuación.

3.:

El voltaje pico a través del capacitor es;

I/o

Las ecuaciones 3.3 y 3.4 asumen un valor bajo de Vs com-

parado con Ep, como sería el caso cuando se usa un dispositivo de
disparo SUS en un voltaje de línea ÁC de 120 voltios.

De la ecuación 3.4 se puede ver que el voltaje residual

(o inicial), Vo, caído en el capacitor tiene un efecto pronunciado
sobre este simple circuito de disparo. El voltaje residual, Vo, es
usualmente la suma del voltaje de mantenimiento mínimo, Vh, de el
disparador, y el voltaje de alimentación compuerta-cátodo, V ,
GK
que aparece cuando el SGH se prendo.
 -81-

Si no se alcanza el voltaje de conmutación durante un rae

dio ciclo positivo, el dispositivo de disparo no conmuta y un vol-
taje residual alto cae en el capacitor.

El resultado, como se muestra en la Fig. 3.9 (b) , es el

salto de ciclos, mientras el capacitor continúa cargándose cada me
dio ciclo positivo hasta que el dispositivo de disparo conmuta. El
rango de R^ puede ser limitado de manera que el disparo ocurra ca-
da medio ciclo bajo los peores casos de tolerancia de Ep mínimo, C
máximo, Vs máximo, Is mínimo y Vo mínimo, este salto de ciclos pu_e
de ser evitado. Por otra parte, con las condiciones de tolerancia
opuestas, el último ángulo posible de disparo puede conducir una -
potencia mínima inaceptable en la carga. La última solución a este
salto de ciclos es el regreso automático del capacitor a un volta-
je conocido, V , al final de cada medio ciclo, aunque nunca puede
alcanzar Vs. Una manera de hacer esto es sustituir el resistor R
en lugar del diodo D~ en la Fig. 3,8, esto causa que el voltaje
del dispositor se invierta en el medio ciclo negativo, dando un va.
lor negativo de V al comienzo del medio ciclo positivo. Si el dis
o
positivo de disparo no conduce durante la excursión negativa de Ve,
entonces V será predecible para cualquier valor dado de R.. . Esta
condición provee un ciclo para que el voltaje residual en C caiga
y elimine el salto del ciclo. Si el dispositivo de disparo conduce
cuando Ve es negativo, un segundo diodo, D?, puede ser usado para
fijar Ve a aproximadamente menos un voltio durante el nuevo ciclo
negativo.

Si se usa un dispositivo bilateral tal como el SBS o un

Diac, el diodo D¿
0 no es necesario (suponiendo que R0 limita adecúa
¿
damente la corriente negativa) ; pero V , al comienzo del medio ci-
clo positivo dependerá del número de oscilaciones que ocurra duran
te el medio ciclo negativo, de aquí, sobre la fijación de R, . El
, ~ J-
cambiar R.. hará un cambio integral en el número de oscilaciones ne_
gativas, de ahí que hará cambios escalonados en V . Esta acción
tiene como resultado cambios escalonados en el ángulo de disparo.
 «oo

33

r,

i VI
 -83-

Debido a que esta última conexión cambia el circuito de

control, de un circuito de 2 terminales a un circuito de 3 termina.
les, en ciertas aplicaciones, consideraciones de alambrado pueden
prohibir su uso.

3.4.2.- CONTROL DE FASE DE ONDA COMPLETA.-

Cualquiera de los circuitos de la Fig. 3.10, pueden ser

usados para control de potencia, conectando dentro del circuito
rectificador mostrado en la Fig. 3.1 (e).

El circuito con UJT de la Fig. 3.10 (b) no requiere mod,i

ficación para esto, pero el circuito con SUS, (a), requiere cam-
biar R a 22 K Ohmios, añadiendo otros 22 K entre la compuerta del
SUS y cátodo del SCR, eliminando el diodo D., • Estas revisiones son
necesarias para obtener la reposición.

La forma más elemental de Control de Fase de onda comple

ta es el simple circuito Diac/Triac, de la Fig. 3.11.

3-11* Circuito básico de Control de Fase con Diac,

 -84-

Voltaje de linea

4-Vs

Vs

Fig. 3.12. Formas de onda¡.< de Fig. 3.1.1

La forma de onda del voltaje de capacitor Ve en la Figo

3.12, es bastante similar al caso de media onda, con la excepción
de que el voltaje de capacitor restante, Vo al snpezar cada medio
ciclo tiene polaridad opuesta al sucesivo voltaje de conmutación,
Vs, que debe ser alcanzado. La forma de onda mostrada para Ve es
una condición de estado estable, conmutando tarde en cada medio -
ciclo. Si el resistor £L se incrementa levemente- la forma de on-
i
da puntiada Vc'; muestra que pasa en el segundo ciclo, después
del último disparo. Al principio de este ciclo Vo es igual que en
estado estable, debido a que el Diac ha conmutado en el medio ci-
clo anterior. Al término del primer medio ciclo, sin embargo, el
voltaje del capacitor es apenas por debajo de VE y el Diac perma-
nece inactivo. Esto cambia de Vo a +Vs al principio del medio ci-
clo. El voltaje de pico del capacitor en el medio ciclo negativo,
es considerablemente más bajo que Vs, como se mostró anteriormen-
te en la Ec. 3.4. En todos los ciclos subsiguientes, Vo - Vcp y -
el valor de pico de Ve permanecerá debajo de Vs, hasta que se re-
duce el valor de R.. *

Una vez que el disparo ha cesado, reduciendo IL se ele-

vará a Ve, pero cuando se alcance Vs nuevamente, el Diac conmuta,
Vo ¿> e reduce abruptamente^ Vsta acción, incrementa el valor de Ve
en el medio ciclo siguiente, el cual causa que el disparo ocurra a
 -85-

un ángulo de fase muy adelantado. Como resultado, la corriente de

la carga salta de pronto de cero a algún valor intermedio, punto
desde el cual puede ser controlado suavemente sobse todo el rango
completo desde c*r, a

El efecto del encendido rápido puede ser eliminado usan-

do el conmutador asimétrico bilateral de silicio &ÁSBS) ST-4, co.no
se muestra en la Fig. 3.13. Se mostró, que el encendido rápido del
Control de Fase Diac-Triac de la Fig. 3.11, se doftía al hecho de -
que el capacitor se estaba cargando hasta un voltaje igual a dos -
veces Vs cada medio ciclo, pero cuando el Diac se disparaba, el ca.
pacitor alcanzaba Vs más temprano en. el ciclo.

El ASES ha sido diseñado para usar esto como una ventaja.,

la Fig. 3.14 muestra como se lo consigue (recuerde que el voltaje
de ruptura del ASES está cerca de 8 voltios en ur.x dirección y 2 -
veces en la otra dirección) .

CARGA (lampara 200W)

Fig. 3.13. Circuito de encendido rápido con ASBS»

Se puede ver que si R- de la Fig. 3.13 se ajusta de tal

manera que el ASBS puede dispararse en el punto A, el capacitor -
está esencialmente descargado a cero voltios al cruzar el punto A.
Si el ASBS fuese simétrico, conmutaría adelantado en el medio ci-
clo siguiente (en el punto C) . Pero debido a que el voltaje de ru£
Uaca en osa dirección es el doble que el del punto A, el capacitor
continua cargándose hasta el punto B. En este panto el ASBS se dis
 -86-

para y entrega la mitad de la carga del capacito* a la compuerta

del Triac. Ahora el capacitor está al mismo voltaje que estaba
antes de que el ASUS se disparara. Como resultado, el encendido
ha sido reducido a un valor insignificante3 ya qtiü está presente
algo de asimetría de la forma de onda en el circuito de control
con ASBS, puede no ser práctico usarlo para impulsar cargas don-
de no se puede tolerar una componente DC significativa, por ejem
pío: lámparas incandecentes, transformadores, etc.*

Linea AC pisporq de! ASBS en A ,

.C,

dispara en A'

Fig, 3*14. Formas de onda del circuito ('--i Fig. 3.13

La Fig. 3.15, muestra otro circuito con muy poco efecto

de encendido rápido. Este circuito usa un segundo capacitor C0, pa
¿» ™~
ra recargar C1 después del disparo, elevando Vo h/ ota aproximada--
mente Ve. El máximo, o último, ángulo de disparo 0^2 , con este
circuito no está limitado al punto en que el volt .je de alimerita-
ción es igual a Vs, porque el segundo capacitor \- •.rmitirá un cam-
bio de fase de V -. mayor que 90°. Sin embargo, e^ Oiac se dispara,
rá después del punto de 180° en la onda de alimer. ación, podría -
muy bien disparar el Triac al comienzo del medio • lelo s iguiente.
Ya que usualmente se necesita evitar esta condicá •¡i, el resistir
de acoplamiento R~ debe ser ajustable para permit .r compensación
para valores de componentes de tolerancia amplia,. SI se desea, se
puede ajustar R para tener un mínimo nivel de pe- encia en la car
ga a un ajuste máximo de R, .
 -87-

F'ig. 3.15. Circuito para Control de rase de onda comple-

ta.

3-5.- CIRCUITOS PARA CONTROL,.DE..FASE DE _GANÁNCI& ALTA.-

Todos los circuitos previos controlan la fase del ángulo

de disparo mediante un resistor. Para controlar sobre un rango am-
plio, desde potencia mínima a máxima, con el siripi e circuito de
control de tiempo, RC, se requiere un gran cambio en el valor de
R, mostrando un control de ganancia bajo. Para control manual, es-
to es muy adecuado. Para sistemas que deben llegar a cabo una fun-
ción en respuesta a alguna señal, los circuitos RC simples son ñor
malmente inadecuados, aunque un fotoconductor o un termistor podrían
ser usados para control, pero sólo sobre un rango muy amplio de luz
o cambios de temperatura.

3-5.1.- CONTROL MANUAL.'

La Fig. 3.16 muestra un circuito convensional, controla-

do manualmente, con Triac y un transistor de Unijuntura. Un diodo
zener fija el voltaje del circuito de control a un cierto nivel,
como se muestra en la Fig. 3.17, Ya que el voltaje de pico (o dis-
paro), e , del emisor del transistor de Unijuntura es una fracción
del voltaje ínterbase, V.,.... como se indica medíante la curva pun-
UB
teada, el capacitor se cargará mediante una curva exponencial ha -
cia V , hasta que su voltaje alcance e . Asumiendo por convenien-
BB P
cia, que e es 0.&3 V , el disparo ocurrirá a una constante de
tiempo. Por lo taato, para cubrir el rango de 0.3 a 8.0 milisegun-
dos, el producto R9C debe cambiar en la misma cantidad. Debido a

k-> ^ M r\M Y

<í Kl
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INEA
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C ^ 100K - R2 470
E)
7 —í1 \ rz ^ i_
7k 7 41 ^-~
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£ ^ VB8

L i1 . j

Fig. 3^16. Circuito convensional para Control de Fase.

Fig. 3.17. Formas de onda con el UJT.

Fig. 3.18. Fuucxón de transferencia del circuito de la

Fig. 3.16.
 -89-

que C está fijo, R? dabe ser variado en un rango 27 = 1. Este no

es solamente un rango muy grande, pero la característica de tran_s
ferencia de R0 a voltaje de carga promedio, V , es bastante no li.
L Jj
neal, como se muestra en la Fig. 3.18. Sin embargo estas caracte-
rísticas son usualmente satisfactorias para control manual.

Reemplazando este resistor controlado manualmente con un

transistor PNP, mostrado en la Fig. 3.19 (a), y aplicando una se-
ñal DC entre emisor y base, da como resultado una ganancia de co-
rriente mayor, pero el rango de corriente de base debe ser necesa
ríamente igual a 27 = 1. La característica de transferencia, Fig.
3.19 (b) , también permanece no lineal.

ÍOO

Fig. 3.19. Control de pedestal con transistor PNP.

El control de ganancia se puede hacer muy alto mediante

el uso de un potenciómetro de baja resistencia, conectado como lo
muestra, la Fig. 3.20 (a). Puesto que la carga exponencial de C es
muy rápida, y limitada por la división de voltaje del potencióme-
tro, la característica de transferencia nuevamente es no lineal,
como se muestra en la Fig. 3.20 (b). Si un diodo zener tiene una
impedancia significativa, el voltaje fijado no seta plano, pero
 -90-

tendrá un ligero pico a 90° „ Esta curvatura puede producir una dijs
continuidad abrupta, o ruptura, en la característica de transieren
cía como se indica mediante la curva punteada de la Fig. 3.20 (b) .

%Vu
100

<* R2

5K
R:

%R 100

Fig. 3.20. Control de pedestal con potenciómetro de baja

resistencia.

El uso de un transistor NPN, Fig. 3.21 (a), proveerá de

una ganancia de corriente alta, pero la no linealidad y ruptura es_
tan aún presentes, como se indica en la Fig. 3.21 (b) «

100

2.2K

Ci

Fig. 3.21. Control de pedestal con Transistor NPN.

 -91-

3.5.2.- CONTROL DE RAMPA Y PEDESTAL.-

Si los circuitos de las Fig. 3.16 y 3.20 (a), se combi-

nan por acoplamiento por diodos, como en la F.'ig> 3.22 (a). La fun
ción exponencial de rampa puede empezar a un wadLtaJe de pedestal
más alto, como, determinado por el potenciómetro. La curva 1 de -
la característica de transferencia de la Fig. 3.22 (b), se obtie-
ne cuando R9 se ajusta para una constante de tíiempo de 8 seg. El
control de ganancia mas alto se obtiene (curva 2), haciendo la
constante de tiempo R9 GI unos 25 miliseg. La jforma de onda del -
voltaje observado sobre C-, es una rampa casi lineal situada sobre
un pedestal de altura variable como se muestra en la Fig. 3.22
(c) . Pequeños cambios en la altura del pedestaU producen cambios
grandes en el ángulo de fase de disparo. La reUación lineal entre
altura y ángulo de fase resulta sin embargo, e» una función de
transferencia no lineal debido a la forma de oída sinusoidal de -
la alimentación.

Tanto la alta ganancia y la linealidad se obtienen car-

gando C-. de una forma de onda sinusoidal no fijjada como lo mués -
tra la Fig. 3.23 (a). Esto añade una onda cosetoidal a la rampa -
lineal para compensar la f orma de onda senoidal de la alimentación,
resultando la característica de transferencia Sineal mostrada en
la Fig. 3.23 (b) . La ganancia del sistema puecfe ser ajustada sobre
un rango ancho cambiando la magnitud del resistor de carga R_ co-
mo se indica en la Fig. 3.23 (c), seleccionando una amplitud de -
rampa de 1 voltio, por ejemplo, y asumiendo un diodo zener de 20
voltios, un cambio en el ajuste del potenciómetro de solo 57=, tie-
ne como resultado el cambio lineal de rango tatal en la salida.
Los valores mostrados en la Fig. 3.23 (a) son ítípicos para un cir
cuito a 60 Hz, la resistencia del potenciómetro debe ser suf icien.
temen te baja
"
para cargar el capacitor C-
¿
rápidamente, de manera -
que sea capaz de dispararse temprano en el cicüo. Este es el fac-
tor de limitación de control de nivel de ímpsflancia.

La característica logarítmica de IQJB diodos limita la ga.

 -92-

nancía de control que puede ser conseguida cora una característica

de transferencia lineal razonable. A una ampliítud de rampa de 1
voltio, la no linealidad de los diodos no es raoy grande, pero a 1
voltaje de rampa de 0.1 voltios, el capacitor se carga principal-
mente debido a la corriente del diodo, destruyendo así la rampa -
modificada por el coseno. Un codo más agudo ponade ser usado para
tener una ganancia más alta a expensas de requerir un voltaje más
alto a través del potenciómetro. El tercer factor de limitación -
es el punto de corriente pico del UJT. Esta corriente debe ser su-
ministrada por R? y no debe ser más grande que una décima de la -
corriente de carga de C1 , al final del medio cií.Glo para evitar
distorción en la forma de onda. La cuarta limitación es la impe-
dancia del diodo zener, D . Esta impedancia defoe ser bien baja a
fin de mantener constante el punto de voltaje ¡pico (nivel de dis-
paro), durante el tnedio ciclo. Si este voltaje cambia a 0.1 vol -
tios, entonces el voltaje de rampa debe ser macar de 1 voltio.
Los efectos de la temperatura en el UJT, y otT<ss factores deben -
tomarse en cuenta cuando se trabaja a voltajes muy bajos.

En la Fig. 3.24 (a), el control mamas! es reemplazado

por un circuito puente para control de realinreistación. El diodo
zener D« tiene un voltaje zener apenas menor «guie el diodo D- a
fin de mantener la parte superior de la forma dje onda fijada más
plana. Los resistores R-, y R,. forman el divisar de voltaje que de
termina la altura del pedestal. Una variación en cualquiera de es_
tos resistores puede proveer entonces una funrión de control, a
pesar de que generalmente se usa R» como el variable. Las Fig.
3.24 (b) y (c) muestran el uso de un termistor para regulación de
temperatura y f otoconductor para control de lnnz, en ya sea siste-
mas de control de lazo cerrado o sistemas de laso abierto.

Para obtener una impedancia de entrada más alta se pue-

de usar un transistor NPN seguidor emisor, cono se muestra en la
Fig* 3.25 (a). Si el transistor tiene una ganancia de corriente -
de 100, los valores de R, y Rf, pueden ser incrementados de 3K a
300K, reduciendo así grandemente la dtaclpaclraa de potencia en el
 -93-

Rt 5K
•-—1>|~
a.- G!

100

b.-

100

VBB

c.-

Fig. 3 * 2 2 . Control pedestal rampa.

 -94-

elemento sensor. Esto es particularmente importante cuando R1 o ?v_

es un termistor. El resistor R se necesita en el circuito de co-
lector del transistor a fin de limitar la corriente de carga
nible al capacitor del UJT y previniendo así el disparo adelantado
del UJT.

Ra ±470
5M

100

100

Fig. 3.23. Control de pedestal con rampa modificada con

señal coseno.

En muchos sistemas de control de, realimentación, la alta

ganancia y el cambio de fase a menudo producen inestabilidad, ex-
tendiéndose desde sobredisparo excesivo hasta oscilaciones grandes
o penduleo. El transistor permite el uso de un circuito sensor, se^
 -95-

guido de un circuito RC apropiado (^ C^ R C ) para producir el

grado requerido de atenuación. COTI.O la rampa modificada por el co
seno da por resultado una respuesta lineal uniforme, la ganancia
del sistema es uniforme y la atenuación apropiada se obtiene más
facilemnte que en el caso de la rampa lineal donde la ganancia -
cambia con el ángulo de fase. La ganancia del sistema se controla
mediante el resistor de carga de rampa (R de la Fig. 3.23), la -
cual se puede hacer variable, mediante el uso de un termistor o -
fotoconductor.

ítermistor (-fjFütoo.onductor

Fig. 3.24. Control de pedestal coa traiisductores.

o—
+DC

Fig. 3.25. Circuitos de control para señal de entrada

AC y DC.
 -96-

Para evitar carga excesiva en el circuito sensor se nece

sita un resistor en serie con la base del transistor . Los límites
de control superior e inferior se pueden obtener mediante el uso
de fijadores con diodos.

La capacidad de trabajar a partir de un control de señal

DC, permite un circuito de comienzo suave y terminación suave, co-
mo lo muestra la Fig. 3.26 (a).

Este circuito distingue porcentajes ajustables individua.

les de comienzo y fin, buena linealidad, límite superior e inferior
de fijación, y controles de fase manuales o resistivos mediante el
nivel de fijación superior. Para un UJT típico el punto de pico es
de 2/3 el voltaje interbase, la amplitud de la rampa puede ser ajus
tada a 1/3 del voltaje interbase y el pedestal fijado a 1/3 y 2/3
de este voltaje. La característica de desempeño resultante se mués,
tra en la Fig. 3.26 (b) y (c) para esta condición, con el conmuta-
dor en ON en t. y en OFF en t-.

+ DC

Ajuste mínimo
juste alto y control maestro de fase
a.-

Ve Vt

ti t2 t3 t4 13 t4

í: xg. 3.2ó. CÍJLCUÍLL» para control cié ccmiieuzo y Le:i:iíiÍLia-

cióa suaves.
 -97-

Para control remoto desde una señal AC, tal como una au-
dio-frecuencia desde una grabadora o tacómetro, o un portador RF -
solo o con modulación de audio, como se muestra en la Fig. 3.27.

Señal de R2
entrada
A C

Fig, 3.27. Circuito para control remoto.

-4-
T
._J ---

Q. b. d.

Fig. 3.28. Circuitos con diferentes controles de

pedestal.

Conexiones alternadas del Transistor se muestran en la

Fig. 3.28, proveyendo de una gran variedad de características de
desempeño. El circuito seguidor emisor está simplificado en la
Fig. 3.28 (a) para el uso de baja ganancia. A un alto control de
ganancia (bajo voltaje de rampa) , la corriente de emisor requeri-
da es muy baja, y el decrecimiento de beta a corrientes tan ba-
cfluña p.xcepiva no linea 1 idadf
 -98-

Conexiones varias de emisor común para transistores NPN

y PNP, Fig. 3.28 (b) y (c) proveen baja impedancia de entrada y ma.
yor ganancia de voltaje, pero requieren de compensación de tempera,
tura en aplicaciones de alta ganancia. En adición, el circuito con
transistor NPN de la Fig. 3.28 (b) da como resultado un sensor in-
vertido, lo cual puede o no ser deseado. La inversión de sentido -
también se obtiene en el seguidor de emisor PNP de la Fig. 3.28

(d).

Una forma alternada del circuito de encendido lento se

muestra en la Fig. 3.29 usando el diodo de fijación, D , para con-
trolar la altura del pedestal en una rampa lineal. El capacitor C..
puede ser de varios cientos de microfaradios y se carga lentamente
a través de R9. R.. continúa cargando raás alia del punto de voltaje
pico para remover completamente el efecto de C.. y proveer un cami-
no de descarga cuando se quita la energía. La alimentación para es_
te circuito debe proveerse desde la línea, antes que del voltaje
del Triac, a fin de cargar completamente a C1 .

Vo

Vo

Rl R2 R3 R4

h-of-
> DI
^H
TH Ql
J- CI C2 R5

Fig. 3.29. Circuito de encendido lento.

 -99-

3.5.3.- CONTROL DE COMPENSACIÓN DEL VOLTAJE DE LINEA EN UN RANGO

AMPLIO.-

En la Fig. 3.30, la compensación para cambios en el vql

taje de alimentación se obtiene de R., y C1 , los mismos que añaden
al voltaje del diodo zener un voltaje DC proporcional al voltaje
de alimentación. Esto se usa para proveer voltaje de interbase p.a
ra el UJT. Puesto que la altura del pedestal está fijada por el -
diodo zener, reduciendo el voltaje de alimentación se reduce el -
voltaje interbase y el punto del voltaje pico del UJT, esto causa
que el disparo ocurra temprano en la rampa. El tamaño de R~ depen
de de la amplitud de la rampa, por lo tanto de R-. El voltaje de
compensación no interfiere con el uso de la altura del pedestal -
en otra forma de control, tal como un sistema de control de reali
mentación. Con este circuito se ha obtenido en pruebas que la pa_r
te inferior del control está cuando el voltaje de alimentación
cae hasta el voltaje de salida deseado. El control de corriente
de realimentación se puede obtener mediante el uso de voltaje so-
bre un resistor en paralelo, pero esto requiere rectificación y
filtrado cuando se requiere controlar AC, debido a que ninguna co
rriente fluye antes del disparo.

Fig. 3.30. Circuito con control de compensación de vol-

taje de línea.
 -100-

En adición, se puede usar una lámpara y un elemento fo-

toconductor como circuito sensor. La respuesta de tiempo de la
lámpara y del fotoconductor es generalmente lo suficientemente -
largo para proveer el filtrado, y el control está sobre el cuadra
do de la corriente, de ahí que mantendrá constante el valor RMS,
mejor que el valor medio. Una combinación resistor-termistor tam-
bién proveerá control RMS.

Un transformador de corriente puede ser usado para pro-

ducir una señal de voltaje de salida más alta sobre AC con una me
ñor pérdida de potencia. Si la pérdida de potencia en la deriva-
ción es despreciable, un elemento sensible al flujo magnético tal
como una resistencia transductora o un elemento de efecto Hall
puede ser usado en una bobina con núcleo adecuado. En estos sens_o
res de núcleo magnético, la salida será función de la corriente
promedio.

Estos circuitos son típicos en una gran variedad, basa-

dos en el concepto de rampa y pedestal para transferencia de ni-
vel de voltaje, corriente o impedancia a ángulo de fase para el -
disparo de los Tiristores. La ganancia ajustable, linealidad, se-
lección de alta o baja impedancia de. entrada y operación desde u-
na señal DC de entrada, son características atractivas para el u-
so en sistemas de control de realimentación de lazo abierto, o en
sistemas de funciones especiales.
 C A P I T U L O IV

D I S E Ñ O DEL S I S T E TfL A

R E G U L A D O R D E V O L T A J E
 -101-

4.1.- ESPECIFICACIONES DEL DISEÑO.-

Potencia de salida . ... 500 Watts

Voltaje RMS de salida 100 Voltios
Variación permitida a la salida ,.,. 1 % ( + 0.5 % )
Variación permitida a la entrada „„. 30 %
Método Control de Fase de
Tiristores.

El sistema regulador, básicamente -consta de las partes,

tal como lo muestra el diagrama en bloques de la Fig. 4,1.

CONTROL DE
COMPENSACI.
Y PEDES! R.
COMPARADOR
GENERADOR
REFERENCIA DE
PULSOS

SENSOR

.Fig. 4.1. Diagrama en bloques del Sistema Regulador.

4.1.a.- FUNCIONAMIENTO DEL DIAGRAMA EN BLOQUES.-

Al aplicar la alimentación al siste^ía, el control de p_o

tencia nc pcrirátc que dicha tsnsidn pase a. le. carga, puesto qae
su funcionamiento está supeditado al del generador de pulsos. Pa-
 -102-

ra ello la señal de error y los controles de compensación y pedes-

tal - rampa determinan el ángulo de disparo del control de poten -
cia. Habiendo error en la tensión de la carga, el sensor de salida
entrega una señal diferente a la de funcionamiento normal que al -
compararse con la de referencia entrega otra señal de error que co
rrige el ángulo de disparo.

4.2.- DISEÑO DEL CIRCUITO DE POTENCIA.-

Puesto que se va a trabajar con función sinusoidal, del

análisis hecho para la Fíg. 1.6 del Cap. I, se anotó que hay tra-
mos que dan una característica bastante lineal de la variación del
voltaje RMS como función del ángulo de conducción de un Tiristor;
dichos tramos pueden ser aprovechados para allí hacer el control
de fase.

Como primer paso es necesario conocer qué voltaje pico

permite obtener 100 Voltios RMS para un ángulo de conducción dado,
para lo cual hacemos uso de la Ec. 1 deducida en el Cap. I, así:

2, c*: .

donde v^fr, - 100 Voltios.

RMS

Que para el efecto se elaboró un programa para la Cornpu

tadora . que consta en el Apéndice B; y s cuyos resultados se adjun.
tan en copias reducidas.

Fig. 4.6, 4.7, 4.8, 4.9, 4.10, 4.11.

De las curvas obtenidas, puede acotarse que los resulta

 -103-

dos son lógicamente los esperados, puesto que para ángulos de con-
ducción bastante pequeños, se necesitan voltajes pico muy grandes,
mientras que los mínimos necesarios se obtienen para ángulos de
conducción grandes. Gráficamente puede visualizarse así; tratemos
de obtener el mismo valor RMS de una función senoidal dada para 2
diferentes valores pico:

A
Vpi Vp2

Fig. 4.12 Fig

ángulos de conducción de un Tiristor

entonces; "Vpi<gyp2

Bajo estos antecedentes, es de nuestro interés conocer

los límites de variación ( + 15 % ), sobre los cuales ha de ope-
rar el control de fase; considerando que el valor pico de la ten
sión nominal de línea es 117 v2 Voltios, para la regulación es-
pecificada:

Voltaje pico mínimo del control ..... 140.64 Voltios

Voltaje pico nominal ,.... 165.46 Voltios
Voltaje pico superior del control ... 190.23 Voltios

De la Fig. 4.10, con el valor nominal de 117 v 2 =

165,46 Voltios pico, para obtener 100 Voltios RMS, se necesita
que el dispositivo ( Triac ), ccrv:Vu::ca 1.11°; jp^ro, ¿pte ángulo
es más alto que el previsto como central del probable rango del
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C A S O : - or. u-v* H M I I A si N U r r ir-M ( sf

-**

Fig. 4,11
 -110-

control de fase, lo que significa que para cuando el voltaje de Ijí

nea baje del valor nominal y la necesidad del ángulo de conducción
se haga mayor, dicho control en esa circunstancia estará saliendo
del rango, en consecuencia la regulación a la salida llegaría a
terminarse pronto. Por lo tanto se necesita subir el voltaje pico
de la entrada, lo cual naturalmente da la posibilidad de bajar el
ángulo de conducción, para obtener el mismo valor RMS.

Para escoger el valor de voltaje pico necesario, ha de

tomarse en cuenta que mientras dicho voltaje suba, se está exigiejn.
do de un dispositivo de mejores especificaciones, lo que repercute
como uno de mayor precio, razón ésta para buscar uno que satisfaga
dichas condiciones dentro de un rango de seguridad, sin que fuese
necesario escoger uno que resulte antieconómico. Por esta razón; y,
dado que se ha considerado como rango suficiente de control de fa-
se desde aproximadamente 75 hasta 105°, donde el ángulo central de
este rango es aproximadamente 90% se ve la necesidad de tener 200
Voltios pico según la Fig. 4.10, para lo cual se prevee la cons-
trucción de un transformador, pero, para que el aprovechamiento de
la potencia que nos ofrece el transformador sea óptimo, se constru
yo preferentemente un autotransformador, que operativamente funcio
na así:

Fig. 4.14, Funcionamiento operativo del autotransforma-

dor.
 -111-

4.2.a.- DISEÑO DEL AUTOTRANSFORMADOR.-

Vout

T
ni,Vi
lin ")

t
n2,V2
Vin i ) ¡
iL

Fig. 4.15. Diagrama esquemático del autotransformador.

n.., n número de vueltas

P = Potencia determinada por la sección de núcleo disponible.
li, Vi corrientes y voltajes.

Sabemos que en un transformador (o un autotransformador),

la potencia de salida es igual a la potencia de entrada, entonces:

-pin _ -Pout

Ptn =r V/'n. Im - Vaut. I out

\/- /r T- }
Vm /Ti -í-lz I — /,/• i/ \
V¿y? +Vi i ¿i
( / ( /

."- Iz V¿n r, J/sr./V JE¿ ^-2

En consecuencia la potencia en cada sección del bobinado

es la misma e igual a la mitad de la potencia total, por lo tanto,
la máxima corriente que se puede obtener, será:

.
2 Vi * Voat-Vi r?

Sabiendo que P se define como

 -112-

Valiéndonos de la fórmula que según el Reference Data

for Radio and Engineer, no obedece a una deducción matemática, si-
no a ajustes dados por la práctica, se cumple aproximadamente que;

Amperios o/™ i / TT \&5 ^ / c

ÍTT—j— - 2470 - log ( W A n ) . Ec. 4.5
Pulgada ° AC

W. es la potencia dada por la corriente que circula por un deter-

minado bobinaba.

Además se sabe:

Voltio^ = 4>44 f s B

Vuelta

Con estos criterios, se calculó el auto transformador,

así:

X><í Ec 4-4

-p^ Í26.6 f ,
( 1-1 J
- €.172
¡62 -i ¡7
Poa¿

£¿* 4-2

vp-
 1-067 -113-

1.067

'/y
¿a ¡28. 7 777//-S ~> &2¿>/<z # & J)<z

x 6o x 4-33 x& * ¿0-4

/ ^ 70
0-6S

^ 117 > >?2 -r-

/as

Construyéndose entonces con los datos siguientes

Vouí

45 Vrms
75 Espiras
alambre No, 8

UTVrms
—/ !79 Espiras
alambre No. 16

Fig. 4.16. Datos del autotransformador.

4.3.- DISECO DEL CIRCUITO SENSOR,-

Para el efecto que compete el método más simplificado

dadas las especificaciones, es usar como sensor de voltaje RMS u-
na fuente luminosa y un fotoelemento que entregue una señal pro-
porcional a dicho voltaje al cuadrado, tal como lo indica la Fig.
* 4.17. El fotoelemento ha usarse es el 2N5777, que usándolo bajo
los conceptos del fabricante, debe polarizarse con 10 Voltios pa-
<
ra una Rs de 100-TL, garantizando que dicho funcionamiento se lo -
hace cv"i le. per te lin.e&1 .
 -114-

VBB

Vrms= 100 Voltios

<r ~

Rs

Fig. 4.17. Circuito sensor de. voltaje RMS.

Construyendo una estructura hermética para el efecto,

se debe hallar el comportamiento para diferentes señales de entra.
da Ve = f(V ), ello da la posibilidad de trabajar en tramos más
lineales o más sensibles. Así, se obtuvo la función de transieren
cia dibujada en la Computadora con el programa del Apéndice C y
cuyo resultado corresponde a la Fig, 4.189. De esta Fig. se ve que
el control se torna más sensible, osea la respuesta es más rápida
cuando sobre la fuente luminosa hay unos 72.5 Voltios RMS, en con
secuencia Ro debe consumir 27.5 Voltios RMS, la resistencia del
filamento de la fuente luminosa es 857_O_

==•.. ¡0° -326"

Por lo que se puede poner R~ - 300_O_ y R un potenciómetro de

50 -T2-

4.4.- DISEÑO DEL CIRCUITO COMPARADOR.-

Se ha escogido para establecer la comparación entre la s_e

nal de referencia y la señal del sensor realimentada, el amplifica,
dor operacional SN72301, tal como lo indica la Fig. 4.18.
 > Ift

CX)
U)

o I
yi i

l-n
ic
(z

-gil-
 -116-

ci
YES
iRl
R4

Vs

Vo Qi

-R3 R5

rnn rún

Fig. 4.18. Circuito comparador.

Considerando que la ganancia del operacional es infini-

ta, tenemos que:

\/3 4.7

Planteando ecuaciones, tenemos

V/ -

De las ecuaciones anteriores tenemos:

-. lo
 -117-

Que para nuestro diseño:

V~ es la referencia, cuyo valor es calibrable con un potencióme-
tro de 1 K.
V1 es la señal proveniente del emisor del fotosensor, que respori
de según la curva de la Fig. 4,18.

La polarización del operacional se realiza con fuentes

de -t- 15 Voltios.

una ganancia unitaria, porque la señal proveniente del sensor es

lo suficiente como para no amplificarla, son:
R = R = 10 K

Ha de anotarse que este operacional, tiene compensación

en frecuencia, que se calculó según las curvas dadas por el fabri
cante, y es un condensador de 100 pF.

i. Para dar estabilidad al sistema puede ponerse el conden

sador C., de un bajo valor para que no afecte la velocidad de res-
puesta.

Debido a que Vo va a tener valores positivos y negati-

vos, como Q1 no debemos poner un transistor PNP o NPN, porque ca-
da uno de ellos para uno de esos casos se cortaría, razón ésta pa_
ra escoger un FET que con dichos valores nos permite obtener vol-
tajes positivos continuados en; Vs, que es de nuestro interés.

R es la resistencia de drenaje, siendo buen criterio

escogerla de 15 K, entonces:

R3 "15 K

Para calcular R, y R^, se polarizó el circuito con 15

Voltios, habiendo trazado la recta de carga y trabajando en la
¡ parte lineal del transistor, se llegó a los resultados siguien-
* tes:
 -118-

R, = 1.8 K
4
R = 300

4.5.- DISECO DEL CIRCUITO DE DISPARO.-

Por lo analizado en el Cap. III, se escoge como circuito

de disparo el de la Fig. 4.19, así:

Vb

Fig. 4.19. Circuito de disparo.

= Resistencia entre bases del UJT

Que para el efecto contamos con los transistores

Q - 2N2646
Q2 - BD115
Datos del transistor 2N2646:

«BB = 8 K
- 0.65
V - Voltaje de disparo del UJT
 -119-

VJ = 0.6+ (Vi-

- 0.6 -t JSÍ

Sabemos que Va = 75 Voltios.

Es buen criterio escoger que el voltaje máximo de la ram

pa sea menor o igual que la mitad del voltaje de- disparo, osea:

/z

Analizando la Fig e 4,20, para calcular R. , Rr y C

R4 +• R5= R i
9
Va Sen wt
OVR

v li

Fig. 4.20. Circuito serie RG.

Asumiendo C0 = 0.047 liF» pues es más fácil hacerlo y cal

¿ "~*
cular Rn , porque puede ponerse una resistencia fija y un potenció-
metro, entonces :

- Z8.21K
120x0,047x10
 -120-

77

:* V*l
L

Habiendo puesto R,. = 500 K en serie con un potencióme-

tro de 2.5 M.

S/ 1^ ^ -fi'.s-
U^ >: //

¡2 ~ 0-6

Escogiendo Rft = 1 K y con los datos de R_^ y Y¡ prome-

dios del UJT, tenemos:

Vi- 76 ]/o/hos.

Y¿ - yz = /6 - 12. -

, diodo
El , , zener con que contamos necesita
• como corriente
de trabajo 20 mAinp y sabemos que en el caso límite por Qzn circula

rá 12
 -121-

Entonces:

20

-6"

Pero ponemos un potenciómetro de 500^O_ para tener una

ganancia variable de la compensación.

Escogemos C =100 uF

En consecuencia la corriente que consumiría el circuito

sería:

J/= 23 + /¿X, ^ 41 mAmv

= 75- K - / ¿ > -O. -

-^/ /O'3

Escogemos un valor normalizado, entonces

4.6.- DISEÑO DE LAS FUENTES DE_ALIiMSMXACION.-

Para el efecto se cuanta con la ayuda de los Circuitos

Integrados SN72723, que ofrece a más de una gran estabilidad ante
variaciones térmicas, simplificación de los circuitos y por ende
permiten un mejor aprovechamiento del espacio.
 -122-

Siguiendo los consejos de las notas ée aplicación del fa.

bricante que se adjuntan en el Apéndice I, considerando: variacio-
nes de línea del + 15 %, limitación de corriente y protección con-
tra corto circuito, se llegó a los resultados expuestos a continua,
ción, para las diferentes fuentes:

Fig, 4.22. Fuente de + 15 Voltios y 100 raAmp

1000 uF u 10 _ _ I ^ HCA40407
:
r. n
12 4
SN72723
11 n ir R 13
lOOpF
!l

57

Fig* 4.23. Fuente de - 15 Voltios y 100 mAmp.

 -123-

Fig. 4.24. Fuente de + 10 Voltios y 150 rnAmp.

.7.- DISEÑO DEL TRANSFORMADOR

Para alimentar las fuentes debe diseñarse un transforma.

dor, para lo cual se parte de los siguientes criterios de diseño.

Sabemos que el voltaje que se induce en la bobina de un

transformador con núcleo de hierros es igual a:

V = N d0
dt

Considerando un ciclo de la onda inducida y sabiendo

que:
0 - B S, donde:
0 = Flujo magnético
B = Densidad de flujo magnético
2
S = Área del núcleo en cm .
 -124-

Entonces :

V^MB
T

Jff

V BSf 2
Que cuando se trabaja con B en miles tfe Gaus, S en cm y
f en Hz, la formula se reduce a :

espiras _ J2500
voltio ™ B S f

2
Que disponiéndose de un núcleo de área igual a 5.48 cm .

Entonces:

7? - 225QQ <2i
60./O. G.4& Volho
¡\lp ~ nc/r>?<zro efe

Np - 136

Considerando que las pérdidas del transformador son de

un 5 7o, tenemos:

Ak — ñ fil.DS x Ea

Nsz — 111

A/53 rr 7/ <z¿
 -125-

Resumiendo los valores calculados, tenemos:

15.5 Vrrns, U lespircsjülombre No. 22

Í5.5 Vrms, 111 espira s,alambre No.22

1 I I Vrms,
alambre No. 26 10 Vrms, 71 espires, a l a m b r e Mo.22
T98espiras

"75 Vrms,537espiras,alambre No,22

Fig. 4.25. Datos del transformador de poder.

Del diagrama anterior el secundario S, con toma central

se usa para las 2 fuentes de polarización ( + 15 Voltios ) .

El secundario S 9 se usa para la fuente de polarización

del sensor ( 4 - 1 0 Voltios) .

El secundario S« se usa para la fuente sincronizada con

la línea que polariza el circuito generador de pulsos.
 -126-

4-8.- QTROS CIRCUITOS QUE SE DISEÑARON.-

CIRCUITO 1.-

Como circuito generador de Pulsos de Disparo, se diseñó

también otro circuito, que se indica a continuación con los valo-
res calculados:

-, IK

Vs
o-
.5 uF 100 K

Fig. 4 , 2 6

Obteniéndose como respuesta la función de transferencia

de la Fig. 4.2.9. De esta Fig. se puede ver que la respuesta de es_
te circuito es bastante no lineal, lo que no¿¿ indica que para ob-
tener una mayor linealidad es necesario de una compensación muy -
complicada.

CIRCUITO 2.-

El Generador de Pulsos de disparo de la Fig. 4.19, sin

control pedestal-rampa ni control de compensación, esquemáticamen
te seria como lo indica la Fig. 4.27. Puesto que el interés es co
nocer la linealidad del circuito, se halló el gráfico de la fun-
ción de transferencia, tal como lo indica la Fig. 4.30. De esta
Fig. vemos que la respuesta es bastante lineal, lo que nos indica
que al agregarle el control pedestal rampa y control de compensa-
ción, obtenemos una respuesta mucho más lineal, por razones anali
zadas en el Cap. III (Control de Fase), raz,ón ésta para haber es-
 -127-

cogido este circuito como el básico para el efecto de esta Tesis.

CIRCUITO 3.-

Corao circuito sensor, se diseñó también un puentes como

lo indica la Fig. 4.28.

2NE646

Rig. 4.27

Donde al poner como Rs una f otoresistancia, entrega c^

mo señal V , un voltaje que es proporcional a 3¿c. luz incidente.
Para que el medio ambiente no causara un probl/ena, se construyó
una estructura hermética. En estas condiciones ¿se halló la res--
puesta de este circuito para carga variable, etilos resultados lo
muestra la Fig. 4.31.

Ha de anotarse que no se usó este metido porque respojí

de muy lentamente y ello hace de éste uno muy impreciso, además
porque la resistencia del elemento fotosensor w-ría en un rango
bastante .amplio.,
•tm
^ SSOn.

Fig. 4.28
 0*0

ccrs-o

co
CM

t COCO'9
 I1"
Id
l/í

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H-
OQ

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ESCUELA POLiTECNICA
 -132-

5.1,- CONSIDERACIONES FAFvA EL DISEÑO FÍSICO.-

Para efectuar la construcción del equipo que se ha dise-

ñado, debe hacerse las siguientes consideracimes:

1.- Puesto que el Control de Fase de Tiristores por lo analizado

en el Capítulo III, puede efectuarse por métodos diferentes,
consecuentemente al escogerse uno determÍBado para esta Tesis,
se creyó conveniente en una construcción nodular, que posibi-
lita el uso de diferentes métodos para el efecto, gracias al
intercambio de dichos módulos.

2.- La distribución de los elementos en los circuitos impresos, -

deben realizarse con la consideración de qsre deben ser provijs
tos de tierras con áreas grandes, que impidan ruidos e inter-
ferencias que podrían causar realimentaci.dp.es que ocasionen -
que dichos circuitos oscilen y en consecuencia el control se
vuelva inestable.

3.- Dado que el Tiristor va a soportar tensiomes de bloqueo dire_c

to e inverso altas; y que, dependiendo de la carga por él crr
cularán corrientes grandes; en consecuencia necesita una gran
área de discipación de calor.

4.- Debido a que el sensor de RMS se reduce fundamentalmente a u-

na fuente luminosa y un fotoelemento, debe construirse una es_
tructura hermética que evite interferencias del medio ambien.
te.

5.- Debido a que en condiciones de carga máxima, la necesidad de

corriente se hace grande, debiendo dicha corriente circular -
por una parte del bobinado del autotransforrnador, debe éste -
bobinado ser provisto del suficiente aislamiento, que garantí.
ce su funcionamiento normal, bajo condiciones de seguridad.
 -133-

5.2.- CONSTRUCCIÓN DEL EQUIPO.-

Bajo las consideraciones acotadas, se construyó el equipo

que a continuación se muestra en diferentes vistas.

FOTO 1.-
FUENTE DE +15 VOLTIOS Y 100 MIL ZAMPEMOS.

FOTO 2.-
FUENTE DE -15 VOLTIOS Y 100 MILIAMPERIOS,
 -134-

FOTO 3.-
FUENTE DE +10 VOLTIOS Y 150 MILIAMPERIOS

FOTO 4.-
ESTRUCTURA HERMÉTICA DE LA FUENTE LUMINOSA

Y EL ELEMENTO FOTOSENSOR.
 -135-

FOTO 5.-

CIRCUITO COMPARADOR,

lili]
niir

FOTO 6.-
CIRCUITO GENERADOR DE PULSOS DE DISPARO
 -136-

FOTO 7.-

VISTA FRONTAL DEL EQUIPO.

FOTO 8.-

VISTA POSTERIOR DEL EQUIPO.

 -137-

5.3.- CALIBRACIÓN ÜEL EQUIPO. -

Después de aplicar el límite inferior de voltaje RMS a

la entrada, ajustar R- para obtener 100 Voltios RMS para las con
diciones de carga deseadas. Subir ahora el voltaje de entrada al
límite superior; y, dos cosas pueden suceder:

1.- Si el voltaje de salida sube, significa qjue la compensación

es muy baja, entonces R
R_? d<
debe subirse hastía' obtener el vol-
taje correcto a la salida.

2.- Si el voltaje de salida sube momentaneameijte y luego baja,

significa que hay sobrecompensación. Ajusítar R? para obte-
ner el valor deseado.

Poner a la entrada el límite supericer de voltaje RMS y

ajustar R, para obtener 100 voltios RMS a la salida.

Ahora poner a la entrada el límite inferior de voltaje

RMS y repetir el ajuste descrito anteriormente,, ajustes consecu-
tivos realizados de la manera indicada darán éÜ resultado desea-
do.
 en
w
*!
Oí
fcd:
en

H
p
hJ
u
!3
O
O
P

H
H

PH

<
O
O
Q
<
H
tJ
P
en
H

pd
 -138-

6.1.- MEDICIONES EN EL EQUIPO CONSTRUIDO.-

Realizando las mediciones en el equipo: construido, se ob

tuvo los resultados que a continuación se adjurttan en copiados re-
ducidos, dichos gráficos se obtuvieron con el ¡programa del Apéndi-
ce C, Fig. (6.1), (6.2), (6.3).

Para que la medición de los resultadoi anteriores sean -

más objetivos se tomó las fotografías siguientes.- para diferentes -
voltajes de entrada.
vo
I
 -140-

rnn UNA CA»^ n= poq wAj^jrjns L*Qí y2kliJ— ÜI LÍJJE^!2Í VJ^J-TJ:J:

DF SALTOA Rf'S
c »

i i / .o o
~v
i ?;.-.<

VflLTAJP Cf rMt
F ÍOt
*- .-'r ¿-1 *
 -142-

FOTOGRAFÍAS PE LAS FORMAS DE ONDA DEL VOLTAJE EN LA

CARGA PARA DIFERENTES VOLTAJES DE ENTRADA.

FOTO 1.-

VOLTAJE DE ENTRADA = 75 VOLTIOS.

FOTO 2.-

VOLTAJE DE ENTRADA = 80 VOLTIOS.

 -143-

FOTO 3.-

VOLTAJE DE ENTRADA= 90 VOLTIOS.

FOTO 4.-

VOLTAJE DE ENTRADA- 100 VOLTIOS.

 -144-

FOTO 5.-

VOLTAJE DE ENTRADA= 110 VOLTIOS

FOTO 6.-

VOLTAJE DE ENTRADA- 120 VOLTIOS

 -145-

FOTO 7.-

VOLTAJE DE ENTRADA= 130 VOLTIOS

FOTO 8.-

VOLTAJE DE ENTRÁDA= 140 VOLTIOS.

 -146-

FOTO 9.-

VOLTAJE DE ENTRADA = 160 VOLTIOS

-*•

FOTO 10.-
VOLTAJE DE ENTRADA = 180 VOLTIOS
 -147-

6.2.a.- ANÁLISIS. DE LOS RESULTADOS.-

Para hacer un análisis más justificado se creyó conve-

niente graficar en la Computadora coa el programa del Apéndice H,
las diferentes formas de onda del voltaje en la carga, dependien-
do del voltaje de entrada, obteniéndose los resultados siguientes:
Fig: (6.4), (6.5), (6.6), (6.7), (6.8), (6.9), (6.10), (6.11),
(6.12).

De los gráficos anteriores, tan solo puede tenerse una JL

dea de los resultados experimentales, puesto que en la Computadora
al graficar se comete errores de redondeo, ya que no es posible
distinguir la fracción de espacio y el espacio entero. Por ello se
creyó conveniente graficar con los programas del Apéndice E y Apén
dice F, tanto los datos obtenidos en forma experimental como los -
calculados, dichos gráficos se adjuntan en copias reducidas: Fig.
(6.13), (6.14).

Analizando los resultados obtenidos, puede anotarse lo

siguiente:

Los gráficos de las Fig. (6.2) y (6.3), muestran que el

equipo regula con mayor precisión en los tramos finales osea a vol^
tajes más altos, eso se debe a que para voltajes bajos la compensa,
ción es de mayor significado porque la corriente que alimenta en je
sas condiciones al condensador C.., está principalmente provista
por el transistor Q.. , además es importante anotar que la lectura
en el instrumento para los tramos finales resulta muy difícil,
pues no es posible apreciar muy claramente las variaciones.

Del gráfico de la Fig. 6.14, como fundamental comentario

puede anotarse que el diseño cumple con lo propuesto porque las
respuestas experiraental y teórica, están prácticamente iguales, lo
que justifica los criterios escogidos para el diseño.
 !

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6-2.b.- CONCLUSIONES.-

De los resultados obtenidos, puede concluirse que el e-

quipo cumple con las especificaciones impuestas; y, es más, el e-
quipo responde en un rango mayor a la entrada cea una mínima va-
riación a la salida, razón por la cual concluyo que el método op-
tado para realizar el Control de Fase es el óptimo para este efe_c
to, porque además es el más económico, pues hace uso de elementos
fáciles de obtener.
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22 CONTINUÉ 11
END 10

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DOS FHRTRAN IV 360N-FO-A7<3 3-6 DATE 04/10/76 TIME I 1.06.06 PAOS 0001

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0001 SUPPOUTINT M O W F { I TUL O . M 1

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H/4723 Precisión VoStage Reguíator

INTRODUCTÍON

The jfA723 is cornmonly regyrded os a universal buüding
block in pov.'cr suppiy design. This section outlines íhe block
diagram anci those parís of the interna! design which rcsult
in Iho flcxibility required for this "univeisa!" label.
^Sk figuro 7-1 a is the block diugram of the uA723 illustrating
the various features which have been incorporated into the
device — they are as follows.
O The inlernally generated reference volíage is directly o
able in buffered íorm.
O Both inputs of the error ampüfier are avaitable for
w¡th othcr than positivo grounded configurations.
& The collector of íhe iníemal series pass device is avai
at a sepárate lead on the package (V^).
® Voltage leve! shifting is available (V^r output) throug
internal Zener diode (14 íead D!P versión only).

v.-o

a. Block Diagram

25 3Z

r.¿ 15k 6.3V

—'.Vv — \V"sl t* í
[ °^-|- v\ R3
¿s,
!5
i ^X
}
h

b. Simpliíied Scíiematic

F¡ÍJ. 7-1

7-3
 FUIMCTIONAL DESCRIPTiON The equivalen! .schematic of Figuro 7-1 c show;-, th
mentalion of íhoiíü funcíions. Q1 is an n-chnnnel F
Circuit operntion may best be described with the aid of tho with itjchnoloíjy compatible with norma! itUn^rate
simplifttíd schematic in figuro 7-1b, Bias supplies for the components. Tho uso of an F£T has two advant;uje
entire circuit aro obtained by first generaíing a stobilUed tho Une njyulntaon is grcntiy improved boc;msí¡ the
voltage with respect to the V+ Une ncross /"oner diodo DI, drawn by Ql ;is incícpondont of povver supply va
which is suppliod with a constant current l¡. This volíage is Secont!, tho powsr dissipation is rninimizod bocauso
then used to derivo the bias voltage which controls current rent drawn does not approciably incrcaso at larg
sources \e basic reference element of the volíage rcference suppty volíagcs.

is the Zener diode D?. which has a typica! breakdown voltage VIH
of 6.2 V at 200 uA and a typica! temperatura coefficicnt of
+2.4 mV/°C. Its operating current is sel by RO. However,
Vp^p actunlly consists of D2 breakdown voltage plus the
base ernitter voltage of QG. From the basic relatio'nship be-
tween the base emitter voltngc of a transistor and its collec-
tor current, it is found that the temperature coefficíent of
base emitter voltago is a funclion of collector current. There-
fore, in the voltage reference supply, íhe Temperature coef-
ficient of Q6 base emitter volíage is set by current source 1?
to cancel the temperature cocfficient of 02, giving a typical
reference voltage of 7. 15 V with a nominal temperature co-
Fig. 7-2a Diodo Cannoctorí Transistor Current Sourco
efficiení of zero. In addition to providing current for D2, tran-
sistor Q5 provides the necessary buffering to allow current
to be taken from the Vpp_p terminal for certain applicatfons.

In the error amplifier. Q11 and Q12 fcrm a differential pair

of transisíors driveri by a current source 2'x ¡3. The active
load for Q12 is a pnp current source 13; thereforc, in a bal-
anced condition, i. e., when Q11 and Q12 base voítages are'
equal, Q11 and Q12 coüector currents are boíh equal to ¡3.
Q1 1 coilector is returned to a stabilized vclíage source in the
reference supply to maintain high une rejection in the
amplifier. 13 is set to approxirnatefy 160 uA. In operation
^REF- or a vo!ta 9 e derived from VpEF' ' s aPP'¡ed ío the
non-inverting input (Q1 1 base) and a voliage proporíional to
the desired ouíput voltage is applied To the inverting input Fig. 7-2b Loyarit^f-'nic Current Source
(Q12 base). When íhe feedback loop is closed via the uA723
output sTage and exíernal bypass transisíors, if used, the two
error amplifier inputs are forced ío a conditioi'i of balance,
thus defining the output voltage in terms of V^gp and the
appropriate resistor ratios.

The output stage consists of a double emitter follower (Q14-

Q15) ío prevent excessive loading on Q12 cofíector. This,
in conjunction with the high impedance of the active load
((3), allows adequate gain to be obtained from the single
stage amplificr. this aiso simplifies frequency compensa-
tion wilh a single capacitor connecíed from Q12 collector
(COMP terminal) ío either Q12 base or ground being suffi-
cíent to próvido stab/o operation in ai! appiications.
Fig. 7-2c Hirjh Oalput impedsnca Curren! Sourco
D3, a 6.2 V Zener diode, is availablo in the dual in-line pack-
age for level shifting purposes. The allowable voííage rango Transistors Q2, Q7 and 08 form the curront sourc
at Q12 coilector to maintain linear operation is from V/j^y viously tüsciiásc-d The normal method of bia-jing th
ío a máximum voltage (V- plus 2 V). V¡¡\jV is also limiied rent sources is K» use either o diode connected transísl
to a mínimum voltarjo (Vi- mi ñus 1 V). In some applications íA'í,1 7-2o] or a socíarithrnic rcljtionship as shown in
tho uA"/23 ouíput voltago is required to be bülow this range, 7-2b. For this deskjn, hovvever, a vcry high output imp
in which caso D3 rnay be used lo brincj Q12 collecíor back is requircJ ío próvido high ÜMÍJ rajection and incrüa
¡nto iís linear región. gaín of thu nrror p.mplificr. In the configuraron sh
Figui c 7-9.C,
O1 6 is avaílnhl-í for current limitincj purposes. When O.16
base emittor juncíion bocomos forward bioscd at a particu-
lar levo) of load current by moans of an exíoniíil current sens-
ing resistor, O 1 G colíecíoi sinks most oí tho nvatjablc cur-
R2
ront from the current sourco 1^. This tends to cul off the
cMüpuí stacjo/ónü liiriit ouíput curr'int.
vo'tügc- ¡jcross R2 and tho rollocíor curront has bo«n suibiiiz- CURVES
cd acjainsl changos in colloctor-to-emittoi volíage. This then
The íollowing electrical císaracteristics and typicat per
provides ihc necessary high outpul impedíínce.
mance curves are bascd onlhe test circuit \i\Figurc 7-3, N
Ihat CL refcrs to Currenl Línit, CS to Currenl Senss, and
The currcnt source producud by Q7 is "mirrored" by 0,10 and sense volíago roferred To sn íhe performance curves is
O1 3 to próvido H cLirrcnt sink oí valuó 2 x ¡3 for tho error voltage difference betwcentermináis CL and CS.
ernplifier.
R1 R2
R3
R1 + R2
To achieve a low VREF output impodance. transistor Q5 in
Figure 7-1 h has buen replaced with a Darlington pair, Q4
and Q5. Resistor R7 and MOS capacitor C1 are included on
the chip to elimínate the need íor an external compensa-
ción oí ihe voltage reference loop.
T.
The power outpul transistor 015 is a múltiple devlce using
individua! ernitter current baíancing resistors. This lech-
nique increases tho safe opercíing área and extends the out-
pul current capability ío i 00 rnA. Fig. 7-3 BÍÍE.ÍC l'ost Circuit

Absolute Máximum Rat.jngs

Pulse Volíage from V* to V-, (50 ms) (723 oníy) 50 V
Contínuous Volíage from V+ to V- 40 V
Input/Output Voltage Differentia! ¿5 V
Voítogo Betwcen Non Inverting Input and V- +8 V
Current from Vz 2ü mA
Current from Vpgp 15 mA
Interna! Power Dissipaíion*
Metal Can 850 mW
DÍP 1000 rnVV
r
Storage Ternperature Renge -65°Cto +150°C
Operaíing Temperature Range
Military (723) •-, .. -55°Cto+125°C
•Commercial (723C) 0°C to +70°C
Lead Temperature (Soldering, 60 seconds) 300°C

•Raliny app!iG-s lo ambient tcmpef atures up to 25°C. Above 25°C ambient deralo linearly at G.8 mW/°C for ífca Metal Can. For íhe DIP, derale linearly
80 mW/c'C above 25°C for 7230, nbove bO"C for 723.

7-5
 /JA723

ELliCTrtlCAL CHARACTEmSTICS (Seo Note)

PAHAMETER GGNDITIONS MIK. TYP. MAX. UN

V ( N - I 2 V t o V | N -1DV 0.01 0.1 % V
_ IO
Lino Regulation _VIN-_12VtoV|N-«OV 0.02 0.2 %V
-55 0 C<T A <f125 D C l V | N - 1 2 V t o V | N - 1 5 V 0.3
%VO
1. --M mA to I. -^ -JO ni A 0.03 0.15 %V O
-5Ü11C^ r A ^-t-125°C, í, » 1 mA to 1. - 50 mA 0.6 %V
f = 50 Hz to 10 kHz 74 dB
f - bO \\¿ to 10 kHz, C R E F = 5 / í F ^r> dB
Averaye Tompcraturc Coefficient
-S5°C<T A <+125°C 0.002 0.015 %/°
of Outptit Voltage
Short Circuit Currunt Limit ñ SC " 1Ü n- V OUT = ° G5 mA
^leference VolMge 6.95 7.15 7.35 V
BW = 100 Hz to 10 kHz, C R G f - = 0 20 MV
BW = 100 llz to 10 kHz, C R E p = 5 pF 2.5 /^Vr
_ong Terrn Stabiüty 0.1 %/1
Standby Current Drain I L - 0 , V , N = 30V 2.3 3.5 mA
Input Voltoge R;mge 9.5 - 40 V

Output Voltage Ronge 2.0 37 V

Input/Output Voltago Dif ferential 3.0 38 V

/JA723C

EL£CTR!CAL CHARACí ERISTiCS (S«e ;\

PARAMETER CONOITIONS M1N. TYP. MAX. UN

V IN = 1 2 V t o V ( N = 15V 0.01 0.1 %v

Line Regutation V } N ^ 1 2 V t o V ( N ^ 40V 0.1 0.5 %VO
0"C<T A <70°C, V | N =-•= 1 2 V t o V | N = 15 V 0.3 %VO

I, " 1 mA to i. = bO mA 0.03 0.2 %V

Load Regulation
0°C <T. <70UC, I, « 1 mA to I L = 50 mA 0.6 %v
f = 50 Hz to 10 kHz 74 dB
Rípple Rejectíon
f = 50 Hz to 10 kHz, C R f £ F - 5 pF 86 dB
Average Temperature Coefficient
0°C<T A <70°C 0.003 0.0 i 5 %/°C
oí Output Voltaqe
Shorl Circuit Current Limit Rsc—ion,vOUT-o 65 mA
Raferonce Voltruje 6.80 7.15 7.50 V
BW - 100 Hz ío 10 k l f z , C R F r '-= 0 2Ü MV r
Output Noiso Voltoge
B W - 100 H z t o 10 kH¿, C R[iF = 5 / ^ F 2.5 ^rm
Long Term Stabiüty 0.1 %/10C
Standby Current Drain l t =0, V | N = 30V •2.3 4.0 mA
Input Voltage Rango 9.5 40 V •
Output Voltoyi? Rangü 2.0 37 V

Input/Output V o l t a g c Dif f u f u n i i c l 3.0 38 V

NOTE:
Unios* olhorwisu s p o c J f i í - . l , T A - íD°C. V , N - V t- - V c - 1 ¿ V, V- - O, V Ü U T - 0.0 V, IL - \. O mA. fí üc - O, (; 1 - 100 nf:, CR(-:F -
dividor lrnpuilíinc« ns ÍOJÍM by orror ;nnp!ifi«r < 10 k í í connficK'M. I ¡no ¡inrt to.nl rriyuL-ilIrin Mii-oi-'k-.-ilMíiis n r o íjiv-'.n (cr t h u comiiíion of co
chip t t i t n p o r ü t u r f ! . Tump^i -3 tu: o dnf ¡s niu-,t bo t¿ikc¡n ¡nía .iccount •von'trnioly for hi'jh Hisstpiíiiüii r omli t ¡un-i.

7-6
 LOAO REGULATION I.OAD RCGU1.AT1ON LOAD REGULATION
CHAflACTERISTICS VVlTHOUT CHARACTrRlSTICS WITH CHARACTERISTICS
T LIWITING CUíífííiNT LIMIT1NG wmi CURREN! u

— — -~ -
— ^
•^
• j^

5 -0.15 ~ _
_,
— ~ ..- -
— —

0' Ü V VIH * -12 \

SO = 10
' i
20 40 CO 8!) '00 10 Ib 20 J5 20 40 60

OU1PUT CURUCM— rnA O'JTPUT CUflFlEfíT — mA

OUTPUT CUFIRENT - mA

STANDIíY CURRENTDRAIN
LIMITING AS A FUNCTION OF
CHAHACTERÍSTICS 1WPUT VOLT AGE

t U

20 «O 60 80 1OO 10 JO 30 40

OUTPUT CUP-ílENT ~ mA IKRJT VOLTAGE — V

Fin- 7-4 Typica! Pcrformanco Curves íor 723

i—
LOAD REGULATION LOAD REGULATION
CHARACTERISTICS VVlTHOUT CHARACTERISTICS
CURRENT LIIVÜTING WITH CURHENT L1MIT1NG

OUTf-UT CUitñENT-

STAND1ÍY CURRFNT DRAtN

CUrIRF.NT LIMITING AS A F-UNCTION UT
CHARACTEH1STICS INPUT VOLTAGE
r~

7-G Typiuni Performance Curvo:; íor 7?3C

7-7
 CUHRENT LIMITING
LIME REGUI.ATIOM AS A LOAD REGULATION AS A CHAHACIURISTICS AS A
FUNCTION OF INPUT/OUTPUT FUINJCTION OF I.NPUT/OUTPUT FUNCTIOM OF JUNCTION
VOLTAGt DIFFERENT1AL VOLTAGE DIFFEHENTIAL TEMPERATURE
V 0 ' - 5 \O

TA.-25'
n -r;—i 1 r—i 1 1 1 '

\ • «3 V --
IL -I mA

—— ~^~ >•—
—~ —
^
-

nAto 'l' 60 .r \

5 15 . 25 35 6 15 25 35 O t;O -ICO

{VN-V0)-V (V|N - V0) - V JUNCTION TEMPCHATUPE — "C

LINETRANSIENT LOADTHANSIENT OUTPUT IMPEDANCE AS A

HESPONSE RESPONSE FUNCTION OF FREQUENCY

T
Tf

Fig, 7-6 Typica! Performotice Curves for 723 and 723C

1NCHES MiLL

DIM MiN TYP MAX MIN TYP

A 0.335 0370 8.51

B 0.305 0.335 7.75
C 0.1 G5 0.185 4.19
D 0.500 12.70
e 0.040
F 0.056 0.019 0.41
G 0.230 5.84
NOTES: H 0.115 2.92
Leads Ste gold-plñiec) kovar 1 0.028 0.034 0.71
Packa^e weight is 1.32 grarns
High llitirrnal restsííince packaQG J 0.029 0.045 0.74
Nine leatis ihroug.'i, leüiJ No. 5 K 0.040
is connecied lo case

Fíg. 7-7 JEDECTO-100

l MiN
INCHES MILL METERS
TYp
DIM TYP MAX MiN

A 0.750 0785 1 9.05 1

B 0.2.45 0271 6.22
C 0.025 0.64
0 0.045 0005 1.14
E 0290 0.310 7 37
F 0.009 0011 0229
G 02OO
H 0. 10O 0.1 65 2 E4
1 [ 0.050 0 1 10 2 2r J
J\ O.Ú2/ 1 wGj> ' 1 ODJ
, U.iJ U U U ;-! U i-J -»-!«« /I-^~J\------V V -if K lf }f •}(-- i o,.», I 1 á J U ü 1 y- / F '
f:ve" K 0016 00 /O 1 041
L 0 065 0.095 1.65
-|- ----- '? ¡ i1 j 1 yoi/r ^
0 015 0.33
' ~
N 0.375 953

i:íf|. 7-G JEú[£C TO-1 ¡G

 i A n'T*E
lAr ti o
¡jA723 Precisión Voltage Regulaíor AppBcations
FREQUENCY COMPENSATION
The stabüity oí ony power supply coníiguralion can beassured
by two steps. First, consider the de and ac performance of
both the intornal gain stage of the [iA723 and al! othor active
síciges used. Than, próvido the nccossary compensation using
standard operationaf ampliiier techniques.
|jA723 Open Loop Voltage Gain and Phaso Shift as a
Function oí Frcquoncy
Figure 8-1 sliows the open toop frequency responso of the
pA723 voltage gain stage. The increase in the rate of phase
shift seen ¡n Figure 8-1 is due lo the Beta fall off of tho ouiput
stage ai higher frequencies. This increasing phase shift rate
requircs that the uA723 be compsnsated whother or not the
tíevice is used with externa! components.
A pensation reduction; inis is to ailow for gain variations in
T-ig. 8-1 MA723 upen Loop Voltage Gain and Phaso Shift as a
>' Funcí/on of Frequency
Recommended frequency compensation for the unity gain ¡s
either a 5000 pF capacitor from the compensaron terminal
to the V- terminal or a 20 pF Miller componsaíion capacitor
connected from the frequency compensation terminal to the
inverting input. To allow proper operaíion when using the
Miller compensation, the inverting input musí be isolated
from the remaining circuitry by some impedance. This is ¡I-
lustrated in Figure 8-83.
j. B-'A pA723 Load Currcnl Capttbíütios for í^axíihurn I.OÍK) Cuiront ns a Ptinction oí itipui/O; 1 r.-til Vollago Diffúifeniií
For output voltages greñíer than Vf^p, the closed loop g
will begieater than uriríy. íf higher closed loop gains are us
the compensation capftdiíor can be reduced in direct prop
tion to the increase ¡nc^sin.
When using an externé series pass devíce, the 3 dB ba
width of this devtce rmst also be considered, particula
since the majoriíy of tlu-se devices have a much lower ba
widlh than the jiA723, For instance, ií a 2N3055 is selec
as the series paos device ío be used in a unity gain configu
tion power supply, thistfavice has a mínimum fy of 800 k
and a máximum Beto of 70. This introduces a 3 dB poin
the overall loop gain at approxirnately 11 kHz, which mea
that heavior frequency oompensation of the reguiator is
quired to assure stabiiity.. Since the first break poinl of 11 í
is due to the external pawer device, the reguiator should na
less than unity gain at fe second break point. The scco
break point ¡s the first isroak point of the [iA723 gain sta
which occurs at approxámately £;0 kHz as shown in Fig
8-1. Adequale compenssiion is provided by a 0.02 uF ca
citor from the compensaüori terminal lo common ~ or b
40 pF Mtücr capacitor 5rom the compensation termina!
the inverting inpuí. As befare, for any increase from un
gain, there can be a propoítional reduction in the compen
tion capacitor. HowevG', the valué of the Miliar capac
may not be reduced in d,i.-eci proportion to ihe standard co
pA723 and for parasitíccapacitances. Extra capaciíance m
be required at both the input and the oulput of any pow
supply duc ío the inducfei effects of long fines. Adding o
put canacilance provides the adcjitional benefit of reduc
the output impedance oECurring at higher frequencies.
THERMAL CONSIDERATÍONS
pA723 Load Current Capabiüties
Figure 8-2 provides a Quick reference lo the allowable pow
dissipation of the uA723 in terms of the input/output difí
ential voltage and ioad zurre ni. Figure 8-2a is for the uA72
in Ihe TO-TOO package (10-lead metal can); Figure 8~2b
for the uA723/pA723C i:n the TO-11G package (14-lead,
inetic dual in-line); and/Figure 8-2c refers to the MIL temp
atura range uA723 in íihe metal can pockagc.
 pA723 Máximum Power Dissipation in Prca Air 3. Short Circuit Curren!, Opon SI and S2
The provious curves are based on the free-aír dissipation Mensuro output cu
ratings siiown in Figure 8-3 below. The thermaí dernting the outpul ¡s shorte
factor is 6.8.mW/°C for ího TO-100 metal can and 8 mW/°C
for the TO-116 hermetic DIP. When it is necessary to heat
sink the TO-100 package, a thermal resístance of 50°C/W,
junction-to-case may be used.
f-OS i O-i
P3 REÜiJL

— 1—<¿£<t- i- — ° X

NOTE: AL1.

Fig. 8-4 Símplified Tesíer Schematic

TYP1CAL APPLICATIONS
Introductior»
-55 O 25 70 125 ISO
AMQIfNT TL:MPfrtATURe — *C
TO-100 METAL CAN PACICAGE The required ouíput voítage for the following pA7
tions can be calculaíod from the equaíion ac
each circuit. ín al! cases the resuiting resistor
assumed to inclusie any potentiometer resístan
addítion, Table 8-f is included at the end of Ihe
affords a quick reference for many standard ou
requirements. The previous section on frequency
tion gives guidance ío the suiíable valúes of co
capacitors used in the various appicaíions. Sp
sistor types are ñor included in íhis section. Howe
dix C includes a discussion of the selectíon of po
and a lisí of prefe»red types.
-55 O 25 70 125 150
AM3IENT TEMl>Fll«TURC — *C in the followiug appücaíions, the u A 72 3 is rep
TO-ItOHEHMEriC fUALIN UNE
a number of vvays. tn thoss circuits vvhore th
operation is very basic, the symbol of Figure 8
Lead functions can be idantified by refsrring to F
Hg. 3-3 pA723 Máximum Power Dissípation ¡n Free Air

The relationship betweeri power dissipation Pr> maxirmnn

ambíení íc-mperaíure T^, and thermal resisfance from case-
to-ambient & 1 's ínen:

PD
-a -50°c/w
These equations may be used to calcúlate the máximum allow-
ab!e power dissipation, Pr> or the máximum allowable heat
sink resisíance, QCA> ^rom a given sel of conditions;
Fig. 8-5 uA723 Symbo!
FUNCTIONAL TEST CÍHCUIT
Simplifiod Testcr Scbomaíie
A sirnplified functionaf tosí circuit for the uA723 ís gíven in
Figure 8-4. The output voltaye is set for a nominal +5.0 V.
The basic test stops ore as follows.
1. Load Regulotion at 50 mA, Cióse S1
V
Measure output volíagechange
with 52 opon and closed, (o
(oad curren! chango of 50 mA).

2. Líne Opon $2

Moasure output volía^ochanqe

resulting from a chango in input
voltaye VjíN).

8-4
 In those appücalions whc:re thn circuit operation is ciarifiod
by thfi uso oí a functional schematic of the pA723, Fiyurc8-6
is used. Tliis bluck bears a cióse tescmbbnce to tht 1 simpli-
íied sch'jmaífc oí Figure 7-1. in some cases the individual
components of this hlocK may bo rearrangcd in order ío sim-
pli'y a particular schcünntic. The refert'nce vnltngrj is rcpre-
sunttxl by a singlo Zener diodo, nominal voltago 7.15 V
stipplied frorn a constant currcnt sourco. The ouipul Zener
diocie, V0yy to V-/t is shown only in ihe rcquired applicalions.
8-7 Oi;t[Hit Configuratione
ft-S
Output Confíguretions
Many of the applications Das interna! Zcner diodos for lo
shiíting or for ího günornlik-n oí stabilizcd voltages. An
plnnation of where these tiiodes exist ¡n the uA723 circ
may help to avoid any probtems arising from improper biosi
Tíic uA723 ouipuí singo srhemalic is reproduced in Fig
8~7n. The V^ torminal prowdes direct accnss to a 6.2 V Zen
diode whose cathode is ¡.naernally connected to VQIJ-T. P
vided the inturnal cunen! Cími't transistor is not required
output sliort circuit proteclfoa iís base emitter junction p
vides anoiher G.2 V Zener d-iode (See Figure S~7b}. Note, ho
ever, Ihaí the anoa'e of t'hirs diode, terminal CL, is conne
ed internaíly by the coüeator base junction diode to the ba
of the output drivG trsnsteíer. Whcn using the CL - CS Ze
diode, the co'iecior base tíiüo'o must always be reverse bias
Máximum permissibie CL-CS Zener current is 5 mA. Corr
biasing is assured in Figure 8-7 c by ¡níerconnecting tho VQ
and CL termináis to próvida both positive and negativo G.
Zener dioa'es rcferenced :to tl'ie V terminal,
Posiíive Heguiators, 153mA Máximum
Figure S-8a shows thc baste low volíage configuration s
able for ouíput voltages ranging from 2 ío 7 V. The referen
volíage, Vp^p, is first divisad down by R1, R2 and, if ticsir
potcntiomcter Pl. Then itas Epplieo'to the non-inverting in
üf the error amplifier. Cp¡f p may be added if ripple reject
greater than that specifieií for the uA723 (74 d3} is requir
The presence oí Cp(rp BÍSO ¡educes íhe tegulated ouí
noise voltage considerable
Capacitor C1 provides froquoncy cornpensation. C1 is iso
ed fiom the low impeda nce ouíput by R3 which atso balan
the error amplifier sourcffírnpedances to give miniínurn te
perature drifí. To minimicís component count at the expen
of temperatura dritt, R3 ríí-ay be omitted. In this case, C1 c
not be used for frequenqf cornpensation. Insíead, C2 may
used from íhe compenscftíon terminal to ground as shown
Figure S-8b. To minimiza pov^er dissipation, the V-¡- and
termináis may be suppüied separately, with V+ requirin
mínimum of 9.5 V, whi:te the VQ supply may be as low
3 V above the regulatúd output volíage. The scncma
shown in Figure 8-83 aw£8-8b have output volíages given
R2
Í V o E F where (R1 + R2) > 1.5
R1 + R2 ' "
Output voltages from 7 to 37 V are obíainabte with Fig
8-8c in which
R2
VREF
If the reference bypass capacitor is required in this circ
it should be connectedf&rom the non-inverting input to gro
using R3 to incroaso ílüe reference source impedance
improve íhe efíectiveiícss of the reference capacitance.
150 mA ouipuí currer-it is availablc with Rgrj; sct to z
V^hen short circúit cu^ent limiling is desired, RgQ may
used to limit the rnaximyurn output current to
where Vg^c^ íthe sí-^ríe voliaoe, or tSie voltagc betwo
termináis CL and CS) it':. given in Figure 8-Scf. The rosulí
output currení limit hasa íomperaíurococ-fficientof-0.3%/°
 JT V
VC
VQUI ,

nI V-
t¡OH CF.
—v—O V
J
i.!,.
}¡ NOfl
.

* ¡j'riL^ INV i\vro\'p

CK
ci

L T c>
X
-Ü
pi >—i

NOTE: fí3 - -I

r
r

Fig. 8-8 Hasic Regulator Confíguratíons

Positivo Reguiaíors, Hígh Output Current
!n Figure S-9a. an npn transistor, Q1, boosts the available
output curront beyond the capability of the pA723. Q1 can
consisí cf scveral traiisistors cascaded to satisfy very high
currení requirements. In this circuit, one V^c voltage musí
be added ío the 3 V mínimum input/output differentiai re-
quiremont for oach transistor added. Depending on the íype
of transistor used for Q1, H3 should be added jiving ICBO
cornpensafion, and alteviating íhe safe área (imitation of the
ouipuí dr.'vico. Wiíh Rcr seí to ¿ero ihu máximum outpuícur-
rent capsbifity is (Q1 Beta) x (1 50 mAJ. RCQ may be used to
limit the short circuit current ío any desired valué up lo this
máximum in the same manner as outlined previously in
Figuro 8-8.
An altérnate circuit is shown ¡n Figure 8-Ob. Using an exter-
na! pnp transistor, máximum output currcnt is again (Q1
Beta) x (1 50 rnA). One V^p should be addod ío íhe mínimum
input/output differentiai voltage requiremont for each ad-
ditiona! transistor. Tic circuits ¡n Figure 8-9 may
outputs ¡n the range of?. to 37 V by selecting the app
feedhack network. f/jr.? 8~9a ¡s shown for ouipuí
froní 7 to 37 V, wheres: Figure 8-9b is shown for cuí
ages from 2 ío 7 V.
!f ¡t iñ roquired to varyíhe output continuously over
1 rango, it ¡s neoessa;, fírst ío attonuiíte VQ so th
never exceads Vpjrp etn vvhen VQ ís at its máximum
then próvido a potoníhiTieíer adjusunent from V^p
non-inveríing input. Th; is tllusiraíed ¡n Figure S~9c
VQ is attenuated by a t.íio of 5.2:1.
Máximum permissible ' ^ Q is then 35 V (gíving a V
6.8 V), which requires 3,6 V < V¡N * 40 V. Mínim
is determíned by tho nihírnum valué for V ) W V . The. s
mínimum VÍÍNJV is 2 V; bwever, it will be found that í
VINV m£í V b® reduccd íoüpproximaiely 0.72 V before
circuit no longer reguküa This corresponds ío a VQ o

Rtj. C-D Hif|h Current Fieguhitors

a-o
 /•Vipf 10 lo 1 voünge rangos may be obtaincd by varying íhe
¡uonuation raíio, (R3 + K4)/R4, from 5.2 to, say, 1.4. Then
v'0 range will bo 1 V to 1 0 V (1 3.6 V < V|N < 39 V).
furc 8-9c,
or. witli the valúes of R3 and R4 as shown,
R2
positiva- Shunt Reguíator
/fe uA723 may be used ín a shunt regulating mode by add-
,riO ar> externa! transistor, O1 , Special aííention should be
paid lo ensure íhal íhe series limiting resistor, R4, is capable
of handlincí thc high power dissipation inh&rent in this mode
of o-Míraiion. Figure 8-1 Oa is usod vvith the 14-lead DIP ver-
ston oí íhe pA723. When the 10-leadmeisl can is used, how-
eviír, it is necessary to add a 6.2 VZener diods externally, as
in Figura 8-1 Ob.
a
('f/ íi-10 Positivo Shunt Rcgulators
Positivo Recjuiators, High Line Rejection
fv"' shown in Figure 8-11 ¿i and S-11b, the circuits each use
1 " miuinnl cuirenl Imiit transistor ío prereyuíaio ílie Vt-
' -¡'¡'ly, ihcrtiby incrcasing thc lino rejecliori ío more thdn
1 '-^ tiíl. Ttio CS - CL termináis próvido a 6.2 V Zener diode re-
'•'t'nccd lo the otitpul volisgo, which is thcn used ío supp'y
In ihose ¿ípplicafion^ R3 cnusi bo chosen so íhaí tl'ie
i; 'U!n» mto the CS íarn^nal is Ümiled lo 5 rr¡A ínaxirnuni.
Fig. 8-11 Kiglí Line Rejeciio:n
Posiíive Reguíators, High'input Voítage
pA/23 is connected as sho\vn in figure 8-12o. The regulate
output voltage must remaíníessthan 38 V t o protocí íhe regu
lator. R3 may be replaced v/ith a FET current source in thos
cases where íhe variaíion .cf input voítage imposes excessiv
power dissipaíion in the inúerns! series pass device. Q2 pro
vides short circuit protectitn, if required (íhe interna! curren
limit transistor cannot be u;cd in íhis appíicetion). The máx
mum input voltage is determinad by the breakriown cha
scteristics of Q1. When .tsing the uA723 D!P versión, D
may be omitted ano' íhe V¿ termina! grounded; in this cas
Vpj^p must he resisíiveíy ¿ivided by tv^o before being ap
pfied to íhs inverting input.
Note that in íhis type of appücation where the pA723 outp
siage is used as an additioíaal inverting ampüfier raíher tho
'the usual ornitter foüower,. Vp.rp musí be connected ío th
inverííng input of the error«mpüfíerto maintain correctphas
relationships around the r^guiating loop, i.e., negative íeed
back from the outpuí.
Vv/hen using a pnp series psss device, high input volíages ma
be tolerated by using a Zener diodo to reduce the voítage a
pearing across the ¡JA723, as in Figure 8-12b. For exarnpl
tí LJ i ib cí ¿. \j v «Lí,¡~iC¡' ü¡í-jv.>j, n ¡jj Ln 'woiíTiyüij i o \j~¿ v a re pe
missibie. DI ;nusí be se!c:t;;d such th.sí r.o more íhan ^0
¡s appüed tu the [iA723 V-» and V,-- terminéis unc'or máximu
input voltage conditions. .Simüaríy, íhe reguinied output vo
<¡ge must not exc^ed 37 V \o mainiain t i i O spocified inpu
lo-ouíput differeníia!.
 Assuming the recplator ¡s operating correctly, then
input wilí equal ttne NON-1NV input, i. e.,

R3+R4

,,. / R2 A w f/ H3 \ R2 \
Vn í — • ------ 1)= VREF ( ------ )- f — —
\R1 +R2 / ntr-' L\3H - R 4 / VR1 +B
., ^... r/ R 2 \\
VO ^REF — ) —i — ) I -- )
U " Ll l\R1/ \RV \ R 3 ^ R 4 / j

Positiva Regulatiíiís, Low Input/Ouiput Differentia

Fiy. 3-12 High Input Voitago . Eiíher oí the two«i'rcuits shown wilí alfow an ¡nput-t
voltage difference cióse ío the soturation point of th
Positivo Regulaíor, r-loating pass device. As ¡malí appücaíions, ííío V|^/2) of figur

The pA723 may be used to direcíly regúlate hundreds of volts

usiny the configuraron shown in Figure 8-13, in vvbich a
floaííng power source is provided for íhe regulator by DI.
Tiio series pass transistor becomes íhe only ümiíimj faclor ¡n
deterroíning i he máximum voltage and currüní whicli rnay
be conírollod. The VR EF terminal supplies all the current
drawn by íhe sensing resistors and the total currení must not
excoed 5 rnA. R5 must be selected to provide sufficient cur-
rent ío bias 01 and to supply íhe pA723 siandby curront ai
tho niinimum ínpuí voltage condition. D2, D3 and D4 are for
protection purposes; fast switching diodos should be used.

If Q1 ¡s a high f j riovice, it may be necessary to add C2 to

reduce the output noiss Ic-vel. if V¡p.j is switched on and off,
causi.ng a very high dYj¡\j/dt lo appear at the [iA723 termin-
áis, C3 may be addod ío onsure conocí biasing throughout
the circuií. In normal use whon on/oíf cwitching takes place
beforo íhe usual rcctifier/filter supply íor Vj,\j, C3 is not
necessnry,

It wilí be noted from Figure 8-13 that

íf R3 and R4 are madc equa!,

/R? - R \. 8-13 FJoatingPooitive Rogulator

Tho normal mínimum regulaíed outpuí volíacjo limitation of

2 V íor tho uA723 doos not apply lo ihis circuit, oulpiií volí-
ñ(ji;:> down to zero volts being readily obtainablo. Fig. B-14 Low tnpttf/Output Diffr;i-üiiíial

8-8
 R2 \VRH1 PrecÍEion Voltage negithítor
RÍTn?/ i ~ R P
Figure 8-21 uses the same principie; as ihe previous ci
to give a voltagc output capoble of 0.00¿% load regula
lí P1 is adjusted so that = 3.0 V, as indicaicd in the Output voítage rango is írom zuro volts up lo the series
scheirtcitic, then devícc limit. Outpuí current is also limited only by the se
pass device; short citcuií proteclion is available in this
figuraíiort by seiccting as previously tíescribed. P
3000
11 = mA. teclion tíiodes D2, D3, and D4 should be added when
RpíSZ) V exceeds 40 V.

Both outpuí current and voftage complianee are limiíed by R1 / 2

> /
the cíipabilities of the series pass device Q1. Diodes D2
through D4 are protoction diodos which should be included Wtth the component valúes shown, this gives an output
/ whenever V exceeds 40 V. age rango of zero to TOO V.

Ov 0

T V f . C A L PCRI-OBMAI»CE

Ficj. 8-21 Precisión Voltago Regulaior

Foídback Currení Limiting

Foldback currení limiting is a superior alternative to stand

curreni limiting tcchniques particuíarlywhere intolerable
put de'/icc power dissípalion is a problern. Typicaüy, this
consequence of device/heat sink limitations undsr short
cuit conditions.

In the following discussions it is assumed that a regut

ouíput voítage is available up to a máximum output cur
IM- ^^~ ouíput current then folds back wiíh decreasing
resistance 10 a valué oí ÍQQ (with a shorl-circuit load).
"knee" of the current limitir.g characteristic v^iil be simila
that shown in Chapter 7 {Figure 7-8d and h) for normal
rení limiting. The reoulaíion degrades considersbly as \
approaclied, end in a practica! reguíaíor ihe useful ou
current may be limited to approximaiely 80% of l[y¡.

A mínimum parts/cosí meíhod for providing the posiíive íe

back required for foldback action is shown in Figures 8-
and 6. This techriique introduces posiíive feeríback by incrc
ed current flow through R1 and R2 under short circuit co
tions. This forwfüd biases the Gensíng transisíor's b
eniiiítjí' juñc;i¿n. T!".c fine! p'jrconíngo of fo'-'íbp.^ rí^no
on tho rokJtivo cor.tributions of the voM.cifjí? cJrop across
and Rgf-- to the base current of the sensing transistor. In
active rf-ícjicín whoie tlie voltage buitdup oí R2 and Hgp
8-20 Curnjnt Roc)it¡¡ilo(s vidos base current to the sensing transistor, recovery oí

8-11
 For low to médium output currcnts tho series pass transistor
of the previous circuits may be omitted. Hovvover, special
aítenííon must be p¿iid ío the dissipation of D1 and R5, and
!he ¡nternal dissipation of the |jA723. Máximum permissible
currení shuníed ío ground vía the VQUT íerm ' na ' IS 1 50 (T|A.
Figuro 8-17 as shown in suitable for output voltages ¡n the
rango -9.5 V to -40 V. By removing tho V+ and Vfj termináis
from ground and supplyjng thern vvitri a low valué positive
voltage as in Figure 8-1 Ge, output voltages from -2 V to
-9.5 V are obtainable. Tota! voltage from V- to V* of 9.5 V
mínimum and 40 V máximum must be ohserved. If the máx-
imum current from the VQ^JJ terminal is less (han 20 mA in
a particular applicafion, then D1 may be omitted and the out-
put connected to V¿ instead of VQJJJ.
-VIH o—w
100
TYPICALPtflPGtlMAMCE I* 7 "'
Fitj. 8-17 r-Jegüíiva Síiunt
Fíg. S-18 Negativo Migli Lino Rejoction
Necjativo Regulator, Migh Une Rejection
In the negative regulators with a series pass device, the only
variñtion seeri by the control circuiíry undor varying input
condiíions is the current variation causcd by íhe fixed resist-
ance across the series transistor's co!!octor-base junction.
* 3y rcplacing the resistor with a Ff:T current source in Figure
SÉ-18, the Une rejection is greatly improvnd, lypically exceed-
ing 1 00 dB. Output vcíírifje range is -9.5 V to -40 V, oxtend-
able down ío -2 V by the addilion of a positivo supply as in
Figure 8-16c. R5 and O2 must be seloctod ío próvido suf-
ficiont base curroní for Q1 undor worst cose conclitiuns. A
Qfjfífl f-hoicf; for O2 woiik! be a 2?}f:>'^uA. vvilh HS oq;i;J ío z<ji\
since its If)^^ (^oro rjE'tfí voltago drain currontj of 1 lo 5 rnA
will providñ sufficient base curruntíord ¡n niost applications.
0-10
Whcn the desired ourput voltago oxceeds the 40 V máxim
which may be appiir^t across the dovica, then a Zoner di
should be used to ÜiTr.írt the voíía'je, as shown (Figure 8-
The actual Zencr voítógc selected may be belween 9.5 V
40 V with little chango in performance. This circuit is
complement of 8-13, RG must be selected to próvido
ficient current to bias DI and to supply the uA723 stan
current under minimaim input voltage conditon. Solcc
according to the re^uirernents outíined in Figuro 8-1
Fig. 8-19 Negative Fla-rtrng
Current Reguiaíors
In Figuro 8-20a the r^gulator will forcé a voltago to app
across R D which ís eq¡wal to the vol&gs oxisting across
The resu ting current is summed wiíh tho rcgulator's sían
current, Igg, and the currení through F'2, to próvido a re
lated current, I^, ¡nto ühe load, R¡_. Dne ío this Kuininaü
line regulaíion decreases for ouíptft cufrenís below 10
The inpuí voltagu rnust be greater than l¡ R(_/ rnax ) +9-
to ensure suíficieni vcataye across the JJA723. Figure 8-
is shown sourcing cunrent from a positiva voltage +V|,\j.
can, of course, be gronnded whilo rcíurniny R{ to a nega
voltage. Sirnüarly, the output termina! rnay be groundo
taken to a negative volitíige when the Vj^ terminal will
vido a regulatcd currertósink of magnitude f^. in no case
the voltage from V- toV+ exceed 40 V.
\ V R E F \2
'u-
for output currents in ercess of 10 mA, íhis approxirnates
000
+ t SB mA
RH-R2, Rp
wiíh the valúes of R 1 a¡nd R2 shown.
If 3 voluige cofrip!¡¿if-,cü- yreater than '10 V is requirod, o
the reguiatíon of Fiytirv Q-20a is insufficient, the conftgu
íion in Figure 8-201) tu;;y be used. !t is a precisión fio-:;
cijrrení sourco cap.'íbl'í e;-f 0.05% rcT/clution. fn thíu circu
floatiny 20 V supply (!-;;p¡c,'il!y a h;i!f wave recíiíied cut
i'roui a suparaiü irunírGnner winíinv) of tiie main ütjpply
used to power llio ¡íA7/:3, such th;U stnndby and rufere
currents do not add to tlfra progra.mrnod ou^put currení,
 musí be 9-5 V mínimum. Tiie 7.5 VZener diodo rnay Ix; eh'm-
¿naíccl (Scc Figura íí-f^a) when tising tho dual in-lino pack-
acjo by grounding tho \'-¿ torminal and rcducing ihe V^pp
to 3 V by a 4.7 kn/3.3 k íí. voltage Vividor lo tho non-invert-
¡ng input of tho uA723.
Positiva R&gulators, Marginal Input Volfago
For oulput voltOQOs in íhe range -2 V lo -9.5 V, thc oui
voltacjo alone is ¡mvüiticient lo bias the pA723 in Fiqurr.
16;i. 1 ¡lis condition is satisfied in Figure 8-1 Ce by an ox
nal, regulatcd or unrc::ul3ted, positivo voliage applied to
V+ and V^ terrninnls. The máximum íirnií of 40 V bíítw(
the V+ and V-- termináis musí be observed. Máximum val
for -Vjf^2) ancí t!l° ínpul-lo-outpul diíferential aro det
mined as for Figuro 8-i6¿í.

Tho lwo circuits shown in Figure 8-15 offer some relief frorn In al! cases, a through c, if the V^ terminal is unavaüa
the 9.Í5 V mínimum V+ voítage when reoulating lower volt- then Ihe VQ^-J- torminai may be used with a series G.
ages. !n those cases whero the average volíago applied to the Zener diode.
inpul ¡s greater than the required mínimum — buí the nega-
tivo ripple poaks are lower --- a diodo/capacitor peak detector
will piovírio íhe solution (Figure 8-15a). Figure 8-15h shows
one method of using a voliarje doubler to assure tíist usirtg a
mínimum of exíernal componente, the proper bias voltac-e is
applied to the V+ terminal.

E i

±
1

Fig. 0-15 Marginal Input Volíago

Negativo Hcgulators, Mecüum/High Ouíput Current

This configuration (Figure 8-16a) wiíl regúlale any negativo
voítage between -9.5 V and -40 V. Since ihe uA723 is oper-
ated between ground and Ihc renulated output, the máximum
>}r,regulaied input voítaye is dctermined by Ihe voíiaye break-
down and power discipation copübilities of the pnp sérico
pass device, Q1. Base curren! for Q1 is supplied through rc-
sisior R5 such that íhe mínimum input-lo-oulput differcntíal
is conírolled both by the b??.e curront required by Q1 ond íhs
Víilue of R5.
A Darlington connedion may be used íor 0.1 to reduce the
basr* curr'.'nt requirement {Figure 8-16b} nncí to incroa^f? tito
outpuí curroní capnbility, Either Ihe complementary Darling-
ton as shown, or a standard pnp pair may be used. Fig. G-'tG Medtum/Hígh Output Current

8-9
 B I B L I O G R A F Í A

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