UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERÍA Y ARQUITECTURA

MEBLEC
(Modelo Educativo B-Learning por Competencias)

SOLUCIÓN A TAREA # _2___

Tema de la Tarea:Amplificadores de pequeña señal

con JFET.

Asignatura: ELECTRÓNICA II

Estudiante(s): José Salvador Montalvo

Castañeda

Tutor: Ing. Raúl Alberto García Aquino

MISIÓN DE LA UNIVERSIDAD
Formar Profesionales con Alto Sentido Crítico y Ético, con Capacidad de
Autoformación y con las Competencias Técnico-Científicas requeridas para resolver
problemas mediante soluciones enfocados en el Desarrollo Social y Respetuosas del
Medio Ambiente.

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 ÍNDICE

Introducción………………………………………………….…3

Desarrollo de la guía ……………………………………………..4-6

Fuentes de consulta y Bibliografía…………………………………7

INTRODUCCIÓN

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Los FET pueden ser utilizados para amplificar señales de pequeña señal o sea, al
introducir una variable eléctrica o electrónica a la entrada de estos, obtendremos a la
salida una réplica de esta pero con un valor amplificado o mayor o en su defecto podría
ser del mismo valor pero con algunas características diferentes por ejemplo su valor de
impedancia tan fundamental en los sistemas electrónicos.

Al igual que los BJT, los FET tiene puntos de operación ideales en los cuales se
aprovechan al máximo sus características inherentes por esta razón, a la hora de tratar
de analizar un amplificador de pequeña señal con FET, será necesario saber en qué
punto está operando con la finalidad de que a la salida no se produzca ningún tipo de
atenuación o distorsión. Llámese atenuación al hecho de obtener a la salida de un
amplificador, señales recortadas o disminuidas producto de la mala ubicación del punto
de operación del FET y llámese distorsión al efecto de hacer operar al amplificador en
un punto de mucha incertidumbre en la cual la respuesta a la salida, no sea la misma
para una gama de características de entrada por ejemplo, frecuencia, amplitud o
magnitud.

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 Desarrollo de la Guía

1) Para el amplificador siguiente:

Con VDD = 20 voltios.

R1=82 MΩ
R2=11 MΩ
RD = 2kΩ
RS = 610Ω
IDSS = 12 mA.
VP = -3 voltios.
rd = 100kΩ

Determine:

a) El modelo equivalente, b)Zi , c) Zo, d) VO si Vi = 20 mV.

2) Repita el problema anterior si rd = 20kΩ y compare los resultados, explique.

3) Para el amplificador anterior, dibuje el modelo equivalente si eliminamos el capacitor C 3;

sugerencia notar que si se elimina este capacitor, la Rs permanece en el análisis de “ac”

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Grafica de transferencia

VGs(Voltios) ID(mA)
-3 0
-2 1.33
-1 5.33
0 12

VGSQ= -1 Voltio. IDQ= 5.6 mA

VG = VDD = ID = =

ID =
VG=2.4 Voltios 3.9 mA

VS = IS x RS
IS= ID
VS=IDQ*RS= 5.6mA*610 Ω
VSQ= 3.42 Voltios

VDQ= VDD-IDQRD
VDQ= 20 Voltios-(5.6mA) (2K Ω)
VDQ= 8.8 Voltios.

VDS= VDQ - VSQ

VDS=8.8V-3.42V
VDS=5.38 Voltios

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 a) Modelo equivalente

b) ZI

Zi es el paralelo de R1 y R2 = R’

R′ = R1//R2 = ==

R′ =9.70 Ω

c) Zo, rD=100K Ω

Zo = RD//rD = =

Zo = 2.15Ω

d)

gm = (1 - )= (1 – )

gm = 5.33mS

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FUENTES DE CONSULTA Y BIBLIOGRAFÍA

 Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis; “Electrónica: Teoría de Circuitos”;

Sexta Edición.

URL:
 http://www.sharatronica.com/mosfets.html
 http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets.html