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ΔGs
+ Núcleo
ΔGT
r r* r r*
ΔG
r
r*r*
o sistema pode o sistema pode
diminuir energia diminuir energia
se o núcleo pela dissolução
crescer do sólido
- ΔGv
Raio crítico x super-resfriamento
Quanto maior o grau de super-resfriamento T abaixo da temperatura de fusão do metal, maior é a variação de
energia livre de volume Gv
A medida que o grau de super-resfriamento aumenta, o tamanho do raio crítico diminui.
2Tm
r*
H f T
Gv 3
MS = ML - SL * cos
Agente nucleante (substrato) que é molhado pelo líquido que está em processo de solidificação
(J.H. Brophy, R.M. Rose and John Wulff, “Structure and Properties of Meterists”, vol. 11: “Thermodynemics of Structure”, Wiley, 1964, p. 105.)
Regiões das seções transversais de dois lingotes da liga 6063 (Al–0,7% Mg–0,4% Si) com 15 cm de
diâmetro, que foram vazados por um processo semicontínuo de fundição direta em coquilha. No caso
do lingote (a) não foi adicionado qualquer refinador de grão; notar os grãos colunares e as colônias de
cristais com a forma de penas, próximo ao centro da seção. O lingote (b) foi vazado com adição de um
refinador e apresenta uma estrutura de grão fina e equiaxial. (Reagente de Tucker; tamanho real.)
Formação de estrutura de grãos
Grãos equiaxiais: o elevado super-resfriamento que se verifica junto às paredes frias do molde
origina uma concentração relativamente grande de núcleos – crescimento igual em todas as
direções;
Figura 4.7(a) Esquema da estrutura de grão de um metal solidificado em um molde frio. (b) Seção transversal de
um lingote da liga de alumínio 1100 (99,0% Al) fundido pelo processo Properzi (processo de fundição centrifuga).
Note-se a consistência com que os grãos colunares cresceram perpendicularmente às paredes do molde.
Imperfeições Cristalinas
Os defeitos de ponto são assim chamados apesar de possuírem um volume e de produzirem um campo
de tensões no material.
A denominação vem da dimensão desses defeitos = diâmetro da ordem de 10-12 (eletrônicos) a 10-8 cm
(atômicos)
Impureza
Auto-intersticial
Intersticial
átomo da própria
átomo diferente
rede ocupando
ocupando um
um interstício
interstício
Impureza Vacância
Substitucional ausência de
átomo diferente átomo
ocupando uma
vacância
Defeitos Pontuais
Vacância ou Lacuna
Podem ser originadas durante a solidificação, como resultado de perturbações locais durante o
crescimento dos cristais, ou podem ser criadas pelo rearranjo dos átomos de um cristal, devido à
mobilidade atômica.
Podem ser introduzidas nos metais:
- deformação plástica - por meio de resfriamento rápido, com base em temperaturas elevadas
até temperaturas baixas, de forma a enclausurar as lacunas;
- bombardeamento com partículas de alta energia, como nêutrons;
-TS
Para formar defeitos é necessário dispor de energia. Normalmente esta energia é dada na forma de
energia térmica. Isto quer dizer que quanto maior a temperatura, maior será a concentração de
defeitos.
A maior parte dos metais em engenharia é combinada com outros metais ou não metais para
melhorar resitência mecância, corrosão ou outras propriedades desejadas.
Liga metálica: mistura de dois ou mais metais ou de um metal e um não metal.
Example:
Latão Cu -Zn.
Iconel 718 (mais de 10 elementos)
Solução sólida: é o tipo mais simples de liga. Constituído por dois ou mais elementos disperses atomicamente
em uma única fase.
Átomos de soluto
Átomos de solvente
Ex. substitucional: Cu-Ni, completamente solúveis um no outro
RCu = 0,128nm
RNi = 0,125nm
Ambos CFC
Eletronegatividades 1,9 e 1,8
Valências: Cu (mais comum +1, às vezes +2); Ni (+2)
Liga Ni-Cu
Monofásica
O raio do maior interstício do CFC é 0,053 nm de raio, e uma vez que o raio atômico do C é 0,075, não é de se
surpreender que a solubilidade máxima do carbono no Fe seja apenas 2,08%.
No Fe CCC, o raio do maior interstício é apenas de 0,036nm e, como resultado, imediatamente abaixo de 7230C
apenas pode se dissolver intersticialmente 0,025%C.
(L.H. Van Vlack, “Elements of MateriaIs Science and Engineering”, 4. ed.,Addison-Wesley, 1980, p. 113.)
Defeitos Pontuais cristais iônicos
Defeito de Frenkel:
um cátion deixa sua
posição normal e se
move para o interior
de um interstício.
Defeito de Schottky:
remoção de um cátion e
de um ânion em uma
superfície externa,
seguido pela colocação
de ambos os íons em
uma superfície externa.
Formação da solução sólida de Al2O3 no MgO, pois a valência mais alta do Al+3 geraria uma carga positiva líquida
para o composto óxido, criando uma condição instável. Para manter a neutralidade de carga, tendo apenas
dois íons Al+3 preenchendo cada três sítios do Mg+2, o que deixa um sítio vago de Mg+2 para cada duas
substituições de Al+3;
Produção do defeito de ponto
Os defeitos de ponto intrínsecos de um metal (lacunas e intersticiais) existem em certas concentrações de
equilíbrio, porém, pode-se aumentar esta concentração de defeitos por:
- deformação plástica: o movimento das discordâncias pode resultar em defeitos de ponto, como os
movimentos não conservativos de jogs e aniquilação de discordâncias paralelas de sinal contrário,
produzindo uma fila de lacunas ou intersticiais;
Têmpera: concentração de lacunas é da ordem de 10-4 perto do ponto de fusão, sendo 10-8 a
temperaturas iguais a metade da temperatura de fusão. Para manter a concentração elevada, é
necessário uma taxa de resfriamento tal que as lacunas não se possam difundir para os “poços”
sumidouros, tais como: contornos de grão, discordâncias ou superfície;
- Ouro: teria que ser resfriado de 1330K até Tamb com uma taxa de 1011k/s;
- Resfriamento em água gelada – taxa de 105k/s – consegue-se taxas de lacunas bem elevadas;
Difusão
A figura mostra como a migração atômica se torna possível sem grande distorção na
estrutura cristalina por meio do mecanismo de migração de vacâncias ou mecanismo
de difusão intersticial
Embora cada átomo do Cu tenha probabilidade igual de “caminhar” aleatoriamente em
qq direção, a concentração inicial mais alta de Cu no lado esquerdo fará com que
esse movimento aleatório produza interdifusão.
Fluxo de átomos
Fluxo de vacâncias
Defeitos Lineares
Discordâncias
Podem ser originadas durante a solidificação ou, mais comumente durante a deformação;
São defeitos lineares. Existe uma linha separando a seção perfeita, da seção deformada do
material.
São responsáveis pelo comportamento mecânico dos materiais quando submetidos a
cisalhamento. Tensão de cisalhamento teórica: Exemplo: whiskers de carboneto de Si
com resistência superior a 40GPa.
São responsáveis pelo fato de que os metais sofram escoamento em níveis de tensão muito
menores do que a tensão teórica.
Discordância
em linha
(a) Discordância em cunha positiva em uma rede cristalina. Aparece um defeito linear na região
imediatamente acima do “tê” invertido, ⊥, onde um semiplano atômico foi introduzido.
Campo de deformação ao redor da discordância
Discordância
Linha da discordância
tensão cisalhante
4 5 6
tensão cisalhante
tensão cisalhante
Discordâncias e def. mec. (cont.)
Linha:
mov. na direção
da tensão
O efeito final
é o mesmo.
Direção do movimento
Hélice:
mov. normal a
direção da tensão.
Discordâncias e deformação plástica
Número de
Estrutura Planos de Direções de Geometria da
Sistemas de Exemplos
Cristalina Deslizamento Deslizamento Célula Unitária
Deslizamento
{110} 6x2 = 12
CCC {211} <111> 12 -Fe, Mo, W
{321} 24
Al, Cu,
CFC {111} <110> 4x3 = 12
-Fe, Ni
{0001}
{1010} 3
Cd, Mg, -
HC {1011} <1120> 3
Ti, Zn
6
Sistemas de escorregamento
HC:
O plano basal (0001) é o único de grande densidade atômica, sendo os eixos diagonais <1120> as
direções compactas. Uma vez que existe apenas um plano basal por célula unitária e três
direções <1120> , a estrutura hc possui apenas 3 sistemas de deslizamento – apresentam baixa
ductilidade e fortemente dependente da orientação.
CFC:
Os planos {111} e as direções <110> formam os sistemas compactos. Existem 8 planos {111} na
célula unitária, no entanto os planos das faces opostas são paralelos entre si, o que acarreta a
existência de apensa quatro grupos de planos compactos. Cada plano contém 3 direções <110> ,
desta forma, a rede cfc possui 12 sistemas de deslizamento;
CCC:
Esta estrutura não é compacta como a CFC, ou HC, não apresentando plano de densidade atômica
predominante como a (111) da CFC e o (0001) na estrutura HC.
Os planos {110} apresentam maior densidade atômica na estrutura CCC, mas sem grande
superioridade em relação ao outros planos. No entanto, a direção <111> do CCC é tão compacta
quanto a direção <110> do CFC. Desta forma, nos metais CCC o deslizamento pode ocorrer nos
planos {110} {112} {123}, enquanto que a direção é sempre [111]. Desta forma, existem 48
sistemas de deslizamento possíveis, mas como os planos não são tão compactos quanto os da
estrutura CFC, são geralmente necessárias maiores tensões de cisalhamento para produzir
deslizamento.
Defeitos Planares
Interfaces
As imperfeições cristalinas podem se estender em duas dimensões, como nas
superfícies externas ou nos contornos de grão.
Superfícies externas:
Os átomos superficiais têm vizinhos de apenas um lado, portanto, têm energia mais alta
que os átomos internos. Se os átomos adicionais forem depositados na superfície,
deve haver desprendimento de energia, tal como na combinação de 2 átomos
individuais;
As ligações interatômicas destes átomos de superfície não está completadas e dão
origem a uma energia de superfície;
Para reduzir esta energia, os materiais tentam minimizar a área total da superfície, como
superfícies esféricas de gotículas de líquidos, o que não é possível em sólidos.
Defeitos Planares
Contorno de grão
Sólidos cristalinos geralmente consistem em um grande número de grãos separados por contornos.
Cada grão (ou subgrão) é uma monocristal, sendo portanto, uma região de transição entre
vizinhos;
O contorno de grão é uma interface que separa dois grãos ou cristais que possuem diferentes
orientações cristalográficas em materiais policristalino.
Dentro da região do controno (espessura do contorno) existem alguns desencontros atômicos na
transição da orientação cristalina de um grão para aquela de outro grão adjacente.
São possíveis vários graus de desalinhamento cristalográfico entre grão adjacentes.
Os átomos estão ligados de maneira menos regular e menos compacta ao longo de um contorno de grão – magnitude
da energia é função do grau de desorientação – maior para contornos de alto ângulo. Consequentemente, existe
uma energia interfacial, ou do contorno de grão, que é semelhante à energia de superfície. A magnitude desta
energia é uma função do grau de desorientação, sendo maior para contornos de alto ângulo.
Devido à sua energia mais alta e mais aberta (menos compacta), os cg são regiões quimicamente mais reativa. Além
disso, favoráveis `a nucleação e ao crescimento de precipitados – favorece também a difusão mais rápida por
esta região.
A energia interfacial
Os contorno de grão crescem quando se encontram a temperatura elevadas, a fim de reduzir a energia de contorno
total
Papel dos contornos de grão na deformação plástica
Plano de macla
Learning
Publishing / Thomson
(c) 2003 Brooks/Cole
(twin plane)
Maclas de recozimento:
• Principalmente em cfc. A presença de maclas de recozimento é uma boa indicação que o material tenha sido
deformado mecanicamente antes do recozimento, uma vez que há indicação que elas cresçam a partir de
núcleos introduzidos durante a deformação;
• Formadas em TT de recuperação, recristalização e crescimento de grão;
• Para alguns autores, deve ser incluída na contagem de tg;
Porosidade na solda
Referências Bibliográficas