UNIVERSIDADE SEVERINO SOMBRA – USS

CENTRO DE TECNOLOGIA – CT
ELETRÔNICA INDUSTRIAL
PROF: MÁRCIO ZAMBOTI FORTES

CAPITULO II – DIMENSIONAMENTO DE SITEMAS DE

DISSIPAÇÃO DE CALOR PARA DISPOSITIVOS
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

II.1 – INTRODUÇÃO

Devido ao processo de recuperação reversa dos dispositivos de potência e ações de

chaveamento na presença de indutâncias do circuito, ocorrem tensões transitórias nos
circuitos conversores. Mesmo em circuitos cuidadosamente projetados, as condiçòes de
faltas (Curto-circuitos) podem existir, resultando em um fluxo de corrente excessivo
através dos dispositivos. O calor produzido pelas perdas em um dispositivo semicondutor
pode ser suficiente e efetivamente dissipado para que estes possa operar dentro do seu
limite superior de temperatura. A operação confiável de um conversor requer a certeza de
que todos os tempos e condições do circuito não excedam às especificações de potência dos
dispositivos, fornecendo proteções contra sobretensões, sobrecorrentes e sobreaquecimento.
Na prática, os dispositivos são protegidos de 1) agitação térmica por dissipadores de calor
(o que estudaremos neste capitulo) , 2) dv/dt e di/dt por circuitos snubbers, 3) transientes
de recuperação reversa, 4) transientes nos lados de alimentação e da carga e 5) condições de
falta através de fusíveis.

II.2 – RESFRIAMENTO E DISSIPADORES DE CALOR

Devido às perdas de chaveamento e em estado de condução, é gerado calor dentro

do dispositivo de potência. Esse calor tem de ser transferido do dispositivo para um
resfriamento médio para manter a temperatura de operação dentro de uma faixa
especificada. Apesar da transferência de calor poder ser conseguida através de condução,
convecção ou radiação, o resfriamento por convecção natural ou por ventilação forçada é o
comumente utilizado em aplicações industriais.
O calor tem de fluir do dispositivo para o encapsulamento e então para o dissipador
de calor no resfriamento médio. Se PA for a perda de potência média no dispositivo, o

1
análogo elétrico de um dispositivo, que é montado em um dissipador de calor pode ser o
circuito da figura 2.1. A temperatura na junção de um dispositivo TJ é dado por :

TJ = PA (RJC + RS + RSA )

Onde: RJC – resistência térmica da junção para o encapsulamento , C/W

RCS – resistência térmica do encapsulamento para o dissipador , C/W
RSA – resistência térmica do dissipador para o ambiente , C/W
TA – temperatura ambiente, C

Figura 2.1 – Análogo elétrico de uma transferência de calor

RJC e RCS normalmente são especificados pelos fabricantes dos dispositivos de

potência. Uma vez que as perdas de potência dos dispositivos P A são conhecidas, a
resistência térmica requerida do dissipador pode ser calculada para uma temperatura
ambiente conhecida, TA. A próxima etapa consiste em escolher um dissipador e seu
tamanho, o qual daria os requerimentos de resistência térmica.
Uma ampla variedade de dissipadores de alumínio estudados esta disponível
comercialmente e eles utilizam paletas de resfriamento para aumentar a capacidade de
transferência de calor. As curvas características de resistência térmica de um dissipador
típico com resfriamento natural e forçado esta ilustrada na figura 2.2., onde a dissipação de
potência em função da elevação de temperatura do dissipador é representada para um
resfriamento natural. No resfriamento forçado, a resistência térmica diminui com a
velocidade do ar. Entretanto, acima de uma certa velocidade, a redução da resistência
térmica não é significativa.
A área de contato entre o dispositivo e o dissipador é extremamente importante para
minimizar a resistência térmica entre o encapsulamento e o dissipador. As superfícies
devem ser chatas, lisas e livres de sujeira, corrosão e oxidações. Normalmente são aplicadas
pastas de silicone para melhorar a capacidade de transferência de calor e para minimizar a
formação de óxidos e corrosões.

2
 Figura 2.2 – Curvas características de resistência térmica

O dispositivo deve ser montado adequadamente no dissipador para se obter a correta

pressão de montagem entre as superfícies de contato. Os procedimentos de instalação
adequados são usualmente recomendados pelos fabricantes dos semicondutores. Em caso
de semicondutor tipo rosca, torques excessivos na montagem podem causar danos
mecânicos à pastilha de silício;e a rosca do dispositivo, bem como sua porca,não deve ser
lubrificada porque a porca aumenta a tensão na rosca.
O dispositivo pode ser resfriado por trocadores de calor parcialmente preenchidos
com líquidos de baixa pressão de vapor. O dispositivo é montado em um lado do trocador
de calor e um mecanismo de condensação (ou dissipador )é montado do outro lado,como
ilustrado na figura 2.3. O calor produzido pelo dispositivo vaporiza o liquido, e o vapor
então flui para o lado da condensação, onde se condensa, retornando na forma liquida para
a fonte de calor. O dispositivo pode estar a uma certa distância do dissipador.

Figura 2.3- Trocador de calor

3
 Em aplicações de potência elevada, os dispositivos são mais efetivamente resfriados
por líquidos, normalmente óleo ou água. O resfriamento com água é muito eficiente e
aproximadamente três vezes mais eficaz que o resfriamento com óleo. Entretanto, é
necessário utilizar água destilada para minimizar a corrosão e anticongelante para evitar o
congelamento. O óleo é inflamável. O resfriamento com óleo, que pode ser restrito a
algumas aplicações, fornece boa isolação e elimina os problemas de corrosão e
congelamento. Os dissipadores de calor com trocadores de calor resfriados com liquido são
comercialmente disponíveis.
A impedância térmica de um dispositivo de potência é muito pequena; como
resultado, a temperatura da junção do dispositivo varia com a perda instantânea de
potência. A temperatura instantânea da junção tem sempre de ser mantida menor que o
valor aceitável. Uma plotagem da impedância térmica transitória em função da duração de
um pulso de onda quadrada é fornecida pelos fabricantes de dispositivos como um dos
dados de catalogo. A partir do conhecimento da forma de onda de corrente através de um
dispositivo, uma plotagem das perdas de potência em função do tempo pode ser
determinada e então as características de impedância transitória podem ser utilizadas para
calcular as variações da temperatura com o tempo. Se o resfriamento falhar em sistemas
práticos, a elevação de temperatura dos dissipadores normalmente será utilizada para
desligar os conversores de potência, em especial nas aplicações de potência muito elevada.
A resposta a um degrau de um sistema de primeira ordem pode ser aplicada para
expressar a impedância térmica transitória. Se Z0 for a impedância térmica de regime
permanente da junção para o encapsulamento, a impedância térmica instantânea poderá ser
expressa por :
Z (t) = Z0 ( 1 – e-t/th)
Onde th é a constante de tempo térmica do dispositivo. Se a perda de potência for Pd, a
elevação de temperatura instantânea da junção acima da temperatura do encapsulamento
será
Tj = Pd Z(t)
Se a perda de energia tiver uma forma pulsada, como mostrado na figura 2.4 , a
equação acima poderá ser aplicada para plotar as respostas a degraus da temperatura da
junção, Tj (t). Se tn for a duração do n-ésimo pulso de potência , as impedâncias térmicas
correspondentes no inicio e fim do n-ésimo pulso serão Z 0 = Z (t=0) = 0 e Z n = Z (t=tn),
respectivamente. A impedância térmica Zn = Z (t=tn) correspondente duração de tn pode ser
encontrada a partir das curvas características da imped6ancia térmica transitória. Se P 1, P2,
P3, ... forem os pulsos de potência, com P2 = P4 = ... = 0, a temperatura da junção ao final do
m-ésimo pulso poderá ser Expressa como

Tj (t) = Tj0 + P1(Z1 – Z2) + P3 (Z3 – Z4) + P5 (Z5 – Z6) + …

= Tj0 +  mn=1,3,… Pn (Zn – Zn +1)

onde TJ0 é a temperatura inicial da junção. Os sinais negativos de Z 2, Z4, ... significam que a
temperatura da junção cai durante os intervalos t2, t4, t6, ...

4
 Figura 2.4 – Temperatura da junção para pulsos retangulares de potência

O conceito da resposta a degrau da temperatura da junção pode ser estendido a

outras formas de potência. Qualquer forma de onda pode ser representada
aproximadamente por pulsos retangulares de duração igual ou diferente, com a amplitude
de cada pulso sendo igual à amplitude média do pulso real no mesmo período. A precisão
de tais aproximações pode ser melhorada aumentando-se o numero de pulsos e reduzindo-
se a duração de cada um deles. Isso está mostrado na figura 2.5

Figura 2.5 – Aproximação de um pulso de potência através de pulsos retangulares

A temperatura da junção ao final do m-ésimo pulso pode ser encontrada a partir de:

5
Tj (t) = Tj0 + P1Z1 – Z2(P2 – P1 ) + Z3 (P3 – P2 ) + …

= Tj0 +  mn=1,2,… Zn (Pn – Pn -1)

em que Zn é a impedância ao final do n-ésimo pulso de duração tn = t . Pn é a perda

de potência para o n-ésimo pulso e P0 = 0; t é o intervalo de tempo.

Exemplo 1: A perda de potencia de um dispositivo é mostrada na figura a seguir. Plotar a

temperatura instantânea da junção acima do encapsulamento. P 2 = P4 = P6 = 0 , P1 = 800 W,
P3 = 1200 W e P5 = 600 W. Para t1 = t3 = t5 = 1 ms, a folha de dados dá

Z (t = t1 ) = Z1 = Z3 = Z5 = 0,035 C/W

Para t2 = t4 = t6 = 0,5 ms,

Z (t = t2 ) = Z2 = Z4 = Z6 = 0,025 C/W

Figura – Perda de potência no dispositivo

Solução : Aplicando-se a equação dada podemos calcular diretamente a elevação de

temperatura da junção.

 TJ ( t = 1 ms) = TJ ( t = 1 ms) – TJ0 = Z1P1 = 0,035 x 800 = 28 C

 TJ ( t = 1,5 ms) = 28 – ZsP1 = 28 - 0,025 x 800 = 8 C

 TJ ( t = 2,5 ms) = 8 + Z3P3 = 8 + 0,035 x 1200 = 50 C

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  TJ ( t = 3 ms) = 50 – Z4P3 = 50 - 0,025 x 1200 = 20 C

 TJ ( t = 4 ms) = 20 – Z5P5 = 20 - 0,035 x 600 = 41 C

 TJ ( t = 4,5 ms) = 41 – Z6P5 = 41 - 0,025 x 600 = 26 C

A elevação da temperatura da junção acima da temperatura do encapsulamento é

mostrado no gráfico a seguir.

Texto complementar - CIRCUITOS SNUBBER

Um circuito Snubber RC normalmente é conectado em paralelo com um dispositivo

semicondutor para limitar o dv/dt dentro da especificação máxima permissível. O snubber
pode ser polarizado ou não. Um snubber polarizado no sentido direto é adequado quando
um tiristor ou transistor é conectado com um diodo em antiparalelo, como mostrado na
figura 2.6 a . O Resistor R limita o dv/dt direto; e R1 limita a corrente de descarga do
capacitor quando o dispositivo entra em condução.
Um snubber polarizado no sentido reverso, que limita o dv/dt reverso, é mostrado na
figura 2.6 b, onde R1 limita a corrente de descarga do capacitor. O capacitor não se
descarrega através do dispositivo, resultando na redução das perdas no mesmo.
Quando dois tiristores são conectados em antiparalelo, o snubber deve ser eficaz em
ambos os sentidos. Um snubber não-polarizado é mostrado na figura 2.6 c.

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 Figura 2.6 – Redes snubber’s típicas

II.3 – ANÁLISE DAS POTÊNCIAS NA DISSIPAÇÃO

Existem cinco componentes principais de dissipação de potência em um tiristor, que

ocorrem nas seguintes situações:
- estado de bloqueio no sentido direto
- chaveamento do estado de bloqueio ao estado de condução
- estado de condução
- chaveamento do estado de condução ao estado de bloqueio
- disparo

Para melhor ilustrar estes componentes de dissipação tomaremos como exemplo um

tiristor que possua as seguintes características:
- IT (RMS) – Especificação de corrente – 110 A
- VRRM , VDRM – Especificação de Tensão de Bloqueio – 400 V
- IRRM , IDRM – Corrente de fuga – 10 mA
- VT – queda de tensão – 1,8 V
- ton – tempo de disparo – 5 s
- tq – tempo de comutação – 80 s

Suponhamos que este dispositivo está usando ao máximo suas

especificações, ou seja, 110 A a 400 V, isto é, controlando uma carga de
cerca de 40 kW.
A figura 2.7 ilustra estes componentes na dissipação.
Como é evidente , assumimos por simplicidade que os valores de
dissipação são constantes no bloqueio e na condução. Durante à
transição de um estado para o outro, a dissipação muda rapidamente.

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Durante a passagem ao estado de condução, as equações de tensão e
corrente podem ser aproximadas por:

Figura 2.7 – Componentes de dissipação

400 110
v (t )  400  x10 6 i (t )  x10 6
5 5

A potência instantânea, é o produto instantâneo da tensão e da corrente e depende

das curvas dinâmicas seguidas pela tensão e pela corrente. Por simplicidade, estamos
admitindo que a transição é linear e assim, a potência instantânea seria dada por:
 400  100 
P (t )  v(t ).i (t ) P (t )   400  x10 6 t  x10 6 t 
 5  5 

P (t )  8,8 x10 9 t  1,76 x1015 t 2

Derivando a equação anterior e igualando o resultado a zero, obteremos o instante
em que ocorre o pico de potência, resultando em t= 2,5 s. A substituição deste valor na
equação de P(t) resulta em um pico de potência de 11 kW.

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 A energia convertida em calor durante o chaveamento do estado de bloqueio no
sentido direto para o estado de condução, é a área sob a curva de potência, sendo calculada
pela integral da equação de P (t) resultando em 37 mJ.
Assumindo a mesma transição linear durante o intervalo de comutação, teremos o
mesmo pico de 11 kW, embora a energia aumente para 587 mJ, em função do maior valor
do intervalo de comutação.
Suponhamos que se desejasse calcular a potência média dissipada no dispositivo.
Vamos supor que o mesmo opere em 60 Hz com um ciclo de trabalho de 50%, ou seja, um
ângulo de condução de 180 , ou ainda, tempos de condução de bloqueio iguais.
A figura 2.8 ilustra melhor esta condição.

Figura 2. 8 – Tensão e corrente no tiristor

OBS: Esta tensão é entre anodo-catodo e não da fonte que alimenta o circuito

A potência média pode ser calculada somando-se a energia total convertida durante
um período e dividindo-se o resultado pela duração do período. Resumimos abaixo o
cálculo da potência dissipada.

Tempo de condução = tempo de bloqueio = 8,3 ms

Dissipação na condução = 198 x 8,3 ms = 1,643 J
Dissipação no bloqueio = 4 W x 8,3 ms = 0,033 J
Dissipação no disparo = 0,037 J
Dissipação na comutação = 0,587 J

Dissipação total = 2,3 J

2,3 J
Potênciamediadissipada   140W
16,6ms

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 Para baixas freqüências, o tempo de chaveamento é muito pequeno em comparação
com o período total e a potência média é determinada principalmente pela dissipação no
estado de condução.
Em freqüências mais elevadas a dissipação no chaveamento, que é constante, passa
a ser um fator dominante, impondo-se um limite à máxima freqüência de operação.
No que se falou até o momento sobre dissipação de potência, não se mencionou
dissipação de disparo (gatilho). Isto se deve ao fato deste componente de dissipação ser,
normalmente de ordem de grandeza desprezível perto das dissipações em condução e no
chaveamento.

II.3.1 – CURVAS DE POTÊNCIA MÉDIA

Trataremos somente de especificações convencionais, ou seja, aquelas para

freqüências até 400 Hz e para algumas condições particulares descritas em cada caso. A
queda de tensão VT de um SCR em condução é medida sob condições pulsadas com o
dispositivo montado em um dissipador adequado. A curva da figura 2.9 fornece a queda de
tensão em função do pulso de corrente.

Figura 2.9 – Características máximas para o estado de condução

A dissipação no dispositivo é calculada, em função do valor médio da corrente,

fazendo-se instantaneamente o produto da corrente pela tensão na curva característica v-i ,
como a da figura 2.9. e tirando-se a média.
As curvas de potência média são baseadas em uma forma de onda que é o que restou
de uma meia onda senoidal, resultante do atraso no disparo do dispositivo, quando usado
em um circuito monofásico com carga resistiva.

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 Existem também curvas baseadas em forma de onda retangulares. As figuras 2.10 a
e b ilustram duas curvas características de potência média.

Figura 2.10 – Maximo valor de potência media dissipada no estado de condução

Exemplo 2 : Calcular a potência média dissipada em cada um dos casos a seguir,

utilizando as curvas das figuras abaixo , casos a), b) c) e d).

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Solução :
Para os casos a) e B) vamos desenvolver literalmente o cálculo do valor médio da
corrente, necessário para se utilizar as curvas.
O valor médio é definido como :
T
1
I0 
T  f (t )dt
O

No caso, a função f(t) é iA (t), e como temos o eixo multiplicado por , a expressão
do valor médio se modifica para :
2
1
I0 
2 i
0
A (t ) d ( t )

Aplicando a equação acima em uma senóide retificada em meia onda e

genericamente ceifada em um ângulo  , como na figura abaixo, temos:

Im
I0    cos w   I m  cos  cos  
2 2
2 
1 1
I 0  I m  i A (t )d (t )  I sen d (t )
I 0  2 10 cos  2
M

2

Assim teremos :

a) Da figura a) , curva de 120  temos IT(AV) = 24 A, PAV = 36 W.

100  1
I0  1    23,87 A
2  2
Observe que foi utilizada a curva de 120  e não a de 60  porque as curvas são
parametrizadas pelo ângulo de condução e não pelo ângulo de disparo.

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 Im
I0  1  1  I m  150  47,74
2  
b) Para  = o 

Da figura a) curva de 180  , temos IT(AV) = 48 A, PAV = 80 W.

c)
8 x10 3
1 100
I0 
20 x10 3 0
100.dt 
20.10 3
.8 x10 3 

Para consultar a figura b), devemos inicialmente descobrir qual o ângulo associado.
Mediante uma regra de três simples, calculamos o ângulo de condução :

180 - 10 ms
 - 8 ms

180 x8
   144 
10
Da figura b) avaliamos para  = 144  e IT(AV) = 40 A, PAV = 62 W

d) Da figura d) para IT(AV) = 100 e da curva DC, temos : PAV = 160 W.

II.3.2 – RESISTÊNCIA TÉRMICA

Aprimorando nossos estudos sobre dissipação de potência em um tiristor, sabemos

que o calor resultante da dissipação de potência na junção, flui pelas partes que compõem o
encapsulamento do dispositivo, pelo dissipador (quando aplicado) e é irradiado pelo
ambiente.
A temperatura na junção está acima da temperatura do encapsulamento, de um valor
que é diretamente proporcional à potência dissipada na junção. Esta constante de
proporcionalidade, já é conhecida e chamada de resistência térmica entre junção e cápsula
(RJC) , representando a resistência do dispositivo a passagem do calor.
Existem alguns fabricantes que apresentam as características do dissipador aplicado
ao componente por gráficos que relacionam o valor médio da potência dissipada na junção ,
PAV, e a diferença de temperatura entre o dissipador e o ambiente. Um exemplo destas
curvas esta mostrado na figura 2.11.

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 Figura 2.11 – Curva típica para dissipador

Exemplo 3: Um tiristor dissipa na junção uma potência de 50 W. São fornecidos os

valores das resistências térmicas RJC = 0,28 C/W e RCS = 0,12 C/W. Determine o
máximo valor da resistência térmica dissipador-ambiente se a máxima temperatura de
junção é 125 C e a temperatura ambiente é de 40 C.

Solução: Usando a equação TJ – TA = P (RJC + RCS + RSA) , temos:

125 – 40 = 50 (0,28 + 0,12 + RsA )
RSA = 125 – 40_ - 0,28 – 0,12
50
RSA = 1,3 C/W

Exemplo 4: Um tiristor tem uma resistência térmica de 1,2 C/W, estando montado
em um dissipador de 2 C/W. Calcule a dissipação máxima de potência se a temperatura de
junção não deve exceder a 125 C e a temperatura ambiente é de 40C.

Solução :
Assumiremos como resistência térmica do tiristor 1,2 C/W, incluindo RJC e RCS .
Assim, teremos:

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 TJ – TA = P (RJC + RCS + RSA)
125 – 40 = P (1,2 + 2)
P = 26,6 W

Exemplo 5 : Um tiristor que conduz a corrente do exemplo 2, item a), possui as

características de dissipação de potência fornecidas na figura 2.10. Para uma temperatura
ambiente de 40 C,uma temperatura máxima de cápsula de 110C e RCS = 0,12 C/W
determine o dissipador adequado das curvas da figura 2.11.

Solução : Do exemplo 2 temos PAV = 36 W

A temperatura do dissipador pode ser calculada de :
TS = TC – PAV. RCS
TS = 110 - (36 x 0,12) = 106 C
A diferença de temperatura entre o ambiente e o dissipador será:
T = 106 – 40 = 66 C
Da figura 2.11 com T = 66 C e PAV = 36 W, verificamos que os dissipadores das
curvas a e b são adequados, pois provocam um aumento da temperatura dos mesmos acima
da temperatura do ambiente de um valor menor que 66C quando a potência dissipada é 36
W. Assim a temperatura da cápsula será menor que os 110 C permitidos.
Neste exemplo foi utilizada a temperatura da cápsula e não a de junção em virtude
da maneira como os fabricantes fornecem as curvas de degradação.

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