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Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES: N° DE MATRICULA:


.BALBOA HUANCA, MARITZA MARLENY .15190244

.CALDERÓN LUNA, EDUARDO STEVEN .15190273

.ESPINOZA VIDAL, LARRY .14190082

.LÓPEZ LAZO, BRUNO EDUARDO .17190158

.ILIZARBE SAAVEDRA,JORGE ENRIQUE .14190235

CURSO: TEMA:

DISPOSITIVOS CARACTERISTICAS
ELECTRONICOS BASICAS DEL DIOSO
SEMICONDUCTOR
(Silicio y Germanio)
INFORME: FECHAS: NOTA:

FINAL REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO: 12-09-18 19-09-18


03
GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
G3 Miércoles
Ing. Luis Paretto
14:00 – 16:00 pm
I. TEMA:
CARACTERÍSTICAS BÁSICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR
(SILICIO Y GERMANIO)
II. OBJETIVOS
a) Utilizar las características de operación de los diodos semiconductores.

III. INTRODUCCION TEORICA


1. SEMICONDUCTOR:
Un Semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como
aislante dependiendo del campo eléctrico en el que se encuentre.
2. SEMICONDUCTOR TIPO N:
Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
cargas libres (en este caso negativas). Cuando el material es añadido, este
aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del
semiconductor. El propósito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material.

3. SEMICONDUCTOR TIPO P:
Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de cargar
libres (en este caso positivo). Cuando el material dopante es añadido este libera
los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este
agente dopante también es conocido como material aceptor y los átomos del
semiconductor que han perdido un electrón como huecos.
4. EL DIODO:
El es un semiconductor que permite el paso de corriente eléctrica en una única
dirección. Los diodos son no lineales porque no cumplen con la ley de Ohm. Es
un elemento que tiene polaridad, ósea un lado negativo conocido como cátodo y
un lado positivo conocido como ánodo. Esta característica de conducción es
debido a que los diodos son componentes dopados, sus materiales de
construcción se conocen como materiales P y materiales N.

5. POLARIZACION DE UN DIODO:
POLARIZACIÓN CIRCUITO CARACTERÍSTICAS
El diodo conduce con una
DIRECTA caída de tensión de 0.6 a
0.7 V. El valor de la
El ánodo se conecta al resistencia interna seria
positivo de la batería y muy bajo. Se comporta
el cátodo al negativo. como un interruptor
cerrado.
El diodo no conduce y
toda la tensión de la pila
INVERSA cae sobre él. Puede
existir una corriente de
El ánodo se conecta al fuga del orden de µA. El
negativo y el cátodo al valor de la resistencia
positivo de la batería. interna sería muy alto. Se
comporta como un
interruptor abierto.

IV. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO


 Una Fuente de Corriente Continua Variable.
 Un Multímetro. (DIGITAL)
 Un Miliamperímetro y un Micro amperímetro. (DC)
 Un Diodo Semiconductor de Si y uno de Ge.
 Un Voltímetro de c.c. (ANALOGICO)
 Resistencia de 100Ω.
 Cables con conectores cocodrilo/banano.
V. PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo.
Registrar los datos en la Tabla 1.
R Directa (Ω) R Inversa (Ω)
855 Ω > 40 MΩ
Tabla 1
2. Armar el circuito de la Figura 1.

Figura 1

a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el


voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la Tabla 2. (usar
Miliamperímetro)
Vcc(v) 0.4 0.5 0.55 0.65 0.85 0.9 1.1 1.4 1.6 1.8 2.1 2.5
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.385 0.512 0.541 0.573 0.608 0.626 0.659 0.68 0.69 0.699 0.71 0.723
Tabla 2

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,


proceder como a), registrando los datos en la Tabla 3.
Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.014 2.09 4.16 6.25 8.34 10.48 12 15.6 20.88
Id(µA) 0 0.05 0.5 0.5 0.55 1 1.05 1.5 2
Tabla 3

3. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de


Germanio. Registrar los datos en la Tabla 4.
R Directa (Ω) R Inversa (Ω)
855 Ω > 40 MΩ
Tabla 4

4. Repetir el circuito de la Figura 1 para el diodo de Germanio, de manera similar al


paso 2; proceda a llenar las Tablas 5 y 6.
Vcc(v) 0.18 0.25 0.35 0.45 0.65 0.8 1.2 1.65 1.9 2.2 2.55 3.2
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.204 0.258 0.333 0.403 0.518 0.595 0.773 0.934 1.034 1.115 1.228 1.390
Tabla 5
Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0.005 1.035 2.082 4.17 6.31 8.35 10.51 12.66 15.69 18.84 20.98
Id(µA) 0 1.5 1.7 2 2.6 3 3.5 4 5 5.5 6
Tabla 6

VI. DATOS OBTENIDOS


Los datos obtenidos en esta experiencia son principalmente las medidas obtenidas
por el Voltímetro, miliamperímetro y microamperímetro.

VII. CUESTIONARIO FINAL


1. Construir el gráfico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. (Si).
Calcular la resistencia dinámica del diodo.
Tabla 2
X Y
F(Vd) Id Valores Y
0.385 0.1 25
0.512 0.2
0.541 0.4 20
0.573 0.8
0.608 1.6 15
0.626 2.5
0.659 5 10
0.680 8
0.690 10 5

0.699 12
0
0.710 15 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0.723 20
La resistencia dinámica se calcula con la siguiente formula:
∆𝑉 0.338 𝑉
𝑅𝑑 = = = 16.985 Ω
∆𝑖 19.9 𝑚𝐴

Tabla 3

X Y
F(Vd) Id
Valores Y
0.014 0 2.5
2.09 0.05 2
4.16 0.5
1.5
6.25 0.5
8.34 0.55 1

10.48 1 0.5
12.5 1.05 0
15.6 1.5 0 5 10 15 20 25
-0.5
20.88 2
La resistencia dinámica se calcula con la siguiente formula:
∆𝑉 20.866 𝑉
𝑅𝑑 = = = 10.433 𝑀Ω
∆𝑖 2 𝜇𝐴
2. Construir el gráfico Id = F(Vd) con los datos de las Tablas 5 y 6. (Ge)
Calcular la resistencia dinámica del diodo.
Tabla 5
X Y
F(Vd) Id Valores Y
0.204 0.1 25
0.258 0.2
0.333 0.4 20
0.408 0.8
0.518 1.6 15
0.595 2.5
0.773 5 10
0.934 8
1.084 10 5

1.115 12
0
1.228 15 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
1.390 20
La resistencia dinámica se calcula con la siguiente formula:
∆𝑉 1.186 𝑉
𝑅𝑑 = = = 59.598 Ω
∆𝑖 19.9 𝑚𝐴

Tabla 6

X Y
F(Vd) Id Valores Y
0.005 0 7
1.035 1.5 6
2.082 1.7 5
4.17 2 4
6.31 2.6 3
8.35 3 2
10.51 3.5 1
12.66 4 0
15.64 5 0 5 10 15 20 25
18.84 5.5
20.48 6
La resistencia dinámica se calcula con la siguiente formula:
∆𝑉 20.475 𝑉
𝑅𝑑 = = = 3.4125 𝑀Ω
∆𝑖 6 𝜇𝐴
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.
Tabla 1:
Se observa que al medir la resistencia en conexión directa al diodo este tiene una
resistencia mucho menos que al medir la resistencia en conexión inversa.
Tabla 2:
Se observa que al conectar el diodo de forma directa este se comporta como un
conductor (corto circuito) que disipa un voltaje mínimo, permitiendo que la corriente
eléctrica fluya.
Tabla 3:
Se observa que al conectar el diodo en forma inversa este se comporta como una
resistencia de gran magnitud (Circuito abierto) disipando una gran cantidad de
voltaje, generando así que la corriente fluya en lo más mínimo.
Tabla 4:
Se observa que el diodo de Germanio cumple el mismo principio que el diodo de
Silicio en la Tabla 1, pero el diodo de Germanio en los dos casos tiene menos
resistencia que el diodo de Silicio, lo cual lo hace menos eficiente que el diodo de
Silicio.
Tabla 5:
Se observa que el diodo de Germanio cumple el mismo principio que el diodo de
Silicio en la Tabla 2, pero a comparación de este el diodo de Germanio disipa una
mayor cantidad de voltaje y permitiendo un menor paso de la corriente.
Tabla 6:
Se observa que el diodo de Germanio cumple el mismo principio que el diodo de
Silicio en la Tabla 3, pero a comparación de este el diodo de Germanio permite un
mayor paso de la corriente.

4. Explicar los controles de operación de la fuente DC utilizada.

En una fuente de poder de cc de salida


variable. La pantalla digital indica el voltaje o
corriente de salida. Puede trabajar en modo de
CC (corriente continua) o CV (corriente
constante), un LED indica el modo en el que
funciona. Hay perillas dedicadas para el ajuste
de voltaje fino o grueso del voltaje o corriente.
Se tiene tres bornes de conexión. Uno para el
voltaje positivo (rojo) otro para el negativo
(negro) y la conexión a tierra física (verde).
5. Exponer sus conclusiones del experimento.
Los diodos de Germanio se utilizan mejor en circuitos eléctricos de baja potencia.
Las polarizaciones de voltaje más bajas resultaran en pérdidas de potencia más
pequeñas, lo que permite que el circuito sea más eficiente eléctricamente. Los
diodos de Germanio también son apropiados para circuitos de precisión, en donde
las fluctuaciones de tensión deben de mantenerse a un mínimo. Sin embargo, los
diodos de Germanio se dañan más fácilmente que los diodos de Silicio. Los diodos
de Silicio son excelentes diodos de propósito general y se pueden utilizar en casi
todos los circuitos eléctricos que requieran de un diodo. Los diodos de Silicio son
más duraderos que los diodos de Germanio y so mucho más fáciles de obtener.
Mientras que los diodos de Germanio son apropiados para circuitos de precisión, a
menos que exista un requisito especifico para un diodo de Germanio, por lo general
es preferible utilizar diodos de Silicio cuando se fabrique un circuito.

VIII. RECOMENDACIONES

 Es recomendable, que el experimento realizado sea supervisado por un guía


para obtener los resultados deseados en el presente experimento.
 También debe tomarse en cuenta la importancia de que los equipos deben
estar en buen estado y debidamente calibrados.
 Además, es de gran importancia mantener atención a los datos y
recomendaciones del profesor o formular cuestionamientos para un buen
procedimiento, ya que, ante la falta de experiencia: es mejor preguntarle al
profesor, antes de cometer un grave error.
 Las señales están propensas a ser interferidas por alguna razón,
probablemente el hecho de que la unión de cables está hecha a mano y no
mediante conectores apropiados.
 De tal manera que antes de realizar una medición debemos verificar la correcta
unión de las conexiones.

IX. BIBLIOGRAFIA

http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_3.htm

http://www.wikipedia.org/wiki/Diodo

http://es.wikibooks.org/wiki/El_diodo_rectificador/Funcionamiento_del_diodo_rectific
ador

https://www.electroncafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-del-diodo.php

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