Semiconductores

Son materiales cuya conductividad está entre la de los conductores y la de los aislantes.
Los más frecuentes: Si (Silicio), Ge (Germanio) y GaAs (Arseniuro de Galio).
Ge: GaAs:
Inicialmente  más fácil de refinar (pureza) Más velocidad, procesamiento más complejo
Diodo 1939 Transistor principio de los 197x
Transistor 1949 Hoy:
Silicio: Principalmente Si, y GaAs, Ge combinado con Si
Mejores características de temperatura Componentes de todo tipo  VLSI
Transistor 1954
Circuito integrado 1958

Estructura Atómica
Los electrones de valencia son mucho más fáciles de desprender del átomo (son los que realizan las uniones químicas y los que contribuyen
principalmente a la conducción eléctrica)

Enlace Covalente
Materiales intrínsecosPuros
Estructuras cristalinas
Pueden conducir electricidad: los electrones se pueden desprender de sus enlaces y quedar en estado “libre” 
razones: temperatura, luz (fotones).
Los electrones libres se mueven con relativa facilidad ante la aplicación de tensión eléctrica  Conducción.
Hay 1.5 ∗ 1010 electrones libres (“portadores”) en un cm3 de silicio intrínseco.

Comparación de Materiales:

En la conducción influye el número de portadores, pero lo hace aún más la conductividad, de manera que de estos tres materiales quien tiene mayor
conductividad es el GaAs seguido en su orden por el Ge y el Si.
El más utilizado, de lejos, hoy en día es el Si.
Hoy se producen cristales de alta pureza. Impurezas en el orden de 1 en diez mil millones son comunes.
La adición de impurezas del tipo adecuado (dopado) en una proporción de 1 en 1 millón, convierten al Si de un conductor deficiente a uno muy
bueno. Los conductores tienen coeficiente de resistividad positivo con respecto a la temperatura; los semiconductores tienen un coeficiente negativo.

Niveles de Energía, Bandas de Energía

Mientras más alejado del centro del núcleo un electrón tiene más energía. Un electrón libre tiene más energía que cualquiera que esté ligado al
núcleo. Solo hay ciertos valores de energía posibles (cuantizados). La interacción de los átomos entre sí hace que en lugar de niveles únicos de energía
se tengan bandas de energía. Para convertirse el portador, un electrón de la banda de valencia debe adquirir energía igual a la brecha (gap) entre la
banda de valencia y la banda de conducción; si adquiere menos energía no cambia de banda. El tamaño del gap determina la sensibilidad a la
temperatura: mientras más pequeña hay más sensibilidad a la temperatura (principal “defecto” para la construcción de transistores del Ge. Igual
ocurre con la luz. Lo que es un defecto para la construcción de transistores (y diodos) es una virtud en la construcción de LEDs, el GaAs es el material
empleado.

Juntura PN
Materiales Tipo N y Tipo P
Material Intrínseco (muy puro) si se dopa (agregar impurezas específicas), se convierte
en Material Extrínseco.
Hay dos tipos de Material Extrínseco:
Material Tipo N
Se forma agregando, en una proporción determinada, material con cinco electrones
de valencia (pentavalentes) al cristal de material intrínseco.
Elementos más utilizados:
Antimonio  Sb
Arsénico  As
Fósforo  P
El enlace covalente se mantiene. Existe un electrón que no está asociado a los enlaces
covalentes y que se puede mover más fácilmente dentro del material ante los
estímulos. Las impurezas con 5 electrones de valencia se conocen como átomos
donadores. El material sigue siendo eléctricamente neutro.

Efecto de Impurezas
Aparece Nivel de Energía de Donador:
𝐸𝑔𝑑𝑜𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 << 𝐸𝑔𝐼𝑛𝑡𝑟í𝑛𝑠𝑒𝑐𝑜
1012
A temperatura ambiente hay ≅ 1 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟ó𝑛 𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒 𝑝𝑜𝑟 𝑐𝑎𝑑𝑎 1012 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠, si el nivel de dopado es de 1 𝑒𝑛 107, entonces habrá 7 = 100.000 veces
10
más concentración de portadores.
Material Tipo P
El material Tipo P se forma agregando impurezas que tengan 3 electrones de valencia (trivalentes).
Los más utilizados son el boro, el galio y el indio. Ahora falta un enlace covalente. La ausencia de es electrón se llama un hueco.
Se denota por un pequeño circulo o por un +. El vacío resultante aceptará fácilmente un electrón libre. Las impurezas con tres electrones de valencia
se denominan átomos aceptores. El material sigue siendo eléctricamente neutro.
Si un electrón de valencia rompe su enlace covalente para llenar el vacio, entonces se crea un hueco en ese enlace.
Hay flujo de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha. Usaremos dirección convencional = flujo de
huecos (carga positiva).
Portadores mayoritarios y minoritarios
En un material tipo N “sobran” electrones, por lo que los portadores de tipo N serán mayoría y por ello los electrónes se
llaman portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. En un material tipo P “sobran” huecos y por tanto
los huecos son llamados portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios (justamente lo contrario que en
el material tipo N). El átomo que cede un electrón (potador N) queda con carga positiva, por eso el signo más en el
átomo o ión donador. En el ión aceptor ocurre lo contrario y por eso su signo menos.

Juntura PN (Diodo Semiconductor)

Una vez se unen las dos regiones (N y P), los portadores cercanos a la unión
se combinan, con lo cual en la región N quedan los iones positivos =
donadores (átomos si un electrón) y en la región P los aceptores = átomos
sin un hueco (les llegó un electrón) que por tanto tienen carga negativa.
Esta región cercana a la unión se llama región de empobrecimiento debido
a los escasos portadores libres.

F(x) = A Sen ( Bx + c ) ó F(x) = A Cos ( Bx + c )

Donde; A es la amplitud, el periodo T es 2pi/B y C es la fase, B es la
frecuencia.

Velocidad angular w= 2pi/T = 2pif

Polarización Inversa
-Se atraen electrones hacia el terminal positivo
-La región de transición en el material tipo N se incrementa
-Hay más iones positivos en esta parte de la región de transición
-Se atraen portadores positivos (huecos) hacia el terminal negativo
-La región de transición en el material tipo P se incrementa
-Hay más iones negativos en esta parte de la región de transición
-Se crea una barrera muy grande de potencial que es difícil de
superar por los portadores mayoritarios
-Hay una corriente pequeña, llamada corriente de saturación, 𝐼𝑆 ,
que fluye. Esta corriente es de orden de uA, mucho menor que la
habitual
Polarización Directa

-Se “empujan” electrones en el material N hacia la región de

transición
-Se recombinan con los iones positivos de esta región
-Se “empujan” huecos del material P hacia la región de transición
-Se recombinan con los iones negativos de la región de transición
-La región de transición reduce su tamaño y por tanto la barrera
de potencial a superar por los portadores es menor.
-La corriente aumenta exponencialmente
𝑉𝐷
𝑘𝑇
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂𝑉𝑇 − 1) y 𝑉𝑇 = V
𝑞
𝐽
𝑘 = 1.38 ∗ 10−23 ⁄𝐾 (constante de Boltzmann)
𝑞 = 1.6 ∗ 10−19 C - 𝑇 = º𝐾 = 273 + 𝑇𝑐𝑒𝑛𝑡𝑖𝑔𝑟𝑎𝑑𝑜𝑠
EJEMPLO:

(𝟏. 𝟑𝟖 ∗ 𝟏𝟎−𝟐𝟑 )(𝟐𝟕𝟑 + 𝟐𝟓)

𝑽𝑻 = ≅ 𝟐𝟓. 𝟕 𝒎𝑽
𝟏. 𝟔 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟗
𝟏≤𝜼≤𝟐
C𝐚𝐫𝐚𝐜𝐭𝐞𝐫í𝐬𝐭𝐢𝐜𝐚 𝑰𝑫 𝒗𝒔 𝑽𝑫

-Corriente en región de polarización inversa muy pequeña (la escala de la

gráfica es diferente)
-Alcanza prácticamente su valor final para tensiones negativas pequeñas
-En región de conducción la corriente aumenta muy rápidamente.
-Para un diodo real, la curva difiere de la ecuación, principalmente
porque tiene una resistencia en serie debida a exceso de material
semiconductor (necesario para conectarlo al mundo exterior).
-Para el símbolo de la gráfica:
Terminal de la izquierda, marcado +, se denomina ÁNODO
Terminal de la derecha, marcado -, se denomina KATODO
EJEMPLO:
𝐼𝑆 = 100𝑝𝐴, 𝑉𝑇 = 25𝑚𝑉
Polarización directa (conducción):
𝑉𝑑 = {0.1𝑉, 0.2𝑉, 0.4, 𝑉 0.6𝑉 }
𝐼𝑑 = {5.4𝑛𝐴, 0.3𝑢𝐴 0.89𝑚𝐴 2.6𝐴 }

Polarización Inversa (corte):

𝑉𝑑 = {−0.1𝑉 − 0.2𝑉 − 0.4𝑉 − 0.6𝑉}
𝐼𝑑 = {−98𝑝𝐴, − 99.96𝑝𝐴, − 100𝑝𝐴, − 100𝑝𝐴}
La corriente inversa es mayor porque hay otros componentes:
corriente superficial, generación de portadores
La caída de tensión en sentido directo (conducción) es mayor debido a la
resistencia del exceso de material semiconductor necesario para la
conexión con los terminales (“patas”) del diodo que lo conectan con el
mundo exterior.
Zona Zener

Si la tensión inversa se incrementa el elemento entra en “ruptura”: la tensión inversa del diodo trata de mantenerse
constante (tensión de ruptura), realmente se incrementa muy poco.
Hay dos mecanismos:
1. Avalancha: al acelerarse los portadores chocan con los iones (átomos) y
desprenden más portadores que a su vez chocan con los iones y desprenden aún más
portadores creándose una avalancha. Si el dopado es mayor, la tensión de avalancha
disminuye
2. efecto Zener: Cuando se incrementa el dopado, el campo eléctrico creado por la
tensión inversa logra desprender muchos portadores de la región de transición con lo
que se obtiene el mismo resultado.
Independientemente del mecanismo que produce el efecto, el fenómeno recibe el
nombre de región Zener y los diodos que se fabrican con este propósito reciben el
nombre de Diodo Zener.

Comparación
Diodos de Ge, Si y GaAs

LO IDEAL

Efecto de la temperatura
Al aumentar la temperatura se tiene una corriente
mayor para la misma tensión aplicada. O dicho de otra
manera para una misma corriente del elemento se tiene
una caída menor a mayor temperatura.

:
Resistencia Dinámica, Incremental o de CA
El diodo “real” tiene una resistencia en serie

En general podemos trabajar con señales grandes (comparables con la caída de tensión cuando el diodo conduce), o con
señales pequeñas.
La resistencia del diodo para señales pequeñas (resistencia dinámica) es la que se deduce a la izquierda en esta
diapositiva.
Cuando la corriente 𝑖𝐷 se hace grande, entonces la resistencia dinámica se hace prácticamente igual a R.

Circuitos Equivalentes Capacitancias

Para la primera simplificación

Si la corriente 𝐼𝐷 es relativamente grande, 𝑟𝐴𝐶 ≅ 𝑅, lo
que implica pendiente constante (aproximadamente),
1
de manera que si se prolonga la recta de pendiente
𝑅
hasta encontrar el eje horizontal, se obtiene la curva a
tramos en azul.

Capacitancia de Transición: Notoria especialmente en

polarización Inversa. La región de empobrecimiento
(libre de portadores) se incrementa con la polarización
inversa. Por eso la capacitancia disminuye para
polarización inversa mayor.

Capacitancia de Difusión: Debida a los portadores que

se inyectan. Notoria sobre todo en conducción. La
capacitancia aumenta con el nivel de conducción.

Tiempo de
Recuperación en Inversa

Cuando el diodo está conduciendo y súbitamente se le invierte la polaridad

para llevarlo a corte, él no se corta inmediatamente, sino que se establece
una corriente en sentido inverso, la cual se mantiene por un tiempo y luego
decae al valor propio de no conducción.

Cuando el diodo está conduciendo hay portadores minoritarios en cada una

de las regiones (P y N). Estos portadores minoritarios deben desaparecer
para que se llegue al nuevo nivel de equilibrio, de manera que se establece
una corriente inversa que los transporta de regreso a la región donde son mayoritarios. Esta corriente se comporta
como se describió arriba y se muestra en la gráfica.

Diodo Zener
𝑃𝑍𝑀
𝐼𝑍𝑇  Especificada para que 𝑃𝑍𝑇 = 4

𝑉𝑍 es el valor típico. Existe tolerancia, ej.: 10%, 20%

Si 𝑉𝑍 = 10 V, entonces la tensión del Zener estará entre 9 y 11

Voltios.

Dependencia de la temperatura

Diodos LED
Aplicaciones, Rectificación

ANÁLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA

Circuitos aproximados
Se puede usar uno de los modelos aproximados del diodo y entonces se simplifican los cálculos.
El más utilizado es suponer que el diodo en conducción tiene una caída de tensión constante (0.7 V) y cortado una
corriente igual a 0 A. Esto porque se considera que la resistencia propia del diodo es mucho menor que la suma de las
resistencias en serie con él.
Si la tensión de la fuente, E, es mucho mayor que 0.7 V, entonces se puede despreciar este valor y considerar que el
diodo es un diodo ideal.

Si se reemplaza el diodo por una tensión de 0.7 V, el resultado es una corriente de aproximadamente -
0,167 mA, pero obsérvese que la corriente negativa implica conducción de cátodo a ánodo y por tanto el
diodo está cortado. Esto significa que debemos usar el modelo del diodo en corte, es decir sin tensión
equivalente en serie y con 𝑹𝑫 = ∞. El resultado correcto es 𝑰𝑫 = 𝟎 𝒎𝑨.
RECUERDE: El circuito equivalente es una aproximación. Las tensiones y resistencias en él varían de una
unidad a otra.
POR ESO: ¡¡¡El emplear diodos en paralelo normalmente conduce a que uno de ellos lleve bastante más
corriente que el otro!!!
También se puede considerar un circuito formado por un
diodo ideal y la resistencia en serie
Rectificación de Media Onda

RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA

 TRANSFORMADOR CON TAP CENTRAL

RECORTADORES

No hay un procedimiento general para analizar redes como la de la figura 2.69, pero sí algunas cosas que podemos hacer
para encauzar el análisis en alguna dirección. En primer lugar y más importante:
1. Observe cuidadosamente dónde actúa el voltaje de salida.
2. Trate de desarrollar un esquema mental de la respuesta observando la “presión” establecida por cada fuente y el
efecto que tendrá en la dirección de la corriente convencional a través del diodo.
3. Determine el voltaje aplicado (voltaje de transición) que cambie el estado del diodo de “apagado” a “encendido”.
4. Es conveniente trazar la forma de onda de salida directamente debajo del voltaje aplicado, utilizando las mismas
escalas para el eje horizontal y el eje vertical. vopico = Vm - V
EJEMPLO 2.18 Determine la forma de onda de salida para la entrada senoidal de la figura 2.74.
Solución: Paso 1: La salida es una vez más directamente a través del resistor R.
Paso 2: Tanto la región positiva de vi como la fuente aplican “presión” para encender el diodo. El resultado es que
podemos suponer con seguridad que el diodo está “encendido” a lo largo de todo el intervalo de voltajes positivos de vi.
Una vez que el voltaje se torna negativo, tendría que
MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
SUJETADORES

Paso 1: Inicie el análisis examinando la respuesta de la parte de la señal de entrada que polarizará en directa el diodo.
Paso 2: Durante el periodo en que el diodo está “encendido”, suponga que el capacitor se cargará instantáneamente a
un nivel de voltaje determinado por la red circundante.
Paso 3: Suponga que durante el periodo en que el diodo está “apagado” el capacitor se mantiene a su nivel de voltaje
establecido.
Paso 4: A lo largo del análisis, no pierda de vista la ubicación y la polaridad definida para vo para garantizar que se
obtengan los niveles apropiados
Paso 5: Compruebe que la oscilación total de la salida coincide con la de la entrada.

Aplicaciones, Rectificación con Almacenamiento (Salida CD sobre capacitancia)

¿Y si hay capacitor?
𝑽𝑪𝑫 , 𝑽𝒎 𝒚 𝒓

𝑽𝒓𝑹𝑴𝑺 , 𝑽𝒎 𝒚 𝒓