CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN DEL GTO

1) TIEMPOS MÍNIMOS DE ESTADO ACTIVO Y PASIVO

Se recomienda mucho que el GTO no se encienda hasta que se haya apagado durante un
tiempo especificado por la posibilidad de mala compartición entre las diversas islas de
cátodos. Algunos portadores minoritarios excedentes permanecen en el GTO por un
tiempo muy extenso, debido a los tiempos de vida largos, y estos portadores remanentes
causan que las pocas islas de cátodos en las inmediaciones de los portadores tengan una
mejor característica de conducción que el resto de las islas de cátodos. Por tanto, si se
intenta encender antes de que todos los demás portadores se hayan recombinado o barrido,
la mayoría de la corriente se conducirá por estas pocas islas (mala compartición de
corriente), y la consecuencia puede ser la destrucción del dispositivo.

Del mismo modo, el GTO se debe mantener en estado activo por un periodo especificado
antes de iniciar la desconexión. De nuevo, la razón es porque de lo contrario puede existir
una mala compartición de corriente entre las diferentes islas de cátodos. El diseñador del
circuito también debe tomar en cuenta que los amortiguadores de encendido y apagado
requieren asimismo un tiempo mínimo en estado activo y un tiempo mínimo en estado
pasivo, respectivamente, para operar bien.

2) MÁXIMA CORRIENTE ANÓDICA CONTROLABLE

Los portadores excedentes, sobre todo los de la capa p2, son la fuente de portadores para
la corriente de compuerta negativa. Conforme crecen la corriente de compuerta negativa
y la zona libre de plasma, como se diagrama en la figura A, hay una acumulación de
tensión sustancial a través de la unión de compuerta cátodo, como se indica, debido al
flujo lateral de corriente de compuerta en la capa p2. La tensión a través de la unión es
más grande en la periferia del cátodo más cercano al contacto de la compuerta. Si esta
tensión excede la tensión de ruptura de la unión, la corriente de compuerta negativa fluye
sólo en la periferia del cátodo donde ocurrió la ruptura, y no se retira nada de la carga
almacenada remanente, y por ende el GTO no se apaga. Por esta razón, la tensión VGG_
no debe sobrepasar la tensión de ruptura de la unión de compuerta-cátodo.

La limitación sobre la tensión negativa de compuerta-cátodo significa que hay una

máxima corriente de compuerta que se puede sacar del GTO. Conforme la eliminación
de carga almacenada entra en su fase final, la zona de portadores excedentes se contrae y
ocupa un área pequeña cerca del centro de la isla de cátodos y está a la máxima distancia
del contacto con la compuerta. En estas circunstancias, la tensión inversa a través de la
unión está en su valor máximo. La resistencia óhmica lateral de la figura A, que es una
función de la geometría del dispositivo, así como el nivel de dopaje de la capa p2 junto
con la tensión de ruptura de la unión, determina cuán grande puede ser la máxima
corriente negativa de la compuerta. Esto también significa que existe una máxima
corriente anódica que se puede apagar, pues, según la ecuación, IA < βapag I G.máx. La
máxima corriente anódica controlable se da en las hojas de especificaciones del GTO de
los fabricantes de dispositivos.
Figura A: Mecanismos que determinan la máxima corriente anódica que se apaga
por una corriente de compuerta negativa:
a) corriente de compuerta negativa que comprime el plasma de los portadores
excedentes hasta un volumen pequeño en el centro de la isla de cátodos, a la máxima
distancia posible del electrodo de compuerta;
b) resistencia óhmica lateral en la capa de base p2 que limita la máxima corriente de
compuerta.

3) PROTECCIÓN DEL GTO CONTRA SOBRECORRIENTE

En un MOSFET y un BJT, una sobrecorriente accidental causa que el dispositivo salga

de saturación y entre en la zona activa. El propio dispositivo limita la corriente máxima,
pero aumenta la tensión a través del dispositivo. De este modo, la condición de
sobrecorriente se detecta fácilmente al medir la tensión de estado activo. Las
sobrecorrientes también se detectan por medio de un sensor de corriente o, en el caso del
MOSFET, de un SENSEFET. Una vez detectada la sobrecorriente, los BJT y los
MOSFET se protegen al apagarlos en unos cuantos microsegundos.
La protección contra sobrecorrientes de un GTO es más complicada. Como se muestra en
la figura 1-a, el GTO está diseñado para una corriente operativa con pico permisible
menor que la máxima corriente controlable por un factor de seguridad. El sensor de
corriente debe detectar la sobrecorriente en un GTO. Si la sobrecorriente detectada es
menor que la máxima corriente controlable, por ejemplo, en el punto A de la figura B, el
GTO se apaga por una corriente de compuerta negativa.

Sin embargo, si la sobrecorriente detectada es mayor que la máxima corriente controlable,

por ejemplo, en el punto B de la figura 1-a, un intento de apagar el GTO por medio de
una corriente de puerta negativa provoca una falla del GTO. Por tanto, el GTO está
protegido por la llamada técnica de cortocircuito, donde un tiristor en paralelo con el
GTO, como se muestra en la figura 1-b, se enciende rápidamente, lo que luego quema el
fusible. Sin cortocircuito, la única manera de proteger el GTO en el circuito de la figura
1-b sería un GTO de especificaciones de corriente mucho más grandes, lo que resulta muy
costoso.

En el caso de una configuración trifásica, la que se muestra en la figura 1-c, el

cortocircuito se presenta por medio del encendido simultáneo de los seis GTO. Como
vimos, en condiciones de operación normales la corriente a través del fusible está en el
mismo rango que la corriente a través de un GTO. Cuando las tres patas se encienden en
forma simultánea, la corriente a través del fusible se comparte por tres patas, gracias a lo
cual el GTO será capaz de conducir hasta que se queme el fusible.

Figura 1
Métodos de protección contra sobrecorrientes del GTO:
a) definición de sobrecorrientes;
b) protección contra sobrecorrientes debido a un “cortocircuito”;
c) protección contra sobrecorrientes mediante el encendido de todos los GTO en el puente
para compartir la corriente hasta que se abra el fusible.

CONCLUSIONES
1. El GTO tiene la misma estructura de cuatro capas que el tiristor convencional,
pero se hacen especificaciones especiales a la estructura para habilitar la
compuerta y desconectar el dispositivo.

2. Las modificaciones más importantes incluyen una estructura de compuerta-cátodo

interdigital con anchos pequeños de cátodo y compuerta, cortocircuitos del ánodo
y un tiempo de vida más corto de los portadores en la región de deriva que en un
tiristor convencional.

3. La parte de polarización directa de la característica i-v del GTO es la misma que

la del tiristor convencional, pero el GTO con cortocircuito del ánodo tiene una
capacidad de bloqueo inverso muy limitada.

4. La ganancia de desconexión del GTO no es grande (por lo general de 5 o menos),

de modo que se requieren grandes pulsos de compuerta negativos para apagar el
dispositivo.

5. La magnitud de corriente de compuerta negativa que se aplica está limitada por

fenómenos de apiñamiento de corriente, y por tanto hay una máxima corriente
anódica que se desconecta con seguridad.