CIRCUITOS DE RECTIFICACIÓN

Electrónica analógica y digital

Bryan Fabian Torres Dota, Diego Minchala , Francisco Arce, Victor Lojano, Diego Valdez,
Bryan Crespo.

Resumen Abstract
En el siguiente documento se presentará la función del In the following document, the function of the BJT
transistor BJT sus componentes, su clasificación, transistor its components, its classification, will be
mediante circuitos, cálculos, simulaciones; para lo cual presented through circuits, calculations, simulations; for
se realizaron presentaciones o exposiciones por parte de which presentations or exhibitions were made by the
los compañeros logrando así un mayor conocimiento de classmates, thus achieving greater knowledge of them.
los mismos.
For each of the circuits with different polarizations, the
Para cada uno de los circuitos con diferentes results obtained in practice will be shown, as well as those
polarizaciones se mostrarán los resultados obtenidos en obtained in the calculation and simulations that will verify
la práctica, así como los obtenidos en el cálculo y said behavior; In addition, it will be possible to see and
simulaciones que comprobaran dicho comportamiento; understand that the diode is the main rectifying element in
Además se podrá ver y entender que el diodo es el the circuits.
elemento principal rectificador en los circuitos

Palabras Clave: Polarización, Circuitos, transistor. Keywords: Polarization, Circuits, transistor.

1
 1. TEMA:
Transistores de unión bipolar
2. OBJETIVOS
 Realizar el diseño de circuitos con Cuando se empezó a usar el transistor hubo una
transistores y realizar el cálculo novedad, que fue el primer componente electrónico
correspondiente con todos los parámetros
en el que materiales con diferentes características no
de polarización.
 Simular cada uno de los circuitos. se conectaron sino simplemente si unieron.

 Cumplir los parámetros dados para cada

ejercicio.
El transistor de unión bipolar o BJT, es un dispositivo
 Realizar los circuitos de manera práctica y
creado a partir de dos uniones pn del mismo
los valores medidos se deben asemejar.
semiconductor. Su importancia reside en que se
 Calcular las diferentes variables que
utilizan en dos importantes aplicaciones como lo es
intervienen en el circuito.
amplificador de corriente y como interruptor
electrónico o elemento lógico de dos estados,
3. INTRODUCCION. conduce uno conduce en circuitos digitales. (Miguel)
El transistor a partir de 1950 el tamaño de los
dispositivos electrónicos se reduce a un factor de
alrededor de 10 veces cada cinco años. En 1960, En esta práctica se analizará los circuitos BJT, la

cuando se empezó a usar la palabra microelectrónica, misma nos servirá para complementar la teoría

un bloque de silicio de un área del 0.5 cm² podía revisada en clases.

contener de 10 a 20 transistores con varios diodos,

resistores y capacitores, la cual hoy en día tales
En los circuitos BJT se pueden analizar varios aspectos
bloques pueden contener varias docenas de miles de
tales como corriente de base, emisor, resistencia
componentes.
total y voltajes en cada sistema tanto para el de
A medida que la micro tecnología electrónica fue
entrada como el de salida. Todos estos valores se los
avanzando y desarrollando, se aplicó muy
puede obtener a través de la deducción de las mismas
rápidamente a computadoras comerciales
por medio de la ley de Kirchhoff o también de mallas.
reduciendo asa enormemente el tamaño de sus
procesadores y cuando en la primera década del siglo
XXI vivimos ya la era de la nano electrónica (J,
Villaseñor Gómez, 2013).

2
En el informe presentaremos un pequeño marco
teórico sobre el tema, y a continuación se procederá
presentar todos los cálculos que se realizó previo a
armado del circuito en el laboratorio utilizando el
protoboard, luego se presentará los resultados
obtenidos en el laboratorio para poder hacer un
análisis de los resultados tanto teórico como práctico.
4. MARCO TEORICO
4.1 Tipos de transistores
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres
capas que consta de dos capas de material tipo n y
una de material tipo p o de dos capas de material tipo
p y una de material tipo n. El primero se llama
transistor NPN y el segundo transistor PNP. Ambos se
muestran en la figura 1 y 2 con la polarización de cd
apropiada.
Fig.1 transistor PNP.
Fuente: [1]
3
Fig2. Transistor NPN
Fuente: [1]
Con la polarización mostrada en las figuras 1 y 2, las
terminales se identificaron por medio de las letras
mayúsculas E para emisor, C para colector y B para
base. La conveniencia de esta notación se pondrá de
manifiesto cuando analicemos la operación básica del
transistor. La abreviatura BJT (de bipolar junction
transistor) se suele aplicar a este dispositivo de tres
terminales. El término bipolar refleja el hecho de que
huecos y electrones participan en el proceso de
inyección hacia el material opuestamente polarizado.
Si se emplea sólo un portador (electrón o hueco), se
considera que es un dispositivo unipolar. [1]
4.2 Funcionamiento del transistor.
El transistor es un amplificador de corriente, esto
quiere decir que si le introducimos una cantidad de
corriente por una de sus patillas (base), el entregará
por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un
factor que se llama amplificación. Este factor se llama
(beta) y es un dato propio de cada transistor.
Cuando un transistor se utiliza en un circuito, el
comportamiento que éste tenga dependerá de sus
curvas características. En el diagrama que se muestra
hay varias curvas que representan la función de
transferencia de Ic (corriente de colector) contra VCE
(voltaje colector – emisor) para varios valores de Ib
(corriente de base).
Cuando el transistor se utiliza como amplificador, el
punto de operación de éste se ubica sobre una de las
líneas de las funciones de transferencia que están en
la zona activa. (las líneas están casi horizontales).
Cuando un transistor se utiliza como interruptor o
switch, la corriente de base debe tener un valor para
lograr que el transistor entre en corte y otro para que
entre en saturación
 Un transistor en corte tiene una corriente de
colector (Ic) mínima (prácticamente igual a cero)
y un voltaje colector emisor VCE) máximo (casi
igual al voltaje de alimentación). Ver la zona
amarilla en el gráfico
 Un transistor en saturación tiene una corriente
de colector (Ic) máxima y un voltaje colector
emisor (VCE) casi nulo (cero voltios). Ver zona en
verde en el gráfico
Fig. 3. Salida o características del colector de un
amplificador de transistor en base común.
Fuente: [1]
Para lograr que el transistor entre en corte, el valor
de la corriente de base debe ser bajo o mejor aún,
cero.
Para lograr que el transistor entre en saturación, el
valor de la corriente de base debe calcularse
dependiendo de la carga que se esté operando entre
4
encendido y apagado (funcionamiento de
interruptor)
Si se conoce cuál es la corriente que necesita la carga
para activarse (se supone un bombillo o foco), se
tiene el valor de corriente que habrá de conducir
el transistor cuando este en saturación y con el valor
de la fuente de alimentación del circuito, se puede
obtener la recta de carga. Ver gráfico anterior.
Esta recta de carga confirma que para que
el transistor funcione en saturación, Ic debe ser
máximo y VCE mínimo y para que esté en corte, Ic
debe ser el mínimo y VCE el máximo.
4.3 Polarización
La polarización correcta de un amplificador en
emisor común se determina de manera parecida a la
de la configuración en base común. Supongamos
que tenemos un transistor NPN como el de la figura
3 a al que debemos aplicar la polarización correcta
para situar al dispositivo en la región activa.
Fig. 4
Determinación de la modalidad de polarización
correcta para una configuración de transistor NPN
en emisor común.
Fuente: [1] (NASHELSKY, 2009)
4.4 Desarrollo de la practica
4.4.1 Realizar el diseño de los siguientes
circuitos con transistores y calcular todos los
parámetros de la polarización.
Los requerimientos que deben cumplir se
presentan en cada esquema.
4.1. Circuito 1) Circuito de polarización por RTH=R1 II R2
medio de divisor de voltaje.

Circuito de Entrada.

VTH –VRTH – VZ- VBE – VRE = 0

VTH= IB *RTH +Vz+VBE+IE*RE

4.1.1. Datos. VTH = IE/β *RTH +VZ+VBE+IE*RE

Transistor 2N3904
hFE= β= 220 VTH−VZ−VBE
IB = (𝑅𝐸+(𝑅𝑇𝐻/𝛽))
Vcc= 9v.
IE= Ic = 3mA
VTH−VZ−VBE
RE = 1 KΩ IB = (𝑅𝐸+(𝑅1 𝐼𝐼𝑅2/𝛽))

Vz = 3.6
4.1.2. Planteamiento de ejercicio. Despejando IE
VTH−VZ−VBE
𝐕𝐜𝐜 𝟗
IE = (𝑅𝐸+(𝑅𝑇𝐻/𝛽))
V =
CE
2
= 2
= 4.5
VTH−VZ−VBE
IE = (𝑅𝐸+(𝑅1𝐼𝐼𝑅2/𝛽))

VCE=𝐕𝐜𝐜 = 𝟗2 = 4.5 Si aplicamos la siguiente condición.

2
R1 II R2
«RE
𝛽

IB = 𝐈𝐜𝛽 = 𝟑220
𝐦𝐀
= 13.63 µA Tenemos que la IE es:
VTH−VZ−VBE
IE =
(𝑅𝐸)
𝐑𝟏∗𝐕𝐜𝐜
VTH=𝑅1+𝑅2
VTH= IE *RE +Vz+VBE
5
VTH = 3mA * 1000Ω +0.7 v VRC=3mA * 560 Ω

Circuito de salida. VRC=1.68

Teniendo en cuenta la siguiente condición

RTH « 0.01 (β*RE)

RTH « 0.01 (220*1000)

RTH « 2200 Ω

Por lo tanto, la resistencia comercial menor a este

valor es RTH

RTH =1.8 Ω

Con los valores calculados se armó el circuito, pero

se puede comparar que existe una variación tanto
-VCC+ VRC+VCE+VRE = 0 en el VZ, VCE, IC, por lo que se recalcula nuevamente
el valor de la resistencia R1 para cumplir con los
-9v+IC*RC+4.5v +IE*RE= 0 requisitos planteados inicialmente.
RE +RC = 1500 VZ=1.3 v
RC=1500-1000 = 500Ω ~ 560Ω IC = 3 mA
Teniendo en cuenta la siguiente condición RE = 1 KΩ
R2 «0.1 (β*RE) VTH= IE *RE +Vz+VBE
R2 «0.1 (220* 1000) VTH = 3mA * 1000Ω+1.3v +0.7 v
R2 «20 KΩ VTH = 5V
Por lo tanto, la resistencia comercial menor a ese 𝑅2∗𝑉𝑐𝑐
R1 = – R2
valor es R2 𝑉𝑇𝐻
1800𝛺−9𝑣
R2 = 18 KΩ R1 = 5𝑣
- 18000Ω

Si de la ecuación VTH despejamos R1 encontramos R1 =14.4Ω

su valor.
Con el valor R1 calculado, se armó nuevamente el
𝑅2∗𝑉𝑐𝑐 circuito y se puede comprobar que se cumple con los
R1 = – R2
𝑉𝑇𝐻 requisitos planteados.
1800𝛺−9𝑣
R1 = - 18000Ω
7.3𝑣

R1 =4191.78 Ω ~ 4.7 KΩ

Ahora aplicamos Ley de OHM encontramos los

valores de VRE y VRC

VRE=3mA * 1000Ω
4.1.3 Simulaciones y datos obtenidos del circuito
VRE=3v planteado
6
 Figura 5. Simulacion de la configuracion de Figura 6. Punto Q para la configuración de
polarizacion por medio del divisor de voltaje usando polarización por medio del divisor de voltaje.
un transistor y diodo zener
4.2 CIRCUITO 2) Circuito de polarización por
Con el valor de R1 calculado, se armó nuevamente el medio de divisor de voltaje usando un transistor
circuito en el protoboard y se puede comprobar que darlington.
se cumple con los requerimientos planteados y la
resistencia R1 se sustituyó por un potenciómetro
para variar el valor de esta resistencia.
𝑽𝑪𝑬
𝑽𝑪𝑪
=
𝟐

IE2=4.5mA

4.2.1 Datos

𝑉𝐵𝐸 = 0.7

Figura 7. Armado en protoboard la configuracion de 𝑉𝑐𝑐

𝑉𝐶𝐸 = =4𝑉
polarizacion por medio del divisor de voltaje usando 3
un transistor ycun diodo zener. 𝑉𝐶𝐶 = 12 𝑉
4.1.3. Grafica del punto de trabajo y la recta de 𝐼𝐸2 = 4.5𝑚𝐴
funcionamiento de las polarizaciones.
𝛽 = 53.067 𝑅1 = 100Ω

7
4.2.2. Planteamiento de ejercicio: Como 𝑅1 + 𝑅4 están en paralelo procedemos a
encontrar su resistencia total
𝑅1 ∗ 𝑅4 1000 ∗ 1000
𝑅𝑎 = = = 𝟓𝟎𝟎Ω
𝑅1 + 𝑅4 1000 + 1000
Seguimos en la ecuación de la ley de voltajes de
Kirchhoff, donde despejamos 𝑅3

6 − 7.99𝑥10−4 − 14
𝑅3 = = 1022.04 ≈ 𝟏𝟎𝟎𝟎Ω
0.0045

Conociendo los datos procedemos a encontrar las

intensidades en el colector y emisor del primer
transistor

𝐼𝑐1 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵1 = 53.067 ∗ 0.000001598

Nos imponemos una resistencia y denotamos que = 𝟖. 𝟒𝟖𝐗𝟏𝟎−𝟓 𝐀
𝑅1 = 𝑅4 𝐼𝐸1 = 𝐼𝐵1 + 𝐼𝑐1 = 0.000001598 + 0.0000848
= 𝟖. 𝟔𝟒𝒙𝟏𝟎−𝟓 𝑨
𝑅1 = 100Ω
Partimos de la ecuación
Si sabemos 𝐼𝐸1 = 𝐼𝐵2 , por lo que procedemos a
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
encontrar las intensidades de colector y emisor del
Donde despejamos 𝛽 , donde la densidad 𝐼𝐶 𝑦 𝛽𝐼𝐵 segundo transistor
las encontramos midiendo en el circuito ya que 𝛽,
𝐼𝑐2 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵2 = 53.067 ∗ 8.48X10−5
no es constante:
= 𝟒. 𝟓𝟖𝐱𝟏𝟎−𝟑 𝑨
𝐼𝐶 32.56𝑥10−6 𝐴
𝛽= = 𝐼𝐸2 = 𝐼𝐵2 + 𝐼𝑐2 = 0.0000864 + 0.00458
𝐼𝐵 613.1𝑥10−6 𝐴
= 𝟒. 𝟔𝟕𝒙𝟏𝟎−𝟑 𝑨
CIRCUITO DE ENTRADA
CIRCUITO DE SALIDA
Aplicamos la Ley de voltajes de Kirchhoff
Aplicamos la Ley de Voltajes de Kirchhoff
𝑉𝑇ℎ − 𝐼𝐵1 ∗ 𝑅𝑎 − 0.7 − 0.7 − 𝐼𝐸2 ∗ 𝑅3 = 0
12 − 𝐼𝑐 ∗ 𝑅2 − 𝑉𝐶𝐸2 − 𝐼𝐸2 ∗ 𝑅3 = 0
𝐼𝐸2 0.0045
𝐼𝐵1 = = = 1.598𝑥10−6 𝐴 Sabemos que 𝐼𝑐 = 𝐼𝐸2
𝛽2 53.0672
𝐼𝑐 = 𝐼𝐸2 = 4.5𝑚𝐴 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟒𝟓𝑨
𝐼𝐸2 = 4.5𝑚𝐴 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟒𝟓𝑨
Nos da como parámetro que el 𝑉𝐶𝐸2 debe ser la
Aplicamos la fórmula de voltajes de Thevenin
mitad de 𝑉𝐶𝐶
𝑉∗𝑅4 12∗1000
𝑉𝑇𝐻 = 𝑅1 +𝑅4
= 1000+1000
= 6𝑉 𝑉𝐶𝐶 12
𝑉𝐶𝐸2 = = = 𝟔𝑽
2 2

8
EL 𝑉𝐶𝐸1 solo sería la resta del 𝑉𝐶𝐸2 con la caída de Figura 8. Simulacion de la configuracion de
tensión que existe en el transistor que vendría a ser polarizacion por medio del divisor de voltaje usando
la del diodo un transistor darlington

𝑉𝐶𝐸1 = 6 − 0.7 = 𝟓. 𝟑𝑽 4.2.4. Grafica del punto de trabajo y la recta de

funcionamiento de las polarizaciones.
Volvemos a la Ley de Voltajes de Kirchhoff donde
encontramos 𝑅2
12 − 4.6 − 6
𝑅2 = = 311.29 ≈ 𝟐𝟕𝟎Ω
0.0045
Procedemos a encontrar la máxima intensidad que
circula por el transistor Darlington
𝑉𝑐𝑐 12
𝐼𝑚𝑎𝑥 = = = 0.0095𝐴
𝑅𝑐 + 𝑅𝐸 1000 + 270
= 𝟗. 𝟒𝟓𝒎𝑨
4.2.3. Simulaciones y datos obtenidos del circuito Figura 9. Punto Q para la configuración de
planteado polarización por medio de divisor de voltaje usando
un transistor darlington

Figura 10. Armado en protoboard la configuracion

de polarizacion por medio del divisor de voltaje
usando un transistor darlington. 4.3 CIRCUITO 3) Circuito de polarización con
retroalimentación de colector base

Datos:
9
𝑉𝐶𝐸 = 1.5 𝑉

𝑉𝐵𝐶 = 10.7𝑉 𝑉
𝐼𝐵 =
𝑉𝐶𝐶 [𝑅𝐵 + (1 + 𝛽)𝑅𝑒𝑞 ]
𝑉𝐶𝐸 =
2
𝑉𝐶𝐶 = 3 𝑉

𝐼𝐸 = 2𝑚𝐴 La corriente en el colector será entonces:

4.3.2.- Deducción de fórmulas: 𝑉

𝐼𝐶 = β𝐼𝐵 =
[𝑅𝐵 + (1 + 𝛽)𝑅𝑒𝑞 ]
CIRCUITO DE ENTRADA

𝐼′𝐶 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
Cuando mayor sea el valor de 𝑅𝑒𝑞´ comparado con el
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
de 𝑅𝐵 (𝑅𝑒𝑞 ≫ 𝑅𝐵 ), la ecuación anterior tiende a ser:
𝐼′𝐶 = 𝐼𝐸
𝛽𝑉 𝑉
𝐼𝐶 = β𝐼𝐵 ≅ ≅
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝜃 𝛽𝑅𝑒𝑞 𝑅𝑒𝑞

Aplicando LKV tenemos:

-𝑉𝐶𝐶 + 𝐼′𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝛽𝐸 +𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 CIRCUITO DE SALIDA

Remplazando en la ecuación 1,2 y 3 en 4 tenemos -𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐶𝐶 - 𝐼′𝐶 𝑅𝐶 - 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0

que:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 - 𝐼′𝐶 𝑅𝐶 - 𝐼𝐸 𝑅𝐸
-𝑉𝐶𝐶 + (𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 ) 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐸𝐸 + (𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 )𝑅𝐸 = 0

-𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐶 β+ 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝐼𝐵 𝑅𝐸 β =
0
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐶 β + 𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 + 𝑅𝐸 β
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 4.3.3.- Planteamiento de ejercicio:
𝐼𝐵 =
(𝑅𝐶 + 𝑅𝐶 β) + 𝑅𝐵 + (𝑅𝐸 + 𝑅𝐸 β)
En el siguiente circuito de polarización con
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 retroalimentación de colector base se tiene que:
𝐼𝐵 =
𝑅𝐶 (1 + 𝛽) + 𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
(1 + 𝛽) (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑅𝐵
Por lo que:

𝑉 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
En el denominador se tiene una resistencia conectada
a la base identificada por 𝑅𝐸 y además de 𝑅𝐵 hay
otras resistencias que son 𝑅𝐶 y 𝑅𝐵 ; al efecto de estas
resistencias podemos llamarle 𝑅𝑒𝑞 (resistencia
equivalente), quedando la ecuación 5 en:

10
 𝑅𝐶 = 570Ω

𝑅𝐶 = 680Ω Éste es un valor comerciable

De la ecuación 5 despejamos 𝑅𝐵 :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
(𝐵 + 1) (𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 ) + 𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 = − (𝐵 + 1) (𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 )
𝐼𝐵
3𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝐵 =
19.80 𝜇𝐴
𝑅𝐵 = 29.290𝐾Ω
Ecuaciones que fueron utilizadas: 𝑅𝐵 = 33KΩ Éste es un valor comerciable
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 A continuación se procede a calcular la 𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 :
𝐼𝐶 = β𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑅𝐵 + 𝑅𝐶
𝐼𝐵 =
(1+𝛽) (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )+ 𝑅𝐵
3𝑉
𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 =
𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐶𝐶 - 𝐼′𝐶 𝑅𝐶 - 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 860

De la ecuación 2 y 3 cuarta despejamos 𝐼𝐵 𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 = 3.48𝑚𝐴

𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 - 𝐼𝐶 Para encontrar la resistencia equivalente ocupamos

la siguiente ecuación:
𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
𝐵 𝑉
𝐼𝐵 =
Despejamos 𝐼𝐶 y remplazamos los valores: [𝑅𝐵 + (1 + 𝛽)𝑅𝑒𝑞 ]
0.2
𝐼𝐶 = 101
𝑉
𝐼𝐶 = 1.9801𝑚𝐴 − 𝑅𝐵
𝐼𝐵
𝑅𝑒𝑞 =
Con éste encontramos el valor de 𝐼𝐵 : 𝐵+1
𝐼𝐶 𝑅𝑒𝑞 = 1.173 𝐾Ω
𝐼𝐵 = 𝐵
1.9801𝑚𝐴
Ahora procedamos a calcular los voltajes:
𝐼𝐵 = 100
𝑉𝑅𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵
𝐼𝐵 = 19.80 𝜇𝐴
𝑉𝑅𝐵 = (19.80 𝜇𝐴)( 33KΩ)
De la ecuación 9 despejamos 𝑅𝐶 teniendo:
𝑉𝑅𝐵 = 0.653𝑉
𝑉𝐶𝐶 − 𝐶𝐶𝐸 − (2𝑚𝐴)(180Ω𝐴)
𝑅𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶
2𝑚𝐴
3𝑉 − 1.5𝑉 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 𝑉𝑅𝐶 = (1980 𝑚𝐴)( 680Ω)
𝑅𝐶 =
𝐼′𝐶 𝑉𝑅𝐶 = 1.346𝑉

11
 𝑉𝑅𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝑅𝐸 = (2𝑚𝐴)( 180Ω)

𝑉𝑅𝐸 = 036𝑉
4.3.4. Simulaciones y datos obtenidos del circuito
planteado:

Figura 12. Simulación y medición de corrientes de la

configuración de realimentación de colector.

4.3.5. Grafica del punto de trabajo y la recta de

funcionamiento de las polarizaciones.

VCE= 3V

Ic= 1.9801 mA
Figura 10. Armado en protoboard de la
configuración de realimentación de colector. 𝑉𝐶𝐸 = 1.5 V

Figura 11. Simulación y medición de voltajes de la

configuración de realimentación de colector.
Figura 13. Punto Q para la configuración de
polarización con retroalimentación de colector base.

12
5. ANALISIS DE RESULTADOS
5.1 Circuito de polarización por medio de un divisor
de voltaje.
 Para el circuito de polarización por medio de
divisor de voltaje, en el diseño del mismo se
debe tomar en cuenta que la ganancia afecte
lo menos posible tanto a la intensidad de
colector IC como al voltaje colector-emisor
VCE, de manera que al plantearnos un valor
de resistencia para el emisor RE, para que
satisfaga las condiciones establecidas para el
circuito los valores de las resistencias fueron
RE=1kΩ, RC=560Ω, R1=5.6kΩ, R2=18kΩ.
 Al realizar la simulación se puede
comprobar que tanto el VCE es la mitad
que el voltaje VCC=9V y la IC = 3mA
cumpliendo así con las condiciones
requeridas inicialmente, además se puede
ver que los voltajes en las resistencias
varían de una forma insignificante.
5.2 Circuito de polarización por medio de divisor
de voltaje usando un transistor Darlington.
 Para el circuito de polarización por medio del
divisor de voltaje usando un
transistorDarlington o dos transistores
simples en cascada, en donde teníamos
cuatro incógnitas que son las resistencias y
dos ecuaciones las que hallamos por LVK de
entrada y salida, donde para eliminar dos
incógnitas nos impusimos el valor de y al
mismo tiempo que el β como varía según la
corriente de base y colector procedimos a
aplicar la formula lo que obtuvimos 53.067
que está dentro del rango a la cual trabaja el
transistor 2N3904, donde podemos observar
que como hay dos transistores, el β se duplica
donde la corriente de entrada en y la
corriente de salida en , vemos que la
intensidad aumento deduciendo que los dos
transistores si están trabajando, miramos
que la , también que es la corriente de salida
y la entrada del otro transistor.
13
 El enfoque de este circuito es aumentar la
corriente de salida por el uso del
transistorDarlington para así aumentar la
potencia de salida, para así equilibrar la y
porque si fuera lo contrario un transistor no
trabajaría no logrando que la corriente
aumente en la salida del transistor. 

5.3 Circuito de polarización con retroalimentación
de colector base.
 Para el circuito de polarización con
retroalimentación de colector base para
el diseño del mismo se debe tomar en
cuenta que para que se mueva lo menos
posible, la ganancia tiene que afectar lo
menos posible, haciendo que nos
interese que influya más que, de
manera que al plantear el circuito se
tomó las condiciones que sea pequeña
y sea grande, y al ser aplicado este
criterio se obtuvo que tiene un valor de
tiene un valor de, la cual cumple el
criterio.
 En el voltaje de la resistencia del colector de
con respecto a lo simulado de la variación es
aceptable, ya que a la diferencia de los mismo
se debe la tolerancia de la resistencia de 680
ohmios, haciendo que cambie los resultados.
6. CONCLUSIONES
 En la obtención de datos tanto para lo
práctico y teórico en los circuitos
realizados se deben tomar en cuenta
las aproximaciones realizadas en los
cálculos para que las desviaciones de
las condiciones de trabajo sean
mínimas y por ende tener buenos
 resultados.
 Para el circuito de polarización por
medio de divisor de voltaje, al
momento de realizar el cálculo se
asumió el valor del voltaje del diodo
zener de 3.6v debido que este es el más
comercializado y el diodo zener de 3.3v
 requerido para el circuito no se Circuitos de la practica simulados en el software.
encontraba disponible.
 CIRCUITO 1) Circuito de polarización por
 Luego de armar el circuito de medio de divisor de voltaje.
polarización por medio de divisor de
voltaje en el protoboard se pudo
verificar que el voltaje en el diodo zener
era de 1.3v por lo que seprocedió a
recalcular el valor de la resistencia R2.
Para poder obtener las condiciones
requeridas necesariamente se debía
conectar al circuito una resistencia de
14.4, por lo que en reemplazo de dicha
resistencia se colocó un potenciómetro
para poder calibrar dicho valor de
resistencia.
CIRCUITO 2) Circuito de polarización por
 Con respecto a la polarización por medio de divisor de voltaje usando un
realimentación de colector, frente a la de transistor Darlington.
emisor, presenta una gran ventaja de que
el transistor no puede llegar a saturarse.

 Depende mucho de las resistencias a
utilizar para obtener el resultado que
queremos en nuestros transistores ya
sea para equilibrar, o para que el
transistor este en corte o saturación.

 La corriente directa en el emisor por lo
regular siempre es la corriente más
grande de un transistor, en tanto que la
corriente de la base es la más pequeña.
 CIRCUITO 3) Circuito de polarización con
REFERENCIAS
 retroalimentación de colector base.
[1] J, Villaseñor Gomez. (2013). Circuitos y
Aplicaciones Digitales. Mexico: Pearson
Education.

[2] Miguel, L. M. Fundamentos físicos de la

informática y las comunicaciones. Paraninfo.

[3] L. Boylestad, L. N. Teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos (Decima ed.).
Pearson.

8. ANEXOS
14
15