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𝑣𝑎 = 𝜇𝑒 𝐸
Para a maioria dos materiais a
condutividade é dada por:
𝜎 = 𝑛|𝑒|𝜇𝑒
𝑒 = −1,6 10−19 𝐶
Resistividade elétrica dos materiais
𝜎 = 𝑛 𝑒 𝜇𝑒 + 𝑝 𝑒 𝜇𝑏 = 𝑛𝑖 |𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 )
Concentração de portadores intrínsecos
Exercício
𝜎 = 𝑛𝑖 |𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 )
𝜎 10−6
𝑛𝑖 = =
|𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 ) 1,6 ∗ 10−19 ∗ (0,85 + 0,04)
𝑛𝑖 = 7 ∗ 1012 𝑚−3
Semicondução extrínseca
a) O As é do grupo VA da
tabela periódica e, portanto,
atuará como doador no silício,
o que significa que esse
material é do tipo n.
Exercício: Cálculos da condutividade elétrica na
temperatura ambiente e em temperaturas elevadas para
o silício extrínseco
b) Na temperatura ambiente (298 K),
estamos na região de temperatura
extrínsica, o que significa que
virtualmente todos os átomos de As
doaram elétrons. Além disso, como esse
material é instrínseco do tipo n, a
condutividade pode ser calculada a
partir da equação:
Exercício: Cálculos da condutividade elétrica na
temperatura ambiente e em temperaturas elevadas para
o silício extrínseco
b) É necessário determinar a mobilidade dos
elétrons para uma concentração de doadores
de 1023 m-3.
Exercício: Cálculos da condutividade elétrica na
temperatura ambiente e em temperaturas elevadas para
o silício extrínseco
c) Para determinar a condutividade desse
material a 373 K deve-se determinar a nova
mobilidade eletrônica dos doadores para
uma concentração de 1023 m-3.
Dispositivos
Semicondutores
Diodos
Diodos
Diodos
Diodos
Materiais Eletroeletrônicos
Obrigado pela atenção