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BS 2 EL Les oscillateurs

1.Définition d'un oscillateur s(t)


Un oscillateur est un dispositif permettant de produire
une grandeur sinusoïdale
 S est l'amplitude des oscillations
= S sin(ω ωοt) où et ω = 2πf est la pulsation des oscillations .
 o o
d2s(t) 2π
s(t) est la solution de l'équation + ωo2s(t) = 0 To =
dt2 ωo
en effet :
ds(t) d2s(t) 2 d2s(t) 2 2 2
dt = Sωocos(ωot)  dt2 = - Sωo sin(ωot)  alors dt2 +ωo s(t) = = - Sωo sin(ωot) +ωo Ssin(ωot) = 0
remarque :
d2s(t) d2s(t) ds(t)
l'équation 2 + ωo2s(t) = 0 correspond à un second ordre + 2mωo dt + ωo2.s(t) = ωo2.e(t) avec m = 0 et e(t) = 0
dt dt2

2. Structure d'un oscillateur sinusoïdal s(t)


H(jω
ω)
L’oscillateur sinusoïdal est un système bouclé placés volontairement
dans un état d’instabilité.
Il est constitué d’une chaîne directe H(jω
ω) apportant de l’amplification
et d’un quadripôle de réaction K(jωω). K(jω
ω)
3. Conditions d'oscillation
Pour qu’un système bouclé oscille, il faut qu’il existe une fréquence fo ou une pulsation ωo
pour laquelle le gain de boucle soit égal à 1 :

c’est la condition de Barkhausen :


H(jωo).K(jωo) = 1 ou « gain de boucle = 1 »

qui se traduit en pratique par deux conditions :

⇒ sur le module | H(jω


ωo).K(jωωo) | = 1
À la fréquence fo, l'amplification de la chaîne directe compense l'atténuation du
quadripôle de réaction.

⇒ sur la phase arg H(jωo).K(jωo) = arg (H(jωo)) + arg(K(jωo)) = 0


ou arg (H(jω
ωo)) = - arg(K(jω
ωo))
À la fréquence fo, le déphasage de la chaîne directe compense le déphasage du
quadripôle de réaction.

Démarrage de l’oscillation :
A la mise sous tension de l’oscillateur, les fluctuations dues à l’agitation thermique des
électrons provoquent le démarrage de l’oscillation à condition qu’il existe une fréquence fo à
laquelle le déphasage total est nul et l’amplification de la chaîne supérieure à 1.

Pour que l’oscillation puisse démarrer, il faut avoir, au moment de la mise sous tension de
l’oscillateur, une amplification un peu supérieure à l’atténuation du quadripôle de réaction.

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4. Les oscillateurs à résonateur LC

4.1. structure et propriétés des oscillateurs à résonateur LC

Ces oscillateurs très courants sont


constitués d'un amplificateur H(jωω) à amplificateur réseau de réaction
grande impédance d'entrée
(amplificateur opérationnel en BF, Rs Z2
transistor à effet de champ, …) Ue Us Z3 Z1 Ue
et d'un réseau à réaction K(jω ω) Ao Ue
purement réactif en "pi"
(condensateurs et inductances) :

Z3 (Z2+Z1)
Le réseau de réaction a une impédance d'entrée de Ze = Z3 // (Z2+Z1) = (Z +Z +Z ) .
1 2 3
Ze
Ao Ue R +Z
Us s e Ao Ze
La fonction de transfert de l'amplificateur est H = U = Ue = (Rs+Ze) .
e
Ue Z1
La fonction de transfert de la chaîne de réaction est simplement K = U = Z +Z .
s 1 2
Puis, avec la conditions de Barkhausen H.K = 1, il vient :
Z3 (Z2+Z1)
Ao(Z +Z +Z )
Ao Ze Z1 1 2 3 Z1 Ao Z3 Z1
H.K = (R +Z ) . Z +Z = Z3 (Z2+Z1) Z1+Z2 Rs(Z1+Z2+Z3)+Z3 (Z2+Z1) = 1
. =
s e 1 2
(Rs+(Z +Z +Z ))
1 2 3
 Ao Z3 Z1 = Rs(Z1+Z2+Z3)+Z3 (Z2+Z1)
Les impédances sont réalisées à partir d'éléments purement réactifs :
Z1 = j X1, Z2 = j X2 et Z13 = j X3 où X1, X2 et X3 sont les réactances
La condition d'oscillation devient :
- Ao X3 X1 = j Rs(X1+X2+X3) - X3 (X2+X1)
ce qui est vérifié
- si les parties réelles sont égales  Ao X3 X1 = X3(X2+X1)  Ao X1 = X2+X1
- et si les parties imaginaires sont égales  X1+X2+X3 = 0

Ao X1 = -X3

X1+X2+X3 = 0

Dans le cas d'un amplificateur inverseur, Ao < 0, comme AoX1=-X3, X1 et X3 sont de


même signe donc sont des composants de même nature. La seconde condition,
X1+X2+X3 = 0, impose pour X2 un composant de nature différente.
D'où les deux structures possibles, celle de Hartley et celle de Colpitts qui est plus fréquente
car elle ne nécessite qu'une seule inductance.

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4.2. la structure de HARTLEY
Z1 et Z3 sont des inductances
amplificateur réseau de réaction
Z2 est un condensateur
La condition X1+X2+X3 = 0 donne Rs C
1 Ue Us L2 L1 Ue
L1ω - + L2ω = 0, d'où Ao Ue

1 L2
ωo = et Ao = -
(L1+L2)C L1

4.3. la structure de COLPITTS


Z1 et Z3 sont des condensateurs amplificateur réseau de réaction
Z2 est une inductance
La condition X1+X2+X3 = 0 donne Rs L
1 1 Ue Us Ue
- + Lω - = 0, d'où Ao Ue C2 C1
C1ω C2ω
1 C1
ωo = et Ao = -
C1C2 C2
L
C1+C2

4.4. L'oscillateur à quartz (oscillateur de PIERCE) :

L'inductance L d'un montage Colpitts est souvent un quartz qui fonctionne dans son
domaine inductif qui est une bande de fréquence très étroite et d'une grande stabilité. Le
choix de C1 et C2 permet de fixer la fréquence d'oscillation.

Le quartz est une lame de cristal de silice (SiO2) l’effet piézo-électrique est
taillée (les directions des coupes sont bien précises ). soit direct
Le quartz est utilisé dans les oscillateurs en si des forces
électronique pour obtenir des fréquences stables dans mécaniques (flèches)
le temps mais aussi pour convertir une force produisent une tension
mécanique en tension, c’est l’effet piézo-électrique.

 En étirant ou en écrasant la lame de quartz, une soit inverse


tension positive ou négative apparaît sur deux autres si une tension
faces. appliquée
Il est métallisé sur deux faces, ce qui justifie la aux électrodes
présence de la capacité Cp dans son modèle déforme la
électrique équivalent. lame de quartz

 En appliquant une tension au quartz, il se produit


une déformation (étirement ou pincement).
En annulant cette tension, la vibration mécanique Cp L
amortie qui apparaît, produit à son tour une tension
oscillante et amortie. Le quartz se comporte donc Cs
comme un circuit résonant série RLC. Cela justifie la symbole
présence de l’inductance L en série avec la capacité du quartz
Cs. La résistance R représentant la dissipation
calorifique (échauffement) est négligée dans notre application numérique :
modèle. L = 2 H, Cs = 0,1 pF et Cp = 20 pF

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-j (LCsω2 - 1)
On montre alors que l’impédance du quartz peut s’écrire Z = .
ω(LCpCs ω2 - Cp - Cs)
Posons Z = j X où X est la réactance du quartz.
X réactance du quartz
1
Pour la fréquence fs = on a résonance série, X = 0.
2π LCs
1
Pour la fréquence fp = on a résonance parallèle, X → ∞ . quartz inductif
Cs Cp fs fp f (Hz)
2π LC +C
s p
Ces deux fréquences fs et fp sont très proches
quartz capacitif
l'une de l'autre.
Elle sont indiquées sur le boîtier du quartz
et sont comprises entre 4 kHz et 50 MHz.

5. Les autres oscillateurs usuels

5.1. L'oscillateur de CLAPP


VCC C L
C'est un montage de type Colpitts R1 LC
dans lequel l'amplificateur est un
montage émetteur commun. T
R2 us ue
On étudie cet oscillateur en faisant ue RE C2 C1
le schéma équivalent pour les CE
petits signaux représenté sous le
schéma structurel. amplificateur réseau de réaction
Réq est la résistance équivalente émetteur commun
R1 en parallèle avec R2.
Le transistor est représenté par sa iC = βvBE
résistance d'entrée h11 et par la B iC L
C
source de courant iC = βvBE Réq ue
ue h11 us
où β est l'amplification en courant C2 C1
aussi notée h21. E

5.2. L'oscillateur à réseau déphaseur

R2 Les conditions d'oscillations


permettent de calculer la
R1 fréquence d'oscillation fo et
- ∞ R R R
l'amplification du montage
+ inverseur.
ue us C C C ue Ue 1
(à f = fo, U = - 29 )
s
Ue 1 6 R2
=
Us 1 - 5R2C2ω2 + 6jRCω - jR3C3ω3 doit être réel  f o = et R1 = 29
2πRC

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5.3. L'oscillateur à pont de WIEN


Les conditions d'oscillations permettent
R2 de calculer la fréquence d'oscillation fo
et l'amplification du montage
C non-inverseur.
- ∞ R Ue 1
+ (à f = fo, U = 3 )
s
us R C ue
ue R1

Ue 1 1 R2
=
Us 1 + 3jRCω - R2C2ω2 doit être réel  f =
o 2πRC et R1 = 2

5.4. L'oscillateur à résistance négative

Montrer que le circuit encadré de pointillés est une résistance R1


u R1.R2
négative de valeur i = - R ; c’est à dire, en observant le i
3 - >∞
fléchage de u et de i, que c’est un dipôle générateur. R +

R1.R2 u R3
L
Si on réalise l’égalité R = R , R2
3
C
on retrouve le circuit oscillant LC.

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6. Démarrage de l’oscillation :

A la mise sous tension de l’oscillateur, les fluctuations dues à l’agitation thermique des
électrons provoquent le démarrage de l’oscillation à condition qu’il existe une fréquence fo à
laquelle le déphasage total est nul et l’amplification de la chaîne supérieure à 1.

Lorsque l’amplitude augmente, l’amplificateur sort de son domaine linéaire et le signal est
forcément écrêté par l’étage d’amplification, ce qui conduit à une diminution de l’amplification
qui sera ainsi ramenée à la valeur | H(jω).K(jω) | = 1.

Lors du démarrage d’un oscillateur, on passe toujours de la situation IHKI > 1 à la situation
IHKI = 1.
| H(jω ωo) | > 1
ωo).K(jω | H(jω
ωo).K(jω
ωo) | = 1
condition de démarrage condition d’entretien des oscillations

Dans la pratique on peut:


 compter sur la saturation de l’amplificateur pour écrêter le signal aux fortes
amplitudes
 prévoir un circuit de contrôle de gain qui diminue l’amplification aux fortes amplitudes
La pureté spectrale du signal obtenu est meilleure dans le deuxième cas.

7. Stabilisation de l’amplitude :

On préfère donc construire l’oscillateur autour d’un amplificateur dont l’amplification diminue
aux fortes amplitudes.

⇒ un amplificateur à transistor a une caractéristique non-linéaire qui limite l’excursion aux


fortes amplitudes sans faire apparaître d’écrêtage brutal.

Figure 5.
Diminution du
gain d’un ampli à
transistor aux
fortes amplitudes

Si on prend soin d’avoir une amplification en petits signaux un peu supérieure à la valeur
nécessaire pour l’entretien des oscillations, le signal sera a peine déformé par la courbure de
la caractéristique.

⇒ avec un amplificateur opérationnel, l’écrêtage est beaucoup plus brutal et apparaît dès
que la tension de sortie arrive au niveau des butées de l’Aop.
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Il est donc nécessaire d’ajouter des éléments non-linéaires, voire un contrôle automatique de
gain qui fait chuter l’amplification aux amplitudes élevées.

Figure 6.
CAG à TEC
associé à un non-
inverseur.

La diode associée à Rd, Rg et C produit une tension grille négative qui augmente avec
l’amplitude du signal de sortie : Vgs = KVs.

La résistance Drain-Source du TEC dépend, dans la zone ohmique, de la tension grille Vgs
et de la tension de pincement Vp du Tec selon la relation :

Av =1+ R =1+ R
R R'+Rds R
Rds = ds0 R'+ ds0
Vgs
1− 1− KVs
Vp et l’amplification s’écrit : Vp

On constate que l’amplification du montage diminue bien si le niveau de la tension de sortie


Vs augmente.

8 Stabilisation de la fréquence :

La fréquence d’oscillation est en général fixée par la condition sur la phase :

arg(T (jω 0 ))=arg(H (jω 0)) + arg(.K (jω 0 ))=0

En pratique, les déphasages introduits par H et K peuvent varier sous l’influence de


différents facteurs :

 main qui s’approche du montage et introduit des capacités parasites


 variation de temprérature qui modifie les épaisseurs de jonctions et donc leur capacité
parasite
 vieillissement des condensateurs et modification de leur valeur

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ϕ = arg(t)

variation de
phase parasite
nouvelle fréquence
d’oscillation f’a ≈ fa

nouvelle fréquence
d’oscillation f’b > fb

0
fréquence

fréquence
d’oscillation fa=fb

Oscillateur B
Oscillateur A
(pente élevée) (pente faible)

Influence d’un déphasage parasite sur la fréquence d’oscillation.

Toute variation de déphasage sera alors compensée par une variation de la fréquence f0
pour que la condition de Barkausen sur la phase reste vérifiée.
La variation de fréquence sera d’autant plus faible que la rotation de phase est rapide au
voisinage de f0.

Si le quadripôle de réaction est un filtre LC passe-bande, le déphasage s’écrit :

 Lω − 1   Lω − 1 
ϕ = arctg Cω  ≈  Cω 
 R   R 
    au voisinage de ω0

dϕ(ω0 ) Q
S= = 2 3 =2 2
et la pente de la courbe de phase dω RCω0 ω0 augmente avec Q

Pour réaliser des oscilalteurs stables, on utilise donc des dispositifs à fort coefficient de
qualité : ce sont les résonateurs, qui existent dans toutes les gammes de fréquences :

Gamme de fréquence Type de résonateur


de 10 kHz à 100 MHz quartz, résonateur piézoélectrique
de 100 MHz à 1 GHz à onde de surface
de 1 à 2,5 GHz céramique coaxial
de 2,5 à 20 GHz diélectrique

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