U.N.M.S.

M
Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica y
Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Matricula

Boulangger Ñañez, Joan Manuel 17190247

Curso Tema
Dispositivos
El transistor bipolar PNP. Características básicas
Electrónicos
Informe Fechas Nota
Previo Realización Entrega
Numero
06-06-18 20-06-18
6
Grupo Profesor
“L3”: Miercoles 2p.m.-4p.m. (2018-I) Ing. Luis Paretto Q.
 TRANSISTOR BIPOLAR PNP

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un

transistor bipolar.

Los transistores son aparatos electrónicos semiconductores, encargados de la transmisión

de una señal saliente (salida) en presencia de una entrante (entrada), como parte de un
circuito electrónico de algún tipo. El término “transistor” proviene del inglés transfer
resistor (resistor de transferencia), e inicialmente fueron diseñados para modular la
corriente eléctrica.

Los transistores, en ese sentido, cumplen funciones de amplificación, oscilación,

conmutación o rectificación de la señal eléctrica dentro del circuito determinado, y se
utilizan en gran parte de los circuitos integrados de los artefactos electrónicos
contemporáneos.

 Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica.

También en algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o
BICMOS.
 Se consideran dispositivos activos porque pueden obtener una mayor corriente de
salida a partir de , corriente o tensión de entrada, y por lo tanto, se utilizan en
amplificación de corrientes y tensiones.
 Disponen de 3 terminales, pudiendo adoptar varias configuraciones:
considerándose como entrada dos de ellos y de salida el tercero.
Un transistor PNP es uno que controla el flujo de corriente principal, alterando el número
de agujeros en lugar del número de electrones en la base.
El dispositivo tiene tres cables denominados conectores que se conectan a otras partes de
un circuito. Los conectores se llaman base, colector y emisor, y cada uno tiene una
función específica.

 Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn)debido a que la unión
está en directa.
 El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior no circule
por la base, sino que siga hacia el emisor (ICp).
 Entre el colector y la base circula una corriente miń ima por estar polarizada en
inversa (ICn más una parte ínfima de ICp).
 Por la base realmente circula una pequeña corriente del emisor, más otra de
colector, más la corriente de recombinación de base (IEn + ICn + IBr).

De ello podemos sacar una relación:

IE + IB + IC = 0 (1)

Cada una de las corrientes del transistor se puede poner en función de sus componentes
de la siguiente forma:

IE = IEn + IEp (2)

IC = ICn + ICp (3)

IB = IEn + ICn + IBr (4)

De aquí podemos sacar dos relaciones importantes, son α y β

α = IC/IE (5)
 β = IC/IB = α/ ( 1 – α) (6)

A partir de las ecuaciones anteriores se puede obtener una más que es útil cuando se
trabaja con pequeñas corrientes de polarización, en las que el efecto de la corriente inversa
que circula entre colector y base puede no ser despreciable:

IC = βIB + (β + 1)IC0 (7)

Donde IC0 es la corriente inversa de saturación.

2. De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares: 2N3906, BC557,
A5Y27, 2N6026, AC126, AC128, BD138, AF127, AF178, ASY26, TR50Y, BC556,
TR85.

Código
Tipo Ic (A) VCEO (V) Pd (W) hFE fT (MHz) Encapsulado Conexiones (123) Obs

2N3906 PNP 0.2 40 0.4 100 – 300 250 TO – 92 EBC -

BC557 PNP 0.1 45 0.5 140 (TYP) 150 TO – 92 CBE -

A5Y27 PNP 0.2 15 0.15 30 6 TO - 5 EBC -

2N6026 PNP 4 60 36 30 0.8 TO - 220 EBC -

AC126 PNP 0.1 12 0.5 100 1 TO - 1 EBC -

AC128 PNP 1 16 1 45 1 TO - 1 EBC -

BD138 PNP 0.5 60 6.5 40 – 160 75 TO – 126 ECB -

AF127 PNP 0.01 15 0.075 50 75 TO - 72 EBC -

AF178 PNP 0.01 25 0.075 20 80 TO - 72 EBC -

ASY26 PNP 0.2 15 0.15 30 4 TO - 5 EBC -

TR50Y PNP 0.1 20 0.45 50 70 TO – 62 EBC -

BC556 PNP 0.1 65 0.5 75 150 TO - 92 EBC -

 TR85 PNP 1 32 0.55 60 – 90 70 TO – 1 EBC NTE 158

3. Determinar el punto de operaciones del circuito del experimento (Valores

teóricos de la tabla 2, 3 y 5)

TABLA 2

Datos: P1=0Ω; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=56k Ω; R2=22k Ω y un transistor PNP 2N6026.

El transistor PNP 2N6026 está hecho de silicio, entonces su VBE= 0.7v y β=80.

Sabemos:
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐

22K × (−12)
56K × 22K V=
Req = (56 + 22)𝐾
(56 + 22)K
𝑽 = − 𝟑. 𝟑𝟖𝟒𝟔𝟏𝐯
𝐑𝐞𝐪 = 𝟏𝟓. 𝟕𝟗𝟒𝟖𝟕𝐤Ω

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

−3.384 + 0.7
Ib =
15.79487 × 103 + (80 + 1)330

Ib=-63.116µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = −63.116µ A × 80
Ic=-5.049m A

También se sabe:
𝑽𝒆 = 𝑹𝒆 × 𝑰𝒄
Ve = 330 × (−5.049m )

Ve =-1.666 v

𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = −12 − (330 + 1000)(−5.049m A)

VCE =-5.2848 v
 Valores
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)
(R1=56kΩ)
Teóricos −5.049 −63.116 80 −5.28 0.7 −4.88

TABLA 3

Para: P1=0Ω; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor PNP 2N6026.

Sabemos:
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐

68K × 22K 22K × (−12)

Req = V=
(68 + 22)K (68 + 22)𝐾

𝐑𝐞𝐪 = 𝟏𝟔. 𝟔𝟐𝟐𝐤Ω 𝑽 = − 𝟐. 𝟗𝟑𝟑𝐯

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

−2.933v + 0.7
Ib =
16.6222 × 103 + (80 + 1)330

Ib=-51.508 µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = −51.508 µA × 60

Ic=-3.090m A

También se sabe:
𝑽𝒆 = 𝑹𝒆 × 𝑰𝒄

Ve = 330 × (−3.090m A)

Ve =-1.019 v

𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = −12 − (330 + 1000)(−3.090m A)

 VCE =-7.891 v

TABLA 5

PARA: P1=100kΩ; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor PNP 2N6026.

Sabemos:
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 100)K × 22K 22k × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 100 + 22)K (68 + 100 + 22)𝑘

𝑹𝒆𝒒 = 𝟏𝟗. 𝟒𝟓𝟐𝐤Ω 𝐕 = −𝟏. 𝟑𝟖𝟗𝐯

Hallando Ib

𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐛 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

−1.3894736 + 0.7
𝑰𝒃 =
19.452631 × 103 + (80 + 1)330

Ib=-14.919µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = −14.919µ A × 80

Ic=-1.193m A

También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = −12 − (330 + 1000)(−1.193mA)

VCE =-10.394 v
PARA: P1=250kΩ; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor PNP 2N6026.
Sabemos:
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷 𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐
(68 + 250)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 250 + 22)K (68 + 250 + 22)𝐾

𝑹𝒆𝒒 = 𝟐𝟎. 𝟓𝟕𝟔𝟒𝟕𝟎𝟓𝟗𝐤 Ω 𝐕 = −𝟎. 𝟕𝟕𝟔𝟒𝟕𝟎𝟓 𝐯

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

−0.7764705 + 0.7
20.57647058 × 103 + (60 + 1)330

Ib=-43.64098µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = −43.64098µ × 60

Ic=-0.2618459m
A
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = −12 − (330 + 1000)(−0.2618459m A)

VCE =-11.6517449
v
Para: P1=500kΩ; Re=330 Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor PNP 2N6026.

Sabemos: (𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪

𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 500)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 500 + 22)K (68 + 500 + 22)𝐾

𝑹𝒆𝒒 = 𝟐𝟏. 𝟏𝟕𝟗𝐤 Ω 𝐕 = −𝟎. 𝟒𝟒𝟕 𝐯

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄 (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

−0.44745762 − 0.0
𝐼𝑏 =
21.17966101 × 103 + (80 + 1)330

Ib=- 9.331μ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = −9.331µ A × 80

Ic=- 0.746 mA
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = −12 − (330 + 1000)(−0.746m A)

VCE =-11.030 v
Para: P1=1M Ω; Re=330 Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor PNP 2N6026.

(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 1000)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 1000 + 22)K (68 + 1000 + 22)𝐾

𝑹𝒆𝒒 = 𝟐𝟏. 𝟓𝟓𝟓𝐤 Ω 𝐕 = −𝟎. 𝟐𝟒𝟐 𝐯

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄 (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
𝑰𝒃 =
𝐑 𝒆𝒒 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

−0.242 + 0.0
𝐼𝑏 =
21.5559633 × 103 + (80 + 1)330

Ib=-5.011µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = −5.011µ × 80

Ic= -0.400m A

También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = −12 − (330 + 1000)(−0.400m A )

VCE =-11.468 v

P1 𝟏𝟎𝟎 𝑲Ω 𝟐𝟓𝟎 𝑲Ω 𝟓𝟎𝟎 𝑲Ω 𝟏 𝑴Ω

𝑰𝑪 (𝒎𝑨) −1.193 −0.261 −0.746 −0.400
𝑰𝑩 (µ𝑨) −14.919 −43.64 −9.331 −5.011
𝑽𝑪𝑬 (𝑽) -10.394 −11.651 −11.030 -11.468
 U.N.M.S.M
Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica y
Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Matricula

Boulangger Ñañez, Joan Manuel 17190247

Curso Tema
Dispositivos
El transistor bipolar NPN. Características básicas
Electrónicos
Informe Fechas Nota
Previo Realización Entrega
Numero
06-06-18 20-06-18
7
Grupo Profesor
“L3”: Miercoles 2p.m.-4p.m. (2018-I) Ing. Luis Paretto Q.
 TRANSISTOR BIPOLAR PNP

El transistor NPN es un dispositivo electrónico que está

compuesto por tres regiones semi-conductoras inter-
conectadas N-P-N. Este elemento tiene por lo tanto tres
pines de conexión. El transistor es bipolar. Las uniones
PN o NP están compuestas por materiales semi-
conductor.
Un material semi-conductor puede funcionar como
conductor y como aislante de acuerdo a la polarización
eléctrica que se conecte. El transistor NPN tiene dos
funciones básicas, ser un interruptor electrónico o un
amplificador. Este tipo de transistor también se puede
clasificar como BJT.

El transistor NPN está compuesto por tres capas de materiales semi-conductores, este
arreglo es como un pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos materiales son cristales de
silicio que se encuentran dopados de forma distinta.

Cuando un cristal de material semi-conductor, (Silicio ó Germanio), se “dopa” con Boro,

produce un cristal semiconductor con sólo 3 electrones disponibles de 4, por lo tanto se
genera un “hueco” eléctrico. En cambio, cuando el cristal es dopado con impurezas
como arsénico, (el arsénico tiene 5 electrones en su última capa), el cristal se queda con
un electrón de más. En resumen:

SÍMBOLO DE UN TRANSISTOR NPN

El símbolo de un transistor NPN incluye a los tres pines antes

mencionados, el Colector, Base y Emisor. Este sería el diagrama más
usado para este tipo de transistor. Algunos transistores más comunes
NPN de pequeña señal son: 2N2222 y 2N3904. SI se requiere de
mayor potencia, se puede usar un TIP21C. En las hojas de datos se
encuentra especificada la ubicación de cada uno de estos tres pines.
APLICACIONES DEL TRANSISTOR NPN

Un transistor NPN, que también se llama BJT, puede ser usado para dos cosas. El
transistor puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un
amplificador con ganancia variable. El transistor es también la base para el desarrollo de
sistemas digitales como compuertas lógicas. Las compuertas lógicas son la base de los
sistemas embebidos. Entonces podemos plantear que el transistor es la base de la
tecnología digital actual. Regresando a las aplicaciones comunes, la más usada es el uso
del transistor NPN como interruptor electrónico, para este funcionamiento, el transistor
debe de operar en las zonas llamadas corte y saturación.

TRANSISTOR NPN COMO AMPLIFICADOR

Existen dos tipos de transistores, los bipolares que se controlan mediante una entrada de
corriente y los de efecto de campo que son activados mediante una entrada de voltaje.
Para un amplificador electrónico se utiliza una pequeña corriente en la base del transistor
para controlar una corriente mayor entre el colector y el emisor.

Para este tipo de transistores bipolares, la

amplificación es entonces respecto de la corriente. La
corriente del colector es proporcional a la corriente en
la base multiplicada por la “beta” del transistor.
Entonces este es el factor de ganancia en un transistor
NPN.

Ic = hFE*Ib

Ic = Corriente de colector

hFE = Beta del transistor

Ib = Corriente en la base

Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y puede llegar a variar, es por
eso que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores electrónicos y se
recomienda mejor el uso de amplificadores operacionales. Por ejemplo, en el transistor
2N2222A, el cual es un transistor NPN bipolar, su Hfe puede valer desde 35 hasta 300
dependiendo de la corriente del colector y del voltaje colector-emisor. (VCE).
Para determinar la corriente en el emisor Ie, se puede usar la siguiente ecuación.

Ie = Ib + Ic = (1/hFE+1)*Ic

1. De los manuales obtener las especificaciones del funcionamiento de los

transistores bipolares PN2222A, 2N3904, 2SC784, AC127, NTE373, BC147,
BC549, C451, D313, BF4948, BD135, C548B, C829, C828, BC547.

Código VCEO Pd fT Conexiones

Tipo Ic (A) hFE Encapsulado Obs
(V) (W) (MHz) (123)

PN2222A NPN 0.1 10 0.1 35 1 TO – 92 EBC -

2N3904 NPN 0.2 40 0.4 100 – 300 300 TO – 92 EBC -

2SC784 NPN 0.2 30 0.1 25 - 140 250 TO – 98 - 1 EBC -

AC127 NPN 0.5 12 0.34 50 1.5 TO - 1 EBC -

Comp.
NTE373 NPN 1.5 160 1 60 – 200 140 TO – 126 EBC
NTE374

BC147 NPN 0.2 45 0.25 110 150 X09 EBC -

BC549 NPN 0.1 30 0.5 110 200 TO - 92 EBC -

C451 NPN 1.2 - 25 15 90 TO - 62 EBC 2SC451

D313 NPN 3 60 30 40 – 320 8 TO - 220 EBC 2SD313

BF494B NPN 0.03 20 0.3 220 260 TO – 92 EBC -

BD135 NPN 0.5 45 6.5 40 – 250 50 TO – 126 EBC -

C548B
NPN 0.1 30 0.5 125 – 300 300 TO - 92 CBE BC548

C829 NPN 0.03 20 0.25 40 75 TO – 92 EBC 2SC829

 C828
NPN 0.1 65 0.5 75 150 TO - 92 EBC 2SC828

BC547 NPN 0.1 50 0.5 110 300 TO – 92 EBC -

2. Determinar el punto de operación del circuito del experimento (Valores teóricos

de tabla 2, 3 y 5)

TABLA 2

Datos: P1=0Ω; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=56k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373.

El transistor NPN NTE 373 está hecho de silicio, entonces su VBE= 0.7v y β=10.

Sabemos:
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐

22K × (12)
56K × 22K V=
Req = (56 + 22)𝐾
(56 + 22)K
𝑽 = 𝟑. 𝟑𝟖𝟒𝐯
𝐑𝐞𝐪 = 𝟏𝟓. 𝟕𝟗𝟒𝐤Ω

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

3.384 − 0.7
Ib =
15.79487 × 103 + (10 + 1)330

Ib=138.173µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = 138.173µ A × 10
Ic=1.381m A

También se sabe:
𝑽𝒆 = 𝑹𝒆 × 𝑰𝒄
Ve = 330 × (1.381m )

Ve =0.455 v
 𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = 12 − (330 + 1000)(1.381m A)

VCE =10.164 v

Valores
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)
(R1=56kΩ)
Teóricos 1.381 138.173 10 10.164 -0.7 9.469

TABLA 3

Para: P1=0Ω; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373.
Sabemos:
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐

68K × 22K 22K × (−12)

Req = V=
(68 + 22)K (68 + 22)𝐾

𝐑𝐞𝐪 = 𝟏𝟔. 𝟔𝟐𝟐𝐤Ω 𝑽 = 𝟐. 𝟗𝟑𝟑𝐯

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

2.933 − 0.7
Ib =
16.6222 × 103 + (10 + 1)330

Ib=110.259 µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = 110.256 µA × 10

Ic=1.102m A

También se sabe:
𝑽𝒆 = 𝑹𝒆 × 𝑰𝒄

Ve = 330 × (1.102m A)
 Ve =363.66 v

𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = 12 − (330 + 1000)(1.102m A)

VCE =10.544 v

Valores 𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)

(R1=68kΩ)
Teóricos 1.102 110.259 10 10.544 -0.7 9.844

TABLA 5

PARA: P1=100kΩ; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373

Sabemos:
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 100)K × 22K 22k × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 100 + 22)K (68 + 100 + 22)𝑘

𝑹𝒆𝒒 = 𝟏𝟗. 𝟒𝟓𝟐𝐤Ω 𝐕 = 𝟏. 𝟑𝟖𝟗𝐯

Hallando Ib

𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐛 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

1.389 − 0.7
𝑰𝒃 =
19.452631 × 103 + (10 + 1)330

Ib=29.849µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = 29.849µ A × 10

Ic=0.298m A

También se sabe:
 𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = 12 − (330 + 1000)(0.298mA)

VCE = 11.604v

PARA: P1=250kΩ; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373
Sabemos:
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷 𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐
(68 + 250)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 250 + 22)K (68 + 250 + 22)𝐾

𝑹𝒆𝒒 = 𝟐𝟎. 𝟓𝟕𝟔𝐤 Ω 𝐕 = 𝟎. 𝟕𝟕𝟔 𝐯

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

0.7764705 − 0.7
20.57647058 × 103 + (10 + 1)330

Ib=3.156µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = 3.156µ × 10

Ic=0.315m A

También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = −12 − (330 + 1000)(0.315m A)

 VCE =11.582 v

Para: P1=500kΩ; Re=330 Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373

Sabemos: (𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪

𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 500)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 500 + 22)K (68 + 500 + 22)𝐾

𝑹𝒆𝒒 = 𝟐𝟏. 𝟏𝟕𝟗𝐤 Ω 𝐕 = 𝟎. 𝟒𝟒𝟕 𝐯

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄 (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

0.447 − 0.0
𝐼𝑏 =
21.17966101 × 103 + (10 + 1)330

Ib=1.807μ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = 1.807µ A × 10

Ic=0.1807 mA
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = 12 − (330 + 1000)(0.146m A)

 VCE =11.806 v

Para: P1=1M Ω; Re=330 Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373

(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 1000)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 1000 + 22)K (68 + 1000 + 22)𝐾

𝑹𝒆𝒒 = 𝟐𝟏. 𝟓𝟓𝟓𝐤 Ω 𝐕 = 𝟎. 𝟐𝟒𝟐 𝐯

Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄 (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
𝑰𝒃 =
𝐑 𝒆𝒒 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞

0.242 + 0.0
𝐼𝑏 =
21.5559633 × 103 + (10 + 1)330

Ib=9.608µ A

Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃

𝐼𝑐 = 9.608µ × 10

Ic= 0.9608m
A

También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪

Vce = −12 − (330 + 1000)(0.9608m A )

VCE =11.88 v

P1 𝟏𝟎𝟎 𝑲Ω 𝟐𝟓𝟎 𝑲Ω 𝟓𝟎𝟎 𝑲Ω 𝟏 𝑴Ω

𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 0.356 0.180 1.807 9.608
𝑰𝑩 (µ𝑨) 3.156 1.807 0.1807 0.9608
𝑽𝑪𝑬 (𝑽) -9.61 11.582 11.806 11.88