1.

3: AMPLIFICADORES CLASE B Y AB
En este tipo de amplificador el punto de operación se ubica en la zona de corte,
tanto para el BJT como para el FET. La señal circula durante 180° de su período.
Cuando esto sucede, se dice que el amplificador trabaja en clase B.
Para amplificar la onda completa es necesario usar dos de estos amplificadores.
Cuando el punto de operación se ubica antes de la zona de corte, de manera que
la señal circule más de 180° y menos de 360° de su período, se dice que el
amplificador trabaja en clase AB. Esto se hace para evitar la distorsión de cruce,
que se verá más adelante. Sin embargo, como el punto de operación normalmente
sigue cerca de la zona de corte, se le puede seguir tratando como un amplificador
clase B
A continuación estudiaremos las configuraciones más conocidas.

1.3.1: AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B, EN SIMETRIA

COMPLEMENTARIA
Este tipo de amplificador es uno de los más utilizados y emplea dos transistores
complementarios (uno NPN y otro PNP) de manera que uno amplifica el semiciclo
positivo de la señal y el otro el semiciclo negativo. Tal amplificador es llamado
AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA.
Se denominan transistores complementarios (o par machado o matched pair) a un
par de transistores tipo PNP y NPN cuyas características de ganancias, corrientes,
tensiones, potencias, etc., son iguales o muy similares.

1.3.1-1: CIRCUITO BASICO

VCC

Q1

Q2 PARLANTE

Vin

V2 = VCC / 2

V1 = VCC / 2

Fig. 1.39: Circuito básico de un amplificador de simetría complementaria.

En la figura 1.39 vemos que la condición que deben cumplir V 1 y V2 es que
polaricen de tal modo a Q 1 y Q2 que éstos trabajen simétricamente y en clase B
(corrientes en reposo cero).
V V
Se hace V2  CC con la finalidad que: VCEQ1  VCEQ 2  CC y los dos transistores
2 2
estén al corte simultáneamente (clase B). De lo contrario, si V 1 es mayor que V2,
entonces conducirá Q1 y se cortará Q2 (ICQ1 > 0, ICQ2 = 0); y si V1 es menor que V2

1
entonces conducirá Q2 y se cortará Q1 (ICQ2 > 0, ICQ1 = 0), lo cual no permite una
operación simétrica de los dos transistores.
V
La tensión continua en la unión de los emisores será: VE  CC
2
Se puede ver con las condiciones anteriores que:
VBE1  VBE 2  0 e I CQ1  I CQ 2  0
Podemos estudiar ahora qué ocurre cuando la tensión de señal V in toma valores
positivos y negativos:

En el semiciclo positivo de Vin (figura 1.40a) la tensión en las bases se hace más
positiva que la tensión en los emisores:

VB VE
Lo cual hace que Q1 conduzca y Q2 permanezca en corte.
El sentido de la corriente se indica en la figura. Nótese que I L1 = iE1
Para el semiciclo negativo:

VB VE
Lo cual corta a Q1 y hace conducir a Q2. El sentido de la corriente se muestra en la
figura 1.40b, e IL2 = iE2.
De este modo, la carga está alimentada medio ciclo de V in por Q1 y el otro medio
ciclo por Q2

1.3.1-2: DISTORSION DE CRUCE: Debido a que las características de entrada

base-emisor de los transistores reales (ver figura 1.41) es tal que para tensiones
pequeñas base-emisor, el transistor prácticamente no conduce. Recién éste
comienza a hacerlo cuando se supera la tensión de codo o tensión umbral (V γ),
que es aproximadamente 0.2V para transistores de Germanio y de 0.6V para los
de Silicio.

2
 -9
x 10 CURVA CARACTERISTICA DE LA JUNTURA BASE-EMISOR
5

4.5

I ( a m p e rio s )
4

3.5

2.5

1.5

0.5

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V (voltios)

Fig. 1.41
La tensión de salida tiene la forma que se observa en la figura 1.42:
6.300 V
VL

6.100 V

5.900 V

5.700 V
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms

Fig. 1.42

Se puede notar en esta figura, que existe cierta zona alrededor de los puntos Vb =
0, para los cuales ninguno de los transistores conduce, lo que acarrea una
distorsión en la forma de onda en la salida (proporcional a la señal i B1 – iB2),
llamada distorsión por cruce (o de cross over). Esta distorsión se evita polarizando
directamente las junturas base-emisor de Q 1 y Q2 de modo que exista entre ellas
una tensión igual a la tensión de codo (Vγ).
Una forma simple de lograr esto, es colocando una resistencia (de pequeño valor)
entre las bases de Q1 y Q2 de modo que se ocasiona una caída de tensión en ella
suficiente para tener polarizados ligeramente a los transistores (ver figura 1.43).

3
 VDD VCC

R4
R

Q1

+ IL1
R1
Vrd
E
Ca1 RD RL
- E
Q2
+ Ird
Vin Parlante
- Q3
C2

R2

Fig. 1.43

Debe cumplirse: Vrd  I rd RD  VBE1  VBE 2

RD se escoge de modo que cumpla con la anterior ecuación y que:
VBE1  VBE 2  0.2V (para el Germanio) ó 0.6V (para el Silicio).
La elección de RD para polarizar adecuadamente la juntura base-emisor de Q 1 y
Q2, es un poco delicada, debido a que una pequeña variación de la tensión V BE
provoca grandes cambios de corriente de colector, por lo cual, con un valor
demasiado pequeño de VRD no se eliminará satisfactoriamente la distorsión de
cruce. En cambio, si la tensión es demasiado grande, trae como consecuencia
distorsión para niveles grandes de señal, ya que cada transistor conducirá más de
medio ciclo, lo cual hará que las corrientes de conducción de un transistor se
traslapen con las corrientes que conduce el otro transistor.
Prácticamente, entonces, el amplificador debe trabajar en clase AB. Pero la
corriente de colector, para evitar la distorsión de cruce, es tan pequeña que se
puede decir que su forma de trabajo es clase B. La polarización de las junturas
base-emisor se hace para que cumpla dos funciones:
a) Evitar la distorsión de cruce o “cross-over”.
b) Estabilizar la polarización de Q1 y Q2 contra variaciones de temperatura.
La forma más simple de polarizar en clase AB es mediante una red resistiva. Este
esquema no es satisfactorio debido a que si la polarización es poca, la distorsión
de cruce sigue siendo severa y, si es mucha, la corriente de colector será alta, los
transistores disiparán más potencia pudiendo destruirse o acortar drásticamente
su tiempo de vida y la eficiencia disminuirá. Este tipo de polarización es más
efectiva cuando la fuente de alimentación es regulada pero no permite la
compensación por variación de temperatura en las junturas base-emisor.

1.3.1-3: ESTABILIZACIÓN DE LA POLARIZACION CONTRA VARIACIONES DE

TEMPERATURA
Para obtener mejor regulación y compensación de temperatura con la red
resistiva, se conecta uno o dos diodos entre las bases de ambos transistores.

4
Estos diodos deben elegirse cuidadosamente para permitir la exacta caída de
voltaje necesaria. Pero, si esta polarización cambia con la edad del equipo, la
polarización también sufrirá cambios.
En la figura 1.43 se puede notar que la tensión base-emisor de los transistores
esta determinada por la caída de tensión en la resistencia de polarización R D, lo
cual dará una cierta corriente de colector pequeña a Q 1 y Q2 a fin de que eviten el
cross over, el cual, como se mencionó, debe tener un valor óptimo para evitar
distorsión.
Pero, si por cualquier motivo (variación de temperatura ambiente, calentamiento
del transistor, etc.) la temperatura del transistor varía, esto causa una variación de
la tensión base-emisor (aproximadamente –2.5mV/ºC) como se ve en la figura
1.44, lo cual ocasionará una variación de la corriente de colector que puede llevar
a clase C al amplificador (para bajas temperaturas) o a clase A (para altas
temperaturas) lo cual ocasionará gran distorsión y/o disipación de potencia.
292
Cx 10
18

16
T= 25grados
IE
(amperios) 14 T = 50 grados

12

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V (voltios)

Fig. 1.44

Una forma de evitar estos efectos indeseables es haciendo que la tensión V RD

varíe de manera similar a la variación de VBE con la temperatura, lo cual se logra
colocando, en lugar de RD, un termistor NTC (Negative Temperature Coefficient) de
similar coeficiente de temperatura que el diodo base-emisor. De esta forma la
tensión en el termistor disminuirá del mismo modo como V BE disminuye
manteniendo siempre la corriente de colector (proporcional a la corriente de base)
en un valor casi constante.
La figura 1.45 muestra 4 formas típicas de polarización. En la figura 1.45a se
coloca una resistencia en paralelo con el termistor con el fin de aproximar el
coeficiente de temperatura equivalente al del diodo base-emisor.
Las figuras 1.45b y c muestran la polarización por diodo, estos trabajan
polarizados en sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura
que el correspondiente a los diodos base-emisor de los transistores. En 1.45b, Rd
ayuda a conseguir la necesaria polarización de base-emisor y en 1.45c, Rd1 y Rd2
sirven como divisores de tensión cuando V D es mayor que la necesaria, para
polarizar las junturas base-emisor.
Se aumenta mucho más la estabilidad contra variaciones de temperatura
colocando resistores en los emisores de los transistores (figura 1.45d).

5
Las combinaciones de los casos a, b, c y d ofrecen una gran estabilidad de la
corriente de colector de los transistores contra variaciones de temperatura
(Pueden usarse varios de estos métodos a la vez).
VCC

VCC VCC VCC

Q1

Q1 Q1 Rd2
+
Vd D Q1 Re
- +
Rd Vd
NTC -
t Q2
Rd Rd1
Re
Q2
Q2

Q2

(a) (b) (c) (e)

Figura 1.45

Los problemas anteriores son eliminados en forma más efectiva cuando se emplea
un transistor regulador. Dado que el punto de operación, extremadamente crítico,
es difícil de mantener, podemos usar un transistor regulador de voltaje y lograr
controlar fácilmente al punto de operación mediante un potenciómetro.
En la figura 1.46, Q1 y Q2 forman el amplificador de simetría complementaria. El
transistor Q3 se encarga de controlar en forma precisa el punto de operación de Q 1
y Q2, actuando como regulador. También compensa automáticamente contra
variaciones de temperatura. El potenciómetro permite ajustar el punto de
operación.
La entrada es aplicada mediante dos condensadores de acoplo.
El empleo de dos fuentes de alimentación simétrica evita el uso del condensador
de salida (C2 en la figura 1.43).
+ VCC

R1
C
Q1

Entrada
P Q3
C RL
Q2

R2

- VCC

6
 Figura 1.46

1.3.1-4: PUNTOS DE OPERACIÓN

Sea el circuito de la figura 1.47:
Haremos las siguientes aproximaciones (justificadas en la práctica):


RE RL
 Q1 complementario de Q2
 1  2 1
Si las condiciones anteriores se cumplen, podemos afirmar que: iC  iE

RECTAS DE CARGA ESTATICA:

V
Como: VE  CC
2
VDD VCC

R1

Q1

Re
R2 C
R3
E

Re

RL
C1 Q2

Entrada Q3

R4

Figura 1.47
VCC  VCE1  VE (1.80)
VE  VCE 2 (1.81)
Además los transistores están polarizados al corte:
I I CQ1  I CQ 2  0
Entonces:
Recta de carga DC para Q1:

7
 VCC
De (1.80) ................. VCEQ1 
2
(1.82)
Recta de carga DC para Q2:
VCC
De (1.81) ................. VCEQ 2  (1.83)
2

Esta recta se ilustra en la figura 1.48. Dado que I CQ1  I CQ 2  0 , el punto de

operación ya esta determinado.
IC

0 VCE = VCC / 2
VCE

Figura 1.48
RECTAS DE CARGA DINAMICA:
En el circuito de la figura 1.47, para a.c:
vce1  ic1 Re  ic1 RL  ic1  Re  RL  (1.84)
vce 2  ic 2  Re  RL  (1.85)
Para poder graficar estas rectas en el plano Ic-Vce es necesario hacer el cambio
de coordenadas con ayuda de las siguientes relaciones:
iC = ic + ICQ (1.86)
vCE = vce - VCEQ (1.87)
Reemplazando (1.86) y (1.87) en (1.84):
vce 1 – VCEQ1 = - (ic1 + ICQ1)(Re+RL)
Pero como:
ICQ1 =0 y VCEQ1 = Vcc/2
Se tiene:
vCE1 = (Vcc/2) – ic1(Re+RL) (1.88)
Y en forma análoga:
vce2 = (Vcc/2) – ic2(Re+RL) (1.89)
En la practica se hace RL >> Re a fin de que no haya demasiada pérdida de
potencia en Re. Entonces (1.88) y (1.89) se convierten en:
Recta de carga a.c. para Q1:
vce1 = (Vcc/2) – ic1RL
(1.90)
Recta de carga a.c. para Q2:

8
 vce2 = (Vcc/2) – ic2RL (1.91)
Estas rectas de carga a.c. deberán pasar por el punto Q, entonces bastará buscar
el otro punto de la recta. Cuando:
vce1 = 0 ic1 = Icm máx = Vcc/2RL (1.92)
vce2 = 0 ic2 = Icm máx = Vcc/2RL
(1.93)
Y vemos que: Icm1 máx = Icm2 máx
En la figura 1.49 se observan las dos rectas de carga para cada transistor:
iC1

VCC / 2RL
DC
AC

vCE1
Q
0 VCE = VCC / 2
VCC vEC2

AC

VCC / 2RL DC

iC2

Figura 1.49
Se puede ver en la figura 1.49 que Q1 conduce medio ciclo de corriente y en este
medio ciclo hay una tensión alterna entre Colector y Emisor de Q2 debida a la
tensión alterna en la carga. En el semiciclo en el cual Q1 esta abierto (i c1 =0),
aparece una tensión vCE1, debida a la tensión que hay en RL por la corriente que
conduce Q2. La tensión pico que soporta el transistor llega a tener un valor
cercano al de la fuente.
Similar análisis se hace para Q2: Cuando Q2 no conduce, v CE2 se debe a la
tensión que cae a través de RL por conducción de Q1. El otro semiciclo en la carga
se debe a la conducción de Q1.

1.3.1-5: CÁLCULOS DE POTENCIA

Como ya se vió, Q1 y Q2 trabajan en forma simétrica, de modo que en lo sucesivo
designaremos a las variables sin subíndices.

1.3.1-6: POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: PL

 La potencia máxima en la carga PLmáx ocurre cuando Icm alcanza su
máximo valor teórico:
Icm máx = Vcc/2RL
Para onda sinusoidal:
PLmax = (Icm máx) 2 RL/2 = V2cc/8RL (1.94)

9
  La potencia para cualquier valor de Icm es:
PL = (iLeff)2RL = 0.5 (Icm/)2RL
PL = (Icm)2RL/2 (1.95)

1.3.1-7: POTENCIA ENTREGADA POR LA FUENTE: PCC

VCC entrega corriente sólo durante el semiciclo positivo de V in.
iCC = corriente que entrega la fuente.
Icc = Icm / valor medio de icc
Luego:
Pcc = VCCIcc = VccIcm/ (1.96)
La potencia máxima entregada por la fuente ocurre cuando:
Icm máx = VCC/2RL
Reemplazando en 1.96:
PCCmáx = V2CC/2RL
(1.97)

1.3.1-8: POTENCIA DISIPADA EN COLECTOR: PC

En la figura 1.47 se puede observar que Q1 y Q2 sólo disipan potencia en el
semiciclo en el cual conducen, ya que en el resto del ciclo la corriente a través de
ellos es cero. Podemos plantear lo siguiente: La potencia disipada en cada
colector Pc es entonces:
PC = 0.5 (VCCIcm/ – (Icm)2RL/2)
(1.98)
Este mismo resultado se pudo haber obtenido aplicando sumatoria de potencia:
PCC = 2PC + PL
VALOR MÁXIMO DE PC
Dado que la ecuación de PC no es lineal (es una parábola cóncava hacia abajo),
PCmáx no tiene porqué ocurrir para I cm máx. Hallamos entonces el valor Icmx para
el cual ocurre la máxima disipación de colector, derivando respecto a Icm e
igualando a cero:
(dPc/dIcm) = (Vcc/2) – (IcmRL/2) = 0
Obtenemos:
Icmx = Vcc/RL (1.99)
Reemplazando en (1.98) obtenemos:
PCmax = V2cc/42RL
(1.100)

1.3.1-9: EFICIENCIA DEL CIRCUITO: η

 = PL / Pcc = ((I2cmRL)/2)/ (VccIcm/  ) (1.101)

En condiciones máximas, cuando: Icm máx = Vcc/2RL:
Reemplazando en (1.101)
máx = /4 = 0.785
En porcentaje: máx = 78.5%

1.3.1-10: FIGURA DE MERITO: F

10
 F = PCmax / PLmax
(1.102)
(1.100) y (1.94) en (1.102) se tiene:
F = 1/5 = 0.2
Estos valores de  y F, son los mismos que se pueden lograr teóricamente con los
otros tipos de amplificadores clase B, para el caso ideal.

PROBLEMA 1.12: En el circuito mostrado en la figura 1.50, considere: Q 1=

AC127, Q2= AC128, germanio, VCE1sat = VEC2sat = 1 V
Rc se ajusta de modo de obtener: VE = Vcc/2 = 6 V
Determine:
a) PLmáx b) PCCmáx c) PCmáx d) La eficiencia e) La figura de mérito
VDD + 12V

RC

Q1
R2 AC127

Re
5.7
Ca2

E
Re
5.7
Ca1
RL
Q2 81
AC128

Q3
Vin
R3
R1

Figura 1.50
SOLUCION:
a) Cálculo de PLmáx:
 Recta de carga d.c.:
VCE = Vcc/2 para Q1 y Q2
Como: ICQ = 0 (en corte) el punto de operación será:
VCEQ = Vcc /2 con: ICQ=0
 Recta de carga a.c.:
Se puede notar, que debido a VCEsat, iC sólo podrá excursionar hasta el valor Icm
dado por:
Icm = ((Vcc/2)- VCE,sat) / (RL+Re)
Icm = (6-1) / 86.7 = 57.7 mA
De la ecuación 1.94, la máxima potencia obtenible en la carga esta dado por:
PLmax = I2cm RL / 2
PLmax = (57.7)2 x 81 / 2
PLmax = 135mW

11
 Como se puede comprobar, este valor está por debajo de su máximo valor ideal
que ocurre cuando Icm = 69.2mA (o sea, cuando VCE,sat = 0)
PLmaxideal= (69.2) 2 x 81 / 2 = 194mW
b) Cálculo de PCCmáx
De la ecuación 1.97, la máxima potencia entregada por Vcc es:
PCCmax = VccIcm/ = 12V x 57.7mA/ = 220.3 mW
El valor máximo ideal es:
Pccideal = 12 x 69.2/ = 264.3 mW
c) Cálculo de PCmáx:
En la potencia disipada por cada transistor hay que distinguir entre dos cosas:
1. La potencia disipada en el colector no es máxima cuando la excursión en
la salida es máxima, o sea cuando: Icm máx = 57.7mA.
Además: PRe = I2cm Re / 2 = (57.7)2 x 5.7 / 2 = 9.49 mW
Pc = (Pcc – PL – PRe) /2 = (220-135- 9.49) / 2 = 37.76mw
Observamos que la potencia disipada en Re se puede despreciar en comparación
con las otras cuando se cumple: Re << RL
2. La Potencia máxima disipada en colector, la cual como se demostró en 1.99,
ocurre cuando: Icmx = Vcc /[ (RL + Re)] = 12 / [ x(81 + 5.7)] = 44.06 mA
En el cálculo anterior se incluye el efecto de Re, dado que no la estamos
despreciando.
Con este valor y reemplazando en (1.100)
Pcmax = V2cc/[42 (R L + R e)] = 122 / [42(86.7)] = 42.1 mW
d) Cálculo de la eficiencia máxima:
máx (en %) = (PLmax/PCCmax) x 100 = (135/220.3)x100 = 61.3% < ideal = 78.5%
e) Cálculo de la Figura de Mérito
F = Pcmax / PLmax = 42.1/135 = 0.312 > Fideal = 0.2
La figura de mérito debe ser lo menor posible.

PROBLEMA 1.13: En el circuito de la figura 1.51, Q1 y Q2 son un par machado con

β = 50 y VCE,sat = 0.5V. Determine:
a) PLmáx , b) PCmáx , c) PCC máx , d) La eficiencia , e) Especifique los transistores

12
 + 12 V

R1

T1 Q1

Re = 0.5
Vin
R2
Ca2

R3
Re = 0.5

RL= 8

Q2

R4

Figura 1.51
SOLUCION:
a) Cálculo de PLmáx:
 Recta de carga d.c.:
VCEQ = Vcc /2 con: ICQ=0
 Recta de carga a.c.:
En este caso no despreciaremos Re para mostrar la forma de cálculo cuando debe
ser tomada en cuenta.
Se puede notar, que debido a V CEsat, iC sólo podrá excursionar hasta el valor I cm
máx dado por:
Icm máx = ((Vcc/2)- VCE,sat) / (RL+Re)
Icm máx = (6 - 0.5) / 8.5 = 647 mA
De la ecuación 1.94, la máxima potencia obtenible en la carga esta dado por:
PLmax = I2cm máx RL / 2
PLmax = (0.647)2 x 8 / 2 = 1.67 W
b) Cálculo de PCmáx:
La Potencia máxima disipada en colector, la cual como se demostró en 1.99,
ocurre cuando: Icmx = Vcc /[ (RL + Re)] = 12 /[ x 8.5] = 449.4 mA
Con este valor y reemplazando en (1.100)
Pcmax = V2cc / [42(RL + Re)]= 122/[42x8.5] = 429 mW.
c) Cálculo de PCCmáx
De la ecuación 1.97, la máxima potencia entregada por Vcc es:
Pccmax = VccIcm/ = 12 x 0.647 /  = 2.47 W
d) Cálculo de la eficiencia máxima:
máx (en %) = (PLmax/PCCmax) x 100 = (1.67/2.47)x100 = 67.6%
e) Especificación de los transistores:

13
La máxima tensión que soporta cada transistor es igual a la fuente de
alimentación. Entonces debe cumplirse:
BVCEO > 12 V
La máxima corriente que conduce cada transistor es: Icm máx = 0.647 A
Entonces: iC máx > 0.647 A
Se ha calculado que la máxima potencia que disipa el transistor en el circuito es:
PC máx = 0.429W
Elegiremos un transistor que cumpla con: PC > 0.429W a la temperatura de
trabajo

1.3.1-11: ALGUNAS OBSERVACIONES IMPORTANTES SOBRE Q3:

Se habrán uds. Preguntando: ¿Porqué no es conectada la resistencia del colector
de Q3 (Rc) directamente a Vcc en lugar de hacerlo a V DD? La razón es la
siguiente: Refiriéndose al circuito de la figura 1.47, en las bases de Q1 y Q2 debe
haber una excitación (señal) de valor ligéramente mayor que la tensión de los
emisores (señal, que es la misma que hay en la carga), ya que son dos seguidores
emisivos, como se ha visto anteriormente, la tensión de V CE de cada transistor
excursiona desde vCE = 0V hasta vCE = Vcc (esta es la misma excursión en Rc),
lo cual significa que Q3 debe ser capaz de desarrollar una tensión en colector que
oscile entre 0V y Vcc.
El límite inferior es fácil de lograr, esto se consigue excursionando hasta casi la
saturación de Q3 (tensión VCE3 = 0V) el límite superior no se alcanzará nunca si
VDD = Vcc ya que en Rc habrá una caída de tensión debida a la corriente de base
(en señal) de Q1, lo cual hará que el máximo valor de tensión de V CE3 sea menor
que VCC.
Esto hará que Q3 no excite al máximo a Q1 y Q2 y por tanto no se podrá lograr
máxima excursión en la salida.
Una forma de lograr una suficiente excitación de Q1 y Q2 es conectando la
resistencia de colector Q3 a una tensión V DD > Vcc, suficiente para compensar la
caída en Rc.
Debido a que no siempre es posible contar con dos fuentes diferentes, se utiliza
un artificio que se ve en la figura 1.52 en la cual al condensador C se le conecta el
terminal positivo de la fuente a través de D1 y la resistencia del colector al extremo
de la capacidad C, cuya tensión es igual a V E más la tensión a la cual se ha
cargado en DC el condensador. Como V E excursiona desde más o menos 0 hasta
VCC, cuando llega a Vcc, la tensión en el extremo superior de R C será Vcc +
tensión DC en el condensador = 3Vcc/2 lo cual suministra una “tensión de
refuerzo” a Q3 de modo que éste pueda compensar suficientemente la caída en
Rc. Otra forma de lograrlo es reemplazando D1 por un resistor; la tensión de
refuerzo será menor pero suficiente para permitir la máxima excursión.
En el circuito de la figura 1.52, C suministra el efecto mencionado, con la ventaja
de tener la carga conectada a tierra.

14
 + 12V

D1

RC
C

Q1
R2 AC127

Re
Ca2

E
Re

Ca1
RL
Q2
AC128

Q3
Vin
R3
R1

Figura 1.52

1.3.1-12: AUTOESTABILIZACION EN DC:

Como se ha visto, es factor indispensable para evitar la distorsión y lograr la
máxima excursión simétrica, que la tensión DC en los emisores sea siempre
constante e igual a VCC/2 (funcionamiento simétrico de los transistores). Por
tanto, hay que estabilizar está tensión por los efectos que pueda tener en VL: La
variación de la tensión de fuente VCC, cambio de transistores, temperatura, etc.
Esto se logra por ejemplo, en el circuito de la figura 1.53 polarizando a Q3 con la
tensión existente entre los emisores.
Veamos ahora cómo se logra la auto estabilización: Suponiendo que V E tiende a
disminuir por debajo de su valor óptimo VCC/2, esto hará que la corriente de base
y por lo tanto del colector de Q3 disminuya. La disminución hará que disminuya la
caída de tensión en RC y por lo tanto la tensión en el colector aumenta llevando a
la tensión VE a su valor original.
Se puede ver que igual compensación ocurre cuando V E tiende a aumentar.
En los amplificadores comerciales se acostumbra emplear un amplificador
diferencial (estudiado en el capítulo 3) como etapa de entrada, el cual también se
encarga de que se cumpla: VE = VCC / 2.
+ 12V

D1

RC
C3

Q1

Re
Ca2

E
Re

Ca1
RL
Q2

Q3
Vin
R3
R1

R4

R2

C4

Figura 1.53
1.3.2: AMPLIFICADOR PUSH PULL CLASE B

15
Este es otro tipo muy conocido de amplificador clase B. A pesar de haber sido
superado por los amplificadores de simetría complementaria y cuasi
complementaria (que se verá más adelante) aún es muy usado, por ejemplo, en
amplificadores de perifoneo debido a que permite el acoplo de la carga y también
elevar la tensión para reducir las pérdidas en los conductores cuando los parlantes
están alejados (como sucede en los edificios y plantas industriales)

1.3.2-1: CIRCUITO BASICO

En la figura 1.54 se muestra el circuito básico con dos transistores NPN.
Observamos que la señal de entrada se acopla por un transformador de entrada
con una relación típica de 1:1; mientras que la carga es acoplada por el
transformador de salida con una relación n:1
Q1 y Q2 están inicialmente en corte debido a que en las uniones base-emisor no
hay polarización
Los devanados secundarios de T1 son idénticos para evitar la distorsión de la
señal de entrada.
Los devanados primarios de T2 son idénticos para evitar la distorsión de la señal
de salida.

1.3.2-2: PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Vemos que en los transformadores están marcados los puntos de igual polaridad
Cuando Vin es positiva, el terminal 2 del transformador de entrada tendrá
polaridad positiva respecto al terminal 11.
T1
T2
1:1
2 8 Q1 n:1
8 2

5 VCC
Vin 7 5
7 RL

11 6
Q2 6 11
1:1
n:1
Figura 1.54
En los secundarios, el terminal 8 tendrá polaridad positiva respecto al terminal 5
(polarizando directamente la unión base-emisor de Q1) y el terminal 7 tendrá
polaridad positiva respecto al terminal 6 (polarizando inversamente la unión base-
emisor de Q2). Esto hará que Q1 conduzca y Q2 permanezca cortado
En el transformador de salida (T2) circulará la corriente de colector de Q1 por el
devanado primario superior, mientras que en el devanado inferior no habrá
corriente pero sí habrá tensión inducida por el flujo magnético originado por Q1
Cuando Vin es negativa, el terminal 2 del transformador de entrada tendrá
polaridad negativa respecto al terminal 11.
En los secundarios, el terminal 8 tendrá polaridad negativa respecto al terminal 5
(polarizando inversamente la unión base-emisor de Q1) y el terminal 7 tendrá

16
polaridad negativa respecto al terminal 6 (polarizando directamente la unión base-
emisor de Q2). Esto hará que Q2 conduzca y Q1 quede cortado
En el transformador de salida (T2) circulará la corriente de colector de Q2 por el
devanado primario inferior, mientras que en el devanado superior no habrá
corriente pero sí habrá tensión inducida por el flujo magnético originado por Q2
Podemos observar que en ambos casos la fuente VCC entrega corriente en el
mismo sentido, ya sea al devanado superior como al inferior.
Debido a que sólo funciona un devanado primario a la vez, la impedancia reflejada
será Rp = n2 RL

1.3.2-3: PUNTOS DE OPERACIÓN

RECTA DE CARGA ESTATICA:
En continua no hay corriente de colector. Por lo tanto.
VCE1 = VCC (1.103)
VCE2 = VCC (1.104)
RECTAS DE CARGA DINAMICA:
En el circuito de la figura 1.53, para AC:
vCE1 = VCC - iC1 n2 RL
(1.105)
vCE2 = VCC - iC2 n2 RL (1.106)
Estas rectas de carga AC deberán pasar por el punto Q; entonces, bastará buscar
el otro punto de la recta. Cuando:
vCE1 = 0 Icm1 máx = Vcc/ n2 RL (1.107)
vCE2 = 0 Icm2 máx = Vcc/ n2 RL (1.108)
Y vemos que: Icm1 máx = Icm2 máx
En la figura 1.55 se observan las dos rectas de carga para cada transistor:
IC1 e IC2

VCC / n2 RL DC

AC

vCE1
Q
0 VCC
2 VCC vCE2
Figura 1.55

1.3.2-4: POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: PL

 La potencia máxima en la carga PLmáx ocurre cuando Icm alcanza su
máximo valor teórico:
Icm máx = Vcc/ n2 RL
Para onda sinusoidal:

17
 PLmax = (Icm máx) 2 n2 RL /2 = V2cc/2n2 RL (1.109)
 La potencia para cualquier valor de Icm es:
PL = (iLeff)2RL = (Icm/)2n2 RL/2
PL = (Icm)2 n2RL/2 (1.110)

1.3.2-5: POTENCIA ENTREGADA POR LA FUENTE: PCC

iCC = corriente que circula por la fuente.
Icc = 2Icm / valor medio de icc
Luego:
Pcc = VccIcc = 2VccIcm/
(1.111)
La potencia máxima entregada por la fuente ocurre cuando:
Icm máx = Vcc/ n2RL
Reemplazando en 1.96:
PCCmáx = 2V2cc / n2RL (1.112)

1.3.2-6: POTENCIA DISIPADA EN COLECTOR: PC

En la figura 1.54 se puede observar que Q1 y Q2 sólo disipan potencia en el
semiciclo en el cual conducen, ya que en el resto del ciclo la corriente a través de
ellos es cero. Podemos plantear lo siguiente:
PCC = 2PC + PL (1.113)
PC = 0.5(PCC – PL) = 0.5(2VccIcm/ - (Icm)2 n2RL/2) (1.114)
VALOR MÁXIMO DE PC
Dado que la ecuación de PC no es lineal (es una parábola cóncava hacia abajo),
PCmáx no tiene porqué ocurrir para Icm máx.
Hallamos entonces el valor Icmx para el cual ocurre la máxima disipación de
colector, derivando respecto a Icm e igualando a cero:
(dPc/dIcm) = (2Vcc/) – (Icm n2RL) = 0
Obtenemos:
Icmx = 2Vcc / n2RL (1.115)
Reemplazando en (1.114) obtenemos:
PCmax = V2cc/2 n2RL (1.116)

1.3.2-7: EFICIENCIA DEL CIRCUITO: η

 = PL / PCC = ((I2cm n2RL)/2) / (2VccIcm/  ) (1.117)

En condiciones máximas, cuando: Icm máx = Vcc/n 2RL
Reemplazando en (1.101)
máx = /4 = 0.785
En porcentaje: máx = 78.5%

1.3.2-8: FIGURA DE MERITO: F

F = PCmax / PLmax
(1.118)
(1.116) y (1.109) en (1.118) se tiene:

18
 F = 2 / 2 = 1/5
Estos valores de  y F, son los mismos que se pueden lograr teóricamente para el
caso ideal, con los otros tipos de amplificadores clase B.

1.3.2-9: COMPARACIÓN ENTRE PUSH-PULL Y SIMETRÍA

COMPLEMENTARIA.
a) Una ventaja en el uso de los transformadores en push-pull es el poder acoplar
impedancias fácilmente, pero tiene un gran número de desventajas como:
 Bajo rendimiento: Es muy difícil conseguir un transformador de potencia con
eficiencia mayor de 80%.
 La rotación de fase introducida por los transformadores dificulta el empleo
de técnicas de realimentación negativa (para disminuir la distorsión) ya que
corre el riesgo de aparición de oscilaciones para algunas frecuencias.
 El peso de los núcleos utilizados aumenta considerablemente el peso total
de los equipos.
 El tamaño de los transformadores evita poder construir equipos compactos.
b) Una de las ventajas del amplificador de simetría complementaria es que
estando la etapa excitadora acoplada directamente, la respuesta en frecuencia
mejora.
c) Una dificultad del amplificador en simetría complementaria consiste en lograr
obtener dos transistores apareados (machados) npn y pnp. Esto se hace más
difícil conforme aumenta la potencia requerida, de modo tal que prácticamente
estos amplificadores en simetría complementaria sólo se usan para potencias
menores a 20W. Por arriba de estas potencias se utilizan los amplificadores cuasi
complementarios, los cuales utilizan el mismo principio, pero evitan el empleo de
un par machado en la etapa de salida.

PROBLEMA 1.14: En el circuito de la figura 1.56, los transistores tienen las

siguientes características: Q1 = Q2, silicio, VCE,sat = 1V, β = 100, Vγ = 0.6V
Determine:
a) R1 b) PLmáx c) PCC d) PCmáx e) η

R1

Q1

1:1 C 2:1
2 6 6 2
Re
7 1 VCC 7
Vi 9 9 RL
8
4 10 R2 Re 12V 10 4
100 1
1:1 2:1

Q2

C es muy grande

Figura 1.56
SOLUCION:
a) Cálculo de R1:

19
El amplificador trabaja en clase AB para evitar la distorsión de cruce
Debe cumplirse: VCC R2 / (R1 + R2) = Vγ + IE Re
Como se cumple prácticamente que: IE = 0
Podemos hallar R1: R1 = 1900Ω
b) Cálculo de PLmáx:
La impedancia reflejada al primario es: Rp = n 2RL = 32 Ω
Recta AC: vCE = VCC - iC (n2 RL + Re) = 12 - 33 iC
Como debe considerarse la región de saturación, el mínimo valor de v CE es
VCE,sat; en ese caso iC alcanza su valor máximo: Icm máx = (12 – 1) / 33 = 333
mA
Asumiendo que el transformador es ideal, dado que no nos dan más datos sobre
él, la potencia máxima entregada a la carga es: PLmax = (Icm máx) 2 n2 RL /2
Reemplazando y efectuando: PLmáx = 1.89 W
c) Cálculo de PCC:
La máxima corriente promedio que entrega la fuente es: ICC = 2Icm máx/  =
212.2 mA
Luego, de 1.111: Pcc = VccIcc = 2VccIcm máx /  = 2.55 W
d) Cálculo de PCmáx:
Si no despreciamos la potencia disipada por Re, debemos plantear la siguiente
ecuación:
PCC = PL + 2PC + Pe
Donde Pe es la potencia disipada por los dos resistores del emisor
Reemplazando las expresiones en función de Icm:
2Vcc Icm /  =I2cm n2 RL /2 + 2PC + I2cm Re /2
Derivando PC respecto de Icm e igualando a cero hallamos el valor de Icmx:
Icmx = 2Vcc / (n2RL + Re) = 231 mA
Luego, PCmáx = 0.437 W
e) Cálculo de η:
De la definición de eficiencia: η = PLmáx / PCCmáx = 74.1%

PROBLEMA 1.15: En un circuito similar al de la figura 1.54 se tiene: Q1 = Q2,

silicio, VCE,sat = 1V, β = 100, Vγ = 0.6V, ICQ = 0. Si cuando VCC = 15V el
circuito entrega una potencia máxima a la carga de 6 W. ¿Qué potencia
máxima entregará a la carga si se hace VCC = 12V?
SOLUCION:
Tenemos: PLmax = (Icm máx) 2 n2 RL /2 = (VCC - VCE,sat) 2/2n2 RL = 6
De donde: n2 RL = (15 – 1) 2 / 12 = 16.33 Ω
Cuando VCC disminuye a 12 V: PLmax = (12 - 1) 2/(2*16.33) = 3.7W

PROBLEMA 1.16: Un cierto transistor de potencia puede disipar hasta 10 W.

Determine la potencia de salida máxima que puede obtenerse de un amplificador
push pull clase B, como el de la figura 1.54, usando dos de estos transistores.
Asuma que la excitación es sinusoidal y que el amplificador tiene una eficiencia del
75%.
SOLUCION:
Tenemos: PLmax = (Icm máx) 2 n2 RL /2 = (VCC - VCE,sat) 2/2n2 RL

20
Además: PCmax = VCC 2/2 n2RL = 10
Entonces: VCC 2 = 102 n2RL
Como la eficiencia es dada por:  = PLmáx / PCCmáx = ((Icm máx n2RL)/2) / (2Vcc/  ) =
0.75
Además: Icm máx = (VCC – VCE,sat)/n2RL
Reemplazando: 0.75 = [(VCC – VCE,sat)/2] / (2Vcc/  )
De donde: 3VCC / = (VCC – VCE,sat)
Reemplazando en PLmáx:
PLmax = 9(VCC 2)/2n2 RL 2 = 9(102 n2RL)/2n2 RL 2 = 9(102)/22 = 45W

PROBLEMA 1.17: Se desea entregar 10 W a una carga de 10 Ω, mediante un

amplificador push-pull clase B, como el de la figura 1.54. Si se dispone de
transistores que tienen BVCEO = 40V, silicio, VCE,sat = 2V, β = 50, Vγ =
0.6V; halle:
a) El valor de la fuente VCC
b) El máximo valor de n requerido
c) PCmáx de cada transistor
SOLUCION:
a) Cálculo de VCC
Como la tensión de ruptura es 40V y el transistor en el amplificador push pull
soporta una tensión máxima igual á 2 VCC, no se puede emplear una fuente
mayor de 20 V
Entonces, emplearemos: VCC = 20V
b) Cálculo del máximo valor de n requerido:
Tenemos: PLmax = (VCC - VCE,sat) 2/2n2 RL = 10W
Reemplazando valores: PLmax = (20 – 2)2/2n2 RL = 10W
De donde: n2 RL = 16.2 Ω
Luego: n = 1.27
Dado que hemos calculado n con la máxima tensión posible, dicho valor es el
máximo.
c) Cálculo de PCmáx en cada transistor
De la ecuación 1.116: PCmax = V2cc/2 n2RL = 2.5W

PROBLEMA 1.18: En un amplificador push-pull clase A se desea cambiar el

transformador de entrada por un circuito que emplee un transistor. ¿Cuál sería la
disipación de este circuito? Explique su funcionamiento.
SOLUCION:
El circuito de entrada de un amplificador push pull debe ser capaz de entregar dos
señales con la misma amplitud, pero desfasadas 180°. Como el push pull trabaja
en clase A, sus dos transistores deben estar polarizados en la zona activa. A
continuación se muestra, en la figura 1.57, un circuito que puede hacer dicha
operación:

21
 R

R1

10V
Ca1
Q

B
Vg

R2 R

Figura 1.57

Las resistencias de colector y emisor deben ser iguales para asegurar que los
niveles de tensión también sean iguales. La señal en el colector está desfasada
180° respecto a la de emisor.
En los nudos A y B además de señal también hay tensión continua, la cual puede
usarse para polarizar a la etapa de potencia.
Esta etapa debe trabajar en clase A para que funcione en la forma requerida. En
este caso, la máxima disipación del circuito se producirá en el punto de operación,
cuando no haya señal de entrada.

ESQUEMAS DE AMPLIFICADORES DE SIMETRÍA COMPLEMENTARIA

Amplificador de audio para televisor Fapesa

+12V dc
10 640uF
680 5 Ohm

4K7 Q3

640uF
40uF
1

3K3
18K
NTC 1
Q1 65 130
320uF
100pF
12K
t Q4

Q2

3K3
15 100 320uF

Figura 1.58

22
Amplificador de audio para televisor Philips

Figura 1.59
1.3.2-10:PREGUNTAS RELATIVAS A AMPLIFICADORES PUSH-PULL
1) Dibuje una configuración básica de un amplificador push-pull para que funcione
en clase A. Deduzca las rectas de carga y relaciones de potencia.
2) Indique las ventajas y desventajas comparativas entre las tres configuraciones
básicas en push-pull (operando en clase A, AB, B)
3) Para push-pull clase AB, se puede colocar un diodo zener para reducir el cross-
over? ¿Porqué? ¿Si se pudiese, como se haría? ¿Sería práctico hacerlo?
4) En la polarización de entrada cómo y para qué:
Emplearía un termistor NTC?
Emplearía un termistor PTC?
5) En el desfasador de entrada, ¿se puede emplear la disposición de un transistor
con salidas desfasadas en colector y emisor, para un push-pull clase B?
¿Porqué? ¿En general, cómo intervienen las impedancias de salida de dicho
desfasador?
6) Si se emplean resistencias en emisores, para qué servirían? ¿Se pueden
desacoplar con condensadores? ¿Porqué? ¿Se puede emplear una sola
resistencia para ambos emisores? ¿Cómo?
7) ¿Es importante o no, considerar la regulación de fuente DC en operación clase
B? ¿Porque?
8) ¿El acoplamiento a la carga, se puede realizar con autotransformador? ¿Cómo?
¿Qué ventajas y desventajas habría con respecto al que emplea transformador?
9) Si en vez de polarizar al corte para trabajo en clase B, se polariza en
saturación, ¿qué ocurriría?
10) ¿Qué características deben tener los transformadores empleados en la
entrada como en la salida de los amplificadores push-pull, clase A? y en clase
B?. ¿Es indiferente o no a la ubicación de los puntos de igual polaridad?

23
11) Del estudio del circuito básico clase B, la tensión de señal en el primario (=
nVL), ¿Puede ser mayor que Vcc? ¿Puede ser menor que Vcc?
12) En las relaciones deducidas, ¿Interesa que el transformador sea ideal?
¿Intervendrían en un caso real los parámetros reactivos del transformador?
13) ¿La recta de alterna puede cruzar la hipérbola de disipación máxima del
transistor? Si se pudiese, cuán alejada de ella? ¿Y si la operación es con
pulsos?
14) Para evitar o reducir la distorsión por cross over en transistores bipolares, es
mejor excitar con tensión o con corriente? ¿Por qué? ¿Cómo se logra lo
anterior?
15) La inductancia de dispersión del transformador de salida tendrá influencia
apreciable en clase B?
16) Las capacidades e inductancias del transformador ¿Podrían reducir la
distorsión por cross-over? ¿Cómo?
17) La fuente DC de un Push Pull necesita de un mayor o menor filtrado que las
etapas simples en clase A?
18) ¿Qué ocurre con la distorsión armónica en los Push Pull? ¿Qué tipos de
distorsión pueden presentarse y debido a qué?
19) Si se tiene un amplificador Push Pull clase B funcionando a todo volumen y se
desconecta el parlante, ¿Qué ocurre respecto al Push Pull clase A? ¿Al simple
clase A con choke en colector? ¿Y al acoplado por transformador?
20) ¿Es indiferente, siempre, que la carga sea flotante o que esté puesta a tierra?

DIVERSOS ESQUEMAS DE AMPLIFICADORES EN PUSH-PULL

1. En la figura 1.60 se tiene un amplificador, con driver, clase A acoplado por

transformador, que puede entregar una potencia de 400mW con 10% de
distorsión y 50 mW con 3% de distorsión; respuesta en frecuencia: 100Hz –
5.5KHz

24
 Figura 1.60

2.Clase B con salida en serie, sin transformador 3. Clase B con salida en

serie, con
de salida y con 2 fuentes de alimentación. 1 fuente de alimentación,
sin
transformador de salida.

Figura 1.61

4. En la figura 1.62 se tiene un Amplificador que puede entregar 600 mW (mínimo).

Empleado como amplificador previo y salida de un tócasete.

Figura 1.62

5.- Etapa de audio de televisor CROWN (modelo CTV-12)

25
 -11V

R10
R
R5
1k2
T1
2 8 Q2
2SB77 C3
R6
C1 Q1 2500 5
2SB117 Ohm 7 10uF
3k3 R11 PARLANTE
10uF R1 R2 2.2
15k 68k R3 11 6 R7
1k C2
50uF 1k2 60 Ohm
R8 Q3
3k3 2SB77

R4
10

+10.6V

Figura 1.63

6.- Etapa push pull con salida acoplada directamente:

-4.5V

R5 Q2
2k7
T1 2SB77
2 8
R9
R6 100 5
5 PARLANTE
R1 7
62k
R7 100
11 6 36 Ohm
C1 2500
Q1 Ohm Q3
OC71 R8
10uF R2 2k7 2SB77
10k R3
1k C2 R10
100uF 5

R4
10

+4.5V

Figura 1.64

26
 AMPLIFICADORES CUASI COMPLEMENTARIOS
El inconveniente principal del amplificador de simetría complementaria es la
necesidad de dos transistores complementarios (NPN y PNP). Estos transistores
deben tener características eléctricas idénticas. Esto hace difícil conseguir
transistores que cumplan dichos requisitos (par machado o matched pair) para
potencias de salida mayores de 30W.
Los amplificadores de simetría cuasi-complementaria resuelven este problema al
permitir que los transistores de potencia sean del mismo tipo.
Estas etapas se denominan así por el hecho de estar constituidas por un par pnp o
npn de salida, excitados por otro par del tipo complementario pnp o npn, como
podemos ver en el siguiente circuito. (Figura 1.65)
VCC

Q1

Q3
RL

Q2
Vin
Q4
V2 = VCC/2

V1 = VCC/2

Figura 1.65
Q3 y Q4 son los transistores de potencia encargados de alimentar a la carga, RL .
Q1 y Q2 son transistores drivers de menor potencia.
Q1 y Q3 forman una configuración Darlington.
Q2 y Q4 forman una configuración PNP simulado.

27
En el esquema básico de la figura 1.61, los transistores encerrados con la línea
segmentada forman un excitador de simetría complementaria que proporciona la
excitación y la fase necesaria.
Básicamente un amplificador casi complementario consiste en considerar el
resultado de conectar un transistor pnp a un transistor de salida npn para alta
potencia como vemos en la figura 1.65. La corriente del transistor pnp se convierte
en la corriente de base del transistor npn. El transistor npn que funciona como
seguidor de emisor proporciona ganancia adicional de corriente sin inversión. Si se
considera al emisor del transistor npn como colector efectivo del circuito
compuesto, resulta evidente que el circuito equivale a un transistor pnp de alta
ganancia y alta potencia (figura 1.66).
ie equiv.

Q2
Qequiv.
Q4
ic equiv.

Figura 1.66

Consideremos que los transistores Q2 y Q4 tienen una relación de corriente de

transferencia directa pulsada estática hFE2 y hFE4 respectivamente:
icequiv. = ie4
ieequiv= ic4 + ie2
ic2 = ib4
ie4 = (hFE4 +1)ib4
ic2 = hFE2 ib2
hFEequiv = icequiv/ibequiv = ie4/ib2 = (hFE4 +1)ib4/ib2 = (hFE4 + 1)ic2/ib2
hFEequiv = (hFE2 + 1)ic2/ib2 = (hFE4 +1)hFE2 ib1/ib1 = hFE2 (hFE4 + 1)
hFEequiv = hFE2 ( hFE4 + 1) si: hFE4>>1
hFEequiv = hFE2 hFE4

La otra sección es simplemente un Darlington compuesto de dos transistores npn,

(Figura 1.67) a continuación hallaremos la ganancia equivalente, suponiendo que
los transistores son apareados (matched).
Tomemos hFE1 para Q1 y hFE3 para Q3:
ic equiv.

Q1

Q3
ie equiv.

28
 Figura 1.67

icequiv = ic1 + ic3

ieequiv = ie3
ibequiv = ib1
ie1 = ib3
ic1 = hFE1ib1
ic3 = hFE3ib3
ie3 = (hFE3+1)ib3
hFEequiv = icequiv/ibequiv = (ic1+ic3)/ib1 = (hFE1ib1 + hFE3ib3)/ib1
hFEequiv = (hFE1ib1 + hFE3ie1 = (hFE1ib1 + hFE3(hFE1 + 1)ib1)/ib1
hFEequiv = hFE1 + hFE3 + hFE1hFE3
si: hFE1>>1, hFE3>>1
hFEequiv  hFE1hFE3

La preferencia a usar el par final del tipo npn se debe a los siguientes motivos:
1. A niveles de potencia superiores en los circuitos de simetría complementaria se
requiere un transistor excitador en clase A que pueda disipar considerable calor,
con la inconveniencia del uso de un disipador térmico relativamente grande.
Además, el drenaje de corriente en reposo de la fuente de alimentación llega a ser
importante y se requieren capacitores de filtro excesivamente grandes para
mantener bajo el nivel de zumbido.
Por estas razones la potencia de salida máxima práctica para un verdadero
amplificador de simetría complementaria se considera alrededor de 20W, por lo
que para potencias mayores usamos el amplificador de simetría cuasi-
complementaria.
2. El transistor pnp de potencia en el par complementario de salida es aún más
caro que el npn y en general tiene regímenes de seguridad más reducidos que su
compañero npn, como el control de la difusión de base es más difícil en los
dispositivos pnp el costo de estos transistores es generalmente 25% mayor que el
de los npn correspondientes.
Los transistores de salida pnp de potencia para circuitos complementarios
generalmente son de germanio y se utilizan para potencias inferiores a los
30watts.
En general un circuito cuasi complementario es menos estable que uno de
simetría complementaria, pero con transistores de silicio no presenta problemas.
Los resistores de drenaje (Rd) de la figura 1.68 proveen las siguientes ventajas:

29
 Q1

Q3

Rd
Re

Q2

Q4

Rd Re

Figura 1.68

1. Mejora de la respuesta en alta frecuencia

2. Mejora de la estabilidad del transistor de salida ya que se provee de una
derivación para la corriente de fuga ICBO.
3. Se aumenta el BVCEO poniendo al transistor en el modo VCER, que en los
transistores de silicio de potencia para una Rd igual a 100 ohmios en
general produce un aumento de 10V.
En el circuito de la figura 1.68, se observan también los resistores puestos en
emisor de los transistores de salida (Re) que sirven para estabilizar el punto de
operación con respecto a la temperatura, en algunos circuitos se pone un diodo
para evitar las pérdidas producidas en Rd y proveer mayor estabilidad, ya que este
diodo está acoplado mecánicamente al mismo disipador del transistor de salida,
mejorando así la estabilidad por realimentación térmica.
Como se indica en la figura 1.69, los circuitos de salida en serie puede emplearse
con fuentes positivas y negativas separadas; en este caso no se necesita
capacitor de salida en serie.
La eliminación de este capacitor puede resultar una ventaja económica aun
cuando se utilice una fuente de alimentación adicional debido a que este capacitor
de salida necesario cuando se usa una sola fuente de alimentación, debe tener un
alto valor para obtener un buen comportamiento a bajas frecuencias (por ejemplo
se requiere un capacitor de 2000F para proporcionar un punto de 3 db. á 20Hz.
para una impedancia de carga de 4). Sin embargo, las fuentes de alimentación
divididas plantean ciertos problemas que no existen en el caso de una fuente: La
salida del amplificador debe mantenerse a potencial cero como en condiciones de
reposo para todas las condiciones ambientales y variaciones de los parámetros
del dispositivo.
Asimismo, la referencia de masa de entrada ya no puede estar en el mismo punto
A, porque este punto está al potencial negativo de la fuente en un sistema de
fuente dividida.

30
 R6
+ VCC

R7
C3
Q3

Q5
D1

R9 R11
D2
R4 R5

C2 RL
D3
C1
Q1 Q4

Q2 Q6

R1
R2 R3
C4 R8 R10 R12

- VCC
Figura 1.69

Si la referencia del punto a masa para la señal de entrada fuera un punto común
entre las fuentes divididas, cualquier ondulación residual presente en la fuente
negativa excitaría efectivamente al amplificador a través del transistor Q5, con el
resultado de que esta etapa funcionaría como amplificador de base común con su
base conectada a masa a través de la impedancia efectiva de la fuente de señal
de entrada. Para evitar esta condición, el amplificador debe incluir un transistor
adicional pnp como se ve en la figura 1.69
Este transistor (Q6) reduce los efectos de excitación de la ondulación residual de
la fuente negativa debido a la alta impedancia de colector (1M o más) que
presenta a la base del transistor Q1. En la práctica, puede ser reemplazado por un
par Darlington para reducir los efectos de la carga en el pre-excitador pnp.
Se aplica realimentación negativa de cc desde la etapa de salida a la entrada a
través de R1, R2 y C1 de manera de mantener la salida a un potencial
aproximadamente cero.
En realidad, la salida se mantiene aproximadamente a la tensión base-emisor de
polarización directa del transistor Q6, lo que puede causar inconvenientes en

31
algunos pocos casos, pero ello puede eliminarse. El capacitor C1 deriva la fuente
de alimentación negativa de cc a todas las frecuencias de la señal.

PROTECCIÓN CONTRA CORTO CIRCUITOS

Un aspecto importante en el diseño de los amplificadores de alta potencia es la
aptitud del circuito para soportar condiciones de corto circuito.
Un primer método consiste en el indicado en la figura 1.70
R es un sensor de corriente, si se produce cualquier condición que haga conducir
corriente de carga superior a la normal, los diodos D1 y D2 conducen en
semiciclos alternados proporcionando una realimentación muy negativa que
reduce eficazmente la excitación de los amplificadores. Esta realimentación no
debe exceder el margen de estabilidad del amplificador. Esta técnica no afecta de
ninguna manera al normal funcionamiento del amplificador.
+ VCC

RL

CR1
R

CR2

Figura 1.70

Un segundo método para limitar la corriente está representado en la figura 1.71.

En este circuito se usa una red de polarización de diodos para establecer un límite
de corriente fijo a los transistores de excitación y de salida. En condiciones
sostenidas de corto circuito, sin embargo, los transistores de salida deben tolerar
este límite de corriente y un semiciclo de la tensión de alimentación de CC.

32
 + VCC

R3

R4

Re
D1 R1
D3

Re

D2 D4
R

R2

Rs

Figura 1.71

En la figura 1.72 se ilustra la técnica de limitación de disipación que proporciona

protección positiva para todas las condiciones de carga la acción limitadora de
este circuito aparece en la figura 1.73. Esta técnica limitadora de área segura
permite el uso de transistores de excitación y salida de baja disipación y
disipadores térmicos más pequeños en las etapas de salida.
El uso de los disipadores más reducidos es posible porque la disipación para el
peor de los casos es un funcionamiento normal a 4 en lugar de las condiciones
de corto circuito. Gracias a esta técnica, las cargas muy inductivas o capacitivas
ya no constituyen un problema y son innecesarios los interruptores térmicos;
además la técnica es poco costosa.

33
 + VCC

R1

Q3

Q4

Q1
R5
R6 R9

D1
D2

R2

R7

R10
R8
Q2 RL

Q5

Q7 Q6

R2

R3 R4

Figura 1.72
Ic

LIMITE

Vce

Figura 1.73

Otro tipo de protección usada es con diodo zener como lo indica en la figura 1.74.

34
 + VCC

R3

Q2

Q4
D1

R6
R8
D2

R1

D4
R4

R9

D3 RL

Q3

Q1 Q5

R7

R2 R5

Figura 1.74

En la figura 1.75 se muestra la disposición básica de un circuito de simetría casi

complementaria, por lo general estos poseen transistores de salida npn de silicio
de tipo homotaxil (o difusión única) que se caracterizan por su solidez y altas
corrientes. Estos transistores y los transistores excitadores para el amplificador
complementario funcionan en clase AB en una disposición que asegura un
pequeño drenaje de corriente con señal cero. Otras características del circuito son
las etapas pre amplificadoras y pre excitadora acopladas directamente y la
protección contra corto circuitos o limitación de área segura. La etapa
preamplificadora se compone de un circuito puente balanceado Q1 y Q2 que
mantiene una tensión de reposo de CC cero en la salida. La realimentación se
acopla a través del resistor R6 y se provee referencia de masa a través del resistor
R2 y del capacitor C2.
Los emisores comunes son retornados a la fuente positiva a través del resistor R3
y el diodo D1 y el resistor R5. El diodo D1 y el capacitor C4 reducen al mínimo los
transistores de apagado y proporcionan desacoplamientos de la fuente de
alimentación. El circuito puente está acoplado directamente a una etapa pre
excitadora clase A (Q3), la que se acopla a los excitadores complementarios (Q4 y
Q5) a través de R12. El circuito de protección para limitación de disipación esta
también conectado a este punto. El propósito de este circuito es, como ya se
mencionó, impedir que la etapa de salida comience a conducir si se produce una
disipación anormalmente alta.
El circuito limitador de disipación proporciona una derivación para la corriente de
excitación desde el excitador asociado y los dispositivos de salida. El resistor R12
proporciona cierta limitación de corriente que el transistor Q9 debe soportar
durante la sobrecarga. El capacitor C9 puentea a R12 para mejorar la respuesta a
transitorios. Los diodos D2, D3, D4 y el resistor R11 suministran una polarización
directa controlada a los excitadores y a los dispositivos de salida, de manera que
se mantiene el funcionamiento en clase AB.

35
 D1 R5
+ VCC
C14
C4 R8

Q4

R10 D5 Q6 D10

R11 C11
R3

C6 D4 Q8

R13
R14
D6 R21 R23 L1
C10 10 uH
C1 R1 R6 R15

Q1 Q2 D7 Al parlante
R24
Entrada R9
de audio
D3 R16 R22 R25
R7 R17
Q9
C2 C7
R2 C5 D9
D2
D8 C12 C15

R12
R18
Q5 D11
Q7

C9

Q3

R4 R20
R13

- VCC
C8 C16

Figura 1.75
El capacitor bootstrap C6 suministra el refuerzo de tensión adicional necesaria
para saturar el par de salida superior (Q4 y Q6) a través de los resistores R8 y
R10.
El capacitor C7 proporciona una oscilación de tensión controlada a través de R9 y
R13 para superar las pérdidas normalmente introducidas por el resistor R12. El
resistor R13 y el capacitor C8 proporcionan desacoplamiento a altas frecuencias
para la línea de alimentación negativa de CC. Los resistores R20 y R21, junto con
R22 y R23 permiten la necesaria estabilización para los transistores de salida Q6 y
Q7. La corriente pasa a través del resistor R23 para detectar los ciclos positivos y
se acopla al transistor Q8 a través del resistor R17. El resistor R14 y el diodo D6
proporciona la detección simultanea de tensión. La corriente es detectada a través
del resistor R22 para la limitación de los ciclos negativos, acoplándose al transistor
Q9 a través del resistor R18. La detección de tensión mediante los resistores R15
y R16 y el diodo D7 produce una variación en la pendiente de la curva de
limitación.
Los resistores R24 y R25, los capacitores C13 y C15 y el inductor L1 proporcionan
la reducción de altas frecuencias, de manera que es posible mantener un buen
margen de estabilidad en cualquier condición de carga C10, C11 y C12 proveen
estabilidad adicional durante la limitación. Los diodos D5 y D8 impiden la
polarización directa de las junturas colector-base de los transistores Q8 y Q7
durante los semiciclos alternados de la señal. Los capacitores C14 y C16 se
encargan de la supresión de parásitos. El diodo D9 y el resistor R18 aseguran la
adaptación de transconductancias entre los pares Darlington superior e inferior
para reducir al mínimo la distorsión a bajo nivel.

36
Los diodos D10 y D11 protegen los transistores de salida de los potenciales
inversos que se producen durante la conmutación en el caso que se use una
carga acoplada por transformador.

AMPLIFICADORES DE AUDIO CON CIRCUITO DISCRETO

D1 R6
+32Vdc
C3
47uF 1N4004 180 C12
R9 50nF
2.2K
R10
Q6
R4
15K 2.7K
D5 Q8
C6 R12 1N4004 C10
47 R18 D9
47uF 100
50nF 1N4004
Q4
L1
R12
C9 1K R15 68 R19 10uH
0.39
C1 R1 Q1 Q2 R7 50nF D7 R22

1N4004 R20
4.7uF 1.8K R5 18K 0.39 22 R23 Parlante
560 D8
C2 D2 22
R2 R11
18K 180pF 270 1N4004 R13 1N4004
C4 4.7K R16 C13 8 / 20W
47uF 20nF
Q5
C7 D3 68
C11
47uF 1N4004
D6
1N4004 50nF
C5
D4 D9
1N4004
20nF 1N4004

Q7 R17 68

R8 Q9
Q3 390
R3 R21
680 100
R14
-32Vdc

C8 100
20nF

37
 Figura 1.76
AMPLFICADOR DE POTENCIA DE AUDIO CON SIMETRIA CUASI COMPLEMENTARIA

POTENCIA DE SALIDA: 200W EN 4 OHMIOS

+ 45Vdc
R6 R12 R19
5K6 270 2K2 R20
1K5
Q6
D1046
R4 R8 D1 R16 C9 R21 Q8 Q10 Q12 D4
18K 2K2 100/50 12 2N3773 2N3773 2N3773
1N4004 R22 1N5395
4K3 47/1
R24 R26 R28
R3 C3 C5 R13 C8 D2 0.22/5 0.22/5 0.22/5
2M2 R7 100/50 2K2
C2 1N4004
10/50 200pF
470K R18
R1 C1 0.2 R10 Q3 Q4 1M
Q1 Q2 R9 2K2 B649 B649 RL
BC549 BC549 15K R17 D3 4 OHM
22K 2.2/50 R15 220K
270 C10 1N4004
Q7
D816 D5
100pF
Q5 Q9 Q11 Q13 1N5395
R2 R5 C4 R11 D386 2N3773 2N3773 2N3773
47K 270 22K C6 R14 C7
330pF 680 100/50 R23
47K 47/1 R25 R27 R29
0.22/5 0.22/5 0.22/5

- 45Vdc

Figura 1.77

AMPLIFICADORES EN CIRCUITO INTEGRADO

En la actualidad existen módulos híbridos (porque combinan parte integrada y

parte discreta en el mismo módulo), con los que pueden construirse amplificadores
de audio de diferentes potencias con muy buena respuesta en frecuencia.
1) A continuación mostramos un modelo de baja potencia acoplado por
transformador, que emplea el integrado CA3007:

38
 9Vdc

4.7uF

2N2102
9

10K 18 5 1
1 1N4148
8 6
4.7uF CA3007
8 4
10 1K8 16 OHM
12 1N4148 18
3 11
7
6
2
2N2102
4.7 uF

4K7
4.7uF

Figura 1.78

2) STK084: AMPLIFICADOR HÍBRIDO DE 50W PARA AUDIOFRECUENCIA.

Características máximas (temperatura ambiente de 25 ˚C)
 Máxima tensión de alimentación: ± 50Vdc
 Máxima corriente de colector: 7 A
 Resistencia térmica (Θjc): 1.7 ˚C/W (para Tc = 25 ˚C)
 Temperatura máxima de carcasa (Tc): 85 ˚C
Condiciones de operación recomendadas:
 Tensión de alimentación: ± 35 Vdc
 Resistencia de carga (RL): 8Ω
Características de operación (Ta = 25 ˚C , Vcc = ± 35 Vdc , RL = 8Ω)
 Corriente de polarización: Icco = 100 mA
 Potencia de salida: Po = 50W mínimo (con THD = 0.2% y 20Hz ≤ f ≤ 20
KHz)
 Respuesta en frecuencia: 10 Hz – 100 KHz (para: Po = 1W y 0 á –1db)
 Resistencia de entrada: 52 K Ω (para: Po = 1W y f = 1 KHz)

Diagrama del circuito y aplicación típica:

39
 10 +35Vdc
100 8

D1 Z1 R8
220uF/50V R1 10uF/50V

D2
Q1 R5
Q4

R3 Q7
1K 1uF/63V D3
1 Q2 Q3 Q9

56K R4 D4
R10
470pF
7
R6

Q5 D5
47nF

R7
C1 Q8 RL
2
Q10 47 8
Q6
C

R2 R9 R11
5

2pF
3 4 56K

6
2K7 100
-35Vdc
47uF/16V

10uF/50V
220uuF/50V

Figura 1.79
3) TBA820M (de THOMSON)
Este es un amplificador de potencia de audio integrado monolítico, con las
siguientes características principales:
 Tensión de alimentación de 3 á 16 V
 Baja corriente de polarización: 4 mA (típica), 12 mA (máxima)
 Alta eficiencia (que lo hace aplicable a equipos portátiles con batería)
 Potencia de salida hasta 2 W (típica), sin disipador externo (medida con RL
= 8Ω, Rf = 120 Ω, f = 1 KHz y distorsión total de 10%)
 Alta impedancia de entrada
 Baja corriente de polarización de entrada: 0.1 uA ( típica)
 Alto rechazo al rizado
 No tiene inestabilidad térmica
 No tiene distorsión de cruce
 Requiere pocos componentes externos
 Encapsulado DIL de 8 pines
 Corriente pico de salida: 1.5 A (máxima)
 Temperatura de almacenamiento: -40 á +150°C
 Temperatura de juntura: 150°C
 Resistencia térmica: 80 °C/W
 Sensitividad de entrada: 60 mV (típica, medida con VCC = 9V, PL = 1.2W,
RL = 8Ω, Rf = 120 Ω y f = 1 KHz)
 Resistencia de entrada: 5 M Ω (típica)
 Respuesta en frecuencia (á – 3db): 25 á 20,000 Hz (medida con VCC = 9V,
RL = 8Ω, Rf = 120 Ω y CB = 220pF)

40
  Ganancia de tensión sin realimentación: 75 db (típica, medida con VCC =
9V, RL = 8Ω y f = 1 KHz)
 Ganancia de tensión con realimentación: 34 db (típica, medida con VCC =
9V, RL = 8Ω, Rf = 120 Ω y f = 1 KHz)
 Voltaje de ruido de entrada: 3 μVrms (típico, medido con VCC = 9V y ancho
de banda (3 db) de 25Hz á 20KHz)
 Corriente de ruido de entrada: 0.4 nA (típico, medido con VCC = 9V y ancho
de banda (3 db) de 25Hz á 20KHz)
 Relación señal a ruido: 70db (típica, medida con VCC = 9V, RL = 8Ω, Rf =
120 Ω, R1 = 100KΩ, PL = 1.2W y ancho de banda (3 db) de 25Hz á 20KHz)
 Rechazo a la fuente de alimentación (PSRR): 42db (típica, medida con VCC
= 9V, RL = 8Ω, Rf = 120 Ω, C6 = 50μF y frecuencia de rizado de 100 Hz)

CIRCUITO INTERNO EQUIVALENTE:

Podemos observar que Q2 y Q5 forman un amplificador diferencial de entrada
Q1 y Q2 forman una etapa Darlington de entrada que permite elevar la resistencia
de entrada y disminuir la corriente de polarización de base
Q3 y Q4 forman un espejo de corriente. Al actuar Q3 como fuente de corriente
constante, puede presentar una alta impedancia para señal al colector de Q2 y ello
permite que dicho transistor logre máxima ganancia de tensión.
Q6 es una fuente de corriente (forma parte de un espejo de corriente múltiple
integrado además por Q7, Q12 y Q16) y se encarga de polarizar al amplificador
diferencial asegurando un alto rechazo al modo común.
7

Q6 Q7 Q12 Q16

Q17
R2
5.9K D1 Q18

R6
R5 2K
Q2 Q5
5
R1 D9
6K D6
Q1
3
R3 D2 Q14
2K
6K

Q13

Q8 Q11 Q15

Q9 Q10

Q3 Q4 R4
2K
4

8 2 1

Figura 1.80
Q8, Q9 y Q10 se encargan de polarizar al espejo de corriente múltiple y ajustar la
polarización de Q5.
Q5 está conectado en DC y AC directamente a la salida para asegurar que el
voltaje DC de salida esté exactamente a la mitad de la fuente de alimentación e
introducir realimentación negativa para ampliar el ancho de banda y reducir la

41
distorsión. Adicionalmente, se tiene acceso al lazo de realimentación mediante el
pin 2 para poder ajustar la respuesta en frecuencia.
Adicionalmente, a través del pin 1 hay acceso al circuito de entrada para introducir
compensación y evitar posibles oscilaciones.
Al pin 8 se conecta una capacidad de filtro (C6) que permite mejorar el factor de
rechazo a la fuente. De esta manera el amplificador se hace menos sensible a las
variaciones del voltaje de la fuente, impidiendo que ello genere oscilaciones de
baja frecuencia.
Al terminal 7 se conecta otro condensador de filtro para alimentar al circuito de
entrada con una tensión constante y ligeramente más alta que la fuente para
poder lograr la máxima excursión simétrica. Este efecto se logra conjuntamente
con un resistor que se coloca entre los pines 6 y 7.
Q11 es un amplificador clase A que se usa como driver de la etapa de potencia. El
transistor Q12 le permite actuar con su máxima ganancia permitiendo que el
circuito logre la ganancia de tensión final.
Los diodos D1, D2, D3 y D4 permiten la compensación térmica y estabilidad del
punto de operación de la etapa de potencia.
La etapa de salida formada por Q13, Q14, Q15, Q17 y Q18 forman un amplificador
de simetría cuasi complementaria, que es el encargado de dar prácticamente la
ganancia de corriente total del circuito.

CIRCUITOS DE APLICACION:
a) Amplificador con carga conectada a la fuente:
+VCC
C2 C6 C4
100uF 50uF 0.1uF
RL

6
8 CB
3
7
1 C5
TBA820M
R1 5
Vi 10K 500uF
2
R2
4 1
Rf

C3
C1 0.22uF
100uF

Figura 1.81
b) Amplificador con carga conectada a tierra:

42
 +VCC
C2 R3 C4
100uF 56 0.1uF

6
7 CB
3
C7
1 100uF
TBA820M
R1 5
Vi 10K
2 8
R2
4 1
Rf RL

C3
C1 0.22uF
100uF C6
50uF

Figura 1.82
4) TDA2030 (de THOMSON)
Este es un amplificador de potencia de audio integrado monolítico, con las
siguientes características principales:
 Tensión de alimentación máxima simétrica de +/- 6V á +/- 18V y puede
alimentarse con una sola fuente de + 36V (máxima).
 Corriente de polarización: 40 mA (típica), 60 mA (máxima)
 Baja corriente de polarización de entrada: 0.2 uA ( típica), 2 uA (máxima)
 Alta corriente de salida (hasta 3 A), con protección contra cortocircuito.
 Potencia de salida: 18 W (típica, medida con RL = 4Ω, Av = 30db, f = 1 KHz,
TC = 90°C y distorsión armónica total de 10%)
 Incluye un sistema de protección térmica
 Alta impedancia de entrada: 5 M Ω (típica)
 Voltaje offset de entrada: +/- 20 mV (máximo)
 Corriente offset de entrada: +/-200 nA (máxima)
 Voltaje offset de salida: +/- 22 mV (máximo)
 Muy baja distorsión de cruce
 Temperatura de almacenamiento: -40 á +150°C
 Temperatura de juntura: -40 á +150°C
 Resistencia térmica: 3 °C/W
 Sensitividad de entrada: 215 mV (típica, medida con Av = 30db, PL = 12W,
RL = 4Ω y f = 1 KHz)
 Respuesta en frecuencia (á – 3db): 10Hz á 140KHz (medida con Av = 30db,
RL = 4Ω, PL = 12W)
 Ganancia de tensión sin realimentación: 90db (típica, medida con f = 1 KHz)
 Ganancia de tensión con realimentación: 30 db (típica, medida con f = 1
KHz)
 Voltaje de ruido de entrada: 10 μVrms (máximo, medido con RL = 4Ω y
ancho de banda (3 db) de 10Hz á 25KHz)
 Corriente de ruido de entrada: 200 pA (máximo, medido con RL = 4Ω y
ancho de banda (3 db) de 10Hz á 25KHz)

43
  Temperatura de cápsula: 110°C (mínima, para activar la protección térmica)
 Rechazo a la fuente de alimentación (PSRR): 50db (típica, medida con RL =
4Ω, Av = 30db, RG = 22 KΩ, Vrizado = 0.5 Vrms y frecuencia de rizado de
100 Hz)

CIRCUITO INTERNO EQUIVALENTE:

5
D2

Q3 Q11 Q14

Q15
PROTECCION CONTRA D7
1
R1 R2 D3 CORTOCIRCUITO
Y CORTE TERMICO

Q2 Q4
R5 R6
Q1 Q5 D4
2

D6
4
Q7 D5

Q8
Q13

Q12 Q16

Q6 Q17
R3
D1 Q9 PROTECCION CONTRA
Q10 CORTOCIRCUITO
Z1 Y CORTE TERMICO
R7 R8
R4
3

Figura 1.83

Podemos Observar que se trata de un amplificador de simetría cuasi

complementaria, donde Q14 y Q15 forman la etapa de salida NPN Darlington y
Q13, Q16 y Q17 forman la etapa de salida PNP simulado.
Q1, Q2, Q4 y Q5 forman un amplificador diferencial con etapas Darlington, lo cual
permite elevar la impedancia de entrada y minimizar la corriente de polarización de
base.
R1 y R2 introducen realimentación negativa en el amplificador diferencial a la vez
que contribuyen a elevar más la impedancia de entrada.
Q3 y Q11 forman un espejo de corriente polarizado por medio de la tensión en D2
y los transistores Q7 y Q8. La corriente es suministrada por Q8, el que actúa como
fuente de corriente constante.
El Mosfet Q7 actúa también como fuente de corriente constante y polariza al zener
Z1, el cual está encargado de mantener constante la corriente de Q8.
D3, D4 y D5 polarizan la etapa de potencia y dan estabilidad térmica al punto de
operación
Q6 actúa también como fuente de corriente presenta una alta impedancia de
salida, para señal, al transistor Q4, permitiéndole una máxima ganancia de
tensión.

44
Q12 forma la etapa amplificadora clase A, que es el driver para el amplificador de
potencia y logra máxima ganancia de tensión debido a Q11 que actúa como fuente
de corriente y le ofrece alta impedancia para señal

CIRCUITOS DE APLICACION:
A continuación veremos algunas aplicaciones típicas, en la que se incluye un
amplificador tipo puente que es una configuración que permite cuadruplicar la
potencia de salida para la misma resistencia de carga.

a) Amplificador con fuentes de alimentación simétricas:

+VCC
C3 C5
0.1uF 100uF

D1
1N4004
C1 5

1
1uF

TDA2030
4
D2
Vi 2 1N4004
R3 R1
22K 3 22K
R4
R2 1
680 C8 RL
C7
0.22uF
C2 R5
22uF

-VCC
C3 C5
0.1uF 100uF

Emplear: R5 = 3R2 y C8 = 100 pF para ancho de banda de 20 KHz y Av = 38db

Figura 1.84
b) Amplificador con una sola fuente de alimentación:
Para asegurar que la salida esté a la mitad de la fuente y tener máxima excursión
simétrica, debe polarizarse el terminal 1, por medio de resistores, a la mitad de
VCC
c) Amplificador tipo puente con fuentes de alimentación simétricas:

45
 +VCC
C3 C5
0.1uF 100uF

D1
1N4001 1N4001

5 5
1
1
1uF RL
8 22K
TDA2030 4 TDA2030
4
D2
Vi 2 1N4001 2
1 3
22K 3 22K 1N4001 22K

C2
680 22K 22uF
1

R2
22uF 680
0.22uF 0.22uF

-VCC
C3 C5
0.1uF 100uF

Figura 1.85

La señal de entrada es recibida por el amplificador de la izquierda. Su salida está

desfasada 180° respecto de la entrada. Esta señal es atenuada para luego ser
ingresada al amplificador de la derecha. La salida de este último está en fase con
la entrada. Esto hace que si la salida es del amplificador es VL, la tensión en la
carga es 2VL. Como la potencia de salida es proporcional al cuadrado del voltaje,
entonces dicha potencia es cuatro veces la que puede dar uno solo de los
amplificadores. La resistencia de carga efectiva que “ve” cada amplificador es 4Ω

46
 PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA P1.13: En un amplificador de simetría complementaria, como el
mostrado, explique por que el voltaje pico positivo, de salida, no puede llegar a
ser igual al voltaje pico negativo
+VCC

RL

-VCC

Figura 1.86
PROBLEMA P1.14: Se desea entregar 15W a una carga de 8Ω, mediante un
amplificador push-pull clase B. Si se disponen de transistores que tienen BVCEO
= 100 V con β = 50 y VCE,sat = 2 V. Halle:
a) El valor de la fuente DC (VCC).
b) El mínimo valor de la relación de transformación (n) requerido.
c) La potencia máxima que disipará cada transistor.

PROBLEMA P1.15: Un cierto transistor de potencia puede disipar hasta 40 W.

Determine la potencia de salida máxima que puede obtenerse de un
amplificador push pull usando dos de estos transistores cuando son
operados en clase B. Asuma que la excitación es sinusoidal y la eficiencia
del amplificador es de 65%

PROBLEMA P1.16: Explique por qué de las siguientes afirmaciones:

a) La resistencia térmica limita la disipación de calor en un transistor de potencia.
b) La máxima disipación de potencia de un transistor depende de la temperatura.
c) La zona de saturación recorta el pico negativo de la señal de salida.
d) En un amplificador de potencia clase B, la impedancia de entrada es no lineal.
e) La máxima disipación de potencia en un transistor está representada por una
hipérbola en el plano Ic vs. Vce.
f) Los transistores de potencia en un amplificador push pull deben ser idénticos.
g) Los transistores de potencia del amplificador de simetría complementaria deben
tener las mismas características eléctricas.
h) En clase B se produce la distorsión de cruce.

PROBLEMA P1.17: Se desea entregar 10 W a una carga de 8Ω, mediante un

amplificador Push Pull clase AB. Si se dispone de transistores con BVCEO = 80 V,
β = 50 y VCE,sat = 2V. Asuma que los transformadores son ideales, el de entrada
con n = 1 y el de salida con n = 3. Halle:
a) El valor de la fuente DC (VCC).

47
b) La potencia entregada por la fuente.

PROBLEMA P1.18: Diseñe un amplificador clase B de simetría complementaria

para obtener una potencia de salida de 10W en una carga de 8Ω. Especifique:
a) Las características de los transistores. b) La tensión de alimentación. c) La
potencia entregada por la fuente.

PROBLEMA P1.19: En el circuito mostrado, determine:

a) Las corrientes de polarización de todos los transistores b) PLmáx c) PCCmáx
d) PCmáx e) La eficiencia total f) ¿Para qué sirve Q1?
Asuma: Que todos los transistores son de silicio con β = 50, VCE,sat = 0.5V, C1 y
C3 son muy grandes
+ 9 Vdc

R1
Q1

68K Q3

D1
R7
22
R6 C3
1K

D2
R8
R2 22
68K
C1
Q2 Q4

R5 R9 RL
R3 1.5K 40
180K
Vg R4 15K
33

C2
100uF

Figura 1.87
PROBLEMA P1.21: En el circuito mostrado, halle las características de cada
transistor y determine: a) PCC b) PLmáx c) PCmáx d) La eficiencia total
+ 45Vdc
R6 R12 R19
5K6 270 2K2 R20
1K5
Q6
D1046
R4 R8 D1 R16 C9 R21 Q8 Q10 Q12 D4
18K 2K2 100/50 12 2N3773 2N3773 2N3773
1N4004 R22 1N5395
4K3 47/1
R24 R26 R28
R3 C3 C5 R13 C8 D2 0.22/5 0.22/5 0.22/5
2M2 R7 100/50 2K2
C2 1N4004
10/50 200pF
470K R18
R1 C1 0.2 R10 Q3 Q4 1M
Q1 Q2 R9 2K2 B649 B649 RL
BC549 BC549 15K R17 D3
22K 2.2/50 R15 220K 4 OHM
270 C10 1N4004
Q7
D816 D5
100pF
Q5 Q9 Q11 Q13 1N5395
R2 R5 C4 R11 D386 2N3773 2N3773 2N3773
47K 270 22K C6 R14 C7
330pF 680 100/50 R23
47K 47/1 R25 R27 R29
0.22/5 0.22/5 0.22/5

- 45Vdc

Figura 1.88

48
PROBLEMA P1.20: En el circuito mostrado es un amplificador push pull clase A,
determine expresiones para: a) PCC b) PLmáx c) PCmáx d) La eficiencia total e)
La figura de mérito
1:1
2 8 Q1 8 T2 2

Ig 5 R14 VBB VCC 5

7 7 RL

11 6 R Q2 6 11

1:1
Ideal

Figura 1.89

PROBLEMA P1.21: Analice el circuito mostrado y determine la máxima potencia

de salida y la máxima potencia que disipa cada transistor.

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BIBLIOGRAFIA
1).- CIRCUITOS MICROELECTRONICOS: ANÁLISIS Y DISEÑO
Muhammad Rashid
Editorial: International Thomson Editores
2).- MICROELECTRONICA: CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
Mark N. Horenstein
Editorial: Prentice – Hall Hispanoamérica S. A.
3) MICROELECTRONICA: CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
Sedra
Smith
Editorial: Oxford
4).- CIRCUITOS ELECTRONICOS II
M. A. Martino,
M. Leureyros
Copias del curso – UNI 1980
5) ELECTRONIC CIRCUITS: DISCRETE AND INTEGRATED
Schilling, Donald L.
Belove, Charles
Editorial: Mc Graw-Hill Kogakusha, Ltd.
6) DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Millman, Jacob
Halkias, Cristos C.
Editorial: Mc Graw-Hill Book Company
7).- ANÁLISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS INTEGRADOS
Paul E. Gray
Robert Meyer
Editorial: Prentice – Hall Hispanoamérica S. A.
8).- COMMUNICATION CIRCUITS: ANALYSIS AND DESIGN
Clarke, Kenneth
Hess T. Donald
Editorial: Addison-Wesley Publishing Company
9).- MANUAL RCA – SC15
10).- MANUAL DE AMPLIFICADORES DE BAJA FRECUENCIA
TRANSISTORIZADOS
Francisco Ruiz Vasallo
Editorial: Ediciones CEAC – Barcelona 2da. Edición – 1979
11).- MANUAL DE BAFFLES Y ALTAVOCES
Francisco Ruiz Vassallo
Editorial: Ediciones CEAC – Barcelona 3da. Edición – 1981

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